JP2007149851A - 配線基板、電子部品実装構造、および電子部品実装方法 - Google Patents

配線基板、電子部品実装構造、および電子部品実装方法 Download PDF

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Abstract

【課題】フリップチップ実装において、突起電極の設置間隔が狭くなっても、半導体チップの位置決め精度を向上させることにより突起電極間で短絡を生じさせないようにする。
【解決手段】設置間隔が相対的に短い突起電極14aと設置間隔が相対的に長い突起電極14bが形成された半導体チップ10を各突起電極14に対応する電極パッド22および電極パッド22上のはんだ24を有する配線基板20に載置する工程と、設置間隔が長い方の電極パッド22b上のはんだ24bのみが溶融する温度に半導体チップ10および配線基板20を加熱する工程と、溶融したはんだにより半導体チップをセルフアライメントする工程と、突起電極14および設置間隔が長い方の電極パッド22a上のはんだ24aが溶融する温度に半導体チップ10および配線基板20をさらに加熱する工程とを備える。
【選択図】図5

Description

本発明は、電子部品を実装するための配線基板、電子部品実装構造および電子部品実装方法に関する。より具体的には、本発明は、電子部品実装構造および電子部品実装方法における電子部品の位置決め精度の向上に関する。
近年、コンピュータ、携帯電話、PDA(Personal Digital Assistance)などの電子機器の小型化、高機能化・高速化に伴い、こうした電子機器向けのIC(集積回路)、LSI(大規模集積回路)などの半導体チップを搭載した半導体装置のさらなる小型化、高速化および高密度が要求されている。半導体装置の小型化、高密度にともなって、半導体チップに突起電極を形成し、突起電極が設けられた面をフェイスダウンにした状態で配線基板に表面実装するフリップチップ実装方法が用いられるようになってきている(特許文献1参照)。
特開平09−246319号公報
従来のフリップチップ実装構造またはフリップチップ実装方法では、バンプの設置間隔が短くなるにつれて、半導体チップを配線基板に載置したときのわずかな位置ずれにより、隣接するバンプ間ではんだが接触したり、ブリッジが発生する可能性があった。このため、半導体装置の小型化が困難になったり、半導体装置製造の歩留まりが低下するなどの問題が生じていた。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、バンプの設置間隔が狭くなっても、半導体チップの位置決め精度を向上させることによりバンプ間で短絡を生じさせないようにする配線基板、電子部品実装構造または電子部品実装方法の提供にある。
本発明のある態様は、配線基板である。この配線基板は、設置間隔が異なる複数の突起電極が形成された電子部品を実装するための配線基板であって、突起電極に対応して設けられた電極パッドと、電極パッドの上に設けられたはんだと、を備え、設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだの融点が設置間隔が短い方の電極パッド上のはんだの融点より低いことを特徴とする。
この態様によれば、多ピンの電子部品を実装する際に、設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだのみを溶融させることにより、突起電極間にブリッジ等を生じさせることなく、配線基板に載置される電子部品のアライメント精度を向上させることができる。
上記態様において、設置間隔が長い方の電極パッドの一部あるいは全部が電子部品との電気的な接続に用いられず、電子部品の固定にのみ使用されてもよい。電子部品との電気的な接続に用いられず、電子部品の固定にのみ使用される電極パッドとは、いわゆるダミーのパッドである。この態様によれば、電子部品と配線基板との電気的な接続の位置または配置に制約されることなく、配線基板上の所望の位置にダミーのパッドを形成することができるので、配線基板および電子部品の設計自由度を向上させることができる。
本発明の他の態様は、電子部品実装構造である。この電子部品実装構造は、配線基板に電子部品が実装された構造であって、電子部品に設けられた設置間隔が異なる複数の突起電極と、各突起電極に対応して配線基板に設けられた電極パッド上のはんだとが接合し、設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだの融点が設置間隔が短い方の電極パッド上のはんだの融点および突起電極の融点より低いことを特徴とする。
この態様によれば、突起電極間にブリッジ等を生じさせることなく、電子部品が配線基板に精度良く搭載された電子部品実装構造が得られる。電子部品のセルフアライメントによって、狭ピッチ化された突起電極間でブリッジ等が生じることが抑制されるため半導体装置の小型化、高密度に寄与することができる。
上記態様において、設置間隔が長い方の電極パッドの一部あるいは全部が電子部品との電気的な接続に用いられず、電子部品の固定にのみ使用されていてもよい。この態様によれば、電子部品と配線基板とを電気的に接続するために定められる位置または配置に制約されることなく、配線基板上の所望の位置にダミーのパッドを形成することができるので、電子部品実装構造の設計自由度を向上させることができる。
