JPH06302604A - 樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法

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JPH06302604A
JPH06302604A JP5120687A JP12068793A JPH06302604A JP H06302604 A JPH06302604 A JP H06302604A JP 5120687 A JP5120687 A JP 5120687A JP 12068793 A JP12068793 A JP 12068793A JP H06302604 A JPH06302604 A JP H06302604A
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雅敏 安永
Shin Nakao
伸 中尾
Shinji Baba
伸治 馬場
Mitsuyasu Matsuo
光恭 松尾
Hirotsugu Matsushima
弘倫 松嶋
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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    • H01L2224/13116—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13155—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16104—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/16105—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad the bump connector connecting bonding areas being not aligned with respect to each other
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    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16108—Disposition the bump connector not being orthogonal to the surface
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/45001—Core members of the connector
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    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型化、電気的特性の向上を実現しかつ信頼
性の高い樹脂封止型半導体パッケージを提供する。 【構成】 半導体チップ３の主表面上にはボンディング
パッド４が形成されている。このボンディングパッド４
上に開口部を有するように、半導体チップ３の表面上に
絶縁層１１が形成されている。ボンディングパッド４上
には下地金属層１２が形成されている。絶縁層１１上に
は、下地金属層１２の周縁部上に乗上げるようにバッフ
ァコート膜１３が形成されている。下地金属層１２上に
は接続層８が形成される。接続層８上には第１導体部９
が形成される。第１導体部９の上面のみを露出させるよ
うに封止樹脂１が形成される。第１導体部９の上面上に
は、塊状の第２導体部１０が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を収納す
るための樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方
法に関し、特に、高性能、高信頼性および小型化を実現
し得る樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体素子を収納する容器と
して、半導体パッケージは知られている。この半導体パ
ッケージを構成する材料としては、主にセラミックと樹
脂の２種類を挙げることができる。これらのうちでも、
樹脂からなる半導体パッケージは、材料費が安く、量産
性がよいため民生用パッケージとして広く用いられてい
る。以下、この樹脂からなるパッケージ、いわゆる樹脂
封止型半導体パッケージを従来例の一例として挙げ、そ
れについて説明する。
【０００３】図９５は、従来の樹脂封止型半導体パッケ
ージの一例を示す部分断面斜視図である。図９５を参照
して、Ｆｅ−Ｎｉ合金などからなるダイパッド１０７上
には、表面に素子が形成された半導体チップ１０３が設
置される。この半導体チップ１０３の主表面上には、外
部との入出力用電極として機能するボンディングパッド
１０４が形成されている。一方、ダイパッド１０７の周
囲には、外部機器の電極との電気的な接続を行なうため
の内部リード１０５および外部リード１０２が設置され
ている。
【０００４】そして、上記のボンディングパッド１０４
と内部リード１０５とが、金（Ａｕ）などからなるボン
ディングワイヤ１０６によって電気的に接続される。そ
れにより、半導体チップ１０３に形成された素子と外部
機器との電気的な接続を行なうことが可能となる。上記
のダイパッド１０７、半導体チップ１０３および内部リ
ード１０５を覆うように封止樹脂１０１が形成される。
【０００５】上記の従来の樹脂封止型半導体パッケージ
は、以上のような構造を有していたため、次に説明する
ような問題点が考えられていた。上記の従来の構成にお
いては、素子と外部機器とを電気的に接続するには、ボ
ンディングワイヤ１０６、内部リード１０５および外部
リード１０２が必要であった。このボンディングワイヤ
１０６の形成領域および内部リード１０５の形成領域が
問題となる。
【０００６】すなわち、半導体チップ１０３の周囲に上
記のボンディングワイヤ１０６の形成領域および内部リ
ード１０５の形成領域が必要であるため、封止樹脂１０
１の幅が、半導体チップ１０３の幅よりも約１ｍｍ程度
大きくなってしまう。そのため、パッケージサイズの縮
小化に支障をきたすといった問題点があった。
【０００７】また、外部機器との接続部（ボンディング
ワイヤ１０６、内部リード１０５および外部リード１０
２）の長さが比較的長くなるため、インピーダンス成分
による電気的性能が劣化するといった問題点もあった。
【０００８】上記のような問題点を解決すべく、パッケ
ージの小型化および電気的性能の向上を目的として以下
に述べる３つの改良例が提案された。その改良例につい
て、図９６〜図９９を用いて説明する。
【０００９】図９６は、特開平３−１０４１４１号公報
に開示された第１の改良例における樹脂封止型半導体パ
ッケージを示す断面図である。図９６を参照して、半導
体チップ１１３主表面には、ボンディングパッド１１４
が形成されている。このボンディングパッド１１４上
に、外部機器との電気的な接続を行なうための突起電極
１１２が形成されている。この突起電極１１２の材質と
しては、半田（Ｐｂ−Ｓｎ）あるいは導電性の材料上に
半田めっきを施したものが挙げられている。この突起電
極１１２の先端部を突出させるように、半導体チップ１
１３を封止する封止樹脂１１１が形成されている。
【００１０】上記のような構成を有することによって、
第１の改良例における樹脂封止型半導体パッケージは、
半導体チップ１１３とほぼ同等の大きさとなる。すなわ
ち、従来よりも半導体パッケージの小型化が可能とな
る。また、外部機器との接続部（突起電極１１２）の長
さを従来より短くできるため、電気的特性を向上させる
ことも可能となる。
【００１１】次に、第２の改良例について図９７および
図９８を用いて説明する。図９７は、特開平４−２０７
０４６号公報に開示された第２の改良例における樹脂封
止型半導体パッケージを示す部分断面図である。図９８
は、図９７に示される樹脂封止型半導体パッケージの製
造方法を段階的に示す部分断面斜視図（（ａ）〜
（ｄ））である。
【００１２】まず図９７を参照して、半導体チップ１２
３の主表面にはボンディングパッド１２４が形成されて
いる。また、半導体チップ１２３の主表面上には、ボン
ディングパッド１２４の一部表面上に開口部を有する保
護膜１２６が形成されている。この保護膜１２６と半導
体チップ１２３とで半導体素子１２５が構成される。
【００１３】保護膜１２６上には封止樹脂１２１が形成
されている。この封止樹脂１２１には、ボンディングパ
ッド１２４上の領域に開口部１２１ａが形成されてい
る。この開口部１２１ａの内表面およびボンディングパ
ッド１２４上には、封止樹脂１２１の表面から突出する
ように突起電極１２２が形成されている。この突起電極
１２２の材質としては、低融点金属あるいは導電性樹脂
などが開示されている。
【００１４】次に、上記の構造を有する第２の改良例に
おける樹脂封止型半導体パッケージの製造方法について
図９８（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。まず図９８
（ａ）を参照して、半導体チップ１２３の主表面の所定
位置に、複数のボンディングパッド１２４を形成する。
そして、このボンディングパッド１２４の一部表面上に
開口部を有する保護膜（図示せず）を形成する。それに
より、半導体素子１２５が形成されることになる。
【００１５】次に、図９８（ｂ）を参照して、半導体素
子１２５の主表面上に、封止樹脂１２１を形成する。そ
の後、図９８（ｃ）に示されるように、封止樹脂１２１
におけるボンディングパッド１２４上に位置する部分
に、ボンディングパッド１２４にまで達する開口部１２
１ａを形成する。その後、図９８（ｄ）に示されるよう
に、開口部１２１ａ内に導電性材料を充填することによ
って、突起電極１２２を形成する。
【００１６】以上説明した構成を有することによって、
上記の第２の改良例は、上記の第１の改良例と同様に半
導体パッケージの小型化および電気的性能の向上をを実
現することが可能となる。
【００１７】次に、図９９を用いて、第３の改良例につ
いて説明する。図９９は、特開平４−１３９８４８号公
報に開示された樹脂封止型半導体パッケージを示す断面
図である。図９９を参照して、半導体チップ１３３の表
面には、配線層１３５およびボンディングパッド１３４
が形成されている。
【００１８】このボンディングパッド１３４の一部表面
上に開口部を有し配線層１３５を覆うように保護膜１３
６が形成されている。ボンディングパッド１３４上に
は、このボンディングパッド１３４と接続された柱状の
電極１３２が形成されている。この電極１３２の上面の
みを露出させ、半導体チップ１３３を封止するように封
止樹脂１３１が形成されている。
【００１９】第３の改良例は、上記のよな構造を有して
いるため、第１および第２の改良例と同様に、半導体パ
ッケージの小型化および電気的性能の向上を実現するこ
とが可能となる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上述のように上記の第
１〜第３の改良例における樹脂封止型半導体パッケージ
は、半導体パッケージの小型化および電気的性能の向上
を実現するといった利点を有していたが、それぞれの改
良例には、次に説明するような問題点があった。その問
題点について、図１００〜図１０３を用いて説明する。
【００２１】まず、上記の第１の改良例の問題点につい
て、図１００および図１０１を用いて説明する。図１０
０は、突起電極１１２が半田のみで構成されている場合
の問題点を模式的に示す断面図である。図１０１は、第
１の改良例の他の態様として、突起電極１１２材料に導
電性材料を用い、この突起電極１１２上面に半田めっき
１１５が施された場合において、半導体パッケージをプ
リント基板上の配線層と接続している様子を段階的に示
す断面図（ａ），（ｂ）である。
【００２２】図１００を参照して、突起電極１１２が、
半田のみの単層で構成される場合には、突起電極１１２
とプリント基板（図示せず）上の配線層との接続時に問
題点が生じる。プリント基板上の配線層と突起電極１１
２とを接続する際には、一般的には、プリント基板上の
配線層上にペースト状の半田（以下、「半田ペースト」
と称す）を形成し、その半田ペーストと突起電極１１２
とを溶着させる。
【００２３】このとき、上記のように突起電極１１２の
材質が半田のみの単層である場合には、突起電極自体が
溶融することによって、プリント基板上の電極と突起電
極１１２とが接着されることになる。そのため、封止樹
脂１１１と突起電極１１２との界面に、図１００に示さ
れるような間隙１１６が形成される可能性が高くなる。
それにより、突起電極１１２が取れやすくなるといった
問題、あるいはその間隙１１６に水分が入り込むことに
よって半導体パッケージの信頼性を低下させるといった
問題などが考えられる。
【００２４】突起電極１１２の上面に半田めっき層１１
５が形成された場合にも、次に説明するような問題点が
考えられる。図１０１（ａ）を参照して、突起電極１１
２はプリント基板５０の表面上に形成された配線層５１
と接続される。このとき、突起電極１１２と配線層５１
とは、主に、半田ペースト５３を介して接続される。
【００２５】この半田ペースト５３は、一般的には、融
点が低くなるようにその成分が調整されている。より具
体的には、半田ペースト５３に含まれる鉛（Ｐｂ）の割
合が４０％程度に抑えられている。半田に含まれる鉛の
量は、その半田の疲労強度および融点に影響する。半田
に含まれる鉛の割合が大きいほど疲労強度は増大する
が、その一方では、融点は高くなってしまう。したがっ
て、半田ペースト５３に含まれる鉛の割合は４０％程度
に抑えられることになる。
【００２６】ここで、図１０１（ｂ）を参照して、突起
電極１１２と配線層５１との接続は、この場合であれ
ば、半田めっき層１１５と半田ペースト５３とが溶融す
ることによって行なわれる。そして、その接続部には、
接続層５３ｂが形成される。この接続層５３ｂの成分
は、半田ペースト５３の成分に支配される。したがっ
て、接続層５３ｂに含まれる鉛の割合は相対的に低い
（４０％程度）ものとなる。それにより、接続層５３ｂ
の疲労強度が小さくなるといった問題点が生じる。
【００２７】上記の第１の改良例の製造方法に関しても
次に説明するような問題点が考えられる。まず第１の改
良例が開示されている特開平３−１０４１４１号公報に
は、第１の改良例の具体的な製造方法があまり開示され
ていない。また、図９６を参照して、樹脂１１１を形成
する際に、半導体チップ１１３をどのようにして支える
のかも不明である。
【００２８】この半導体チップ１１３を支えるには、突
起電極１１２を何らかの手法によって支える必要がある
と考えられる。その際に、この突起電極１１２がたとえ
ば半田の単層で構成された場合には、突起電極１１２が
軟らかいため固定しにくいといった問題点も生じ得る。
さらに、突起電極１１２とボンディングパッド１１４と
の間にバリア層が形成されていないため、突起電極１１
２とボンディングパッド１１４との接合部分における信
頼性が低下するといった問題点も考えられる。
【００２９】次に、第２の改良例の問題点について図１
０２を用いて説明する。図１０２（ａ）および図１０２
（ｂ）を参照して、半導体パッケージ側の突起電極１２
２は、半田ペーストなどの接続層５３を介してプリント
基板５０上に形成された配線層５１と電気的に接続され
る。この場合にも、上記の第１の改良例の場合と同様
に、突起電極１２２と半田ペースト５３とは溶着され
る。
【００３０】それにより、図１０２（ｂ）に示されるよ
うに、突起電極１２２と配線層５１との接続部に接続層
５３ｃが形成される。この接続層５３ｃの成分も、半田
ペースト５３の成分にほぼ支配される。それにより、上
記の第１の改良例の場合と同様に、突起電極１２２と配
線層５１との接続部における接続層５３ｃの疲労強度が
小さくなり、信頼性が低下するといった問題点が考えら
れる。
【００３１】この第２の改良例の製造方法に関しても、
次に説明するような問題点が考えられる。上記の第２の
改良例の製造方法によれば、封止樹脂１２１に開口部１
２１ａを形成しなければならない。しかし、封止樹脂１
２１には一般にシリカ（ｓｉｌｉｃａ）が含まれてい
る。このシリカが含まれているため、封止樹脂１２１の
エッチングが困難となる。
【００３２】すなわち、図９８（ｃ）を参照して、開口
部１２１ａを形成する際に、開口部１２１ａの壁面形状
が凹凸形状となる可能性が高くなる。それにより、突起
電極１２２を形成した際に、封止樹脂１２１と突起電極
１２２との気密性を確保するのが困難となる。また、上
記の開口部１２１ａの形成のためのエッチングは、現状
ではウエットエッチングが主に使われると考えられる。
【００３３】そのため、開口部１２１ａの所定の深さを
得るためには、開口部１２１ａの開口幅も開口部１２１
ａの深さに対応して大きいものとなってしまう。その結
果、開口部１２１ａのピッチを広くせざるを得なくな
り、多ピン化の要請に対応するのが困難となるといった
問題点も生じてくる。さらに、封止樹脂１２１は不透明
なため、ボンディングパッド１２４と開口部１２１ａと
の位置合わせが困難であるといった問題点も生じる。
【００３４】次に、図１０３を用いて、上記の第３の改
良例の問題点について説明する。図１０３を参照して、
上記の第３の改良例における樹脂封止型半導体パッケー
ジとプリント基板５０とを接続する際には、接続層５３
ｄとなる半田ペーストに電極１３２の上面を含む半導体
パッケージの平坦な面が押付けられることになる。
【００３５】それにより、半田ペーストが広がり、隣接
する電極１３２がショートするといった問題点が生じ
る。より具体的には、図１０３に示されるように、半田
ペーストからなる接続層５３ｄが、領域５５において、
隣接する接続層５３ｄと接触する。その結果、半導体パ
ッケージとプリント基板５０との接続部における歩留り
が低下するといった問題点が生じることとなる。
【００３６】第３の改良例の製造方法においても、次に
説明するような問題点が考えられる。より具体的には、
電極１３２とボンディングパッド１３４との接続の際に
問題が生じる。すなわち、上記の第３の改良例の製造方
法においては、電極１３２とボンディングパッド１３４
との接続法としてはそれらを直接圧着する方法が考えら
れる。
【００３７】その場合には、比較的多くの荷重をかけて
電極１３２とボンディングパッド１３４とを圧着するこ
とになる。そのため、ボンディングパッド１３４が変形
するという問題、あるいは保護膜１３６が割れるといっ
た問題点などが生じる可能性が高くなる。
【００３８】上記の第１および第２の改良例には、さら
に、次に説明するような問題点もあった。上記の第１お
よび第２の改良例においては、約数１００μｍ以上の高
さを有する突起電極を形成する必要がある。このような
突起電極を、従来のように、めっき法などの方法を用い
て形成するには、多くの時間がかかる。すなわち、生産
性が低下するといった問題が生じる。また、上記の第１
〜第３の改良例においては、ボンディングパッド１１
４，１２４，１３４上に、突起電極１１２，１２２，１
３２が形成されている。そのため、突起電極１１２，１
２２，１３２の形成位置が制限されるといった問題点も
あった。
【００３９】さらに、上記の第１〜第３の改良例におけ
