JP6799544B2 - 物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット及びそのような結像光学ユニットを含む投影露光装置 - Google Patents

物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット及びそのような結像光学ユニットを含む投影露光装置 Download PDF

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Description

本特許出願は、引用によって本明細書にその内容が組み込まれているドイツ特許出願DE 10 2015 206 635.5及びDE 10 2015 226 531.5の優先権を主張するものである。
本発明は、物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット又は投影光学ユニットに関する。更に、本発明は、そのような投影光学ユニットを含む光学系、そのような光学系を含む投影露光装置、そのような投影露光装置を用いて微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及びこの方法によって生成される微細構造化又はナノ構造化構成要素に関する。更に、本発明は、そのような結像光学ユニットの構成要素としてのミラーに関する。
冒頭に示したタイプの投影光学ユニットは、「近接タイプ」投影露光装置を記載しているJP 2002/048977 A、US 5,891,806から公知であり、かつWO 2008/141 686 A1及びWO 2015/014 753 A1から公知である。
JP 2002/048977 A US 5,891,806 WO 2008/141 686 A1 WO 2015/014 753 A1 DE 10 2009 045 096 A1 WO 2012/126 867 A DE 101 55 711 A DE 10 2010 029 050 A1 US 2007−0058269 A1
本発明の目的は、冒頭に示すタイプの結像光学ユニットをその生産コストが低減されるように開発することである。
本発明により、上述の目的は、請求項1に指定する特徴を含む結像光学ユニットによって達成される。
結像光学ユニットは、投影リソグラフィにおける使用、特にEUV投影リソグラフィにおける使用に向けて設計される。
結像光学ユニットは、2つの結像光平面に異なる個数の中間像を有するchoristikonalタイプ光学ユニットとして具現化される。この個数の差は、正確に1とすることができるが、それよりも多く、例えば、2又は更にそれよりも多いものとすることができる。
第1の結像光平面(xzHR)は、それぞれの結像光主伝播方向(zHR)と第1の直交物体視野座標(x)とによって張られる。結像光主伝播方向(zHR)は、元来z方向に延びる現在の伝播座標zHRが結像光主伝播方向に延びるまで第2の直交物体視野座標(x)と法線座標(z)とによって張られる平面内で法線座標zを傾斜させることによってもたらされる。すなわち、第1の結像光平面の位置は、結像光主伝播方向の各方向変化と共に変化する。
2つの結像光平面内で異なる中間像数は、結像光ビーム全体の広がりが過度に大きくならないことを確実にするためにビーム案内の理由から望ましい場合に例えばかすめ入射ミラーの領域内で及び/又は設置空間の理由から必要である狭窄領域内で結像光ビーム全体を減幅するための追加の設計自由度として使用することができる。特に1とは明確に異なるアスペクト比を有する物体視野を結像することが意図される場合に、結像光ビームの2つの断面寸法における結像光ビームの広がりに対する要件が2つの結像光平面内で確実に異なり、従って、これらの要件は、choristikonalタイプ設計を用いて考慮することができることが認識されている。2つの結像光平面の一方における中間像の多い方の個数は、2、3、又はそれよりも多いとすることができる。2つの結像光平面内の中間像の個数のうちで少ない方の個数は、0、1、2、又はそれよりも多いとすることができる。ミラーの個数は、6、7、8、9、又は10とすることができる。ミラーの個数はまた、それよりも少ないか又は多いとすることができる。
中間像の位置は、原理的には物体視野と像視野の間で結像光主伝播方向に沿うどこかに存在することができる。第1の平面中間像又は第2の平面中間像は、それぞれ、2つのミラーの間又は1つのミラーでの反射の場所に位置することができる。各場合に、視野平面と中間像のうちの1つとの間に少なくとも1つのミラーが位置することができる。
結像光学ユニットの全てのミラーは、NIミラー、すなわち、結像光が45°よりも小さい入射角で入射するミラーとして具現化することができる。それによって結像光学ユニットを小型方式で具現化するというオプションがもたらされる。更に、全てのミラー上への小さい入射角は、結像光学ユニットの高い全体伝達率、すなわち、高い使用光スループットを促進する。
結像光学ユニットの像平面と平行な平面内で測定された物体−像オフセットは、1000mmよりも小さいとすることができ、800mmよりも小さいとすることができ、600mmよりも小さいとすることができ、400mmよりも小さいとすることができ、300mmよりも小さいとすることができ、200mmよりも小さいとすることができ、180mmよりも小さいとすることができ、特に177.89mmとすることができる。
物体平面は、像平面に対して有限角度だけ傾斜させることができる。
結像光学ユニットは、結像光ビーム経路内で結像光学ユニットのミラーのうちの2つの間に配置され、結像光のビームの外側断面全体の境界を定める開口絞りを有することができる。そのような開口絞りは、全ての側から外側からアクセス可能なものとして設計することができる。そのような開口絞りを使用することにより、結像光学ユニットの瞳形態の定義された規定を与えることができる。
開口絞りは、ミラーのうちの2つの間にある結像光の部分ビーム経路に位置することができ、開口絞りは、ミラーのうちの2つの間の結像光の更に別の部分ビーム経路に配置された第2の平面中間ビームのうちの1つに空間的に隣接して位置する。開口絞りのそのような配置は、開口絞りの領域内であっても小さい折り返し角度を有する結像光学ユニットを具現化するというオプションをもたらす。
結像光学ユニットの瞳掩蔽率は、最大でも15%とすることができる。瞳面全体に対する掩蔽される瞳面、すなわち、結像に使用することができない瞳面の面部分として定義されるそのような瞳掩蔽率は、結像に対して僅かな効果のみを有する。瞳掩蔽率は、15%よりも小さいとすることができ、12%よりも小さいとすることができ、10%よりも小さいとすることができ、例えば、9%とすることができる。
結像光学ユニットの全てのミラー上への結像光の最大入射角は25°よりも小さいとすることができる。結像光のそのような最大入射角は、使用光としてEUV光が使用される場合であっても、高い反射率を有するミラーの構成を容易にする。最大入射角は22°よりも小さいとすることができる。
物体視野の下流の結像光ビーム経路内の結像光学ユニットの最初の4つのミラー上への結像光の最大入射角は20°よりも小さいとすることができる。最初の4つのミラー上への結像光のそのような最大入射角は、対応する利点を有する。最大入射角は、19°よりも小さいとすることができ、18°よりも小さいとすることができ、最大でも17.5°とすることができ、同じく最大でも16.6°とすることができる。
結像光学ユニットの物体平面は、0°よりも大きい角度だけ像平面に対して傾斜させることができる。像平面に対する物体平面のそのような傾斜は、特に全てのミラー上への小さい最大入射角を達成するのに適することが見出されている。傾斜角度は、1°よりも大きいとすることができ、2°よりも大きいとすることができ、4°よりも大きいとすることができ、5°よりも大きいとすることができ、7°よりも大きいとすることができ、8°よりも大きいとすることができ、例えば、10°とすることができる。
結像光学ユニットの第1の平面中間像のうちの1つ及び第2の平面中間像のうちの1つは、結像光学ユニットのミラーのうちの1つが有する結像光の通過のための通過開口部の領域に位置することができる。そのような中間像配置は、全体結像光ビームの両方の断面寸法の有利な狭窄をもたらす。
少なくとも1つのかすめ入射ミラー(GIミラー、45°よりも大きい入射角)を有する請求項2に記載の結像光学ユニットの構成では、choristikonalタイプ実施形態が特に良好な成果をもたらすことになる。
請求項3に記載のGIミラーに対するアスペクト比条件は、使い易い程度に大きいGIミラーをもたらし、その生産コストは、相応に正当化することができる。アスペクト比を計算するときには、最初にGIミラーの反射面の最も大きい広がりが測定され、次いで、関連の寸法値が、この最も大きい広がりの方向に対して垂直な反射面の広がりで割り算される。GIミラーの使用反射面のアスペクト比は、最大でも2.5とすることができ、最大でも2とすることができ、最大でも1.95とすることができ、最大でも1.9とすることができ、最大でも1.75とすることができ、最大でも1.5とすることができ、最大でも1.25とすることができ、最大でも1.2とすることができ、最大でも1.1とすることができ、同じく最大でも1.05とすることができる。
請求項4に記載の中間像の個数分配は、GIミラー折り返し平面で、すなわち、GIミラー上への中心視野点の主光線の入射平面内で有利に狭窄させることができる結像光ビームをもたらす。
請求項5及び請求項6に記載の中間像の分配は、GIミラーの小型設計に対して特に有利であることが見出されている。同じ結像光学ユニット内では、中間像が間に位置するGIミラー対が複数個存在することができる。
請求項7に記載の中間像配置は、ミラー通過開口部の領域内の結像光ビームの有利な狭窄をもたらす。1よりも大きいアスペクト比を有する物体視野の場合に、中間像は、大きい方の物体視野寸法に沿って広がる座標を有する結像光平面に位置することができる。そのような中間像は、より大きい視野寸法に起因してビームがより大きい直径を有する傾向を有する座標に沿って結像光ビーム全体がより強く狭窄することを確実にする。次に、通過開口部と像視野の間の距離が通過開口部と中間像の間の距離よりも3倍を超えて大きい限り、中間像は通過開口部の領域に位置する。これらの距離の間の比は、3.5よりも大きいとすることができ、4よりも大きいとすることができ、5よりも大きいとすることができ、7よりも大きいとすることができ、10よりも大きいとすることができ、又は更にそれよりも大きいとすることができる。通過開口部は、その領域に位置する第1の平面中間像のうちの1つと第2の平面中間像のうちの1つとの両方を有することができる。
結像光学ユニットのchoristikonalタイプ設計は、少なくとも1つのNIミラー(垂直入射に近い入射角を有するミラー、45°よりも小さい入射角)を有する請求項8に記載の実施形態の場合であれば有利であることが見出されている。ここで、様々な結像光平面の間での中間像の対応する分配は、例えば、視野絞り又は視野側補助デバイスの配置を単純にすることができる。更に、開口絞りに対する位置規定を単純にすることができる。少なくとも1つのGIミラーと少なくとも1つのNIミラーとを有する結像光学ユニットの混在実施形態が可能である。これに代えて、結像光学ユニットは、1つのNIミラーのみを有することができる。
請求項9に記載の結像光学ユニットの場合に、2つの結像光平面内の中間像の正確に1個の個数差は、奇数個のミラーに起因して引き起こされる像反転の補償をもたらす。
結像光学ユニットのミラーの少なくとも1つは、自由曲面として具現化された反射面を有することができる。そのような自由曲面の例に対しては、更に下記で詳細に説明する。
請求項10に記載の光学系は、様々な結像光平面内で異なる個数の中間像に関する設計自由度のオプションを利用する。補助デバイスは、視野絞り、又は他にUNICOMの様式にある強度規定デバイスとすることができる。
請求項11に記載の光学系の利点は、結像光学ユニットと補助デバイスを有する光学系とに関して上述したものに対応する。請求項11に記載の光学系も、そのような補助デバイスを有することができる。
光源は、EUV光源とすることができる。これに代えて、DUV光源、すなわち、例えば、193nmの波長を有する光源を使用することができる。
請求項12に記載の投影露光装置、請求項13に記載の生成方法、及び請求項14に記載の微細構造化又はナノ構造化構成要素の利点は、結像光学ユニットと光学系とに関して上述したものに対応する。特に、この投影露光装置を用いて半導体構成要素、例えば、メモリチップを生成することができる。
本発明の更に別の目的は、結像光を物体平面内の物体視野から像平面内の像視野内に結像光ビーム経路に沿って案内するための結像光学ユニットの構成要素として正当化可能な費用で製造することができるミラーを開発することである。
本発明により、この目的は、請求項15に記載の特徴を含むミラーによって達成される。
本発明により、全体結像光ビームの境界輪郭は、必ずしも凸プロファイルを有する必要がないことが認識されている。本発明による少なくとも2つの輪郭膨張部を含むミラーの反射面境界輪郭は、全体結像光ビームの対応する膨張部を用いて形成された境界輪郭を反射することができることを確実にする。更に、そのような反射目的のためのミラーは、不要に大きい設計を持たず、その生産コストを低減する。
特に、このミラーは、上記に指定した特徴を含む結像光学ユニットに使用することができる。ミラーは、EUVミラーとして具現化することができ、かつ対応する高反射コーティングを担持することができる。このコーティングは、多段コーティングとして具現化することができる。本発明によるミラーは、上位関係にある「結像光学ユニット」、「光学系」、「投影露光装置」構成要素に関連する特徴と組み合わせることができる。
結像光学ユニットは、輪郭膨張部を有する複数のそのようなミラーを有することができる。輪郭膨張部を有するミラーは、特に、結像光学ユニットの中間像の領域に配置することができる。輪郭膨張部を有するミラーは、NI(法線入射)ミラー又はGI(かすめ入射)ミラーとすることができる。
ミラーは、湾曲基本形態を備えた又は矩形基本形態を備えた反射面を有することができる。
本発明の例示的実施形態を図面を参照して下記でより詳細に説明する。
EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置の概略図である。 2つの選択された視野点の主光線に対するかつ上側コマ光線及び下側コマ光線に対する結像ビーム経路を描く図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの実施形態を子午断面に示す図である。 図2の視線方向IIIから見た場合の図2に記載の結像光学ユニットの図である。 図2及び図3に記載の結像光学ユニットのミラーの光学的使用区域の境界輪郭の平面図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図2と類似の図である。 図5の視線方向VIから見た場合の図5に記載の結像光学ユニットの図である。 図5及び図6に記載の結像光学ユニットのミラーの光学的使用区域の境界輪郭の平面図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図6と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図7と類似の図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの実施形態を示し、2つの選択された視野点の主光線に対するかつ上側コマ光線及び下側コマ光線に対する結像ビーム経路を描く子午断面図である。 図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図32と類似の図である。 図32の視線方向XXXIVからの図である。 図33の視線方向XXXVからの図である。
マイクロリソグラフィ投影露光装置1は、照明光又は結像光3のための光源2を有する。光源2は、例えば、5nmと30nmの間、特に5nmと15nmの間の波長領域の光を生成するEUV光源である。光源2は、プラズマベースの光源(レーザ生成プラズマ(LPP)、ガス放電生成プラズマ(GDP))、又は他にシンクロトロンベースの光源、例えば、自由電子レーザ(FEL)とすることができる。特に、光源2は、13.5nmの波長を有する光源、又は6.9nmの波長を有する光源とすることができる。他のEUV波長も可能である。一般的に、投影露光装置1内で案内される照明光3に対して、任意の波長、例えば、可視波長、又は他にマイクロリソグラフィにおいて用途を見出すことができて(例えば、DUV、真空紫外)適切なレーザ光源及び/又はLED光源が利用可能である(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)他の波長さえも可能である。照明光3のビーム経路を図1に非常に概略的に示している。
照明光学ユニット6は、照明光3を光源2から物体平面5内の物体視野4まで案内するように機能する。物体視野4は、投影光学ユニット又は結像光学ユニット7を用いて像平面9の像視野8内に予め決められた縮小スケールで結像される。
投影露光装置1及び投影光学ユニット7の様々な実施形態の説明を簡略化するために、図面内に直交xyz座標系を示し、図内に示す構成要素のそれぞれの位置関係は、この座標系から明らかになる。図1では、x方向は、作図面と垂直にかつその中に入り込むように延びる。y方向は左向きに、z方向は上向きに延びる。
投影光学ユニット7では、物体視野4及び像視野8は、曲げ又は湾曲実施形態を有し、特に、部分リング状に成形された実施形態を有する。この視野曲率の曲率半径は、像側で81mmとすることができる。物体視野4又は像視野8の境界輪郭の基本形態は、対応する曲げを有する。これに代えて、矩形形状を有するように物体視野4及び像視野8を具現化することができる。物体視野4及び像視野8は、1よりも大きいx/yアスペクト比を有する。従って、物体視野4は、x方向に長めの物体視野寸法を有し、y方向に短めの物体視野寸法を有する。これらの物体視野寸法は、視野座標x及びyに沿って延びる。
従って、物体視野4は、第1の直交物体視野座標xと第2の直交物体視野座標yによって張られる。これら2つの物体視野座標x及びyに対して垂直な第3の直交座標zを下記では法線座標とも呼ぶ。
投影光学ユニット7に対して、図2及びそれ以降に示す例示的実施形態のうちの1つを使用することができる。図2に記載の投影光学ユニット7は、サジタル平面xz内で4倍の縮小を行い、子午平面yz内で8倍の縮小を行う。投影光学ユニット7は、アナモルフィック投影光学ユニットである。2つの結像光平面xz、yz内の他の縮小スケール、例えば、3×、5×、6×、7×、又は他に8×よりも大きい縮小スケールも可能である。これに代えて、投影光学ユニット7は、2つの結像光平面xz、yz内にそれぞれ同じ縮小スケール、例えば、8倍縮小を有することができる。この場合に、他の縮小スケール、例えば、4×、5×、又は8×よりも大きい縮小スケールさえも可能である。それぞれの縮小スケールには、その適切な符号指定によって後に更に解説する像反転が伴う場合又は伴わない場合がある。
図2に記載の投影光学ユニット7の実施形態では、像平面9は、物体平面5と平行に配置される。この場合に結像されるのは、レチクルとも呼ぶ反射マスク10のうちで物体視野4と一致するセクションである。レチクル10は、レチクルホルダ10aによって担持される。レチクルホルダ10aは、レチクル変位ドライブ10bによって変位される。
投影光学ユニット7を用いた結像は、基板ホルダ12によって担持されたウェーハの形態にある基板11の面上に実施される。基板ホルダ12は、ウェーハ変位ドライブ又は基板変位ドライブ12aによって変位される。
図1は、レチクル10と投影光学ユニット7の間にこの投影光学ユニット内に入射する照明光3の光線ビーム13を略示し、投影光学ユニット7と基板11の間に投影光学ユニット7から射出する照明光3の光線ビーム14を略示している。図1では、投影光学ユニット7の像視野側開口数(NA)を正確な縮尺では再現していない。
投影露光装置1は、スキャナタイプのものである。レチクル10と基板11の両方は、投影露光装置1の作動中にy方向に走査される。基板11の個々の露光中にレチクル10及び基板11のy方向の段階的変位が達成されるステッパタイプの投影露光装置1も可能である。これらの変位は、変位ドライブ10b及び12aの適切な起動によって互いに同期して行われる。
図2及び図3は、投影光学ユニット7の第1の実施形態の光学設計を示している。図2は、子午断面内の投影光学ユニット7、すなわち、yz平面内の結像光3のビーム経路を示している。子午平面yzを第2の結像光平面とも呼ぶ。図3は、サジタル平面xz内の投影光学ユニット7の結像ビーム経路を示している。第1の結像光平面xzHRは、結像光3のビーム経路のそれぞれの場所で第1の直交物体視野座標xと現在の結像光主伝播方向zHRとによって張られる平面である。結像光主伝播方向zHRは、中心視野点の主光線16のビーム方向である。通例では、この結像光主伝播方向zHRは、ミラーM1からM8での各ミラー反射において変化する。この変化は、第1の直交物体視野座標xの周りの現在の結像光主伝播方向zHRのそれぞれ着目するミラーM1からM8での中心視野点のこの主光線16の偏向角に等しい傾斜角度の傾斜として表すことができる。以下では、簡略化の目的で第1の結像光平面xzHRを第1の結像光平面xzとも呼ぶ。
