JPS63147867A - 窒化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素焼結体の製造方法Info
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- JPS63147867A JPS63147867A JP61296039A JP29603986A JPS63147867A JP S63147867 A JPS63147867 A JP S63147867A JP 61296039 A JP61296039 A JP 61296039A JP 29603986 A JP29603986 A JP 29603986A JP S63147867 A JPS63147867 A JP S63147867A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度、高強度を有する窒化ケイ素焼結体の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
窒化ケイ素焼結体は常温で80kg/mm2以上の高い
曲げ強度を有し、耐熱性、高温強度に優れており、高強
度耐熱材料、高精密耐摩耗性材料としてジーゼル、ガス
タービン等の熱機関の高温化、軽量化、高効率化が実現
できる材料として期待されている。
曲げ強度を有し、耐熱性、高温強度に優れており、高強
度耐熱材料、高精密耐摩耗性材料としてジーゼル、ガス
タービン等の熱機関の高温化、軽量化、高効率化が実現
できる材料として期待されている。
これら焼結体の熱的、機械的性質は原料窒化ケイ素粉末
の性状に依存するところが大きく、中心位11、粒径分
布、純度はもとより、結晶相の制御がその焼結特性に影
古を与える。従って、原料粉末の結晶相を制御すること
は高密度、高強度の窒化ケイ素焼結体を得るための重要
な要因となっている。
の性状に依存するところが大きく、中心位11、粒径分
布、純度はもとより、結晶相の制御がその焼結特性に影
古を与える。従って、原料粉末の結晶相を制御すること
は高密度、高強度の窒化ケイ素焼結体を得るための重要
な要因となっている。
窒化ケイ素は難焼結性物質でこれ単独では焼結が困難で
あるため、通常、YzOz、MgO,−gO/A I□
03゜Y2O3/Al2O:1等の各種焼結助剤を添加
して緻密な焼結体を得ている。また、窒化ケイ素にはα
形とβ形の2種類の結晶形が存在することが知られてお
り、α形窒化ケイ素はその焼結過程において上記焼結助
剤が液相を形成し、その液相の助けを得てβ形窒イヒケ
イ素への転移を生じ、そのため焼彷性に優れると共にβ
形窒化ケイ素の柱状晶が発達した高強度の焼結体が得ら
れると言われている。
あるため、通常、YzOz、MgO,−gO/A I□
03゜Y2O3/Al2O:1等の各種焼結助剤を添加
して緻密な焼結体を得ている。また、窒化ケイ素にはα
形とβ形の2種類の結晶形が存在することが知られてお
り、α形窒化ケイ素はその焼結過程において上記焼結助
剤が液相を形成し、その液相の助けを得てβ形窒イヒケ
イ素への転移を生じ、そのため焼彷性に優れると共にβ
形窒化ケイ素の柱状晶が発達した高強度の焼結体が得ら
れると言われている。
そのため、従来からできるだけαを口金有量の多い窒化
ケイ素微粉末が焼結用の原料粉末に使用されてきた。
ケイ素微粉末が焼結用の原料粉末に使用されてきた。
本発明者らはこのα−β転移と焼結挙動の関係を詳細に
検討した。すなわち、β相含有量の異なる種々の窒化ケ
イ素微粉末を用いて、そのα−β転移特性と焼結特性を
調べた。その結果、個々の粉末のみでは窯業協会誌94
[1011986年、1079頁に記載されている通
り原料粉末のβ相含有量の多少にかかわらずα−β転移
開始温度は殆ど変わらなカッタ、シかし、Yz(h、M
gO,MgO/AhOi、Yg(h /A1□O1等等
の焼結助剤を添加して焼結した場合にはβ相含有量の多
い窒化ケイ素粉末はどα→β転移がより低温から始まっ
ていることが判った。そして、殆どすべてα相からなる
窒化ケイ素微粉末ではα−β転移が遅く、焼結が始まっ
てからα→β転移を生じるため、柱状のβ相結晶成長時
に焼結体密度の低下を生じるという問題があることも見
い出した。
検討した。すなわち、β相含有量の異なる種々の窒化ケ
イ素微粉末を用いて、そのα−β転移特性と焼結特性を
調べた。その結果、個々の粉末のみでは窯業協会誌94
[1011986年、1079頁に記載されている通
り原料粉末のβ相含有量の多少にかかわらずα−β転移
開始温度は殆ど変わらなカッタ、シかし、Yz(h、M
gO,MgO/AhOi、Yg(h /A1□O1等等
の焼結助剤を添加して焼結した場合にはβ相含有量の多
い窒化ケイ素粉末はどα→β転移がより低温から始まっ
ていることが判った。そして、殆どすべてα相からなる
窒化ケイ素微粉末ではα−β転移が遅く、焼結が始まっ
てからα→β転移を生じるため、柱状のβ相結晶成長時
