KR20240036129A - 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치 - Google Patents

이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20240036129A
KR20240036129A KR1020247007473A KR20247007473A KR20240036129A KR 20240036129 A KR20240036129 A KR 20240036129A KR 1020247007473 A KR1020247007473 A KR 1020247007473A KR 20247007473 A KR20247007473 A KR 20247007473A KR 20240036129 A KR20240036129 A KR 20240036129A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical unit
mirrors
mirror
projection optical
plane
Prior art date
Application number
KR1020247007473A
Other languages
English (en)
Inventor
마르쿠스 쉬밥
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Publication of KR20240036129A publication Critical patent/KR20240036129A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/18—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 오브젝트 필드(4)로부터 이미지 필드(8)로 이미징 광(3)을 가이드하기 위한 복수의 미러(M-8)를 포함하는 투영 리소그래피용 이미징 옵틱(7)에 관한 것이다. 오브젝트 필드(4)는 2개의 오브젝트 필드 좌표(x, y)에 걸쳐 있으며 그 위에서 수직 좌표(z)는 수직으로 위치한다. 이미징 광(3)은 이미징 옵틱(7)의 적어도 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18)를 통해 제 1 이미징 광 평면(xzHR)으로 나아간다. 제 2 이미징 광 평면(yz)에서, 이미징 광은 이미징 옵틱(7)의 적어도 하나의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 통해 나아간다. 제 1 평면 중간 이미지(18)의 수와 제 2 평면 중간 이미지의 수(19, 20)는 서로 상이하다. 감소된 생산 비용의 이미징 옵틱이 제조된다.

Description

이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치{IMAGING OPTIC FOR IMAGING AN OBJECT FIELD IN AN IMAGE FIELD, AS WELL AS PROJECTION ILLUMINATION SYSTEM HAVING AN IMAGING OPTIC OF THIS TYPE}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2015 206 635.5 및 DE 10 2015 226 531.5의 우선권을 주장하고, 이것의 내용은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
본 발명은 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 또는 투영 광학 유닛에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 투영 광학 유닛을 포함하는 광학 시스템, 이러한 광학 시스템을 포함하는 투영 노광 장치, 이러한 투영 노광 장치를 사용하여 마이크로구조화된 소자 및 나노구조화된 소자를 제조하는 방법 및 이러한 방법에 의해 제조된 마이크로구조화된 소자 또는 나노구조화된 소자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 이미징 광학 유닛의 구성요소로서의 미러에 관한 것이다.
상기 상술된 타입의 투영 광학 유닛은 JP 2002/048977 A, "근접 타입" 투영 노광 장치를 기재하는 US 5,891,806로부터 그리고 WO 2008/141 686 A1 및 WO 2015/014 753 A1로부터 알려져 있다.
본 발명의 목적은 상기 상술된 타입의 이미징 광학 유닛을 개발하여 그 제조 비용을 줄이는 것이다.
본 발명에 있어서, 상기 목적은 청구항 1에 명시된 특징을 포함하는 이미징 광학 유닛에 의해 성취된다.
이미징 광학 유닛은 투영 리소그래피, 특히, EUV 투영 리소그래피용으로 설계된다.
이미징 광학 유닛은 2개의 이미징 광 평면에 상이한 수의 중간 이미지를 갖는 choristikonal 타입의 광학 유닛으로서 구현된다. 이러한 수의 차이는 정확히 1일 수 있되, 예컨대 2 또는 그 이상일 수 있다.
제 1 이미징 광 평면(xzHR)은 개별적인 이미징 광 주 전파 방향(zHR)과 제 1 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x)에 걸쳐 있다. 이미징 광 주 전파 방향(zHR)은, 기본적으로 z-방향으로 연장하는 현재 전파 좌표(zHR)가 이미징 광 주 전파 방향의 방향으로 연장할 때 까지 제 2 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x) 및 기준 좌표(z)에 걸쳐 있는 평면에서 기준 좌표(z)를 경사지게 함으로써 생성된다. 따라서, 제 1 이미징 광 평면의 위치는 이미징 광 주 전파 방향의 각 방향 변화에 의해 변화한다.
2개의 이미징 광 평면에서의 상이한 수의 중간 이미지는, 예컨대 그 범위가 너무 크지 않도록 보장하기 위해 그레이징 입사를 위한 미러의 영역에서 및/또는 설치 공간의 이유로 필수인 수축(constriction)의 영역에서, 빔 가이딩에 요구되는, 전체 이미징 광 빔을 좁히기 위하여 추가 설계 자유도로서 사용될 수 있다. 특히, 1과 명확히 다른 종횡비를 갖는 오브젝트 필드가 이미징되는 경우, 2개의 단면 치수의 이미징 광의 범위에 대한 요건은 2개의 이미징 광 평면에서 모든면에서 상이하므로 이러한 요건은 choristikonal-타입 설계에 의해 고려될 수 있는 것이 인지되었다. 2개의 이미징 광 평면 중 하나의 평면의 더 많은 수의 중간 이미지는 2, 3일 수 있거나 더 클 수 있다. 2개의 이미징 광 평면의 중간 이미지의 수의 더 작은 수는 0, 1, 2일 수 있고 또는 더 클 수 있다. 미러의 수는 6, 7, 8, 9 또는 10일 수 있다. 미러의 수는 더 작거나 더 클 수도 있다.
중간 이미지의 위치는 원칙적으로 이미징 광 주 전파 방향을 따라 오브젝트 필드와 이미지 필드 사이의 임의의 위치에 있을 수 있다. 개별적인 제 1 평면 중간 이미지 또는 제 2 평면 중간 이미지는 하나의 미러에서 반사의 위치에서 또는 2개의 미러 사이에 있을 수 있다. 각 경우에, 적어도 하나의 미러는 중간 이미지들 중 하나와 필드 평면 사이에 있을 수 있다.
이미징 광학 유닛의 모든 미러는 NI 미러 즉, 45°미만의 입사의 각과 이미징 광이 충돌하는 미러로서 구현될 수 있다. 이것은 컴팩트한 방식으로 이미징 광학 유닛을 구연하는 옵션을 이끌어 낸다. 또한, 모든 미러 상의 입사의 작은 각은 이미징 광학 유닛의 높은 전체 투과도, 즉, 높은 사용된 광 처리량을 가능하게 한다.
이미징 광학 유닛의 이미지 평면에 평행한 평면에서 측정된 오브젝트-이미지 오프셋은 1000mm보다 작을 수 있고, 800mm보다 작을 수 있고, 600mm보다 작을 수 있고, 400mm보다 작을 수 있고, 300mm보다 작을 수 있고, 200mm보다 작을 수 있고, 180mm보다 작을 수 있고, 특히 177.89mm일 수 있다.
오브젝트 평면은 유한한 각도로 이미지 평면에 관하여 경사질 수 있다.
이미징 광학 유닛은 이미징 광학 유닛의 미러들 중 2개의 미러 사이에서 이미징 광 빔 경로에 배치된 어퍼쳐 조리개를 가질 수 있고, 여기서, 어퍼쳐 조리개는 이미징 광의 빔의 전체 외부 단면의 범위를 정한다. 어퍼쳐 조리개는 모든 측으로부터의 외부로부터 접근가능하게 설계될 수 있다. 이러한 어퍼쳐 조리개의 도움으로, 이미징 광학 유닛의 동공 형태의 정의된 규정(prescription)을 제공하는 것이 가능하다.
어퍼쳐 조리개는 미러들 중 2개의 미러 사이의 이미징 광의 부분 빔 경로에 놓일 수 있고, 어퍼쳐 조리개는 미러들 중 2개의 미러 사이의 이미징 광의 추가 부분 빔 경로에 배치되는 제 2 평면 중간 빔들 중 하나에 공간적으로 인접하게 놓일 수 있다. 어퍼쳐 조리개의 이러한 배치는 심지어 어퍼쳐 조리개의 영역에서도 작은 폴딩 각도로 이미징 광학 유닛을 구현하는 옵션을 이끌어 낸다.
이미징 광학 유닛의 동공 차폐(pupil obscuration)는 최대 15%일 수 있다. 불투명한 동공 표면의 표면 부분, 즉 전체 동공 표면에 관하여 이미징을 위해 사용될 수 없는 동공 표면으로 정의되는 이러한 동공 차폐는 이미징에 거의 영향을 미치지 않는다. 동공 차폐는 15%보다 작을 수 있고, 12%보다 작을 수 있고, 10%보다 작을 수 있으며, 예를 들어 9%일 수 있다.
이미징 광학 유닛의 모든 미러들 상의 이미징 광의 최대 입사 각도는 25°보다 작을 수 있다. 이미징 광의 이러한 최대 입사 각도는 EUV 광이 사용된 광으로서 사용되지만 높은 반사도를 갖는 미러의 구성을 가능하게 한다. 최대 입사 각도는 22°보다 작을 수 있다.
오브젝트 필드의 하류의 이미징 광 빔 경로의 이미징 광학 유닛의 처음 4개의 미러 상에서의 이미징 광의 최대 입사 각도는 20°보다 작을 수 있다. 처음 4개의 미러 상의 이미징 광의 이러한 최대 입사 각도는 상응하는 장점을 갖는다. 최대 입사 각도는 19°보다 작을 수 있고, 18°보다 작을 수 있고, 최대 17.5°일 수 있으며, 최대 16.6°일 수도 있다.
이미징 광학 유닛의 오브젝트 평면은 0°보다 큰 각도만큼 이미지 평면에 대하여 경사질 수 있다. 이미지 평면에 대한 오브젝트 평면의 이러한 경사는 특히 모든 미러 상의 작은 최대 경사 각도를 성취하는데 있어서 적절한 것으로 알려져 있다. 경사 각도는 1°보다 클 수 있고, 2°보다 클 수 있고, 4°보다 클 수 있고, 5°보다 클 수 있고, 7°보다 클 수 있고, 8°보다 클 수 있으며, 예를 들어 10°이 될 수 있다.
이미징 광학 유닛의 제 1 평면 중간 이미지들 중 하나 및 제 2 평면 중간 이미지들 중 하나는 이미징 광의 통과를 위한 이미징 광학 유닛의 미러들 중 하나의 통로 개구의 영역에 놓일 수 있다. 이러한 중간 이미지 배치는 전체 이미징 광 빔의 양쪽 단면 치수의 유리한 수축을 야기한다.
그레이징 입사를 위한 적어도 하나의 미러(GI 미러; 45°보다 더 큰 입사 각도)를 갖는 청구항 2에 기재된 바와 같은 이미징 광학 유닛의 구성에서, choristikonal-타입 실시예의 장점은 특히 유리하다.
청구항 3에 기재된 GI 미러에 대한 종횡비 조건은 관리가능하게 큰 GI 미러를 야기하고, 이것의 생산 비용이 따라서 정당화된다. 종횡비를 계산할 때, GI 미러의 최대 크기의 반사면이 먼저 측정되고 이어서 관련된 치수 값이 크기의 이러한 방향에 수직인 반사면의 범위로 나뉜다. GI 미러의 사용된 반사면의 종횡비는 최대 2.5, 최대 2, 최대 1.95, 최대 1.9, 최대 1.75, 최대 1.5, 최대 1.25, 최대 1.2, 최대 1.1, 최대 1.05일 수 있다.
청구항 4에 기재된 중간 이미지의 수 분포는 GI 미러 폴딩 평면에서의, 즉, 유리하게 수축될 수 있는 GI 미러 상의 중심 필드 지점의 주 광선의 입사 평면에서의 이미징 광 빔을 야기한다.
청구항 5 및 청구항 6에 기재된 중간 이미지의 분포는 GI 미러의 컴팩트한 설계에 특히 유리하다. 또한, 동일한 이미징 광학 유닛내에서 그 사이에 놓인 중간 이미지를 갖는 복수의 GI 미러 쌍이 존재할 수 있다.
청구항 7에 기재된 중간 이미지 배치는 미러 통로 개구의 영역에서의 이미징 광 빔의 유리한 수축을 야기한다. 중간 이미지는 1보다 큰 종횡비를 갖는 오브젝트 필드의 경우에 더 큰 오브젝트 필드 치수를 따르는 걸쳐있는(spanning) 좌표를 갖는 이미징 광 평면에 놓일 수 있다. 이러한 중간 이미지는 전체 광 빔이 더 큰 필드 치수로 인하여 빔이 더 큰 직경을 갖는 경향이 있는 좌표를 따라 더 강하게 수축되는 것을 보장한다. 이어서, 중간 이미지는 통로 개구와 이미지 필드 사이의 거리가 통로 개구와 중간 이미지 사이의 거리보다 3배 더 길 경우 통로 개구의 영역에 있다. 이 거리 사이의 비는 3.5보다 클 수 있고, 4보다 클 수 있고, 5보다 클 수 있고, 7보다 클 수 있고, 10보다 클 수 있으며, 더 클 수 있다. 통로 개구는 그의 영역에 놓인 제 1 평면 중간 이미지들 중 하나의 이미지와 제 2 평면 중간 이미지들 중 하나의 이미지 모두를 갖는 통로 개구가 될 수 있다.
이미징 광학 유닛의 choristikonal-타입 설계는 적어도 하나의 NI 미러(수직 입사에 가까운 입사 각도; 45°보다 작은 입사 각도를 갖는 미러)를 갖는 청구항 8에 기재된 실시예의 경우에 유리한 것으로 알려진다. 여기서, 다양한 이미징 광 평면들 간의 중간 이미지의 상응하는 분포는 예컨대 필드 조리개 또는 필드 측 보조 장치를 간소화할 수 있다. 이로써, 또한, 어퍼쳐 조리개에 대한 위치 규정을 간소화하는 것이 가능하다. 적어도 하나의 GI 미러 및 적어도 하나의 NI 미러를 갖는 이미징 광학 유닛의 혼합된 실시예가 가능하다. 대안적으로 이미징 광학 유닛은 NI 미러만을 가질 수 있다.
청구항 9에 기재된 이미징 광학 유닛의 경우에, 정확히 1인 2개의 이미징 광 평면의 중간 이미지의 수의 차는 홀수의 미러로 인해 유발된 이미지 플립(image flip)의 보상을 야기할 수 있다.
이미징 광학 유닛의 미러들 중 적어도 하나는 자유 곡면으로서 구현되는 반사면을 가질 수 있다. 이러한 자유 곡면의 예시는 이하에서 또한 기재될 것이다.
청구항 10에 기재된 광학 시스템은 다양한 이미징 광 평면의 상이한 수의 중간 평면에 대한 설계 자유도의 옵션을 활용한다. 보조 장치는 UNICOM식의 세기(intensity) 규정 장치 또는 필드 조리개이 될 수 있다.
청구항 11에 기재된 광학 시스템의 장점은 보조 장치를 갖는 광학 시스템 및 이미징 광학 유닛에 관하여 상기 이미 기재된 것에 상응한다. 청구항 11에 기재된 광학 시스템은 또한 이러한 보조 장치를 가질 수 있다.
광원은 EUV 광원일 수 있다. 대안적으로, DUV 광원, 즉, 193nm의 파장을 갖는 광원이 또한 사용될 수 있다.
청구항 12에 기재된 투영 노광 장치, 청구항 13에 기재된 제조 방법 및 청구항 14에 기재된 마이크로구조화된 소자 또는 나노구조화된 소자의 장점은 이미징 광학 유닛 및 광학 시스템에 관하여 상기 기재된 장점에 상응한다. 특히, 반도체 소자, 예컨대 메모리 칩은 투영 노광 장치를 사용하여 제조될 수 있다.
본 발명의 추가 목적은, 이미징 광 빔 경로를 따라 오브젝트 평면의 오브젝트 필드로부터 이미지 평면의 이미지 필드내로 이미징 광을 가이드하기 위하여 이미징 광학 유닛의 소자로서 정당한(justifiable) 아웃레이를 갖고 제조될 수 있는 미러를 개발하는 것이다.
본 발명에 있어서, 이러한 목적은 청구항 15에 명시된 특징을 포함하는 미러에 의해 성취된다.
