JP2004504712A - セラミック材料および該セラミック材料を有するコンデンサー - Google Patents

Abstract

本発明は、誘電率に対して負の温度係数を有するＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２からなる相ｍ質量％および誘電率に対して正の温度係数を有するＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７からなる相１００〜ｍ質量％を有する相不均質セラミックと、この場合には、５０＜ｍ＜７０が当てはまり、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２を含有しかつ質量がセラミックに対して３〜１０質量％であるガラスフリットの添加剤とを有するセラミック材料に関する。更に、本発明は、セラミック材料を有する多層コンデンサーに関する。

Description

【０００１】
本発明は、セラミックおよびガラスフリットを有するセラミック材料ならびにセラミック材料を有するコンデンサーに関する。
【０００２】
金属電極を有する多層コンデンサーのための誘電体として使用されるセラミック材料は、公知である。電極材料として費用の理由から銅が好ましい。しかし、銅を電極材料として使用する場合には、セラミック材料の焼結温度を銅の溶融温度未満に減少させることが必要とされる。それというのも、多層コンデンサーは、セラミックと電極とを一緒に焼結させることによって製造されるからである。
【０００３】
既に、セラミック材料とＣｕ電極との一緒の焼結を還元条件下で行なう技術的解決は公知であり、この場合焼結温度は、銅の溶融温度（１０８３℃）未満に低下する。そのために定められた焼結助剤、有利にガラスフリットの添加が使用され、この場合このガラスフリットの物質的基礎は、酸化鉛および／または酸化蒼鉛を含有する系である。１０００℃の範囲の焼結の間に銅の酸化を中止させるために、１０^−２Ｐａ未満の酸素分圧が使用されなければならない。同時に酸素分圧の臨界的下限値を下廻ってはならない。それというのも、さもなければセラミックまたは製造の際に使用されるガラスフリットの成分は還元され、このことは、強制的にイオン抵抗の減少および誘電損失の許容できない上昇をまねくからである。この臨界的下限値を局部的に下廻ることを回避させるために、製造の際に使用される基体の脱炭素は、焼結の開始前に完全に実現されていなければならない。
【０００４】
刊行物の欧州特許出願公開第０５３４８０２号明細書Ａ１、米国特許第５２６４４０３号明細書、米国特許第５３０４５２１号明細書、米国特許第５３５０７２１号明細書、米国特許第５４７９１４０号明細書、米国特許第５４９３２６２号明細書、米国特許第５４８８０１９号明細書、米国特許第５４８５１３２号明細書には、ＢａＯ−ＴｉＯ_２−（ＳＥ）_２Ｏ_３の物質系のセラミック材料が記載されており、この場合には、希土類金属（ＳＥ）の酸化物は、部分的にＢｉ_２Ｏ_３によって置換されていてもよく、焼結圧縮は、部分的に既に９００℃で、ＣｄＯ、ＰｂＯまたはＢｉ_２Ｏ_３を含有するガラスフリット含分またはＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２の系のガラスが添加されていることによって成功する。それによって、Ａｇ電極との一緒の焼結は、空気に接して可能になる。不活性条件下、例えば窒素雰囲気下での銅電極との一緒の焼結のためには、前記系は、絶縁抵抗の減少および誘電損失の上昇を結果として生じる部分的な還元と比較して十分に安定性でないことが判明した。
【０００５】
刊行物の欧州特許出願公開第０５３４８０１号明細書Ａ１、米国特許第５４５８９８１号明細書および米国特許第５２９２６９４号明細書には、同様に銀電極を用いての一緒の焼結のために、Ｂ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有するガラス添加剤との関連でＢａＯ−ＴｉＯ_２−ＳＥ_２Ｏ_３セラミック材料が開示されている。この場合も空気侵入下での脱炭素は、銅電極との組合せを阻止するので、したがって電極材料としての銀または銀／パラジウム合金に立ち返らなければならない。銀電極の安価な使用の利点には、殊に高い温度の際の銀の移動度が高いという欠点が相対立しており、この場合この欠点は、移行効果およびそれから生じる、誘電性の劣化を生じうる。
【０００６】
