JP3863213B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体チップをフリップチップ方式で実装する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６はフリップチップ方式で半導体チップを実装して構成される従来の半導体装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、ＬＳＩチップ１の裏面に各々がバンプ電極２及びランド電極３からなる複数の突起電極２０が設けられる。バンプ電極２は図６では図示しないがＬＳＩチップ１の電極と電気的に接続される。
【０００３】
そして、ＬＳＩチップ１、複数のバンプ電極２及びランド電極３は樹脂４により封止され、樹脂４の下層部界面にランド電極３が露出している。そして、複数のランド電極３それぞれと複数の接続端子５それぞれとが加熱溶融により直接接続される。このように、ＬＳＩチップ１の電極より得られる信号が接続端子５を介して得ることができる。なお、接続端子５は実装基板への接続用の端子である。また、図６の構造は例えば、特開平６−３０２６０４号公報に開示されている。
【０００４】
図６に示すように、フリップチップ方式でＬＳＩチップ１を実装して構成される半導体装置は実装密度が高いため、小型化、高機能化が安価で実現する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば、ワイヤボンディング実装等の従来方式で実装された半導体装置との置き換えを図る場合等の特定用途においては、実装基板側の接続端子が高密度実装されていない場合が多い。
【０００６】
このような場合、フリップチップ方式で高密度実装された半導体装置の接続端子と、低密度実装されている実装基板の接続端子との適応性が全くないため、利用できないという問題点があった。
【０００７】
加えて、ＬＳＩチップ１と実装基板との熱膨張係数の差から生ずる熱応力により、ＬＳＩチップ１と実装基板との間に形成される電気的接続手段（バンプ電極２、ランド電極３及び接続端子５）に悪影響を与え、その疲労寿命を縮めてしまうという大きな問題点があった。
【０００８】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、半導体チップと実装基板との間に形成される電気的接続手段の疲労寿命の向上を図った半導体装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１記載の半導体装置は、一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が第１の厚みを有する複数の突起電極部が設けられる半導体チップと、各々が第２の厚みを有する複数の接続端子とを備え、前記複数の接続端子はそれぞれ前記複数の突起電極部のうち対応する突起電極部に接続され、前記複数の突起電極部を含む前記半導体チップの他方主面上を覆って形成される樹脂と、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数の電極が形成された電極領域が設けられ、他方主面に各々が第３の厚みを有する複数の外部電極部が設けられる接続板とをさらに備え、前記電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の接続端子のうち対応する接続端子に直接接続され、前記接続板は前記半導体チップより大きな平面形状を有し、前記複数の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、前記複数の突起電極部はそれぞれの先端領域にランド電極を有し、該ランド電極は前記樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の突起電極部それぞれの前記ランド電極が前記複数の接続端子のうち対応する接続端子と直接接続され、前記複数の突起電極部、前記複数の接続端子及び前記複数の外部電極部それぞれの主要部の融点をＴ１，Ｔ２及びＴ３に設定したとき、Ｔ１＞Ｔ２≧Ｔ３を満足する。
【００１２】
また、請求項２記載の半導体装置のように、前記複数の接続端子及び前記電極領域を含む前記接続板の一方主面上に樹脂がさらに形成されてもよい。
【００１４】
また、請求項３記載の半導体装置のように、前記複数の突起電極部それぞれの主要部は融点Ｔ１を有する第１の材料で構成され、前記複数の外部電極部それぞれの主要部は融点Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を有する第２の材料で構成され、前記複数の接続端子はそれぞれ前記第１の材料からなる第１の領域と、前記第２の材料からなる第２の領域とからなり、前記複数の接続端子それぞれの前記第１の領域が前記複数の突起電極部うち対応する突起電極部と接続されてもよい。
