JP6220979B2 - 低抵抗率電極を備えた太陽電池のモジュール製作 - Google Patents

低抵抗率電極を備えた太陽電池のモジュール製作 Download PDF

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Description

[0001] 本発明は一般に太陽電池の製作に関する。より具体的には、本発明は両面トンネル接合太陽電池のモジュール製作に関する。
[0002] 化石燃料の負の環境影響並びにそのコストの上昇により、より清潔でより安価な代替エネルギー源が緊急に必要になっている。種々の形式の代替エネルギー源の中で、太陽エネルギーはその清潔さと広い可用性のために有利になっている。
[0003] 太陽電池は、光起電力効果を使用して光を電気に変換するものである。単一pn接合、pin/nip、及び多接合を含む、いくつかの基本的な太陽電池構造がある。典型的な単一pn接合構造はp型ドープ層とn型ドープ層とを含む。単一pn接合を有する太陽電池はホモ接合太陽電池又はヘテロ接合太陽電池にすることができる。pドープ層及びnドープ層がどちらも同様の材料(等しいバンドギャップを有する材料)で作られる場合、その太陽電池はホモ接合太陽電池と呼ばれる。対照的に、ヘテロ接合太陽電池は、異なるバンドギャップの材料からなる少なくとも2つの層を含む。pin/nip構造は、p型ドープ層と、n型ドープ層と、p層とn層との間に挟まれた真性(アンドープ)半導体層(i層)とを含む。多接合構造は、互いの上にスタックされた異なるバンドギャップの複数の単一接合構造を含む。
[0004] 太陽電池では、光は、キャリアを生成するpn接合付近で吸収される。キャリアはpn接合内に拡散し、作りつけ電界によって分離され、その結果、デバイス及び外部回路を横切る電流を生成する。太陽電池の品質を決定する際の重要な測定基準はそのエネルギー変換効率であり、これは、(吸収光から電気エネルギーに)変換された電力と太陽電池が電気回路に接続された時に収集された電力との比率として定義される。
[0005] 図1は、模範的な太陽電池(従来技術)を示す図を提示している。太陽電池100は、n型ドープSi基板102と、pシリコンエミッタ層104と、表面電極グリッド106と、Al裏面電極108とを含む。図1の矢印は入射太陽光を示す。図1から分かるように、Al裏面電極108は太陽電池100の裏面側全体を覆い、このため、裏面側における光吸収を防止する。その上、表面電極グリッド106は、往々にして、太陽光を通さない金属グリッドを含み、太陽電池100の表面に影を落とす。従来の太陽電池の場合、表面電極グリッドは入射太陽光の8%まで阻止することができ、その結果、変換効率を大幅に低減する。
[0006] 本発明の一実施形態はソーラーモジュールを提供する。このソーラーモジュールは、表面側カバーと、裏面側カバーと、表面側カバーと裏面側カバーとの間に位置する複数の太陽電池とを含む。それぞれの太陽電池は、多層半導体構造と、多層半導体構造の上に位置する表面側電極と、多層半導体構造の下に位置する裏面側電極とを含む。表面側電極及び裏面側電極のそれぞれは金属グリッドを含む。それぞれの金属グリッドは、複数のフィンガーラインと、フィンガーラインに結合された単一バスバーとを含む。単一バスバーは、フィンガーラインから電流を収集するように構成される。
[0007] この実施形態の一変形例では、単一バスバーは太陽電池のそれぞれの面の中心に配置される。
[0008] 他の変形例では、2つの隣接太陽電池は、1つの太陽電池の表面から隣接太陽電池の裏面に編み進んだストリング結合リボンによってまとめてストリング結合される。ストリング結合リボンは表面及び裏面上の単一バスバーにはんだ付けされ、ストリング結合リボンの幅は実質的に単一バスの幅と同様である。
[0009] この実施形態の一変形例では、太陽電池の表面及び裏面の単一バスバーは両側のエッジに配置される。
[0010] 他の変形例では、2つの隣接太陽電池は、1つの太陽電池の1つのエッジにある第1の単一バスバー及び隣接太陽電池の隣接エッジにある第2の単一バスバーにはんだ付けされた金属タブによってまとめて結合される。金属タブの幅は実質的に第1及び第2の単一バスバーの長さと同様である。
[0011] 他の変形例では、第1の単一バスバーは太陽電池の表面上にあり、第2の単一バスバーは隣接太陽電池の裏面上にある。
[0012] 他の変形例では、第1の単一バスバー及び第2の単一バスバーは2つの太陽電池の同じ側の面上にある。
[0013] 他の変形例では、複数の太陽電池は金属タブによって1つのストリングに結合され、複数のストリングは電気的に直列又は並列に結合される。
[0014] 他の変形例では、金属タブの長さは3〜12mmの間である。
[0015] 他の変形例では、2つの隣接太陽電池は、2つの隣接太陽電池のエッジ同士をオーバーラップさせることによってまとめて結合される。2つの隣接太陽電池のエッジは、第1の太陽電池の上部エッジバスバーが第2の隣接太陽電池の下部エッジバスバーに結合され、それにより2つの隣接太陽電池間の直列電気接続を容易にするようにオーバーラップされる。
[0016] 他の変形例では、複数の太陽電池は、エッジ同士をオーバーラップさせて1つのストリングを形成することによって結合され、複数のストリングは電気的に直列又は並列に結合される。
[0017] この実施形態の一変形例では、多層半導体構造は、基層と、表面側又は裏面側エミッタと、裏面又は表面フィールド層とを含む。
[0018] 他の変形例では、多層半導体構造は、基層の両側に位置する量子トンネリングバリア(QTB)層を更に含む。
[0019] この実施形態の一変形例では、金属グリッドは少なくとも1つの電気めっきCu層を含む。
[0020] この実施形態の一変形例では、単一バスバーの幅は0.5〜3mmの間である。
[0021] この実施形態の一変形例では、ソーラーモジュールは複数の最大出力追従制御(MPPT)デバイスを更に含む。それぞれのMPPTデバイスは個々の太陽電池に結合され、それにより電池レベルのMPPTを容易にする。
[0022] 他の変形例では、ソーラーモジュールは複数のMPPTデバイスを更に含み、それぞれのMPPTデバイスは複数太陽電池からなるストリングに結合され、それによりストリングレベルのMPPTを容易にする。
[0023] この実施形態の一変形例では、表面側及び裏面側カバーは、ソーラーモジュールの両面構成を容易にするために透明である。
[0024] この実施形態の一変形例では、複数の太陽電池は、1つの5インチ太陽電池、1つの6インチ太陽電池、及び5インチ又は6インチ太陽電池の1/8、1/6、1/4、1/3、又は1/2のうちの少なくとも1つを含む。
[0025] 本発明の一実施形態は太陽電池結合システムを提供する。このシステムは、第1の太陽電池及び第2の太陽電池を含む。それぞれの太陽電池は表面側電極と裏面側電極とを含む。それぞれの電極は、複数のフィンガーラインと、フィンガーラインに結合された単一バスバーとを含み、バスバーはそれぞれの太陽電池のエッジに位置する。このシステムは、第1の太陽電池の表面側電極と第2の太陽電池の裏面側電極とを結合する金属タブを更に含む。
[0026] 本発明の一実施形態は太陽電池結合システムを提供する。このシステムは、第1の太陽電池及び第2の太陽電池を含む。それぞれの太陽電池は表面側電極と裏面側電極とを含む。それぞれの電極は、複数のフィンガーラインと、フィンガーラインに結合された単一バスバーとを含み、バスバーはそれぞれの太陽電池のエッジに位置する。第1の太陽電池の1つのエッジは、第1の太陽電池の表面側電極のバスバーが第2の太陽電池の裏面側電極のバスバーに結合されるように、第2の太陽電池の1つのエッジとオーバーラップする。
[0027]模範的な太陽電池(従来技術)を示す図を提示している。 [0028]本発明の一実施形態により、模範的な両側トンネル接合太陽電池を示す図を提示している。 [0029]従来の太陽電池の電極グリッド(従来技術)を示す図を提示している。 [0030]本発明の一実施形態により、面あたり単一の中心バスバーを備えた模範的な両面太陽電池の表面又は裏面を示す図を提示している。 [0031]本発明の一実施形態により、面あたり単一の中心バスバーを備えた両面太陽電池の断面図を示す図を提示している。 [0032]本発明の一実施形態により、模範的な両面太陽電池の表面を示す図を提示している。 [0033]本発明の一実施形態により、模範的な両面太陽電池の裏面を示す図を提示している。 [0034]本発明の一実施形態により、面あたり単一のエッジバスバーを備えた両面太陽電池の断面図を示す図を提示している。 [0035]異なるアスペクト比についてグリッドライン(フィンガー)長の関数として電力損失のパーセンテージを示す図を提示している。 [0036]複数の従来のダブルバスバー太陽電池を含む典型的なソーラーパネル(従来技術)を示す図を提示している。 [0037]本発明の一実施形態により、中心に単一バスバーを備えた複数の太陽電池を含む模範的なソーラーパネルを示す図を提示している。 [0038]本発明の一実施形態により、面あたり単一のエッジバスバーを備えた2つの隣接太陽電池間の直列接続を示す図を提示している。 [0039]本発明の一実施形態により、複数の隣接電池の表面側電極が同じ極性を有する複数太陽電池からなるストリングを示す図を提示している。 [0040]本発明の一実施形態により、複数の隣接電池の表面側電極が反対極性を有する複数太陽電池からなるストリングを示す図を提示している。 [0041]本発明の一実施形態により、面あたり単一のエッジバスバーを備えた2つの隣接太陽電池間の直列接続を示す図を提示している。 [0042]本発明の一実施形態により、複数の隣接エッジオーバーラップ太陽電池からなるストリングの側面図を示す図を提示している。 [0043]本発明の一実施形態により、2つの隣接エッジオーバーラップ太陽電池の上面図を示す図を提示している。 [0044]本発明の一実施形態により、2つの隣接エッジオーバーラップ太陽電池の下面図を示す図を提示している。 [0045]本発明の一実施形態により、エッジに単一バスバーを備えた複数の太陽電池を含む模範的なソーラーパネルを示す図を提示している。 [0046]異なるタイプの電池、異なるリボン厚、及び異なるパネル構成についてダブルバスバー(DBB)構成及び単一バスバー(SBB)構成の場合のリボン抵抗ベースの電力損失のパーセンテージを示す図を提示している。 [0047]異なるリボン/タブ厚についてストリング結合リボンと単一タブとの電力損失差を比較する図を提示している。 [0048]本発明の一実施形態により、ダブルバスバー太陽電池を備えたソーラーパネル内の最大出力追従制御(MPPT)集積回路(IC)チップの模範的な配置の1つを示す図を提示している。 [0049]本発明の一実施形態により、単一中心バスバー太陽電池を備えたソーラーパネル内の最大出力追従制御(MPPT)集積回路(IC)チップの模範的な配置の1つを示す図を提示している。 [0050]本発明の一実施形態により、単一エッジバスバー太陽電池を備えたソーラーパネル内の最大出力追従制御(MPPT)集積回路(IC)チップの模範的な配置の1つを示す図を提示している。 [0051]本発明の一実施形態により、電池レベルのMPPTを実現する模範的なソーラーモジュールの断面図を示す図を提示している。 [0052]本発明の一実施形態により、太陽電池モジュールを製作するプロセスを示すフローチャートを提示している。