本発明のさらに他の態様は、電子部品実装方法である。この電子部品実装方法は、設置間隔が異なる複数の突起電極が形成された電子部品を各突起電極に対応する電極パッドおよび電極パッド上のはんだを有する配線基板に載置する工程と、設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだのみが溶融する温度に電子部品および配線基板を加熱する工程と、溶融したはんだにより電子部品をセルフアライメントする工程と、突起電極および設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだが溶融する温度に電子部品および配線基板をさらに加熱する工程とを備えることを特徴とする。
この態様によれば、突起電極間にブリッジ等を生じさせることなく、電子部品が配線基板に精度良く搭載された電子部品実装構造を有する半導体装置を製造することができる。設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだのみを溶融させることで生じる電子部品のセルフアライメントによって、狭ピッチ化された突起電極間でブリッジ等が生じることが抑制されるため半導体装置の小型化、高密度に寄与することができる。
上記態様において、設置間隔が長い方の電極パッドの一部あるいは全部が電子部品との電気的な接続に用いられず、電子部品の固定にのみ使用される配線基板が用いられてもよい。この態様によれば、電子部品と配線基板との電気的な接続の位置または配置に制約されることなく、配線基板上の所望の位置にダミーのパッドを形成することができるので、電子部品実装構造の設計自由度を向上させることができる。
上述した各態様において、電子部品として、電極形成面を配線基板側に向けてフリップチップ実装する型の集積回路(IC)、大規模集積回路(LSI)などの半導体チップを適用することにより、突起電極間にブリッジ等を生じさせることなく、半導体チップ実装時のアライメント精度を向上させることができる。
なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。
本発明によれば、電子部品を実装する際の位置決め精度を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、実施形態に係る半導体チップ10の電極端子形成面を示す平面図である。図2は、図1に示した半導体チップ10のA−A’線上の断面図である。半導体チップ10には、電気信号を入出力するための電極端子12が形成されている。各電極端子12の上には、バンプと呼ばれる球状の突起電極14が形成されている。本実施形態の半導体チップ10の電極端子12は、設置間隔が異なる電極端子12aおよび電極端子12bを含む。これに対応して、突起電極14は、設置間隔が異なる突起電極14aおよび突起電極14bを含む。電極端子12a、突起電極14aは、それぞれ、電極端子12b、突起電極14bに比べて設置間隔またはピッチが短い。本実施形態では、突起電極14aの設置間隔は150μmであり、突起電極14bの設置間隔は、300μmである。突起電極14の材料は、特に限定されないが、本実施形態ではSn0.75Cuが例示される。
図3は、半導体チップ10の実装に使用される配線基板20の実装面を示す平面図である。図4は、図3に示した配線基板20のB−B’線上の断面図である。配線基板20は、半導体チップ10に設けられた突起電極14に対応して、電極パッド22および電極パッド22上に配設されたはんだ24を有する。すなわち、電極パッド22は、設置間隔またはピッチが相対的に短い電極パッド22aと、設置間隔またはピッチが相対的に長い電極パッド22bを含む。これに対応して、はんだ24は、設置間隔またはピッチが相対的に短いはんだ24aと、設置間隔またはピッチが相対的に長いはんだ24bを含む。はんだ24aとはんだ24bとでは、構成する材料の融点が異なっている。設置間隔が相対的に長い突起電極14bに対応するはんだ24bには、設置間隔が相対的に短い突起電極14aに対応するはんだ24aの融点および突起電極14の融点より低い材料が用いられている。たとえば、上述のように、融点が229℃程度のSn0.75Cuが突起電極14に用いられている場合には、はんだ24aに突起電極14と同様にSn0.75Cuを用い、はんだ24bに融点が223℃のSn3.5Agを用いることが好適である。なお、電極パッド22上にはんだ24を設ける手段として、たとえば、はんだ24aおよびはんだ24bを2回に分けて配線基板20上にプリント印刷することが挙げられる。
図5は、半導体チップ10を配線基板20にフリップチップ実装する方法を示す工程図である。
まず、図5(a)に示すように、配線基板20の上に半導体チップ10を載置する。本来、配線基板20を載置する場合には、突起電極14の位置が、突起電極14に対応するはんだ24の位置に一致していることが好ましいが、本工程図では、突起電極14の位置が対応するはんだ24の位置とずれた状態が示されている。このような突起電極14の位置ずれは、半導体チップ10を配線基板20の上に載置したときの位置精度が不十分である場合に生じる他、半導体チップ10を配線基板20の上に適切に載置した後に、搬送等によって生じるわずかな振動などによっても容易に生じうる。
次に、図5(b)に示すように、リフロー炉などの加熱装置により半導体チップ10および配線基板20を1〜2℃/秒の速度で昇温する。より好ましくは、はんだ24bの融点以上で、かつはんだ24aおよび突起電極14の融点未満の温度範囲では、昇温速度をたとえば0.5℃/秒に落とす。これにより、はんだ24bのみが溶融した状態を確実に維持することができる。さらには、はんだ24bの融点以上で、かつはんだ24aおよび突起電極14の融点未満の温度範囲で、温度を一時的に一定に保ってもよい。