【００１５】
この発明に係る請求項４記載の半導体装置は、一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が第１の厚みを有する複数の第１の突起電極部が設けられる第１の半導体チップと、各々が第２の厚みを有する複数の第１の接続端子とを備え、前記複数の第１の接続端子はそれぞれ前記複数の第１の突起電極部のうち対応する第１の突起電極部に接続され、一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が前記第１の厚みを有する複数の第２の突起電極部が設けられる第２の半導体チップと、各々が前記第２の厚みを有する複数の第２の接続端子とをさらに備え、前記複数の第２の接続端子は前記複数の第２の突起電極部のうち対応する第２の突起電極部に接続され、前記複数の第１の突起電極部を含む前記第１の半導体チップの他方主面上を覆って形成される第１の樹脂と、前記複数の第２の突起電極部を含む前記第２の半導体チップの他方主面上を覆って形成される第２の樹脂をさらに備え、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数の電極が形成された第１の電極領域が設けられ、他方主面に各々が第３の厚みを有する複数の第１の外部電極部が設けられる接続板とをさらに備え、前記第１の電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の第１の外部電極部のうち対応する第１の外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の第１の接続端子のうち対応する第１の接続端子に直接接続され、前記接続板は、一方主面に複数の電極が形成された第２の電極領域がさらに形成され、他方主面に各々が前記第３の厚みを有する複数の第２の外部電極部がさらに設けられ、前記第２の電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の第２の外部電極部のうち対応する第２の外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の第２の接続端子のうち対応する第２の接続端子に直接接続され、前記接続板は前記第１の半導体チップおよび前記第２半導体チップより大きな平面形状を有し、前記複数の第１の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の第１の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、かつ、前記複数の第２の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の第２の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、前記複数の第１の突起電極部はそれぞれの先端領域に第１のランド電極を有し、該第１のランド電極は前記第１の樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の第１の突起電極部それぞれの前記第１のランド電極が前記複数の第１の接続端子のうち対応する第１の接続端子と直接接続され、前記複数の第２の突起電極部はそれぞれの先端領域に第２のランド電極を有し、該第２のランド電極は前記第２の樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の第２の突起電極部それぞれの前記第２のランド電極が前記複数の第２の接続端子のうち対応する第２の接続端子と直接接続される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
＜＜実施の形態１＞＞
＜第１の態様＞
図１はこの発明の実施の形態１である半導体装置の第１の態様の構成を示す断面図である。同図に示すように、ＬＳＩチップ１の裏面に各々がバンプ電極２及びランド電極３からなる複数の突起電極部２０が設けられる。複数のランド電極３はそれぞれ薄膜で平坦性に優れており、複数のバンプ電極２はそれぞれランド電極３の膜厚に対して十分大きな第１の厚みを有した略球状を呈している。複数のバンプ電極２はそれぞれＬＳＩチップ１の複数の電極（図１では図示しない）のうち対応する電極と電気的に接続される。
【００１７】
そして、複数の突起電極部２０に対応して、後述する接続パターン６の膜厚に対して十分大きい第２の厚みを有する略球状の複数の接続端子５が設けられ、これらの接続端子５は複数のランド電極３のうち対応するランド電極３に加熱溶融により直接接続される。
【００１８】