第2の結像光平面yzも同じく結像光主伝播方向zHRを含み、第1の結像光平面xzHRに対して垂直である。
投影光学ユニット7は、子午平面yzにおいてのみ折り返されるので、第2の結像光平面yzは子午平面と一致する。
図2は、この図のy方向に互いから離間した3つの物体視野点から射出する各場合に3つの個々の光線15のビーム経路を示している。描いているのは、主光線16、すなわち、投影光学ユニット7の瞳平面内で瞳の中心を通過する個々の光線15と、各場合にこれら2つの物体視野点のものである上側コマ光線及び下側コマ光線とである。物体視野4から進んで、主光線16は、物体平面5の法線との5.1°の角度CRAを含む。
物体平面5は、像平面9と平行に位置する。
投影光学ユニット7は、0.55という像側開口数を有する。
図2に記載の投影光学ユニット7は、物体視野4から進んで個々の光線15のビーム経路のシーケンスでM1からM8と番号を振った合計で8つのミラーを有する。
図2から図4は、ミラーM1からM8の計算上の反射面のセクションを示している。これらの計算上の反射面の一部分が使用される。実際のミラーM1からM8内には、反射面のうちのこの実際に使用される領域にオーバーハングを加えたものしか実際には存在しない。これらの使用反射面は、ミラー本体によって公知の方式で担持される。
図2に記載の投影光学ユニット7では、ミラーM1、M4、M7、及びM8は、法線入射ミラー、すなわち、結像光3が45°よりも小さい入射角で入射するミラーとして構成される。従って、全体的に、図2に記載の投影光学ユニット7は、4つの法線入射ミラーM1、M4、M7、及びM8を有する。これらの法線入射ミラーをNI(法線入射)ミラーとも呼ぶ。
ミラーM2、M3、M5、及びM6は、照明光3のかすめ入射のためのミラー、すなわち、照明光3が45°よりも大きく、特に60°よりも大きい入射角で入射するミラーである。かすめ入射ミラーM2、M3及びM5、M6上への結像光3の個々の光線15の典型的な入射角は、80°の領域にある。全体的に、図2に記載の投影光学ユニット7は、正確に4つのかすめ入射ミラーM2、M3、M5、及びM6を有する。これらのかすめ入射ミラーをGI(かすめ入射)ミラーとも呼ぶ。
ミラーM2とM3は、結像光3のビーム経路内で直接連続して配置されたミラー対を形成する。同じくミラーM5とM6も、結像光3のビーム経路内で直接連続して配置されたミラー対を形成する。
一方のミラー対M2、M3と他方のミラー対M5、M6は、個々の光線15の反射角がこれら2つのミラー対のそれぞれのミラーM2、M3及びM5、M6において加算されるように結像光3を反射する。従って、それぞれのミラー対M2、M3及びM5、M6のそれぞれの第2のミラーM3及びM6は、それぞれの第1のミラーM2、M5がそれぞれの個々の光線15に対して作用する偏向効果を高める。ミラー対M2、M3及びM5、M6のこのミラー配置は、照明光学ユニットに関するDE 10 2009 045 096 A1に記載されているものに対応する。
かすめ入射のためのミラーM2、M3、M5、及びM6の各々は、曲率半径に関して非常に大きい絶対値を有し、すなわち、それらは、平面からの比較的小さい偏位を有する。かすめ入射ミラーM2、M3、M5、及びM6の各々は、比較的弱い屈折力、すなわち、全体的に凹又は凸であるミラーよりも低いビーム形成効果を有する。ミラーM2、M3、M5、及びM6は、特定の結像収差補正に寄与し、特に局所結像収差補正に寄与する。
下記では、投影光学ユニット7のミラーの偏向効果を特徴付けるために、それぞれ描いた子午断面に基づいて偏向方向を定義する。例えば、図2に記載の子午断面内のそれぞれの入射ビーム方向に見てそれぞれのミラーの時計回り方向の偏向効果、すなわち、右への偏向を略記「R」で表している。一例として、投影光学ユニット7のミラーM2は、偏向効果「R」を有する。ミラー上にそれぞれ入射するビーム方向から見てミラーの反時計回り、すなわち、左に向う偏向効果を略記「L」で表している。投影光学ユニット7のミラーM1及びM5は、「L」偏向効果の例である。−1°<f<1°が成り立つ折り返し角度fを有するミラーの弱い偏向効果又は全く偏向しない効果は、略記「0」で表している。投影光学ユニット7のミラーM7は、「0」偏向効果に関する例である。全体的に、投影光学ユニット7は、ミラーM1からM8に関してLRRRLL0Rという偏向効果を有する。
原理的には、説明する投影光学ユニットの全ての例示的実施形態は、工程において基本的な結像特性を変化させることなくxz平面と平行に延びる平面に関して鏡像反転させることができる。しかし、これは、次に、偏向効果のシーケンスを必然的に変化させ、これは、投影光学ユニット7からの適切な鏡像反転によって出現する投影光学ユニットの場合にRLLLRR0Lというシーケンスを有する。
偏向効果の選択、すなわち、例えば、ミラーM4上のそれぞれの入射ビームの方向の選択、並びにミラー対M2、M3及びM5、M6の偏向方向の選択は、投影光学ユニット7に対して利用可能な設置空間が効率的に使用されるようにそれぞれ実施される。
ミラーM1からM8は、結像光3に対するこれらのミラーの反射率を最適化するコーティングを担持する。ここで、このコーティングは、ルテニウムコーティング、すなわち、各場合に例えばルテニウムで製造された最上段層を有する多層とすることができる。かすめ入射ミラーM2、M3、M5、及びM6では、例えば、モリブデン又はルテニウムの1つの段を有するコーティングを使用することができる。特に法線入射ミラーM1、M4、M7、及びM8のこれらの高反射層は、連続する層を異なる材料から製造することができる多段層として構成することができる。交替する材料層を使用することができる。典型的な多段層は、それぞれモリブデン層とシリコン層とで製造された50個の二層を有することができる。これらは、例えば、C(炭素)、B4C(炭化ホウ素)で製造された追加の分離層を含有することができ、かつ真空に対する保護層又は保護層系によって終端することができる。
投影光学ユニット7の全体反射率を計算するために、系伝達率を計算し、この計算は、中心物体視野点の案内光線、すなわち、主光線の入射角に依存するミラー反射率を各ミラー面で決定し、系伝達率を形成するためにこれらのミラー反射率を乗算によって組み合わせる。
反射率を計算することに関する詳細は、WO 2015/014 753 A1に記載されている。
GIミラー(かすめ入射ミラー)の反射に関する更に別の情報は、WO 2012/126 867 Aに見出される。NIミラー(法線入射ミラー)の反射率に関する更に別の情報は、DE 101 55 711 Aに見出される。
投影光学ユニット7の全てのミラーM1からM8の反射率の積として現れる投影光学ユニット7の全体反射率又は系伝達率は、R=8.02%である。
ミラーM8、すなわち、結像ビーム経路内で像視野8の上流にある最後のミラーは、最後から3番目のミラーM6から最後から2番目のミラーM7まで反射された結像光3の通過のための通過開口部17を有する。ミラーM8は、通過開口部17の周りで反射方式に使用される。全ての他のミラーM1からM7は通過開口部を持たず、間隙不在方式で接続した領域内で反射方式に使用される。
第1の結像光平面xz内では、投影光学ユニット7は、ミラーM6とM7の間の結像光ビーム経路内に正確に1つの第1の平面中間像18を有する。この第1の平面中間像18は、通過開口部17の領域に位置する。通過開口部17と像視野8の間の距離は、通過開口部17と第1の平面中間像18の間の距離よりも4倍を超えて大きい。
第1の結像光平面xzに対して垂直な第2の結像光平面yz内で(図2を参照されたい)、結像光3は、正確に2つの第2の平面中間像19及び20を通過する。これら2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像光ビーム経路内でミラーM2とM3の間に位置する。2つの第2の平面中間像のうちの他方のもの20は、ミラーM6における結像光3の反射の領域に位置する。
投影光学ユニット7では、正確に1個の第1の平面中間像である投影光学ユニット7内の第1の平面中間像の個数と、正確に2個の第2の平面中間像である投影光学ユニット7内の第2の平面中間像の個数とは互いに異なる。投影光学ユニット7では、中間像の個数は、正確に1個だけ異なる。
より多くの中間像、すなわち、2つの第2の平面中間像19及び20が存在する第2の結像光平面yzは、GIミラーM2、M3及びM5、M6の折り返し平面yzと一致する。この折り返し平面は、それぞれのGIミラーでの反射時の中心視野点の主光線16の入射平面である。第2の平面中間像は、通例では結像光主伝播方向zHRを定める中心視野点の主光線16に対して垂直ではない。中間像傾斜角度、すなわち、この垂直配置からの偏位は、原理上任意であり、0°と±89°の間にあるとすることができる。
中間像18、19、20の領域内には補助デバイス18a、19a、20aを配置することができる。これらの補助デバイス18aから20aは、結像光ビームの境界を少なくともセクション毎に定義するための視野絞りとすることができる。中間像18から20の中間像平面のうちの1つには、特にx方向に千鳥配置された指状絞りを有するUNICOMの様式にある視野強度規定デバイスも配置することができる。
ミラーM1からM8は、回転対称関数によって表すことができない自由曲面として具現化される。ミラーM1からM8のうちの少なくとも1つが回転対称非球面として具現化される投影光学ユニット7の他の実施形態も可能である。そのような回転対称非球面に対する非球面式は、DE 10 2010 029 050 A1から公知である。更に、全てのミラーM1からM8をそのような非球面として具現化することができる。
自由曲面は、以下の自由曲面式(式1)によって表すことができる。
Figure 0006799544
(1)
この式(1)のパラメータに対して以下のことが適用される。
Zは、x2+y2=r2である時の点x,yにおける自由曲面のサグである。上式中のrは、自由曲面式の基準軸(x=0;y=0)からの距離である。
自由曲面式(1)中で、C1、C2、C3...は、x及びyの羃による自由曲面級数展開の係数を表している。
円錐ベース区域の場合に、cx、cyは、対応する非球面の頂点曲率に対応する定数である。従って、cx=1/Rx及びcy=1/Ryが成り立つ。式中のkx及びkyの各々は、対応する非球面の円錐定数に対応する。従って、式(1)は、双円錐形自由曲面を表している。
回転対称基準面から代替の可能な自由曲面を発生させることができる。マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニットのミラーの反射面のためのそのような自由曲面は、US 2007−0058269 A1から公知である。
これに代えて、自由曲面はまた、2次元スプライン面を用いて表すことができる。これに関する例は、ベジェ曲線又は不均一有理基底スプライン(NURBS)である。一例として、2次元スプライン面は、xy平面内の点グリッドと関連のz値とにより、又はこれらの点と関連の勾配とによって表すことができる。スプライン面のそれぞれのタイプに基づいて、例えば、連続性及びその微分可能性に関して特定の性質を有する多項式又は関数を用いたグリッド点の間の内挿によって完全な面が得られる。これに関する例は解析関数である。
図4は、各場合に投影光学ユニット7のミラーM1からM8上で結像光3による入射を受ける反射面の境界輪郭、すなわち、ミラーM1からM8のいわゆるフットプリントを示している。これらの境界輪郭は、各場合にそれぞれのミラーM1からM8の局所的x座標及びy座標に対応するx/yグラフ内に示したものである。これらの図は、ミリメートルを単位とする正確な縮尺のものである。更に、通過開口部17の形態をミラーM8に関する図に示している。
以下の表は、ミラーM1からM8に関するパラメータ「最大入射角」、「反射面のx方向広がり」、「反射面のy方向広がり」、及び「最大ミラー直径」を要約している。
(表)
Figure 0006799544
GIミラーM2、M3、M5、及びM6の領域内の第2の平面中間像19及び20に起因して、これらのGIミラーも、y方向に極端な広がりを持たない。これらのGIミラーM2、M3、M6、及びM7の反射面の対応する面寸法のy/xアスペクト比は、ミラーM2に関して1よりも僅かに大きく、ミラーM2では約1.05である。GIミラーのうちのいかなるものも、1.05よりも大きいy/xアスペクト比を持たない。y/xアスペクト比は、投影光学ユニット7のミラーM1からM8のうちのミラーM4において1という値から最も強く外れ、そこでは約1:5.6という値を有する。全ての他のミラーでは、y/xアスペクト比は、3:1と1:3の間の範囲にある。
像側開口数を予め決めるミラーM8は、1004mmの直径を有する最も大きい最大ミラー直径を有する。他のミラーM1からM7のうちのいかなるものも、ミラーM8の最大ミラー直径の80%よりも大きい最大直径を持たない。
投影光学ユニット7内のミラーM1とM2の間の結像光ビーム経路内には瞳定義開口絞りASが配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビーム全体は、その円周全体にわたってアクセス可能である。
投影光学ユニット7のミラーM6は(図4を参照されたい)、境界輪郭RKを有する反射に使用することができる反射面を有する。この境界輪郭RKは、図4にミラーM6に関して破線に示す基本形態GFを有する。この基本形態GFは、物体視野4の湾曲基本形態に対応する。ミラーM6の基本形態GFは、物体視野4のものに対応し、すなわち、同じく湾曲したものである。
図4では最上部に位置するミラーM6の境界輪郭RKの側縁に沿って2つの輪郭膨張部KAが配置されている。
ミラーM6の境界輪郭RKは、ミラーM6での反射時の結像光ビーム全体の境界輪郭を辿る。結像光ビーム全体のこの境界輪郭は、第2の平面中間像20による中間結像に起因して対応する輪郭膨張部を有する。
図4では底部に描く境界輪郭RKの反対の側縁上に2つの更に別の輪郭膨張部KAが配置されている。
輪郭膨張部KAは、それぞれ基本形態GFの2つの長辺に沿って配置される。
投影光学ユニット7のミラーM1からM8の反射面の光学設計データを以下の表から集めることができる。これらの光学設計データは、各場合に像平面9から進行し、すなわち、それぞれの投影光学ユニットを像平面9と物体平面5の間で結像光3の逆伝播方向に説明している。
これらの表のうちの第1のものは、投影光学ユニット7の設計データの概要を提示しており、開口数NAと、結像光に関する計算上の設計波長と、2つの結像光平面xz及びyz内の縮小係数βx及びβyと、x方向及びy方向の像視野寸法と、像視野曲率と、像収差値rmsと、絞りの場所とを要約している。この曲率は、視野の曲率半径の逆数として定義される。像収差値は、mλ(ml)を単位として指定しており、すなわち、像収差値は、設計波長に依存する。この場合に、この像収差値は、波面収差のrms値である。
これらの表のうちの第2のものは、頂点半径(Radius_x=Rx、Radius_y=Ry)と、光学構成要素の光学面に関する屈折力値(Power_x、Power_y)とを提示している。負の半径値は、頂点での表面法線とそれぞれの曲率方向(x,y)とによって張られる着目平面(xz,yz)によるそれぞれの面の断面内で入射照明光3に向けて凹である曲面を意味する。2つの半径Radius_x、Radius_yは、明確に異なる符号を有することができる。
各光学面での頂点は、物体視野中心から像視野8まで対称平面x=0、すなわち、図2の作図面(子午平面)に沿って進行する案内光線の入射点として定義される。
頂点での屈折力Power_x(Px)、Power_y(Py)は、次式のように定義される。
Figure 0006799544
式中のAOIは、表面法線に対する案内光線の入射角を表している。
第3の表は、ミラーM1からM8に関して円錐定数kx及びkyと、頂点半径Rx(=Radius_x)と、自由曲面係数Cnとをミリメートルを単位として指定している。表内に記載していない係数Cnは、各々0という値を有する。
第4の表は、それぞれのミラーが基準面から進んでy方向に偏心した大きさ(DCY)と、z方向に変位した大きさ(DCZ)と、z方向に傾斜した大きさ(TLA、TLC)とを更に指定している。これらの項目は、自由曲面設計方法の場合の平行シフト及び傾斜に対応する。この場合に、変位は、y方向及びz方向に実施されたmmを単位とするものであり、傾斜は、x軸及びz軸の周りに実施されたものである。この場合に、度を単位として回転角度を指定している。最初に偏心が実施され、それに傾斜が続く。偏心中の基準面は、各場合に指定している光学設計データの最初の面である。物体視野4に関してもy方向及びz方向の偏心を指定している。個々のミラーに割り当てられた面に加えて、第4の表は、像平面を最初の面とし、物体平面を最後の面として記載し、任意的に絞り面(ラベル「絞り」を有する)を更に記載している。
第5の表は、ミラーM8からM1の伝達率データ、すなわち、それぞれのミラー上に中心で入射する照明光線の入射角に対する当該ミラーの反射率を更に指定している。全体伝達率は、投影光学ユニット内の全てのミラーでの反射後に入射強度から残っている比例係数として指定している。
第6の表は、絞りASの縁部を折れ線として局所座標xyzで指定している。上述のように、絞りASは偏心及び傾斜される。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544
Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
投影光学ユニット7の全体反射率は、8.02%である。
ミラーの基準軸は、これらの表にある傾斜値によって明らかなように、全般的に像平面9の法線に対して傾斜される。
ミラーM1、M4、及びM8は、半径に対して負の値を有し、すなわち、原理的に凹ミラーである。ミラーM7は、半径に対して正の値を有し、すなわち、凸ミラーである。ミラーM2、M3、M5、及びM6は、異なる符号を有し、すなわち、環状ミラー又はサドルミラーである。
像視野8は、13mmの2倍のx広がりと1mmのy広がりとを有する。投影光学ユニット7は、13.5nmの照明光3の作動波長に対して最適化される。
絞りの絞り面の縁部(図2に関する表6も参照されたい)は、像側の視野中心点で絞り面の方向に完全な像側テレセントリック開口を用いて伝播する照明光3の全ての光線の絞り面上の交点から出現する。絞りが開口絞りとして具現化される場合に、この縁部は内縁である。
絞りASは、平面に位置することができ、又は他に3次元実施形態を有することができる。絞りASの広がりは、走査直交方向(x)におけるよりも走査方向(y)において小さいとすることができる。
投影光学ユニット7のz方向の設置長さ、すなわち、物体平面5と像平面9の間の距離は、約2080mmである。
投影光学ユニット7では、瞳掩蔽率は入射瞳の開口全体の15%である。従って、通過開口部17の結果として開口数の15%未満しか掩蔽されない。絞り18に関して上記で記述した絞り縁部の構成と類似の方式で掩蔽縁部が構成される。掩蔽絞りとしての実施形態の場合に、縁部は絞りの外縁である。投影光学ユニット7の系瞳内では、掩蔽に起因して照明することができない面は、全体系瞳の面の0.152よりも小さい。系瞳内の非照明面は、x方向にy方向とは異なる広がりを有することができる。系瞳内の非照明面は、丸形、楕円形、正方形、又は矩形とすることができる。更に、系瞳内で照明することができないこの面を系瞳の中心に対してx方向及び/又はy方向に偏心させることができる。
中心物体視野点と中心像視野点の間のy距離dOISは、約1350mmである。ミラーM7と像平面9の間の作動距離は、77mmである。
投影光学ユニット7のミラーは、1004mm×2021mm×1534mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
投影光学ユニット7は、像側で近似的にテレセントリックである。
絞り18に関して上記で記述した絞り縁部の構成と類似の方式で掩蔽縁部が構成される。掩蔽絞りとしての実施形態の場合に、縁部は絞りの外縁である。投影光学ユニット7の系瞳内では、掩蔽に起因して照明することができない面は、全体系瞳の面の0.152よりも小さい。系瞳内の非照明面は、x方向にy方向とは異なる広がりを有することができる。系瞳内の非照明面は、丸形、楕円形、正方形、矩形とすることができ、又は他に折れ線の形態を有することができる。更に、系瞳内で照明することができないこの面は、系瞳の中心に対してx方向及び/又はy方向に偏心させることができる。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態21を図5から図7に基づいて以下の本文で説明する。図1から図4の関連で上述した構成要素及び機能は、相応に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