[0053] これらの図では、同様の参照番号は同じ図面要素を指している。
[0054] 以下の説明は、当業者が諸実施形態を作成し使用できるようにするために提示され、特定の適用例及びその要件に関連して提供される。開示されている諸実施形態に対する様々な変更は当業者にとって容易に明らかになり、本明細書で定義されている一般原理は本発明の精神及び範囲を逸脱せずにその他の実施形態及び適用例に適用することができる。従って、本発明は、示されている諸実施形態に限定されず、本明細書で開示されている原理及び特徴と一貫した最も広い範囲が与えられるものである。
概要
[0055] 本発明の諸実施形態は高効率のソーラーモジュールを提供する。このソーラーモジュールは、表面側及び裏面側電極として働く電気めっきCuグリッドラインを備えた両面トンネル接合太陽電池を含む。遮光及びコストを低減するために、単一Cuバスバー又はタブを使用してCuフィンガーから電流を収集する。いくつかの実施形態では、単一バスバー又はタブは太陽電池の表面側及び裏面側の中心に配置される。遮光を更に低減するために、いくつかの実施形態では、単一Cuバスバー又はタブは太陽電池の表面側及び裏面側の両側のエッジに配置される。フィンガー及びバスバーはどちらも遮光なし電極を生産するための技術を使用して製作することができる。加えて、フィンガー及びバスバーは、低抵抗率を保証するために高アスペクト比Cuグリッドラインを含むことができる。1つのソーラーパネルを形成するために複数の太陽電池がまとめてストリング結合又はタブ結合される(tab)場合、従来のストリング結合/タブ結合プロセスはバスバーの位置に基づいて変更される。単面ダブルバスバー太陽電池に基づく従来のソーラーモジュールと比較して、本発明の諸実施形態は18%までの電力利得を備えたソーラーモジュールを提供する。その上、部分的に遮光されたソーラーパネルにより失われる可能性のある電力の30%は、電池レベルでの最大出力追従制御(MPPT)技術を適用することによって取り戻すことができる。いくつかの実施形態では、ソーラーパネル内のそれぞれの太陽電池はMPPT集積回路(IC)チップに結合される。
両面トンネル接合太陽電池
[0056] 図2は、本発明の一実施形態により、模範的な両側トンネル接合太陽電池を示す図を提示している。両側トンネル接合太陽電池200は、基板202と、基板202の両面を覆い、表面きず状態を不活性化する量子トンネリングバリア(QTB)層204及び206と、表面エミッタ208を形成する表面側ドープa−Si層と、BSF層210を形成する裏面側ドープa−Si層と、表面透明導電酸化物(TCO)層212と、裏面TCO層214と、表面金属グリッド216と、裏面金属グリッド218とを含む。太陽電池の裏面側のエミッタ層と、表面側の表面フィールド(FSF)層を有することも可能であることに留意されたい。製作方法を含む、両側トンネル接合太陽電池200に関する詳細は、2010年11月12日に出願された発明者Jiunn Benjamin Heng、Chentao Yu、Zheng Xu、及びJianming Fuによる「Solar Cell with Oxide Tunneling Junctions」という名称の米国特許出願第12/945792号(代理人整理番号SSP10−1002US)に記載されており、この出願の開示内容は参照によりその全体が本明細書に取り入れられる。
[0057] 図2から分かるように、両側トンネル接合太陽電池200の対称的な構造は、裏面側が光に曝される場合に両側トンネル接合太陽電池200が両面になり得ることを保証する。太陽電池では、太陽電池によって発生された電流を収集するために、表面及び裏面金属グリッド216及び218などの金属接点が必要である。一般に、金属グリッドは、バスバー及びフィンガーを含む、2つのタイプの金属ラインを含む。より具体的には、バスバーは外部リード(金属タブなど)に直接接続される、より幅広の金属片であり、フィンガーはバスバーに送り出すために電流を収集する、より精細なメタライゼーションエリアである。金属グリッド設計において重要な設計上の兼ね合いは、広く間隔を開けたグリッドに関連する抵抗損失の増加と、表面の金属覆いの部分が大きいことによって引き起こされる反射及び遮光効果の増加とのバランスである。従来の太陽電池では、図3Aに示されているように、フィンガーの直列抵抗による電力損失を防止するために、少なくとも2つのバスバーが太陽電池の面上に配置されて、フィンガーから電流を収集する。標準化された5インチ太陽電池(5×5インチの正方形又は丸コーナーを備えた擬似正方形にすることができる)の場合、典型的に、それぞれの面に2つのバスバーがある。より大きい6インチの太陽電池(5×5インチの正方形又は丸コーナーを備えた擬似正方形にすることができる)の場合、電極材料の抵抗率次第で3つ以上のバスバーが必要になる可能性がある。図3Aでは、太陽電池300の1つの面(表面又は裏面にすることができる)は、フィンガーライン302及び304などの複数の並列フィンガーラインと、フィンガーラインに対して垂直に配置された2つのバスバー306及び308とを含むことに留意されたい。バスバーは、1つのフィンガー上の任意の点から1つのバスバーへの距離(及び、このため、抵抗)が電力損失を最小限にするのに十分なほど小さいことを保証するように配置されることに留意されたい。しかし、これらの2つのバスバーと、電池間接続のためにこれらのバスバー上に後ではんだ付けされる金属リボンは、重大な量の遮光を引き起こす可能性があり、それにより太陽電池の性能を劣化させる。
[0058] 本発明のいくつかの実施形態では、フィンガーラインなどの表面及び裏面金属グリッドが電気めっきCuラインを含むことができ、それにより従来のAgグリッドと比較して抵抗を低減している。例えば、電気めっき又は無電解めっき技法を使用して、5×10−6Ω・cm以下の抵抗率を備えたCuグリッドラインを得ることができる。電気めっきCuグリッドに関する詳細は、2010年7月13日に出願された発明者Jianming Fu、Zheng Xu、Chentao Yu、及びJiunn Benjamin Hengによる「Solar Cell with Metal Grid Fabricated by Electroplating」という名称の米国特許出願第12/835670号(代理人整理番号SSP10−1001US)並びに2011年8月29日に出願された発明者Jianming Fu、Jiunn Benjamin Heng、Zheng Xu、及びChentao Yuによる「Solar Cell with Electroplated Metal Grid」という名称の米国特許出願第13/220532号(代理人整理番号SSP10−1010US)に記載されており、これらの出願の開示内容は参照によりその全体が本明細書に取り入れられる。
[0059] Cuフィンガーの低減された抵抗は、太陽電池表面上のバスバーの数を低減することにより全体的な太陽電池効率を最大限にする金属グリッド設計を有することを可能にする。本発明のいくつかの実施形態では、単一バスバーを使用してフィンガー電流を収集する。フィンガーからバスバーへの距離の増加によって引き起こされた電力損失は遮光の低減によってバランスを取ることができる。
[0060] 図3Bは、本発明の一実施形態により、面あたり単一の中心バスバーを備えた模範的な両面太陽電池の表面又は裏面を示す図を提示している。図3Bでは、太陽電池310の表面又は裏面は、単一バスバー312と、フィンガーライン314及び316などのいくつかのフィンガーラインとを含む。図3Cは、本発明の一実施形態により、面あたり単一の中心バスバーを備えた両面太陽電池の断面図を示す図を提示している。図3Cに示されている半導体多層構造は図2に示されているものと同様のものにすることができる。切断面は2つのフィンガーラインの間を切断しているので、図3Cにはフィンガーラインは示されていないことに留意されたい。図3Cに示されている例では、バスバー312は図面内及び図面外に延びており、フィンガーラインは左から右に延びている。前述の通り、それぞれの面では1つのバスバーのみが存在するので、フィンガーのエッジからバスバーへの距離はより長くなる。しかし、1つのバスバーの除去により遮光が低減され、これはフィンガーとバスバーとの距離の増加によって引き起こされた電力損失を補償するだけでなく、追加の電力利得も提供する。標準サイズの太陽電池の場合、電池の中心にある単一バスバーで2つのバスバーを置き換えると、1.8%の電力利得を発生することができる。
[0061] 図3Dは、本発明の一実施形態により、模範的な両面太陽電池の表面を示す図を提示している。図3Dでは、太陽電池320の表面は、いくつかの水平フィンガーラインと、太陽電池320の右端に配置された1つの垂直単一バスバー322とを含む。より具体的には、バスバー322は、すべてのフィンガーラインの最も右側のエッジと接触し、すべてのフィンガーラインから電流を収集する。図3Eは、本発明の一実施形態により、模範的な両面太陽電池の裏面を示す図を提示している。図3Eでは、太陽電池320の裏面は、いくつかの水平フィンガーラインと、太陽電池320の左端に配置された1つの垂直単一バスバー324とを含む。バスバー322と同様に、バスバー324は、すべてのフィンガーラインの最も左側のエッジと接触している。図3Fは、本発明の一実施形態により、面あたり単一のエッジバスバーを備えた両面太陽電池の断面図を示す図を提示している。図3Fに示されている半導体多層構造は図2に示されているものと同様のものにすることができる。図3Cと同様に、図3Fでは、フィンガーライン(図示せず)は左から右に延びており、バスバーは図面内及び図面外に延びている。図3D〜図3Fにより、この実施形態では、両面太陽電池の表面及び裏面上のバスバーは電池の両側のエッジに配置されていることが分かる。バスバー誘導遮光は、この場合、エネルギー生成においてあまり効果的ではなかった位置で発生するので、この構成は電力利得を更に改善することができる。一般に、エッジバスバー構成は少なくとも2.1%の電力利得を提供することができる。