본 발명에 있어서, 전체 이미징 광 빔의 경계 윤곽는 볼록한 프로파일을 가질 필요는 없는 것이 인지되었다. 본 발명에 따라 적어도 2개의 윤곽 벌지를 포함하는 미러의 반사면 경계 윤곽은 전체 이미징 광 빔의, 상응하는 벌지와 함께 형성되는 경계 윤곽이 반사될 수 있는 것을 보장한다. 더욱이, 이러한 반사 오브젝트를 위한 미러는 불필요하게 큰 설계를 갖지 않으므로 그의 제조 비용을 줄인다.
특히, 미러는 상기 명시된 특징을 포함하는 이미징 광학 유닛에서 사용될 수 있다. 미러는 EUV 미러로서 구현될 수 있으며 상응하게 높은 반사 코팅을 가질 수 있다. 이러한 코팅은 다층(multi-ply) 코팅으로서 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 미러는 상의어 "이미징 광학 유닛", "광학 시스템", "투영 노광 장치" 소자에 관한 특징과 결합될 수 있다.
이미징 광학 유닛은 윤곽 벌지를 갖는 복수의 이러한 미러를 가질 수 있다. 윤곽 벌지를 갖는 미러는 특히 이미징 광학 유닛의 중간 이미지의 영역에 배치될 수 있다. 윤곽 벌지를 갖는 미러는 GI(그레이징 입사) 미러 또는 NI(수직 입사) 미러일 수 있다.
미러는 곡선형 기본 형태 또는 직사각형 기본 형태를 갖는 반사면을 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 참조하여 이하에서 더 상세히 기재된다.
도 1은 EUV 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는 2개의 선택된 필드 지점의 상부 코마 광선과 하부 코마 광선에 대한 그리고 주 광선에 대한 이미징 빔 경로가 도시되는, 도 1에 따른 투영 노광 장치의 투영 렌즈에서 사용될 수 있는 이미징 광학 유닛의 일 실시예를 자오 단면으로 도시한다.
도 3은 도 2의 보기 방향(viewing direction)(Ⅲ)으로부터 보여지는 바와 같이 도 2에 따른 이미징 광학 유닛의 도면을 도시한다.
도 4는 도 2 및 도 3에 따른 이미징 광학 유닛의 미러의 광학적으로 사용된 영역의 경계 윤곽의 평면도를 도시한다.
도 5는 도 2와 유사하게, 도 1에 따른 투영 노광 장치의 투영 렌즈로서 사용될 수 있는 이미징 광학 유닛의 추가 실시예를 도시한다.
도 6은 도 5의 보기 방향(Ⅵ)으로부터 도시되는, 도 5에 따른 이미징 광학 유닛의 도면을 도시한다.
도 7은 도 5 및 도 6에 따른 이미징 광학 유닛의 미러의 광학적으로 사용된 영역의 경계 윤곽의 평면도를 도시한다.
도 8 내지 도 31은 도 5 내지 도 7과 유사하게, 도 1에 따른 투영 노광 장치의 투영 렌즈로서 사용될 수 있는 이미징 광학 유닛의 추가 실시예를 도시한다.
도 32는, 2개의 선택된 필드 지점의 상부 코마 광선과 하부 코마 광선에 대한 그리고 주광선에 대한 이미징 빔 경로가 도시되는, 도 1에 따른 투영 광학 장치의 투영 렌즈로서 사용될 수 있는 이미징 광학 유닛의 실시예를 자오 단면으로 도시한다.
도 33은 도 1에 따른 투영 노광 장치에서 투영 렌즈로 사용될 수 있는 이미징 광학 유닛의 추가 실시예를 도 32와 유사하게 도시한다.
도 34는 도 32의 보기 방향(XXXIV)으로부터의 도면을 도시한다.
도 35는 도 33의 보기 방향(XXXV)으로부터의 도면을 도시한다.
마이크로리소그래피 투영 노광 장치(1)는 조명 광 또는 이미징 광(3)을 위한 광원(2)을 갖는다. 광원(2)은, 예컨대 5nm와 30nm 사이, 구체적으로 5nm와 15nm 사이의 파장 범위에서 광을 발생시키는 EUV 광원이다. 광원(2)은 플라즈마 기반 광원(레이저 생성 플라즈마(LPP), 가스 방전 생성 플라즈마(GDP)) 또는 신크로트론 기반 광원, 예컨대 자유 전자 레이저(FEL)가 될 수 있다. 구체적으로, 광원(2)은 13.5nm의 파장을 갖는 광원이거나 6.9nm의 파장을 갖는 광원일 수 있다. 다른 EUV 파장도 가능하다. 일반적으로, 예컨대 가시 파장 또는, 마이크로리소그래피(예컨대, DUV, 심자외선)에 사용되게 될 수 있으며 적절한 레이저 광원 및/또는 LED 광원이 이용 가능한 기타 파장(예컨대, 365nm, 248nm, 193nm, 157nm, 129nm 및 109nm)과 같은 투영 노광 장치(1)에서 가이드되는 조명 광(3)에 대해 심지어 임의의 파장도 가능하다. 조명 광(3)의 빔 경로는 도 1에서 매우 개략적으로 도시한다.
조명 광학 유닛(6)이 조명 광(3)을 광원(2)으로부터 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)로 안내하는 역할을 한다. 조명 광학 유닛 또는 이미징 광학 유닛(7)을 사용하여, 오브젝트 필드(4)는 미리 결정된 축소 스케일로 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)에 이미징된다.
투영 노광 장치(1) 및 투영 광학 유닛(7)의 여러 실시예의 기재를 용이하게 하기 위해, 데카르트 xyz-좌표계를 도면에 나타내며, 이러한 좌표계로부터, 도면에 예시하는 구성요소의 위치 관계는 자명하게 된다. 도 1에서, x-방향은 도면의 평면에 수직으로 이 평면 내로 진행한다. y-방향은 왼쪽을 향해 진행하며, z-방향은 위로 진행한다. 오브젝트 평면(5)은 xy-평면에 평행하게 연장한다.
투영 광학 유닛(7)에서, 오브젝트 필드(4) 및 이미지 필드(8)는 벤트(bend) 또는 곡선 실시예 및 구체적으로 부분 고리형상인 실시예를 갖는다. 이러한 필드 곡률의 곡률의 반경은 이미지 측 상에서 81mm일 수 있다. 오브젝트 필드(4) 또는 이미지 필드(8)의 경계 윤곽의 기본 형태는 상응하는 밴드를 갖는다. 대안적으로, 직사각형 형상으로 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8)를 구현하는 것이 가능하다. 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8)는 1보다 큰 x/y-종횡비를 갖는다. 그러므로, 오브젝트 필드(4)는 x-방향으로 더 긴 오브젝트 필드 치수와 y-방향으로 더 짧은 오브젝트 필드 치수를 갖는다. 이들 오브젝트 필드 치수는 필드 좌표(x 및 y)를 따라 연장한다.
따라서, 오브젝트 필드(4)는 제 1 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x) 및 제 2 데카르트 오브젝트 필드 좌표(y)에 걸쳐 있다. 2개의 오브젝트 필드 좌표(x 및 y)에 수직인 제 3 데카르트 좌표(z)는 또한 수직 좌표로 이하에서 지칭된다.
도 2 이하에서 도시한 예시적인 실시예 중 하나는 투영 광학 유닛(7)에 사용될 수 있다. 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)은 자오 평면(yz)에서 8의 팩터만큼 감소하며, 사지탈 평면(xz)에서 4의 팩터만큼 감소한다. 투영 광학 유닛(7)은 왜상 투영 광학 유닛이다. 2개의 이미징 광 평면(xz, yz)의 기타 감소 스케일, 예컨대 3x, 5x, 6x 또는 8x보다 더 큰 감소 스케일이 가능하다. 대안적으로, 투영 광학 유닛(7)은 예컨대 8의 팩터만큼의 축소와 같이, 1개의 이미징 광 평면(xz, yz)에서의 개별적인 동일한 감소 스케일을 가질 수 있다. 이어서, 기타 감소 스케일은 또한 예컨대 4x, 5x이 가능하며 또는 심지어 8x보다 큰 감소 스케일이 가능하다. 개별적인 감소 스케일은 이미지 플립을 동반하거나 동반하지 않을 수 있고, 이것은 이후에 감소 스케일의 적절한 부호 규격에 의해 설명된다.
도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)의 실시예에서, 이미지 평면(9)은 오브젝트 평면(5)에 평행하게 배치된다. 이 경우에 이미징되는 것은 레티클로도 지칭되며 오브젝트 필드(4)와 일치하는 반사 마스크(10)의 섹션이다. 레티클(10)은 레티클 홀더(10a)에 의해 운반된다. 레티클 홀더(10a)는 레티클 변위 드라이브(10b)에 의해 변위된다.
투영 광학 유닛(7)에 의한 이미징은, 기판 홀더(12)에 의해 운반되는 웨이퍼 형태의 기판(11)의 표면 상에서 구현된다. 기판 홀더(12)는 웨이퍼 또는 기판 변위 드라이브(12a)에 의해 변위된다.
도 1은, 레티클(10)과 투영 광학 유닛(7) 사이에서 이 투영 광학 유닛에 입사하는 조명 광(3)의 광선 빔(13)과, 투영 광학 유닛(7)과 기판(11) 사이에서 투영 광학 유닛(7)으로부터 출사되는 조명 광(3)의 광선 빔(14)을 개략적으로 예시한다. 투영 광학 유닛(7)의 이미지 필드-측 개구수(NA)는 도 1에서 축척대로 재현되지는 않는다.
투영 노광 장치(1)는 스캐너 타입이다. 레티클(10)과 기판(11) 모두는 투영 노광 장치(1)의 동작 동안 y-방향으로 스캐닝된다. y-방향으로의 레티클(10)과 기판(11)의 단계적 변위가 기판(11)의 개별 노광 사이에서 수행되는 스테퍼 타입의 투영 노광 장치(1)도 가능하다. 이들 변위는, 변위 드라이브(10b 및 12a)의 적절한 작동에 의해 서로에게 동기적으로 수행된다.
도 2 및 도 3은 투영 광학 유닛(7)의 제 1 실시예의 광학 설계를 도시한다. 도 2는 자오 단면으로 투영 광학 유닛(7), 즉, yz 평면의 이미징 광(3)의 빔 경로를 도시한다. 자오 평면(yz)은 제 2 이미징 광 평면으로도 지칭된다. 도 3은 사지탈 평면(sagittal plane)(xz)의 투영 광학 유닛(7)의 이미징 빔 경로를 도시한다. 제 1 이미징 광 평면(xzHR)은 현재 이미징 광 주 전파 방향(zHR) 및 제 1 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x)에 의해 이미징 광(3)의 빔 경로의 개별적인 위치에 걸쳐있는 평면이다. 이미징 광 주 전파 방향(zHR)은 중심 필드 지점의 주 광선(16)의 빔 방향이다. 원칙적으로, 이러한 이미징 광 주 전파 방향(zHR)은 미러(M1 내지 M8)에서 각각의 미러 반사에서 변한다. 이러한 변화는 개별적으로 고려된 미러(M1 내지 M8)에서 중심 필드 지점의 이러한 주 광선(16)의 편향 각도와 동일한 경사 각도에 대한 제 1 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x)에 대한 현재 이미징 광 주 전파 방향(zHR)의 경사로서 기재될 수 있다. 후속하여, 제 1 이미징 광 평면(xzHR)은 또한 간소화를 목적으로 제 1 이미징 광 평면(xz)으로 지칭된다.
마찬가지로, 제 2 이미징 광 평면(yz)은 이미징 광 주 전파 방향(zHR)을 포함하며 제 1 이미징 광 평면(xzHR)에 수직이다.
투영 광학 유닛(7)이 자오 평면(yz)에서만 폴딩되므로, 제 2 이미징 광 평면(yz)은 자오 평면과 일치한다.
도 2는, 도 2에서 y-방향으로 서로로부터 이격되는 3개의 오브젝트 필드 지점으로부터 출사하는 3개의 개별 광선(15)의 각 경우의 빔 경로를 도시한다. 여기서 도시하는 것은 주 광선(16), 즉 투영 광학 유닛(7)의 동공 평면의 동공의 중심을 통과하는 개별 광선(15)과, 각 경우에 이들 2개의 오브젝트 필드 지점의 상부 및 하부 코마 광선이다. 오브젝트 필드(4)로부터 진행하여, 주 광선(16)은 오브젝트 평면(5)의 법선과 5.1°의 각도(CRA)를 포함한다.
오브젝트 평면(5)은 이미지 평면(9)에 평행하게 놓인다.
투영 광학 유닛(7)은 0.55의 이미지-측 개구수를 갖는다.
도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)은 총 8개의 미러를 가지며, 이들 미러는, 오브젝트 필드(4)로부터 진행하여, 개별 광선(15)의 빔 경로의 순서로 M1 내지 M8로 번호가 매겨진다.
도 2 내지 도 4는 미러(M1 내지 M8)의 계산된 반사면의 단면을 도시한다. 이러한 계산된 반사면의 일부가 사용된다. 돌출부(overhang)를 더하고, 반사면의 이러한 실제로 사용된 영역만이 실제 미러(M1 내지 M8)에 실질적으로 존재한다. 이러한 사용된 반사면은 미러 바디에 의해 알려진 방식으로 수행된다.
도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에서, 미러(M1, M4, M7 및 M8)는 수직 입사를 위한 미러로서, 즉 이미징 광(3)이 45°보다 작은 입사각으로 충돌하는 미러로서 구성된다. 그에 따라, 전체적으로, 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)은 수직 입사를 위해 4개의 미러(M1, M4, M7 및 M8)를 갖는다. 수직 입사를 위한 이러한 미러는 NI(수직 입사) 미러로서 지칭된다.
미러(M2, M3, M5 및 M6)는 조명 광(3)의 그레이징 입사를 위한 미러, 즉 조명 광(3)이 45°보다 큰 그리고 구체적으로 60°보다 큰 입사각으로 충돌하는 미러이다. 그레이징 입사를 위한 미러(M2, M3 및 M5, M6) 상의 이미징 광(3)의 개별 광선(15)의 통상의 입사각은 80°의 영역에 있다. 전체적으로, 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)은 그레이징 입사를 위한 정확히 4개의 미러(M2, M3, M5 및 M6)를 갖는다. 그레이징 입사를 위한 미러는 GI(그레이징 입사) 미러로도 지칭된다.
미러(M2 및 M3)는 이미징 광(3)의 빔 경로에서 바로 잇달아 바로 배치되는 미러 쌍을 형성한다. 미러(M5 및 M6)는 이미징 광(3)의 빔 경로에서 바로 잇달아 배치되는 미러 쌍을 또한 형성한다.
미러 쌍(한편으론 M2, M3 및 다른 한편으론 M5, M6)은, 개별 광선(15)의 반사각이 이들 2개의 미러 쌍의 각각의 미러(M2, M3 및 M5, M6)에서 더해지도록 이미징 광(3)을 반사한다. 그에 따라, 각각의 미러 쌍(M2, M3 및 M5, M6)의 각각의 제2 미러(M3 및 M6)는, 각각의 제1 미러(M2, M5)가 각각의 개별 광선(15)에 가하는 편향 효과를 더한다. 미러 쌍(M2, M3 및 M5, M6)의 미러의 이러한 배치는 조명 광학 유닛을 위해 DE 10 2009 045 096A1에 기재한 것과 대응한다.
그레이징 입사를 위한 미러(M2, M3, M5 및 M6)는 각각 반경이 매우 큰 절대값을 가지며, 즉 이들 미러는 평면 표면으로부터 상대적으로 작은 편차를 갖는다. 그레이징 입사를 위한 이들 미러(M2, M3, M5 및 M6)는 비교적 약한 굴절력, 즉, 오목 또는 볼록 미러인 미러보다 낮은 빔 형성 효과를 각각 갖는다. 미러(M2, M3, M5 및 M6)는 특정한 이미징 수차 정정 및 구체적으로 국부적 수차 정정에 기여한다.