る樹脂封止型半導体パッケージをプリント基板に搭載す
る際には、次のような問題点も考えられる。樹脂封止型
半導体パッケージの突起電極１１２，１２２，１３２
は、樹脂封止型半導体パッケージの主表面全面にわたっ
て形成される。したがって、従来の樹脂封止型半導体パ
ッケージをプリント基板に搭載する際には、プリント基
板と樹脂封止型半導体パッケージの主表面とが対向する
位置関係となる。すなわち、樹脂封止型半導体パッケー
ジをプリント基板に搭載するためには、プリント基板上
において樹脂封止型半導体パッケージの主表面の面積と
ほぼ同等の面積が少なくとも必要となる。そのため、樹
脂封止型半導体パッケージの高集積化に制限があった。
【００４０】さらに、上記の第１〜第３の改良例におけ
る樹脂封止型半導体パッケージの性能評価のためのソケ
ットに関しても、次のような課題が考えられる。図１０
４は、従来の樹脂封止型半導体パッケージの性能評価を
行なうためのソケットの一例を示す斜視図である。図１
０４を参照して、従来のソケット２０３には、樹脂封止
型半導体パッケージ２０１の入出力端子２０２と電気的
な接触を得るための接触子２０４と、性能評価装置（図
示せず）と電気的に接続されるソケット２０３の入出力
端子２０５とが設けられている。この入出力端子２０５
と接触子２０４とは電気的に接続されている。接触子２
０４は、この場合であれば、２枚の金属製の板バネによ
り構成される。この接触子２０４における２枚の金属製
の板バネの間に、樹脂封止型半導体パッケージ２０１の
入出力端子２０２が挿入される。この状態で樹脂封止型
半導体パッケージ２０１の性能評価が行なわれる。ま
た、スクリーニングを行なう場合においても上記のよう
なソケットが用いられていた。
【００４１】しかし、上記の第１〜第３の改良例に示さ
れるような突起電極１１２，１２２，１３２を有する樹
脂封止型半導体パッケージの性能評価に上記のようなソ
ケット２０３を用いた場合には、突起電極１１２，１２
２，１３２と、接触子２０４との電気的接触が不安定と
なり、十分に機能を果たすことができないといった問題
点が考えられる。そこで、上記の問題を考慮して、従来
の他の検査装置を用いて上記の第１〜第３の改良例のよ
うな突起電極１１２，１２２，１３２を有する樹脂封止
型半導体パッケージの性能評価を行なおうとした場合に
も次のような問題が生じる。図１０５は、上記の検査装
置の一例を部分的に示す斜視図である。図１０５を参照
して、上記の他の検査装置として、プローバを有する検
査装置２１０が示されている。検査装置２１０は、接触
針２１３を有している。また、検査装置２１０は、接触
針２１３を所望の方向に動かすための第１〜第３のネジ
２１６，２２１，２１９を有している。
【００４２】第１のネジ２１６は、接触針２１３の上下
方向の位置を調整するために用いられる。第２のネジ２
１９は、接触針２１３の前後方向の位置を調整するため
に用いられる。第３のネジ２２１は、接触針２１３の左
右方向の位置を調整するために用いられる。検査装置２
１０は、さらに、支持台２２０を有している。この支持
台２２０上には、第１の可動台２１７および第２の可動
台２１８が設置されている。第１の可動台２１７には、
支持板２１４および固定板２１５を介して接触針２１３
が取付けられている。以上の構成を有する検査装置２１
０を用いて、突起電極を有する樹脂封止型半導体パッケ
ージ２１１の性能評価を行なう場合には、まず、上記の
第１〜第３のネジ２１６，２１９，２２１を適切に調整
することによって接触針２１３の位置の調整を行なう。
そして、接触針２１３を、樹脂封止型半導体パッケージ
２１１における各突起電極２１２に順次接触させる。そ
れにより、樹脂封止型半導体パッケージ２１１の性能評
価を行なっていた。
【００４３】しかし、上記のような検査装置２１０を用
いた場合には、性能評価のために時間と手間がかかると
いった問題があった。また、上記のような検査装置２１
０においても、接触針２１３と突起電極２１２との電気
的接触を安定して得ることは容易ではなかった。この発
明は上記のような課題を解決するためになされたもので
ある。この発明の１つの目的は、小型化、電気的特性の
向上を実現し、かつ信頼性の高い樹脂封止型半導体パッ
ケージおよびその製造方法を提供することにある。この
発明の他の目的は、樹脂封止型半導体パッケージにおけ
る外部接続用の突起電極を容易に形成することが可能と
なる樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法を
提供することにある。
【００４４】この発明のさらに他の目的は、ボンディン
グパッドの形成位置の自由度を増大させることによっ
て、回路設計を容易とすることが可能な樹脂封止型半導
体パッケージおよびその製造方法を提供することにあ
る。この発明のさらに他の目的は、標準化された位置に
外部接続用の電極を形成することが可能となる樹脂封止
型半導体パッケージおよびその製造方法を提供すること
にある。この発明のさらに他の目的は、樹脂封止型半導
体パッケージをプリント基板に搭載する際に、この樹脂
封止型半導体パッケージとプリント基板との接触面積を
縮小することによって樹脂封止型半導体パッケージの実
装密度を向上させ得る樹脂封止型半導体パッケージおよ
びその搭載方法を提供することにある。
【００４５】この発明のさらに他の目的は、突起状の電
極を有する樹脂封止型半導体パッケージの性能評価試験
に際し、樹脂封止型半導体パッケージの突起電極と性能
評価試験用のソケットの電極との電気的な接触を安定し
て得ることによって、突起状の電極を有する樹脂封止型
半導体パッケージの性能評価やスクリーニングを能率的
かつ安定して行なうことが可能となるソケットを提供す
ることにある。
【００４６】
【課題を解決するための手段】この発明に基づく樹脂封
止型半導体パッケージは、１つの局面では、主表面に素
子が形成された半導体チップと、半導体チップの主表面
に形成され外部引出用電極として機能するボンディング
パッドと、ボンディングパッド上に形成され略平坦な上
面を有する第１導体部と、この第１導体部の上面のみを
露出させるように半導体チップを封止する封止樹脂と、
第１導体部の上面上に形成され第１導体部と材質の異な
る塊状の第２導体部とを備えている。上記の樹脂封止型
半導体パッケージは、好ましくは、ボンディングパッド
と第１導体部との間にバリア層としての機能を有する下
地金属層を有している。また、下地金属層と第１導体部
との間には、好ましくは、両者を電気的に接続する第３
導体部が形成される。
【００４７】なお、本明細書中において、ボンディング
パッドとは、外部機器の電極と半導体チップ上の素子と
の電気的な接続を行なうために半導体チップ上に形成さ
れた複数の導電層の積層構造からなる外部接続用電極部
において、最も半導体チップに近い位置にある導電層の
ことをいうものと定義する。
【００４８】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージは、他の局面では、主表面に素子が形成された半導
体チップと、この半導体チップの主表面に形成され外部
引出用電極として機能するボンディングパッドと、この
ボンディングパッドに接続されボンディングパッド上か
ら半導体チップの主表面方向にずれる位置にまで延在す
る、バリア層としての機能を有する下地金属層と、この
下地金属層上におけるボンディングパッドからずれた位
置に形成され、略平坦な上面を有する第１導体部と、第
１導体部の上面を露出させるように半導体チップを封止
する封止樹脂と、第１導体部の上面上に形成され第１導
体部と材質の異なる塊状の第２導体部とを備えている。
【００４９】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの製造方法によれば、１つの局面では、まず絶縁基
板上に第１導体部を形成する。そして、半導体チップの
主表面に形成されたボンディングパッド上に接続層を形
成する。半導体チップを反転させることによって第１導
体部上に接続層を配置する。この接続層と第１導体部と
を接合する。そして、絶縁基板上に半導体チップを配置
した状態で半導体チップを樹脂によって封止する。そし
て、絶縁基板と第１導体部とを分離することによって第
１導体部上面を露出させる。この露出した第１導体部上
面上に塊状の第２導体部を形成する。上記の第２導体部
形成に際しては、まず、第１導体部上に開口部を有する
マスクを樹脂上に配置する。このマスクの開口部に第２
導体部材料を置く。そして、第２導体部材料を溶融させ
ることによって塊状の第２導体部を形成する。
【００５０】また、第２導体部形成に際しては、以下の
工程を経てもよい。基板上に第２導体部材料を載置す
る。この基板を樹脂上に重ねることによって、第２導体
部材料を第１導体部上面上に配置する。そして、第１導
体部と第２導体部材料とを接着する。そして、基板と第
２導体部材料とを分離する。第２導体部材料を溶融させ
ることによって塊状の第２導体部を形成する。また、第
２導体部は、液体状の第２導体部材料中に第１導体部上
面を浸漬することによって形成してもよい。また、イオ
ン状の第２導体部材料を含むめっき液中に第１導体部上
面を浸漬し、第１導体部上面に第２導体部材料を析出さ
せることによって第２導体部を形成してもよい。
【００５１】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの製造方法は、他の局面では、素子が形成された半
導体チップと、この半導体チップの主表面に形成され外
部引出用電極として機能するボンディングパッドと、こ
のボンディングパッド上に下地金属層を介在して形成さ
れ、第１の横断面積を有する柱体部分と、この柱体部分
上に第１の横断面積よりも大きい第２の横断面積を有す
る部分を底部とする錐体部分とを含む導体部と、この導
体部の錐体部分の表面の一部を露出させるように半導体
チップを封止する封止樹脂とを有する樹脂封止型半導体
パッケージの製造方法であるとことを前提とする。
【００５２】そして、まずボンディングパッド上に下地
金属層を形成する。そして、導体部に対応した位置に錐
体部分の最大径よりも小さい孔径を有する貫通孔が設け
られた第１の成形用金型と、この第１の成形用金型と組
合わされる第２の成形用金型とを準備する。第１の成形
用金型の貫通孔と導体部の錐体部分表面とを位置合わせ
する。そして、貫通孔を通して錐体部分を真空吸引する
ことによって錐体部分を貫通孔に固定する。そして、半
導体チップ上に第２の成形用金型を配置する。錐体部分
を貫通孔に吸引した状態で第１および第２の成形用金型
に取囲まれる空間内に樹脂を注入することによって封止
樹脂を形成する。そして、第１および第２の成形用金型
を封止樹脂から分離する。この発明に基づく樹脂封止型
半導体パッケージは、さらに他の局面では、主表面に素
子が形成された半導体チップと、半導体チップの主表面
上に形成され外部引出用電極として機能するボンディン
グパッドと、このボンディングパッド上に形成されボン
ディングパッドと電気的に接続される導電層と、この導
電層と電気的に接続されボンディングパッドが形成され
ていない半導体チップ上の領域で外部機器と電気的に接
続される外部接続用電極と、この外部接続用電極の一部
表面を露出させるように半導体チップを封止する封止樹
脂とを備えている。
【００５３】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージは、さらに他の局面では、主表面に素子が形成され
た半導体チップと、半導体チップの主表面上に形成され
外部引出用電極として機能する第１および第２のボンデ
ィングパッドと、第１のボンディングパッド上から第２
のボンディングパッド上にまで延在し、第１および第２
のボンディングパッドを電気的に接続する導電層と、こ
の導電層と電気的に接続され、第１および第２のボンデ
ィングパッドが形成されていない半導体チップ上の領域
で外部機器と電気的に接続される外部接続用電極と、こ
の外部接続用電極の一部表面を露出させるように半導体
チップを封止する封止樹脂とを備えている。この発明に
基づく半導体装置は、一部表面が露出した複数個の突起
電極を主表面に有する樹脂封止型半導体パッケージをプ
リント基板に電気的に接続した状態でプリント基板上に
搭載したものであることを前提とする。
【００５４】そして、樹脂封止型半導体パッケージは、
この樹脂封止型半導体パッケージの主表面をプリント基
板に対して立てた状態でプリント基板上に搭載される。
プリント基板は、樹脂封止型半導体パッケージの突起電
極に対応した位置に突起状の接続電極を有している。そ
して、樹脂封止型半導体パッケージの突起電極とプリン
ト基板上の接続電極とは、互いに溶融した状態で結合さ
れる。この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケージの
搭載方法は、次の構造を有する樹脂封止型半導体パッケ
ージの搭載方法であることを前提とする。前提となる樹
脂封止型半導体パッケージは、第１の面積を有する主表
面と、第１の面積より小さい第２の面積を有し主表面の
周縁部の一部を規定する第１の側面と、主表面の周縁部
近傍に第１の側面に沿って形成され主表面とその上面の
高さとが略同一である第１導体部とこの第１導体部上に
形成された第２導体部とを含む外部接続用の突起電極と
を有している。
【００５５】そして、上記の樹脂封止型半導体パッケー
ジが搭載される基板上において、突起電極に対応する位
置に突起状の接続電極を形成する。そして、第１の側面
を基板上の所定位置に配置し、突起電極と突起状の接続
電極とを接合する。この発明に基づく樹脂封止型半導体
パッケージは、さらに他の局面では、主表面および裏面
を有し、各々の裏面同士が互いに対向するように配置さ
れた第１および第２の半導体チップと、第１および第２
の半導体チップの主表面上に形成され外部接続用突起電
極の一部となる第１導体部と、この第１導体部の一部表
面を露出させ第１および第２の半導体チップを一体化す
るように封止する封止樹脂と、第１導体部の一部表面上
に形成され外部接続用突起電極の一部となる第２導体部
とを備えている。
【００５６】この発明に基づくソケットは、一方面に樹
脂封止型半導体パッケージの主表面に突出する突起電極
を所定方向に受入れる受入電極と、他方面に樹脂封止型
半導体パッケージの性能評価を行なうための性能評価装
置と電気的に接続される接続電極とを有している。そし
て、上記のソケットは、上記の受入電極と突起電極との
接触状態を上記の所定方向に弾性的に保持する弾性手段
を備えている。
【００５７】
【作用】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケージ
は、１つの局面では、バリア層としての機能を有する下
地金属層を備えている。それにより、ボンディングパッ
ドと第１導体部との間の成分の拡散を防止することが可
能となる。その結果、第１導体部とボンディングパッド
との接合部における信頼性を向上させることが可能とな
る。また、第１導体部の上面は略平坦な構造を有してい
る。そのため、この第１導体部の上面上に第２導体部材
料を形成することが容易となる。
【００５８】さらに、塊状の第２導体部を有することに
よって、外部機器との接続の際に、この第２導体部を溶
融させることによって、外部機器との接続部の一部とし
て使用することが可能となる。それにより、外部機器と
の接続部に含まれる成分の割合を好ましい割合に変更す
ることが可能となる。それにより、その接続部の疲労強
度などの諸特性を向上させることが可能となる。その結
果、外部機器と樹脂封止型半導体パッケージとの接続部
分の信頼性を向上させることが可能となる。
【００５９】また、下地金属層と第１導体部との間に第
３導体部が形成された場合には、その第３導体部を溶融
させることによって、下地金属層と第１導体部とを接着
することが可能となる。それにより、下地金属層と第１
導体部との接着の際の荷重を著しく軽減することが可能
となる。その結果、下地金属層と第１導体部との接着の
際に比較的多くの荷重をかけることに起因するボンディ
ングパッドの変形、保護膜の割れ、下地金属層の変形な
どの問題の発生を効果的に阻止することが可能となる。
【００６０】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージは、他の局面では、ボンディングパッド上から半導
体チップの主表面方向にずれる位置にまで延在する下地
金属層を有している。このとき、ボンディングパッド上
には第１導体部は形成されない。それにより、ボンディ
ングパッドの平面的な面積を小さくすることが可能とな
る。その結果、半導体チップ主表面におけるボンディン
グパッドの占める割合を小さくすることが可能となり、
半導体チップに形成される素子の高集積化に寄与し得る
こととなる。
【００６１】また、下地金属層を延在させることによっ
て、所望の位置に第１導体部を形成することが可能とな
る。すなわち、所望の位置でボンディングパッドと外部
機器との電気的な接続を行なうことが可能となる。それ
により、半導体チップ上の素子のレイアウトの自由度
や、外部機器との接続の際の自由度を増大させることが
可能となる。
【００６２】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの製造方法によれば、１つの局面では、接続層上に
第１導体部を配置した後に第１導体部と接続層とを接着
している。このとき、接続層を溶融させることによって
第１導体部と接続層とを接着することが可能となる。そ
のため、第１導体部と接続層との接着の際に、小さい荷
重を加えるだけで、第１導体部と接続層とを接着するこ
とが可能となる。それにより、第１導体部と接続層との
接着の際に、比較的大きな荷重が必要な場合に比べて、
この荷重により他の構成要素へ悪影響が及ぶことを回避
することが可能となる。
【００６３】また、絶縁基板上に半導体チップを配置し
た状態で半導体チップを樹脂封止し、その後、絶縁基板
と第１導体部とを分離している。そのため、第１導体部
上面は平坦な形状となっており、第１導体部と封止樹脂
との接合部には段差が形成されない。それにより、露出
した第１導体部の上面上に、第２導体部材料を形成する
ことが容易となる。第２導体部材料は、好ましくは、第
１導体部上に開口部を有するマスクの開口部に配置され
る。そして、この第２導体部材料を溶融させることによ
って塊状の第２導体部が形成される。このとき、第２導
体部材料と樹脂とは密着性が悪いため、第２導体部材料
は、第１導体部上にのみ塊状に形成される。それによ
り、第１導体部と電気的に接続された塊状の第２導体部
を形成することが可能となる。
【００６４】第２導体部材料は、他の局面では、基板上
に載置される。そして、基板を樹脂上に重ねることによ
って、第２導体部材料を第１導体部上面上に配置する。
そして、第１導体部と第２導体部材料とを接着する。そ
れにより、基板と第２導体部材料とを分離することが可
能となる。その後は、第２導体部材料を溶融させること
によって、上記の場合と同様に、第１導体部上に塊状の
第２導体部を形成することが可能となる。上記の第２導
体部は、液体状の第２導体部材料中に第１導体部上面を
浸漬することによって形成してもよい。このとき、上記
のように、第２導体部材料と樹脂とは密着性が悪いた
め、液体状の第２導体部材料中に第１導体部上面を浸漬
したとしても、第１導体部上面上にのみ第２導体部材料