[0062] 面あたり単一のバスバー構成(中心バスバー又はエッジバスバーのいずれか)は電力利得を提供できるだけでなく、バスリボンに必要な金属が少なくなるので製作コストも低減できることに留意されたい。その上、本発明のいくつかの実施形態では、表面の太陽に面する面上の金属グリッドは並列金属ライン(フィンガーなど)を含むことができ、それぞれの金属ラインは、これらの金属ライン上の入射太陽光が太陽電池の表面上に反射されることを保証するために湾曲パラメータを備えた断面を有し、その結果、遮光を更に低減する。このような遮光なし表面電極は、適切に制御された費用効果の高いパターニング方式を使用してAg又はSnコーティングのCuを電気めっきすることによって達成することができる。
[0063] フィンガーラインのアスペクト比を増加することによりフィンガーエッジからバスバーへの距離の増加によって引き起こされた電力損失効果を低減することも可能である。図4は、異なるアスペクト比についてグリッドライン(フィンガー)長の関数として電力損失のパーセンテージを示す図を提示している。図4に示されている例では、グリッドライン(又はフィンガー)は60μmの幅を有するものと想定されている。図4から分かるように、0.5というアスペクト比を備えたグリッドラインの場合、グリッドライン長が30mmから100mmに増加するにつれて、電力損失は3.6%から7.5%に劣化する。しかし、1.5など、より大きいアスペクト比では、グリッドライン長の増加が同じ場合に電力損失は3.3%から4.9%に劣化する。換言すれば、高アスペクト比のグリッドラインを使用すると、太陽電池/ソーラーモジュールの性能を更に改善することができる。このような高アスペクト比のグリッドラインは電気めっき技法を使用して達成することができる。高アスペクト比を備えた遮光なし電極に関する詳細は、2011年3月15日に出願された発明者Zheng Xu、Jianming Fu、Jiunn Benjamin Heng、及びChentao Yuによる「Solar Cell with a Shade−Free Front Electrode」という名称の米国特許出願第13/048804号(代理人整理番号SSP10−1003US)に記載されており、この出願の開示内容は参照によりその全体が本明細書に取り入れられる。
両面ソーラーパネル
[0064] 面あたり単一のバスバー(電池の中心又は電池のエッジのいずれかに)を備えた複数の太陽電池を組み立てて、軽微な変更を伴う典型的なパネル製作プロセスを介して1つのソーラーモジュール又はソーラーパネルを形成することができる。バスバーの位置に基づいて、ストリング結合/タブ結合プロセスに対して異なる変更が必要になる。従来のソーラーモジュール製作では、バスバーにはんだ付けされた2つのストリング結合リボン(タブ結合リボンとも呼ばれる)を使用して複数のダブルバスバー太陽電池がまとめてストリング結合される。より具体的には、ストリング結合リボンは1つの電池の表面から隣接電池の裏面に編み進み、これらの電池を直列に接続する。電池中心の単一バスバー構成の場合、ストリング結合プロセスは非常によく似ているが、一方の電池の表面からもう一方の電池の裏面に編み進むために1つのストリング結合リボンのみが必要になる。
[0065] 図5Aは、複数の従来のダブルバスバー太陽電池を含む典型的なソーラーパネル(従来技術)を示す図を提示している。図5Aでは、ソーラーパネル500は、6×12の太陽電池アレイ(1列に12個ずつの電池6列を有する)を含む。1列に並んだ隣接太陽電池は、ストリング結合リボン502及びストリング結合リボン504などの2つのストリング結合リボンを介して互いに直列に接続される。より具体的には、ストリング結合リボンは、1つの太陽電池の上部電極を次の太陽電池の下部電極に接続する。各列の終わりでストリング結合リボンは、バスリボン506などのより幅広のバスリボンによって次の列からのストリング結合リボンと連結する。図5Aに示されている例では、これらの列は直列に接続され、2つの隣接列は一方の端部で互いに接続される。代替的に、これらの列は並列方式で互いに接続することができ、隣接列は両方の端部で互いに接続される。図5Aはソーラーパネルの上側のみを例示しており、ソーラーパネルの下側は太陽電池の両面特性により非常によく似たものにすることができることに留意されたい。単純にするため、太陽電池の列(及び、このため、ストリング結合リボン)の方向に対して垂直に延びているフィンガーは図5Aには示されていない。
[0066] 図5Bは、本発明の一実施形態により、中心に単一バスバーを備えた複数の太陽電池を含む模範的なソーラーパネルを示す図を提示している。図5Bでは、ソーラーパネル510は6×12の太陽電池アレイを含む。1列に並んだ隣接太陽電池は、リボン512などの単一のストリング結合リボンを介して互いに直列に接続される。ソーラーパネル500のように、隣接列の終わりで単一のストリング結合リボンはバスリボン514などのより幅広のバスリボンによって連結される。隣接電池同士を接続するために1つのストリング結合リボンのみが必要であるので、図5Aのソーラーパネル500と比較して、ソーラーパネル510を製作する際に使用されるバスリボンの全長は大幅に低減することができる。6インチ電池の場合、2つの隣接電池を接続する単一ストリング結合リボンの長さは、ダブルバスバー構成に必要なストリング結合リボンの場合の62cmと比較して、31cm辺りにすることができる。このような長さの低減によって直列抵抗及び製作コストを更に低減できることに留意されたい。図5Aと同様に、図5Bでは列同士が直列に接続される。実際には、太陽電池の列は並列に接続することもできる。また、図5Aのように、フィンガーラインは太陽電池の列(及び、このため、ストリング結合リボン)の方向に対して垂直に延びており、図5Bには示されていない。
[0067] 図5Bを図5Aと比較すると、単一中心バスバーを備えた複数の太陽電池を1つのソーラーパネルに組み立てるためにストリング結合/タブ結合プロセスにおいて軽微な変更のみが必要であることが分かる。しかし、面あたり単一のエッジバスバーを備えた太陽電池の場合、より多くの変更が必要になる可能性がある。図5Cは、本発明の一実施形態により、面あたり単一のエッジバスバーを備えた2つの隣接太陽電池間の直列接続を示す図を提示している。図5Cでは、太陽電池520及び太陽電池522は単一タブ524を介して互いに結合される。より具体的には、単一タブ524の一方の端部は太陽電池520の表面上に配置されたエッジバスバーにはんだ付けされ、単一タブ524のもう一方の端部は太陽電池522の裏面上に配置されたエッジバスバーにはんだ付けされ、その結果、太陽電池520及び522を直列に接続する。図5Cにより、単一タブ524の幅が(フィンガーラインに対して垂直な方向に)エッジバスバーの長さに沿っており、実質的にエッジバスバーの長さと同じであり、単一タブ524の両端部がそれぞれの長さに沿ってエッジバスバーにはんだ付けされることが分かる。いくつかの実施形態では、単一タブ524の幅は12〜16cmの間にすることができる。これに反して、単一タブ524の長さは、実装密度又は隣接太陽電池間の距離によって決定され、かなり短いものにすることができる。いくつかの実施形態では、単一タブ524の長さは3〜12mmの間にすることができる。他の諸実施形態では、単一タブ524の長さは3〜5mmの間にすることができる。この幾何学的構成(より幅広の幅とより短い長さ)は、単一タブ524が非常に低い直列抵抗を有することを保証する。フィンガーライン526などのフィンガーラインは単一タブ524の長さに沿った方向に延びている。これは従来の2バスバー構成並びにフィンガーが2つの隣接太陽電池を接続するストリング結合リボンに対して垂直である単一中心バスバー構成とは異なることに留意されたい。このため、従来の標準ストリング結合プロセスは、図5Cに示されているように2つの太陽電池をまとめてストリング結合するためにそれぞれの電池を90度回転させることによって変更する必要がある。
[0068] エッジバスバー構成は、すべての電池の表面側電極が同じ極性のものであり、すべての電池の裏面側電極がいずれも反対極性のものである時に、エッジタブが1つの太陽電池の表面エッジから隣接太陽電池の裏面エッジまで延びている状態で適切に機能することに留意されたい。更に、隣接電池の表面側電極が異なる極性を有する(同様に、隣接電池の裏面側電極も異なる極性を有する)時に、エッジタブは、1つの太陽電池の表面側エッジを隣接太陽電池の表面側エッジに、或いは1つの太陽電池の裏面側エッジを隣接太陽電池の裏面側エッジに結合することができる。
[0069] 複数の太陽電池をこのように結合して1つのストリングを形成することができ、複数のストリングを電気的に直列又は並列に結合することができる。図5Dは、本発明の一実施形態により、複数の隣接電池の表面側電極が同じ極性を有する複数太陽電池からなるストリングを示す図を提示している。図5Dでは、複数太陽電池(電池511及び513など)からなるストリングは表面ガラスカバー501と裏面カバー503との間に挟まれている。より具体的には、太陽電池は、すべての電池の表面側電極が一方の極性のものになり、その裏面側電極がもう一方の極性のものになるように配置されている。タブ515及び517などの金属タブは、1つの太陽電池の表面エッジバスバーとその隣接太陽電池の裏面エッジバスバーをまとめて結合することにより、隣接太陽電池同士を直列に結合する。図5Dに示されている例では、金属タブ515は太陽電池511の表面エッジバスバー507を太陽電池513の裏面エッジバスバー509に結合する。