刊行物のドイツ連邦共和国特許第１９７４９８５８号明細書の記載によれば、高い誘電率（ＤＫ）のＣＯＧコンデンサーおよびマイクロ波共振器の製造に使用される物質系のＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２は、０．６＜ｘ＜２．１および０＜ｙ＜０．６を有する斜方晶青銅（Ｂａ_１−ｙＰｂ_ｙ）_６−ｘＮｄ_{８＋２ｘ／３}Ｔｉ_１８Ｏ_５４の相形成の範囲内で１０３０℃未満の温度での焼結、ひいてはＣｕ電極を用いての一緒の焼結のために、焼結助剤、有利に一定の組成のＰｂＯ不含のガラスフリットが混入され、窒素雰囲気下での完全な脱炭素が水蒸気の作用下で高められた温度で石油の加工により公知のスチームリフォーミング法を利用しながら達成されることによって、開発されている。この技術的解決のために、セラミックの安定性がＰｂＯ含量によって制限されており、このことは、特に入念な脱炭素および僅かすぎる酸素分圧の極端に入念な回避を必要とするいることを限定的に述べることができる。これら２つの要求は、互いに結び付けられている。それというのも、少なすぎる有機残留成分によって惹起される、臨界的酸素分圧の許容できない不足は局部的に回避されなければならないからである。さもなければ、９５４℃で溶融する共晶Ｐｂ／Ｃｕ合金が形成され、このことは、電極の漏出をまねく。
【０００７】
このような欠点を回避させるために、ＰｂＯ不含およびＢｉ_２Ｏ_３不含の系は、適当であることが判明した。ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９８４１４８７号明細書Ａ１には、ＣＯＧコンデンサーおよびマイクロ波共振器を製造するために斜方晶青銅Ｂａ_６−ｘ（Ｓｍ_ｙＮｄ_１−ｙ）_{８＋２ｘ／３}Ｔｉ_１８Ｏ_５４の相形成の範囲内でＰｂＯ不含の物質系のＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−Ｓｍ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２が記載されており、この場合キャパシティに対する温度係数ＴＫＣ＜３０ｐｐｍ／Ｋまたは共振周波数に対する温度係数ＴＫν_０＜１０ｐｐｍ／Ｋは、組成物のパラメーターｘおよびｙを適当に選択することによって意図的に調節され、同時に１０３０℃未満の温度の際の焼結、ひいてはＣｕ電極と一緒の焼結は、適当な組成のガラスフリットが相応する量で添加されることにより達成される。この利点の利用は、当該組成の斜方晶青銅が均質相として焼結前に完全に形成されることを前提条件とし、このことは、酸化物原料ＢａＣＯ_３、Ｎｄ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２の混合物をか焼する際に１２５０℃の比較的高い変換温度を必要とする。
【０００８】
従って、本発明の目的は、最大で１２４０℃の温度でか焼によって酸化物原料から製造することができる、コンデンサーに適したセラミック材料を提供することである。更に、セラミック材料は、１０３０℃未満の温度で焼結可能であるはずであり、誘電率に対して低い温度係数を有するはずである。
【０００９】
この目的は、本発明によれば、請求項１記載のセラミック材料によって達成される。本発明の好ましい実施形式および本発明によるセラミック材料を有するコンデンサーは、他の請求項から認めることができる。
【００１０】
本発明には、相不均質セラミックおよびセラミックに対して付加的なガラスフリットの添加剤を含有するセラミック材料が記載されている。相不均質セラミックは、相不均質セラミックは、第１の相ｍ質量％および第２の相１００〜ｍ質量％を有する。第１の相は、誘電率に対して負の温度係数を有するＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２からなり、一方、第２の相は、誘電率に対して正の温度係数を有するＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７からなる。この場合、混合パラメーターｍについては、５０＜ｍ＜７０が当てはまる。ガラスフリットは、酸化亜鉛、酸化硼素および酸化珪素を含有し、相不均質セラミック３〜１０質量％である質量を有している。
【００１１】
セラミック材料は、記載された成分と共にセラミックの望ましい性質を損なわない他の常用の成分を含有することができる。
【００１２】