が残余することとなる。それにより、第１導体部上に第
２導体部を形成することが可能となる。
【００６５】第２導体部は、イオン状の第２導体部材料
を含むめっき液中に第１導体部上面を浸漬することによ
って形成してもよい。この場合、めっき液中に配置され
た第１導体部上面上にのみ第２導体部材料は析出する。
それにより、第１導体部上に第２導体部を形成すること
が可能となる。
【００６６】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの製造方法は、他の局面では、第１の成形用金型に
は導体部の錐体部分の最大径よりも小さい孔径を有する
貫通孔が設けられている。この貫通孔に導体部の錐体部
分が位置合わせされ、この錐体部分が貫通孔を通して真
空吸引される。それにより、半導体チップを第１の成形
用金型に固定することが可能となる。そして、このよう
に半導体チップを固定した状態で、半導体チップを樹脂
によって気密に封止することが可能となる。その結果、
導体部の錐体部分の一部表面を露出させるように、半導
体チップを封止する封止樹脂を形成することが可能とな
る。この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケージによ
れば、さらに他の局面では、外部接続用電極が、樹脂封
止型半導体パッケージの主表面の上方から見てボンディ
ングパッドとずれた位置に形成されている。この外部接
続用電極とボンディングパッドとは、導電層を介して電
気的に接続される。
【００６７】すなわち、半導体チップの主表面方向（樹
脂封止型半導体パッケージの主表面方向）に導電層を延
在させることによって、ボンディングパッドと外部接続
用電極の形成位置を上記のようにずらせることが可能と
なる。それにより、素子のレイアウトの自由度を増大さ
せることが可能となる。また、種々のデバイスに対し
て、外部接続用電極の位置を容易に標準化することも可
能となる。この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケー
ジによれば、さらに他の局面では、同一信号が与えられ
る複数のボンディングパッドを、導電層によって電気的
に接続することが可能となる。それにより、外部接続用
電極の数を減少させることが可能となる。その結果、外
部接続用電極のレイアウトの自由度が増大する。この発
明に基づく半導体装置においては、樹脂封止型半導体パ
ッケージの主表面をプリント基板に対して立てた状態
で、樹脂封止型半導体パッケージをプリント基板上に搭
載することが可能となる。それにより、樹脂封止型半導
体パッケージとプリント基板とが対向する面積を小さく
することが可能となる。すなわち、多数の樹脂封止型半
導体パッケージをプリント基板上に搭載することが可能
となる。その結果、樹脂封止型半導体パッケージの高集
積化を実現することが可能となる。
【００６８】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの搭載方法によれば、第１の側面が基板上に配置さ
れる。それにより、樹脂封止型半導体パッケージの搭載
面積（樹脂封止型半導体パッケージと基板とが対向する
面積）を従来よりも低減させることが可能となる。それ
により、樹脂封止型半導体パッケージの基板への高集積
化を実現することが可能となる。この発明に基づく樹脂
封止型半導体パッケージによれば、さらに他の局面で
は、第１および第２の半導体チップの裏面が互いに対向
する状態で１つの封止樹脂によって覆われている。その
結果、１つの樹脂封止型半導体パッケージにおいて、そ
の主表面と裏面とにそれぞれ外部接続用の突起電極を形
成することが可能となる。それにより、樹脂封止型半導
体パッケージをプリント基板に搭載した際に、その搭載
面積を従来よりも小さくすることが可能となる。その結
果、樹脂封止型半導体パッケージの高集積化を実現する
ことが可能となる。
【００６９】この発明に基づくソケットによれば、受入
電極と突起電極との接触状態が、弾性手段によって、弾
性的に保持される。それにより、受入電極と突起電極と
を安定して接触させることが可能となる。その結果、突
起電極を有する樹脂封止型半導体パッケージの性能評価
を安定してより確実に行なうことが可能となる。
【００７０】
【実施例】以下、この発明に基づく実施例について、図
１〜図９４を用いて説明する。
【００７１】（第１の実施例）図１は、この発明に基づ
く第１の実施例における樹脂封止型半導体パッケージ
（以下、単に「半導体パッケージ」と称す）を示す部分
断面斜視図である。図２は、図１に示される第１の実施
例における半導体パッケージの側面図である。図３は、
図１に示される第１の実施例における半導体パッケージ
の電極近傍の部分拡大断面図である。
【００７２】まず図１を参照して、半導体チップ３の主
表面には、複数個の電極２が形成されている。この場合
であれば、電極２は、半導体チップ３の主表面の中央部
近傍に２列に配置されている。この電極２は、接続層８
と、第１導体部９と、第２導体部１０とを有している。
そして、封止樹脂１は、第２導体部１０の一部表面を露
出させるように半導体チップ３表面を覆っている。
【００７３】次に、図２を参照して、この発明に基づく
第１の実施例における半導体パッケージの側面構造につ
いて説明する。図２を参照して、この発明に基づく第１
の実施例における半導体パッケージは、電極２が形成さ
れる半導体パッケージの主表面１ｂ側からその底面１ｃ
側に向けて徐々に面積が小さくなるテーパ形状を有して
いる。
【００７４】この構造は、封止樹脂１を形成する際の金
型の抜き方向を考慮して選定されている。より具体的に
は、半導体パッケージが上記のようなテーパ形状を有す
ることによって、断面積が小さくなる方向、この場合で
あれば半導体パッケージの主表面１ｂ側から底面１ｃ側
に向かう方向に、封止樹脂１の成形用金型が抜かれるこ
とになる。
【００７５】次に、図３を用いて、この発明に基づく第
１の実施例における半導体パッケージの電極２近傍の構
造についてより詳しく説明する。図３を参照して、半導
体チップ３の主表面には、ボンディングパッド４が形成
されている。このボンディングパッド４の周縁部を覆い
ボンディングパッド４の一部表面上に開口部を有するよ
うに絶縁層１１が形成される。この絶縁層１１の材質と
しては、シリコン窒化膜などを挙げることができる。ま
た、ボンディングパッド４の材質としては、アルミニウ
ム（Ａｌ）などを挙げることができる。
【００７６】ボンディングパッド４上には、下地金属層
１２が形成される。この下地金属層１２の材質として
は、Ｔｉ／ＴｉＷ／Ａｕ，Ｃｒ／Ｃｕ／Ａｕなどを挙げ
ることができる。そして、この下地金属層１２は、ボン
ディングパッド４の材質と、この下地金属層１２の上に
形成される接続層８の材質との拡散を防止するバリア層
としての機能を有している。
【００７７】また、この下地金属層１２の材質として
は、ボンディングパッド４および接続層８との密着性が
良好な材質が選定される。この下地金属層１２の周縁部
を覆い、下地金属層１２の一部表面上に開口部を有する
ように、バッファコート膜１３が形成される。このバッ
ファコート膜１３の材質は、ポリイミドなどを挙げるこ
とができる。
【００７８】下地金属層１２上には、接続層８が形成さ
れる。この接続層８の材質としては、半田（Ｓｎ−Ｐ
ｂ）、Ｉｎ−Ｐｂなどを挙げることができる。この接続
層８の材質として半田を用いた場合には、その膜厚は、
５μｍ〜３０μｍであることが好ましい。上記の接続層
８の膜厚は、生産性を考慮して選定されている。
【００７９】その根拠について、以下に説明する。接続
層８の代表的な製造方法としては、蒸着法を挙げること
ができる。このように蒸着法を用いた場合には、接続層
８の膜厚を厚く設定すると、その形成のために時間がか
かり生産性が低下してしまう。そのため、上記のような
比較的薄い膜厚となるように接続層８の膜厚が選定され
ている。
【００８０】また、この接続層８は、下地金属層１２と
接触する底面側から上面側に向けて径が徐々に小さくな
るテーパ形状を有している。それにより、この接続層８
が直柱形状を有する場合に比べて、封止樹脂１からの保
持力が大きくなる。
【００８１】接続層８上には第１導体部９が形成され
る。この第１導体部９は、接続層８の膜厚が生産性の観
点から比較的薄く設定されていることに鑑み設けられて
いる。この第１導体部９の膜厚は、好ましくは、７０μ
ｍ〜１４５μｍ程度である。
【００８２】また、この第１導体部９の材質は、好まし
くは銅（Ｃｕ）である。このように、第１導体部９の材
質は、その材質の融点が接続層８の材質の融点よりも高
くなるように選定される。そのため、第１導体部９と接
続層８とを接着する際に、接続層８を溶融させることに
よって、第１導体部９と接続層８とを接着することが可
能となる。
【００８３】それにより、小さい荷重をかけるだけで第
１導体部９と接続層８とを接着することが可能となる。
その結果、第１導体部９と接続層８との接着によって、
その接着のための荷重が他の構成要素に悪影響を及ぼす
といった現象を回避できる。
【００８４】また、第１導体部９の形状は、その上面か
ら接続層８と接触する底面に向けて径が徐々に小さくな
るテーパ形状となっている。それにより、上記の接続層
８の場合と同様に、第１導体部９の形状が直柱形状であ
る場合に比べて封止樹脂１からの保持力が大きくなる。
【００８５】さらに、図３に示されるように、第１導体
部９の底面が接続層８内に埋没した状態となっている。
それにより、この第１導体部９と接続層８との接続部近
傍における径が、第１導体部９あるいは接続層８の最小
径とほぼ等しくなる。すなわち、電極２にくびれ部分が
形成されることになる。それにより、テーパ形状のみの
場合よりもさらに封止樹脂１からの保持力が増大する。
また、第１導体部９の上面は、ほぼ平坦な形状となって
いることが好ましい。それにより、この第１導体部９上
に第２導体部１０を形成することが容易となる。
【００８６】上記の第１導体部９の上面のみを露出させ
るように、半導体チップ３を封止する封止樹脂１が形成
される。この封止樹脂１の膜厚は、好ましくは、１００
μｍ〜１５０μｍ程度である。それにより、半導体パッ
ケージの大きさを、半導体チップ３の大きさとほぼ同等
のものとすることが可能となる。それにより、半導体パ
ッケージの小型化が実現される。
【００８７】第１導体部９上には、第２導体部１０が形
成される。第２導体部１０の材質としては、半田などを
挙げることができる。この第２導体部１０は、この場合
であれば、略球状の形状を有している。しかし、それに
限らず、第２導体部１０は、塊状のものであれば他の形
状であってもよい。このような塊状の第２導体部を有す
ることによって、半導体パッケージとプリント基板との
熱膨張係数の違いによって半導体パッケージに生じるせ
ん断応力を吸収することが可能となる。これは、第２導
体部１０の大きさが大きい場合により効果的である。
【００８８】また、第２導体部１０の表面は、第１導体
部９との接合面以外は封止樹脂１表面から露出してい
る。すなわち、第２導体部１０の容積がめっきなどの層
である場合に比べて大きくなっているといえる。それに
より、次のような効果を奏する。
【００８９】その効果について、図３５〜図３６を用い
て説明する。図３５は、この発明に基づく第１の実施例
における半導体パッケージをプリント基板５０に実装し
ている様子を模式的に示す断面図である。図３６（ａ）
および図３６（ｂ）は、半導体パッケージの電極とプリ
ント基板５０上の配線層５１とを接続している様子を段
階的に示す部分拡大断面図である。
【００９０】まず図３５を参照して、プリント基板５０
表面には、たとえば銅（Ｃｕ）などからなる配線層５
１，５１ａが形成されている。この配線層５１，５１ａ
を覆うように、プリント基板５０主表面上にソルダレジ
スト５２が形成されている。このソルダレジスト５２に
は、所定の配線層５１ａ上に開口部が設けられている。
その開口部には、配線層５１と半導体パッケージの電極
とを接続するための半田ペースト５３が形成されてい
る。
【００９１】この半田ペースト５３は、スクリーン印刷
によって形成される。この半田ペースト５３を介して半
導体パッケージの電極とプリント基板５０上の配線層５
１とが接続されることになる。より具体的には、この場
合であれば、第２導体部１０と半田ペースト５３とが接
続されることになる。
【００９２】図３６（ａ）を参照して、まず第２導体部
１０を半田ペースト５３上に配置する。そして、図３６
（ｂ）を参照して、加熱処理を施すことによって第２導
体部１０と半田ペースト５３とを溶融させる。それによ
り、接続層５３ａが形成される。第２導体部１０の容積
が比較的大きいため、この接続層５３ａの成分は、半田
ペースト５３の成分と第２導体部１０の成分との双方に
よって決定される。そのため、接続層５３ａの成分は、
従来例のように、半田ペースト５３の成分に支配されな
いことになる。
【００９３】それにより、半導体パッケージの電極とプ
リント基板５０上の配線層５１との接続部の疲労強度を
向上させることが可能となる。その手法としては、第２
導体部１０に含まれる鉛（Ｐｂ）の量を増加させるとい
った手法をとることができる。それにより、結果として
接続層５３ａに含まれる鉛の量を増加させることができ
る。
【００９４】このように、接続層５３ａに含まれる鉛の
含有量を増加させることによって、接続層５３ａ（接続
部）の疲労強度を向上させることが可能となる。その結
果、従来懸念されていた半導体パッケージの電極とプリ
ント基板５０上の配線層５１との接続部の信頼性を向上
させることが可能となる。
【００９５】また、第２導体部１０の融点は、接続層８
の融点よりも低くなるように設定される。それにより、
第２導体部１０をプリント基板５０上の配線層５１と接
続するために溶融させても、接続層８は溶融しない。そ
れにより、接続層８が溶融することによって、下地金属
層１２と接続層８との反応が促進されるといった問題を
回避することが可能となる。
【００９６】第２導体部１０の材質として半田を選定し
た場合には第２導体部１０に含まれる、鉛（Ｐｂ）の割
合は、好ましくは、４０％〜９０％程度である。このと
き、接続層８の材質として半田を選定した場合のその接
続層８に含まれる鉛（Ｐｂ）の割合は７０％〜１００％
程度である。
【００９７】次に、図４〜図２４を用いて、上記の第１
の実施例における半導体パッケージの製造方法について
説明する。図４〜図１２は、この発明に基づく第１の実
施例における半導体パッケージの製造工程を段階的に示
す斜視図および部分断面図である。図１３〜図２４は、
半導体パッケージの電極部分に着目した図であり、この
発明に基づく第１の実施例における半導体パッケージの
製造工程の第１工程〜第１２工程を示す部分断面図であ
る。
【００９８】図４を参照して、半導体ウェハ１４に、所
定の素子が形成された半導体チップ３を複数個形成す
る。このときの電極近傍の断面図に相当するのが図１３
である。図１３を参照して、半導体チップ３の主表面上
に、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などからなるボンデ
ィングパッド４が形成されている。そして、さらに、半
導体チップ３の主表面上に、このボンディングパッド４
の上の所定位置に開口部を有する絶縁層１１が形成され
ている。
【００９９】次に、図５を参照して、ボンディングパッ
ド４上に下地金属層１２および接続層８をそれぞれ形成
する。このときの半導体パッケージの電極近傍の断面図
が図１４〜図１８に示されている。以下、この工程につ
いて、図１４〜図１８を用いて詳しく説明する。
【０１００】まず図１４を参照して、スパッタリング法
などを用いて、少なくともボンディングパッド４上に、
たとえばＣｒ／Ｃｕ／Ａｕ層を形成する。そして、フォ
トリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ａｕ層をパターニングすることによって、ボ
ンディングパッド４上に下地金属層１２を形成する。
【０１０１】このとき、下地金属層１２の端部は、絶縁
層１１上に乗上げるように形成されている。それによ
り、後の工程で封止樹脂１を形成する際に、その封止樹
脂材料からの水分が半導体チップ３の主表面に形成され
た素子内に浸入することを防止することが可能となる。
【０１０２】次に、図１５を参照して、スピンコート法
を用いて、半導体チップ３主表面全面上に、たとえばポ
リイミドなどからなるバッファコート膜１３を堆積す
る。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング
技術を用いて、このバッファコード膜１３をパターニン
グする。それにより、下地金属層１２の一部表面を露出
させる。このとき、好ましくは、バッファコート膜１３
は、下地金属層１２の端部上に乗上げるように形成され
る。
【０１０３】次に、図１６を参照して、半導体チップ３
の主表面上に、レジスト１６を塗布する。そして、この
レジスト１６をパターニングすることによって、下地金
属層１２の一部表面を露出させる。次に、図１７を参照
して、真空蒸着法を用いて、半田などからなる接続層８
材料を堆積する。この接続層８材料は、主に、レジスト
１６上および下地金属層１２上に形成される。このと
き、この接続層８の膜厚は、５μｍ〜３０μｍ程度と比
較的薄く設定される。そのため、生産性を低下させな
い。次に、図１８を参照して、リフトオフ法によって、
レジスト１６とともにレジスト１６上に形成された接続
層８材料を除去する。それにより、下地金属層１２上に
のみ接続層８が残余する。また、このとき、好ましく
は、接続層８は、下地金属層１２の全面上にわたって形
成される。
【０１０４】次に図６を参照して、半導体ウェハ１４を
たとえばダイヤモンドカッターによって切断することに
よって、複数個の半導体チップ３に分離する。次に、図
７を参照して、たとえばポリイミドなどからなる長尺状
の絶縁基板１５上に、たとえば銅（Ｃｕ）などの第１導
体部９材料を形成する。
【０１０５】このとき、この第１導体部９材料は、半導
体チップ３の主表面に形成された接続層８の位置に対応
した位置に形成される。そして、図７において矢印で示
されるように、半導体チップ３を反転させることによっ
て、第１導体部９材料上に接続層８を配置する。その段
階の半導体パッケージの電極近傍の断面図が図１９に示
されている。
【０１０６】次に図８を参照して、絶縁基板１５上に半
導体チップ３を配置した状態で加熱処理を施すことによ
って、第１導体部９材料と接続層８とを接着する。この
段階の半導体パッケージの電極近傍の断面図が図２０に
示されている。図２０を参照して、接続層８を溶融させ
ることによって第１導体部材料９と接続層８とを接着す
る。それにより、第１導体部９の底部が接続層８内に埋
没した状態となる。
【０１０７】また、接続層８材料と下地金属層１２材料
とはぬれ性がよいため、この接続層８が溶融した際に、
下地金属層１２の表面上全面にわたって接続層８が形成
される。それにより、接続層８は、下地金属層１２と接
触する底面から上方に向かうほどその径が小さくなるテ
ーパ形状を有することとなる。
【０１０８】次に、図９を参照して、半導体チップ３を
絶縁基板１５上に配置した状態で、この半導体チップ３
および絶縁基板１５を取囲むように第１および第２の成
形用金型４０，４１を配置する。そして、この第１およ
び第２の成形用金型４０，４１内に、樹脂１ａを注入す