[0070] 図5Eは、本発明の一実施形態により、複数の隣接電池の表面側電極が反対極性を有する複数太陽電池からなるストリングを示す図を提示している。図5Eでは、複数太陽電池(電池521及び523など)からなるストリングは、複数の隣接電池の表面側電極が交互極性を有するように配置されており、同様に、隣接太陽電池の裏面側電極も交互極性を有することができる。タブ525及び527などの金属タブは、2つの隣接表面エッジバスバーを互いに結合し、2つの隣接裏面エッジバスバーを互いに結合することにより、隣接太陽電池同士を直列に結合する。図5Eに示されている例では、金属タブ525は太陽電池521の表面エッジバスバー531を太陽電池523の表面エッジバスバー533(エッジバスバー531の極性とは反対の極性を有する)に結合する。
[0071] 単一タブを使用して2つの隣接する単一バスバー太陽電池を直列に接続することに加えて、対応するエッジバスバーをスタックすることにより隣接太陽電池間に直列接続を確立することも可能である。図5Fは、本発明の一実施形態により、面あたり単一のエッジバスバーを備えた2つの隣接太陽電池間の直列接続を示す図を提示している。図5Fでは、太陽電池530及び太陽電池532は、太陽電池530の上面に配置されたエッジバスバー534及び太陽電池532の下面に配置されたエッジバスバー536を介して結合される。より具体的には、太陽電池532の下面は、下部エッジバスバー536が上部エッジバスバー534の上に配置され、それと直接接触するように、エッジで太陽電池530の上面に部分的にオーバーラップする。いくつかの実施形態では、エッジバスバー534及び536は、Ni、Cu、Sn、及びAgなどの金属の複数の層を含む、(電気めっき又は無電解めっき技法を使用して)めっきされた金属スタックを含むことができる。めっき金属スタックの詳細な説明は、2010年7月13日に出願された発明者Jianming Fu、Zheng Xu、Chentao Yu、及びJiunn Benjamin Hengによる「Solar Cell with Metal Grid Fabricated by Electroplating」という名称の米国特許出願第12/835670号(代理人整理番号SSP10−1001US)並びに2011年8月29日に出願された発明者Jianming Fu、Jiunn Benjamin Heng、Zheng Xu、及びChentao Yuによる「Solar Cell with Electroplated Metal Grid」という名称の米国特許出願第13/220532号(代理人整理番号SSP10−1010US)に記載されており、これらの出願の開示内容は参照によりその全体が本明細書に取り入れられる。
[0072] いくつかの実施形態では、互いに接触している複数のエッジバスバーは、隣接太陽電池間の直列電気接続を可能にするためにまとめてはんだ付けされる。他の諸実施形態では、はんだ付けは積層プロセスと同時に行うことができ、その積層プロセス中にエッジオーバーラップ太陽電池は適切なシーラント材料とともに表面側カバーと裏面側カバーの間に配置され、そのシーラント材料はエチレン酢酸ビニル(EVA)などの粘着ポリマーを含むことができる。積層中に熱と圧力を加えてシーラントを硬化させ、表面側カバーと裏面側カバーの間の太陽電池をシールする。同じ熱と圧力によって、エッジバスバー534及び536などの接触しているエッジバスバー同士がまとめてはんだ付けされる可能性がある。エッジバスバーが上部Sn層を含む場合、隣接太陽電池の上部バスバーと下部バスバー(バスバー534及び536など)の間に追加のはんだ付け又は接着材料を挿入する必要がないことに留意されたい。また、太陽電池は比較的柔軟な5インチ又は6インチのSiウェーハであるので、積層プロセス中に使用される圧力は、電池がこのような圧力を受けてひびが入るかもしれないという心配なしに比較的大きいものにすることができることにも留意されたい。いくつかの実施形態では、積層プロセス中に加えられる圧力は、1.2気圧など、1.0気圧より上にすることができる。
[0073] 図5Gは、本発明の一実施形態により、複数の隣接エッジオーバーラップ太陽電池からなるストリングの側面図を示す図を提示している。図5Gでは、太陽電池540は隣接太陽電池542と部分的にオーバーラップし、その隣接太陽電池542も(その反対側端部で)太陽電池544と部分的にオーバーラップする。このような複数太陽電池からなるストリングは、屋根板と同様のパターンを形成する。オーバーラップによって引き起こされる遮光を最小限にするためにオーバーラップは最小限に抑えなければならないことに留意されたい。いくつかの実施形態では、単一バスバー(上面と下面の両方)は(図5Gに示されているように)太陽電池のエッジぎりぎりに配置され、その結果、オーバーラップを最小限にする。
[0074] 太陽電池は両面である(太陽電池の上面と下面の両方から光が入ることを意味する)ので、太陽電池の上面及び下面において対称的な配置を有することが望ましい。図5Hは、本発明の一実施形態により、2つの隣接エッジオーバーラップ太陽電池の上面図を示す図を提示している。図5Hでは、太陽電池550及び552は太陽電池550の右端で互いに部分的にオーバーラップしている。太陽電池550の上面(見えている面である)は、互いに平行であるいくつかのフィンガーライン(フィンガーライン554及び556など)と、フィンガーラインに対して垂直である1つのエッジバスバーとを含む。エッジバスバーは太陽電池552の左端によって覆われているので図5Hには示されていないことに留意されたい。同様に、太陽電池552の上面は、互いに平行であるいくつかのフィンガーライン(フィンガーライン558及び560など)と、フィンガーラインに対して垂直である1つのエッジバスバー562とを含む。図5Iは、本発明の一実施形態により、2つの隣接エッジオーバーラップ太陽電池の下面図を示す図を提示している。図5Iでは、太陽電池550及び552は太陽電池550の右端で互いに部分的にオーバーラップしている。太陽電池550の下面(見えている面である)は、互いに平行であるいくつかのフィンガーライン(フィンガーライン564及び566など)と、フィンガーラインに対して垂直である1つのエッジバスバー568とを含む。同様に、太陽電池552の下面は、互いに平行であるいくつかのフィンガーライン(フィンガーライン570及び572など)と、フィンガーラインに対して垂直である1つのエッジバスバーとを含む。エッジバスバーは太陽電池550の右端によって覆われているので図5Iには示されていないことに留意されたい。太陽電池の上面と下面において同じ金属グリッドを有することにより両面機能性を保証する。
[0075] 図5Jは、本発明の一実施形態により、エッジに単一バスバーを備えた複数の太陽電池を含む模範的なソーラーパネルを示す図を提示している。図5Jでは、ソーラーパネル580は6×12の太陽電池アレイを含む。1列に並んだ太陽電池は、タブ582などの単一タブを介して或いは屋根板パターンでエッジオーバーラップすることにより互いに直列に接続される。列の終わりでは、(図5A及び図5Bに示されている例のように)より幅広のバスリボンを使用して隣接電池からのストリング結合リボンをまとめて接続する代わりに、ここでは単純に、隣接列の両方の端部電池のエッジの端から端まで延びるように十分幅広のタブを使用する。例えば、極太タブ584は電池586及び588のエッジの端から端まで延びている。直列接続の場合、極太タブ584は電池586の上面のバスバーを電池588の下面のバスバーと接続することができ、これは、電池586の上部エッジバスバーが電池588の下部エッジバスバーと整列するように太陽電池586及び588が配置されることを意味する。1列に並んだ太陽電池が屋根板パターンに配置される場合、隣接列は、右側が上又は左側が上など、反対の屋根板パターンを有する可能性があることに留意されたい。並列接続の場合、極太タブ584は電池586及び588の上部/下部バスバーの両方を接続することができる。1列に並んだ太陽電池が屋根板状になっている場合、すべての列の屋根板パターンは同じままである。図5A及び図5Bに示されている例とは異なり、図5Jでは、フィンガーライン(図示せず)は太陽電池列の方向に沿って延びている。
[0076] ストリング結合リボン又はタブもその直列抵抗のために電力損失をもたらす可能性がある。一般に、ストリング結合リボンの直列抵抗によって分配された電力損失は電池のサイズにつれて増加する。その上、単一リボン構成はそれぞれのリボン上により多くの電流が存在し、電力損失は電流の平方に比例することを意味するので、2つのリボンの代わりに単一のストリング結合リボンを使用してもこの直列抵抗誘導電力損失を増加する。このような電力損失を低減するために、ストリング結合リボンの直列抵抗を低減する必要がある。単一中心バスバー構成の場合、リボンの幅はバスバーの幅によって決定され、その幅は0.5〜3mmの間にすることができる。このため、より厚いリボンはより低い抵抗率を有するので、リボンの抵抗を低減するための方法の1つはその厚さを増加することである。図6Aは、異なるタイプの電池、異なるリボン厚、及び異なるパネル構成についてダブルバスバー(DBB)構成及び単一バスバー(SBB)構成の場合のリボン抵抗ベースの電力損失のパーセンテージを示す図を提示している。図6Aに示されている例では、リボンはCuリボンであると想定されている。
[0077] 図6Aにより、200μm厚のリボンの場合、(中心で)単一バスバー(SBB)構成を有する5インチ電池に関するリボン抵抗誘導電力損失は、ダブルバスバー(DBB)構成の1.3%の電力損失と比較して、2.34%であることが分かる。1つのバスバーを除去することにより低減された遮光により得られた1.8%の電力利得を利用するために電力損失を2%未満に制限するために、単一ストリング結合リボンの厚さは少なくとも250μmである必要がある。6インチ電池など、より大きい電池の場合、状況はより悪くなる可能性がある。単一中心バスバー構成の場合、電池602及び604によって示されるように、6インチ電池において3%未満の電力損失を保証するために、400umの厚さを有するリボンが必要である。1つのパネル内の電池の数も電力損失の量に影響することに留意されたい。