편향 방향은 투영 광학 유닛(7)의 미러의 편향 효과를 특징화하기 위한 목적으로 개별적으로 도시된 자오 단면을 기초로 이하에서 정의된다. 자오 단면의 개별적인 입사 빔 방향에 도시되는 바와 같이, 예컨대 도 2에 있어서, 시계 방향의 개별 미러의 편향 효과, 즉, 우측으로의 편향은 약어 "R"로 표시된다. 예시로서, 투영 노광 장치(7)의 미러(M2)는 이러한 편향 효과 "R"을 갖는다. 반시계 방향으로, 즉, 이러한 미러 상에 개별적으로 입사한 빔 방향에서 볼 때 좌측을 향한 미러의 편향 효과는 약어 "L"로 표시된다. 투영 광학 유닛(7)의 미러(M1 및 M5)는 "L" 편향 효과의 예시이다. -1°<f <1 °인 폴딩 각도(f)를 갖는 미러의, 약한 편향 효과 또는 전혀 편항하지 않는 효과는 약어 "0"로 표시된다. 투영 광학 유닛(7)의 미러(M7)는 "0" 편향 효과에 대한 예시이다. 전체적으로, 미러(M1 내지 M8)에 있어서 투영 광학 유닛(7)은 이하의 편향 효과의 순서를 갖는다: LRRRLL0R.
원칙적으로, 투영 광학 유닛의 모든 기재된 예시적인 실시예는 공정에서 이러한 변화하는 기본 이미징 특성 없이 xz-평면에 평행하게 연장하는 평면에 대하여 미러링될(mirrored) 수 있다. 그러나, 이것은 편향 효과의 순서를 자연스럽게 변경하고, 이는, 투영 광학 유닛(7)으로부터의 적절한 미러링에 의해 발생하는 투영 광학 유닛의 경우의 이하의 순서를 갖는다: RLLLRR0L.
편향 효과의 선택, 즉, 예컨대 미러(M4) 상의 개별적인 입사 빔의 방향의 선택 및 미러 쌍(M2, M3 및 M5, M6)의 편향 방향의 선택은, 투영 광학 유닛(7)에 이용가능한 설치 공간이 효율적으로 사용되는 방식으로 개별적으로 선택된다.
미러(M1 내지 M8)는 이미징 광(3)에 대한 미러(M1 내지 M8)의 반사도를 최적화하는 코팅을 지닌다. 여기서, 이것은 루테늄 코팅, 예컨대 루테늄으로 구성된 최상위 층을 가진 다층일 수 있다. 그레이징 입사를 위한 미러(M2, M3, M5 및 M6)에서, 예컨대, 1겹(ply)의 몰리브덴 또는 루테늄과 같은 것을 갖는 코팅을 사용할 수 있다. 구체적으로 수직 입사를 위한 미러(M1, M4, M7 및 M8)의 이들 고 반사 층은 다수 겹의 층으로서 구성될 수 있으며, 연속적인 층은 상이한 소재로 제조할 수 있다. 교대되는 소재 층을 사용할 수 도 있다. 통상의 다수 겹 층은, 각각 몰리브덴의 층과 실리콘 층으로 이루어진 50개의 이중 층을 가질 수 있다. 이들은 예를 들어, C(탄소), B4C(탄화 붕소)로 구성된 추가 보호 층을 포함할 수 있으며 진공에 대한 보호 층 또는 보호 층 시스템으로 끝낼 수 있다.
투영 광학 유닛(7)의 전체 반사도는 계산할 목적으로, 시스템 투과도는 이하와 같이 계산된다: 미러 반사도는 가이드 광선, 즉, 중심 오브젝트 필드 지점의 주 광선의 입사각에 따른 각 미러 표면에서 결정되며 시스템 투과도를 형성하기 위한 곱셈에 의해 결합된다.
반사도 계산에 관한 상세는 WO 2015/014 753 A1에 기재된다.
GI 미러(그레이징 입사를 위한 미러)에서의 반사에 관한 추가 정보는 WO 2012/126 867 A에 기재된다. NI 미러(수직 입사 미러)의 반사도에 관한 추가 정보는 DE 101 55 711 A에 기재된다.
투영 광학 유닛(7)의 모든 미러(M1 내지 M8)의 반사도의 몫으로 생성되는 투영 광학 유닛(7)의 전체 반사도 또는 시그템 투과도는 R=8.02%이다.
미러(M8), 즉 이미징 빔 경로에서 이미지 필드(8) 상류의 마지막 미러는, 마지막에서 세 번째 미러(M6)로부터 마지막에서 두 번째 미러(M7)를 향해 반사되는 이미징 광(3)의 통과를 위한 통과 개구(17)를 갖는다. 미러(M8)는 통과 개구(17) 주위에 반사 방식으로 사용한다. 모든 다른 미러(M1 내지 M7)는 통과 개구를 갖지 않으며, 간격이 없는 방식으로 연결되는 영역에서 반사 방식으로 사용한다.
제 1 이미징 광 평면(xz)에서, 투영 광학 유닛(7)은 미러들(M6 및 M7) 사이의 이미징 광 경로에 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18)를 갖는다. 이러한 제 1 평면 중간 이미지(18)는 통로 개구(17)의 영역에 놓인다. 통로 개구(17)와 이미지 필드(8) 사이의 거리는 통로 개구(17)와 제 1 평면 중간 이미지(18) 사이의 거리보다 4배 이상 크다.
제 1 이미징 광 평면(xz)에 수직인 제 2 이미징 광 평면(yz)에서(도 2 참조), 이미징 광(3)은 정확히 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 통과한다. 이들 처음 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19)는 이미징 광 빔 경로에서 미러들(M2 및 M3) 사이에 놓인다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지(20) 중 다른 하나는 미러(M6)에서의 이미징 광(3)의 반사 영역에 놓인다.
제 1 평면 중간 이미지들의 수, 즉 투영 광학 유닛(7)의 정확하게 하나의 제 1 평면 중간 이미지 그리고 제 2 평면 중간 이미지들의 수, 즉 투영 광학 유닛(7)의 정확히 2개의 제 2 평면 중간 이미지는 투영 광학 유닛(7)에서 서로 상이하다. 투영 광학 유닛(7)에서, 중간 이미지의 이러한 수는 정확히 1만큼 상이하다.
다수의 중간 이미지, 즉 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)가 존재하는 제 2 이미징 광 평면(yz)은 GI 미러(M2, M3 및 M5, M6)의 폴딩 평면(yz)과 일치한다. 이러한 폴딩면은 각각의 GI 미러에서의 반사시 중심 필드 지점의 주 광선(16)의 입사면이다. 제 2 평면 중간 이미지는 원칙적으로 이미징 광 주 전파 방향(zHR)을 정의하는 중심 필드 지점의 주 광선(16)에 수직이 아니다. 중간 이미지 경사 각도, 즉, 이러한 수직 배치로부터의 편차는 원칙적으로 임의적인(arbitrary) 것이며 0°와 ±89°사이에 놓일 수 있다.
보조 장치(18a, 19a, 20a)는 중간 이미지(18, 19, 20)의 영역에 배치될 수 있다. 이러한 보조 장치(18a 내지 20a)는 이미징 광 빔의 경계를 적어도 부분적으로 정의하기 위한 필드 조리개가 될 수 있다. UNICOM식의, 특히 x-방향으로 엇갈린(staggered) 핑거 조리개(fingers)을 갖는 필드 세기 규정 장치는 중간 이미지(18 내지 20)의 중간 이미지 평면 중 하나에 배치될 수 있다.
미러(M1 내지 M8)는 회전 대칭 함수에 의해 기재할 수 없는 자유 곡면으로서 구현된다. 미러(M1 내지 M8) 중 적어도 하나가 회전 대칭 비구면으로서 구현되는 투영 광학 유닛(7)의 다른 실시예도 가능하다. 이러한 회전 대칭 비구면에 대한 비구면 수학식은 DE 10 2010 029 050 A1로부터 알려져 있다. 또한, 모든 미러(M1 내지 M8)도 비구면으로 구현될 수 있다.
자유 곡면은 다음의 자유 곡면 수학식(수학식 1)에 의해 기재할 수 있다:
(1)
다음이 이 수학식(1)의 파라미터에 적용된다:
Z는 지점(x, y)에서의 자유 곡면의 새그(sag)이며 x2 + y2 = r2이다. 여기서, r은 자유 곡면 수학식의 기준 축으로부터의 거리이다(x=0; y=0).
자유 곡면 수학식(1)에서, C1, C2, C3...는 x 및 y의 거듭제곱에서의 자유 곡면 급수 전개의 계수를 나타낸다.
원뿔 베이스 구역의 경우에, cx, cy는 대응하는 비구면의 정점 곡률에 대응하는 상수이다. 따라서 cx = 1/Rx 및 cy = 1/Ry가 적용된다. 여기서, kx 및 ky는 각각 대응하는 비구면의 원뿔 상수에 대응한다. 그에 따라 수학식(1)은 이중-원뿔 자유 곡면을 기재한다.
대안적인 가능한 자유 곡면은 회전 대칭 기준 표면으로부터 생성할 수 있다. 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 광학 유닛의 미러의 반사면에 대한 그러한 자유 곡면은 US2007-0058269A1으로부터 알려져 있다.
대안적으로, 자유 곡면은 2차원 스플라인 표면을 사용하여 기재할 수 도 있다. 이에 대한 예가 Bezier 곡선 또는 비균일 합리적 기준 스플라인(NURBS)이다. 예를 들어, 2차원 스플라인 표면은 xy-평면에서 지점의 격자 및 관련 z-값에 의해 또는 이들 지점 및 이와 관련된 그레디언트에 의해 기재할 수 있다. 스플라인 표면의 각 타입에 따라, 전체 표면은, 예컨대 그 연속성 및 미분 가능성 면에서 특정 속성을 갖는 다항식 또는 함수를 사용한 격자 지점 사이의 보간에 의해 얻는다. 이것에 대한 예시는 해석 함수다.
도 4는 투영 광학 유닛(7)의 미러(M1 내지 M8) 상에 이미징 광(3)에 의해 충돌되는 각각의 반사면 경계 윤곽, 즉 미러(M1 내지 M8)의 소위 풋프린트(footprint)를 도시한다. 이러한 경계 윤곽은 각각의 미러(M1 내지 M8)의 로컬 x 및 y 좌표에 대응하는 x/y- 다이어그램으로 각각 도시된다. 도해는 밀리미터 단위의 실 축척에 따른다. 또한, 통로 개구(17)의 형태는 미러(M8)에 관한 도해로 도시된다.
이하의 표는 미러(M1 내지 M8)에 대한 파라미터 "최대 입사 각도", "x-방향에서의 반사면의 범위", "y-방향에서의 반사면의 범위" 및 "최대 미러 직경"을 요약한다:
GI 미러(M2, M3, M5 및 M6)의 영역의 제 2 평면 중간 이미지(19 및 20)로 인하여, 이러한 GI 미러는, 마찬가지로 y-방향에서의 극단 규모(extreme extent)는 갖지 않는다. 이러한 GI 미러(M2, M3, M6 및 M7)의 반사면의 상응하는 표면 치수의 y/x-종횡비는 미러(M2)에 있어서 오직 1보다 크며 대략 1.05이다. GI 미러 중 어느 것도 1.05보다 큰 y/x-종횡비를 갖지 않는다. y/x-종횡비는 투영 노광 장치(7)의 미러들(M1 내지 M8) 중 미러(M4)에서 1의 값에서 가장 강하게 이탈하며 거기서 이는 대략 1:5.6의 값을 갖는다. 모든 다른 미러에서, y/x-종횡비는 3:1와 1:3사이의 범위에 있다.
이미지 측 개구수를 미리 결정하는 미러(M8)는 1004mm의 직경을 갖는 최대 미러 직경을 갖는다. 다른 미러(M1 내지 M7) 중 어느것도 미러(M8)의 최대 미러 직경의 80% 이상인 최대 직경을 갖지 않는다.
동공 정의 어퍼쳐 조리개(AS)은 투영 광학 유닛(7)에서 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로에 배치된다. 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서, 전체 이미징 광 빔은 그 전체 둘레에 걸쳐서 접근가능하다.
투영 광학 유닛(7)의 미러(M6)(도 4 참조)는 경계 윤곽(RK)을 갖는, 반사를 위하여 사용될 수 있는 반사면을 갖는다. 이러한 경계 윤곽(RK)은 도 4의 미러(M6)와 관련하여 점선으로 표시되는 기본 형태(GF)를 갖는다. 이 기본 포맷(GF)은 오브젝트 필드(4)의 곡선 기본 형태에 대응한다. 미러(M6)의 기본 형태(GF)는 오브젝트 필드(4)의 기본 형태에 대응하고, 즉 마찬가지로 곡선이다.
2개의 윤곽 벌지(KA)는 도 4의 상부에 놓인 미러(M6)의 경계 윤곽(RK)의 측면 에지를 따라 배치된다.
미러(M6)의 경계 윤곽(RK)은 미러(M6)에서의 반사시 전체 이미징 광의 경계 윤곽을 따른다. 전체 이미징 광 빔의 이러한 경계 윤곽은 제 2 평면 중간 이미지(20)에 의한 중간 이미징에 기인하는 대응 윤곽 벌지를 갖는다.
2개의 추가 윤곽 벌지(KA)는 도 4의 하단에 도시되는 경계 윤곽(RK)의 대향하는 측면 에지 상에 배치된다.
윤곽 벌지(KA)는 기본 형태(GF)의 2개의 긴 측면을 따라 개별적으로 배치된다.
투영 광학 유닛(7)의 미러(M1 내지 M8)의 반사면의 광학 설계 데이터는 다음의 표로부터 수집될 수 있다. 이들 광학 설계 데이터는 각각의 경우에 이미지 평면(9)으로부터 진행하며, 즉 이미지 평면(9)과 오브젝트 평면(5) 사이의 이미지 광(3)의 역 전파 방향으로 각각의 투영 광학 유닛을 기재한다.
이러한 표들 중 첫번째 표는 투영 광학 유닛(7)의 설계 데이터의 개관을 제공하고, 개구수(NA), 이미징 광에 대한 계산된 설계 파장, 2개의 이미징 광 평면(xz 및 yz)에서의 축소 팩터(βx 및 βy), x- 방향 및 y- 방향의 이미지 필드의 치수, 이미지 필드 곡률 및 이미지 수차 값(rms) 및 조리개 위치를 요약한다. 이 곡률은 필드의 역 곡률 반경으로 정의된다. 이미지 수차 값은 mλ(ml)로 명시되고, 즉, 이는 설계 파장에 따른다. 여기서, 이것은 파면 수차의 rms 값이다.
이러한 표들 중 표 2는 광학 부품의 광학 표면에 대한 정점 반경(Radius_x = Rx, Radius_y = Ry)과 굴절력 값(Power_x, Power_y)을 제공한다. 고려된 평면(xz, yz)을 갖는 각 표면의 섹션에서 입사 조명 광(3)을 향해 오목한 반경 평균 곡선의 음의 값은 각 곡률 방향을 갖는 정점(x, y)에서 표면 법선에 의해 걸쳐진다. 2개의 반경(반경_x, 반경_y)은 명시적으로 상이한 부호를 가질 수 있다.
각각의 광학 표면에서의 정점은 대칭의 평면 x = 0을 따라, 즉, 도 2의 도면의 평면(자오 평면)을 따라 오브젝트 필드 중심으로부터 이미지 필드(8)로 이동하는 가이드 광선의 입사의 지점으로서 정의된다.
정점에서의 굴절력(Power_x(Px), Power_y(Py))은 이하와 같이 정의된다:
여기서, AOI는 표면 법선에 대한 가이드 광선의 입사각을 나타낸다.
표 3는, 미러(M1 내지 M8)(mm 단위)에 대한 원뿔 상수(kx 및 ky), 정점 반경(Rx)(= Radius_x) 및 자유 곡면 계수(Cn)를 명시한다. 표에 나열되지 않는 계수(Cn)의 값은 0이다.