る。それにより、封止樹脂１を形成する。
【０１０９】その後、図１０を参照して、第１および第
２の成形用金型４０，４１を封止樹脂１から分離する。
この段階の半導体パッケージ近傍の断面図が図２１に示
されている。図２１を参照して、このように、接続層８
および第１導体部９を形成した後に樹脂を注入すること
によって、気密性に優れた封止樹脂１を形成することが
可能となる。また、第１導体部９および接続層８がそれ
ぞれテーパ形状を有しているため、これらに対する封止
樹脂１からの保持力は、第１導体部９および接続層８が
直柱形状を有している場合に比べて大きくなる。
【０１１０】次に、図１１を参照して、絶縁基板１５
と、封止樹脂１および第１導体部９の上面とを分離す
る。この半導体パッケージの電極近傍の断面図が図２２
に示されている。図２２を参照して、上記のように封止
樹脂１を形成した後に絶縁基板１５を取外すことによっ
て、第１導体部９上面はほぼ平坦な面となる。また、こ
のとき、第１導体部９の上面と封止樹脂１の表面とはほ
ぼ面一となる。それにより、後の工程で形成される第２
導体部１０材料を、第１導体部９上面上に形成すること
が容易となる。
【０１１１】次に図１２を参照して、露出した第１導体
部９上面上に第２導体部１０を形成する。この段階の半
導体パッケージの電極近傍の断面図が図２３および図２
４に示されている。まず図２３を参照して、スクリーン
印刷法によって、第１導体部９上面上に第２導体部１０
材料を堆積する。
【０１１２】次に、図２４を参照して、上記の図２３に
示される状態の第２導体部１０材料に加熱処理を施すこ
とによって、第２導体部１０材料を溶融させる。それに
より、第１導体部９の上面上に、塊状の第２導体部１０
を形成する。この場合であれば、略球状の表面を有する
第２導体部１０が形成されている。このような塊状の第
２導体部１０を有することによって、前述したように、
プリント基板５０と半導体パッケージとの接続部の信頼
性を向上させることが可能となる。
【０１１３】（第２の実施例）次に、図２５を用いて、
この発明に基づく第２の実施例における半導体パッケー
ジについて説明する。図２５は、この発明に基づく第２
の実施例における半導体パッケージを示す部分断面図で
ある。図２５を参照して、本実施例においては、下地金
属層１２が、ボンディングパッド４上から半導体チップ
３の主表面方向にずれた位置にまで延在している。すな
わち、ボンディングパッド４が形成されていない領域に
おける半導体チップ３の主表面上にまで、上記の下地金
属層１２は延在している。そして、その延在部分上に接
続層８、第１導体部９および第２導体部１０が形成され
ている。
【０１１４】このように下地金属層１２を延在させるこ
とによって、従来のように必ずしもボンディングパッド
４上に外部機器との接続用の電極を形成する必要がなく
なる。そのため、ボンディングパッド４の面積を縮小す
ることが可能となる。その結果、半導体チップ３主表面
に形成される素子の高集積化を促進することが可能とな
る。
【０１１５】また、このように電極形成部分を種々の位
置に選定することが可能となるため、半導体チップ上の
素子のレイアウトの自由度や外部機器と半導体パッケー
ジとの接続に対する自由度が増すといった効果もある。
さらに、本実施例における接続層８は、半導体チップ主
表面に形成された素子上に形成してもよい。接続層８と
第１導体部９との接続および第１導体部９と第２導体部
１０との接続は、小さい荷重をかけるだけで行なうこと
ができる。そのため、素子の上に接続層８、第１導体部
９および第２導体部１０を形成したとしても、それらの
形成に際して下地となる素子に悪影響を及ぼすことはな
いと言える。
【０１１６】（第３の実施例）次に、図２６および図２
７を用いて、この発明に基づく第３の実施例について説
明する。図２６は、この発明に基づく第３の実施例にお
ける半導体パッケージを示す部分断面図である。図２７
は、図２６に示される第３の実施例における半導体パッ
ケージの特徴的な製造方法を示す斜視図である。
【０１１７】まず図２６を参照して、本実施例において
は、下地金属層１２上に半田のめっき層（図示せず）な
どの薄膜を介して第１導体部９が形成されている。それ
以外の構造に関しては上記の第１の実施例とほぼ同様で
ある。それにより、上記の第１の実施例における半導体
パッケージとほぼ同様の効果を奏する。
【０１１８】本実施例の製造方法としては、図２７を参
照して、まず、絶縁基板１５上に第１の実施例と同様の
方法で第１導体部９を形成する。そして、この第１導体
部９上面に半田のめっき層（図示せず）を形成する。
【０１１９】そして、この半田のめっき層が形成された
第１導体部９上に、半導体チップ３の主表面に形成され
た下地金属層１２を配置する。そして、第１導体部９上
に形成された半田のめっき層を溶融させながらわずかな
荷重をかけることによって、第１導体部９と下地金属層
１２とを接着する。それ以外の製造方法に関しては上記
の第１の実施例とほぼ同様である。
【０１２０】（第４の実施例）次に、図２８を用いて、
この発明に基づく第４の実施例における半導体パッケー
ジの製造方法について説明する。図２８は、本実施例に
おける特徴的な工程を示す斜視図である。図２８を参照
して、本実施例においては、ガラスなどの材料からなる
板状の基材１８上に第１導体部９材料が形成される。そ
れ以外の製造方法に関しては上記の第１の実施例と同様
である。
【０１２１】（第５の実施例）次に、図２９を用いて、
この発明に基づく第５の実施例における半導体パッケー
ジについて説明する。図２９は、この発明に基づく第５
の実施例における半導体パッケージを示す部分断面斜視
図である。上記の各実施例においては、第２導体部１０
が半導体パッケージの主表面の中央部近傍に２列に配置
されていた。しかし、図２９に示されるように、第２導
体部１０は、半導体パッケージの主表面において、マト
リックス状に配置されてもよい。
【０１２２】（第６の実施例）次に、図３０を用いて、
この発明に基づく第６の実施例ついて説明する。図３０
は、この発明に基づく第６の実施例における半導体パッ
ケージを示す部分断面斜視図である。本実施例において
は、図３０に示されるように、第２導体部１０が、半導
体パッケージの主表面を規定する４つの辺に沿って一列
に形成されている。
【０１２３】（第７の実施例）次に、図３１を用いて、
この発明に基づく第７の実施例について説明する。図３
１は、この発明に基づく第７の実施例における半導体パ
ッケージを示す部分断面斜視図である。本実施例におけ
る半導体パッケージは、図２９に示される第５の実施例
における半導体パッケージの変形例である。図３１に示
されるように、第２導体部１０は、略マトリックス状に
配置されている。
【０１２４】（第８の実施例）次に図３２を用いて、こ
の発明に基づく第８の実施例について説明する。図３２
は、この発明に基づく第８の実施例における半導体パッ
ケージを示す部分断面斜視図である。図３２に示される
ように、半導体パッケージの主表面において、第２導体
部１０は、略同心円状に配置されてもよい。
【０１２５】（第９の実施例）次に、図３３を用いて、
この発明に基づく第９の実施例について説明する。図３
３は、この発明に基づく第９の実施例における半導体パ
ッケージを示す部分断面斜視図である。図３３に示され
るように、本実施例における半導体パッケージにおいて
は、第２導体部１０が、半導体パッケージの主表面にお
いて、その主表面を規定する４辺のうちの対向する２辺
に沿って一列に形成されている。
【０１２６】（第１０の実施例）次に、図３４を参照し
て、この発明に基づく第１０の実施例について説明す
る。図３４は、この発明に基づく第１０の実施例におけ
る半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。図３
４を参照して、本実施例においては、半導体パッケージ
の主表面において、第２導体部１０がその半導体パッケ
ージの主表面を規定する４辺のうちの１辺に沿って一列
に形成されている。
【０１２７】上記の図２９から図３４を用いて説明した
第５〜第１０の実施例は、半導体パッケージの主表面に
おける第２導体部１０の配置を種々の態様に変化させた
ものであった。以上のように、第２導体部１０の配置を
種々のものとすることによって、外部機器との接続の際
の自由度を増大させることが可能となる。
【０１２８】なお、上記の第５〜第１０の実施例におい
ては、第２導体部１０の配置方法として種々の態様を示
したが、上記のものに限らず、その他の態様に配置して
もよい。このように、第２導体部１０の配置を種々に変
更する際には、上記の第２の実施例で説明した下地金属
層１２を延在させる方法を用いると効果的である。
【０１２９】（第１１の実施例）次に、図３７〜図４２
を用いて、この発明に基づく第１１の実施例について説
明する。図３７（ａ）は、この発明に基づく第１１の実
施例における半導体パッケージの製造方法によって得ら
れた半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。図
３７（ｂ）は、図３７（ａ）に示された半導体パッケー
ジの断面図である。
【０１３０】まず図３７（ａ）を参照して、半導体チッ
プ２３の主表面には、外部引出用の電極として機能する
突起電極２７が形成されている。そして、この突起電極
２７の一部表面を露出させるように封止樹脂２１が形成
されている。
【０１３１】次に、図３７（ｂ）を参照して、半導体チ
ップ２３の主表面には、ボンディングパッド２４が形成
されており、このボンディングパッド２４の周縁部を覆
い、このボンディングパッド２４上の領域に開口部を有
する絶縁層３１が形成されている。ボンディングパッド
２４上には下地金属層３２が形成されている。
【０１３２】この下地金属層３２上には、電極層２５が
残余している。この電極層２５は、後述の突起電極２７
形成の際に用いられるものである。この電極層２５上に
突起電極２７が形成されている。以下、この突起電極２
７の形状についてより詳しく説明する。
【０１３３】この突起電極２７は、図３７（ｂ）に示さ
れるように、柱体部分とこの柱体部分上に位置する錐体
部分とを有している。すなわち、突起電極２７の下部は
柱体部分を有しており、この柱状部分上に連続して錐体
部分が形成されている。この錐体部分は、柱体部分との
境界部に、錐体部分における最大径を有する底部を有し
ている。そして、その最大径を有する錐体部分の底部か
ら上方に行くに従って、その錐体部分の径は減少してい
る。そして、封止樹脂２１は、この錐体部分の表面の一
部を露出させ、かつ半導体チップ２３の表面を覆うよう
に形成されている。
【０１３４】本実施例における半導体パッケージが上記
のような構造を有する根拠となる製造方法について図３
８〜図４２を用いて説明する。図３８〜図４２は、この
発明に基づく第１１の実施例における半導体パッケージ
の製造工程の第１工程〜第５工程を示す断面図である。
【０１３５】まず図３８を参照して、上記の各実施例と
同様の工程を経て、半導体チップ２３上にボンディング
パッド２４、絶縁層３１および下地金属層３２を形成す
る。その後、後の工程で行なわれる電解めっき処理時に
電極として機能する電極層２５材料を、半導体チップ２
３の主表面上に堆積する。
【０１３６】次に、図３９を参照して、突起電極２７の
形成位置に開口部を有するレジスト２６を形成する。そ
して、電解めっき法を用いて、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）
あるいはニッケル（Ｎｉ）などからなる突起電極２７形
成する。次に、図４０を参照して、上記のレジスト２６
を除去した後、エッチング処理を施すことによって、電
極層２５を除去する。以上の工程を経て、上部に錐体部
分を有し、下部に柱体部分を有する突起電極２７が形成
される。
【０１３７】次に、図４１を参照して、上記の突起電極
２７の位置に対応した位置に貫通孔２９が設けられた第
１の成形用金型２８ａを準備する。このとき、この貫通
孔２９の孔径は、突起電極２７の錐体部分の最大径より
も小さい値となっている。そして、突起電極２７の錐体
部分と貫通孔２９とを位置合わせする。その後、貫通孔
２９を通して、図４１において矢印で示される方向に、
突起電極２７を真空吸引する。このようにして半導体チ
ップ２３が第１の成形用金型２８ａに固定される。
【０１３８】次に、図４２を参照して、半導体チップ２
３を第１の成形用金型２８ａに固定した後、この第１の
成形用金型２８ａ上に、この第１の成形用金型と組合わ
される第２の成形用金型２８ｂを配置する。そして、図
４２に示されるように、第１の成型用金型２８ａと第２
の成形用金型２８ｂとで規定される注入口から、第１お
よび第２の成型用金型２８ａ，２８ｂによって形成され
る空間内に樹脂を注入する。その後、第１および第２の
成形用金型２８ａ，２８ｂを封止樹脂２１から分離す
る。そして、樹脂の注入部に対応する部分に残余する封
止樹脂２１を除去する。それにより、図３７（ａ）およ
び（ｂ）に示される半導体パッケージが得られる。
【０１３９】次に、図４３〜図４５を用いて、上記の第
１１の実施例における半導体パッケージの製造方法で用
いた第１の成形用金型２８ａの変形例について説明す
る。図４３は、第１の成形用金型２８ａの第１の変形例
を示す断面図である。図４３を参照して、この第１の変
形例における第１の成形用金型２８ａにおいては、貫通
孔２９下に、この貫通孔２９と連なる開口部２９ａが形
成されている。このように開口部２９ａを設けることに
よって、貫通孔２９の形成が容易となる。
【０１４０】次に、図４４を用いて、上記の第１の成形
用金型２８ａの第２の変形例について説明する。図４４
は、第１の成形用金型２８ａの第２の変形例を示す断面
図である。図４４を参照して、この第２の変形例におい
ては、第１の成形用金型２８ａ下に、第３の成形用金型
２８ｃが取付けられている。
【０１４１】このような構造とすることによって、上記
の第１の変形例と同様の理由で、貫通孔２９を形成する
ことが容易となる。また、突起電極２７を真空引きする
際に、第３の成形用金型２８ｃに、貫通孔２９と連なる
貫通孔２９ｂを設けることによって、上記の第１の変形
例に比べて真空引きすることが容易となる。
【０１４２】次に、図４５を用いて、第１の成型用金型
２８ａの第３の変形例について説明する。図４５は、第
１の成形用金型の第３の変形例を示す断面図である。図
４５を参照して、上記の第２の変形例においては、第１
の成形用金型２８ａに、貫通孔２９と貫通孔２９ｂとを
接続する凹部が形成されていた。しかし、この第３の変
形例においては、第３の成形用金型２８ｃに、貫通孔２
９と貫通孔２９ｂとを接続する凹部が設けられている。
この第３の変形例も、上記の第２の変形例と同様の効果
を奏する。
【０１４３】（第１２の実施例）次に、図４６を用い
て、この発明に基づく第１２の実施例について説明す
る。図４６は、この発明に基づく第１２の実施例におけ
る半導体パッケージを示す断面図である。本実施例にお
いては、半導体チップ２３の側面部に傾斜面２３ａが形
成されている。
【０１４４】このように、半導体チップ２３の側面部に
傾斜面２３ａを形成することによって、半導体パッケー
ジに生じる機械的応力を低減させることが可能となる。
なお、図４６に示される実施例においては、半導体チッ
プ２３の側面部分に傾斜面２３ａを形成した場合につい
て説明したが、それ以外の箇所に傾斜面を形成するよう
にしてもよい。
【０１４５】ここで、本実施例の思想を要約する。樹脂
封止型半導体パッケージにおいて、その半導体チップの
形状に起因して何らかの機械的応力が発生する場合に
は、その部分における半導体チップ２３の形状を適切に
変形させることによって、その部分に生じる機械的応力
を低減させることが可能となる。 （第１３の実施例）以下、図４７〜図５１を用いて、こ
の発明に基づく第１３の実施例について説明する。図４
７〜図５１は、この発明に基づく第１３の実施例におけ
る樹脂封止型半導体パッケージの製造工程の特徴的な第
１工程〜第５工程を示す断面図である。なお、本実施例
においては、上記の第１の実施例における樹脂封止型半
導体パッケージの第２導体部１０の形成工程をより詳し
く説明したものである。また、以下に説明する第１４〜
第１９の実施例においても、本実施例と同様に、第２導
体部１０の具体的な形成工程が示される。また、以下の
説明で使用する図４７〜図９４においては、樹脂封止型
半導体パッケージの電極構造は適宜省略して描かれてい
る。しかし、各実施例における樹脂封止型半導体パッケ
ージの電極構造は、基本的には、図３に示される構造を
有する。
【０１４６】まず図４７を参照して、上記の第１の実施
例と同様の工程を経て、第１導体部９の一部表面を露出
させるように封止樹脂１を形成する。次に、図４８を参
照して、開口部４１ａを有するマスク４１を準備する。
この開口部４１ａは、上記の第１導体部９の位置に対応
した位置に設けられる。そして、このマスク４１を封止
樹脂１の主表面上に配置する。このとき、上記の開口部
４１ａが、第１導体部９の上に位置するように位置合わ
せが行なわれる。そして、マスク４１上の所定位置に、
第２導体部材料を載置する。この場合であれば、半田な
どの低融点金属ペースト１０ａが、マスク４１上の所定
位置に配置される。そして、スキージ４０によって、こ
の金属ペースト（第２導体部材料）１０ａがマスク４１
の開口部４１ａ内に塗布される。
【０１４７】それにより、図４９に示されるように、マ
スク４１の開口部４１ａ内に、第２導体部材料１０ａが
塗布される。このようにしてマスク４１の開口部４１ａ
内に第２導体部材料１０ａを塗布した後は、マスク４１
を封止樹脂１の主表面から分離する。それにより、図５
０に示されるように、第１導体部９上のみに、第２導体
部材料１０ａが形成されることになる。その後、図５１
を参照して、上記の第２導体部材料１０ａに加熱処理を
施す。この加熱温度は、第２導体部材料１０ａの融点以
上の温度である。したがって、第２導体部材料１０ａの
融点は、低い方が好ましいと言える。以上のような加熱
処理が施されることによって、第２導体部材料１０ａは
溶融する。このとき、封止樹脂１と第２導体部材料１０
ａとは密着性がよくないため、第２導体部材料１０ａ
は、第１導体部９とのみ接合される。その結果、第１導
体部９上に、塊状の第２導体部１０を形成することが可
能となる。なお、上記のマスク４１は、スクリーン印刷
工程において一般的に用いられるマスクであってもよい
し、金属製のマスクを用いてもよい。
【０１４８】（第１４の実施例）次に、図５２〜図５５
を用いて、この発明に基づく第１４の実施例について説
明する。図５２〜図５５は、この発明に基づく第１４の
実施例における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な
製造工程の第１工程〜第４工程を示す断面図である。図
５２を参照して、まず、上記の第１の実施例と同様の工
程を経て、封止樹脂１を形成する。そして、所定位置に
開口部４２ａを有するマスク４２を準備する。このマス
ク４２は、好ましくは、金属製のマスクである。このマ
スク４２を樹脂封止型半導体パッケージの主表面上に配
置する。このとき、開口部４２ａが第１導体部９上に位
置するようにマスク４２の位置決めが行なわれる。
【０１４９】次に、図５３を参照して、蒸着法あるいは
スパッタリング法などを用いて、マスク４２上および第
１導体部９上に、第２導体部材料１０ｂを堆積する。こ