[0078] より厚いリボンははんだ付けプロセス中に電池に対する損傷を引き起こす可能性があるので、400umはリボン厚の上限である。より具体的には、より厚いリボンは電池の反りを発生する可能性があり、それは応力並びにリボン材料と半導体材料との熱係数差によって引き起こされる可能性がある。その上、ストリング結合リボンが厚すぎる場合、信頼性の懸念も表面化し始める。超軟リボンの実現は応力及び反りの問題を低減する可能性があるが、バスバー遮光低減及びリボンコスト低減によって得られる利得を断念せずに電力損失を2%未満に効果的に低減するには異なるストリング結合方式が必要である。いくつかの実施形態では、ストリング結合リボンの長さの範囲内にクリンプ又はスプリングを導入すること及び厚いリボンのスポットはんだ付けを含むがこれらに限定されないその他の方法を使用して応力及び反りを低減する。
[0079] 単一エッジバスバー構成の場合、タブはストリング結合リボンよりかなり幅広く短いので、単一タブの直列抵抗によって誘導される電力損失の量はかなり小さい。図6Bは、異なるリボン/タブ厚についてストリング結合リボンと単一タブとの電力損失差を比較する図を提示している。図6Bにより、単一タブの直列抵抗による電力損失は、列606によって示されているように、単一リボンのものと比較して、かなり小さいことが分かる。例えば、250um厚の単一エッジタブによって引き起こされた電力損失は、5インチ96個の電池のパネルレイアウトの場合、0.73%に過ぎず、6インチ60個の電池のパネルレイアウトの場合、1.64%辺りである。このため、72個の電池のパネルにおける6インチ電池の場合でも、250umの厚さを有するエッジタブは十分厚く、2%未満の電力損失を誘導し、遮光の低減を考慮して全体的な電力利得を達成することが可能になることが分かる。
[0080] ソーラーパネルの電力出力に影響する可能性のあるもう1つの要因は電池間の不整合であり、これは部分的に遮光されたソーラーパネルによって引き起こされる可能性がある。電力出力を最大限にするために、最大出力追従制御(MPPT)デバイスをソーラーパネルに取り入れて、部分的に遮光されたか又はその他の方法で覆い隠されたパネルがそのパネルに結合されたバッテリ充電システムに最大出力を送り出せるようにすることは可能である。MPPTデバイスは、複数電池からなるストリング又は単一電池の電力出力を管理することができる。本発明のいくつかの実施形態では、ソーラーパネルは電池レベルのMPPTを実現し、それぞれの太陽電池がMPPT集積回路(IC)チップなどのMPPTデバイスに結合されることを意味する。
[0081] 電池レベルのMPPTを実現すると、不整合の非能率により失われる可能性のある電力の30%までを取り戻すことが可能になる。その上、これは電池貯蔵要件を除去し、歩留まりを増加する可能性がある。従って、これは、ストリング内のパネルを整合させるための据付者の在庫管理の必要性を除去するとともに交換パネルを古いシステムに整合させる必要がないので保証予備品を削減することにより、アレイ所有者の投資収益率(ROI)を大幅に増強することができる。また、電池レベルのMPPTは、特に1日のうちの特定の時間に又は1年のうちの特定の季節中にアレイの構造遮光が発生する可能性がある状況において、ソーラーアレイの据え付けのために使用可能な表面積を増加することもできる。これは、表面側及び裏面側の両方で遮光を経験する可能性のある両面モジュールにとって特に有用である。また、電池レベルのMPPTはシステム取り付けの際により多くの柔軟性を可能にし、1軸又は2軸追従制御装置を使用すること、並びに高拡散光背景における地上取り付けを可能にする。電池レベルのMPPTに関する詳細は、2011年10月4日に出願された発明者Christopher James Beitel、Jiunn Benjamin Heng、Jianming Fu、及びZheng Xuによる「Solar Panels with Integrated Cell−Level MPPT Devices」という名称の米国特許出願第13/252987号(代理人整理番号SSP10−1011US)に記載されており、この出願の開示内容は参照によりその全体が本明細書に取り入れられる。他の諸実施形態では、ソーラーモジュールは複数太陽電池からなるストリングあたり1つのMPPTデバイスを有することができ、それによりストリングレベルのMPPTを容易にする。
[0082] 図7Aは、本発明の一実施形態により、ダブルバスバー太陽電池を備えたソーラーパネル内の最大出力追従制御(MPPT)集積回路(IC)チップの模範的な配置の1つを示す図を提示している。図7Aに示されている例では、MPPT ICチップ702などのMPPT ICチップは隣接太陽電池間に配置される。より具体的には、MPPT ICチップは2つのストリング結合リボン間に配置することができる。いくつかの実施形態では、MPPT ICチップは、両方のストリング結合リボンと接触し、2つの隣接太陽電池間の直列接続を容易にすることができる。
[0083] 図7Bは、本発明の一実施形態により、単一中心バスバー太陽電池を備えたソーラーパネル内の最大出力追従制御(MPPT)集積回路(IC)チップの模範的な配置の1つを示す図を提示している。図7Aに示されている例のように、MPPT ICチップ704などのMPPT ICチップは2つの隣接太陽電池間に配置される。いくつかの実施形態では、MPPT ICチップは、1つの電池からの2つの入力と、隣接電池への1つの出力とを備えた3端子デバイスである。2つの入力は第1の太陽電池の(対応するストリング結合リボンを介して)上部及び下部電極に接続することができ、1つの出力は2つの電池間の直列接続を容易にするために隣接太陽電池の上部又は下部電極に接続することができる。
[0084] 隣接太陽電池間にMPPT ICチップを配置することに加えて、太陽電池間のコーナースペースにMPPT ICチップを配置することも可能である。図7Cは、本発明の一実施形態により、単一エッジバスバー太陽電池を備えたソーラーパネル内の最大出力追従制御(MPPT)集積回路(IC)チップの模範的な配置の1つを示す図を提示している。図7Cに示されている例では、MPPT ICチップ706などのMPPT ICチップは太陽電池間のコーナースペースに配置される。いくつかの実施形態では、MPPT ICチップは、2つの隣接チップ間の直列接続を容易にするために単一タブに接触している。単一エッジバスバー構成の場合、太陽電池の両側に配置された表面及び裏面電極をMPPTチップの2つの入力と接続するために太陽電池の外側の配線が必要になる可能性があることに留意されたい。
[0085] 図7Dは、本発明の一実施形態により、電池レベルのMPPTを実現する模範的なソーラーモジュールの断面図を示す図を提示している。図7Dでは、ソーラーモジュール710内のそれぞれの太陽電池は、図7Bに示されている単一中心バスバーにすることができる、上部電極と下部電極とを含む。それぞれのMPPT ICチップは上部入力端子と下部入力端子と下部出力端子とを含む。例えば、MPPT ICチップ712は上部入力端子714と下部入力端子716と出力端子718とを含む。上部入力端子714及び下部入力端子716は太陽電池の上部及び下部電極に結合される。出力端子718は隣接太陽電池の下部電極に結合される。図7Dに示されている例では、太陽電池720などの太陽電池は両側トンネル接合太陽電池にすることができる。
[0086] 太陽電池及びMPPT ICチップは粘着ポリマー層722内に埋め込まれ、この粘着ポリマー層は後で硬化させることができる。粘着ポリマー層722を形成するために使用できる材料は、エチレン酢酸ビニル(EVA)、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、及びサーマルプラスチックを含むがこれらに限定されない。ソーラーモジュール710は表面側カバー724と裏面側カバー726とを更に含む。両面モジュールの場合、表面側カバー724と裏面側カバー726の両方はガラスで作ることができる。粘着ポリマー層722を硬化させると、表面側及び裏面側カバー724及び726が積層され、太陽電池とMPPT ICチップをその内部にシールし、その結果、環境要因に曝されることによって引き起こされる損傷を防止する。積層後、ソーラーモジュール710はトリミングし、フレーム728内に配置することができ、その後、適切な接続箱に接続する用意ができている。
[0087] 図8は、本発明の一実施形態により、太陽電池モジュールを製作するプロセスを示すフローチャートを提示している。製作中に、多層半導体構造を含む太陽電池を得る(動作802)。いくつかの実施形態では、多層半導体構造は両側トンネル接合太陽電池を含むことができる。この太陽電池は5インチ×5インチ又は6インチ×6インチなどの標準サイズを有することができる。いくつかの実施形態では、太陽電池の最小寸法は少なくとも5インチである。次に、表面側及び裏面側金属グリッドを付着させて両面太陽電池製作を完了する(動作804)。いくつかの実施形態では、表面側及び裏面側金属グリッドを付着させることは、Ag又はSnコーティングのCuグリッドの電気めっきを含むことができる。他の諸実施形態では、電気めっきCu層の接着を改善するために物理蒸着(PVD)技法を使用して、シードCu又はNi層などの1つ以上のシード金属層を多層構造上に付着させることができる。中心に単一バスバーを備えた金属グリッド及び電池のエッジに単一バスバーを備えた金属グリッドを含むがこれらに限定されない種々のタイプの金属グリッドを形成することができる。エッジバスバー構成の場合、太陽電池の表面及び裏面のバスバーは両側のエッジに配置されることに留意されたい。
[0088] その後、複数の太陽電池をまとめてストリング結合して、太陽電池ストリングを形成する(動作806)。バスバー構成次第で、従来のストリング結合プロセスを変更する必要がある可能性があることに留意されたい。エッジバスバー構成の場合、それぞれの太陽電池は90度回転させる必要があり、電池のエッジと同じ幅で、長さが3〜12mmの間にある単一タブを使用して2つの隣接太陽電池を接続することができる。いくつかの実施形態では、単一タブの長さは3〜5mmの間にすることができる。
[0089] 次に、複数の太陽電池ストリングを1つのアレイにレイアウトすることができ、その太陽電池アレイに表面側カバーを付けることができる(動作808)。電池レベルのMPPTを実現するソーラーモジュールの場合、太陽電池間のコーナースペース及び隣接太陽電池間の位置を含むがこれらに限定されない適切な位置にMPPT ICチップを配置する(動作810)。次に、変更されたタブ結合プロセスを介して種々の列の太陽電池を互いに接続し(動作812)、次に、MPPT ICチップと対応する太陽電池電極との間の電気接続を形成して、完全に相互接続されたソーラーモジュールを達成する(動作814)。より具体的には、太陽電池の上部電極はICの1つの端子に接続され、下部電極は、はんだバンプ、フリップチップ、ラップスルー接点などを含むがこれらに限定されない典型的な半導体方法を介してICの他の端子に接続される。その後、裏面側カバーを付け(動作816)、ソーラーモジュールアセンブリ全体を通常の積層プロセスを通過させることができ、それにより電池及びMPPTICが所定の場所にシールされ(動作818)、続いてフレーミング及びトリミング(動作820)と、接続箱の取り付け(動作822)が行われる。