ミラーM1からM8は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット21のミラーM1からM8のミラーパラメータをここでもまた示すものである。
(表)
Figure 0006799544
GIミラーM2、M3、M5、及びM6のうちのいかなるものも、その反射面の1よりも大きいy/xアスペクト比を持たない。NIミラーM4は、約1:6.4の最も極端なy/xアスペクト比を有する。
ここでもまた、ミラーM8は、最も大きい最大ミラー直径を有し、その大きさは950mmよりも小さい。
投影光学ユニット21からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
投影光学ユニット21の全体反射率は、9.11%である。
投影光学ユニット21は、0.50という像側開口数を有する。第1の結像光平面xz内では、投影光学ユニット21は、4.00という縮小係数βxを有する。第2の結像光平面yz内では、投影光学ユニット21は、8.00という縮小係数βyを有する。物体側主光線角度は6.0°である。瞳掩蔽率は17%である。物体−像オフセットdOISは、約1520mmである。投影光学ユニット21のミラーは、930mm×2625mm×1570mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
レチクル10、及び従って物体平面5は、x軸の周りに1.4°の角度Tに傾斜される。この傾斜角度Tを図5に示している。
ウェーハに最も近いミラーM7と像平面9の間の作動距離は、約80mmである。
図7は、投影光学ユニット21のミラーM1からM8の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態22を図8から図10に基づいて以下の本文で説明する。図1から図7の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
投影光学ユニット22は、物体視野4と像視野8の間の結像光3のビーム経路に合計で6つのミラーM1からM6を有する。6つ全てのミラーM1からM6は、NIミラーとして具現化される。ここでもまた、上記で指定した自由曲面式(1)がミラーM1からM6に適用される。
投影光学ユニット22は、ミラーM1からM6に関してRLRL0Lという偏向効果シーケンスを有する。
以下の表は、投影光学ユニット22のミラーM1からM6のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
ここでもまた、結像ビーム経路内の最後のミラーM6が最も大きいミラー直径を有し、この場合この直径は900mmよりも小さい。6つのミラーのうちの4つが、500mmよりも小さい最大ミラー直径を有する。6つのミラーのうちの3つが、400mmよりも小さい最大ミラー直径を有する。
投影光学ユニット22も、正確に1つの第1の平面中間像18と2つの第2の平面中間像19、20とを有する。第1の平面中間像18は、ミラーM4とM5の間の結像光3のビーム経路内でミラーM6内の通過開口部17の領域に位置する。
2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像光ビーム経路内でミラーM1とM2の間に位置する。この最初の第2の平面中間像19の領域内では、結像光ビーム全体が外側からアクセス可能である。
2つの第2の平面中間像のうちの第2のもの20は、結像光ビーム経路内のミラーM3とM4の間でミラーM4での反射の近くに位置する。
図10は、投影光学ユニット22のミラーM1からM6の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット22からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
投影光学ユニット22の全体反射率は、7.82%である。
投影光学ユニット22は、0.50という開口数を有する。縮小係数は、第1の結像光平面xz内で4.0(βx)であり、第2の結像光平面yz内で8.0(βy)である。物体視野4の法線に対する主光線角度CRAは5.0°である。最大瞳掩蔽率は15%である。物体−像オフセットdOISは、約415mmである。投影光学ユニット22のミラーは、889mm×860mm×1602mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
物体平面5と像平面9は、互いに平行に延びる。
ウェーハに最も近いミラーM5と像平面9の間の作動距離は、129mmである。平均波面収差rmsは、30.4mλである。
投影光学ユニット22内のミラーM1とM2の間の結像光ビーム経路内の最初の第2の平面中間像19の上流に開口絞りASが配置される。開口絞りASの場所では、結像光ビーム全体は、完全にアクセス可能である。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態23を図11から図13に基づいて以下の本文で説明する。図1から図10の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
投影光学ユニット23、特に、NIミラー及びGIミラーのシーケンスの基本設計は、ここでもまた、投影光学ユニット7及び21の設計と同様である。
ミラーM1からM8は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面としてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット23のミラーM1からM8のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
全てのミラーM1からM8、特に、GIミラーM2、M3、M5、及びM6は、1よりも小さいy/xアスペクト比を有する。ここでもまた、結像光ビーム経路内の最後のミラーであるミラーM8は、最も大きいミラー直径を有し、その大きさはほぼ950mmである。8つのミラーのうちの6つは、570mmよりも小さい直径を有する。8つのミラーのうちの5つは、500mmよりも小さい直径を有する。8つのミラーのうちの3つは、400mmよりも小さい直径を有する。
投影光学ユニット23は、ここでもまた、結像光ビーム経路内で最後のミラーM8内の通過開口部17の領域内に正確に1つの第1の平面中間像18を有する。更に、投影光学ユニット23は、合計で3つの第2の平面中間像19、24、及び25を有する。投影光学ユニット23の結像光ビーム経路内で最初のものである第2の平面中間像24は、結像光ビーム経路内のミラーM1とM2の間に位置し、完全にアクセス可能である。結像光ビーム経路内で第2のものである第2の平面中間像19は、結像光ビーム経路内のミラーM2とM3の間に位置する。結像光ビーム経路内で第3のものである第2の平面中間像25は、結像光ビーム経路内のミラーM3とM4の間に位置する。
ミラーM2に対して、第2の平面中間像のうちの1つ、すなわち、中間像24は、このGIミラーM2及びビーム経路内でこのミラーの直ぐ上流にあるNIミラーM1の上流に位置し、次の第2の平面中間像19は、ミラーM2の下流かつビーム経路内でこのミラーの直ぐ下流にあるGIミラーM3の上流に位置する。このようにしてGIミラーM3も、2つの第2の平面中間像19及び25の間に位置する。2つの第2の平面中間像24と19の間及び19と25の間における2つのGIミラーM2及びM3のこの配置のそれぞれの結果として、この場合に、これら2つのGIミラーM2及びM3上への大きい入射角にも関わらず、これらのミラーM2及びM3の広がりは、y方向に過度に大きくなることはない。
投影光学ユニット23では、第1の平面中間像の個数は、第2の平面中間像の個数と2だけ異なる。
図13は、ミラーM1からM8の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット23からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

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投影光学ユニット23は、8.32%の全体伝達率を有する。
投影光学ユニット23は、0.55という像側開口数を有する。
第1の結像光平面xz内では、縮小係数βxは4.50である。第2の結像光平面yz内では、縮小係数βxは8.00である。物体視野側の主光線角度は5.0°である。最大瞳掩蔽率は12%である。物体−像オフセットdOISは、約1080mmである。投影光学ユニット23のミラーは、946mm×1860mm×1675mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
投影光学ユニット23では、物体平面5と像平面9は、互いに平行に延びる。ウェーハに最も近いミラーM7と像平面9の間の作動距離は94mmである。平均波面収差rmsは約24mλである。
ミラーM1とM2の間の結像光ビーム経路内の最初の第2の平面中間像24の上流に開口絞りASが配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビーム全体は、完全にアクセス可能である。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態26を図14から図16に基づいて以下の本文で説明する。図1から図13の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
ミラーM1、M6、及びM7は、NIミラーとして具現化され、ミラーM2からM5は、GIミラーとして具現化される。GIミラーM2からM5は、同じ方向の偏向効果を有する。全体的に、投影光学ユニット26のミラーM1からM7での偏向効果のシーケンスに対してRLLLL0Rが適用される。
ミラーM1からM7は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてこの場合にも具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット26のミラーM1からM7のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
ミラーM5のみが、1よりも大きいy/xアスペクト比を有する。ミラーM5のy/xアスペクト比は、1.5よりも小さい。
最後のミラーM7が最も大きいミラー直径を有し、その大きさは約820mmである。他のミラーM1からM6のうちのいかなるものも、525mmよりも大きい直径を持たない。7つのミラーのうちの5つは450mmよりも小さい最大直径を有する。
投影光学ユニット26は、ここでもまた、正確に1つの第1の平面中間像18と2つの第2の平面中間像19、20とを有する。第1の平面中間像18は、通過開口部17を通る結像光の通過と正確に同じレベルに配置される。それによって通過開口部17の非常に小さいx広がりがもたらされる。2つの第2の平面中間像19、20は、第1にGIミラーM3とM4の間の結像光ビーム経路内に、かつ第2にミラーM4とM5の間の結像光ビーム経路に配置される。従って、図11から図13に記載の実施形態に関して上述したように、GIミラーM4は、ここでもまた、2つの第2の平面中間像の間にあるGIミラーである。
投影光学ユニット26は、第1に奇数個のミラーを有し、かつ第2に第1の平面中間像の個数と第2の平面中間像の個数とにおいて正確に1の差を有する。それによって物体位置と比較して正しい回避法である像位置が達成され、すなわち、「像反転」が補償される。
図16は、ミラーM1からM7の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット26からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
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投影光学ユニット26は、x方向に13.0mmの2倍、y方向に1.2mmの像視野を有する。投影光学ユニット26では、従来の実施形態とは異なり、物体視野4及び像視野8は、各々矩形である。従って、視野曲率は0である。
投影光学ユニット26では、像側開口数は0.45である。縮小係数は、第1の結像光平面xz内で4.00(βx)であり、第2の結像光平面yz内で8.00(βy)である。物体側主光線角度CRAは4.2°である。瞳掩蔽率は最大で13%である。
投影光学ユニット26は、9.29%の全体伝達率を有する。
投影光学ユニット26では、物体−像オフセットdOISは、約2170mmである。投影光学ユニット26のミラーは、822mm×2551mm×1449mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
投影光学ユニット26では、物体平面5は、x軸の周りに9.1°だけ像平面9に対して傾斜される。
ウェーハに最も近いミラーM6と像平面の間の作動距離は80mmである。平均波面収差rmsは約35mλである。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態27を図17から図19に基づいて以下の本文で説明する。図1から図16の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
投影光学ユニット27は、合計で9つのミラーM1からM9を有する。ミラーM1、M2、M3、M5、M6、M7は、GIミラーとして具現化される。残りのミラーM4、M8、及びM9は、NIミラーとして具現化される。上記で記述した全ての投影光学ユニットと同じく投影光学ユニット27においても、結像光ビーム経路内で最後のミラーM9は、結像光3に対する通過開口部17を有するように具現化される。投影光学ユニット27では、結像光ビーム経路は交差点を有する。ここで、結像光ビームは、第1にミラーM2とM3の間、かつ第2にミラーM6とM7の間の交差領域28内で交差する。
投影光学ユニット27においても、第1の平面中間像18は、ミラーM9内の通過開口部17の近くにあり、更に2つの第2の平面中間像19、20がある。投影光学ユニット27では、2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像光ビーム経路内でミラーM4とM5の間でミラーM5での反射の近くに位置する。2つの第2の平面中間像のうちの第2のものは、結像光ビーム経路内のミラーM7とM8の間でミラーM7での反射の近くに位置する。
ミラーM2とM3の間の交差点28の下流には開口絞りASが位置する。開口絞りASの領域内では、結像光ビームは、完全にアクセス可能である。
ミラーM1からM9は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット27のミラーM1からM9のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
投影光学ユニット27では、ミラーM1及びM2は、1よりも大きいy/xアスペクト比を有する。ミラーM1からM9のうちのいかなるものも、2よりも大きいy/xアスペクト比を持たない。ミラーM1は、1.9の領域内に最も大きいy/xアスペクト比を有する。
投影光学ユニット27では、ミラーM4が最も大きい最大直径を有し、その大きさは753.3mmである。この直径は、751.8mmの直径を有する最後のミラーM9のものよりも若干大きい。ミラーM1からM9のうちの5つは、450mmよりも小さい直径を有する。ミラーM1からM9のうちの4つは、400mmよりも小さい直径を有する。
図19は、ミラーM1からM9の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット27からの光学設計データは、それらの設計に関して図2から図4に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

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投影光学ユニット27は、7.2%の全体伝達率を有する。
投影光学ユニット27は、0.50という像側開口数を有する。
第1の結像光平面xz内の縮小係数は4(βx)である。第2の結像光平面yz内の縮小係数は8(βy)である。物体側主光線角度CRAは5.5°である。最大瞳掩蔽率は15%である。
投影光学ユニット27の物体−像オフセットdOISは、約530mmである。投影光学ユニット27のミラーは、753mm×1869mm×1860mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
投影光学ユニット27では、物体平面5は、x軸と平行な軸の周りに15.5%だけ像平面9に対して傾斜される。
ウェーハに最も近いミラーM8と像平面9の間の作動距離は83mmである。平均波面収差rmsは10.4mλである。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態29を図20から図22に基づいて以下の本文で説明する。図1から図19の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図20は、投影光学ユニット29の子午断面を示している。図21は、投影光学ユニット29のサジタル図を示している。図22は、投影光学ユニット29のミラーM1からM9の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット29は、3つのNIミラー、すなわち、ミラーM1、M8、及びM9を有する。投影光学ユニット29は、6つのGIミラー、すなわち、ミラーM2からM7を有する。
ミラーM2からM7は、全てがミラー偏向効果に関して同じ方向を有する。この点に関して、投影光学ユニット29は、図14から図16に記載の投影光学ユニット26と同様である。
ミラーM1からM9は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット29のミラーM1からM9のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
ミラーM7を除いて、投影光学ユニット29のミラーのうちのいかなるものも、1よりも大きいy/xアスペクト比を持たない。ミラーM7のy/xアスペクト比は、約1.6である。
結像ビーム経路内の最後のミラーM9が最も大きい最大直径を有し、その大きさは930.3mmである。全ての他のミラーM1からM8の最大直径は、800mmよりも小さい。9つのミラーM1からM9のうちの4つは、600mmよりも小さい最大直径を有する。
ここでもまた、投影光学ユニット29は、ミラーM9内の通過開口部17の領域内に正確に1つの第1の平面中間像18を有し、かつ2つの第2の平面中間像19、20を有する。2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像光ビーム経路内でGIミラーM4とM5の間に位置する。2つの第2の平面中間像のうちの第2のもの20は、結像光ビーム経路内で2つのGIミラーM6とM7の間に位置する。
投影光学ユニット29からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
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Figure 0006799544
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Figure 0006799544
投影光学ユニット23は、9.67%の全体伝達率を有する。
投影光学ユニット29の像側開口数は、0.50である。第1の結像光平面xz内の縮小係数βxは4である。第2の結像光平面yz内の縮小係数βyは8である。ここでもまた、2つの結像光平面内の中間像の異なる個数は、奇数個のミラーに起因して像反転の補正をもたらす。
物体側主光線角度CRAは、5.0°である。入射瞳の最大掩蔽率は、12%である。物体−像オフセットdOISは、約2150mmである。投影光学ユニット29のミラーは、930mm×2542mm×1713mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
物体平面5は、x軸の周りに0.2°の角度Tだけ像平面9に対して傾斜される。
ウェーハに最も近いミラーM8と像平面9の間の作動距離は80mmである。平均波面収差rmsは11.4mλである。
