JP2008108798A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子1の表面側で、その内部回路を構成するトランジスタ2の上部に電極パッド3を形成し、その電極パッド3以外の上部を薄膜厚保護膜4とさらに厚膜厚保護膜5で被い、電極パッド3の上部には厚膜厚導電性膜9を形成する。
【選択図】図1
Description
図4は従来の半導体装置およびその製造方法(例えば、特許文献1を参照)における電気特性の検査方法を説明する断面図であり、図4(a)は従来の半導体装置における電極パッド構造の一例を示す断面図であり、図4(b)は図4(a)で示した電極パッド構造を有する半導体装置に対する電気特性の検査方法を説明する断面図である。
図5は従来の半導体装置における問題点を説明するための断面図であり、図5(a)に示すように、現状では、半導体装置のチップサイズ縮小化に向けて、半導体素子1の内部回路を構成するトランジスタ2については、電極パッド3の下部領域にも形成するようになっている。
また、本発明の請求項3記載の半導体装置は、請求項1または請求項2記載の半導体装置であって、前記薄膜厚保護膜は、その膜厚として略0.5μm〜1.0μmの範囲で形成され、前記厚膜厚保護膜は、その膜厚として略5.0μm〜7.0μmの範囲で形成され、前記厚膜厚導電性膜は、その膜厚として略5.0μmの範囲で形成されたことを特徴とする。
その後、電極パッド3上に厚膜厚の厚膜厚導電性膜(後述する)の形成を行う。ここでは無電解Au/Niによる厚膜厚導電性膜の形成方法を示す。
通常、電極パッド3上のZnメッキ層6は次工程のNiメッキで置換メッキを行いNiメッキ層を形成する。このように置換メッキにより電極パッド3上にNiメッキ層を形成するには、まずNiメッキ層の膜厚に対してNiメッキの核となる部分を膜厚0.05〜0.10μm程度形成する必要がある。
2 トランジスタ
3 電極パッド
4 薄膜厚保護膜
5 厚膜厚保護膜
6 Znメッキ層
7 Niバンプ
8 Auメッキ層
9 厚膜厚導電性膜
10 電気特性測定針
11 針圧
12 非導電性樹脂膜
13 接合用バンプ
14 外部基板
15 組立時圧力
Claims (6)
- 半導体素子の表面側で、
その内部回路を構成するトランジスタの上部に電極パッドが形成され、
その電極パッド以外の上部が薄膜厚保護膜とさらに厚膜厚保護膜で被われ、
前記電極パッドの上部には厚膜厚導電性膜が形成された
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記厚膜厚導電性膜上に接合用バンプが形成された
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2記載の半導体装置であって、
前記薄膜厚保護膜は、その膜厚として略0.5μm〜1.0μmの範囲で形成され、
前記厚膜厚保護膜は、その膜厚として略5.0μm〜7.0μmの範囲で形成され、
前記厚膜厚導電性膜は、その膜厚として略5.0μmの範囲で形成された
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子の表面側で、
その内部回路を構成するトランジスタの上部に電極パッドを形成し、
その電極パッド以外の上部を薄膜厚保護膜とさらに厚膜厚保護膜で被い、
前記電極パッドの上部には厚膜厚導電性膜を形成し、
その後に電気特性の評価を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法であって、
前記電気特性の評価をした後に、
前記厚膜厚導電性膜上に接合用バンプを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4または請求項5記載の半導体装置の製造方法であって、
前記薄膜厚保護膜は、その膜厚として略0.5μm〜1.0μmの範囲で形成し、
前記厚膜厚保護膜は、その膜厚として略5.0μm〜7.0μmの範囲で形成し、
前記厚膜厚導電性膜は、その膜厚として略5.0μmの範囲で形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2019004186A (ja) * | 2018-10-02 | 2019-01-10 | 株式会社ニコン | 半導体装置及びその製造方法、撮像装置、並びに電子カメラ |
Citations (4)
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JPH01217935A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
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JP2003338522A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Fujitsu Ltd | バンプ電極付き電子部品およびその製造方法 |
JP2006108329A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
2006
- 2006-10-24 JP JP2006288161A patent/JP2008108798A/ja active Pending
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