[0090] 様々な実施形態に関する上記の説明は例示及び解説のためにのみ提示されている。これは、網羅するため又は開示された形式に本発明を限定するためのものではない。従って、多くの変更及び変形は当業者にとって明白なものになるであろう。更に、上記の開示内容は本発明を限定するためのものではない。

Claims (10)

  1. 表面側カバーと、
    裏面側カバーと、
    前記表面側カバーと前記裏面側カバーとの間に位置する複数の太陽電池と、
    を含み、
    それぞれの太陽電池が、
    第1極性表面及び第2極性表面を有する多層半導体構造であって、前記第2極性表面が前記第1極性表面と反対側にある多層半導体積層構造と、
    前記第1極性表面上に位置する第1電極と、
    前記第2極性表面上に位置する第2電極と、
    を含み、
    前記第1電極及び前記第2電極のそれぞれが金属グリッドを含み、それぞれの金属グリッドが複数のフィンガーラインと前記フィンガーラインに結合された単一バスバーとを含み、前記単一バスバーが前記フィンガーラインから電流を収集するように構成され、
    前記第1極性表面上の単一バスバー及び前記第2極性表面上の単一バスバーは、両側のエッジに配置され、
    隣接する2つの太陽電池は、第1及び第2の太陽電池を有し、前記第1の太陽電池の1つのエッジにある第1の単一バスバー及び前記第2の太陽電池の隣接エッジにある第2の単一バスバーにはんだ付けされた金属タブによってまとめて結合され、
    前記第1の太陽電池の前記第1極性表面と前記第2の太陽電池の前記第2極性表面とは、ともに同じ方向を向いており
    複数の最大出力追従制御(MPPT)デバイスを更に含み、それぞれのMPPTデバイスが、個々の太陽電池に結合され、それにより電池レベルのMPPTを容易にするものであり、
    それぞれのMPPTデバイスは、隣接する2つの太陽電池間のコーナースペースに配置されて前記金属タブに接触している、ソーラーモジュール。
  2. 前記金属タブの幅が実質的に前記第1の単一バスバー及び前記第2の単一バスバーの長さと同様である、請求項1記載のソーラーモジュール。
  3. 複数の太陽電池が金属タブによって1つのストリングに結合され、複数のストリングが電気的に直列又は並列に結合される、請求項1又は2記載のソーラーモジュール。
  4. 前記金属タブの長さが3〜12mmの間である、請求項1から3のいずれか一項記載のソーラーモジュール。
  5. 前記多層半導体構造が、
    基層と、
    表面側又は裏面側エミッタと、
    裏面又は表面フィールド層と、
    を含む、請求項1から4のいずれか一項記載のソーラーモジュール。
  6. 前記多層半導体構造が、前記基層の両側に位置決めされた量子トンネリングバリア(QTB)層を含む、請求項5記載のソーラーモジュール。
  7. 前記金属グリッドが少なくとも1つの電気めっきCu層を含む、請求項1から6のいずれか一項記載のソーラーモジュール。
  8. 前記単一バスバーの幅が0.5〜3mmの間である、請求項1から7のいずれか一項記載のソーラーモジュール。
  9. 前記表面側及び裏面側カバーが、前記ソーラーモジュールの両面構成を容易にするために透明である、請求項1からのいずれか一項記載のソーラーモジュール。
  10. 前記複数の太陽電池が、
    1つの5インチ太陽電池、
    1つの6インチ太陽電池、及び
    5インチ又は6インチ太陽電池の1/8、1/6、1/4、1/3、又は1/2
    のうちの少なくとも1つを含む、請求項1からのいずれか一項記載のソーラーモジュール。

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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US9412884B2 (en) * 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US8916038B2 (en) * 2013-03-13 2014-12-23 Gtat Corporation Free-standing metallic article for semiconductors
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
USD913210S1 (en) * 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US10043937B2 (en) 2014-12-05 2018-08-07 Solarcity Corporation Systems and method for precision automated placement of backsheet on PV modules
US9685579B2 (en) 2014-12-05 2017-06-20 Solarcity Corporation Photovoltaic structure cleaving system
US9991412B2 (en) 2014-12-05 2018-06-05 Solarcity Corporation Systems for precision application of conductive adhesive paste on photovoltaic structures
US10056522B2 (en) 2014-12-05 2018-08-21 Solarcity Corporation System and apparatus for precision automation of tab attachment for fabrications of solar panels
US9590132B2 (en) 2014-12-05 2017-03-07 Solarcity Corporation Systems and methods for cascading photovoltaic structures
US10236406B2 (en) 2014-12-05 2019-03-19 Solarcity Corporation Systems and methods for targeted annealing of photovoltaic structures
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9966487B2 (en) * 2015-12-14 2018-05-08 Solarcity Corporation Strain relief apparatus for solar modules
US20170179324A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-22 Solarcity Corporation High-efficiency low-cost solar panel with protection circuitry
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US10211356B2 (en) 2015-12-23 2019-02-19 Solarcity Corporation Cell interconnects
US10510907B2 (en) 2016-02-24 2019-12-17 Sunpower Corporation Solar panel
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
KR20170141183A (ko) * 2016-05-06 2017-12-22 어플라이드 머티어리얼스 이탈리아 에스.알.엘. 적어도 2개의 태양 전지 어레인지먼트들을 제조하기 위한 장치, 적어도 2개의 싱글드 태양 전지들을 제조하기 위한 시스템, 및 적어도 2개의 태양 전지 어레인지먼트들을 제조하기 위한 방법
US20180090634A1 (en) * 2016-09-23 2018-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Solar module and photovoltaic power generation system
US10937915B2 (en) 2016-10-28 2021-03-02 Tesla, Inc. Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels
TWI601300B (zh) * 2016-11-23 2017-10-01 友達光電股份有限公司 太陽能電池模組
CN106653913A (zh) * 2017-01-24 2017-05-10 泰州乐叶光伏科技有限公司 一种n型双面电池的互联技术
USD841570S1 (en) 2017-08-25 2019-02-26 Flex Ltd Solar cell
USD841571S1 (en) 2017-08-25 2019-02-26 Flex Ltd. Solar panel
WO2018161286A1 (en) * 2017-03-09 2018-09-13 Flex, Ltd. Shingled array solar cells and methods of manufacturing solar modules including the same
CN106881546A (zh) * 2017-04-15 2017-06-23 无锡奥特维科技股份有限公司 一种电池片串焊系统
CN106920854B (zh) * 2017-04-20 2018-07-31 泰州中来光电科技有限公司 一种密集排布的太阳能电池串和制备方法及其组件、系统