本発明によるセラミック材料は、このセラミック材料中に含有されている相不均質セラミックが既に１１８０℃の温度でか焼によって原料の炭酸バリウム、酸化ネオジムおよび酸化チタンから製造されうるという利点を有している。本発明によるセラミック材料は、比較的低いか焼温度によって僅かな加熱費用で製造可能である。更に、本発明によるセラミック材料は、５０を上廻る高い誘電率εを有するという利点を有している。
【００１３】
更に、本発明によるセラミック材料は、１０３０℃未満の温度で焼結可能であり、それによって銅電極と一緒の焼結が可能になるという利点を有している。
【００１４】
本発明の特に好ましい実施態様において、ガラスフリットは、セラミック材料中で次の組成を有している：（ＺｎＯ）_５８．５（Ｂ_２Ｏ_３）_{３１．４５}（ＳｉＯ_２）_{１０．０５}。
【００１５】
更に、本発明には、本発明によるセラミック材料が誘電体として使用されるコンデンサーが記載されている。この誘電体は、基体を形成し、この基体は、対向する２つの面上にそれぞれ１つの接触層を有している。接触相は、基体の内部に存在する、櫛状に互いに噛み合う電極と接触している。コンデンサー中に使用されるセラミック材料は、酸化鉛も酸化蒼鉛も含有していないので、セラミック材料は、還元作用の影響に対して特に安定であり、したがってコンデンサーは、キャパシティが長時間安定であるという利点を有している。
【００１６】
コンデンサーの特に好ましい実施態様において、電極は、銅からなり、セラミック材料と一緒に焼結されている。銅は、安価に入手することができ、高い導電率を有するという利点を有している。それによって、コンデンサーは、有利に高い周波数の範囲で使用することができる。
【００１７】
本発明によるコンデンサーは、コンデンサーのキャパシティに対する温度係数が所謂”ＣＯＧ特性”の要件を満たす程度にセラミックの組成がパラメーターｍの適当な選択によって調節されていることにより、殊に有利に形成されていてもよい。”ＣＯＧ特性”は、ＣＯＧコンデンサーのキャパシティΔＣ／ΔＴに対する温度係数が−５５℃〜１２５℃の温度間隔内で３０ｐｐｍ／Ｋよりも小さいことを意味する。コンデンサーのキャパシティに対する温度係数は、本質的に使用されるセラミック材料の誘電率に対する温度係数に依存するので、セラミックの個々の段階に対する温度係数を適当に補償することによって、コンデンサーのキャパシティに対する温度係数の最小化を達成することができる。
【００１８】
ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２の物質系において、誘電率に対する温度係数ＴＫε_１が約−１２０ｐｐｍ／Ｋである化合物ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２は、誘電率に対する温度係数ＴＫε_２が約＋２００ｐｐｍ／Ｋである化合物Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７と、混合の規則ＴＫε＝ｖ_１　ＴＫε_１＋ｖ_２　ＴＫε_２に基づいて不均質相混合物に組み合わせることができ、この混合物は、それによって製造されたコンデンサーについてキャパシティに対する温度係数ＴＫＣ＝ＴＫε＋α_Ｌほぼ零を生じる。この場合、ｖ_ｉは、成分に対する体積％での含量を示し、α_Ｌは、セラミック材料の熱膨張率の値を示す。
【００１９】
Ｃｕ電極と一緒の焼結を可能にする、１０３０℃未満の温度での焼結は、不活性ガス雰囲気を使用する際に十分に低い酸素分圧で、セラミックに焼結助剤としての記載された組成を有するガラスフリットが混入されていることによって開発されている。
【００２０】
更に、ＴＫＣ値が組成に依存するという認識に基づいて、ガラスフリットの添加によって誘発される、温度係数ＴＫεの移行は、正の値または負の値により、組成を意図的に変化させること（パラメーター値ｍの選択）によって補償されうるという利点を有している。
【００２１】
本発明の利点は、ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２とＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７とからなる相不均質混合物が既に１１８０℃の変換温度で原料のＢａＣＯ_３、Ｎｄ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２からか焼によって入手することができ、焼結圧縮がガラスフリットの含分の添加によって９３０℃〜最大で１０３０℃でＣｕ電極の存在で１０^−２Ｐａ未満の酸素分圧下で実施可能であることにあり、この場合ＣＯＧコンデンサーにとって典型的な性質は、部分的な還元により損傷を受けない。