표 4는 또한 기준 표면으로부터 진행함에 따라 각 미러가 y-방향으로 디센터링된(DCY) 그리고 z-방향으로 변위된(DCZ) 그리고 경사진(TLA, TLC) 크기를 명시한다. 이것은, 자유 곡면 설계 방법을 수행할 때의 평행 변위 및 경사도에 대응한다. 여기서, 변위는 mm 단위로 y-방향과 z-방향으로 수행되며, 경사짐은 x-축 주위 및 z-축 주위로 수행된다. 여기서, 경사각은 도로 명시한다. 디센터링을 먼저 수행한 후, 그 다음에 경사지게 한다. 디센터링 동안 기준 표면은 각 경우에 명시한 광학 설계 데이터의 제 1 표면이다. y-방향 및 z-방향으로의 디센터링은 또한 오브젝트 필드(4)에 대해 명시된다. 개별적인 미러에 할당된 표면에 더하여, 표 4는 또한 제 1 표면으로서 이미지 평면을, 마지막 표면으로서 오브젝트 평면을 그리고 선택적으로 조리개 표면("조리개" 라벨을 가짐)을 나열한다.
표 5는 또한 미러(M8 내지 M1)의 투과 데이터, 즉 각 미러 상에 중심이 입사한 조명 광선의 입사각에 대한 그 반사도를 명시한다. 전체 투과도는, 투영 광학 유닛에서의 모든 미러에서 반사 후 입사 세기로부터 남아 있는 비율 팩터로서 명시한다.
표 6은 로컬 좌표(xyz)의 꺾은선(polygonal line)으로서 조리개(AS)의 에지를 명시한다. 상기 기재된 바와 같이, 조리개(AS)는 디센터링되며 경사진다.
투영 광학 유닛(7)의 전체 반사도는 8.02%이다.
미러의 기준축은 일반적으로 이미지 평면(9)의 법선에 대해 경사져있으며, 이는 표의 경사도 값에 의해 분명하게 된다.
미러(M1, M4 및 M8)는 반경이 음의 값을 갖고, 즉, 원칙적으로 오목 미러이다. 미러(M7)는 반경이 양의 값을 갖고, 즉, 원칙적으로 볼록 미러이다. 미러(M2, M3, M5 및 M6)는 상이한 부호를 갖는 반경 값을 갖고, 즉 이들은 토릭 또는 새들(toric or saddle) 미러이다.
이미지 필드(8)는 13mm의 x-범위와 1mm의 y-범위를 갖는다. 투영 광학 유닛(7)은 13.5nm의 조명 광(3)의 동작 파장에 최적화된다.
조리개의 조리개 표면의 에지(도 2에 대한 표 6 참조)는 조명 광(3)의 모든 광선의 조리개 표면 상의 교차 지점으로부터 나오며, 이는, 이미지 측 상에서, 전체 이미지-측 텔레센트릭 애퍼쳐를 갖는 조리개 표면의 방향으로 필드 중심 지점에서 전파한다. 조리개가 애퍼쳐 조리개로서 구현될 때, 에지는 내부 에지이다.
조리개(AS)는 일 평면에 놓일 수 있거나 3차원 실시예를 가질 수 있다. 조리개(AS)의 범위는 크로스 스캔 방향(x)에서 보다는 스캔 방향(y)에서 더 작을 수 있다.
투영 광학 유닛(7)의 z-방향으로의 설치 길이, 즉 오브젝트 평면(5)과 이미지 평면(9) 사이의 거리는 대략 2080mm이다.
투영 광학 유닛(7)에서, 동공 차폐는 입사 동공의 전체 어퍼쳐의 15%이다. 따라서, 개구수의 15% 미만이 통로 개구(17)의 결과로서 불명확해진다. 차폐 에지는 조리개(18)와 관련하여 상기 기재된 조리개 에지의 구성과 유사한 방식으로 구성된다. 차폐 조리개로서의 실시예에서, 에지는 조리개의 외부 에지다. 투영 광학 유닛(7)의 시스템 동공에서, 차폐로 인하여 조명될 수 없는 표면은 전체 시스템 동공의 표면의 0.152 미만이다. 시스템 동공내의 조명되지 않은 표면은 y-방향보다 x-방향에서 상이한 범위를 가질 수 있다. 시스템 동공의 조명되지 않은 표면은 원형, 타원형, 정사각형, 또는 직사각형일 수 있다. 또한, 조명될 수 없는, 시스템 동공의 이러한 표면은, 시스템 동공의 중심에 대해서 x-방향 및/또는 y-방향으로 편심될 수 있다.
오브젝트 필드 중심 점과 이미지 필드 중심 점 사이의 y 거리 dOIS는 대략 1350mm이다. 미러(M7)와 이미지 필드(9) 사이의 작동 거리는 77mm이다.
투영 광학 유닛(7)의 미러는 1004 mm x 2021 mm x 1534 mm의 xyz 에지 길이를 갖는 직육면체(cuboid)에 하우징될 수 있다.
투영 광학 유닛(7)은 이미지 측에서 대략 텔레센트릭(telecentric)이다.
차폐 에지는 조리개(18)와 관련하여 상기 기재된 조리개 에지가 구성되는 것과 유사하게 구성된다. 차폐 에지로서 구현될 때, 에지는 조리개의 외측면 에지이다. 투영 광학 유닛(7)의 시스템 동공에서, 차폐로 인해 조명될 수 없는 면은 전체 시스템 동공의 표면의 0.152 미만이다. 시스템 동공내의 조명되지 않은 면은 y 방향보다 x 방향에서 상이한 범위를 가질 수 있다. 시스템 동공의 조명되지 않은 면은 원형, 타원형, 정사각형, 또는 직사각형일 수 있거나 꺾은 선의 형태를 가질 수 있다. 또한, 조명될 수 없는, 시스템 동공의 이러한 면은, 시스템 동공의 중심에 대해서 x 방향 및/또는 y 방향으로 편심될 수 있다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(21)을 도 5 내지 도 7에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 4와 관련하여 상기 이미 설명한 구성요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
미러(M1 내지 M8)는 상기 지정된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면 미러로서 재구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(21)의 미러(M1 내지 M8)의 미러 파라미터를 도시한다.
GI 미러(M2, M3, M5 및 M6) 중 어느 것도 1보다 큰 반사면의 y/x-종횡비를 갖지 않는다. NI 미러(M4)는 대략 1:6.4의 가장 큰 y/x-종횡비를 갖는다.
마찬가지로, 미러(M8)는 950mm 미만으로 측정되는 최대 미러 직경을 갖는다.
투영 광학 유닛(21)의 광학 설계 데이터는, 설계의 측면에서, 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 구할 수 있다.
투영 광학 유닛(21)의 전체 반사도는 9.11%이다.
투영 광학 유닛(21)은 0.50의 이미지-측 개구수를 갖는다. 제 1 이미징 광 평면(xz)에서, 투영 광학 유닛(21)은 4.00의 축소 팩터(βx)를 갖는다. 제 2 이미징 광 평면(yz)에서, 투영 광학 유닛(21)은 8.00의 축소 팩터(βy)를 갖는다. 오브젝트측 주 광선 각도는 6.0°이다. 동공 차폐는 17%이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 1520mm이다. 투영 광학 유닛(21)의 미러는 930 mm x 2625 mm x 1570 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
레티클(10) 및 따라서 오브젝트 평면(5)은 x-축에 대하여 1.4°의 각도(T)로 경사진다. 이러한 경사 각도(T)는 도 5에 표시된다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M7) 사이의 작동 거리는 80mm이다.
도 7은 투영 광학 유닛(21)의 미러(M1 내지 M8)의 반사면 상의 둘레 윤곽을 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(22)을 도 8 내지 도 10에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 7과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
투영 광학 유닛(22)은 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이에서 이미징 광(3)의 빔 경로에서 총 6개의 미러(M1 내지 M6)를 갖는다. 모든 6개의 미러(M1 내지 M6)는 NI 미러로서 구현된다. 다시, 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)은 미러(M1 내지 M6)에 적용된다.
미러(M1 내지 M6)에 대한 투영 광학 유닛(22)은 다음 순서의 편향 효과를 갖는다: RLRL0L.
이하의 표는 투영 광학 유닛(22)의 미러(M1 내지 M6)의 미러 파라미터를 다시 도시한다.
한번 더, 이미징 빔 경로(M6)의 마지막 미러는 900mm 미만의 경우 최대 미러 직경을 갖는다. 6개의 미러 중 4개는 500mm 미만의 최대 미러 직경을 갖는다. 6개의 미러 중 3개는 400mm 미만의 최대 미러 직경을 갖는다.
투영 광학 유닛(22)은 마찬가지로 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18) 및 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 갖는다. 제 1 평면 중간 이미지(18)는 미러(M6)의 통로 개구(17)의 영역에서 미러들(M4 및 M5) 사이에서 이미징 광(3)의 빔 경로에 놓인다.
2개의 제 2 평면 중간 이미지(19) 중 첫번째 이미지는 이미징 광 빔 경로의 미러들(M1 및 M2) 사이에 있다. 제 1 및 제 2 평면 중간 이미지(19)의 영역에서, 전체 이미징 광 빔은 외부로부터 접근가능하다.
2개의 제 2 평면 중간 이미지(20) 중 제 2 이미지는 미러(M4)에서의 반사 인근의 이미징 광 빔 경로의 미러들(M3 및 M4) 사이에 놓인다.
도 10은 투영 광학 유닛(22)의 미러(M1 내지 M6)의 반사면의 경계 윤곽을 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(22)으로부터의 광학 데이터는 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표와 그 설계에 있어서 상응하는 이하의 표로부터 얻을 수 있다.
투영 광학 유닛(22)의 전체 반사도는 7.82%이다.
투영 광학 유닛(22)은 0.50의 개구수를 갖는다. 축소 팩터는 제 1 이미징 광 평면(xz)에서 4.00(βx)이며 제 2 이미징 광 평면(yz)에서 8.00(βy)이다. 오브젝트 필드(4)의 법선에 대한 주 광선 각도는 5.0°이다. 최대 동공 차폐는 15%이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 415mm이다. 투영 광학 유닛(22)의 미러는 889 mm x 860 mm x 1602 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
오브젝트 평면(5) 및 이미지 평면(9)은 서로 평행하게 연장한다.
웨이퍼와 가장 가까운 미러(M5)와 이미지 평면(9) 사이의 작동 거리는 129mm이다. 평균 파면 수차 rms는 30.4mλ이다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 투영 광학 유닛(22)의 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로의 첫번째 제 2 평면 중간 이미지(19)의 상류에 배치된다. 전체 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 위치에서 완전히 접근가능하다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(23)을 도 11 내지 도 13에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 10과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
투영 광학 유닛(23)의 기본 설계, 특히 NI 미러 및 GI 미러의 순서는 한번 더 투영 광학 유닛(7 및 21)의 설계와 유사하다.
미러(M1 내지 M8)는 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면으로서 다시 한번 구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(23)의 미러(M1 내지 M8)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
모든 미러(M1 내지 M8) 그리고 특히 GI 미러(M2, M3, M5 및 M6)는 1보다 작은 y/x 종횡비를 갖는다. 한번 더, 이미징 빔 경로의 마지막 미러인, 미러(M8)는 거의 950mm로 측정되는 최대 미러 직경을 갖는다. 8개의 미러 중 6개는 570mm 미만의 직경을 갖는다. 8개의 미러 중 5개는 500mm 미만의 직경을 갖는다. 8개의 미러 중 3개는 400mm 미만의 직경을 갖는다.
투영 광학 유닛(23)은 이미징 광 빔 경로의 마지막인 미러(M8)의 통로 개구(17)의 영역에서 한번 더 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18)를 갖는다. 또한, 투영 광학 유닛(23)은 총 3개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 24 및 25)를 갖는다. 투영 광학 유닛(23)의, 이미징 광 빔 경로의 첫번째인 제 2 평면 중간 이미지(24)는 이미징 광 빔 경로의 미러들(M1 및 M2) 사이에 있으며 완전히 접근가능하다. 이미징 광 빔 경로에서 두 번째인 제 2 평면 중간 이미지(19)는 이미징 광 빔 경로의 미러들(M2 및 M3) 사이에 놓인다. 이미징 광 빔 경로에서 세 번째인 제 2 평면 중간 이미지(25)는 이미징 광 빔 경로의 미러들(M3 및 M4) 사이에 놓인다.
미러(M2)와 관련하여, 제 2 평면 중간 이미지들 중 하나, 즉 중간 이미지(24)는 빔 경로에서 상기 미러의 바로 상류에 있는 NI 미러(M1) 및 이러한 GI 미러(M2)의 상류에 위치하며, 다음 제 2 평면 중간 이미지(19)는 빔 경로에서 상기 미러의 바로 하류에 있는 GI 미러(M3)의 상류에 그리고 미러(M2)의 하류에 위치한다. 이런 식으로, GI 미러(M3)는 마찬가지로 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19 및 25) 사이에 놓인다. 이 경우 두 개의 제 2 평면 중간 이미지(24 및 19 및 19 및 25) 사이의 2개의 GI 미러(M2 및 M3)의 이러한 배치는 이들 2개의 GI 미러(M2 및 M3)에 대한 큰 입사각에도 불구하고 이들 미러들(M2 및 M3)의 범위가 y-방향으로 너무 크게되지 않게 한다.
투영 광학 유닛(23)에서, 제 1 평면 중간 이미지의 숫자는 제 2 평면 중간 이미지의 수와 2만큼 상이하다.
도 13은 미러(M1 내지 M8)의 반사면의 경계 윤곽를 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(23)으로부터의 광학 설계 데이터는 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 그 설계에 있어서 상응하는 이하의 표로부터 얻어질 수 있다.
투영 광학 유닛(23)은 8.32%의 전체 투과를 갖는다.
투영 광학 유닛(23)은 0.55의 이미지 측 개구수를 갖는다.
제 1 이미징 광 평면(xz)에서, 축소 팩터(βx)는 4.50이다. 제 2 이미징 광 평면(yz)에서, 축소 팩터(βy)는 8.00이다. 오브젝트측 주 광선 각도는 5.0°이다. 최대 동공 차폐는 12%이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 1080mm이다. 투영 광학 유닛(23)의 미러는 946 mm x 1860 mm x 1675 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
투영 광학 유닛(23)에서, 오브젝트 평면(5) 및 이미지 평면(9)은 서로 평행하게 연장한다. 웨이퍼와 가장 가까운 미러(M7)와 이미지 평면(9) 사이의 작동 거리는 94mm이다. 평균 파면 수차 rms는 대략 24 mλ이다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로의 첫번째, 제 2 평면 중간 이미지(24)의 상류에 배치된다. 전체 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 위치에서 완전히 접근가능하다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(26)을 도 14 내지 도 16에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 13과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
미러(M1, M6 및 M7)는 NI 미러로서 구현되며 미러(M2 내지 M5)는 GI 미러로서 구현된다. GI 미러(M2 내지 M5)는 동일 방향에서의 편향 효과를 갖는다. 전체적으로, 이하의 표는 투영 광학 유닛(26)의 미러(M1 내지 M7)의 편향 효과의 순서에 적용된다: RLLLL0R.
미러(M1 내지 M7)는 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면으로서 다시 한번 구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(26)의 미러(M1 내지 M7)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
미러(M5)만이 1보다 큰 y/x-종횡비를 갖는다. 미러(M5)의 y/x-종횡비는 1.5 미만이다.
마지막 미러(M7)는 대략 820mm로 측정되는 최대 미러 직경을 갖는다. 다른 미러들(M1 내지 M6) 중 어느 것도 525mm 보다 큰 직경을 갖지 않는다. 7개의 미러 중 5개는 450mm 미만의 최대 직경을 갖는다.
투영 광학 유닛(26)은 한번 더 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18) 및 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 갖는다. 제 1 평면 중간 이미지(18)는 통로 개구(17)를 통해 이미징 광의 통로와 정확히 수평으로 배치된다. 이것은 통로 개구(17)의 상당히 작은 x-범위를 야기한다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 29)는 먼저, GI 미러들(M3 및 M4) 사이의 이미징 광 빔 경로에서 먼저 그리고 다음으로 GI 미러들(M4 및 M5) 사이의 이미징 광 빔 경로에 배치된다. 따라서, GI 미러(M4)는, 한번 더, 도 11 내지 도 13에 따른 실시예와 관련하여 상기 기재된 바와 같이 2개의 제 2 평면 중간 이미지 사이의 GI 미러이다.