複数の突起電極部２０（バンプ電極２及びランド電極３）を含むＬＳＩチップ１の周囲全体が樹脂４により封止され、樹脂４の下層部界面がランド電極３と接続端子５との接続面となる。
【００１９】
一方、配線板（接続板）７の表面に平坦性が優れた薄膜の複数の接続パターン６が形成され、裏面に各々が接続パターン８及び外部電極９からなる複数の外部電極部３０が設けられる。複数の接続パターン８はそれぞれ薄膜で平坦性が優れており、外部電極９は接続パターン８の膜厚に比べて十分大きな第３の厚みを有した略球状を呈している。複数の接続パターン６はそれぞれ複数の接続パターン８のうち対応する接続パターン８と、配線板７内に設けられるスルーホール等の配線手段（図１では図示しない）により、電気的に接続される。
【００２０】
そして、複数の接続パターン６が接続端子５のうち対応する接続端子５に加熱溶融により直接接続される。
【００２１】
配線板７はＬＳＩチップ１より大きな平面形状を有し、複数の外部電極部３０における電極部の形成間隔Ｌ１は、複数の突起電極部２０における電極部の形成間隔Ｌ２より十分広く設定され、複数の外部電極部３０（接続パターン８及び外部電極９）は突起電極部２０（バンプ電極２及びランド電極３）や接続端子５に比べて十分大きく形成される。
【００２２】
なお、バンプ電極２、ランド電極３、接続端子５、接続パターン６、接続パターン８及び外部電極９はそれぞれ金属材で形成され、具体的には、バンプ電極２，接続端子５及び外部電極９は半田等で形成され、ランド電極３、接続パターン６及び接続パターン８は銅等で形成される。また、配線板７としては、ガラス繊維エポキシ基板、ポリイミドテープ等が考えられる。
【００２３】
このような構成の半導体装置を実装基板上に配置して、複数の外部電極部３０それぞれの外部電極９と、実装基板上の複数の接続端子のうち対応する接続端子とを加熱溶融により接続することにより、実装基板上に半導体装置を実装することができる。
【００２４】
このような構成の実施の形態１の第１の態様の半導体装置は、実装基板とＬＳＩチップ１との電気的接続手段として、およそ第１，第２及び第３の厚みをそれぞれ有する突起電極部２０、接続端子５及び外部電極部３０を用いて構成している。
【００２５】
したがって、実施の形態１の第１の態様の半導体装置を実装基板上に実装したときに、ＬＳＩチップ１と実装基板との熱膨張係数の差から生ずる熱応力をそれぞれ突起電極部２０（バンプ電極２，ランド電極３）、接続端子５（接続パターン６）及び外部電極部３０（接続パターン８，外部電極９）に分散され、配線板７自体も上記熱応力に対する緩衝材として機能する。その結果、ＬＳＩチップ１と実装基板との間に形成される電気的接続手段の疲労寿命の向上を図ることができる（第１の効果）。
【００２６】
加えて、複数の外部電極部３０は、複数の突起電極部２０及び接続端子５との物理的位置に制約を受けることなく、配線板７の裏面上に任意に設けることができるため、複数の外部電極部３０の形成における設計自由度が向上し、所望の実装基板上に配置可能な半導体装置を得ることができる（第２の効果）。したがって、低密度実装されている従来構造の半導体装置用の実装基板の接続端子に対して適応可能に、複数の外部電極部３０を配線板７の裏面に配置することができる。
【００２７】
さらに、複数の突起電極部２０を含むＬＳＩチップ１の裏面上を覆って樹脂４が形成されるため、複数の突起電極部２０の熱疲労を抑制する分、装置の信頼性も向上する（第３の効果）。
【００２８】
また、実施の形態１の第１の態様の半導体装置の配線板７はＬＳＩチップ１より大きな平面形状を有し、複数の外部電極部３０における電極部の形成間隔は、複数の突起電極部２０における電極部の形成間隔より広く、複数の外部電極９それぞれを比較的大きく形成できる。
【００２９】
その結果、外部電極部３０の上記熱応力に対する強度を向上させることができるため、ＬＳＩチップ１と実装基板との間に形成される電気的接続手段の疲労寿命のさらなる向上を図った半導体装置を得ることができる（第４の効果）。
【００３０】
また、実施の形態１の第１の態様の半導体装置の複数の突起電極部２０はそれぞれの先端領域にランド電極３を有し、このランド電極３は樹脂４の界面に平坦性良く形成される。その結果、複数の突起電極部２０それぞれのランド電極３が複数の接続端子５とそれぞれ加熱溶融されて直接接続されるため、ランド電極３に直接接続して複数の接続端子５を高さ、形状等のバラツキなく形成することができる。
【００３１】
なお、実施の形態１の第１の態様では、バンプ電極２、接続端子５及び外部電極９の形状として略球状のものを示したが、これに限定されず、ピンのような枝状のもの等、所定の厚みを有する形状であればよい。また、配線板７としては、上記したガラス繊維エポキシ基板、ポリイミドテープに限らず、ガラス繊維強化プラスチック等、材質に大きな制限なく用いることができる。