US10381973B2 (en) 2017-05-17 2019-08-13 Tesla, Inc. Uniformly and directionally colored photovoltaic modules
US10985688B2 (en) 2017-06-05 2021-04-20 Tesla, Inc. Sidelap interconnect for photovoltaic roofing modules
KR102459719B1 (ko) * 2017-06-14 2022-10-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지, 태양전지 모듈과 그 제조 방법
WO2019005752A1 (en) * 2017-06-26 2019-01-03 Massachusetts Institute Of Technology INTERCONNECTION OF WIRES FOR SOLAR CELLS
US10734938B2 (en) * 2017-07-21 2020-08-04 Tesla, Inc. Packaging for solar roof tiles
US10857764B2 (en) 2017-07-25 2020-12-08 Tesla, Inc. Method for improving adhesion between glass cover and encapsulant for solar roof tiles
RU2663543C1 (ru) * 2017-08-31 2018-08-07 Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" Способ сборки монолитного солнечного модуля из ячеек фотоэлектрических преобразователей на клеевой слой
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
KR101976175B1 (ko) * 2017-09-20 2019-05-08 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
CN107706258A (zh) * 2017-09-27 2018-02-16 浙江晶科能源有限公司 一种电池片串联组件
US10978990B2 (en) 2017-09-28 2021-04-13 Tesla, Inc. Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile
US11290052B2 (en) * 2017-10-27 2022-03-29 Mary Ja Ne' Williams Solar ultra-light operated battery and the method thereof
RU2671912C1 (ru) * 2017-11-27 2018-11-07 Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" Электрод для контактирования фотоэлектрических преобразователей
KR20190085786A (ko) * 2018-01-11 2019-07-19 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈
US10454409B2 (en) 2018-02-02 2019-10-22 Tesla, Inc. Non-flat solar roof tiles
US10862420B2 (en) 2018-02-20 2020-12-08 Tesla, Inc. Inter-tile support for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CA3055609A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-06 Tesla, Inc. System and method for packaging photovoltaic roof tiles
KR102504652B1 (ko) * 2018-03-08 2023-03-02 가부시키가이샤 가네카 태양 전지 모듈, 유리 건축재 및 태양 전지 모듈의 제조 방법
CN111886705B (zh) * 2018-03-20 2024-01-02 株式会社钟化 太阳能电池模块、玻璃建材、以及太阳能电池模块的制造方法
US11431279B2 (en) 2018-07-02 2022-08-30 Tesla, Inc. Solar roof tile with a uniform appearance
CN110767761A (zh) * 2018-07-27 2020-02-07 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 一种光伏组件
US11245354B2 (en) 2018-07-31 2022-02-08 Tesla, Inc. Solar roof tile spacer with embedded circuitry
US11082005B2 (en) 2018-07-31 2021-08-03 Tesla, Inc. External electrical contact for solar roof tiles
US11245355B2 (en) 2018-09-04 2022-02-08 Tesla, Inc. Solar roof tile module
US11581843B2 (en) 2018-09-14 2023-02-14 Tesla, Inc. Solar roof tile free of back encapsulant layer
TWI734077B (zh) * 2018-10-23 2021-07-21 財團法人工業技術研究院 太陽光電模組
CN109065656A (zh) * 2018-10-31 2018-12-21 伟创力有限公司 形成用于集成在太阳能电池组件中的有色导电焊带的方法
KR102652350B1 (ko) 2018-11-07 2024-03-29 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 모듈
WO2020093404A1 (zh) * 2018-11-09 2020-05-14 武宇涛 光伏电池模组及其制备方法
WO2020189240A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社カネカ 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
CN111916515A (zh) * 2019-05-08 2020-11-10 君泰创新(北京)科技有限公司 一种超薄柔性太阳电池组件
US11522495B2 (en) * 2019-05-31 2022-12-06 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion module and photoelectric conversion module array
US11431280B2 (en) 2019-08-06 2022-08-30 Tesla, Inc. System and method for improving color appearance of solar roofs
CN111244216A (zh) * 2020-01-23 2020-06-05 成都晔凡科技有限公司 叠瓦组件的制造方法及叠瓦组件
TW202211493A (zh) * 2020-04-09 2022-03-16 日商鐘化股份有限公司 太陽電池模組
CN113725306B (zh) * 2021-08-27 2023-08-15 上海晶科绿能企业管理有限公司 一种电池片以及太阳能电池组件
WO2023058423A1 (ja) * 2021-10-04 2023-04-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、測距装置、測距モジュール、電子機器、及び受光素子の製造方法
WO2023248256A1 (en) * 2022-06-25 2023-12-28 Ivan Saha Three-dimensional photovoltaic supercell and a three-dimensional photovoltaic supercell module and method of manufacture of the same
DE102022128223A1 (de) 2022-10-25 2024-04-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Solarzellenmodul und Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls

Family Cites Families (461)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US819360A (en) 1905-03-22 1906-05-01 Edward Newton A Electrical switch.
US2626907A (en) 1951-05-14 1953-01-27 Petrolite Corp Process for breaking petroleum emulsions
US2938938A (en) 1956-07-03 1960-05-31 Hoffman Electronics Corp Photo-voltaic semiconductor apparatus or the like
US3116171A (en) 1961-03-14 1963-12-31 Bell Telephone Labor Inc Satellite solar cell assembly
US3094439A (en) 1961-07-24 1963-06-18 Spectrolab Solar cell system