투영 광학 유닛(26)은 먼저 홀수의 미러를 갖고 이어서 정확히 1의 제 1 평면 중간 이미지 및 제 2 평면 중간 이미지의 수의 차를 갖는다. 이것은 오브젝트 위치에 비해 올바른(right way round) 이미지 위치를 성취한다; 즉, "이미지 플립"이 보상된다.
도 16은 한번 더, 미러(M1 내지 M7)의 반사면의 경계 윤곽을 도시한다.
투영 광학 유닛(26)으로부터의 광학 설계 데이터는 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 그 설계에 있어서 상응하는 이하의 표로부터 얻을 수 있다.
투영 광학 유닛(26)은 x-방향으로 2배(two times) 13.0mm 및 y-방향으로의 1.2mm의 이미지 필드 치수를 갖는다. 선행하는 실시예와 달리, 오브젝트 필드(4) 및 이미지 필드(8)는 투영 광학 유닛(26)에서 직사각형이다. 따라서, 필드 곡률은 0이다.
투영 광학 유닛(26)에서, 이미지측 개구수는 0.45이다. 축소 팩터는 제 1 이미징 광 평면(xz)에서 4.00(βx)이며 제 2 이미징 광 평면(yz)에서 8.00(βy)이다. 오브젝트측 주 광선 각도(CRA)는 4.2°이다. 동공 차폐는 최대 13%이다.
투영 광학 유닛(26)은 9.29%의 전체 투과도를 갖는다.
오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 투영 광학 유닛(26)에서 대략 2170mm이다. 투영 광학 유닛(26)의 미러는 822 mm x 2551 mm x 1449 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
투영 광학 유닛(26)에서, 오브젝트 평면(5)은 x-축에 대하여 이미지 평면에 대해 9.1°만큼 경사진다.
웨이퍼와 가장 가까운 미러(M6)와 이미지 평면 사이의 작동 거리는 80mm이다. 평균 파면 수차 rms는 대략 35mλ이다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(27)을 도 17 내지 도 19에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 16과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
투영 광학 유닛(27)은 총 9개의 미러(M1 내지 M9)를 갖는다. 미러(M1, M2, M3, M5, M6, M7)는 GI 미러로서 구현된다. 나머지 미러(M4, M8 및 M9)는 NI 미러로서 구현된다. 상기 기재된 모든 투영 광학 유닛과 같이, 이미징 광 빔 경로의 마지막 미러(M9)는 마찬가지로 투영 광학 유닛(27)의 이미징 광(3)을 위한 광학 개구(17)와 함께 구현된다. 투영 광학 유닛(27)에서, 이미징 광 빔 경로는 교차 지점을 갖는다. 여기서, 먼저, 미러들(M2 및 M3) 사이의 그리고 다음으로 미러들(M6 및 M7) 사이의 이미징 광 부분 빔이 교차 영역(28)에서 교차한다.
투영 광학 유닛(27)에서, 미러(M9)의 통로 개구(17) 및 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20) 근처에 제 1 평면 중간 이미지(18)가 있다. 투영 광학 유닛(27)에서, 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19) 중 제 1 이미지는 미러(M5)에서의 반사 부근에서 이미징 광 빔 경로의 미러들(M4 및 M5) 사이에 놓인다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지들 중 제 2 이미지는 미러(M7)에서의 반사 부근에서 이미징 광 빔 경로 내의 미러들(M7 및 M8) 사이에 놓인다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 미러들(M2 및 M3) 사이의 이미징 광 빔 경로와 교차점(28)의 하류에 위치한다. 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서 완전히 접근 가능하다.
미러(M1 내지 M9)는 상기 지정된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면 미러로서 재구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(27)의 미러(M1 내지 M9)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(27)에서, 미러(M1 및 M2)는 1 보다 큰 y/x- 종횡비를 갖는다. 미러(M1 내지 M9) 중 어느 것도 2보다 큰 y/x- 종횡비를 갖지 않는다. 미러(M1) 1.9의 영역에서 가장 큰 y/x- 종횡비를 갖는다.
투영 광학 유닛(27)에서, 미러(M4)는 753.3mm를 측정하는 최대 직경을 갖는다. 이러한 직경은 751.8mm의 직경을 갖는 마지막 미러(M9)의 직경보다 약간 크다. 9개의 미러(M1 내지 M9) 중 5개는 450mm 미만의 직경을 갖는다. 9개의 미러(M1 내지 M9) 중 4개는 400mm 미만의 직경을 갖는다.
도 19는 미러(M1 내지 M9)의 반사면의 경계 윤곽을 도시한다.
투영 광학 유닛(27)으로부터의 광학 설계 데이터는 그 설계에 있어서 도 2 내지 도 4에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 상응하는 다음의 표로부터 얻을 수 있다.
투영 광학 유닛(27)은 7.2%의 전체 투과도를 갖는다.
투영 광학 유닛(27)은 0.50의 이미지측 개구수를 갖는다.
제 1 이미징 광 평면(xz)에서의 축소 팩터는 4(βx)이다. 제 2 이미징 광 평면(xy)에서의 축소 팩터는 8(βy)이다. 오브젝트측 주 광선 각도 CRA는 5.5°이다. 최대 동공 차폐는 15%이다.
투영 광학 유닛(27)의 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 530mm이다. 투영 광학 유닛(27)의 미러는 753 mm x 1869 mm x 1860 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
투영 광학 유닛(27)에서, 오브젝트 평면(5)은 x-축에 평행하는 축에 대하여 15.5%만큼 이미지 평면(9)에 대하여 경사진다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M8) 사이의 작동 거리는 83mm이다. 평균 파면 수차 rms는 10.4mλ이다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(29)을 도 20 내지 도 22에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 19과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
도 20는 자오 단면으로 투영 광학 유닛(29)을 도시한다. 도 21은 투영 광학 유닛(29)의 사지탈 평면을 도시한다. 도 22는 투영 광학 유닛(29)의 미러(M1 내지 M9)의 반사면의 경계 윤곽을 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(29)은 3개의 NI 미러 즉, 미러들(M1, M8 및 M9)을 갖는다. 투영 광학 유닛(29)은 6개의 GI 미러, 즉 미러들(M2 내지 M7)을 갖는다.
미러(M2 내지 M7)는 모두 미러 편향 효과에 관하여 동일한 방향을 갖는다. 이에 관하여, 투영 광학 유닛(29)은 도 14 내지 도 16에 따른 투영 광학 유닛(26)과 유사하다.
미러(M1 내지 M9)는 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면으로서 다시 한번 구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(29)의 미러(M1 내지 M9)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
미러(M7)를 제외하고, 투영 광학 유닛(29)의 미러들 중 어느 것도 1 이상의 y/x 종횡비를 갖지 않는다. 미러(M7)의 y/x 종횡비는 대략 1.6이다.
이미징 빔 경로의 마지막 미러(M9)는 930.3mm를 측정하는 최대 직경을 갖는다. 모든 다른 미러(M1 내지 M8)의 최대 직경은 800mm 미만이다. 9개의 미러(M1 내지 M9) 중 4개는 600mm 미만의 최대 직경을 갖는다
투영 광학 유닛(29)은 한번 더 미러(M9)의 통로 개구(17)의 영역의 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18) 및 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 갖는다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지의 제 1 이미지(19)는 이미징 광 빔 경로의 GI 미러들(M4 및 M5) 사이에 배치된다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지 중 제 2 이미지(20)는 이미징 광 빔 경로의 2개의 GI 미러(M6 및 M7) 사이에 놓인다.
투영 광학 유닛(29)으로부터의 광학 설계 데이터는 그 설계에 있어서 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
투영 광학 유닛(29)은 9.67%의 전체 투과도를 갖는다.
투영 광학 유닛(29)의 이미지측 개구수는 0.50이다. 제 1 이미징 광 평면(xz)의 축소 팩터(βx)는 4.00이다. 제 1 이미징 광 평면(yz)의 축소 팩터(βy)는 8이다. 여기서, 마찬가지로 2개의 이미징 광 평면의 상이한 수의 중간 이미지는 홀수의 미러로 인해 이미지 플립의 정정을 야기한다.
오브젝트측 주 광선 각도 CRA는 5.0°이다. 입사 동공의 최대 차폐는 12%이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 2150mm이다. 투영 광학 유닛(29)의 미러는 930 mm x 2542 mm x 1713 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
오브젝트 평면(5)은 0.2°의 각도(T)만큼 x-축에 대해 이미지 평면(9)에 대하여 경사진다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M8) 사이의 작동 거리는 80mm이다. 평균 파면 수차 rms는 11.4mλ이다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 투영 광학 유닛(29)의 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로에 위치한다. 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서 완전히 접근 가능하다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(30)을 도 23 내지 도 25에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 22과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
도 23은 자오 단면으로 투영 광학 유닛(30)을 도시한다. 도 24는 투영 광학 유닛(30)의 사지탈 평면을 도시한다. 도 25는 투영 광학 유닛(30)의 미러(M1 내지 M10)의 반사면의 경계 윤곽을 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(30)은 3개의 NI 미러 즉, 미러들(M1, M9 및 M10)을 갖는다. 투영 광학 유닛(30)은 7개의 GI 미러, 즉 미러들(M2 내지 M8)을 갖는다.
미러(M2 내지 M8)는 모두 미러 편향 효과에 관하여 동일한 방향을 갖는다. 이에 관하여, 투영 광학 유닛(30)은 도 14 내지 도 16 및 도 29 및 도 20 내지 22에 따른 투영 광학 유닛(26)과 유사하다.
미러(M1 내지 M10)는 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면으로서 다시 한번 구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(30)의 미러(M1 내지 M10)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(30)의 모든 미러(M1 내지 M10)는 1 미만의 y/x- 종횡비를 갖는다.
마지막 미러(M10)는 1008.9mm를 측정하는 최대 직경을 갖는다. 모든 다른 미러들(M1 내지 M9)의 최대 직경은 750mm 미만이다. 10개의 미러 중 7개는 700mm 미만의 최대 직경을 갖는다. 10개의 미러 중 4개는 600mm 미만의 최대 직경을 갖는다.
한번 더, 투영 광학 유닛(30)은 미러(M10)의 통로 개구(17)의 영역의 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18) 및 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 갖는다. 제 1 평면 중간 이미지(18)와 통로 개구(17) 사이의 거리는 마지막 미러(M10)와 이미지 필드(8) 사이의 거리의 1/3보다 짧다.
투영 광학 유닛(30)에서, 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19) 중 제 1 이미지는 GI 미러(M4)의 이미징 광(3)의 반사의 영역에 놓인다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지 중 제 2 이미지(20)는 GI 미러(M6)에서의 반사의 영역의 이미징 광 빔 경로에 놓인다.
투영 광학 유닛(30)으로부터의 광학 설계 데이터는 그 설계에 있어서 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
투영 광학 유닛(30)은 9.88%의 전체 투과도를 갖는다.
투영 광학 유닛(30)의 이미지측 개구수는 0.55이다. 제 1 이미징 광 평면(xz)의 축소 팩터(βx)는 4이다. 제 2 이미징 광 평면(yz)의 축소 팩터(βy)는 8이다.
오브젝트측 주 광선 각도 CRA는 5.0°이다. 입사 동공의 최대 차폐는 20%이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 2080mm이다. 투영 광학 유닛(30)의 미러는 1008 mm x 3091 mm x 2029 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
오브젝트 평면(5)은 17°의 각도(T)만큼 x-축에 대해 이미지 평면(9)에 대하여 경사진다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M10) 사이의 작동 거리는 87mm이다. 평균 파면 수차 rms는 10.60mλ이다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 투영 광학 유닛(30)의 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로에 위치한다. 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서 완전히 접근 가능하다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(31)을 도 26 내지 도 28에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 25과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
도 26는 자오 단면으로 투영 광학 유닛(31)을 도시한다. 도 27은 투영 광학 유닛(31)의 사지탈 평면을 도시한다. 도 28는 투영 광학 유닛(31)의 미러(M1 내지 M10)의 반사면의 경계 윤곽을 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(31)은 3개의 NI 미러 즉, 미러들(M1, M9 및 M10)을 갖는다. 투영 광학 유닛(31)은 7개의 GI 미러, 즉 미러들(M2 내지 M8)을 갖는다.
미러(M2 내지 M8)는 모두 미러 편향 효과에 관하여 동일한 방향을 갖는다. 이에 관하여, 투영 광학 유닛(31)은 도 23 내지 도 25에 따른 투영 광학 유닛(30)과 유사하다.
미러(M1 내지 M10)는 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면으로서 다시 한번 구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(31)의 미러(M1 내지 M10)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(31)의 모든 미러(M1 내지 M10)는 1보다 작은 y/x- 종횡비를 갖는다.
이미징 빔 경로의 마지막 미러(M10)는 892.0mm로 측정되는 최대 직경을 갖는다. 모든 다른 미러(M1 내지 M9)의 최대 직경은 550mm미만이다. 10개의 미러 중 8개의 미러는 500mm 미만의 최대 직경을 갖는다. 10개의 미러 중 6개의 미러는 400mm 미만의 최대 직경을 갖는다.
다시 한번, 투영 광학 유닛(31)은 미러(M10) 내의 통로 개구(17)의 영역에서 정확하게 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18)와 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)를 갖는다. 두 개의 제 2 평면 중간 이미지(19) 중 제 1 이미지는 GI 미러(M4)에서의 반사의 영역에서 이미징 빔 경로에 있다. 두 개의 제 2 평면 중간 이미지들(20) 중 제 2 이미지는 GI 미러(M7)에서의 반사의 영역에서 이미징 빔 경로에 놓여있다.
미러(M7)(도 28 참조)는 기본 형태(GF)를 갖는 반사면 경계 윤곽(RK)을 갖고, 이것은 한번 더 투영 광학 유닛(31)의 오브젝트 필드(4) 또는 이미지 필드(8)의 곡선 기본 형태에 상응한다. 2개의 윤곽 벌지(KA)는 이러한 경계 윤곽(RK)의 측면 에지를 따라 배치되며, 이것은 도 28의 상부에 도시되며 기본 형태(GF)에 관하여 긴 측면 에지이다. 이러한 윤곽 벌지(KA)의 기능은 도 2 내지 도 4에 따른 실시예의 투영 광학 유닛(7)의 미러(M6)에 관하여 이미 기재된 것에 상응한다.
투영 광학 유닛(31)로부터의 광학 설계 데이터는 그 설계에 있어서 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
투영 광학 유닛(31)은 8.72%의 전체 투과도를 갖는다.
투영 광학 유닛(31)의 이미지측 개구수는 0.55이다. 제 1 이미징 광 평면(xz)의 축소 팩터(βx)는 4이다. 제 2 이미징 광 평면(yz)의 축소 팩터(βy)는 7.5이다.
오브젝트측 주 광선 각도 CRA는 5.0°이다. 입사 동공의 최대 차폐는 16%이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 3230mm이다. 투영 광학 유닛(31)의 미러는 891 mm x 2395 mm x 1615 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 입방체에 하우징될 수 있다.
투영 광학 유닛(31)에서, 오브젝트 평면(5)은 이미지 평면(9)에 평행하게 연장한다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M10) 사이의 작동 거리는 65mm이다. 평균 파면 수차 rms는 7.65mλ이다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 투영 광학 유닛(31)의 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로에 위치한다. 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서 완전히 접근 가능하다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(32)을 도 29 내지 도 31에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 28과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
도 29는 자오 단면으로 투영 광학 유닛(32)을 도시한다. 도 30은 투영 광학 유닛(32)의 사지탈 평면을 도시한다. 도 31는 투영 광학 유닛(32)의 미러(M1 내지 M7)의 반사면의 경계 윤곽을 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(32)은 3개의 NI 미러 즉, 미러들(M1, M6 및 M7)을 갖는다. 투영 광학 유닛(32)은 4개의 GI 미러, 즉 미러들(M2 내지 M5)을 갖는다.
미러(M2 내지 M5)는 모두 미러 편향 효과에 관하여 동일한 방향을 갖는다. 이에 관하여, 투영 광학 유닛(32)은 도 14 내지 도 16에 따른 투영 광학 유닛(26)과 유사하다.
미러(M1 내지 M7)는 상기 명시된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면으로서 다시 한번 구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(32)의 미러(M1 내지 M7)의 미러 파라미터를 한번 더 도시한다.