に焼結体密度の低下を生じるという問題があることも見
い出した。
本発明の目的は焼結に供する窒化ケイ素微粉末のβ相含
有率を特定の範囲に調整して、焼結時のα−β転移を速
め、よりたやすく高密度、高強度の窒化ケイ素焼結体を
得る方法を提供するものである。
有率を特定の範囲に調整して、焼結時のα−β転移を速
め、よりたやすく高密度、高強度の窒化ケイ素焼結体を
得る方法を提供するものである。
本発明は窒化ケイ素粉末に焼結助剤を添加し、混合、成
形後、非酸化性雰囲気で焼成して窒化ケイ素焼結体を製
造する方法において、該窒化ケイ素粉末としてβ相含有
率2%未満のα型窒化ケイ素粉末とβ相含有率10%以
上の窒化ケイ素粉末を混合し、β型窒化ケイ素含有率を
2〜30%に調整した窒化ケイ素粉末を用いることを特
徴とする窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供するもので
ある。
形後、非酸化性雰囲気で焼成して窒化ケイ素焼結体を製
造する方法において、該窒化ケイ素粉末としてβ相含有
率2%未満のα型窒化ケイ素粉末とβ相含有率10%以
上の窒化ケイ素粉末を混合し、β型窒化ケイ素含有率を
2〜30%に調整した窒化ケイ素粉末を用いることを特
徴とする窒化ケイ素焼結体の製造方法を提供するもので
ある。
以下、本発明について詳述する。
本発明において用いる窒化ケイ素粉末はβ相含有率を調
整するためにβ相含有率2%未満のα型窒化ケイ素粉末
とβ相含有率10%以上の窒化ケイ素粉末を混合して使
用する。β相含有率2%未満のα型窒化ケイ素微粉末お
よびβ相含有率10%以上の窒化ケイ素微粉末はできる
だけ高純度で、中心粒径2μm以下の粒径分布のシャー
プな微粉末を用いることが好ましい。
整するためにβ相含有率2%未満のα型窒化ケイ素粉末
とβ相含有率10%以上の窒化ケイ素粉末を混合して使
用する。β相含有率2%未満のα型窒化ケイ素微粉末お
よびβ相含有率10%以上の窒化ケイ素微粉末はできる
だけ高純度で、中心粒径2μm以下の粒径分布のシャー
プな微粉末を用いることが好ましい。
それぞれの粉末は、β型窒化ケイ素の比率が2〜30%
になるように混合される。β型窒化ケイ素の比率が2%
未満であればα−β転移が遅く、焼結が始まってからα
−β転移を生じるため、柱状のβ相結晶成長時の焼結体
密度の低下が著しり、30%より多いと高強度の焼結体
が得られにくい。
になるように混合される。β型窒化ケイ素の比率が2%
未満であればα−β転移が遅く、焼結が始まってからα
−β転移を生じるため、柱状のβ相結晶成長時の焼結体
密度の低下が著しり、30%より多いと高強度の焼結体
が得られにくい。
混合の手段は特に限定されず、通常ボールミル等により
バインダー、可塑剤、滑剤、焼結助剤等と共に湿式混合
される。
バインダー、可塑剤、滑剤、焼結助剤等と共に湿式混合
される。
焼結助剤としてはYzOz1MgO1MgO/AlzO
3,YzOs/Altos等の一般に窒化ケイ素の焼結
助剤として用いられている化合物およびそれらの混合物
を用いることができる。その添加量の好ましい範囲は窒
化ケイ素粉末に対し1〜15重量%である。添加量が1
5重量%より多いと得られる焼結体の高温強度が低下す
る傾向があり、1重世%より少ないとα−β転移が焼結
中に完結しに<<、かつ焼結が十分に進まないために高
密度の焼結体が得るのが困難となるので好ましくない、
これらの窒化ケイ素混合粉末の成形方法については特に
限定はされないが、例えば金型プレス成形、ラバープレ
ス成形、−押出し成形、射出成形、泥しよう鋳込み成形
等の方法を製造しようとする製品の形状等に合わせて適
宜選択することができる。
3,YzOs/Altos等の一般に窒化ケイ素の焼結
助剤として用いられている化合物およびそれらの混合物
を用いることができる。その添加量の好ましい範囲は窒
化ケイ素粉末に対し1〜15重量%である。添加量が1
5重量%より多いと得られる焼結体の高温強度が低下す
る傾向があり、1重世%より少ないとα−β転移が焼結
中に完結しに<<、かつ焼結が十分に進まないために高
密度の焼結体が得るのが困難となるので好ましくない、
これらの窒化ケイ素混合粉末の成形方法については特に
限定はされないが、例えば金型プレス成形、ラバープレ
ス成形、−押出し成形、射出成形、泥しよう鋳込み成形
等の方法を製造しようとする製品の形状等に合わせて適
宜選択することができる。
焼結は非酸化性雰囲気中で行う。非酸化性雰囲気として
は窒素ガス、窒素と水素の混合ガス、窒素とアルゴンの
混合ガス等が使用できるが、窒素ガス雰囲気が製造コス
ト、装置の取り扱い易さ等から最も好ましい、また常圧
焼結法においては、窒化ケイ素の蒸発を防ぐために、成
形体を窒化ケ、イ素を主成分とする粉末の中に埋め込ん
で焼結するパウダーベッド法を用いることが好ましい。
は窒素ガス、窒素と水素の混合ガス、窒素とアルゴンの
混合ガス等が使用できるが、窒素ガス雰囲気が製造コス
ト、装置の取り扱い易さ等から最も好ましい、また常圧
焼結法においては、窒化ケイ素の蒸発を防ぐために、成
形体を窒化ケ、イ素を主成分とする粉末の中に埋め込ん
で焼結するパウダーベッド法を用いることが好ましい。
焼結温度は通常1700〜1850℃が用いられる。そ
の他、窒素ガス圧で加圧しながら焼結するガス圧焼結法
、ホントプレス法およびHr P法等の焼結方法を用い
ることができる。
の他、窒素ガス圧で加圧しながら焼結するガス圧焼結法
、ホントプレス法およびHr P法等の焼結方法を用い
ることができる。
本発明の方法によればα相含有率の高い窒化ケイ素の問
題であった焼結時におけるα−β転移を速めることがで
き、柱状のβ相結晶成長による焼結体密度の低下を生し
ることなく柱状のβ相結晶の発達した高密度、高強度の
焼結体を製造することができる。
題であった焼結時におけるα−β転移を速めることがで
き、柱状のβ相結晶成長による焼結体密度の低下を生し
ることなく柱状のβ相結晶の発達した高密度、高強度の
焼結体を製造することができる。
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明
はこれらにより限定されるものでない。
はこれらにより限定されるものでない。
なお、窒化ケイ素粉末のβ相含有率はX線回折のα相と
β相の強度比較により求めた。
β相の強度比較により求めた。
焼結体の密度はアルキメデス法、曲げ強度はJISR−
1601記載の3点曲げ試験法により測定した。
1601記載の3点曲げ試験法により測定した。
実施例1〜5
X線回折でβ相が確認できない殆どβ相を含まない中心
粒径0.5 μmの窒化ケイ素微粉末に、β相を72%
含む中心粒径0.6 μmの窒化ケイ素微粉末を添加し
、β相含有率2.4.7.15.30%の窒化ケイ素微
粉末を調整した。この窒化ケイ素微粉末90重量%、酸
化アルミニウム4重量%、酸化イツトリウム6重量%か
らなる混合粉末を調整し、この混合わ)末を300kg
/cm2の圧力で一軸プレスし、次いで1500kg/
cm”の圧力でラバープレスを行い4X 5 X50m
mの成形体を得た。この成形体を窒化ケイ素粉末と窒化
ホウ素粉末の50 / 50混合扮宋に埋め、窒化ガス
雰囲気で昇温速度5℃/分で昇温し、1750℃で0〜
3時間保持して窒化ケイ素焼結体を得た。
粒径0.5 μmの窒化ケイ素微粉末に、β相を72%
含む中心粒径0.6 μmの窒化ケイ素微粉末を添加し
、β相含有率2.4.7.15.30%の窒化ケイ素微
粉末を調整した。この窒化ケイ素微粉末90重量%、酸
化アルミニウム4重量%、酸化イツトリウム6重量%か
らなる混合粉末を調整し、この混合わ)末を300kg
/cm2の圧力で一軸プレスし、次いで1500kg/
cm”の圧力でラバープレスを行い4X 5 X50m
mの成形体を得た。この成形体を窒化ケイ素粉末と窒化
ホウ素粉末の50 / 50混合扮宋に埋め、窒化ガス
雰囲気で昇温速度5℃/分で昇温し、1750℃で0〜
3時間保持して窒化ケイ素焼結体を得た。
得られた焼結体のβ相含有率、密度、曲げ強度を第1表
に示した。
に示した。
また、同様にしてβ相含有率が4および15%の原料窒
化ケイ素粉末を用いて焼結して得られた焼結体のβ相含
有率と1750℃での焼結時間との関係を第1図に示し
た。さらに上記β相合佇率4%、15%の窒化ケイ素微
粉末を用いて得られた焼結の密度と1750℃での焼結
時間との関係を第2図に示した。
化ケイ素粉末を用いて焼結して得られた焼結体のβ相含
有率と1750℃での焼結時間との関係を第1図に示し
た。さらに上記β相合佇率4%、15%の窒化ケイ素微
粉末を用いて得られた焼結の密度と1750℃での焼結
時間との関係を第2図に示した。
比較例 l
X線回折でβ相が確認できない殆どβ相を含まない中心
粒径0.5 μmの窒化ケイ素漱わ)未90重世%、酸
化アルミニウム4重量%、酸化イツトリウム6重量%か
らなる混合粉末を調整し、この混合粉末を実施例1と同
様300kg/cw+”の圧力で一軸プレスし、次いで
1500kg/cm”の圧力でラバープレスを行い成形
体を得た。この成形体を窒化ケイ素粉末と窒化ホウ素粉
末の50 / 50混合粉末に埋め、窒化ガス雰囲気で
昇温速度5℃/分で昇温し、1750゛Cで0〜3時間
保持して窒化ケイ素焼結体を得た。
粒径0.5 μmの窒化ケイ素漱わ)未90重世%、酸
化アルミニウム4重量%、酸化イツトリウム6重量%か
らなる混合粉末を調整し、この混合粉末を実施例1と同
様300kg/cw+”の圧力で一軸プレスし、次いで
1500kg/cm”の圧力でラバープレスを行い成形
体を得た。この成形体を窒化ケイ素粉末と窒化ホウ素粉
末の50 / 50混合粉末に埋め、窒化ガス雰囲気で
昇温速度5℃/分で昇温し、1750゛Cで0〜3時間
保持して窒化ケイ素焼結体を得た。
得られた焼結体のβ相合・有率、密度、曲げ強度を表1
に示した。
に示した。
また、同様にしてβ相含有率が0%の原料窒化ケイ素粉
末を用いて焼結して得られた焼結体のβ相含有率と17
50℃での焼結時間との関係を第1図に示した。さらに
上記β相含有率O%の窒化ケイ素微わ)末を用いて得ら
れた焼結の密度と1750℃での焼結時間との関係を第
2図に示した。
末を用いて焼結して得られた焼結体のβ相含有率と17
50℃での焼結時間との関係を第1図に示した。さらに
上記β相含有率O%の窒化ケイ素微わ)末を用いて得ら
れた焼結の密度と1750℃での焼結時間との関係を第
2図に示した。
第1図は窒化ケイ素粉末のβ相合を率と1750℃での
焼結時間との関係を示す図であり、第2図は窒化ケイ素
焼結体密度と1750℃での焼結時間との関係を示す図
である。 ○ 1 2 3175
0°C(1,RnnACmtsIIv間) (Hr
)第1図 第2図
焼結時間との関係を示す図であり、第2図は窒化ケイ素
焼結体密度と1750℃での焼結時間との関係を示す図
である。 ○ 1 2 3175
0°C(1,RnnACmtsIIv間) (Hr
)第1図 第2図
Claims (1)
- 窒化ケイ素粉末に焼結助剤を添加し、混合、成形後、
非酸化性雰囲気で焼成して窒化ケイ素焼結体を製造する
方法において、該窒化ケイ素粉末としてβ相含有率2%
未満のα型窒化ケイ素粉末とβ相含有率10%以上の窒
化ケイ素粉末を混合し、β型窒化ケイ素含有率を2〜3
0%に調整した窒化ケイ素粉末を用いることを特徴とす
る窒化ケイ素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61296039A JPS63147867A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61296039A JPS63147867A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63147867A true JPS63147867A (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=17828310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61296039A Pending JPS63147867A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63147867A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63252967A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
JPH03290370A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-20 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高靭性窒化けい素焼結体の製造法 |
JPH06219840A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-09 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP61296039A patent/JPS63147867A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63252967A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
JPH03290370A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-20 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高靭性窒化けい素焼結体の製造法 |
JPH06219840A (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-09 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
US5691261A (en) * | 1993-01-22 | 1997-11-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride ceramic |
US5804521A (en) * | 1993-01-22 | 1998-09-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for production of a silicon nitride ceramic |
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