【００３２】
＜第２の態様＞
図２は実施の形態１の半導体装置の第２の態様を示す断面図である。同図に示すように、配線板２７の裏面に各々が接続パターン２８及び外部電極２９からなる複数の外部電極部３１が設けられる。複数の接続パターン２８はそれぞれ薄膜で平坦性が優れており、外部電極２９は接続パターン２８の膜厚に比べて十分大きな第３の厚みを有した略球状を呈している。複数の接続パターン６と複数の接続パターン２８のうち対応する接続パターン２８とは配線板２７内に設けられる配線手段（図２では図示しない）により電気的に接続される。そして、複数の接続パターン６が複数の接続端子５のうち対応する接続端子５に加熱溶融により直接接続される。
【００３３】
配線板２７はＬＳＩチップ１と同程度の平面形状を有し、複数の外部電極部３１における電極部の形成間隔Ｌ３は、複数の突起電極部２０における電極部の形成間隔Ｌ２とほぼ同一距離に設定される。また、複数の外部電極部３１（接続パターン２８及び外部電極２９）は突起電極部２０（バンプ電極２及びランド電極３）や接続端子５と同程度の大きさで形成される。なお、他の構成は図１で示した第１の態様の半導体装置の構成と同様である。
【００３４】
このような構成の第２の態様の半導体装置は、第１の態様の半導体装置と同様、第１〜第３の効果を奏する。加えて、配線板２７をＬＳＩチップ１と同程度の平面形状にし、複数の外部電極部３１における電極部の形成間隔Ｌ３を、複数の突起電極部２０における電極部の形成間隔Ｌ２と同一距離に設定することにより、高密度性を維持することができる利点を奏する。
【００３５】
なお、実施の形態１の第２の態様では、バンプ電極２、接続端子５及び外部電極２９の形状として略球状のものを示したが、これに限定されず、枝状等、所定の厚みを有する形状であればよい。また、配線板２７としては、ガラス繊維エポキシ基板、ポリイミドテープに限らず、ガラス繊維強化プラスチック等、材質に大きな制限なく用いることができる。
【００３６】
＜＜実施の形態２＞＞
図３はこの発明の実施の形態２である半導体装置の構成を示す断面図である。同図に示すように、樹脂４に加え、複数の接続端子５及び複数の接続パターン６を含む配線板７の表面上に樹脂１０がさらに形成される。なお、他の構成は図１で示した実施の形態１の第１の態様の半導体装置と同様である。また、樹脂１０は図１で示した構造を得た後、再度樹脂封止処理を行って形成される。
【００３７】
このような構成の実施の形態２の半導体装置は、複数の接続端子５及び複数の接続パターン６を含む配線板７の表面上に樹脂１０がさらに形成されるため、複数の接続端子５の熱疲労を抑制する分、装置の信頼性がさらに向上する。
【００３８】
＜＜実施の形態３＞＞
＜第１の態様＞
この発明の実施の形態３の半導体装置における第１の態様の構造は、図１で示した実施の形態１の第１の態様の構造と同一である。
【００３９】
ただし、複数の突起電極部２０それぞれの主要部であるバンプ電極２の融点をＴ１、複数の接続端子５の融点をＴ２，複数の外部電極部３０それぞれの主要部である外部電極９の融点をＴ３としたとき、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３を満足する。
【００４０】
このような構成の実施の形態３の第１の態様の半導体装置は、バンプ電極２、接続端子５及び外部電極９の融点をＴ１，Ｔ２及びＴ３に設定したとき、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３を満足するため、実装基板上に複数の外部電極９を加熱溶融して実装する際に、加熱温度ＴＨをＴ２より低く抑えることにより、接続端子５及びバンプ電極２が誤って溶融される不具合は生じない。
【００４１】
なお、第１の態様の構造として、図１の構造を示したが、図２で示した実施の形態１の第２の態様の構造あるいは図３で示した実施の形態２の構造に対しても勿論適用可能である。
【００４２】
また、実施の形態３の第１の態様では、バンプ電極２、接続端子５及び外部電極９の融点をＴ１，Ｔ２及びＴ３に設定したとき、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３を満足するしたが、最低限、Ｔ１＞Ｔ２≧Ｔ３を満足すれば、実装基板上に複数の外部電極９を加熱溶融して実装する際に、加熱温度ＴＨをＴ１より低く抑えることにより、少なくともバンプ電極２が誤って溶融される不具合は生じない。
【００４３】
＜第２の態様＞
図４はこの発明の実施の形態３の半導体装置の第２の態様を模式的に示す説明図である。同図に示すように、複数の接続端子５はそれぞれ第１の領域５１及び第２の領域５２から構成され、第１の領域５１は突起電極部２０のランド電極３と直接接続され、第２の領域５２は接続パターン６と直接接続される。