の第２導体部材料１０ｂは、好ましくは、低融点の金属
である。より具体的には、半田などの材質である。次
に、図５４を参照して、マスク４２を樹脂封止型半導体
パッケージの主表面から分離することによって、第１導
体部９上にのみ第２導体部材料１０ｂを残余させる。次
に、図５５を参照して、上記の残余した第２導体部材料
１０ｂに加熱処理を施す。このとき、加熱温度は、第２
導体部材料１０ｂの融点以上の温度である。それによ
り、第２導体部材料１０ｂは溶融し、上記の第１３の実
施例の場合と同様に、第１導体部９と接合される。
【０１５０】（第１５の実施例）次に、図５６〜図５９
を用いて、この発明に基づく第１５の実施例について説
明する。図５６〜図５９は、この発明に基づく第１５の
実施例における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な
製造工程の第１工程〜第４工程を示す断面図である。図
５６を参照して、上記の第１の実施例と同様の工程を経
て封止樹脂１を形成する。一方、基板４３を準備し、こ
の基板４３上に接着剤などを介して第２導体部材料１０
ｃを載置する。この第２導体部材料１０ｃは、第１導体
部９の形成位置に対応した位置に形成される。このと
き、基板４３としては、それ自体が接着性を有する材質
のものを使用してもよい。
【０１５１】次に図５７を参照して、基板４３を樹脂封
止型半導体パッケージの主表面上に重ねることによっ
て、第２導体部材料１０ｃを第１導体部９上に配置す
る。そしてこの状態で基板４３に圧力を加えることによ
って、第２導体部材料１０ｃと第１導体部９とを接合す
る（圧着）。このときの第２導体部材料１０ｃと第１導
体部９との接合状態に関しては、この第２導体部材料１
０ｃと第１導体部９との接合強度が、基板４３と第２導
体部材料１０ｃとの密着強度よりも大きいものであれば
よい。それにより、基板４３と第２導体部材料１０ｃと
を分離することが可能となる。なお、上記の第２導体部
材料１０ｃと第１導体部９との接合には、加熱法あるい
は超音波を加える（超音波加振法）などの手法を用いて
もよい。また、上記の圧着法、加熱法あるいは超音波加
振法の組合せによって、第２導体部材料１０ｃと第１導
体部９とを接合してもよい。
【０１５２】次に図５８を参照して、上記のようにして
第２導体部材料１０ｃと第１導体部９とを接合した後、
基板４３と第２導体部材料１０ｃとを分離する。それに
より、第１導体部上にのみ第２導体部材料１０ｃを残余
させることが可能となる。その後は、上記の第１３の実
施例と同様の方法で、図５９に示されるように、第１導
体部上に塊状の第２導体部１０を形成する。なお、本実
施例においては、基板４３上に第２導体部材料１０ｃを
載置した。しかし、この基板４３の代わりに長尺状の絶
縁性テープを用いることも可能である。そして、この長
尺状の絶縁性テープの長手方向に第２導体部材料１０ｃ
を並べて形成することによって、高速自動送りが可能と
なる。その結果、樹脂封止型半導体パッケージの生産性
を向上させることが可能となる。
【０１５３】（第１６の実施例）次に、図６０〜図６３
を用いて、この発明に基づく第１６の実施例について説
明する。図６０〜図６３は、この発明に基づく第１６の
実施例における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な
製造工程の第１工程〜第４工程を示す断面図である。図
６０を参照して、上記の第１の実施例と同様の工程を経
て封止樹脂１を形成する。そして、開口部４４ａを有す
るマスク４４を準備する。この開口部４４ａは、第１導
体部９の形成位置に対応した位置に形成される。このマ
スク４４を樹脂封止型半導体パッケージの主表面上に配
置する。このとき、マスク４４の開口部４４ａが、第１
導体部９上に位置するようにマスク４４の位置決めを行
なう。
【０１５４】そして、開口部４４ａ内に第２導体部材料
１０ｄを載置する。この場合であれば、球状の第２導体
部材料１０ｄが開口部４４ａ内に配置されている。しか
し、この第２導体部材料１０ｄの形状はこれに限らず、
小片状のものであればよい。次に、図６１を参照して、
プレス板４５によって、第２導体部材料１０ｄに荷重を
かける。それにより、第２導体部材料１０ｄと第１導体
部９とを圧着する。この場合、上記の第１５の実施例と
同様に、加熱法、超音波加振法あるいはそれらの組合せ
などを用いることによって、第２導体部材料１０ｄと第
１導体部９とを接合してもよい。次に図６２を参照し
て、プレス板４５およびマスク４４を除去する。その結
果、第１導体部材料上にのみ第２導体部材料１０ｄが残
余する。その後は、上記の第１３の実施例と同様にし
て、図６３に示されるように、第１導体部９上に塊状の
第２導体部１０を形成する。
【０１５５】（第１７の実施例）次に、図６４〜図６７
を用いて、この発明に基づく第１７の実施例について説
明する。図６４〜図６７は、この発明に基づく第１７の
実施例における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な
製造工程の第１工程〜第４工程を示す断面図である。図
６４（ａ）を参照して、上記の第１の実施例と同様の工
程を経て封止樹脂１を形成する。そして、開口部４６ａ
を有するマスク４６を準備する。マスク４６には、第１
導体部９の位置に対応した位置に開口部４６ａが設けら
れている。そして、このマスク４６を樹脂封止型半導体
パッケージの主表面上に配置する。このとき、開口部４
６ａが、第１導体部９上に位置するように位置合わせさ
れる。この開口部４６ａ内に第２導体部材料１０ｅが載
置される。
【０１５６】図６４（ｂ）は、マスク４６の開口部４６
ａ内に第２導体部材料１０ｅが載置された状態（図６４
（ａ）におけるＢ領域）を示す部分拡大断面図である。
図６４（ｂ）を参照して、本実施例においては、複数個
の小片状の第２導体部材料１０ｅが開口部４６ａ内に載
置される。このように小片状の第２導体部材料１０ｅを
複数個用いることによって、第２導体部１０の組成を容
易に変更することが可能となる。また、第２導体部１０
の最終的な大きさなども容易に調整することが可能とな
る。次に、図６５（ａ）を参照して、プレス板４５によ
って第２導体部材料１０ｅに圧力を加える。それによ
り、第１導体部と第２導体部材料１０ｅとを接合する。
このときの第２導体部材料１０ｅの状態が図６５（ｂ）
に示されている。図６５（ｂ）は、図６５（ａ）におけ
るＢ領域を拡大した断面図である。
【０１５７】なお、第２導体部材料１０ｅと第１導体部
９との接合のための他の手法として、上記の第１５の実
施例と同様に、加熱法、超音波加振法あるいはそれらの
組合せなどの方法を用いることも可能である。以上のよ
うにして第２導体部材料１０ｅと第１導体部９とを接合
した後、プレス板４５およびマスク４６を除去する。そ
れにより、図６６（ａ）および（ｂ）に示されるよう
に、第１導体部９上にのみ第２導体部材料１０ｅが残余
する。その後、上記の第１３の実施例と同様の方法を用
いて、図６７に示されるように、第１導体部上に第２導
体部１０を形成する。 （第１８の実施例）次に、図６８を用いて、この発明に
基づく第１８の実施例について説明する。図６８は、こ
の発明に基づく第１８の実施例における特徴的な工程の
概念を模式的に示す断面図である。
【０１５８】上記の第１３〜第１７の実施例において
は、第２導体部１０の形状や寸法などがほぼ一定となる
ような製造方法を示した。そのため、比較的複雑な工程
が必要であった。しかし、第２導体部１０の寸法に対す
る制約が少ない場合あるいは低コスト化が優先される場
合においては、本実施例が有効である。図６８を参照し
て、容器５５内には、液体状の第２導体部材料５６が満
たされている。この液体状の第２導体部材料５６内に、
封止樹脂１形成後の状態の樹脂封止型半導体パッケージ
を浸漬する。その後、樹脂封止型半導体パッケージを上
記の液体状の第２導体部材料５６内から取出す。このと
き、第２導体部材料は金属であるため、樹脂との密着性
は悪い。したがって、液体状の第２導体部材料５６は、
第１導体部上にのみ残余する。それにより、第２導体部
１０が形成される。
【０１５９】以上のように、液体状の第２導体部材料５
６中に樹脂封止型半導体パッケージを浸漬するだけで第
２導体部１０を形成することが可能となるため、工程の
簡易化が図れる。なお、上記の場合には、樹脂封止型半
導体パッケージ全体を液体状の第２導体部材料５６中に
浸漬した。しかし、樹脂封止型半導体パッケージの主表
面、すなわち第１導体部９の一部表面が露出している面
のみを上記の液体状の第２導体部材料５６中に浸漬させ
てもよい。それにより、樹脂封止型半導体パッケージ全
体を液体状の第２導体部材料５６内に浸漬する場合に比
べて、樹脂封止型半導体パッケージにかかる熱ストレス
を軽減することが可能となる。 （第１９の実施例）次に、図６９を用いて、この発明に
基づく第１９の実施例について説明する。図６９は、こ
の発明に基づく第１９の実施例における樹脂封止型半導
体パッケージの特徴的な製造工程の概念を模式的に示す
断面図である。
【０１６０】上記の第１８の実施例においては、液体状
の第２導体部材料５６中に樹脂封止型半導体パッケージ
を浸漬した。しかし、イオン状の第２導体部材料を含む
めっき液中へ樹脂封止型半導体パッケージを浸漬するこ
とによって、第２導体部１０を形成してもよい。図６９
を参照して、上記の第１の実施例と同様の工程を経て、
封止樹脂１を形成する。一方、容器５５ａ内にイオン状
の第２導体部材料を含むめっき液５７を入れる。このめ
っき液５７中に、封止樹脂１形成後の状態の樹脂封止型
半導体パッケージを浸漬する。そして、第１導体部９上
に第２導体部材料を析出させる。それにより、第１導体
部９上に第２導体部１０を形成することが可能となる。
なお、上記の第１３〜第１７の実施例においては、第２
導体部１０の形状としては略球状のものが示されてい
る。しかし、第２導体部１０の形状はこれに限るもので
はない。また、上記の第１３〜第１７の実施例において
は、第２導体部材料に加熱処理を施すことによって第２
導体部１０を形成していた。しかし、この加熱処理を省
略してもよい。すなわち、第２導体部材料と第１導体部
９とは仮止め状態にとどめておき、回路基板への実装の
際に第２導体部材料を溶融させてもよい。
【０１６１】（第２０の実施例）本実施例は、上記の第
２の実施例と関連するものである。上記の第２の実施例
においては、下地金属層１２を半導体チップ３の主表面
方向に延在させることによって、ボンディングパッド４
の位置と第２導体部１０の位置とを半導体チップ３の主
表面方向にずらせていた。しかし、他の配線層を用いて
第２導体部１０とボンディングパッド４との位置を半導
体チップ３の主表面方向にずらせてもよい。この思想
が、本実施例および以下の第２１の実施例〜第２８の実
施例において示されることになる。図７０は、この発明
に基づく第２０の実施例における樹脂封止型半導体パッ
ケージを示す断面図である。図７１は、この発明に基づ
く第２０の実施例における樹脂封止型半導体パッケージ
の部分拡大断面図である。図７０および図７１を用い
て、本実施例の説明を行なう。
【０１６２】まず図７０を参照して、半導体チップ３の
主表面の所定位置には、ボンディングパッド４が形成さ
れている。半導体チップ３の主表面上には、このボンデ
ィングパッド４と電気的に接続された配線層６１が形成
される。この配線層６１の材質としては、タングステン
（Ｗ）合金、銅（Ｃｕ）合金、半田材料などを挙げるこ
とができる。そして、配線層６１上において、ボンディ
ングパッド４が形成されていない領域上に、外部接続用
の突起電極６０が形成されている。この突起電極６０の
材質としては、半田などを挙げることができる。以上の
ように、ボンディングパッド４の位置と、突起電極６０
の位置とを、半導体チップ３の主表面方向にずらせるこ
とによって、以下のような効果を奏する。
【０１６３】外部接続用の電極として機能する突起電極
６０の位置を標準化することが容易となる。それは、配
線層６１を設けることによって、外部接続用の突起電極
６０の位置を標準化したとしても、半導体チップ３の主
表面において、ボンディングパッド４の位置を自由に選
択することが可能となるからである。また、ボンディン
グパッド４の形成位置の自由度を増大させることが可能
となることによって、半導体チップ３の主表面に形成さ
れる素子のレイアウトの自由度をも増大させることが可
能となる。さらに、ボンディングパッド４の面積をも従
来よりも小さくすることが可能となる。それにより、半
導体チップ３の主表面における素子の高集積化に寄与し
得ることとなる。次に、図７１を参照して、半導体チッ
プ３の主表面には、ボンディングパッド４の一部表面を
露出させるように絶縁層１１が形成される。この絶縁層
１１の材質としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜
などを挙げることができる。配線層６１は、ボンディン
グパッド４上から、ボンディングパッド４が形成されて
いない半導体チップ３の主表面上にまで延在している。
この配線層６１の材質としては、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔｉ
Ｗ，Ｗ，Ａｕなどを挙げることができる。
【０１６４】この配線層６１の形成方法としては、半導
体チップ３の主表面上全面に、スパッタリング法などに
よって上記の材質からなる導電層を形成する。この導電
層は単層であってもよいし多層構造としてもよい。そし
て、このようにして形成された導電層を、ウェットエッ
チング法あるいはドライエッチング法と、写真製版技術
とを用いてパターニングする。それにより、配線層６１
を形成する。以上のように配線層６１が形成された後
は、めっき法などを用いて突起電極６０を形成する。し
かし、この突起電極６０の高さは、比較的高くなるよう
に形成されることが必要である。したがって、めっき法
などを用いて突起電極６０を形成するのは困難であると
言える。そのため、この突起電極６０は、図７０および
図７１に示されるような単層の構造を有するよりも、多
層構造を有する方が好ましいと言える。
【０１６５】以上のようにして突起電極６０を形成した
後は、この突起電極６０の一部表面を露出させるように
半導体チップ３を封止する封止樹脂１を形成する。それ
により、図７１に示される樹脂封止型半導体パッケージ
が形成されることになる。 （第２１の実施例）次に、図７２を用いて、この発明に
基づく第２１の実施例について説明する。図７２は、こ
の発明に基づく第２１の実施例における樹脂封止型半導
体パッケージを示す断面図である。図７２を参照して、
本実施例においては、配線層６１上におけるボンディン
グパッド４が形成されていない領域上に、第１導体部９
および第２導体部１０がそれぞれ形成されている。この
ように外部接続用の電極を多層構造にすることによっ
て、この外部接続用の電極の形成が容易となる。
【０１６６】上記の第２導体部１０の材質としては、上
記の第１の実施例における第２導体部１０の材質と同様
のものを挙げることができる。また、第２導体部１０の
材質としては、Ｉｎ−Ｐｂなども挙げることができる。
この場合、第１導体部９の材質をもＩｎ−Ｐｂとするこ
とが可能となる。この場合には、第１導体部９に含まれ
る鉛の量を４０〜６０ｗｔ％程度とすることが好まし
い。それに対し、第２導体部１０に含まれる鉛（Ｐｂ）
の量は、９０〜９７ｗｔ％程度とすることが好ましい。
それにより、第２導体部１０の融点を第１導体部９の融
点よりも高くすることが可能となる。その結果、樹脂封
止型半導体パッケージをプリント基板などに搭載する際
に、第２導体部１０を溶融させたとしても第１導体部９
は溶融しないことになる。すなわち、樹脂封止型半導体
パッケージのプリント基板への搭載による信頼性の低下
を防止することが可能となる。
【０１６７】またこのとき、配線層６１の材質として
は、銅（Ｃｕ），Ｔｉ合金などを挙げことができる。 （第２２の実施例）次に、この発明に基づく第２２の実
施例について説明する。図７３は、この発明に基づく第
２２の実施例における樹脂封止型半導体パッケージを示
す断面図である。図７３を参照して、本実施例において
は、半導体チップ３の主表面上および封止樹脂１の主表
面上にそれぞれ配線層６１，６１ａが形成されている。
それにより、配線層のレイアウトの自由度を向上させる
ことが可能となる。それは、半導体チップ３の主表面上
の領域と、封止樹脂１の主表面上の領域とを配線層の形
成のために利用することが可能となるからである。
【０１６８】それにより、外部接続用の電極（第２導体
部１０）のレイアウトの自由度を増大させることが可能
となる。また、外部接続用の電極の高集積化を実現する
ことが可能となる。さらに、配線層形成に際して、この
配線層の形成によって半導体チップ３の主表面に形成さ
れた素子に電気的な悪影響を及ぼす可能性がある部分に
おいては、その配線層を封止樹脂１の主表面上に形成す
ることによって、半導体チップ３の主表面に形成された
素子に悪影響を及ぼすことを防止することも可能とな
る。 （第２３の実施例）次に、図７４を用いて、この発明に
基づく第２３の実施例における樹脂封止型半導体パッケ
ージについて説明する。図７４は、この発明に基づく第
２３の実施例における樹脂封止型半導体パッケージの部
分断面図である。
【０１６９】図７４を参照して、本実施例においては、
ボンディングパッド４上に下地金属層１２が形成されて
いる。この下地金属層１２上には第１導体部９が形成さ
れる。この第１導体部９の材質としては、上記の第１の
実施例で開示した材質の他に金（Ａｕ），半田などを挙
げることができる。この第１導体部９の上面と封止樹脂
１の主表面とはぼぼ面一である。この第１導体部９と電
気的に接続され、封止樹脂１の主表面上にまで延在する
ように配線層６１ａが形成される。この配線層６１ａの
材質としては、上記の第２１の実施例において挙げた配
線層６１の材質以外に４２アロイ（Ｆｅ−４２重量％Ｎ
ｉ合金）などを挙げることができる。そして、配線層６
１ａ上において、ボンディングパッド４の形成位置から
半導体チップ３の主表面方向にずれた位置の上方に第２
導体部１０が形成される。以上のような構成を有するこ
とによって、上記の第２０の実施例とほぼ同様の効果が
得られる。また、本実施例においては、配線層６１ａ上
に予め第２導体部１０を形成しておくことが可能とな
る。それにより、電極形成を幾分か容易にすることも可
能となる。
【０１７０】（第２４の実施例）次に、この発明に基づ
く第２４の実施例について説明する。図７５は、この発
明に基づく第２４の実施例における樹脂封止型半導体パ
ッケージを示す部分断面図である。図７５を参照して、
本実施例においては、配線層６１ａが、樹脂封止型半導
体パッケージの主表面から側面にまで延在するように形
成されている。それにより、樹脂封止型半導体パッケー
ジの側面１ｆ部分をプリント基板に接触させた状態で、
プリント基板への搭載を行なうことが可能となる。それ
により、樹脂封止型半導体パッケージをプリント基板に
搭載する際の高集積化を行なうことが可能となる。ま
た、樹脂封止型半導体パッケージの側面１ｆにまで配線
層６１ａが形成されているため、配線層６１ａが形成さ
れているか否かの確認が容易となる。
【０１７１】上記の配線層６１ａの材質としては、上記
の第２３の実施例における配線層６１ａの材質とほぼ同
様のものを挙げることができる。また、このような配線