投影光学ユニット29では、開口絞りASは、結像光ビーム経路内でミラーM1とM2の間に配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビームは、完全にアクセス可能である。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態30を図23から図25に基づいて以下の本文で説明する。図1から図22の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図23は、投影光学ユニット30の子午断面を示している。図24は、投影光学ユニット30のサジタル図を示している。図25は、投影光学ユニット30のミラーM1からM10の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット30は、3つのNIミラー、すなわち、ミラーM1、M9、及びM10を有する。投影光学ユニット30は、7つのGIミラー、すなわち、ミラーM2からM8を有する。
ミラーM2からM8は、全てがミラー偏向効果に関して同じ方向を有する。この点に関して、投影光学ユニット30は、図14から図16に記載の投影光学ユニット26及び図20から図22に記載の投影光学ユニット29と同様である。
ミラーM1からM10は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット30のミラーM1からM10のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
(表)
Figure 0006799544
投影光学ユニット30の全てのミラーM1からM10は、1よりも小さいy/xアスペクト比を有する。
結像ビーム経路内の最後のミラーM10が最も大きい最大直径を有し、その大きさは1008.9mmである。全ての他のミラーM1からM9の最大直径は、750mmよりも小さい。10個のミラーのうちの7つは、700mmよりも小さい最大直径を有する。10個のミラーのうちの4つは、600mmよりも小さい最大直径を有する。
ここでもまた、投影光学ユニット30は、ミラーM10内の通過開口部17の領域内に正確に1つの第1の平面中間像18を有し、かつ2つの第2の平面中間像19、20を有する。第1の平面中間像18と通過開口部17の間の距離は、最後のミラーM10と像視野8の間の距離の3分の1よりも小さい。
投影光学ユニット30では、2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、GIミラーM4での結像光3の反射の領域に位置する。2つの第2の平面中間像のうちの第2のもの20は、結像光ビーム経路内でGIミラーM6での反射の領域に位置する。
投影光学ユニット30からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
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Figure 0006799544
投影光学ユニット30は、9.88%の全体伝達率を有する。
投影光学ユニット30の像側開口数は0.55である。第1の結像光平面xz内の縮小係数βxは4である。第2の結像光平面yz内の縮小係数βyは8である。
物体側主光線角度CRAは5.0°である。入射瞳の最大掩蔽率は20%である。物体−像オフセットdOISは約2080mmである。投影光学ユニット30のミラーは、1008mm×3091mm×2029mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
物体平面5は、x軸の周りに17°の角度Tだけ像平面9に対して傾斜される。
ウェーハに最も近いミラーM10と像平面9の間の作動距離は87mmである。平均波面収差rmsは10.60mλである。
投影光学ユニット30では、開口絞りASは、結像光ビーム経路内でミラーM1とM2の間に配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビームは、完全にアクセス可能である。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態31を図26から図28に基づいて以下の本文で説明する。図1から図25の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図26は、投影光学ユニット31の子午断面を示している。図27は、投影光学ユニット31のサジタル図を示している。図28は、投影光学ユニット31のミラーM1からM10の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット31は、3つのNIミラー、すなわち、ミラーM1、M9、及びM10を有する。投影光学ユニット31は、7つのGIミラー、すなわち、ミラーM2からM8を有する。
ミラーM2からM8は、全てがミラー偏向効果に関して同じ方向を有する。この点に関して、投影光学ユニット30は、図23から図25に記載の投影光学ユニット30と同様である。
ミラーM1からM10は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット31のミラーM1からM10のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
(表)
Figure 0006799544
投影光学ユニット31の全てのミラーM1からM10は、1よりも小さいy/xアスペクト比を有する。
結像ビーム経路内の最後のミラーM10が最も大きい最大直径を有し、その大きさは892.0mmである。全ての他のミラーM1からM9の最大直径は550mmよりも小さい。10個のミラーのうちの8つは、500mmよりも小さい最大直径を有する。10個のミラーのうちの6つは、400mmよりも小さい最大直径を有する。
ここでもまた、投影光学ユニット31は、ミラーM10内の通過開口部17の領域内に正確に1つの第1の平面中間像18を有し、かつ2つの第2の平面中間像19、20を有する。2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像ビーム経路内でGIミラーM4での反射の領域に位置する。2つの第2の平面中間像のうちの第2のもの20は、結像ビーム経路内でGIミラーM7での反射の領域に位置する。
ミラーM7(図28を参照されたい)は、ここでもまた、投影光学ユニット31の物体視野4又は像視野8の湾曲基本形態に対応する基本形態GFを有する反射面境界輪郭RKを有する。この境界輪郭RKの側辺に沿って輪郭膨張部KAが配置され、図28ではこれらの対向膨張部RKを基本形態GFに関する長側縁であるその上に示している。これらの輪郭膨張部KAの機能は、図2から図4に記載の実施形態にある投影光学ユニット7のミラーM6を参照して上述したものに対応する。
投影光学ユニット31からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
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投影光学ユニット31は、8.72%の全体伝達率を有する。
投影光学ユニット31の像側開口数は0.55である。第1の結像光平面xz内の縮小係数βxは4である。第2の結像光平面yz内の縮小係数βyは7.5である。
物体側主光線角度CRAは5.0°である。入射瞳の最大掩蔽率は16%である。物体−像オフセットdOISは、約3230mmである。投影光学ユニット31のミラーは、891mm×2395mm×1615mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
投影光学ユニット31では、物体平面5は、像平面9と平行に延びる。
ウェーハに最も近いミラーM10と像平面9の間の作動距離は65mmである。平均波面収差rmsは、7.65mλである。
投影光学ユニット31では、開口絞りASは、結像光ビーム経路内でミラーM1とM2の間に配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビームは、完全にアクセス可能である。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態32を図29から図31に基づいて以下の本文で説明する。図1から図28の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図29は、投影光学ユニット32の子午断面を示している。図30は、投影光学ユニット32のサジタル図を示している。図31は、投影光学ユニット32のミラーM1からM7の反射面の境界輪郭をここでもまた示している。
投影光学ユニット32は、3つのNIミラー、すなわち、ミラーM1、M6、及びM7を有する。投影光学ユニット32は、4つのGIミラー、すなわち、ミラーM2からM5を有する。
ミラーM2からM5は、全てがミラー偏向効果に関して同じ方向を有する。この点に関して、投影光学ユニット32は、図14から図16に記載の投影光学ユニット26と同様である。
ミラーM1からM7は、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとしてここでもまた具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット32のミラーM1からM7のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
投影光学ユニット32の全てのミラーM1からM7は、1よりも小さいy/xアスペクト比を有する。ミラーM5のy/xアスペクト比は1.6よりも小さい。
結像ビーム経路内の最後のミラーM7は、最も大きい最大直径を有し、その大きさは903.2mmである。全ての他のミラーM1からM6の最大直径は600mmよりも小さい。7つのミラーのうちの5つは、500mmよりも小さい最大直径を有する。
ここでもまた、投影光学ユニット32は、ミラーM7内の通過開口部17の領域内に正確に1つの第1の平面中間像18を有し、かつ2つの第2の平面中間像19、20を有する。2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像ビーム経路内でミラーM3とM4の間に位置する。2つの第2の平面中間像のうちの第2のもの20は、結像ビーム経路内でミラーM4とM5の間に位置する。
投影光学ユニット32の像側開口数は0.45である。第1の結像光平面xz内の縮小係数βxは4である。第2の結像光平面yz内の縮小係数βyは8である。
物体側主光線角度CRAは5.2°である。物体−像オフセットdOISは、約2470mmである。
ウェーハに最も近いミラーM7と像平面9の間の作動距離は87mmである。平均波面収差rmsは、30.60mλである。
投影光学ユニット32では、開口絞りASは、結像光ビーム経路内でミラーM1とM2の間に配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビームは、完全にアクセス可能である。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態33を図32及び図34に基づいて以下の本文で説明する。図1から図31の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
図32及び図34に記載の投影光学ユニット33は、サジタル平面xz内で4倍、子午平面yz内で8倍の縮小を行う。
図32は、子午断面内の投影光学ユニット7、すなわち、yz平面内の結像光3(図2の個々の光線15を参照されたい)のビーム経路を示している。図34は、個々の光線15がxz平面上に投影された図、すなわち、サジタル図内の投影光学ユニット33を示している。子午平面yzを第2の結像光平面とも呼ぶ。第1の結像光平面xzHRは、結像光3のビーム経路のそれぞれの場所で第1の直交物体視野座標xと現在の結像光主伝播方向zHRとによって張られる平面である。結像光主伝播方向zHRは、中心視野点の主光線16のビーム方向である。通例では、この結像光主伝播方向zHRは、ミラーM1からM6での各ミラー反射において変化する。この変化は、第1の直交物体視野座標xの周りの現在の結像光主伝播方向zHRのそれぞれ着目するミラーM1からM6における中心視野点のこの主光線16の偏向角に等しい傾斜角度の傾斜として表すことができる。図32では、それぞれの第1の結像光平面xzHRを破線に示し、これらの平面は、各々作図面(yz平面)に対して垂直である。
以下では、簡略化の目的で第1の結像光平面xzHRを第1の結像光平面xzとも呼ぶ。
第2の結像光平面yzも同じく結像光主伝播方向zHRを含み、第1の結像光平面xzHRに対して垂直である。
投影光学ユニット33は子午平面yzにおいてのみ折り返されるので、第2の結像光平面yzは子午平面と一致する。
図32は、この図のy方向に互いから離間した3つの物体視野点から射出する各場合に3つの個々の光線15のビーム経路を示している。描いているのは、主光線16、すなわち、投影光学ユニット33の瞳平面内で瞳の中心を通過する個々の光線15と、各場合にこれら2つの物体視野点のものである上側コマ光線及び下側コマ光線とである。物体視野4から進んで、主光線16は、物体平面5の法線との5.2°の角度CRAを含む。
物体平面5は、像平面9と平行に位置する。
投影光学ユニット33は、0.55という像側開口数を有する。
図32に記載の投影光学ユニット33は、物体視野4から進んで個々の光線15のビーム経路のシーケンスでM1からM6と番号を振った合計で6つのミラーを有する。
図32は、ミラーM1からM6の計算上の反射面のセクションを示している。これらの計算上の反射面の一部分が使用される。実際のミラーM1からM6内には、反射面のうちのこの実際に使用される領域にオーバーハングを加えたものしか実際には存在しない。これらの使用反射面は、ミラー本体によって公知の方式で担持される。
図32に記載の投影光学ユニット33では、全てのミラーM1からM6は、法線入射ミラー、すなわち、結像光3が45°よりも小さい入射角で入射するミラーとして構成される。従って、全体的に、図32に記載の投影光学ユニット7は、4つの法線入射ミラーM1、M4、M7、及びM8を有する。これらの法線入射ミラーをNI(法線入射)ミラーとも呼ぶ。
投影光学ユニット7は、かすめ入射のためのミラー(GIミラー、かすめ入射ミラー)を持たない。
原理的には、説明する投影光学ユニットの全ての例示的実施形態は、工程において基本的な結像特性を変化させることなくxz平面と平行に延びる平面に関して鏡像反転させることができる。
ミラーM1からM6は、結像光3に対するこれらのミラーの反射率を最適化するコーティングを担持する。これらの高反射層は、連続する層を異なる材料から製造することができる多段層として構成することができる。交替する材料層を使用することができる。典型的な多段層は、それぞれモリブデン層とシリコン層とで製造された50個の二層を有することができる。これらは、例えば、C(炭素)、B4C(炭化ホウ素)で製造された追加の分離層を含有することができ、真空に対する保護層又は保護層系によって終端することができる。
NIミラー(法線入射ミラー)の反射率に関する更に別の情報は、DE 101 55 711 Aに見出される。
投影光学ユニット33の全てのミラーM1からM8の反射率の積として現れる投影光学ユニット33の全体反射率又は系伝達率は、R=7.0%である。
ミラーM6、すなわち、結像ビーム経路内で像視野8の上流にある最後のミラーは、最後から3番目のミラーM4から最後から2番目のミラーM5まで反射された結像光3の通過のための通過開口部17を有する。ミラーM6は、通過開口部17の周りで反射方式に使用される。他のミラーM1からM5のうちのいかなるものも通過開口部を持たず、これらのミラーは、間隙のない連続領域内で反射方式で使用される。
第1の結像光平面xz内では、投影光学ユニット33は、ミラーM4とM5の間の結像光ビーム経路内に正確に1つの第1の平面中間像18を有し、かつ2つの第2の平面中間像19、20を有する。この第1の平面中間像18は、通過開口部17の領域に位置する。通過開口部17と像視野8の間の距離は、通過開口部17と第1の平面中間像18の間の距離よりも4倍を超えて大きい。
第1の結像光平面xzに対して垂直な第2の結像光平面yz内では、結像光3は、正確に2つの第2の平面中間像19及び20を通過する。これら2つの第2の平面中間像のうちの第1のもの19は、結像光ビーム経路内でミラーM1とM2の間に位置する。2つの第2の平面中間像のうちの他方のもの20は、ミラーM4とM5の間の第1の平面中間像18の領域に位置する。すなわち、第1の平面中間像18と第2の平面中間像20の両方は、ミラーM6内の通過開口部17の領域に位置する。結像光3のビーム全体は、通過開口部17の場所で小さい直径を有する。従って、ミラーM4とM5の間の部分ビーム経路内で結像光3を低減することなく、通過開口部17の直径を小さいものとして選択することができる。
投影光学ユニット33では、正確に1個の第1の平面中間像である投影光学ユニット33内の第1の平面中間像の個数と、正確に2個の第2の平面中間像である投影光学ユニット33内の第2の平面中間像の個数とは互いに異なる。投影光学ユニット33では、中間像の個数は正確に1個だけ異なる。
より多くの中間像、すなわち、2つの第2平面中間像19及び20が存在する第2の結像光平面yzは、ミラーM1からM6の折り返し平面yzと一致する。この折り返し平面は、それぞれのミラーM1からM6での反射時の中心視野点の主光線16の入射平面である。第2の平面中間像は、通例では結像光主伝播方向zHRを定める中心視野点の主光線16に対して垂直ではない。中間像傾斜角度、すなわち、この垂直配置からの偏位は、原理上任意であり、0°と±89°の間にあるとすることができる。
中間像18、19、20の領域内には補助デバイス18a、19a、20aを配置することができる。これらの補助デバイス18aから20aは、結像光ビームの境界を少なくともセクション毎に定義するための視野絞りとすることができる。中間像18から20の中間像平面のうちの1つには、特にx方向に千鳥配置された指状絞りを有するUNICOMの様式にある視野強度規定デバイスを配置することができる。
ミラーM1からM6は、回転対称関数によって表すことができない自由曲面として具現化される。ミラーM1からM6のうちの少なくとも1つが回転対称非球面として具現化される投影光学ユニット33の他の実施形態も可能である。そのような回転対称非球面に対する非球面式は、DE 10 2010 029 050 A1から公知である。全てのミラーM1からM6をそのような非球面として具現化することも可能である。
以下の表は、投影光学ユニット33のミラーM1からM6に関するパラメータ「最大入射角」、「反射面のx方向広がり」、「反射面のy方向広がり」、及び「最大ミラー直径」を要約している。
(表)
Figure 0006799544
全てのミラーM1からM6上への結像光の最大入射角は、25°よりも小さい。この最大入射角は、ミラーM5上に存在し、22.0°である。
物体視野4の下流にある結像光ビーム経路内の最初の4つのミラーM1からM4上への結像光3の最大入射角は20°よりも小さい。最初の4つのミラーM1からM4上へのこの最も大きい入射角は、ミラーM3上に存在し、17.5°である。
y/xアスペクト比は、投影光学ユニット33のミラーM1からM6のうちのミラーM4において1という値から最も強く外れ、そこでは約1:2.6という値を有する。全ての他のミラーでは、y/xアスペクト比は、1:1と1:2.5の間の範囲にある。ミラーM1からM4のx/yアスペクト比は、各場合に2:1よりも大きい。
ミラーM4は、913mmの直径を有する最も大きい最大ミラー直径を有する。他のミラーM1からM3、M5、M6のうちのいかなるものも、800mmよりも大きい最大直径を持たない。
投影光学ユニット33内のミラーM2とM3の間の結像光ビーム経路内には瞳定義開口絞りASが配置される。開口絞りASの領域内では、結像光ビーム全体は、その円周全体にわたってアクセス可能である。開口絞りASは、結像光ビーム全体の外側断面全体を制限する。開口絞りASは、第2の平面中間像19に空間的に隣接して配置される。この配置は、ミラーM1とM2の間の結像光部分ビームをミラーM2とM3の間の結像光部分ビームに対して殆ど折り返さないことを可能にし、従って、ミラーM2上への結像光3の入射光線の相応に小さい最大入射角がもたらされる。
投影光学ユニット33からのミラーM1からM6の反射面からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

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Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544
投影光学ユニット33の全体反射率は、7.85%である。
ミラーの基準軸は、これらの表にある傾斜値によって明らかなように、全般的に像平面9の法線に対して傾斜される。
像視野8は、13mmの2倍のx広がりと1mmのy広がりとを有する。投影光学ユニット33は、13.5nmの照明光3の作動波長に対して最適化される。