【００４４】
第１の領域５１はバンプ電極２と同一の金属材料で形成され、第２の領域５２は外部電極９と同一の金属材料で形成される。このとき、複数の突起電極部２０それぞれの主要部であるバンプ電極２の形成金属材料の融点をＴ１、複数の外部電極部３０それぞれの主要部である外部電極９の形成金属材料の融点をＴ２としたとき、Ｔ１＞Ｔ２を満足する金属材料が選ばれる。
【００４５】
このような構成の実施の形態３の第２の態様の半導体装置は、バンプ電極２及び外部電極９の融点をそれぞれＴ１及びＴ２に設定したとき、Ｔ１＞Ｔ２を満足するため、実装基板上に複数の外部電極９を加熱溶融して実装する際に、バンプ電極２及び接続端子５の第１の領域５１が誤って溶融される不具合は生じない。
【００４６】
加えて、突起電極部２０の主要部（バンプ電極２）、接続端子５及び外部電極部３０の主要部（外部電極９）の形成に必要な金属材料を２種類の金属材料のみに抑えることができるため、半導体装置の組み立てに要するコストの低減化を図ることができる。
【００４７】
＜＜実施の形態４＞＞
図５はこの発明の実施の形態４である半導体装置の構成を示す断面図である。同図に示すように、配線板１７の表面に平坦性が優れた薄膜の複数の接続パターン６ａ，６ｂが形成され、裏面に各々が接続パターン１８ａ及び外部電極１９ａからなる複数の外部電極部４０ａ並びに各々が接続パターン１８ｂ及び外部電極１９ｂからなる複数の外部電極部４０ｂが設けられる。複数の接続パターン１８ａ，１８ｂはそれぞれ薄膜で平坦性が優れており、外部電極１９ａ，１９ｂは接続パターン１８ａ，１８ｂの膜厚に比べて十分大きな第３の厚みを有した略球状を呈している。複数の接続パターン６ａそれぞれと複数の接続パターン１８ａのうち対応する接続パターン１８ａとの電気的接続及び複数の接続パターン６ｂそれぞれと複数の接続パターン１８ｂのうち対応する接続パターン１８ｂとの電気的接続は配線板１７内に設けられる配線手段（図５では図示しない）により行われる。
【００４８】
そして、配線板１７の表面の複数の接続パターン６ａ上に半導体部１１ａが配置され、接続パターン６ｂ上に半導体部１１ｂが配置される。すなわち、複数の接続パターン６ａはそれぞれＬＳＩチップ１ａの複数の接続端子５ａのうち対応する接続端子５ａに直接接続され、複数の接続パターン６ｂはそれぞれＬＳＩチップ１ｂの複数の接続端子５ｂのうち対応する接続端子５ｂに直接接続される。
【００４９】
半導体部１１ａはＬＳＩチップ１ａ、突起電極部２０ａ（バンプ電極２ａ、ランド電極３ａ）、樹脂４ａ、接続端子５ａ及び樹脂１０ａで構成され、その構造は図３で示した実施の形態２の構造（ＬＳＩチップ１、突起電極部２０（バンプ電極２、ランド電極３）、樹脂４、接続端子５及び樹脂１０）と同様である。
【００５０】
一方、半導体部１１ｂはＬＳＩチップ１ｂ、突起電極部２０ｂ（バンプ電極２ｂ、ランド電極３ｂ）、樹脂４ｂ、接続端子５ｂ及び樹脂１０ｂで構成され、その構造は図３で示した実施の形態２の構造（ＬＳＩチップ１、突起電極部２０（バンプ電極２、ランド電極３）、樹脂４、接続端子５及び樹脂１０）と同様である。
【００５１】
このような構成の実施の形態４の半導体装置は、２つのＬＳＩチップ１ａ及び１ｂが１つの配線板１７上に配置されて構成される１つの半導体装置を得ることができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明における請求項１記載の半導体装置は、実装基板と半導体チップとの電気的接続手段として、第１，第２及び第３の厚みをそれぞれ有する突起電極部、接続端子及び外部電極部を用いて構成している。
【００５３】
したがって、この半導体装置を実装基板上に実装したときに、半導体チップと実装基板との熱膨張係数の差から生ずる熱応力がそれぞれ突起電極部、接続端子及び外部電極部に分散され、接続板自体も上記熱応力に対する緩衝材として機能する。その結果、半導体チップと実装基板との間に形成される電気的接続手段の疲労寿命の向上を図った半導体装置を得ることができる。
【００５４】
加えて、複数の外部電極部は、複数の突起電極部及び接続端子との物理的位置に制約を受けることなく、接続板の他方主面上に設けることができるため、複数の外部電極部の形成における設計自由度が向上し、所望の実装基板上に配置可能な半導体装置を得ることができる。
【００５５】
さらに、複数の突起電極部を含む半導体チップの他方主面上を覆って樹脂が形成されるため、複数の突起電極部の熱疲労を抑制する分、装置の信頼性も向上する。
【００５６】
加えて、請求項１記載の半導体装置の接続板は半導体チップより大きな平面形状を有し、複数の外部電極部における電極部の形成間隔は、複数の突起電極部における電極部の形成間隔より広いため、複数の外部電極それぞれを比較的大きく形成できる。