層６１ａの形成方法の一例としては、配線層６１ａと第
１導体部９とを接合した後に配線層６１ａを折り曲げる
ことによって、封止樹脂１の側面１ｆに沿わせるといっ
た手法をとることができる。また、配線層６１ａを予め
折り曲げた状態で、第１導体部９と配線層６１ａとを接
合することも可能である。 （第２５の実施例）次に、この発明に基づく第２５の実
施例について説明する。図７６は、この発明に基づく第
２５の実施例における樹脂封止型半導体パッケージを示
す部分断面図である。
【０１７２】図７６を参照して、本実施例においては、
配線層６２が封止樹脂１内部に配置されている。そし
て、第２導体部１０の一部分が封止樹脂１内部に形成さ
れる。それ以外の構造については、図７４に示される第
２３の実施例における樹脂封止型半導体パッケージとほ
ぼ同様である。したがって、第２３の実施例とほぼ同様
の効果を奏する。本実施例においては、配線層６２が封
止樹脂１の内部に形成されているため、この配線層６２
と、外部機器の電極などとが接触する可能性はないと言
える。したがって、上記の第２３の実施例よりも信頼性
を向上させることが可能となる。 （第２６の実施例）次に、この発明に基づく第２６の実
施例について説明する。図７７は、この発明に基づく第
２６の実施例における樹脂封止型半導体パッケージを示
す部分断面図である。
【０１７３】図７７を参照して、本実施例においては、
半導体チップ３の主表面上に形成された絶縁層１１上
に、ポリイミドなどからなる保護膜１３が形成されてい
る。この保護膜１３上に配線層６３が形成されている。
この配線層６３の材質としては、上記の第２０の実施例
における配線層６１の材質と同様のものを用いてもよ
い。本実施例においては、上記の配線層６３とボンディ
ングパッド４とがワイヤ部６４によって電気的に接続さ
れる。このワイヤ部６４の材質としては、Ａｕ，Ａｌな
どを挙げることができる。このようにワイヤ部６４を設
けることによって、配線層６３の形成位置の自由度を上
記の第２０〜第２５の実施例よりもさらに増大させるこ
とが可能となる。
【０１７４】この配線層６３上には第２導体部１０が形
成されている。したがって、上記のワイヤ部６４を設け
ることによって、第２導体部１０の形成位置の自由度を
増大させることが可能となる。 （第２７の実施例）次に、この発明に基づく第２７の実
施例について説明する。図７８は、この発明に基づく第
２７の実施例における樹脂封止型半導体パッケージを示
す部分断面図である。図７８を参照して、本実施例にお
いては、半導体チップ３の主表面に形成され、同一の信
号が与えられる複数のボンディングパッド４ａ，４ｂ
が、同一の配線層６１によって電気的に接続されてい
る。そしてこの配線層６１上において、ボンディングパ
ッド４ａ，４ｂが形成されていない領域上に突起電極６
０が形成されている。
【０１７５】それにより、１つの外部接続用の突起電極
６０によって、複数のボンディングパッド４ａ，４ｂに
対して信号の入出力を行なうことが可能となる。それに
より、突起電極６０の数を減らすことが可能となる。そ
の結果、突起電極６０の形成位置の自由度を増大させる
ことが可能となる。なお、本実施例においては、配線層
６１を半導体チップ３の表面上に形成した。しかし、上
記の各実施例と同様に、配線層６１を封止樹脂１内部あ
るいは封止樹脂１上に形成してもよい。また、突起電極
６０を多層構造のものとしてもよい。 （第２８の実施例）次に、この発明に基づく第２８の実
施例について説明する。図７９は、この発明に基づく第
２８の実施例における樹脂封止型半導体パッケージを示
す部分断面図である。
【０１７６】図７９に示されるように、同一の信号が与
えられる複数のボンディングパッド４ａ，４ｂのみを配
線層６１によって電気的に接続することも可能である。
この場合にも、上記の第２７の実施例とほぼ同様の効果
を奏する。 （第２９の実施例）次に、この発明に基づく第２９の実
施例について説明する。図８０は、この発明に基づく第
２９の実施例における樹脂封止型半導体パッケージを示
す部分断面斜視図である。図８１は、図８０に示される
樹脂封止型半導体パッケージの断面図である。図８２
は、第２９の実施例における樹脂封止型半導体パッケー
ジの変形例を示す断面図である。まず図８０を参照し
て、封止樹脂１は、第２導体部１０が形成される主表面
１ｂと、この主表面１ｂの周縁部を規定する側面１ｅと
を有している。第２導体部１０は、上記の主表面１ｂの
周縁部に沿って設けられることが好ましい。それによ
り、プリント基板（図示せず）に搭載する際に、主表面
１ｂをプリント基板に対して立てた状態で、樹脂封止型
半導体パッケージをプリント基板に搭載することが可能
となる。
【０１７７】このとき、プリント基板と樹脂封止型半導
体パッケージとの対向する面積は、１つの側面１ｅの面
積とほぼ等しくなる。図８０に示されるように、一般
に、主表面１ｂの面積は、一側面１ｅの面積よりも大き
くなっている。したがって、一側面１ｅをプリント基板
に対向させた状態でプリント基板に搭載することによっ
て、１つの樹脂封止型半導体パッケージのプリント基板
上に占める面積を低減させることが可能となる。それに
より、樹脂封止型半導体パッケージのプリント基板への
高集積化を実現することが可能となる。次に図８１を参
照して、本実施例においては、外部接続用の電極は、第
１導体部９および第２導体部１０を有している。この第
２導体部１０の大きさなどを適切に調整することによっ
て、外部接続用の電極が単層の場合よりもプリント基板
への搭載が容易となる。また、プリント基板への搭載に
際して、単層の場合よりも信頼性を向上させることも可
能となる。
【０１７８】次に、図８２を参照して、本実施例の変形
例について説明する。図８２を参照して、本変形例にお
いては、外部接続用の電極として単層の突起電極６５が
形成されている。この場合には、上述した信頼性などの
問題点は有するが、樹脂封止型半導体パッケージの高集
積化は実現することが可能となる。また、第２０の実施
例などに開示された、ボンディングパッド４と外部接続
用の電極（第２導体部１０）の位置をずらせる考え方を
本実施例に適用することも可能である。それにより、半
導体チップ３に種々のデバイスが形成された場合でも、
容易に上記の図８０〜図８２に示される樹脂封止型半導
体パッケージを得ることが可能となる。 （第３０の実施例）次に、この発明に基づく第３０の実
施例について説明する。図８３は、この発明に基づく第
３０の実施例における樹脂封止型半導体パッケージのプ
リント基板への搭載方法の第１工程を示す部分断面斜視
図である。図８４は、この発明に基づく第３０の実施例
における樹脂封止型半導体パッケージのプリント基板へ
の搭載方法の第２工程を示す斜視図である。
【０１７９】まず図８３を参照して、図８０に示される
構造を有する樹脂封止型半導体パッケージを準備する。
そして、プリント基板６６上において、第２導体部１０
の位置に対応した位置に突起電極６７を形成する。そし
て、図８３における矢印の方向に樹脂封止型半導体パッ
ケージを移動させ、プリント基板６６上の所定位置に配
置する。このとき、樹脂封止型半導体パッケージの一側
面１ｅがプリント基板６６と対向する。すなわち、プリ
ント基板６６上において、この樹脂封止型半導体パッケ
ージが占める面積は、上記の側面１ｅの面積とほぼ等し
くなる。それにより、樹脂封止型半導体パッケージの主
表面１ｂをプリント基板６６に対向させる場合に比べ
て、プリント基板への樹脂封止型半導体パッケージの高
集積化を実現することが可能となる。
【０１８０】次に、図８４を参照して、上記のようにし
てプリント基板６６上に樹脂封止型半導体パッケージを
配置した後は、第２導体部１０と突起電極６７とを溶融
する。それにより、接合部６８を形成する。以上の工程
を経て樹脂封止型半導体パッケージがプリント基板６６
上に搭載されることになる。このとき、図８２に示され
るように、樹脂封止型半導体パッケージの外部接続用の
突起電極６５が単層の場合には、次のような問題点が考
えられる。樹脂封止型半導体パッケージをプリント基板
に搭載する際には、突起電極６５自体が溶融することに
よって上記のような接合部が形成されることになる。そ
れにより、外部接続用の電極を多層構造とした場合より
も、突起電極６５と封止樹脂１との間に間隙が形成され
る可能性は大きくなる。すなわち、信頼が低下する。し
たがって、外部接続用の突起電極は、導電層の多層構造
からなることが好ましいと言える。
【０１８１】（第３１の実施例）次に、この発明に基づ
く第３１の実施例について説明する。図８５は、この発
明に基づく第３１の実施例における樹脂封止型半導体パ
ッケージを示す部分断面斜視図である。図８５を参照し
て、本実施例における樹脂封止型半導体パッケージは、
２つの半導体チップ３ａ，３ｂを備えている。そして、
この２つの半導体チップ３ａ，３ｂが１つの封止樹脂１
によって封止されている。この場合であれば、２つの半
導体チップ３ａ，３ｂの裏面同士が対向するような位置
関係となっている。それにより、第２導体部１０は、表
裏の位置関係にある２つの表面にそれぞれ形成されるこ
とになる。このような構造を有することによって、上記
の第３０の実施例の場合よりもさらに多数の樹脂封止型
半導体パッケージをプリント基板６６上に配置すること
が可能となる。
【０１８２】（第３２の実施例）次に、この発明に基づ
く第３２の実施例について説明する。図８６は、この発
明に基づく第３２の実施例における樹脂封止型半導体パ
ッケージのプリント基板への搭載方法を示す斜視図であ
る。図８６を参照して、本実施例においては、プリント
基板６６上において、第２導体部１０に対応する位置
に、ピン６９が設けられている。このように、ピン６９
を設けることによって、上記のようにプリント基板６６
上に突起電極を形成する場合よりも所定の高さを容易に
得ることが可能となる。それにより、樹脂封止型半導体
パッケージにおいて、上記の第２９〜第３０の実施例よ
りも、第２導体部１０の形成位置の自由度を増大させる
ことが可能となる。それ以外の構造に関しては、図８４
に示される第３０の実施例とほぼ同様である。それによ
り、第３０の実施例とほぼ同様の効果をも奏する。
【０１８３】（第３３の実施例）次に、この発明に基づ
く第３３の実施例について説明する。図８７は、この発
明に基づく第３３の実施例における樹脂封止型半導体パ
ッケージのプリント基板６６への搭載方法を示す斜視図
である。図８７を参照して、本実施例においては、樹脂
封止型半導体パッケージと、プリント基板６６との間に
絶縁性の接着剤７０が設けられている。それにより、上
記の第３０の実施例の場合よりも接合部６８に対する負
担を軽減することが可能となる。それにより、信頼性を
向上させることが可能となる。それ以外の構造に関して
は、上記の第３０の実施例とほぼ同様である。したがっ
て、上記の第３０の実施例とほぼ同様の効果をも奏す
る。
【０１８４】（第３４の実施例）次に、この発明に基づ
く第３４の実施例について説明する。図８８は、この発
明に基づく第３４の実施例における樹脂封止型半導体パ
ッケージのプリント基板６６への搭載方法を示す斜視図
である。図８８を参照して、本実施例においては、樹脂
封止型半導体パッケージとプリント基板６６とが所定角
度（θ）をなすように、樹脂封止型半導体パッケージを
傾けた状態でプリント基板６６へ搭載している。この場
合であれば、図８８に示されるように、θの角度だけ樹
脂封止型半導体パッケージは接合部６８側に傾けられて
いる。このθの大きさは、接続部６８の接続強度などを
考慮にいれて選定される。
【０１８５】以上のように、樹脂封止型半導体パッケー
ジをプリント基板６６に対して所定角度θだけ傾けるこ
とによって、半導体パッケージにおける第２導体部１０
と、プリント基板６６上に形成された突起電極６７との
実質的な距離を短縮することが可能となる。それによ
り、接合部６８の形成が容易となる。また、接合部６８
の信頼性をも向上させることが可能となる。さらに、接
合部６８の長さを短くすることが可能となるため、この
接合部６８における電気的な抵抗を低減させることも可
能となる。 （第３５の実施例）次に、この発明に基づく第３５の実
施例について説明する。図８９は、この発明に基づく第
３５の実施例における樹脂封止型半導体パッケージのプ
リント基板６６への搭載方法を示す斜視図である。
【０１８６】図８９を参照して、本実施例においては、
上記の第３４の実施例の場合と同様に、樹脂封止型半導
体パッケージがプリント基板６６に対して所定角度だけ
傾くように配置されている。そして、プリント基板６６
と、樹脂封止型半導体パッケージとの間に、台座７１が
設けられている。この台座７１を設けることによって、
上記の第３４の実施例の場合よりも安定した状態で、樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板６６に搭載す
ることが可能となる。それ以外の構造に関しては、上記
の第３４の実施例とほぼ同様である。したがって、上記
の第３４の実施例とほぼ同様の効果をも奏する。 （第３６の実施例）次に、この発明に基づく第３６の実
施例について説明する。図９０は、この発明に基づく第
３６の実施例における、樹脂封止型半導体パッケージの
性能評価用のソケット７２を示す斜視図である。図９１
は、図９０に示されるソケット７２内に、突起状の電極
を有する樹脂封止型半導体パッケージが挿入された状態
を示す断面図である。なお、以下に説明する第３６の実
施例〜第３９の実施例は、外部接続用の突起状の電極を
有する樹脂封止型半導体パッケージの性能評価をより安
定して行なうことが可能となるソケットの構造を開示す
るものである。以下の実施例においては、突起状の電極
部が複数層の構造を有する場合について説明するが、そ
れに限らず突起状の電極が単層構造を有するものにも適
用可能である。
【０１８７】図９０を参照して、ソケット７２は、樹脂
封止型半導体パッケージを収納する収納部７３と、この
収納部７３の開閉を行なう蓋７５とを有している。収納
部７３内には、基板７４が設けられる。この基板７４の
材質は、好ましくは、ガラス，エポキシなどの絶縁材料
である。この基板７４表面には、銅（Ｃｕ）などからな
る受入電極７６が形成される。この受入電極７６に、樹
脂封止型半導体パッケージに設けられた突起電極が当接
される。基板７４の表面には、上記の受入電極７６と電
気的に接続されている配線８１が形成されている。基板
７４には、ドリルなどによって所定位置に開口部８７が
設けられている。この開口部８７の内表面には、無電解
めっき法などによって、銅（Ｃｕ）などの導電層が形成
されている。この導電層は、上記の配線８１と電気的に
接続されている。
【０１８８】また、上記の開口部８７には、コバールな
どからなる入出力ピン８０が打ち込まれている。この入
出力ピン８０は、収納部７３の底部から突出している。
収納部７３には、さらに、所定位置にバネ８２が設けら
れている。このバネ８２によって、蓋７５を開くのが容
易となる。一方、蓋７５には、凸部７７が設けられてい
る。この凸部７７によって、樹脂封止型半導体パッケー
ジの裏面に押圧力が加えられる。それにより、樹脂封止
型半導体パッケージの突起電極を受入電極７６に押しつ
けることが可能となる。その結果、樹脂封止型半導体パ
ッケージの突起電極と、基板７４上の受入電極７６との
安定した接触状態を確保することが可能となる。また、
蓋７５には、係合部７８が設けられている。一方、収納
部７３の所定位置には、上記の係合部７８に対応した位
置に、係合部７９が設けられている。この係合部７８と
係合部７９とを係合させることによって、蓋７５が閉じ
た状態で保持される。
【０１８９】次に、図９１を用いて、収納部７３内に樹
脂封止型半導体パッケージを収納した場合について説明
する。図９１を参照して、樹脂封止型半導体パッケージ
は、主表面が基板７４に対向した状態で収納部７３内に
収納される。このとき、蓋７５には、弾性体などからな
る凸部７７が設けられている。この凸部７７によって、
樹脂封止型半導体パッケージの裏面に押圧力が加えられ
る。それにより、第２導体部１０が受入電極７６に弾性
的に押しつけられることになる。その結果、第２導体部
１０と受入電極７６との安定した接触が得られる。配線
８１上には、絶縁層８３が形成されている。それによ
り、配線層８１が保護される。上記のような状態で樹脂
封止型半導体パッケージを収納部７３内に収納すること
によって、第２導体部１０と受入電極７６との安定した
接触状態を確保することが可能となる。それにより、樹
脂封止型半導体パッケージの性能評価をより安定した状
態で確実に行なうことが可能となる。
【０１９０】（第３７の実施例）次に、この発明に基づ
く第３７の実施例について説明する。図９２は、この発
明に基づく第３７の実施例における樹脂封止型半導体パ
ッケージの性能評価用のソケットを示す断面図である。
図９２を参照して、本実施例においては、第２導体部１
０と受入電極７６との間に、異方性導電部材８４が挿入
されている。この異方性導電部材８４は、所定の圧力が
加わった部分のみ、その圧力が加わった方向に電気的に
導通状態となる。したがって、この場合であれば、凸部
７７によって、樹脂封止型半導体パッケージの裏面が押
されるため、第２導体部１０と受入電極７６とが対向す
る方向に異方性導電部材８４は力を受けることになる。
それにより、第２導体部１０と受入電極７６とを電気的
に接続することが可能となる。その結果、上記の第３６
の実施例の場合と同様に、安定して樹脂封止型半導体パ
ッケージの性能評価を行なうことが可能となる。
【０１９１】なお、上記の異方性導電部材８４の一例と
しては、Ａｇ粒子がランダムに含まれているシリコンラ
バーを挙げることができる。また、異方性導電部材８４
は、ソケット７２と一体型のものであってもよいし、分
離可能なものであってもよい。 （第３８の実施例）次に、この発明に基づく第３８の実
施例について説明する。図９３は、この発明に基づく第
３８の実施例における樹脂封止型半導体パッケージの性
能評価のためのソケットを示す断面図である。図９３を
参照して、本実施例においては、入出力ピン８５自体に
弾性機能を付加している。それにより、入出力ピン８５
と第２導体部１０との接触状態を安定した状態に保持す
ることが可能となる。それにより、樹脂封止型半導体パ
ッケージの性能評価を安定して行なうことが可能とな
る。
【０１９２】なお、上記の場合においては、入出力ピン
８５に弾性機能を付加するために、基板７４に凹部を設
けている。また、入出力ピンと受入電極とを一体化する
ことによってさらにこの弾性機能は優れたものとなる。
さらに、本実施例におけるソケット７２は、樹脂封止型
半導体パッケージの突起電極数が少ない場合に適用され
ることが好ましい。 （第３９の実施例）次に、この発明に基づく第３９の実
施例について説明する。図９４は、この発明に基づく第
３９の実施例における樹脂封止型半導体パッケージの性
能評価のためのソケットを示す斜視図である。本実施例
においては、収納部の一部に切欠き部８６が設けられて
いる。それにより、樹脂封止型半導体パッケージの出し
入れが容易となる。
【０１９３】収納部７３における樹脂封止型半導体パッ
ケージが収納される空間の平面的な面積は、樹脂封止型
半導体パッケージの主表面側の平面の面積とほぼ等しく
なるようにすることが好ましい。それにより、収納部７
３の内壁面によって、樹脂封止型半導体パッケージの主
表面方向のずれを抑えることが可能となる。それによ
り、より確実に性能評価などの試験を行なうことが可能