絞りの絞り面の縁部(図32に関する表6も参照されたい)は、像側の視野中心点で絞り面の方向に完全な像側テレセントリックな開口を用いて伝播する照明光3の全ての光線の絞り面上の交点から出現する。絞りが開口絞りとして具現化される場合に、この縁部は内縁である。
絞りASは、平面内を延びることができ、又は他に3次元実施形態を有することができる。絞りASの広がりは、走査直交方向(x)におけるよりも走査方向(y)において小さいとすることができる。
投影光学ユニット33のz方向の設置長さ、すなわち、物体平面5と像平面9の間の距離は約2500mmである。
投影光学ユニット33では、瞳掩蔽率は、入射瞳の開口全体の15%である。従って、通過開口部17の結果として開口数の15%未満しか掩蔽されない。絞り18に関して上記で記述した絞り縁部の構成と類似の方式で掩蔽縁部が構成される。掩蔽絞りとしての実施形態の場合に、縁部は、絞りの外縁である。投影光学ユニット33の系瞳内では、掩蔽に起因して照明することができない面は、全体系瞳の面の0.152よりも小さい。系瞳内の非照明面は、x方向にy方向とは異なる広がりを有することができる。系瞳内の非照明面は、丸形、楕円形、正方形、又は矩形とすることができる。更に、系瞳内で照明することができないこの面は、系瞳の中心に対してx方向及び/又はy方向に偏心させることができる。
中心物体視野点と中心像視野点の間のy距離dOIS(物体−像オフセット)は約1100mmである。ミラーM5と像平面9の間の作動距離は90mmである。
投影光学ユニット33のミラーは、913mm×1418mm×1984mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
投影光学ユニット33は、像側で近似的にテレセントリックである。
図1に記載の投影露光装置1内で投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態34を図33及び図35に基づいて以下の本文で説明する。図33は、ここでもまた子午断面を示しており、図35は、投影光学ユニット34のサジタル図を示している。図1から図32及び図34の関連で上述した構成要素及び機能は、対応する場合に同じ参照符号によって表しており、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
ミラーM1からM6は、ここでもまた、上記で指定した自由曲面式(1)が適用される自由曲面ミラーとして具現化される。
以下の表は、投影光学ユニット34のミラーM1からM6のミラーパラメータをここでもまた示している。
(表)
Figure 0006799544
ミラーM1からM9のうちのいかなるものも、1よりも大きいその反射面のy/xアスペクト比を持たない。ミラーM2は、最も小さい約1:3.4のy/xアスペクト比を有する。
ここで、ミラーM6が最も大きい最大ミラー直径を有し、その大きさは950.9mmである。
投影光学ユニット34からの光学設計データは、それらの設計に関して図2に記載の投影光学ユニット7に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544

Figure 0006799544

Figure 0006799544
Figure 0006799544
投影光学ユニット34の全体反射率は、8.02%である。
投影光学ユニット34は、0.55という像側開口数を有する。第1の結像光平面xz内では、投影光学ユニット34は、4.00という縮小係数βxを有する。第2の結像光平面yz内では、投影光学ユニット21は、−8.00という縮小係数βyを有する。物体側主光線角度は5.2°である。投影光学ユニット34の設置長さは、約3000mmである。瞳掩蔽率は9%である。物体−像オフセットdOISは、約177.89mmであり、従って、図32に記載の投影光学ユニット7の物体−像オフセットdOISよりも有意に小さい。
投影光学ユニット34のミラーは、951mm×1047mm×2380mmのxyz縁部長さを有する直方体に収容することができる。
レチクル10、及び従って物体平面5は、x軸の周りに10°の角度Tだけ像平面9に対して傾斜される。この傾斜角度Tを図33に示している。
ウェーハに最も近いミラーM5と像平面9の間の作動距離は、約126mmである。
上記で記述した投影光学ユニットの一部のデータをここでもまた下記の表I及び表IIに要約する。それぞれの最初の列は、これらのデータをそれぞれの例示的実施形態に割り当てるように機能する。
以下の表Iは、開口数(NA)、x方向像視野広がり(視野サイズX)、y方向像視野広がり(視野サイズY)、像視野曲率(視野曲率)、及び全体反射率又は系伝達率(伝達率)という光学パラメータを要約している。
以下の表IIは、パラメータ「ミラータイプのシーケンス」(ミラータイプ順序)と、「ミラー偏向効果のシーケンス」(ミラー回転順序)と、「xz平面内の屈折力シーケンス」(x屈折力順序)と、「yz平面内の屈折力シーケンス」(y屈折力順序)とを指定している。これらのシーケンスは、それぞれ、ビーム経路内の最後のミラーで始まり、すなわち、逆ビーム方向を辿る。一例として、シーケンス「R0LLRRRL」は、図2に記載の実施形態におけるシーケンスM3からM1の偏向効果に関連する。
Figure 0006799544

Figure 0006799544
ミラータイプでは、細目「N」は、法線入射(NI)ミラーに関連し、表示「G」は、かすめ入射(GI)ミラーに関連する。屈折力シーケンスにおける「+」は、凹ミラー面を表し、「−」は、凸ミラー面を表している。xにおける屈折力シーケンスとyにおける屈折力シーケンスとを比較すると、例えば、図5に記載の実施形態を除く全ての例示的実施形態がxとyにおいて異なる屈折力シーケンスを有することを見ることができる。xとyにおいて異なる屈折力符号を有するこれらのミラーは、サドル面又は円環面を表している。例示的実施形態のうちの1つにおいてGIミラーが生じる限度までは、これらは、それぞれ、表IIのミラータイプシーケンスから推察することができるように少なくとも対で生じる。
微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成するために、投影露光装置1は、以下の通りに使用される。最初に、反射マスク10又はレチクルと基板又はウェーハ11とが与えられる。続いて、投影露光装置1を用いてレチクル10上の構造がウェーハ11の感光層の上に投影される。次に、ウェーハ11上の微細構造又はナノ構造、及び従って微細構造化構成要素が、感光層を現像することによって生成される。
7 結像光学ユニット
16 主光線
19a、20a 補助デバイス
OIS 物体−像オフセット
M1 ミラー

Claims (13)

  1. 投影リソグラフィのための結像光学ユニット(7;21;22;23;26;27;29)であって、
    結像光(3)を結像光ビーム経路に沿って物体平面(5)内の物体視野(4)から像平面(9)内の像視野(8)の中に案内するための複数のミラー(M1からM8;M1からM6;M1からM7;M1からM9;M1からM10)を含み、
    前記物体視野(4)は、
    第1の直交物体視野座標(x)と、
    第2の直交物体視野座標(y)と、
    によって張られ、
    第3の直交法線座標(z)が、両方の物体視野座標(x,y)に対して垂直であり、
    結像光学ユニット(7;21;22;23;26;27;29)が、
    前記結像光(3)が、結像光主伝播方向(zHR)が位置する第1の結像光平面(xzHR)内を伝播し、かつ
    前記結像光(3)が、前記結像光主伝播方向(zHR)が位置し、かつ前記第1の結像光平面(xzHR)に対して垂直である第2の結像光平面(yz)内を伝播する、
    ように具現化され、
    前記第1の結像光平面(xzHR)内を伝播する前記結像光(3)の第1の平面中間像(18)の個数と前記第2の結像光平面(yz)内を伝播する結像光(3)の第2の平面中間像(19,20;24,19,25)の個数が、互いに異なっている、
    ことを特徴とする結像光学ユニット(7;21;22;23;26;27;29)。
  2. 前記ミラーの少なくとも1つ(M2,M3,M5,M6;M2,M3,M4,M5;M1,M2,M3,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8)が、GIミラーとして具現化されることを特徴とする請求項1に記載の結像光学ユニット。
  3. 前記GIミラー(M2,M3,M5,M6;M2,M3,M4,M5;M1,M2,M3,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8)の使用反射面が、最大で3のその面寸法のアスペクト比(y/x)を有することを特徴とする請求項2に記載の結像光学ユニット。
  4. より多くの中間像(19,20;24,19,25)が存在する前記結像光平面(yz)は、前記少なくとも1つのGIミラー(M2,M3,M5,M6;M2,M3,M4,M5;M1,M2,M3,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8)の折り返し平面(yz)と一致することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の結像光学ユニット。
  5. 前記中間像のうちの1つ(19;24)が、前記GIミラー(M2;M3;M4)とその直ぐ上流の前記ビーム経路に配置されたミラーとの間の該GIミラー(M2;M3;M4)の上流の該ビーム経路内の前記折り返し平面と一致する前記結像光平面(yz)に具現化され、該中間像のうちの更に別の1つ(20;19;25)が、該GIミラー(M2;M3;M4)とその直ぐ下流の該ビーム経路に配置されたミラーとの間の該GIミラー(M2;M3;M4)の下流の該ビーム経路内の該折り返し平面と一致する該結像光平面(yz)に具現化されることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  6. 前記結像光(3)の前記ビーム経路内で互いに続く少なくとも2つのミラーが、同じ折り返し平面(yz)を有するGIミラー(M2,M3,M5,M6;M2,M3,M4,M5;M1,M2,M3,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7;M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8)として具現化され、該折り返し平面と一致する前記結像光平面(yz)内の中間像(19,20)が、これらの2つのGIミラー(M2,M3;M3,M4;M4,M5;M6,M7)の間の該ビーム経路に具現化されることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  7. 前記ミラーの少なくとも1つ(M8;M6;M7;M9;M10)が、前記結像光(3)の通過のための通過開口部(17)を有し、該ミラーの該少なくとも1つは、該結像光(3)を反射するように該通過開口部(17)の周りに具現化され、少なくとも1つの中間像(18)が、該通過開口部(17)の領域に位置することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  8. 前記ミラーの少なくとも1つ(M1,M4,M7,M8;M1からM6;M1,M6,M7;M4,M8,M9;M1,M8,M9;M1,M9,M10)が、NIミラーとして具現化されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  9. 前記物体視野(4)と前記像視野(8)の間の前記結像ビーム経路内の奇数個のミラー(M1からM7;M1からM9)を特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  10. 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の結像光学ユニットを含み、
    中間像のうちの1つ(18;19,20;24,19,25)の中間像平面に配置された補助デバイス(19a,20a)を含む、
    ことを特徴とする光学系。
  11. 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の結像光学ユニットを含み、
    光源(2)からの照明光(3)で物体視野(4)を照明するための照明光学ユニット(6)を含む、
    ことを特徴とする光学系。
  12. 請求項10又は請求項11に記載の光学系を含み、
    照明光(3)を生成するための光源(2)を含む、
    ことを特徴とする投影露光装置。
  13. 構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクル(10)及びウェーハ(11)を与える段階と、
    請求項12に記載の投影露光装置を用いて前記レチクル(10)上の構造を前記ウェーハ(11)の感光層の上に投影する段階と、
    前記ウェーハ(11)上に微細構造又はナノ構造を生成する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
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DE102017210269A1 (de) 2017-06-20 2017-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017210990A1 (de) 2017-06-28 2017-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld mit EUV-Abbildungslicht
DE102018200152A1 (de) 2018-01-08 2019-07-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
TW202328826A (zh) 2017-07-26 2023-07-16 德商卡爾蔡司Smt有限公司 投射微影中用於成像光之光束導引的光學元件
DE102017212869A1 (de) 2017-07-26 2019-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102017216458A1 (de) 2017-09-18 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102017216893A1 (de) 2017-09-25 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102018200954A1 (de) 2018-01-22 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018200955A1 (de) 2018-01-22 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Baugruppe zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018200956A1 (de) 2018-01-22 2018-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018201170A1 (de) * 2018-01-25 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102018207277A1 (de) 2018-05-09 2019-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithografiemaske, optisches System zur Übertragung von Original Strukturabschnitten der Lithografiemaske sowie Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, in dem mindestens ein Original-Strukturabschnitt einer Lithografiemaske anordenbar ist
DE102018208373A1 (de) 2018-05-28 2019-06-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018215505A1 (de) 2018-09-12 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102018216832A1 (de) 2018-10-01 2018-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bereitstellung einer Optik-Baugruppe
DE102020210829A1 (de) 2020-08-27 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020211096A1 (de) 2020-09-02 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacette für einen Feldfacettenspiegel einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212229B3 (de) 2020-09-29 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102020212367A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102020212351A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212569A1 (de) 2020-10-06 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102020212927A1 (de) 2020-10-14 2022-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102020213416A1 (de) 2020-10-23 2021-10-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung und einem Polarisator
CN112769039A (zh) * 2020-11-03 2021-05-07 深圳阜时科技有限公司 一种光源、发射模组、光学感测装置及电子设备
DE102020213837A1 (de) 2020-11-04 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Vorrichtung
DE102020215906A1 (de) 2020-12-15 2022-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Dämpfungseinrichtung, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021200114A1 (de) 2021-01-08 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelprojektionsoptik, Verfahren zur Überprüfung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021200113A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer optischen Vorrichtung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021212993A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Messung einer Absorption einer elektromagnetischen Strahlung durch ein optisches Element, Vorrichtung zur Messung einer Umformungseigenschaft eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102021101523B3 (de) 2021-01-25 2021-10-14 Carl Zeiss IQS Deutschland GmbH Vorrichtung zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesytems, Verfahren zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102021213096A1 (de) 2021-01-28 2022-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines mechanischen systems für eine lithographieanlage