【００５７】
その結果、外部電極部の上記熱応力に対する強度を向上させることができるため、半導体チップと実装基板との間に形成される電気的接続手段の疲労寿命のさらなる向上を図った半導体装置を得ることができる。
【００５８】
さらに、請求項１記載の半導体装置の複数の突起電極部はそれぞれの先端領域にランド電極を有し、該ランド電極は樹脂の界面に平坦性良く形成され、複数の突起電極部それぞれのランド電極が複数の接続端子とそれぞれ直接接続されるため、複数の接続端子を導電パターン上に高さ、形状等のバラツキなく形成することができる。
加えて、請求項１記載の半導体装置において、複数の突起電極部、複数の接続端子及び複数の外部電極部それぞれの主要部の融点をＴ１，Ｔ２及びＴ３に設定したとき、Ｔ１＞Ｔ２≧Ｔ３を満足するため、実装基板上に複数の外部電極部を加熱溶融して実装する際に、加熱温度をＴ１より低く抑えることにより、少なくとも突起電極部が誤って溶融される不具合は生じない。
【００５９】
また、請求項２記載の半導体装置の樹脂は、複数の接続端子及び電極領域を含む接続板の一方主面上にさらに形成されるため、複数の接続端子の熱疲労を抑制する分、装置の信頼性がさらに向上する。
【００６１】
また、請求項３記載の半導体装置においては、前記複数の突起電極部それぞれの主要部は融点Ｔ１を有する第１の材料で構成され、前記複数の外部電極部それぞれの主要部は融点Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を有する第２の材料で構成され、前記複数の接続端子はそれぞれ前記第１の材料からなる第１の領域と、前記第２の材料からなる第２の領域とからなり、前記複数の接続端子それぞれの前記第１の領域が前記複数の突起電極部うち対応する突起電極部と接続されるため、実装基板に複数の外部電極部を加熱溶融して実装する際に、加熱温度をＴ１より低く抑えることにより、接続端子の第１の領域及び突起電極部が誤って溶融される不具合は生じない。
【００６２】
加えて、突起電極部の主要部、接続端子及び外部電極部の主要部の形成に必要な材料を２種類の材料（第１及び第２の材料）のみに抑えることができるため、半導体装置の組み立てに要するコストの低減化を図ることができる。
【００６３】
また、請求項４記載の半導体装置においては、一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が第１の厚みを有する複数の第１の突起電極部が設けられる第１の半導体チップと、各々が第２の厚みを有する複数の第１の接続端子とを備え、前記複数の第１の接続端子はそれぞれ前記複数の第１の突起電極部のうち対応する第１の突起電極部に接続され、一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が前記第１の厚みを有する複数の第２の突起電極部が設けられる第２の半導体チップと、各々が前記第２の厚みを有する複数の第２の接続端子とをさらに備え、前記複数の第２の接続端子は前記複数の第２の突起電極部のうち対応する第２の突起電極部に接続され、前記複数の第１の突起電極部を含む前記第１の半導体チップの他方主面上を覆って形成される第１の樹脂と、前記複数の第２の突起電極部を含む前記第２の半導体チップの他方主面上を覆って形成される第２の樹脂をさらに備え、一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数の電極が形成された第１の電極領域が設けられ、他方主面に各々が第３の厚みを有する複数の第１の外部電極部が設けられる接続板とをさらに備え、前記第１の電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の第１の外部電極部のうち対応する第１の外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の第１の接続端子のうち対応する第１の接続端子に直接接続され、前記接続板は、一方主面に複数の電極が形成された第２の電極領域がさらに形成され、他方主面に各々が前記第３の厚みを有する複数の第２の外部電極部がさらに設けられ、前記第２の電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の第２の外部電極部のうち対応する第２の外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の第２の接続端子のうち対応する第２の接続端子に直接接続され、前記接続板は前記第１の半導体チップおよび前記第２半導体チップより大きな平面形状を有し、前記複数の第１の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の第１の