はんだ24bの融点以上で、かつはんだ24aおよび突起電極14の融点未満の温度範囲では、はんだ24bのみが溶融し、はんだ24aおよび突起電極14は固化したままである。このため、図5(c)に示すように、溶融したはんだ24bが電極パッド22bおよび突起電極14bに濡れた状態で、溶融したはんだ24bの表面張力が働くことにより、半導体チップ10が安定な位置に移動する。すなわち、はんだ24bの中心と、はんだ24bに対向して設けられた突起電極14bの中心とがほぼ一致した状態になる。これにより、半導体チップ10を配線基板20の上に載置したときにずれが生じている場合であっても、半導体チップ10の位置が自動的に補正される。このように、配線基板20上の半導体チップ10の位置が自動的に補正されることをセルフアライメントという。突起電極14bとはんだ24bとは、設置間隔が比較的長いため、セルフアライメント時に隣接する突起電極14b間、あるいは隣接するはんだ24bではんだが接触あるいはブリッジが発生することが抑制される。
次に、半導体チップ10および配線基板20をはんだ24aおよび突起電極14の融点以上の温度に加熱する。これにより、図5(d)に示すように、はんだ24a、はんだ24b、突起電極14a、および突起電極14bが溶融し、はんだ24aと突起電極14a、およびはんだ24bと突起電極14bとが接合する。このとき、設置間隔が比較的短い突起電極14aと突起電極14aに対向して設けられたはんだ24aとは、セルフアライメントにより位置ずれが既に補正されている。このため、隣接する突起電極14a間、あるいは隣接するはんだ24aではんだが接触あるいはブリッジが発生することが抑制される。
以上の工程により、突起電極14間にブリッジ等を生じさせることなく、半導体チップ10が配線基板20に精度良く搭載されたフリップチップ実装構造が得られる。半導体チップ10のセルフアライメントによって、狭ピッチ化された突起電極14a間でブリッジ等が生じることが抑制されるため半導体装置の小型化、高密度に寄与することができる。
なお、図5(c)に示したセルフアライメントの効果を確実に得るためには、図5(a)における半導体チップ10と配線基板20とのずれ量が所定の条件を満たしていることが必要である。具体的には、突起電極14bが、対応するはんだ24bと少なくとも接触している程度に、ずれ量が収まっている必要がある。
また、はんだ24aの表面は平滑であることが望ましい。これにより、球状の突起電極14aとはんだ24aとの摩擦が小さくなるので、セルフアライメント時に半導体チップ10がスムースに移動することができ、セルフアライメントによる位置ずれ補正をより確実に行うことができる。これに関連し、突起電極14aが球状であることは、突起電極14aとはんだ24aとの接触面積が小さくなるという点で、セルフアライメント時における半導体チップ10のスムースな移動に寄与している。
なお、上述の実施の形態では、突起電極14は半導体チップ10と配線基板20と間の電気的な接続のために使用されているが、これに限られない。たとえば、設置間隔が相対的に長い突起電極14bの一部または全部をダミーのバンプとし、これに対応する電極パッド22bをダミーの電極パッドとしてもよい。ダミーの突起電極14bおよび電極パッド22bは、半導体チップ10と配線基板20と間の電気的な接続のためには使用されず、半導体チップ10の固定のために使用される。これによれば、半導体チップ10と配線基板20とを電気的に接続するために定められる位置または配置に制約されることなく、配線基板10上の所望の位置にダミーの突起電極14bおよび電極パッド22bを形成することができるので、配線基板および電子部品の設計自由度を向上させることができる。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
たとえば、上述の実施形態では、突起電極14が半導体チップ10の四辺に沿って一列に配置されているが、突起電極14の配置はこれに限られない。図6のように、半導体チップ10の周辺部に突起電極14aをアレイ状に配置するとともに、半導体チップ10の中央部に突起電極14aより設置間隔が長い突起電極14bをアレイ状に配置してもよい。この場合には、アレイ状の突起電極14aおよび突起電極14bに対応する電極パッドおよびはんだを配線基板(図示せず)に設け、突起電極14bに対応するはんだの融点を突起電極14aに対応するはんだの融点より低くする。これによれば、隣接する突起電極14aの数が増えて、通常であれば、ブリッジの可能性が高まる接続構造であっても、セルフアライメントによるアライメント精度向上により、より確実に半導体チップ10を配線基板に実装することができる。
実施形態に係る半導体チップの電極端子形成面を示す平面図である。 図1に示した半導体チップのA−A’線上の断面図である。 半導体チップの実装に使用される配線基板の実装面を示す平面図である。 図3に示した配線基板のB−B’線上の断面図である。 半導体チップを配線基板にフリップチップ実装する方法を示す工程図である。 変形例に係る半導体チップの電極端子形成面を示す平面図である。
符号の説明
10 半導体チップ、12 電極端子、 14 突起電極、20 配線基板、22 電極パッド、24 はんだ。