DE102021201001A1 (de) 2021-02-03 2022-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021201203A1 (de) 2021-02-09 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102021201257A1 (de) 2021-02-10 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Spektrums einer Strahlung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021201396A1 (de) 2021-02-15 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrteiligen Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021201689A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202502B4 (de) 2021-03-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Verändern einer Form einer Oberfläche eines Objekts
DE102021202769A1 (de) 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202770A1 (de) 2021-03-22 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202802B3 (de) 2021-03-23 2022-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von atomarem Wasserstoff
DE102021202849A1 (de) 2021-03-24 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202911A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021202909A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021203475A1 (de) 2021-04-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021203721A1 (de) 2021-04-15 2022-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-sensor-vorrichtung und lithographieanlage
DE102021203723A1 (de) 2021-04-15 2022-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022108541A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Beprobungselementes und Beprobungselement
DE102022200726A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Vorrichtung zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021204265A1 (de) 2021-04-29 2022-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zu Reinigung einer Oberfläche eines Elementes und Reinigungsvorrichtung
DE102021204582B3 (de) 2021-05-06 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021205104A1 (de) 2021-05-19 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit deformierbarem Element und Verfahren zur Herstellung eines Elements
DE102021205149B3 (de) 2021-05-20 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Facettenspiegels
DE102021205278B4 (de) 2021-05-21 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Einstellbarer Abstandshalter, Optisches System, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102021205368A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Auslegung der Komponente
DE102021205425A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205426A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205775A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021205774A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021205809B3 (de) 2021-06-09 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Verschraubung eines Aktuator-Sensor-Moduls einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203929A1 (de) 2021-06-16 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Positionierung einer ersten Komponente eines optischen Systems, Komponente eines optischen Systems, optische Einrichtung und Lithografiesystem
DE102021206427A1 (de) 2021-06-22 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022115356A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Temperierung eines Bauteils
DE102021206953A1 (de) 2021-07-02 2022-06-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102022204833A1 (de) 2021-07-02 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021207522A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung einer Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage und Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102021208563A1 (de) 2021-08-06 2022-09-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bestimmen einer temperatur in einer lithographieanlage
DE102021208562A1 (de) 2021-08-06 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Temperaturmessvorrichtung, lithographieanlage und verfahren zum messen einer temperatur
DE102021208628A1 (de) 2021-08-09 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102021208664A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
DE102021120747A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren zur Entfernung eines Partikels von einem Maskensystem
DE102021208801B3 (de) 2021-08-11 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Auslegung einer Klebstoffschicht
DE102021208843A1 (de) 2021-08-12 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Verbindungselement
DE102021208879A1 (de) 2021-08-13 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, projektionsoptik und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209099A1 (de) 2021-08-19 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209098A1 (de) 2021-08-19 2022-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Schutzschlauch und projektionsbelichtungsanlage
DE102022121000B4 (de) 2021-08-23 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Schutzvorrichtung zum Schutz der optischen Wirkfläche und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022204387A1 (de) 2021-08-24 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zu reinigenden Oberfläche, Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie und Lithografiesystem
DE102021210103B3 (de) 2021-09-14 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021210104A1 (de) 2021-09-14 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210470B3 (de) 2021-09-21 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021210577A1 (de) 2021-09-23 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210708A1 (de) 2021-09-24 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Dosiervorrichtung und verfahren zum herstellen einer lithographieanlage
DE102021211181A1 (de) 2021-10-05 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsoptik
DE102022205758A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und verfahren
DE102021211619A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV- Mehrfachspiegelanordnung
DE102021211626A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Mehrfachspiegelanordnung
DE102021212394A1 (de) 2021-11-03 2023-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102021212553A1 (de) 2021-11-08 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022210796A1 (de) 2021-11-11 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021212971A1 (de) 2021-11-18 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021213168A1 (de) 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102021213441A1 (de) 2021-11-29 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021213458A1 (de) 2021-11-30 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021213610A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system, testgerät und anordnung
DE102021213612A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, testgerät, lithographieanlage, anordnung und verfahren
DE102021213864A1 (de) 2021-12-07 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102021214139A1 (de) 2021-12-10 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem Korrekturermittlungsmodul
DE102021214665A1 (de) 2021-12-20 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Temperierstruktur
DE102021214981A1 (de) 2021-12-23 2023-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und trockenvorrichtung
DE102022200205B3 (de) 2022-01-11 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Entfernung von Fremdkörpern
DE102022200264A1 (de) 2022-01-12 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels, optisches Bauelement, optische Baugruppe, Verfahren zur Verkippung eines Spiegels, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022213100A1 (de) 2022-01-13 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-/sensor-vorrichtung, optikmodul und lithographieanlage
DE102022200277A1 (de) 2022-01-13 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung, Präparationsverfahren und Präparationsvorrichtung zur Herstellung eines Grundkörpers, Grundkörper, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022200400A1 (de) 2022-01-14 2022-06-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022213113A1 (de) 2022-01-18 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Justageeinstellung, interferometrische Messvorrichtung, Hologrammvorrichtung und Lithografiesystem
DE102022212378A1 (de) 2022-01-24 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme und Kühlung eines Optikkörpers, Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Kühlverfahren zur Kühlung eines Optikkörpers, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022211909A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102022200976A1 (de) 2022-01-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kalibrierkörper und Verfahren zur Kalibrierung
DE102022201007A1 (de) 2022-01-31 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verbindung wenigstens einer ersten und einer zweiten Modulkomponente, Modul eines Lithografiesystems, optisches Element und Lithografiesystem
DE102023200212A1 (de) 2022-02-01 2023-08-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Manipulation von Schwingungen