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、かつ、前記複数の第２の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の第２の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、前記複数の第１の突起電極部はそれぞれの先端領域に第１のランド電極を有し、該第１のランド電極は前記第１の樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の第１の突起電極部それぞれの前記第１のランド電極が前記複数の第１の接続端子のうち対応する第１の接続端子と直接接続され、前記複数の第２の突起電極部はそれぞれの先端領域に第２のランド電極を有し、該第２のランド電極は前記第２の樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の第２の突起電極部それぞれの前記第２のランド電極が前記複数の第２の接続端子のうち対応する第２の接続端子と直接接続される。
【００６４】
その結果、２つの半導体チップが１つの接続板上に配置されて構成される１つの半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１の半導体装置における第１の態様の構成を示す断面図である。
【図２】 実施の形態１の第２の態様の構成を示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２である半導体装置の構成を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３である半導体装置における第２の態様の構成を模式的に示す説明図である。
【図５】 この発明の実施の形態４である半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】 従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ＬＳＩチップ、２ バンプ電極、３ ランド電極、４，１０ 樹脂、５ 接続端子、６，８ 接続パターン、７ 配線板、９ 外部電極。

Claims (4)

  1. 一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が第１の厚みを有する複数の突起電極部が設けられる半導体チップと、
    各々が第２の厚みを有する複数の接続端子とを備え、前記複数の接続端子はそれぞれ前記複数の突起電極部のうち対応する突起電極部に接続され、
    前記複数の突起電極部を含む前記半導体チップの他方主面上を覆って形成される樹脂と、
    一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数の電極が形成された電極領域が設けられ、他方主面に各々が第３の厚みを有する複数の外部電極部が設けられる接続板とをさらに備え、前記電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の接続端子のうち対応する接続端子に直接接続され、
    前記接続板は前記半導体チップより大きな平面形状を有し、前記複数の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、
    前記複数の突起電極部はそれぞれの先端領域にランド電極を有し、該ランド電極は前記樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の突起電極部それぞれの前記ランド電極が前記複数の接続端子のうち対応する接続端子と直接接続され、
    前記複数の突起電極部、前記複数の接続端子及び前記複数の外部電極部それぞれの主要部の融点をＴ１，Ｔ２及びＴ３に設定したとき、Ｔ１＞Ｔ２≧Ｔ３を満足する、
    半導体装置。
  2. 前記複数の接続端子及び前記電極領域を含む前記接続板の一方主面上に樹脂がさらに形成される、
    請求項１記載の半導体装置。
  3. 一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が第１の厚みを有する複数の突起電極部が設けられる半導体チップと、
    各々が第２の厚みを有する複数の接続端子とを備え、前記複数の接続端子はそれぞれ前記複数の突起電極部のうち対応する突起電極部に接続され、
    前記複数の突起電極部を含む前記半導体チップの他方主面上を覆って形成される樹脂と、
    一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数の電極が形成された電極領域が設けられ、他方主面に各々が第３の厚みを有する複数の外部電極部が設けられる接続板とをさらに備え、前記電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の外部電極部のうち対応する外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の接続端子のうち対応する接続端子に直接接続され、
    前記接続板は前記半導体チップより大きな平面形状を有し、前記複数の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、
    前記複数の突起電極部はそれぞれの先端領域にランド電極を有し、該ランド電極は前記樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の突起電極部それぞれの前記ランド電極が前記複数の接続端子のうち対応する接続端子と直接接続され、
    前記複数の突起電極部それぞれの主要部は融点Ｔ１を有する第１の材料で構成され、前記複数の外部電極部それぞれの主要部は融点Ｔ２（Ｔ２＜Ｔ１）を有する第２の材料で構成され、
    前記複数の接続端子はそれぞれ前記第１の材料からなる第１の領域と、前記第２の材料からなる第２の領域とからなり、前記複数の接続端子それぞれの前記第１の領域が前記複数の突起電極部うち対応する突起電極部と接続される、
    半導体装置。
  4. 一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が第１の厚みを有する複数の第１の突起電極部が設けられる第１の半導体チップと、
    各々が第２の厚みを有する複数の第１の接続端子とを備え、前記複数の第１の接続端子はそれぞれ前記複数の第１の突起電極部のうち対応する第１の突起電極部に接続され、
    一方主面及び他方主面を有し、他方主面に各々が前記第１の厚みを有する複数の第２の突起電極部が設けられる第２の半導体チップと、
    各々が前記第２の厚みを有する複数の第２の接続端子とをさらに備え、前記複数の第２の接続端子は前記複数の第２の突起電極部のうち対応する第２の突起電極部に接続され、
    前記複数の第１の突起電極部を含む前記第１の半導体チップの他方主面上を覆って形成される第１の樹脂と、前記複数の第２の突起電極部を含む前記第２の半導体チップの他方主面上を覆って形成される第２の樹脂をさらに備え、
    一方主面及び他方主面を有し、一方主面に複数の電極が形成された第１の電極領域が設けられ、他方主面に各々が第３の厚みを有する複数の第１の外部電極部が設けられる接続板とをさらに備え、前記第１の電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の第１の外部電極部のうち対応する第１の外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の第１の接続端子のうち対応する第１の接続端子に直接接続され、
    前記接続板は、一方主面に複数の電極が形成された第２の電極領域がさらに形成され、他方主面に各々が前記第３の厚みを有する複数の第２の外部電極部がさらに設けられ、
    前記第２の電極領域の複数の電極はそれぞれ前記複数の第２の外部電極部のうち対応する第２の外部電極部に電気的に接続され、かつそれぞれ前記複数の第２の接続端子のうち対応する第２の接続端子に直接接続され、
    前記接続板は前記第１の半導体チップおよび前記第２半導体チップより大きな平面形状を有し、前記複数の第１の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の第１の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、かつ、前記複数の第２の外部電極部における電極部の形成間隔は、前記複数の第２の突起電極部における電極部の形成間隔より広く、
    前記複数の第１の突起電極部はそれぞれの先端領域に第１のランド電極を有し、該第１のランド電極は前記第１の樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の第１の突起電極部それぞれの前記第１のランド電極が前記複数の第１の接続端子のうち対応する第１の接続端子と直接接続され、
    前記複数の第２の突起電極部はそれぞれの先端領域に第２のランド電極を有し、該第２のランド電極は前記第２の樹脂の界面に平坦性良く形成され、前記複数の第２の突起電極部それぞれの前記第２のランド電極が前記複数の第２の接続端子のうち対応する第２の接続端子と直接接続される、
    半導体装置。
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