투영 광학 유닛(32)의 모든 미러(M1 내지 M7)는 1 보다 작은 y/x- 종횡비를 갖는다. 미러(M5)의 y/x- 종횡비는 1.6미만이다.
이미징 빔 경로의 마지막 미러(M7)는 903.2mm를 측정하는 최대 직경을 갖는다. 모든 다른 미러들(M1 내지 M6)의 최대 직경은 600mm 미만이다. 7개의 미러 중 5개는 500mm 미만의 최대 직경을 갖는다.
다시 한번, 투영 광학 유닛(32)은 미러(M7) 내의 통로 개구(17)의 영역에서 정확하게 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18)와 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19,20)를 갖는다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지 중 제 1 이미지(19)는 이미징 빔 경로에서 미러들(M3 및 M4) 사이에 있다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지 중 제 2 이미지(20)는 이미징 빔 경로에서 미러들(M4 및 M5) 사이에 있다.
투영 광학 유닛(32)의 이미지측 개구수는 0.45이다. 제 1 이미징 광 평면(xz)의 축소 팩터(βx)는 4이다. 제 2 이미징 광 평면(yz)의 축소 팩터(βy)는 8이다.
오브젝트측 주 광선 각도 CRA는 5.2°이다. 오브젝트 이미지 오프셋 dOIS은 대략 2470mm이다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M7) 사이의 작동 거리는 87mm이다. 평균 파면 수차 rms는 30.60mλ이다.
어퍼쳐 조리개(AS)는 투영 광학 유닛(32)의 미러들(M1 및 M2) 사이의 이미징 광 빔 경로에 위치한다. 이미징 광 빔은 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서 완전히 접근 가능하다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(33)을 도 32 내지 도 34에 기초하여 다음에 설명한다. 도 1 내지 도 31과 관련하여 상기 이미 설명한 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
도 32 및 도 34에 따른 투영 광학 유닛(33)은 사지탈 평면(xz)에서 4의 팩터만큼 축소하고 자오 평면(yz)에서 8의 팩터만큼 축소한다.
도 32는 자오 단면으로 투영 광학 유닛(33)을, 즉, yz 평면의 이미징 광(3)의 빔 경로(도 2의 개별 광선(15) 참조)를 도시한다. 도 34는 개별 광선(15)이 xz 평면상에 투영되는 도면, 즉, 사지털 도면으로 투영 광학 유닛(33)을 도시한다. 자오 평면(yz)은 또한 제 2 이미징 광 평면으로 지칭된다. 제 1 이미징 광 평면(xzHR)은 제 1 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x) 및 현재 이미징 광 주 전파 방향(zHR)에 의해 이미징 광(3)의 빔 경로의 각각의 위치에 걸쳐있는 평면이다. 이미징 광 주 전파 방향(zHR)은 중심 필드 지점의 주 광선(16)의 빔 방향이다. 원칙적으로, 이러한 이미징 광 주 전파 방향(zHR)은 미러(M1 내지 M6)에서 각각의 반사에서 변화한다. 이러한 변화는, 개별적으로 고려된 미러(M1 내지 M6)에서 중심 필드 지점의 이러한 주 광선(16)의 편향 각과 동일한 경사 각에 대하여 제 1 데카르트 오브젝트 필드 좌표(x)를 기준으로 현재 이미징 광 주 전파 방향(zHR)의 경사로서 기재될 수 있다. 개별적인 제 1 이미징 광 평면(xzHR)은 도 32에서 점선으로 표시되며 각각의 경우에 도면의 평면(yz 평면)에 수직이다.
후속하여, 제 1 이미징 광 평면(xzHR)은 또한 간소화를 목적으로 제 1 이미징 광 평면(xz)으로도 지칭된다.
제 2 이미징 광 평면(yz)은 마찬가지로 이미징 광 주 전파 방향(zHR)을 포함하며 제 1 이미징 광 평면(xzHR)에 수직이다.
투영 광학 유닛(33)은 오직 자오 평면(yz)에서만 폴딩되므로, 제 2 이미징 광 평면(yz)은 자오 평면과 일치한다.
도 32는 도 32에서 y-방향으로 서로 이격되는 3개의 오브젝트 필드 지점으로부터 발산하는 3개의 개별 광선(15)의 빔 경로를 도시한다. 주 광선(16), 즉, 투영 광학 유닛(33)의 동공 평면의 동공의 중심을 통과하는 개별 광선(15) 그리고 각각의 경우에 2개의 오브젝트 필드 지점의 상부 코마 광선과 하부 코마 광선이 도시된다. 오브젝트 필드(4)로부터 진행하여, 주 광선(16)은 오브젝트 평면(5)의 법선과의 5.2°의 각도(CRA)를 포함한다.
오브젝트 평면(5)은 이미지 평면(9)에 평행하게 놓인다.
투영 광학 유닛(33)은 0.55의 이미지측 개구수를 갖는다.
도 32에 따른 투영 광학 유닛(33)은 개별 광선(15)의 빔 경로의 순서로 M1 내지 M6으로 넘버링되는, 오브젝트 필드(4)로부터 진행하는 총 6개의 미러를 갖는다.
도 32는 미러(M1 내지 M6)의 계산된 반사면의 섹션을 도시한다. 이러한 계산된 반사면의 일부가 사용된다. 돌출부를 더하고, 반사면의 이러한 실제로 사용된 영역만이 실제 미러(M1 내지 M6)에 실질적으로 존재한다. 이러한 사용된 반사면은 미러 바디에 의해 알려진 방식으로 운반된다(carried).
도 32에 따른 투영 광학 유닛(33)에서, 모든 미러(M1 내지 M6)는 수직 입사를 위한 미러로서, 즉 이미징 광(3)이 45°보다 작은 입사각으로 충돌하는 미러로서 구성된다. 그에 따라, 전체적으로, 도 32에 따른 투영 광학 유닛(7)은 수직 입사를 위해 6개의 미러(M1 내지 M6)를 갖는다. 수직 입사를 위한 이러한 미러는 NI(수직 입사) 미러로서 지칭된다.
투영 광학 유닛(7)은 그레이징 입사를 위한 미러(GI 미러, 그레이징 입사 미러)를 갖지 않는다.
원칙적으로, 투영 광학 유닛의 모든 기재된 예시적인 실시예는 공정에서 이러한 변화하는 기본 이미징 특성 없이 xz-평면에 평행하게 연장하는 평면에 대하여 미러링될 수 있다.
미러(M1 내지 M6)는 이미징 광(3)에 대한 미러(M1 내지 M6)의 반사도를 최적화하는 코팅을 갖는다. 이러한 고 반사층은 다수 겹의 층으로서 구현될 수 있고, 연속하는 층은 상이한 재료로부터 제조될 수 있다. 교번하는 재료 층이 또한 사용될 수 있다. 종래의 다수 겹의 층은 개별적으로 몰리브덴의 층 및 실리콘의 층으로 구성된 50개의 이중층을 가질 수 있다. 이들은 예컨대 C(탄소), B4C(탄화 붕소)로 구성된 추가 분리 층을 포함할 수 있으며, 보호층 또는 진공에 대한 보호층으로 마무리될 수 있다.
NI 미러(수직 입사 미러)의 반사도에 관한 추가 정보는 DE 101 55 711 A에서 찾을 수 있다.
투영 광학 유닛(33)의 모든 미러(M1 내지 M8)의 반사도의 곱(product)으로서 발생하는 투영 광학 유닛(33)의 전체 반사도 또는 시스템 투과도는 대략 R=7.0%이다.
미러(M6), 즉, 이미징 빔 경로의 이미지 필드(8)의 상류의 마지막 미러는 끝에서 세번째 미러(M4)로부터 끝에서 두번째 미러(M5)를 향해 반사되는 이미징 광(3)의 통과를 위한 통로 개구(17)를 갖는다. 미러(M6)는 통로 개구(17) 주변에서 반사식으로 사용된다. 기타 미러(M1 내지 M5) 중 어느것도 통로 개구를 갖지 않으며, 상기 미러들은 갭 없이 연속하는 지역에서 반사식으로 사용된다.
제 1 이미징 광 평면(xz)에서, 투영 광학 유닛(33)은 미러들(M4 및 M5) 사이에서 이미징 광 빔 경로의 정확히 하나의 제 1 평면 중간 이미지(18)를 갖는다. 이러한 제 1 평면 중간 이미지(18)는 통로 개구(17)의 영역에 놓인다. 통로 개구(17)와 이미지 필드(8) 사이의 거리는 통로 개구(17)와 제 1 평면 중간 이미지(18) 사이의 거리보다 4배 더 크다.
제 1 이미징 광 평면(xz)에 수직인 제 2 이미징 광 평면(yz)에서, 이미징 광(3)은 정확히 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19 및 20)를 통과한다. 이러한 2개의 제 2 평면 중간 이미지 중 제 1 이미지(19)는 이미징 광 빔 경로의 미러들(M1 및 M2) 사이에 놓인다. 2개의 제 2 평면 중간 이미지 중 다른 하나의 이미지(20)는 제 1 평면 중간 이미지(18)의 영역에서 이미징 광 빔 경로의 미러들(M4, M5) 사이에 놓인다. 따라서, 제 1 평면 중간 이미지(18) 및 제 2 평면 중간 이미지(20) 모두는 미러(M6)의 통로 개구(17)의 영역에 놓인다. 이미징 광(3)의 전체 빔은 통과 개구(17)의 위치에서 작은 직경을 갖는다. 따라서, 미러들(M4 및 M5) 사이의 부분 빔 경로에서 이미징 광(3)을 줄이지 않으면서 통과 개구(17)의 직경이 작게 선택될 수 있다.
투영 광학 유닛(33)에서의 제 1 평면 중간 이미지들의 수, 즉 정확하게 하나의 제 1 평면 중간 이미지 및 투영 광학 유닛(33)에서의 제 2 평면 중간 이미지들의 수, 즉 정확하게 2개의 제 2 평면 중간 이미지는, 투영 광학 유닛(33)에서 서로 상이하다. 투영 광학 유닛(33)에서, 중간 이미지의 이러한 수는 정확히 1만큼 상이하다.
다수의 중간 이미지, 즉 2개의 제 2 평면 중간 이미지(19, 20)가 존재하는 제 2 이미징 광 평면(yz)은 미러(M1 내지 M6)의 폴딩 평면(yz)과 일치한다. 이러한 폴딩 평면은 각각의 미러(M1 내지 M6)에서의 반사시 중심 필드 지점의 주 광선(16)의 입사면이다. 제 2 평면 중간 이미지는 원칙적으로 이미징 광 주 전파 방향(zHR)을 정의하는 중심 필드 지점의 주 광선(16)에 수직이 아니다. 중간 이미지 경사 각도, 즉, 이러한 수직 배치로부터의 편차는 원칙적으로 임의적인(arbitrary) 것이며 0°와 ± 89° 사이에 놓일 수 있다.
보조 장치(18a, 19a, 20a)는 중간 이미지(18, 19, 20)의 영역에 배치될 수 있다. 이러한 보조 장치(18a 내지 20a)는 이미징 광 빔의 경계를 적어도 부분적으로 정의하기 위한 필드 조리개가 될 수 있다. UNICOM식의, 특히 x-방향으로 엇갈린(staggered) 핑거 조리개(finger stop)를 갖는 필드 세기 규정 장치는 중간 이미지(18 내지 20)의 중간 이미지 평면 중 하나에 배치될 수 있다.
미러(M1 내지 M6)는 회전 대칭 함수에 의해 기재할 수 없는 자유 곡면으로서 구현된다. 미러(M1 내지 M6) 중 적어도 하나가 회전 대칭 비구면으로서 구현되는 투영 광학 유닛(33)의 다른 실시예도 가능하다. 이러한 회전 대칭 비구면에 대한 비구면 수학식은 DE 10 2010 029 050 A1로부터 알려져 있다. 또한, 모든 미러(M1 내지 M6)도 비구면으로 구현될 수 있다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(33)의 미러(M1 내지 M6)에 대한 파라미터 "최대 입사 각도", "x-방향에서의 반사면의 범위", "y-방향에서의 반사면의 범위" 및 "최대 미러 직경"을 요약한다:
모든 미러(M1 내지 M6)의 이미징 광의 최대 입사 각도는 25°미만이다. 이러한 최대 입사 각도는 미러(M5) 상에 존재하며 22.0°이다.
오브젝트 필드(4)의 하류의 이미징 광 빔 경로의 먼저 4개의 미러(M1 내지 M4)의 이미징 광(3)의 최대 입사 각도는 20°이다. 먼저 4개의 미러(M1 내지 M4) 상의 이러한 가장 큰 각도는 미러(M3) 상에 존재하며 17.5°이다.
y/x-종횡비는 투영 노광 장치(33)의 미러들(M1 내지 M6) 중 미러(M4)에서 1의 값으로부터 가장 강하게 이탈하며 거기서 이는 대략 1:2.6의 값을 갖는다. 모든 다른 미러에서, y/x-종횡비는 1:1와 1:2.5사이의 범위에 있다. 미러들(M1 내지 M4)의 x/y-종횡비는 각각의 경우에 2:1보다 크다.
미러(M4)는 913mm의 직경을 갖는 가장 큰 최대 미러 직경을 갖는다. 다른 미러(M1 내지 M3, M5, M6) 중 어느것도 800mm보다 큰 최대 미러 직경을 갖지 않는다.
동공 정의 어퍼쳐 조리개(AS)는 투영 광학 유닛(33)에서 미러들(M2 및 M3) 사이의 이미징 광 빔 경로에 배치된다. 어퍼쳐 조리개(AS)의 영역에서, 전체 이미징 광 빔은 그 전체 둘레에 걸쳐서 접근가능하다. 어퍼쳐 조리개(AS)는 전체 이미징 광 빔의 전체 외부 단면을 제한한다. 어퍼쳐 조리개(AS)는 제 2 평면 중간 이미지(19)에 공간적으로 인접하여 배치된다. 이러한 배치는 미러(M2, M3) 사이의 이미징 광 부분 빔과 관련하여 미러(M1, M2)들 상에 이미징 광 부분 빔(3)을 폴딩하는 것이 가능하게 하여, 미러(M2) 상의 이미징 광(3)의 입사 광선의 입사의 상응하게 낮은 최대 각도를 야기한다.
투영 광학 유닛(33)으로부터의 미러들(M1 내지 M6)의 반사면으로부터의 광학 설계 데이터는 그 설계에 있어서 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
투영 광학 유닛(33)의 전체 반사도는 대략 7.85%이다.
미러의 기준축은 일반적으로 이미지 평면(9)의 법선에 대해 경사져있으며, 이는 표의 경사도 값에 의해 분명하게 된다.
*이미지 필드(8)는 2배 13mm의 x-범위와 1mm의 y-범위를 갖는다. 투영 광학 유닛(33)은 13.5nm의 조명 광(3)의 동작 파장에 최적화된다.
조리개의 조리개 표면의 에지(도 32에 대한 표 6 또한 참조)는 조명 광(3)의 모든 광선의 조리개 표면 상의 교차 지점으로부터 나오며, 이는, 이미지 측 상에서, 완전한 이미지-측 텔레센트릭 애퍼쳐를 갖는 조리개 표면의 방향으로 필드 중심 지점에서 전파한다. 조리개가 애퍼쳐 조리개로서 구현될 때, 에지는 내부 에지이다.
조리개(AS)는 일 평면에 놓일 수 있거나 3차원 실시예를 가질 수 있다. 조리개(AS)의 범위는 크로스 스캔 방향(x)에서 보다는 스캔 방향(y)에서 더 작을 수 있다.
투영 광학 유닛(33)의 z-방향으로의 설치 길이, 즉 오브젝트 평면(5)과 이미지 평면(9) 사이의 거리는 대략 2500mm이다.