DE102022201304A1 (de) 2022-02-08 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung des Endes einer Aufwärmphase eines optischen Elementes
DE102023200336A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Verbindungselement
DE102022201301A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung
DE102022212721A1 (de) 2022-02-16 2023-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102023201200A1 (de) 2022-03-01 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022202116A1 (de) 2022-03-02 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202241A1 (de) 2022-03-04 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202355A1 (de) 2022-03-09 2023-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegelbaugruppe, Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Mikrospiegelbaugruppe und Verfahren zum Verkippen einer Spiegelfläche
DE102023201812A1 (de) 2022-03-09 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung
DE102022202424A1 (de) 2022-03-10 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Prüfsystem zur Analyse von Dichtungssystemen
DE102023201828A1 (de) 2022-03-14 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Steckeraufnahme, Heizvorrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201560A1 (de) 2022-03-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202938A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202989A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Messung einer Ist-Verkippung einer optischen Oberfläche eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102022203150A1 (de) 2022-03-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Erfassung einer Temperaturverteilung und Lithografiesystem
DE102022203255A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022203257A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022203299A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überprüfung der Qualität einer Verschraubung
DE102022203254B3 (de) 2022-04-01 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Wasserführendes system, projektionsbelichtungsanlage und messvorrichtung
DE102022203298A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche
DE102022203369A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022203438B4 (de) 2022-04-06 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, optisches Modul, optische Abbildungseinrichtung und -verfahren, Verfahren zum Abstützen eines optischen Elements, mit aktiv verkippbarem optischem Element
DE102022203393A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203433A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
WO2023194220A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Device and method for aligning two components
DE102022208738A1 (de) 2022-08-24 2024-02-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203745A1 (de) 2022-04-13 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203758A1 (de) 2022-04-13 2023-10-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022203881A1 (de) 2022-04-20 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Leiterplatte für ein optisches system, optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen einer leiterplatte für ein optisches system
DE102022203999A1 (de) 2022-04-26 2022-07-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur, Vorrichtung zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur und Lithografiesystem
DE102022204095A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen einer Beleuchtungswinkelverteilung auf einem Objektfeld sowie Beleuchtungsoptik mit einer hierüber vorgegebenen Beleuchtungskanal-Zuordnung
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204044A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022204268A1 (de) 2022-04-29 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauteil für eine Lithographieanlage
DE102022204580A1 (de) 2022-05-11 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen oder betreiben eines spiegels in einer lithographieanlage
DE102022204643A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022205227A1 (de) 2022-05-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Ermittlung einer Ist-Deformation, Verfahren zur Einstellung einer Solldeformation und Lithografiesystem
DE102023203580A1 (de) 2022-05-31 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlmittelleitung zur Bereitstellung eines Fluids zur Temperierung von Bauteilen
DE102022214283A1 (de) 2022-06-07 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Lithographieanlage und Lithographieanlage
DE102022205815A1 (de) 2022-06-08 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206065B3 (de) 2022-06-15 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022206038A1 (de) 2022-06-15 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Aktuatoreffekten von Aktuatoren
DE102022206124A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten einer oberfläche eines optischen elements einer lithographieanlage
DE102022206126A1 (de) 2022-06-20 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206110A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206112A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206198A1 (de) 2022-06-21 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102023204960A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102022116700A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022206832A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum regeln einer position einer optischen komponente einer lithographieanlage
DE102022116693A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit schwingungsmindernden Abschnitten von Fluidleitungen und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
WO2024008676A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur herstellung eines grundkörpers eines optischen elementes für die halbleiterlithografie, grundkörper, optisches element und projektionsbelichtungsanlage
DE102022116694A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes, Grundkörper sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022208286A1 (de) 2022-08-09 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für die Halbleiterlithografie, optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116696A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element mit einer Anbindungsgeometrie und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116695A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für ein optisches Element sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116698B3 (de) 2022-07-05 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022116699A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022207027A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung von sensordaten eines optischen systems, optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023206334A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuervorrichtung und optisches system
DE102022207123A1 (de) 2022-07-12 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Zapfen für ein Spannsystem
DE102022207148A1 (de) 2022-07-13 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022207312A1 (de) 2022-07-18 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022207348A1 (de) 2022-07-19 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justierelementsatz
DE102023205175A1 (de) 2022-07-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bestimmen eines Gesamtschwerpunkts einer Verteilung von Lichtintensitäten
DE102022207555A1 (de) 2022-07-25 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022207546B3 (de) 2022-07-25 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Baugruppe, Beleuchtungsoptik, optisches System, Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie Bauteil
DE102022207545A1 (de) 2022-07-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102022207687A1 (de) 2022-07-27 2024-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Bauteils, computerimplementiertes Verfahren und Lithografiesystem
DE102022207689A1 (de) 2022-07-27 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Computerprogrammprodukt zur Identifikation von Kontaminationen bei Komponenten einer EUV-Lithografie-Anlage
DE102022207884B4 (de) 2022-07-29 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung, Verfahren zur interferometrischen Vermessung, Bearbeitungsverfahren, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022208010A1 (de) 2022-08-03 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung eines Fluids und Komponente
DE102022208231B3 (de) 2022-08-08 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022208204A1 (de) 2022-08-08 2023-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022208206A1 (de) 2022-08-08 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Stabilisierung einer Klebstoffverbindung einer optischen Baugruppe
DE102022209453A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Faserstrang für einen Sektorheizer, Sektorheizer und Projektionsvorrichtung
WO2024052300A1 (en) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system, radiation source apparatus, method for illuminating a reticle, and lithography system
DE102023203506A1 (de) 2022-09-12 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vakuumkammer für Komponenten für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur automatisierten Reinigung der Vakuumkammer