となる。このような場合には、図９４に示されるような
凹部８６を設けることによって、樹脂封止型半導体パッ
ケージの出し入れが容易となる。なお、上記の第３６〜
第３９の実施例においては、樹脂封止型半導体パッケー
ジの主表面の中央部近傍に２列の外部接続用の第２導体
部１０を配置した場合を示した。しかし、それに限ら
ず、第２導体部１０の位置は、樹脂封止型半導体パッケ
ージの表面上であればどこにあってもよい。また、第２
導体部１０の数が多くなった場合には、配線８１を多層
構造とすることによって対応可能である。
【０１９４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、１つの局面では、下地金属層を備えているため、第
１導体部の材質とボンディングパッドの材質との拡散を
防止することができる。また、第１導体部上面上に塊状
の第２導体部が形成されているため、外部機器との接続
の際に、この第２導体部も外部機器との接続部の一部を
構成する。それにより、第２導体部の成分を適切に選定
することによって、その接続部の疲労強度などの特性を
改善することが可能となる。それにより、接続部の信頼
性を向上させることが可能となる。
【０１９５】さらに、このとき、第１導体部と第２導体
部とは材質が異なっており、第１導体部の材質は第２導
体部の材質よりも融点の高い材質が選定される。それに
より、第２導体部と外部機器との接続の際に第１導体部
が溶けて流れ出すといった現象は起こらない。したがっ
て、外部機器との接続に際しても半導体パッケージの気
密性は保たれる。
【０１９６】さらに、ボンディングパッド上に直接外部
引出用の電極が形成されるため、半導体パッケージの小
型化も実現される。さらに、それに伴い、電極の長さが
短くできるので、電気的特性も向上する。以上のよう
に、この発明によれば、小型化、電気的特性の向上を実
現しかつ信頼性の高い樹脂封止型半導体パッケージが得
られる。
【０１９７】上記の下地金属層と第１導体部との間に
は、第３導体部が形成されることが好ましい。この第３
導体部が形成されることによって、この第３導体部を溶
融することによって第３導体部と第１導体部とを接合す
ることが可能となる。それにより、多大な荷重をかける
ことなく第１導体部と第３導体部とを接着することが可
能となる。その結果、第１導体部と第３導体部の接着に
際して他の構成要素に悪影響を及ぼすといったことがな
くなる。
【０１９８】さらに、第３導体部を溶融させることによ
って、第３導体部の形状は、テーパ形状となる。それに
より、第３導体部が直柱状の形状をしている場合に比べ
て、封止樹脂からの保持力を増大させることが可能とな
る。その結果、樹脂封止型半導体パッケージの信頼性の
向上につながる。
【０１９９】この発明によれば、他の局面では、下地金
属層を延在させている。それにより、ボンディングパッ
ドの面積を従来よりも小さくすることができる。その結
果、半導体チップに形成される素子の高集積化を促進す
ることが可能となる。さらに、第２導体部の位置を所望
の位置に形成することが可能となるため、半導体チップ
上の素子のレイアウトの自由度や外部機器との接続の際
の自由度も増す。
【０２００】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの製造方法によれば、絶縁基板上に半導体チップを
配置した状態で、半導体チップを樹脂によって封止して
いる。それにより、絶縁基板と第１導体部とを分離した
際に、第１導体部の上面を平坦にすることが可能とな
る。またこのとき、第１導体部上面と封止樹脂の上面と
をほぼ面一にすることも可能となる。それにより、第２
導体部の形成が容易となる。さらに、第１導体部および
接続層を封止樹脂形成の前に予め形成しているため、封
止樹脂を形成した後の樹脂封止型半導体パッケージの気
密性は優れている。以上のように、この発明に基づく樹
脂封止型半導体パッケージの製造方法によれば、実現性
に優れかつ信頼性の高い樹脂封止型半導体パッケージが
得られる。
【０２０１】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージの製造方法によれば、他の局面では、第１の成形用
金型に半導体チップの導体部の錐体部分を固定した状態
で封止樹脂を形成している。導体部は、通常多数設けら
れるので、半導体チップを安定した状態で第１の成型用
金型に固定することが可能となる。その結果、より安定
して精度よく樹脂封止型半導体パッケージを形成するこ
とが可能となる。この発明に基づく樹脂封止型半導体パ
ッケージによれば、さらに他の局面では、ボンディング
パッドの形成位置と外部接続用の電極の位置を半導体チ
ップの主表面方向にずらせることが可能となる。それに
より、外部接続用電極の位置を標準化することが可能と
なる。その結果、樹脂封止型半導体パッケージのプリン
ト基板への搭載が容易となる。また、ボンディングパッ
ドの位置の選択の自由度を増大させることが可能とな
る。それにより、半導体チップの主表面に形成される素
子のレイアウトの自由度を増大させることも可能とな
る。
【０２０２】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージによれば、さらに他の局面では、同一信号が与えら
れるボンディングパッド同士を配線層によって電気的に
接続している。それにより、外部接続用電極の数を低減
させることが可能となる。それにより、外部接続用電極
の形成位置の自由度を増大させることが可能となる。こ
の発明に基づく半導体装置によれば、樹脂封止型半導体
パッケージの主表面をプリント基板に立てた状態で、プ
リント基板上に樹脂封止型半導体パッケージを搭載して
いる。樹脂封止型半導体パッケージの主表面の面積は、
この主表面を規定する側面の面積よりも一般に大きい。
したがって、樹脂封止型半導体パッケージの搭載に際し
て、１つの樹脂封止型半導体パッケージのプリント基板
上に占める面積を低減させることが可能となる。その結
果、多数の樹脂封止型半導体パッケージをプリント基板
に搭載することが可能となる。
【０２０３】この発明に基づく樹脂封止型半導体パッケ
ージは、さらに他の局面では、裏面同士が互いに対向す
るように配置された半導体チップを有している。それに
より、樹脂封止型半導体パッケージにおいて、表裏の位
置関係にある２つの面に第２導体部を形成することが可
能となる。すなわち、２つの主表面を有する樹脂封止型
半導体パッケージが形成される。第２導体部を樹脂封止
型半導体パッケージの主表面の周縁部に沿って形成する
ことによって、樹脂封止型半導体パッケージの主表面を
プリント基板に立てた状態で、プリント基板に搭載する
ことが可能となる。それにより、より多くの樹脂封止型
半導体パッケージをプリント基板上に搭載することが可
能となる。この発明に基づくソケットによれば、弾性手
段によって受入電極と突起電極の接触状態が弾性的に保
持される。それにより、より安定した状態で確実に性能
評価を行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に基づく第１の実施例における樹脂封
止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
【図２】図１に示される樹脂封止型半導体パッケージの
側面図である。
【図３】図１に示される樹脂封止型半導体パッケージの
電極部分の部分拡大断面図である。
【図４】この発明に基づく第１の実施例における樹脂封
止型半導体パッケージの製造工程において、半導体チッ
プ上に素子が形成された状態を示す斜視図である。
【図５】この発明に基づく第１の実施例における半導体
パッケージの製造工程において接続層８が形成された状
態を示す斜視図である。
【図６】この発明に基づく第１の実施例における樹脂封
止型半導体パッケージの製造工程において、複数の半導
体チップが分離された状態を示す斜視図である。
【図７】この発明に基づく第１の実施例における樹脂封
止型半導体パッケージの製造工程において、第１導体部
と接続層とを重ね合せている様子を示す斜視図である。
【図８】この発明に基づく第１の実施例における樹脂封
止型半導体パッケージの製造工程において、第１導体部
と接続層とを溶着している状態を示す斜視図である。
【図９】絶縁基板と半導体チップとを重ね合せた状態で
金型内に配置しその金型内に樹脂を注入している様子を
示す断面図である。
【図１０】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程において、封止樹脂
が形成された状態を示す斜視図である。
【図１１】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程において、封止樹脂
を形成した後に絶縁基板と半導体チップとを分離した状
態を示す斜視図である。
【図１２】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程において、第１導体
部の上面上に第２導体部を形成している状態を示す斜視
図である。
【図１３】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第１工程を示す部
分断面図である。
【図１４】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第２工程を示す部
分断面図である。
【図１５】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第３工程を示す部
分断面図である。
【図１６】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第４工程を示す部
分断面図である。
【図１７】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第５工程を示す部
分断面図である。
【図１８】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第６工程を示す部
分断面図である。
【図１９】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第７工程を示す部
分断面図である。
【図２０】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第８工程を示す部
分断面図である。
【図２１】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第９工程を示す部
分断面図である。
【図２２】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第１０工程を示す
部分断面図である。
【図２３】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第１１工程を示す
部分断面図である。
【図２４】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造工程の第１２工程を示す
部分断面図である。
【図２５】この発明に基づく第２の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図２６】この発明に基づく第３の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図２７】図２６に示される第３の実施例の特徴的な製
造工程を示す斜視図である。
【図２８】この発明に基づく第４の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージの製造方法における特徴的な製
造工程を示す斜視図である。
【図２９】この発明に基づく第５の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
【図３０】この発明に基づく第６の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
【図３１】この発明に基づく第７の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
【図３２】この発明に基づく第８の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
【図３３】この発明に基づく第９の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図である。
【図３４】この発明に基づく第１０の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図であ
る。
【図３５】この発明に基づく第１の実施例における樹脂
封止型半導体パッケージをプリント基板に実装している
様子を模式的に示す断面図である。
【図３６】（ａ）は所定の半田ペースト上に第１の実施
例における樹脂封止型半導体パッケージの第２導体部を
配置した状態を示す部分拡大断面図である。（ｂ）は
（ａ）に示される状態の第２導体部および半田ペースト
を溶融させることによって接続した状態を示す部分拡大
断面図である。
【図３７】（ａ）はこの発明に基づく第１１の実施例に
おける樹脂封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視
図である。（ｂ）は（ａ）に示される樹脂封止型半導体
パッケージの断面図である。
【図３８】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造工程の第１工程を示す
断面図である。
【図３９】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造工程の第２工程を示す
断面図である。
【図４０】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造工程の第３工程を示す
断面図である。
【図４１】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造工程の第４工程を示す
断面図である。
【図４２】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造工程の第５工程を示す
断面図である。
【図４３】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造方法において使用され
る第１の成形用金型の第１の変形例を示す断面図であ
る。
【図４４】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造方法において使用され
る第１の成形用金型の第２の変形例を示す断面図であ
る。
【図４５】この発明に基づく第１１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの製造方法において使用され
る第１の成形用金型の第３の変形例を示す断面図であ
る。
【図４６】この発明に基づく第１２の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す断面図である。
【図４７】この発明に基づく第１３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第１工
程を示す断面図である。
【図４８】この発明に基づく第１３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第２工
程を示す断面図である。
【図４９】この発明に基づく第１３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第３工
程を示す断面図である。
【図５０】この発明に基づく第１３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第４工
程を示す断面図である。
【図５１】この発明に基づく第１３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第５工
程を示す断面図である。
【図５２】この発明に基づく第１４の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第１工
程を示す断面図である。
【図５３】この発明に基づく第１４の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第２工
程を示す断面図である。
【図５４】この発明に基づく第１４の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第３工
程を示す断面図である。
【図５５】この発明に基づく第１４の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第４工
程を示す断面図である。
【図５６】この発明に基づく第１５の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第１工
程を示す断面図である。
【図５７】この発明に基づく第１５の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第２工
程を示す断面図である。
【図５８】この発明に基づく第１５の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第３工
程を示す断面図である。
【図５９】この発明に基づく第１５の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第４工
程を示す断面図である。
【図６０】この発明に基づく第１６の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第１工
程を示す断面図である。
【図６１】この発明に基づく第１６の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第２工
程を示す断面図である。
【図６２】この発明に基づく第１６の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第３工
程を示す断面図である。
【図６３】この発明に基づく第１６の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第４工
程を示す断面図である。
【図６４】（ａ）は、この発明に基づく第１７の実施例
における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工
程の第１工程を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）に
おけるＢ領域を拡大した断面図である。
【図６５】（ａ）は、この発明に基づく第１７の実施例
における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工
程の第２工程を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）に
おけるＢ領域を拡大した断面図である。
【図６６】（ａ）は、この発明に基づく第１７の実施例