투영 광학 유닛(33)에서, 동공 차폐는 입사 동공의 전체 어퍼쳐의 15%이다. 따라서, 개구수의 15% 미만이 통로 개구(17)의 결과로서 불명확해진다. 차폐 에지는 조리개(18)와 관련하여 상기 기재된 조리개 에지의 구성과 유사한 방식으로 구성된다. 차폐 조리개로서의 실시예에서, 에지는 조리개의 외부 에지다. 투영 광학 유닛(33)의 시스템 동공에서, 차폐로 인하여 조명될 수 없는 표면은 전체 시스템 동공의 표면의 0.152 미만이다. 시스템 동공내의 조명되지 않은 표면은 y-방향보다 x-방향에서 상이한 범위를 가질 수 있다. 시스템 동공의 조명되지 않은 표면은 원형, 타원형, 정사각형, 또는 직사각형일 수 있다. 또한, 조명될 수 없는, 시스템 동공의 이러한 표면은, 시스템 동공의 중심에 관하여 x-방향 및/또는 y-방향으로 편심될 수 있다.
오브젝트 필드 중심 점과 이미지 필드 중심 점 사이의 y 거리 dOIS(오브젝트 이미지 오프셋)는 대략 1100mm이다. 미러(M5)와 이미지 필드(9) 사이의 작동 거리는 90mm이다.
투영 광학 유닛(33)의 미러는 913 mm x 1418 mm x 1984 mm의 xyz 에지 길이를 갖는 직육면체에 하우징될 수 있다.
투영 광학 유닛(33)은 이미지 측에서 대략 텔레센트릭이다.
투영 광학 유닛(7) 대신에, 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는, 또 다른 실시 형태의 투영 광학 유닛(34)을 도 33 내지 도 35에 기초하여 다음에 설명한다. 도 33은 한번 더 자오 단면을 도시하며 도 35는 투영 광학 유닛(34)의 사지털 도면을 도시한다. 도 1 내지 도 32 및 도 34와 관련하여 상기 이미 설명한 구성요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 적절히 표시되어 있으므로, 다시 상세하게 설명하지 않는다.
미러(M1 내지 M6)는 상기 지정된 자유 곡면 수학식(1)이 적용되는 자유 곡면 미러로서 재구현된다.
이하의 표는 투영 광학 유닛(34)의 미러(M1 내지 M6)의 미러 파라미터를 도시한다.
미러(M1 내지 M6) 중 어느 것도 1 보다 큰 반사면의 y/x-종횡비를 갖지 않는다. 미러(M2)는 대략 1:3.4의 가장 작은 y/x-종횡비를 갖는다.
여기서, 미러(M6)는 950.9mm 미만으로 측정되는 최대 미러 직경을 갖는다.
투영 광학 유닛(34)으로부터의 광학 설계 데이터는 그 설계에 있어서 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
투영 광학 유닛(34)의 전체 투과도는 대략 8.02%이다.
투영 광학 유닛(34)의 이미지측 개구수는 0.55이다. 제 1 이미징 광 평면(xz)에서, 투영 광학 유닛(34)은 4.00의 축소 팩터(βx)를 갖는다. 제 2 이미징 광 평면(yz)에서, 투영 광학 유닛(21)은 -8.00의 축소 팩터(βy)를 갖는다. 오브젝트측 주 광선 각도는 5.2°이다. 투영 광학 유닛(34)의 설치 길이는 대략 3000mm이다. 동공 차폐는 9%이다. 오브젝트-이미지 오프셋 dOIS은 177.89mm이며 따라서 도 32에 따른 투영 광학 유닛(7)의 오브젝트-이미지 오프셋 dOIS보다 훨씬 더 작다.
투영 광학 유닛(34)의 미러는 951 mm x 1047 mm x 2380 mm의 xyz-에지 길이를 갖는 직육면체에 하우징될 수 있다.
레티클(10) 및 따라서 오브젝트 평면(5)은 x-축에 대하여 10°의 각도(T)로 이미지 평면(9)에 대해 경사진다. 이러한 경사 각도(T)는 도 33에 표시된다.
이미지 평면(9)과 웨이퍼에 가장 가까운 미러(M5) 사이의 작동 거리는 대략 126mm이다.
상기 기재된 투영 광학 유닛의 일부 데이터는 이하의 표I 및 표 Ⅱ에서 다시 요약된다. 개별적인 제 1 칼럼은 개별적인 예시적인 실시예에 데이터를 할당하는 역할을 한다.
이하의 표 I는 개구수(NA), x-방향의 이미지 필드 범위(필드사이즈 X), y-방향의 이미지 필드 범위(필드사이즈 Y), 이미지 필드 곡률(필드 곡률) 및 전체 반사도 또는 시스템 투과도(투과도)의 광학적 파라미터를 요약한다.
이하의 표 Ⅱ는 파라미터 "미러 타입의 순서"(미러 타입 순서), "미러 편향 효과의 순서"(미러 회전 순서), "xz-평면의 굴절력 순서"(x 굴절력 순서) 및 "yz-평면의 굴절력 순서"(y 굴절력 순서)를 명시한다. 이러한 순서는 빔 경로의 마지막 미러에 의해 시작되며, 즉, 빔의 역방향을 따른다. 예시로서, 순서 "R0LLRRRL"는 도 2에 따른 실시예에서 순서(M8 내지 M1)의 편향 효과에 관한 것이다.
미러 타입에서, 명세(specification) "N"은 수직 입사(NI) 미러와 관련이 있으며 "G"는 그레이징 입사(GI) 미러와 관련된다. 굴절력 순서에서, "+"는 오목 미러면을 나타내고, "-"는 볼록 미러면을 나타낸다. x 및 y의 굴절력 순서를 비교할 때, 예를 들어 도 5에 따른 실시예를 제외하고 모든 예시적인 실시예는 x 및 y에서 상이한 굴절력 순서를 갖는 것을 알 수 있다. x 및 y의 굴절력의 상이한 부호를 갖는 이들 미러는 새들 또는 토릭 표면을 나타낸다. GI 미러가 예시적인 실시예 중 하나에서 발생하는 정도로, 이들 각각은 표 Ⅱ의 미러 유형 순서로부터 알수 있는 바와 같이 적어도 쌍으로 발생한다.
마이크로 구조 또는 나노 구조의 구성요소를 제조하기 위해, 투영 노광 장치(1)는 다음과 같이 사용된다: 첫째, 반사 마스크(10) 또는 레티클 및 기판 또는 웨이퍼(11)가 제공된다. 후속하여, 레티클(10) 상의 구조가 투영 노광 장치(1)를 사용하여 웨이퍼(11)의 감광성 층 상에 투영된다. 그 후, 웨이퍼(11) 및 그에 따른 마이크로 구조의 구성요소 상의 마이크로 구조나 나노 구조는 감광성 층을 현상함으로써 제조한다.

Claims (10)

  1. 이미징 광 빔 경로를 따라 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)로부터 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8) 내에 이미징 광(3)을 가이드하기 위한, 이미징 광학 유닛(7; 31)의 구성요소로서의 미러(M6, M7)로서,
    - 기본 형태(GF)를 갖는 경계 윤곽(RK)을 포함하는, 반사를 위해 사용할 수 있는 반사면으로서, 상기 기본 형태가 상기 오브젝트 필드의 기본 형태에 상응하고, 적어도 2개의 윤곽 벌지(KA)가 이러한 경계 윤곽(RK)의 측면 에지를 따라 배치되는, 상기 반사면을 포함하는, 미러.
  2. 청구항 1에 있어서, 2개의 윤곽 벌지(KA)가 기본 형태(GF)의 긴 측면을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 미러.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 적어도 2개의 윤곽 벌지(KA)가 상기 경계 윤곽(RK)의 2개의 측면 에지를 따라 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 미러.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 미러는, EUV 파장에 대해 고 반사성인 반사 코팅을 갖는 EUV 미러로서 구현되는 미러.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 반사 코팅은 다층 코팅인 미러.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 4개의 윤곽 벌지(KA)를 갖는 미러.
  7. 이미징 광 빔 경로를 따라 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)로부터 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)내에 이미징 광(3)을 가이드하기 위한, 이미징 광학 유닛(7; 31)으로서, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 적어도 하나의 미러를 포함하는 이미징 광학 유닛.
  8. 광학 시스템으로서,
    - 청구항 7에 기재된 이미징 광학 유닛을 포함하고,
    - 광원(2)으로부터의 조명 광(3)으로 상기 오브젝트 필드(4)를 조명하기 위한 조명 광학 유닛(6)을 포함하는, 광학 시스템.
  9. 청구항 8에 기재된 광학 시스템을 포함하고 조명 광(3)을 생성하기 위한 광원(2)을 포함하는 투영 노광 장치.
  10. 구조화된 소자를 제조하기 위한 방법으로서,
    - 레티클(10) 및 웨이퍼(11)를 제공하는 단계,
    - 청구항 9에 기재된 투영 노광 장치에 의해 상기 웨이퍼(11)의 감광성 층 상에 상기 레티클(10) 상의 구조를 투영하는 단계,
    - 상기 웨이퍼(11) 상에 마이크로구조 또는 나노구조를 생성시키는 단계를 포함하는, 방법.
KR1020247007473A 2015-04-14 2016-04-12 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치 KR20240036129A (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015206635.5 2015-04-14
DE102015206635 2015-04-14
DE102015226531.5 2015-12-22
DE102015226531.5A DE102015226531A1 (de) 2015-04-14 2015-12-22 Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
KR1020177032795A KR102648040B1 (ko) 2015-04-14 2016-04-12 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치
PCT/EP2016/057966 WO2016166080A1 (de) 2015-04-14 2016-04-12 Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177032795A Division KR102648040B1 (ko) 2015-04-14 2016-04-12 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240036129A true KR20240036129A (ko) 2024-03-19

Family

ID=57043608

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177032795A KR102648040B1 (ko) 2015-04-14 2016-04-12 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치
KR1020247007473A KR20240036129A (ko) 2015-04-14 2016-04-12 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177032795A KR102648040B1 (ko) 2015-04-14 2016-04-12 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10656400B2 (ko)
JP (1) JP6799544B2 (ko)
KR (2) KR102648040B1 (ko)
CN (2) CN107810446B (ko)
DE (1) DE102015226531A1 (ko)
WO (1) WO2016166080A1 (ko)

Families Citing this family (254)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017205130A1 (de) 2017-03-27 2017-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017207542A1 (de) 2017-05-04 2017-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017210269A1 (de) 2017-06-20 2017-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017210990A1 (de) 2017-06-28 2017-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld mit EUV-Abbildungslicht
DE102017212869A1 (de) 2017-07-26 2019-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
TW202328826A (zh) 2017-07-26 2023-07-16 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 投射微影中用於成像光之光束導引的光學元件
DE102018200152A1 (de) 2018-01-08 2019-07-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102017216458A1 (de) 2017-09-18 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102017216893A1 (de) 2017-09-25 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102018200956A1 (de) 2018-01-22 2018-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018200955A1 (de) 2018-01-22 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Baugruppe zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018200954A1 (de) 2018-01-22 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018201170A1 (de) * 2018-01-25 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102018207277A1 (de) 2018-05-09 2019-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithografiemaske, optisches System zur Übertragung von Original Strukturabschnitten der Lithografiemaske sowie Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, in dem mindestens ein Original-Strukturabschnitt einer Lithografiemaske anordenbar ist
DE102018208373A1 (de) 2018-05-28 2019-06-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element zur Strahlführung von Abbildungslicht bei der Projektionslithographie
DE102018215505A1 (de) 2018-09-12 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102018216832A1 (de) 2018-10-01 2018-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bereitstellung einer Optik-Baugruppe
DE102020210829A1 (de) 2020-08-27 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020211096A1 (de) 2020-09-02 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacette für einen Feldfacettenspiegel einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212229B3 (de) 2020-09-29 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102020212351A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212367A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102020212569A1 (de) 2020-10-06 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102020212927A1 (de) 2020-10-14 2022-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102020213416A1 (de) 2020-10-23 2021-10-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung und einem Polarisator
CN112769039A (zh) * 2020-11-03 2021-05-07 深圳阜时科技有限公司 一种光源、发射模组、光学感测装置及电子设备
DE102020213837A1 (de) 2020-11-04 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Vorrichtung
DE102020215906A1 (de) 2020-12-15 2022-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Dämpfungseinrichtung, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021200113A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer optischen Vorrichtung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021200114A1 (de) 2021-01-08 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelprojektionsoptik, Verfahren zur Überprüfung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021212993A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Messung einer Absorption einer elektromagnetischen Strahlung durch ein optisches Element, Vorrichtung zur Messung einer Umformungseigenschaft eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102021101523B3 (de) 2021-01-25 2021-10-14 Carl Zeiss IQS Deutschland GmbH Vorrichtung zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesytems, Verfahren zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102021213096A1 (de) 2021-01-28 2022-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines mechanischen systems für eine lithographieanlage
DE102021201001A1 (de) 2021-02-03 2022-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021201203A1 (de) 2021-02-09 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102021201257A1 (de) 2021-02-10 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Spektrums einer Strahlung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021201396A1 (de) 2021-02-15 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrteiligen Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021201689A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202502B4 (de) 2021-03-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Verändern einer Form einer Oberfläche eines Objekts
DE102021202770A1 (de) 2021-03-22 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202769A1 (de) 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202802B3 (de) 2021-03-23 2022-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von atomarem Wasserstoff
DE102021202849A1 (de) 2021-03-24 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202909A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021202911A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021203475A1 (de) 2021-04-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021203721A1 (de) 2021-04-15 2022-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-sensor-vorrichtung und lithographieanlage
DE102021203723A1 (de) 2021-04-15 2022-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022108541A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Beprobungselementes und Beprobungselement
DE102022200726A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Vorrichtung zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021204265A1 (de) 2021-04-29 2022-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zu Reinigung einer Oberfläche eines Elementes und Reinigungsvorrichtung
DE102021204582B3 (de) 2021-05-06 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021205104A1 (de) 2021-05-19 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit deformierbarem Element und Verfahren zur Herstellung eines Elements
DE102021205149B3 (de) 2021-05-20 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Facettenspiegels
DE102021205278B4 (de) 2021-05-21 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Einstellbarer Abstandshalter, Optisches System, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102021205425A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205426A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205368A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Auslegung der Komponente
DE102021205774A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021205775A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021205809B3 (de) 2021-06-09 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Verschraubung eines Aktuator-Sensor-Moduls einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203929A1 (de) 2021-06-16 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Positionierung einer ersten Komponente eines optischen Systems, Komponente eines optischen Systems, optische Einrichtung und Lithografiesystem
DE102021206427A1 (de) 2021-06-22 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022115356A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Temperierung eines Bauteils
DE102022204833A1 (de) 2021-07-02 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021206953A1 (de) 2021-07-02 2022-06-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102021207522A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung einer Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage und Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102021208563A1 (de) 2021-08-06 2022-09-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bestimmen einer temperatur in einer lithographieanlage
DE102021208562A1 (de) 2021-08-06 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Temperaturmessvorrichtung, lithographieanlage und verfahren zum messen einer temperatur
DE102021208628A1 (de) 2021-08-09 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102021208664A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
DE102021120747A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren zur Entfernung eines Partikels von einem Maskensystem
DE102021208801B3 (de) 2021-08-11 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Auslegung einer Klebstoffschicht
DE102021208843A1 (de) 2021-08-12 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Verbindungselement
DE102021208879A1 (de) 2021-08-13 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, projektionsoptik und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209099A1 (de) 2021-08-19 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209098A1 (de) 2021-08-19 2022-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Schutzschlauch und projektionsbelichtungsanlage
DE102022121000B4 (de) 2021-08-23 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Schutzvorrichtung zum Schutz der optischen Wirkfläche und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022204387A1 (de) 2021-08-24 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zu reinigenden Oberfläche, Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie und Lithografiesystem
DE102021210103B3 (de) 2021-09-14 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021210104A1 (de) 2021-09-14 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210470B3 (de) 2021-09-21 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021210577A1 (de) 2021-09-23 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210708A1 (de) 2021-09-24 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Dosiervorrichtung und verfahren zum herstellen einer lithographieanlage
DE102021211181A1 (de) 2021-10-05 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsoptik
DE102022205758A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und verfahren
DE102021211619A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV- Mehrfachspiegelanordnung
DE102021211626A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Mehrfachspiegelanordnung
DE102021212394A1 (de) 2021-11-03 2023-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102021212553A1 (de) 2021-11-08 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022210796A1 (de) 2021-11-11 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021212971A1 (de) 2021-11-18 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021213168A1 (de) 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102021213441A1 (de) 2021-11-29 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021213458A1 (de) 2021-11-30 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021213612A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, testgerät, lithographieanlage, anordnung und verfahren
DE102021213610A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system, testgerät und anordnung
DE102021213864A1 (de) 2021-12-07 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102021214139A1 (de) 2021-12-10 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem Korrekturermittlungsmodul
DE102021214665A1 (de) 2021-12-20 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Temperierstruktur
DE102021214981A1 (de) 2021-12-23 2023-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und trockenvorrichtung
DE102022200205B3 (de) 2022-01-11 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Entfernung von Fremdkörpern
DE102022200264A1 (de) 2022-01-12 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels, optisches Bauelement, optische Baugruppe, Verfahren zur Verkippung eines Spiegels, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022200277A1 (de) 2022-01-13 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung, Präparationsverfahren und Präparationsvorrichtung zur Herstellung eines Grundkörpers, Grundkörper, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022213100A1 (de) 2022-01-13 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-/sensor-vorrichtung, optikmodul und lithographieanlage
DE102022200400A1 (de) 2022-01-14 2022-06-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022213113A1 (de) 2022-01-18 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Justageeinstellung, interferometrische Messvorrichtung, Hologrammvorrichtung und Lithografiesystem
DE102022212378A1 (de) 2022-01-24 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme und Kühlung eines Optikkörpers, Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Kühlverfahren zur Kühlung eines Optikkörpers, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022211909A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102022200976A1 (de) 2022-01-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kalibrierkörper und Verfahren zur Kalibrierung
DE102022201007A1 (de) 2022-01-31 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verbindung wenigstens einer ersten und einer zweiten Modulkomponente, Modul eines Lithografiesystems, optisches Element und Lithografiesystem
DE102023200212A1 (de) 2022-02-01 2023-08-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Manipulation von Schwingungen
DE102022201301A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung
DE102023200336A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Verbindungselement
DE102022201304A1 (de) 2022-02-08 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung des Endes einer Aufwärmphase eines optischen Elementes
DE102022212721A1 (de) 2022-02-16 2023-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102023201200A1 (de) 2022-03-01 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022202116A1 (de) 2022-03-02 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202241A1 (de) 2022-03-04 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202355A1 (de) 2022-03-09 2023-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegelbaugruppe, Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Mikrospiegelbaugruppe und Verfahren zum Verkippen einer Spiegelfläche
DE102023201812A1 (de) 2022-03-09 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung
DE102022202424A1 (de) 2022-03-10 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Prüfsystem zur Analyse von Dichtungssystemen