WO2024056600A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method to adjust an illumination beam path within an illumination optics and illumination optics having an adjustment system
DE102023206503A1 (de) 2022-09-14 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102022209791B3 (de) 2022-09-19 2023-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022209852A1 (de) 2022-09-19 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Thermische aktuatoranordnung
DE102022209854A1 (de) 2022-09-20 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung
DE102022209868A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische baugruppe, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023208854A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung zum kühlen einer positionssensitiven komponente einer lithographieanlage
DE102022209922A1 (de) 2022-09-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektometervorrichtung, messanordnung, verfahren zum herstellen eines optischen referenzelements und verfahren zum vermessen einer probe einer lithographieanlage
DE102022210024A1 (de) 2022-09-22 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Computergenerierten Hologramms, Regularisierungsverfahren und Lithografiesystem
DE102022210037A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zum Tempern mindestens eines Teilbereichs eines optischen Elementes
DE102022210035A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Führung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022210132A1 (de) 2022-09-26 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Herstellung der Komponente
DE102022210158A1 (de) 2022-09-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022210229A1 (de) 2022-09-27 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnetsystem und Verfahren zur reibungsreduzierten Lagerung und/oder Lagebeeinflussung eines optischen Elements
DE102022210171A1 (de) 2022-09-27 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022210289A1 (de) 2022-09-28 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Positionierung eines optischen Elements, Messvorrichtung zur Vermessung einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022210274A1 (de) 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung und messverfahren zum messen einer in einem optischen system abfallenden spannung, optisches system und lithographieanlage
DE102022210356A1 (de) 2022-09-29 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022125354A1 (de) 2022-09-30 2024-04-04 Asml Netherlands B.V. Kühlvorrichtung zum Kühlen einer positionssensitiven Komponente einer Lithographieanlage
DE102022211226A1 (de) 2022-10-24 2024-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022211334A1 (de) 2022-10-26 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ansteuerung eines Aktuators und Aktuator
DE102023207047A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlleitungsvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum steuern eines drucks einer kühlflüssigkeit in einer kühlleitung einer lithographieanlage
DE102023208302A1 (de) 2022-11-02 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh System für eine lithographieanlage und lithographieanlage
DE102022211696A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023208848A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines beleuchtungssystems einer lithographieanlage
DE102023208851A1 (de) 2022-11-08 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022211799A1 (de) 2022-11-08 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Manipulator, optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022211875A1 (de) 2022-11-09 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur lokaler Oberflächenerhebungen auf spiegelnden Oberflächen
DE102022212120A1 (de) 2022-11-15 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und fasereinblasvorrichtung
DE102022212136A1 (de) 2022-11-15 2023-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung von Bildfehlern hochauflösender Abbildungssysteme per Wellenfrontmessung
DE102022212168A1 (de) 2022-11-16 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Optik-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212167A1 (de) 2022-11-16 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Quellen-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212257A1 (de) 2022-11-17 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers und Grundkörper mit einer Leichtbaustruktur sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212377A1 (de) 2022-11-21 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Dichtungsvorrichtung, verfahren und verwendung
DE102022212382A1 (de) 2022-11-21 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Design einer Projektionsoptik sowie Projektionsoptik
DE102022213810A1 (de) 2022-12-16 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Linse eines Lithografiesystems, Optikvorrichtung für ein Lithografiesystem und Lithografiesystem
DE102022213752A1 (de) 2022-12-16 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Interferometervorrichtung zur Vermessung einer Oberfläche, Verfahren zur interferometrischen Vermessung einer Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022213987A1 (de) 2022-12-20 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Montage einer optischen Baugruppe, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023200146A1 (de) 2023-01-11 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justagesystem zur justage einer position eines facettenspiegels einer lithographieanlage
DE102023200329B3 (de) 2023-01-17 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Montage der optischen Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023200423A1 (de) 2023-01-20 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum dämpfen einer druckschwankung einer flüssigkeit in einer flüssigkeitsleitung einer kühlvorrichtung einer lithographieanlage
DE102023201137A1 (de) 2023-02-13 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und Verfahren zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102023201546B3 (de) 2023-02-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entschichten einer optischen Oberfläche, Vorrichtung zum Entschichten einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102023201840A1 (de) 2023-03-01 2024-02-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für die Halbleitertechnik und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201860A1 (de) 2023-03-01 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe und Verfahren zur Verbindung zweier Bauteile
DE102023203830A1 (de) 2023-04-25 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Distanzvorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102023203832A1 (de) 2023-04-25 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023203897A1 (de) 2023-04-27 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente einer lithographieanlage, komponente und lithographieanlage
DE102023204394A1 (de) 2023-05-11 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Minimierung von Druckschwankungen und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023205587A1 (de) 2023-06-15 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauelement für die Halbleiterlithografie, Verfahren zum Herstellen eines Gelenkkörpers für einen Sensor eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102024200329A1 (de) 2024-01-15 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Filtration eines Kühlschmiermittels, Bearbeitungseinrichtung sowie Lithografiesystem

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891806A (en) 1996-04-22 1999-04-06 Nikon Corporation Proximity-type microlithography apparatus and method
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
JP2002048977A (ja) 2000-08-01 2002-02-15 Nikon Corp 反射光学系及びこの光学系を用いたプロキシミティ露光装置
DE10052289A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
JP2004512552A (ja) * 2000-10-20 2004-04-22 カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス 8反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系
DE10155711B4 (de) 2001-11-09 2006-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
CN100582861C (zh) * 2004-12-23 2010-01-20 卡尔蔡司Smt股份公司 具有暗化光瞳的大孔径物镜
JP5366405B2 (ja) * 2004-12-23 2013-12-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 遮光瞳を有する高開口率対物光学系
EP1924888B1 (en) 2005-09-13 2013-07-24 Carl Zeiss SMT GmbH Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface
DE102007023884A1 (de) 2007-05-23 2008-11-27 Carl Zeiss Ag Spiegeloptik und Abbildungsverfahren zum seitenrichtigen und aufrechten Abbilden eines Objektes in ein Bildfeld
CN101836163B (zh) * 2007-08-20 2012-06-27 卡尔蔡司Smt有限责任公司 包括具有反射涂层的镜元件的投射物镜
DE102009045096A1 (de) 2009-09-29 2010-10-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einer Spiegelanordnung aus zwei Spiegeln
JP5469778B2 (ja) * 2010-04-22 2014-04-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置
DE102010029050A1 (de) 2010-05-18 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102011075579A1 (de) 2011-05-10 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel
DE102012202675A1 (de) * 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012212753A1 (de) * 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
DE102014208770A1 (de) 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik

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