における樹脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工
程の第３工程を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）に
おけるＢ領域を拡大した断面図である。
【図６７】この発明に基づく第１７の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程の第４工
程を示す断面図である。
【図６８】この発明に基づく第１８の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程を模式的
に示す断面図である。
【図６９】この発明に基づく第１９の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの特徴的な製造工程を模式的
に示す断面図である。
【図７０】この発明に基づく第２０の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す断面図である。
【図７１】この発明に基づく第２０の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分拡大断面図であ
る。
【図７２】この発明に基づく第２１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す断面図である。
【図７３】この発明に基づく第２２の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す断面図である。
【図７４】この発明に基づく第２３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図７５】この発明に基づく第２４の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図７６】この発明に基づく第２５の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図７７】この発明に基づく第２６の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図７８】この発明に基づく第２７の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図７９】この発明に基づく第２８の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面図である。
【図８０】この発明に基づく第２９の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図であ
る。
【図８１】図８０に示される樹脂封止型半導体パッケー
ジの断面図である。
【図８２】この発明に基づく第２９の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの変形例を示す断面図であ
る。
【図８３】この発明に基づく第３０の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板へ搭載してい
る様子を示す部分断面斜視図である。
【図８４】この発明に基づく第３０の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板に搭載した状
態を示す斜視図である。
【図８５】この発明に基づく第３１の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージを示す部分断面斜視図であ
る。
【図８６】この発明に基づく第３２の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板に搭載してい
る様子を示す斜視図である。
【図８７】この発明に基づく第３３の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板に搭載した状
態を示す斜視図である。
【図８８】この発明に基づく第３４の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板に搭載した状
態を示す斜視図である。
【図８９】この発明に基づく第３５の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージをプリント基板に搭載した状
態を示す斜視図である。
【図９０】この発明に基づく第３６の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの性能評価用のソケットを示
す斜視図である。
【図９１】図９０に示されるソケット内に樹脂封止型半
導体パッケージを収納した状態を示す断面図である。
【図９２】この発明に基づく第３７の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの性能評価のためのソケット
を示す断面図である。
【図９３】この発明に基づく第３８の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの性能評価のためのソケット
を示す断面図である。
【図９４】この発明に基づく第３９の実施例における樹
脂封止型半導体パッケージの性能評価のためのソケット
の特徴部分を示す斜視図である。
【図９５】従来の樹脂封止型半導体パッケージの一例を
示す部分断面斜視図である。
【図９６】特開平３−１０４１４１号公報に開示された
樹脂封止型半導体パッケージを示す断面図である。
【図９７】特開平４−２０７０４６号公報に開示された
樹脂封止型半導体パッケージの部分断面図である。
【図９８】（ａ）〜（ｄ）は図９７に示される樹脂封止
型半導体パッケージの製造工程の第１工程〜第４工程を
示す斜視図である。
【図９９】特開平４−１３９８４８号公報に開示された
樹脂封止型半導体パッケージを示す断面図である。
【図１００】図９６に示された樹脂封止型半導体パッケ
ージの問題点を説明するための部分断面図である。
【図１０１】（ａ）は図９６に示される樹脂封止型半導
体パッケージの変形例をプリント基板に実装する際に、
プリント基板上の配線層上に上記の樹脂封止型半導体パ
ッケージの電極を配置した状態を示す部分断面図であ
る。（ｂ）は（ａ）に示される樹脂封止型半導体パッケ
ージの電極とプリント基板上の配線層とを接続部を介し
て接続した状態を示す部分断面図である。
【図１０２】（ａ）は図９７に示される樹脂封止型半導
体パッケージをプリント基板に実装するのに際して、上
記の樹脂封止型半導体パッケージの電極をプリント基板
上の配線層上に配置した状態を示す部分断面図である。
（ｂ）は（ａ）に示される樹脂封止型半導体パッケージ
の電極とプリント基板上の配線層とを接続部を介して接
続した状態を示す部分断面図である。
【図１０３】図９９に示される樹脂封止型半導体パッケ
ージをプリント基板に実装した際の問題点を示す部分断
面図である。
【図１０４】従来の樹脂封止型半導体パッケージの性能
評価のためのソケットを示す斜視図である。
【図１０５】突起状の外部接続用電極を有する樹脂封止
型半導体パッケージの性能評価にプローバを有する性能
評価装置を使用している様子を示す斜視図である。
【符号の説明】
１，２１，１０１，１１１，１２１，１３１ 封止樹脂 ３，２３，１０３，１１３，１２３，１３３ 半導体チ
ップ ４，２４，１０４，１１４，１２４，１３４ ボンディ
ングパッド ８ 接続層 ９ 第１導体部 １０ 第２導体部 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ 第２導体部
材料 １１，３１ 絶縁層 １２，３２ 下地金属層 １３ バッファコート膜 １４ 半導体ウェハ １５ 絶縁基板 １６，２６ レジスト ２７ 突起電極 ２８ａ，４０ 第１の成形用金型 ２８ｂ，４１ 第２の成型用金型 ２５ 電極層 ４１，４２，４４，４６ マスク ４１ａ，４２ａ，４４ａ，４６ａ 開口部 ４３ 基板 ５６ 液体状第２導体部材料 ５７ めっき液 ６０ 突起電極 ６１，６１ａ，６２，６３ 配線層 ６４ ワイヤ部 ６６ プリント基板 ７６ 受入電極 ７７ 凸部 ８４ 異方性導電部材 ８５ 入出力ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9168−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/92 Ｆ (72)発明者 松尾 光恭 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内 (72)発明者 松嶋 弘倫 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社エル・エス・アイ研究所内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主表面に素子が形成された半導体チップ
    と、 前記半導体チップの主表面に形成され、外部引出用電極
    として機能するボンディングパッドと、 前記ボンディングパッド上に形成され、略平坦な上面を
    有する第１導体部と、 前記第１導体部の上面のみを露出させるように前記半導
    体チップを封止する封止樹脂と、 前記第１導体部の上面上に形成され、前記第１の導体部
    と材質の異なる塊状の第２導体部と、を備えた樹脂封止
    型半導体パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記ボンディングパッドと前記第１導体
    部との間には、バリア層としての機能を有する下地金属
    層が形成される、請求項１に記載の樹脂封止型半導体パ
    ッケージ。
  3. 【請求項３】 前記下地金属層と前記第１導体部との間
    には、両者を電気的に接続する第３導体部が形成されて
    いる、請求項２に記載の樹脂封止型半導体パッケージ。
  4. 【請求項４】 主表面に素子が形成された半導体チップ
    と、 前記半導体チップの主表面に形成され、外部引出用電極
    として機能するボンディングパッドと、 前記ボンディングパッドに接続され、前記ボンディング
    パッド上から前記半導体チップの主表面方向にずれる位
    置にまで延在する、バリア層としての機能を有する下地
    金属層と、 前記下地金属層上における前記ボンディングパッドから
    ずれた位置に形成され、略平坦な上面を有する第１導体
    部と、 前記第１導体部の上面を露出させるように前記半導体チ
    ップを封止する封止樹脂と、 前記第１導体部の上面上に形成され、前記第１導体部と
    材質の異なる塊状の第２導体部と、を備えた樹脂封止型
    半導体パッケージ。
  5. 【請求項５】 絶縁基板上に第１導体部を形成する工程
    と、 半導体チップの主表面に形成されたボンディングパッド
    上に接続層を形成する工程と、 前記半導体チップを反転させることによって前記第１導
    体部上に前記接続層を配置する工程と、 前記第１導体部と前記接続層とを接合する工程と、 前記絶縁基板上に前記半導体チップを配置した状態で前
    記半導体チップを樹脂によって封止する工程と、 前記絶縁基板と前記第１導体部とを分離することによっ
    て前記第１導体部上面を露出させる工程と、 露出した前記第１導体部上面上に塊状の第２導体部を形
    成する工程と、を備えた樹脂封止型半導体パッケージの
    製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第２導体部形成工程は、 前記第１導体部上に開口部を有するマスクを前記樹脂上
    に配置する工程と、 前記マスクの開口部に第２導体部材料を置く工程と、 前記第２導体部材料を溶融させることによって塊状の第
    ２導体部を形成する工程と、を備えた、請求項５に記載
    の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第２導体部形成工程は、 基板上に第２導体部材料を載置する工程と、 前記基板を前記樹脂上に重ねることによって、前記第２
    導体部材料を前記第１導体部上面上に配置する工程と、 前記第１導体部と前記第２導体部材料とを接着する工程
    と、 前記基板と前記第２導体部材料とを分離する工程と、 前記第２導体部材料を溶融させることによって塊状の第
    ２導体部を形成する工程と、を備えた、請求項５に記載
    の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第２導体部は、液体状の第２導体部
    材料中に前記第１導体部上面を浸漬することによって形
    成される、請求項５に記載の樹脂封止型半導体パッケー
    ジの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第２導体部形成工程は、 イオン状の第２導体部材料を含むめっき液中に前記第１
    導体部上面を浸漬する工程と、 前記第１導体部上面に前記第２導体部材料を析出させる
    ことによって前記第２導体部を形成する工程と、を備え
    た、請求項５に記載の樹脂封止型半導体パッケージの製
    造方法。
  10. 【請求項１０】 素子が形成された半導体チップと、 前記半導体チップの主表面に形成され、外部引出用電極
    として機能するボンディングパッドと、 前記ボンディングパッド上に下地金属層を介在して形成
    され、第１の横断面積を有する柱体部分と、前記柱体部
    分上に前記第１の横断面積よりも大きい第２の横断面積
    を有する部分を底部とする錐体部分とを含む導体部と、 前記導体部の前記錐体部分の表面の一部を露出させるよ
    うに前記半導体チップを封止する封止樹脂と、を有する
    樹脂封止型半導体パッケージの製造方法であって、 前記ボンディングパッド上に前記下地金属層を形成する
    工程と、 前記導体部に対応した位置に前記錐体部分の最大径より
    も小さい孔径を有する貫通孔が設けられた第１の成形用
    金型と、前記第１の成形用金型と組合わされる第２の成
    形用金型とを準備する工程と、 前記第１の成形用金型の前記貫通孔と前記導体部の錐体
    部分表面とを位置合わせする工程と、 前記貫通孔を通して前記錐体部分を真空吸引することに
    よって前記錐体部分を前記貫通孔に固定する工程と、 前記半導体チップ上に前記第２の成形用金型を配置する
    工程と、 前記錐体部分を前記貫通孔に吸引した状態で前記第１お
    よび第２の成形用金型に取囲まれる空間内に樹脂を注入
    することによって前記封止樹脂を形成する工程と、 前記第１および第２の成形用金型を前記封止樹脂から分
    離する工程と、を備えた樹脂封止型半導体パッケージの
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 主表面に素子が形成された半導体チッ
    プと、 前記半導体チップの主表面上に形成され、外部引出用電
    極として機能するボンディングパッドと、 前記ボンディングパッド上に形成され、前記ボンディン
    グパッドと電気的に接続される導電層と、 前記導電層と電気的に接続され、前記ボンディングパッ
    ドが形成されていない前記半導体チップ上の領域で外部
    機器と電気的に接続される外部接続用電極と、 前記外部接続用電極の一部表面を露出させるように前記
    半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた樹脂封止
    型半導体パッケージ。
  12. 【請求項１２】 主表面に素子が形成された半導体チッ
    プと、 前記半導体チップの主表面上に形成され、外部引出用電
    極として機能する第１および第２のボンディングパッド
    と、 前記第１のボンディングパッド上から前記第２のボンデ
    ィングパッド上にまで延在し、前記第１および第２のボ
    ンディングパッドを電気的に接続する導電層と、 前記導電層と電気的に接続され、前記第１および第２の
    ボンディングパッドが形成されていない前記半導体チッ
    プ上の領域で外部機器と電気的に接続される外部接続用
    電極と、 前記外部接続用電極の一部表面を露出させるように前記
    半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた樹脂封止
    型半導体パッケージ。
  13. 【請求項１３】 一部表面が露出した複数個の突起電極
    を主表面に有する樹脂封止型半導体パッケージをプリン
    ト基板に電気的に接続した状態で前記プリント基板上に
    搭載した半導体装置において、 前記樹脂封止型半導体パッケージの主表面を前記プリン
    ト基板に対して立てた状態で、前記樹脂封止型半導体パ
    ッケージは前記プリント基板上に搭載され、 前記プリント基板は、前記樹脂封止型半導体パッケージ
    の突起電極に対応した位置に突起状の接続電極を有して
    おり、 前記樹脂封止型半導体パッケージの突起電極と前記プリ
    ント基板上の接続電極とが互いに溶融した状態で結合さ
    れたことを特徴とする半導体装置。
  14. 【請求項１４】 第１の面積を有する主表面と、 前記第１の面積より小さい第２の面積を有し、前記主表
    面の周縁部の一部を規定する第１の側面と、 前記主表面の周縁部近傍に前記第１の側面に沿って形成
    され、前記主表面とその上面の高さとが略同一である第
    １導体部と、前記第１導体部上に形成された第２導体部
    とを含む外部接続用の突起電極と、を有する樹脂封止型
    半導体パッケージの搭載方法であって、 前記樹脂封止型半導体パッケージが搭載される基板上に
    おいて、前記突起電極に対応する位置に突起状の接続電
    極を形成する工程と、 前記第１の側面を前記基板上の所定位置に配置し、前記
    突起電極と前記突起状の接続電極とを接合する工程と、
    を備えた樹脂封止型半導体パッケージの搭載方法。
  15. 【請求項１５】 各々が主表面および裏面を有し、各々
    の前記裏面同士が互いに対向するように配置された第１
    および第２の半導体チップと、 前記第１および第２の半導体チップの主表面上に形成さ
    れ、外部接続用突起電極の一部となる第１導体部と、 前記第１導体部の一部表面を露出させ、前記第１および
    第２の半導体チップを一体化するように封止する封止樹
    脂と、 前記第１導体部の一部表面上に形成され、前記外部接続
    用突起電極の一部となる第２導体部と、を備えた樹脂封
    止型半導体パッケージ。
  16. 【請求項１６】 一方面に、樹脂封止型半導体パッケー
    ジの主表面に突出する突起電極を所定方向に受入れる受
    入電極と、 他方面に、前記樹脂封止型半導体パッケージの性能評価
    を行なうための性能評価装置と電気的に接続される接続
    電極と、を有する、前記樹脂封止型半導体パッケージの
    性能評価を行なうためのソケットであって、 前記受入電極と前記突起電極との接触状態を、前記所定
    方向に弾性的に保持する弾性手段を備えるソケット。
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