Claims (9)

  1. 設置間隔が異なる複数の突起電極が形成された電子部品を実装するための配線基板であって、
    前記突起電極に対応して設けられた電極パッドと、
    前記電極パッドの上に設けられたはんだと、
    を備え、
    設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだの融点が設置間隔が短い方の電極パッド上のはんだの融点より低いことを特徴とする配線基板。
  2. 設置間隔が長い方の電極パッドの一部あるいは全部が前記電子部品との電気的な接続に用いられず、前記電子部品の固定にのみ使用されることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
  3. フリップチップ実装型の半導体チップの実装に用いられることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。
  4. 配線基板に電子部品が実装された構造であって、
    前記電子部品に設けられた設置間隔が異なる複数の突起電極と、各突起電極に対応して前記配線基板に設けられた電極パッド上のはんだとが接合し、
    設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだの融点が設置間隔が短い方の電極パッド上のはんだの融点および前記突起電極の融点より低いことを特徴とする電子部品実装装構造。
  5. 設置間隔が長い方の電極パッドの一部あるいは全部が前記電子部品との電気的な接続に用いられず、前記電子部品の固定にのみ使用されていることを特徴とする請求項4に記載の電子部品実装構造。
  6. 前記電子部品が半導体チップであり、前記半導体チップが前記配線基板にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項4または5に記載の電子部品実装構造。
  7. 設置間隔が異なる複数の突起電極が形成された電子部品を各突起電極に対応する電極パッドおよび前記電極パッド上のはんだを有する配線基板に載置する工程と、
    設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだのみが溶融する温度に前記電子部品および前記配線基板を加熱する工程と、
    溶融したはんだにより電子部品をセルフアライメントする工程と、
    前記突起電極および設置間隔が長い方の電極パッド上のはんだが溶融する温度に前記電子部品および前記配線基板をさらに加熱する工程と、
    を備えることを特徴とする電子部品実装方法。
  8. 設置間隔が長い方の電極パッドの一部あるいは全部が前記電子部品との電気的な接続に用いられず、前記電子部品の固定にのみ使用される配線基板が用いられることを特徴とする請求項7に記載の電子部品実装方法。
  9. 前記電子部品としてフリップチップ実装型の半導体チップが用いられることを特徴とする請求項7または8に記載の電子部品実装方法。
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