【００２２】
製造法の進行中に製造された基体の完全な脱炭素は、石油化学から公知である、炭化水素またはそれから誘導された有機化合物から二酸化炭素および水素への分解プロセスを、高められた温度で水蒸気を作用させること（”スチームクラッキング”）によってセラミック法に転用することにより、焼結圧縮の開始時を下廻る温度範囲内で成功する。例えば、結合剤としてのポリエチレングリコールまたはポリアクリル酸の分解についての熱動的データから次の反応式
【００２３】
【化１】

【００２４】
により僅かに負の自由エンタルピーを評価することができ、したがって窒素雰囲気（１０^−２Ｐａ未満の酸素分圧）下で銅の酸化を回避させるために行なわなければならない、基体の脱炭素のプロセスは、完全に進行することができる。
【００２５】
次に、本発明は、実施例およびそれに属する図につき詳説される。
【００２６】
図１は、基体１を有する本発明によるコンデンサーを示し、この場合この基体は、対向する２つの面上でそれぞれ１つの接触層２、３を有する。これらの接触層２、３は、銅の焼付けペーストから製造されていてもよい。基体１は、本発明によるセラミック材料からなり、コンデンサーの誘電体を形成する。基体１内には、櫛状に互いに噛み合う電極４が配置されており、この場合この電極は、好ましくは銅からなる。本発明によるセラミック材料は、コンデンサーがセラミック材料を銅電極と一緒に焼結させることによって焼結により製造されうる程度に供給される。
【００２７】
以下、本発明によるセラミック材料の製造およびセラミック材料中に含有されているセラミックは、種々の実施例につき記載されている：
化合物のＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２およびＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７は、粉末状の出発物質ＢａＣＯ_３、Ｎｄ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２を相応するモル比で混合しかつこの混合物を１１８０℃で反応させることによって混合物として得ることができ、この場合第１の化合物の誘電率に対する負の温度係数および第２の化合物のは、２つの成分の体積％としてのｖ_１、ｖ_２を有する混合の規則ＴＫε＝ｖ_１　ＴＫε_１＋ｖ_２　ＴＫε_２に基づいてほぼ零の値に補足されている。同様に、関係式ＴＫε＝−２ＴＫν_０−２α_Ｌに基づいて組成を適当に選択することによって、ほぼ零の値へのマイクロ波共振周波数ＴＫ_ν０の温度係数の調節を達成することができ、このことは、マイクロ波共振器用セラミックとしての使用を可能にする。
【００２８】
混合の規則の有効性を試験するために、変換後に得られた混合物は、最初にガラスフリット添加剤なしに粉砕プロセスに施こされ（平均粒径約０．６μｍ）、引続き得られた微粒状の粉末混合物は、グラニュールに移行され、このグラニュールは、加圧によって円板状の試験体または共振測定に適した円筒状の物体に圧縮され、この試験体または物体は、引続き１３５０〜１３８０℃で６時間に亘って理論的にできるだけ最大の密度９５〜９７％に焼結される。このような処理形式により、例えば１２ｍｍの直径および０．６ｍｍの高さを有する円板状の試験体（Ｓ）を得ることができるかまたは１０ｍｍの直径および６．４ｍｍの高さを有する円筒状の試験体（Ｚ）を得ることができる。
【００２９】
円板状の試験体は、電極の印加によって、誘電率εの測定、１ＭＨｚの周波数の際の損失角度ｔａｎδの測定およびセラミックで形成されたコンデンサーのキャパシティに対する温度係数ＴＫＣの測定に適している。記載された測定値は、第１表に記載されている。円筒状の試験体は、この試験体から形成されたマイクロ波共振器の品質ファクターＱν_０および共振周波数ＴＫν_０に対する温度係数の測定に適しており、これら品質ファクターと温度係数の双方は、第１表中に記載されている。
【００３０】
第１表には、高い温度での焼結によって得ることができる、次の組成
（１）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２５４．８質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７４５．２質量％