DE102023201828A1 (de) 2022-03-14 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Steckeraufnahme, Heizvorrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201560A1 (de) 2022-03-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202938A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202989A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Messung einer Ist-Verkippung einer optischen Oberfläche eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102022203150A1 (de) 2022-03-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Erfassung einer Temperaturverteilung und Lithografiesystem
DE102022203257A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022203298A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche
DE102022203254B3 (de) 2022-04-01 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Wasserführendes system, projektionsbelichtungsanlage und messvorrichtung
DE102022203255A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022203299A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überprüfung der Qualität einer Verschraubung
DE102022203369A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022203393A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203438B4 (de) 2022-04-06 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, optisches Modul, optische Abbildungseinrichtung und -verfahren, Verfahren zum Abstützen eines optischen Elements, mit aktiv verkippbarem optischem Element
WO2023194220A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Device and method for aligning two components
DE102022208738A1 (de) 2022-08-24 2024-02-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203433A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022203745A1 (de) 2022-04-13 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203758A1 (de) 2022-04-13 2023-10-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022203881A1 (de) 2022-04-20 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Leiterplatte für ein optisches system, optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen einer leiterplatte für ein optisches system
DE102022203999A1 (de) 2022-04-26 2022-07-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur, Vorrichtung zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur und Lithografiesystem
DE102022204044A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022204095A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen einer Beleuchtungswinkelverteilung auf einem Objektfeld sowie Beleuchtungsoptik mit einer hierüber vorgegebenen Beleuchtungskanal-Zuordnung
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204268A1 (de) 2022-04-29 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauteil für eine Lithographieanlage
DE102022204580A1 (de) 2022-05-11 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen oder betreiben eines spiegels in einer lithographieanlage
DE102022204643A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022205227A1 (de) 2022-05-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Ermittlung einer Ist-Deformation, Verfahren zur Einstellung einer Solldeformation und Lithografiesystem
DE102023203580A1 (de) 2022-05-31 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlmittelleitung zur Bereitstellung eines Fluids zur Temperierung von Bauteilen
DE102022214283A1 (de) 2022-06-07 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Lithographieanlage und Lithographieanlage
DE102022205815A1 (de) 2022-06-08 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206038A1 (de) 2022-06-15 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Aktuatoreffekten von Aktuatoren
DE102022206065B3 (de) 2022-06-15 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022206124A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten einer oberfläche eines optischen elements einer lithographieanlage
DE102022206126A1 (de) 2022-06-20 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206112A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206110A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206198A1 (de) 2022-06-21 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102023204960A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102022116693A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit schwingungsmindernden Abschnitten von Fluidleitungen und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116699A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022116698B3 (de) 2022-07-05 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022206832A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum regeln einer position einer optischen komponente einer lithographieanlage
DE102022116700A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022116695A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für ein optisches Element sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116694A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes, Grundkörper sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
WO2024008676A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur herstellung eines grundkörpers eines optischen elementes für die halbleiterlithografie, grundkörper, optisches element und projektionsbelichtungsanlage
DE102022116696A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element mit einer Anbindungsgeometrie und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022208286A1 (de) 2022-08-09 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für die Halbleiterlithografie, optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022207027A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung von sensordaten eines optischen systems, optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023206334A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuervorrichtung und optisches system
DE102022207123A1 (de) 2022-07-12 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Zapfen für ein Spannsystem
DE102022207148A1 (de) 2022-07-13 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022207312A1 (de) 2022-07-18 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022207348A1 (de) 2022-07-19 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justierelementsatz
DE102023205175A1 (de) 2022-07-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bestimmen eines Gesamtschwerpunkts einer Verteilung von Lichtintensitäten
DE102022207545A1 (de) 2022-07-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102022207546B3 (de) 2022-07-25 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Baugruppe, Beleuchtungsoptik, optisches System, Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie Bauteil
DE102022207555A1 (de) 2022-07-25 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022207687A1 (de) 2022-07-27 2024-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Bauteils, computerimplementiertes Verfahren und Lithografiesystem
DE102022207689A1 (de) 2022-07-27 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Computerprogrammprodukt zur Identifikation von Kontaminationen bei Komponenten einer EUV-Lithografie-Anlage
DE102022207884B4 (de) 2022-07-29 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung, Verfahren zur interferometrischen Vermessung, Bearbeitungsverfahren, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022208010A1 (de) 2022-08-03 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung eines Fluids und Komponente
DE102022208231B3 (de) 2022-08-08 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022208206A1 (de) 2022-08-08 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Stabilisierung einer Klebstoffverbindung einer optischen Baugruppe
DE102022208204A1 (de) 2022-08-08 2023-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022209453A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Faserstrang für einen Sektorheizer, Sektorheizer und Projektionsvorrichtung
WO2024052300A1 (en) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system, radiation source apparatus, method for illuminating a reticle, and lithography system
DE102023203506A1 (de) 2022-09-12 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vakuumkammer für Komponenten für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur automatisierten Reinigung der Vakuumkammer
WO2024056600A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method to adjust an illumination beam path within an illumination optics and illumination optics having an adjustment system
DE102023206503A1 (de) 2022-09-14 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102022209791B3 (de) 2022-09-19 2023-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022209852A1 (de) 2022-09-19 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Thermische aktuatoranordnung
DE102022209868A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische baugruppe, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022209854A1 (de) 2022-09-20 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung
DE102023208854A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung zum kühlen einer positionssensitiven komponente einer lithographieanlage
DE102022209922A1 (de) 2022-09-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektometervorrichtung, messanordnung, verfahren zum herstellen eines optischen referenzelements und verfahren zum vermessen einer probe einer lithographieanlage
DE102022210024A1 (de) 2022-09-22 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Computergenerierten Hologramms, Regularisierungsverfahren und Lithografiesystem
DE102022210035A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Führung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022210037A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zum Tempern mindestens eines Teilbereichs eines optischen Elementes
DE102022210132A1 (de) 2022-09-26 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Herstellung der Komponente
DE102022210158A1 (de) 2022-09-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022210171A1 (de) 2022-09-27 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022210229A1 (de) 2022-09-27 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnetsystem und Verfahren zur reibungsreduzierten Lagerung und/oder Lagebeeinflussung eines optischen Elements
DE102022210289A1 (de) 2022-09-28 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Positionierung eines optischen Elements, Messvorrichtung zur Vermessung einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022210274A1 (de) 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung und messverfahren zum messen einer in einem optischen system abfallenden spannung, optisches system und lithographieanlage
DE102022210356A1 (de) 2022-09-29 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022125354A1 (de) 2022-09-30 2024-04-04 Asml Netherlands B.V. Kühlvorrichtung zum Kühlen einer positionssensitiven Komponente einer Lithographieanlage
DE102022211226A1 (de) 2022-10-24 2024-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022211334A1 (de) 2022-10-26 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ansteuerung eines Aktuators und Aktuator
DE102023207047A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlleitungsvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum steuern eines drucks einer kühlflüssigkeit in einer kühlleitung einer lithographieanlage
DE102023208302A1 (de) 2022-11-02 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh System für eine lithographieanlage und lithographieanlage
DE102023208848A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines beleuchtungssystems einer lithographieanlage
DE102022211696A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023208851A1 (de) 2022-11-08 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022211799A1 (de) 2022-11-08 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Manipulator, optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022211875A1 (de) 2022-11-09 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur lokaler Oberflächenerhebungen auf spiegelnden Oberflächen
DE102022212120A1 (de) 2022-11-15 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und fasereinblasvorrichtung
DE102022212136A1 (de) 2022-11-15 2023-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung von Bildfehlern hochauflösender Abbildungssysteme per Wellenfrontmessung
DE102022212167A1 (de) 2022-11-16 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Quellen-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212168A1 (de) 2022-11-16 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Optik-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212257A1 (de) 2022-11-17 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers und Grundkörper mit einer Leichtbaustruktur sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212377A1 (de) 2022-11-21 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Dichtungsvorrichtung, verfahren und verwendung
DE102022212382A1 (de) 2022-11-21 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Design einer Projektionsoptik sowie Projektionsoptik
DE102022212463A1 (de) 2022-11-22 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems einer lithographieanlage
DE102022212537A1 (de) 2022-11-24 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und anordnung mit einem optischen system
WO2024120941A1 (en) 2022-12-09 2024-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror socket, optical system and projection exposure apparatus
US20240192605A1 (en) 2022-12-13 2024-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102022213681A1 (de) 2022-12-15 2024-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung für eine lithographieanlage
DE102022213752A1 (de) 2022-12-16 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Interferometervorrichtung zur Vermessung einer Oberfläche, Verfahren zur interferometrischen Vermessung einer Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022213810A1 (de) 2022-12-16 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Linse eines Lithografiesystems, Optikvorrichtung für ein Lithografiesystem und Lithografiesystem
DE102022213987A1 (de) 2022-12-20 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Montage einer optischen Baugruppe, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022214184A1 (de) 2022-12-21 2024-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023200146A1 (de) 2023-01-11 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justagesystem zur justage einer position eines facettenspiegels einer lithographieanlage
DE102023200329B3 (de) 2023-01-17 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Montage der optischen Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023200423A1 (de) 2023-01-20 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum dämpfen einer druckschwankung einer flüssigkeit in einer flüssigkeitsleitung einer kühlvorrichtung einer lithographieanlage
DE102023201137A1 (de) 2023-02-13 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und Verfahren zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102023201546B3 (de) 2023-02-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entschichten einer optischen Oberfläche, Vorrichtung zum Entschichten einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102023201840A1 (de) 2023-03-01 2024-02-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für die Halbleitertechnik und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201860A1 (de) 2023-03-01 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe und Verfahren zur Verbindung zweier Bauteile
DE102023203830A1 (de) 2023-04-25 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Distanzvorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102023203832A1 (de) 2023-04-25 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023203897A1 (de) 2023-04-27 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente einer lithographieanlage, komponente und lithographieanlage
DE102023204394A1 (de) 2023-05-11 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Minimierung von Druckschwankungen und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023205426A1 (de) 2023-06-12 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Modul mit zwei Fügepartnern für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102023205570A1 (de) 2023-06-14 2024-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023205587A1 (de) 2023-06-15 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauelement für die Halbleiterlithografie, Verfahren zum Herstellen eines Gelenkkörpers für einen Sensor eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102023116898A1 (de) 2023-06-27 2024-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023116899A1 (de) 2023-06-27 2024-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023206344A1 (de) 2023-07-04 2024-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023206565A1 (de) 2023-07-11 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Wasserführendes system und projektionsbelichtungsanlage
DE102024200329A1 (de) 2024-01-15 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Filtration eines Kühlschmiermittels, Bearbeitungseinrichtung sowie Lithografiesystem

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891806A (en) 1996-04-22 1999-04-06 Nikon Corporation Proximity-type microlithography apparatus and method
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
JP2002048977A (ja) 2000-08-01 2002-02-15 Nikon Corp 反射光学系及びこの光学系を用いたプロキシミティ露光装置
DE10052289A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
KR20030045817A (ko) * 2000-10-20 2003-06-11 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
DE10155711B4 (de) 2001-11-09 2006-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel
JP5366405B2 (ja) * 2004-12-23 2013-12-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 遮光瞳を有する高開口率対物光学系
CN100582861C (zh) * 2004-12-23 2010-01-20 卡尔蔡司Smt股份公司 具有暗化光瞳的大孔径物镜
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
KR101127346B1 (ko) 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
DE102007023884A1 (de) 2007-05-23 2008-11-27 Carl Zeiss Ag Spiegeloptik und Abbildungsverfahren zum seitenrichtigen und aufrechten Abbilden eines Objektes in ein Bildfeld
CN101836163B (zh) * 2007-08-20 2012-06-27 卡尔蔡司Smt有限责任公司 包括具有反射涂层的镜元件的投射物镜
DE102009045096A1 (de) 2009-09-29 2010-10-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einer Spiegelanordnung aus zwei Spiegeln
CN102870030B (zh) * 2010-04-22 2015-04-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 成像光学系统和具有这种成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备
DE102010029050A1 (de) 2010-05-18 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102011075579A1 (de) 2011-05-10 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel
DE102012202675A1 (de) * 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012212753A1 (de) * 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
DE102014208770A1 (de) 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170135968A (ko) 2017-12-08
US10656400B2 (en) 2020-05-19
CN107810446B (zh) 2021-07-06
JP6799544B2 (ja) 2020-12-16
US20180074303A1 (en) 2018-03-15
KR102648040B1 (ko) 2024-03-18
CN113703286A (zh) 2021-11-26
WO2016166080A1 (de) 2016-10-20
CN107810446A (zh) 2018-03-16
JP2018512625A (ja) 2018-05-17
DE102015226531A1 (de) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102648040B1 (ko) 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치
JP2022176242A (ja) 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置
TWI542938B (zh) 成像光學系統與包含此類型成像光學系統之用於微影的投影曝光裝置
CN108292032B (zh) 将物场成像到像场中的成像光学单元，以及包括这种成像光学单元的投射曝光设备
US11137688B2 (en) Optical system for transferring original structure portions of a lithography mask, projection optical unit for imaging an object field in which at least one original structure portion of the lithography mask is arrangeable, and lithography mask
CN109478020B (zh) 用于euv投射光刻的投射光学单元
KR20170086559A (ko) 투영 리소그라피를 위한 광학 서브시스템 및 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛
CN108351499B (zh) 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备
WO2023247238A1 (en) Imaging euv optical unit for imaging an object field into an image field
JP7411542B2 (ja) 物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット
KR20240017167A (ko) 이미징 광학 유닛
CN117441116A (zh) 成像光学单元

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent