JPH01145630A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH01145630A JPH01145630A JP62303106A JP30310687A JPH01145630A JP H01145630 A JPH01145630 A JP H01145630A JP 62303106 A JP62303106 A JP 62303106A JP 30310687 A JP30310687 A JP 30310687A JP H01145630 A JPH01145630 A JP H01145630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- parts
- wiring
- dams
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10152—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/10175—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/38—Effects and problems related to the device integration
- H01L2924/384—Bump effects
- H01L2924/3841—Solder bridging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電極駆動用ＬＳＩチップ等の電子部品を液晶
セルの一方のガラス基板上に取付ける際に、回路配線と
の接続部の半田が、配線に沿って流れるのを防止する半
田ダムを、極めて容易に形成できるようにした液晶表示
素子に関する。
セルの一方のガラス基板上に取付ける際に、回路配線と
の接続部の半田が、配線に沿って流れるのを防止する半
田ダムを、極めて容易に形成できるようにした液晶表示
素子に関する。
液晶表示素子の液晶セルの一方のガラス基板上に、電極
駆動用ＬＳＩチップ等の電子部品を取付けたものが広（
用いられるようになって来た。このような場合、通常、
電子部品の接続端子（ポンディングパッド）上には、所
定量の半田よりなる半田バンブが形成されており、バン
ブ即ち端子の位置に対応してガラス基板上の配線側に半
田受は部を配設しておいて、取付は作業時には、電子部
品の各ボンディングパッド上の半田バンプと、それぞれ
対応する基板配線側の半田受は部との位置合゛わせを行
ったのち、リフロ一方式等で半田を加熱溶融させたのち
硬化させ半田により電気的接続および機械的結合支持を
行わせる。
駆動用ＬＳＩチップ等の電子部品を取付けたものが広（
用いられるようになって来た。このような場合、通常、
電子部品の接続端子（ポンディングパッド）上には、所
定量の半田よりなる半田バンブが形成されており、バン
ブ即ち端子の位置に対応してガラス基板上の配線側に半
田受は部を配設しておいて、取付は作業時には、電子部
品の各ボンディングパッド上の半田バンプと、それぞれ
対応する基板配線側の半田受は部との位置合゛わせを行
ったのち、リフロ一方式等で半田を加熱溶融させたのち
硬化させ半田により電気的接続および機械的結合支持を
行わせる。
上記半田による取付は作業では、溶けたバンブの半田が
、基板側の半田受は部の金属面を濡らし、良（なじんだ
のち硬化しなければならない、加熱熔融されたバンブの
半田が、配線（液晶表示素子の場合、配線は透明導電膜
で形成されているものと金属膜で形成されているものと
があるが、電子部品が取付けられるのは殆ど全て金属膜
配線である）の清浄な面を濡らしながら自由に流れるよ
うになっていると、半田バンブの高さは減少する、この
ような場合の半田の流れ方には、個々の半田受は部によ
ってそれぞれ相違が生じる（金属膜配線の幅が広いか狭
いか、又は半田受は部のすぐ近くから透明導電膜配線に
なるとか）、そのために、当初とれも同じ高さや形状で
あった半田バンブの高さや形状が場所によって変化し、
部品側と基板配線側との接着状態、半田付は状態に場所
によって相違が生じ、複数の半田付は個所のうち幾つか
の個所で電気的接続や機械的結合支持状態が不良になり
易いという問題が生ずる。
、基板側の半田受は部の金属面を濡らし、良（なじんだ
のち硬化しなければならない、加熱熔融されたバンブの
半田が、配線（液晶表示素子の場合、配線は透明導電膜
で形成されているものと金属膜で形成されているものと
があるが、電子部品が取付けられるのは殆ど全て金属膜
配線である）の清浄な面を濡らしながら自由に流れるよ
うになっていると、半田バンブの高さは減少する、この
ような場合の半田の流れ方には、個々の半田受は部によ
ってそれぞれ相違が生じる（金属膜配線の幅が広いか狭
いか、又は半田受は部のすぐ近くから透明導電膜配線に
なるとか）、そのために、当初とれも同じ高さや形状で
あった半田バンブの高さや形状が場所によって変化し、
部品側と基板配線側との接着状態、半田付は状態に場所
によって相違が生じ、複数の半田付は個所のうち幾つか
の個所で電気的接続や機械的結合支持状態が不良になり
易いという問題が生ずる。
上記のような問題の対策として、従来から、例えば特開
昭６０−９３６７０号公報には、半田バンブの溶融した
半田が、半田受は部から配線に沿って自由に流れるのを
防ぐ半田流れ止め（半田ダム）を、ホトリソグラフ技術
により感光性ポリイミド樹脂の保護膜で配線面上を被覆
することにより形成させることが開示されている。この
ようにすれば、確かに半田付は作業時に、バンプの半田
が配線に沿って勝手に流れることは抑止され、複数個所
の半田付けが同時に確実に行われるようになるが、その
代わり従来よりも製造工数が増加し、原価も上昇する。
昭６０−９３６７０号公報には、半田バンブの溶融した
半田が、半田受は部から配線に沿って自由に流れるのを
防ぐ半田流れ止め（半田ダム）を、ホトリソグラフ技術
により感光性ポリイミド樹脂の保護膜で配線面上を被覆
することにより形成させることが開示されている。この
ようにすれば、確かに半田付は作業時に、バンプの半田
が配線に沿って勝手に流れることは抑止され、複数個所
の半田付けが同時に確実に行われるようになるが、その
代わり従来よりも製造工数が増加し、原価も上昇する。
本発明は上記のような、半田ダム形成作業のために製造
工数が増加するという従来の半田ダム形成法に係る問題
点を解決し、液晶表示素子製造時の作業工数を増加させ
ずに、半田ダムを形成できるようにした液晶表示素子を
提供することを目的とする。
工数が増加するという従来の半田ダム形成法に係る問題
点を解決し、液晶表示素子製造時の作業工数を増加させ
ずに、半田ダムを形成できるようにした液晶表示素子を
提供することを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明においては、液晶表
示素子のセルの一方の側のガラス基板上に形成する電子
部品取付は用の回路配線パターンの、電子部品の接続端
子上に形成された半田バンブに対応して配設した半田受
は部と通常の配線部分との間に、短く、かつ幅が通常の
配線部分や半田受は部分の直径よりも狭くくびれた部分
を設け、これを半田ダムとすることにした。
示素子のセルの一方の側のガラス基板上に形成する電子
部品取付は用の回路配線パターンの、電子部品の接続端
子上に形成された半田バンブに対応して配設した半田受
は部と通常の配線部分との間に、短く、かつ幅が通常の
配線部分や半田受は部分の直径よりも狭くくびれた部分
を設け、これを半田ダムとすることにした。
上記のような手段をとれば、通常の配線部分の幅より狭
くくびれた半田ダムによって、半田受は部で熔融した半
田が通常の配線部分へ流れ出る量が制限され、半田ダム
を設けてない場合に比し非常に僅かな量しか流れないう
ちに加熱が終了して硬化し始め、半田バンブの高さの相
違は殆ど生じない、゛即ち、溶融後ふたたび硬化した半
田、つまり半田バンブの形状も殆ど崩れない。
くくびれた半田ダムによって、半田受は部で熔融した半
田が通常の配線部分へ流れ出る量が制限され、半田ダム
を設けてない場合に比し非常に僅かな量しか流れないう
ちに加熱が終了して硬化し始め、半田バンブの高さの相
違は殆ど生じない、゛即ち、溶融後ふたたび硬化した半
田、つまり半田バンブの形状も殆ど崩れない。
本発明に係る半田ダムは、全ての半田受は部と配線との
間に形成されており、これら全ての半田受は部での半田
バンブの高さは、電子部品の接続端子の種類による基板
側配線幅の相違（例えば電源関係は太いなど）による影
響を受けず、半田付は作業の前後で、それぞれ異なる半
田付は位置で、殆ど変化が生じない、従って、ＬＳＩチ
ップなどの電子部品と液晶セルのガラス基板との距離や
平行度を目標値通りにすることが容易に可能になり、電
子部品の各接続端子を全て高い信頼度で基板の配線に半
田接続することが出来る。
間に形成されており、これら全ての半田受は部での半田
バンブの高さは、電子部品の接続端子の種類による基板
側配線幅の相違（例えば電源関係は太いなど）による影
響を受けず、半田付は作業の前後で、それぞれ異なる半
田付は位置で、殆ど変化が生じない、従って、ＬＳＩチ
ップなどの電子部品と液晶セルのガラス基板との距離や
平行度を目標値通りにすることが容易に可能になり、電
子部品の各接続端子を全て高い信頼度で基板の配線に半
田接続することが出来る。
しかも、本発明によれば、液晶セルの基板上の電極や配
線のパターン設計の時に所要個所すべてに半田ダムを配
設するように設計するので、製造工程では、電極や配線
を形成するのは透明導電膜または金ｒＸＩ５！だけとな
り、ポリイミド樹脂膜の被覆パターン形成工程などは不
要となる。
線のパターン設計の時に所要個所すべてに半田ダムを配
設するように設計するので、製造工程では、電極や配線
を形成するのは透明導電膜または金ｒＸＩ５！だけとな
り、ポリイミド樹脂膜の被覆パターン形成工程などは不
要となる。
本発明を図面によって更に詳細に説明する。
第３図は、参考例として、半田ダムが形成されていない
場合の半田接続部の断面を示す。図中、１は半田受は部
、３は配線部、４はＬＳＩチップ、５はＬＳＩ側ポンデ
ィングパッド、６はガラス基板側の金属膜配線、７はガ
ラス基板、８は半田、９は半田バンプ部である。このよ
うに半田ダムが形成されていない場合、バンプの半田が
熔融した際に半田受は部１から半田８が金属膜配線６の
方へ流出し易く、しかも其の流出量は既述の如（場所に
より夫々異なり、半田バンブ部９の形状変化の程度は一
般に大きくばらつく、従って、基板の配線と電子部品と
の接続状態、結合状態は信頼性に乏しいものとなる。
場合の半田接続部の断面を示す。図中、１は半田受は部
、３は配線部、４はＬＳＩチップ、５はＬＳＩ側ポンデ
ィングパッド、６はガラス基板側の金属膜配線、７はガ
ラス基板、８は半田、９は半田バンプ部である。このよ
うに半田ダムが形成されていない場合、バンプの半田が
熔融した際に半田受は部１から半田８が金属膜配線６の
方へ流出し易く、しかも其の流出量は既述の如（場所に
より夫々異なり、半田バンブ部９の形状変化の程度は一
般に大きくばらつく、従って、基板の配線と電子部品と
の接続状態、結合状態は信頼性に乏しいものとなる。
第１図は本発明一実施例の要部拡大上面図、第２図は実
施例の半田接続部の断面を示す０図中、１は半田受は部
、２は半田ダム、３は配線部、４はＬＳＩチップ、５は
ＬＳＩ側ポンディングパッド、６はガラス基板側合ｉｎ
！ｉ！配線、７はガラス基板、８は半田、９は半田バン
ブ部である。実施例では、半田接続作業時に半田８が加
熱により溶融し流れ始めても、図示の如く、幅が狭く（
びれた半田ダム２が形成されているので、半田８はダム
の所で流量が抑えられ、半田バンブ部９の形状変化は僅
かで済む。
施例の半田接続部の断面を示す０図中、１は半田受は部
、２は半田ダム、３は配線部、４はＬＳＩチップ、５は
ＬＳＩ側ポンディングパッド、６はガラス基板側合ｉｎ
！ｉ！配線、７はガラス基板、８は半田、９は半田バン
ブ部である。実施例では、半田接続作業時に半田８が加
熱により溶融し流れ始めても、図示の如く、幅が狭く（
びれた半田ダム２が形成されているので、半田８はダム
の所で流量が抑えられ、半田バンブ部９の形状変化は僅
かで済む。
以上説明したように本発明によれば、半田ダム形成のた
めに金属膜配線上に保ｉＩ膜被覆を形成するという新た
な工程を追加する必要がな（なる。
めに金属膜配線上に保ｉＩ膜被覆を形成するという新た
な工程を追加する必要がな（なる。
しかも、本発明に係る半田ダムは実際には配線パターン
の一部分であるから、液晶セルの基板上に配線パターン
を形成する製造工程で設計通りの正確な位置、形状にダ
ムが配設される（別工程でダムのための保護膜被覆を行
うと必ずしも設計通り正確に配置できない場合も生ずる
）。
の一部分であるから、液晶セルの基板上に配線パターン
を形成する製造工程で設計通りの正確な位置、形状にダ
ムが配設される（別工程でダムのための保護膜被覆を行
うと必ずしも設計通り正確に配置できない場合も生ずる
）。
第１図は本発明一実施例の要部拡大上面図、第２図は実
施例の半田接続部の断面図、第３図は半田ダムが形成さ
れていない参考例の半田接続部の断面図である。
施例の半田接続部の断面図、第３図は半田ダムが形成さ
れていない参考例の半田接続部の断面図である。
Claims (1)
- １、セルの一方のガラス基板上に、搭載すべき部品の端
子との半田接続部分である半田受け部と、半田受け部を
他部に接続する配線とよりなる電子部品搭載個所を備え
た液晶表示素子において、上記半田受け部と通常の配線
部分との間に、短く、かつ幅が通常の配線部分や半田受
け部直径よりも狭くくびれた半田流れ止めを配設したこ
とを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303106A JPH01145630A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 液晶表示素子 |
| US07/274,906 US4955695A (en) | 1987-12-02 | 1988-11-22 | Liquid crystal display device |
| KR1019880016075A KR920010688B1 (ko) | 1987-12-02 | 1988-12-02 | 액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303106A JPH01145630A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145630A true JPH01145630A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17916960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303106A Pending JPH01145630A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4955695A (ja) |
| JP (1) | JPH01145630A (ja) |
| KR (1) | KR920010688B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4113686A1 (de) * | 1991-04-26 | 1992-10-29 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines leiterbahnenmusters, insbesondere einer fluessigkristallanzeigevorrichtung |
| JP3643640B2 (ja) * | 1995-06-05 | 2005-04-27 | 株式会社東芝 | 表示装置及びこれに使用されるｉｃチップ |
| JP3980066B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP4004994B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2007-11-07 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 表示装置 |
| JP4142029B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| TWI370257B (en) * | 2008-07-15 | 2012-08-11 | Au Optronics Corp | Panel circuit structure |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237744A (en) * | 1975-09-19 | 1977-03-23 | Seiko Epson Corp | Electronic desk computer with liquid crystal display |
| DE2807350C2 (de) * | 1977-03-02 | 1983-01-13 | Sharp K.K., Osaka | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Baueinheit mit einem integrierten Schaltkreis |
| JPS60238817A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-27 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0682765B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-10-19 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子 |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP62303106A patent/JPH01145630A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-22 US US07/274,906 patent/US4955695A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-02 KR KR1019880016075A patent/KR920010688B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890010598A (ko) | 1989-08-09 |
| US4955695A (en) | 1990-09-11 |
| KR920010688B1 (ko) | 1992-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5400950A (en) | Method for controlling solder bump height for flip chip integrated circuit devices | |
| KR970005526B1 (ko) | 납땜 도금된 회로에 납땜 범프 상호 접속부를 형성하는 방법 | |
| US6259608B1 (en) | Conductor pattern for surface mount devices and method therefor | |
| US4237607A (en) | Method of assembling semiconductor integrated circuit | |
| KR101286379B1 (ko) | 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션 | |
| US5841198A (en) | Ball grid array package employing solid core solder balls | |
| JP2907168B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置と基板の接合構造 | |
| US6225573B1 (en) | Method for mounting terminal on circuit board and circuit board | |
| EP0084464A2 (en) | Connector for electronic subassemblies | |
| JPH01145630A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH05175275A (ja) | 半導体チップの実装方法および実装構造 | |
| JP2007149851A (ja) | 配線基板、電子部品実装構造、および電子部品実装方法 | |
| EP1494319B1 (en) | Flexible substrate and a connection method thereof that can achieve reliable connection | |
| JPH0348435A (ja) | フリップチップ素子の実装構造 | |
| JPH02163950A (ja) | 半導体装置の実装体およびその実装方法 | |
| JPS62279645A (ja) | はんだ接続方法 | |
| JPH0529363A (ja) | 配線基板 | |
| JP3006957B2 (ja) | 半導体装置の実装体 | |
| JPH0349211A (ja) | 電子部品 | |
| JPH05136201A (ja) | 半導体装置用電極と実装体 | |
| JPH10144850A (ja) | 接続ピンと基板実装方法 | |
| JPH0758244A (ja) | 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2023046755A (ja) | 電子制御装置及び電子制御装置の製造方法 | |
| JPH10107079A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3132713B2 (ja) | 半導体装置 |