（２）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２６１．４質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７３８．６質量％
（３）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２６５．０質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７３５．０質量％
を有するセラミック試験体（Ｓ）および（Ｚ）が記載されている。
【００３１】
質量％の値（ｍ−％）は、ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２についての密度ρ_１＝５．７９ｇ／ｃｍ^３およびＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７についての密度ρ_２＝６．０５ｇ／ｃｍ^３を使用しながら、混合の規則を用いて評価された、体積％の値ｖ_１、ｖ_２から明らかになる。計算されたＴＫＣ値（ＴＫＣ計算値）は、混合の規則ＴＫε＝Σ_ｉｖ_ｉＴＫε_ｉ（ｉ＝１、２）によりＴＫＣ＝ＴＫε＋α_Ｌに応じてセラミック試験体α_Ｌ＝８ｐｐｍ／Ｋの膨脹率を想定してＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２についてＴＫε_１＝１１１ｐｐｍ／ＫおよびＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７についてＴＫε_２＝２１７ｐｐｍ／Ｋを使用しながら得ることができる。ＴＫＣ値の指数における温度は、記載されたＴＫＣ値が測定された時間間隔を示している。
【００３２】
【表１】

【００３３】
ＴＫＣ値は、こうしてガラスフリットの添加によって惹起される減少を考慮するために、正の値に向かって偏倚した場合が選択されている。セラミックは、ＰｂＯの不在に基づいて不活性の条件下、例えば窒素雰囲気下での焼結の際の還元に対して高められた安定性を保証する。
【００３４】
銅電極と一緒の焼結可能性は、１１８０℃で酸化物成分から製造された、化合物ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２およびＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７の相混合物に付加的に有利に一定の組成（ＺｎＯ）_５８．５（Ｂ_２Ｏ_３）_{３１．４５}（ＳｉＯ_２）_{１０．０５}の系ＺｎＯ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２のガラスフリット３〜１０質量％を添加し、この混合物をほぼ単一モードの分布で０．６μｍの平均粒度が達成されるまで粉砕工程に施こすことにより、達成される。
【００３５】
こうして得られたスリップ剤は、濾過および乾燥の後に圧縮助剤を添加しながらグラニュールに後加工され、このグラニュールから円板状または円筒状の基体が圧縮されるか、または適当な有機結合剤系の添加直後にフィルムに加工されるかまたは噴霧によって圧縮可能なグラニュールに変えられる。
【００３６】
Ｃｕペーストをスクリーン印刷により施こすことによって、フィルムに一定のキャパシティおよび構造形式のコンデンサーに適した電極構造体を備えさせ、したがって積重ね、貼合せおよび切断の後に生部材を得ることができ、この生部材は、脱炭素および焼結に供給されることができる。図１には、この種の多層コンデンサーの構造が示されている。
【００３７】
脱炭素のために、基体は、制御された雰囲気を有する炉内で最も純粋な窒素（２〜５　ｌ／分、残留酸素分圧１０^−２Ｐａ未満）のガス流に晒され、この場合このガス流には、毎時水蒸気２〜２３ｇが供給される。最初に、４００℃に加熱され、２時間維持され、引続き６８０〜７５０℃にもたらされ、この場合完全な脱炭素には、６時間までの反応時間が必要とされる。引続き、水蒸気の供給は、約１ｇ／時間になるまで調整して弱められ、９００〜１０００℃で焼結圧縮が実施される。
【００３８】
セラミックの還元により変化をペースト中に含有されている結合剤成分によって回避させるために、コンデンサーのＣｕによる外部金属化は、当該銅ペーストの前記焼付け曲線に応じて、特殊な処理工程で同様に最も純粋な窒素の下で水蒸気の存在で行なわれる。
【００３９】
誘電セラミック特性を確認するために、Ｃｕ電極を備えた円板状の試験体（直径１２〜１３ｍｍ、厚さ０．６〜０．７ｍｍ）は、適していることが判明した。
【００４０】
第２表中には、本発明によるセラミック材料の円板試験体（Ｓ）の例およびセラミック材料
（１）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２５４．８質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７４５．２質量％
（２）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２６１．４質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７３８．６質量％
（３）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２６５．０質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７３５．０質量％
（４）ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２６８．０質量％／Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７３２．０質量％
に基づいてそれぞれ（ＺｎＯ）_５８．５（Ｂ_２Ｏ_３）_{３１．４５}（ＳｉＯ_２）_{１０．０５}のガラスフリット６質量％の付加的な添加剤と一緒に得ることができた多層コンデンサーの例が記載されている。試験体（Ｓ）および（Ｋ）は、Ｃｕ電極と一緒の焼結の結果として製造されたものである。多層コンデンサー（Ｋ）から８９±１ｐＦを有する２４個の切片が製造された。
【００４１】
第２表中には、それぞれの焼結温度Ｔ_焼結および焼結時間ｔ_焼結と共に、試験体の多孔度に対する基準として理論的な達成可能な最大の密度に対する％での相対的密度δ_ｒｅｌ、セラミック試験体の損失角度ｔａｎδ、セラミック試験体のＴＫＣおよびセラミック試験体の絶縁抵抗ＲＩｓが記載されている。
【００４２】
【表２】

【００４３】
試験体Ｓ（２）およびＳ（３）は、セラミック材料へのガラスフリット６％の混入が既に９５０℃からＣｕ電極の存在で十分な焼結圧縮を可能にし、ＣＯＧコンデンサーセラミックに課された材料特性を満たすことを明確に示している。
【００４４】
本発明は、記載された実施例に限定されるのではなく、最も一般的な形で請求項１によって定義されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】例示的に本発明によるコンデンサーを部分的な断面で示す略図。
【符号の説明】
１　基体、　２、３　接触層、　４　櫛状に互いに噛み合う電極

Claims (5)

1. 誘電率に対して負の温度係数を有するＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２からなる相ｍ質量％および誘電率に対して正の温度係数を有するＮｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７からなる相１００〜ｍ質量％を有する相不均質セラミックと、この場合には、５０＜ｍ＜７０が当てはまり、
   ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２を含有しかつ質量がセラミックに対して３〜１０質量％であるガラスフリットの添加剤とを有するセラミック材料。
2. ガラスフリットが（ＺｎＯ）_５８．５（Ｂ_２Ｏ_３）_{３１．４５}（ＳｉＯ_２）_{１０．０５}の組成を有する、請求項１記載のセラミック材料。
3. 請求項１または２記載のセラミック材料を含みかつ対向する２つの面上でそれぞれ１つの接触層（２、３）を有する誘電体としての基体（１）を備え、この接触層が基体の内部に存在する櫛状の互いに噛み合う電極（４）と接触しているコンデンサー。
4. 電極（４）が銅からなり、セラミック材料と一緒に焼結されている、請求項３記載のコンデンサー。
5. セラミックの組成は、コンデンサーキャパシティに対する温度係数が−５５℃〜１２５℃の温度間隔で３０ｐｐｍ／ケルビンよりも小さいように選択されている、請求項３または４記載のコンデンサー。