US3459597A (en) 1966-02-04 1969-08-05 Trw Inc Solar cells with flexible overlapping bifurcated connector
US3676179A (en) 1968-10-03 1972-07-11 Gulf Oil Corp Coated article and method for making same
US3969163A (en) 1974-09-19 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases
JPS5758075B2 (ja) 1974-10-19 1982-12-08 Sony Corp
US3961997A (en) 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
US4082568A (en) 1977-05-10 1978-04-04 Joseph Lindmayer Solar cell with multiple-metal contacts
US4193975A (en) 1977-11-21 1980-03-18 Union Carbide Corporation Process for the production of improved refined metallurgical silicon
US4124410A (en) 1977-11-21 1978-11-07 Union Carbide Corporation Silicon solar cells with low-cost substrates
US4342044A (en) 1978-03-08 1982-07-27 Energy Conversion Devices, Inc. Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
US4200621A (en) 1978-07-18 1980-04-29 Motorola, Inc. Sequential purification and crystal growth
US4284490A (en) 1978-09-28 1981-08-18 Coulter Systems Corporation R.F. Sputtering apparatus including multi-network power supply
US4213798A (en) 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
US4251285A (en) 1979-08-14 1981-02-17 Westinghouse Electric Corp. Diffusion of dopant from optical coating and single step formation of PN junction in silicon solar cell and coating thereon
DE2944185A1 (de) 1979-11-02 1981-05-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Solarzelle
US4315096A (en) 1980-07-25 1982-02-09 Eastman Kodak Company Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses
JPS5789269A (en) * 1980-09-26 1982-06-03 Licentia Gmbh Solar battery unit
JPS5839074A (ja) * 1981-08-31 1983-03-07 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法
DE3280293D1 (de) 1981-11-04 1991-02-21 Kanegafuchi Chemical Ind Biegsame photovoltaische einrichtung.
US4571448A (en) 1981-11-16 1986-02-18 University Of Delaware Thin film photovoltaic solar cell and method of making the same
US4657060A (en) 1982-03-01 1987-04-14 Graber Industries, Inc. Vertical venetian blind with inline drive
US4431858A (en) 1982-05-12 1984-02-14 University Of Florida Method of making quasi-grain boundary-free polycrystalline solar cell structure and solar cell structure obtained thereby
DE3308269A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh Solarzelle
US4586988A (en) 1983-08-19 1986-05-06 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming an electrically conductive member
US4589191A (en) 1983-10-20 1986-05-20 Unisearch Limited Manufacture of high efficiency solar cells
US4514579A (en) 1984-01-30 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Large area photovoltaic cell and method for producing same
DE3419137A1 (de) 1984-05-23 1985-11-28 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterfolien
US4567642A (en) 1984-09-28 1986-02-04 The Standard Oil Company Method of making photovoltaic modules
US4577051A (en) 1984-09-28 1986-03-18 The Standard Oil Company Bypass diode assembly for photovoltaic modules
US4633033A (en) 1985-02-08 1986-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
US4617421A (en) 1985-04-01 1986-10-14 Sovonics Solar Systems Photovoltaic cell having increased active area and method for producing same
US4667060A (en) 1985-05-28 1987-05-19 Spire Corporation Back junction photovoltaic solar cell
US4652693A (en) 1985-08-30 1987-03-24 The Standard Oil Company Reformed front contact current collector grid and cell interconnect for a photovoltaic cell module
US4753683A (en) 1985-09-09 1988-06-28 Hughes Aircraft Company Gallium arsenide solar cell system
FR2597662B1 (fr) 1986-04-22 1988-06-17 Thomson Csf Photodiode pin realisee a partir de semi-conducteur amorphe
US4729970A (en) 1986-09-15 1988-03-08 Energy Conversion Devices, Inc. Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices
US4694115A (en) 1986-11-04 1987-09-15 Spectrolab, Inc. Solar cell having improved front surface metallization
DE3708548A1 (de) 1987-03-17 1988-09-29 Telefunken Electronic Gmbh Solarzellenmodul mit parallel und seriell angeordneten solarzellen
US4771017A (en) 1987-06-23 1988-09-13 Spire Corporation Patterning process
US5057163A (en) 1988-05-04 1991-10-15 Astropower, Inc. Deposited-silicon film solar cell
US5698451A (en) 1988-06-10 1997-12-16 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating contacts for solar cells
US5075763A (en) 1988-09-28 1991-12-24 Kopin Corporation High temperature metallization system for contacting semiconductor materials
JPH06105691B2 (ja) 1988-09-29 1994-12-21 株式会社富士電機総合研究所 炭素添加非晶質シリコン薄膜の製造方法
US4933061A (en) 1988-12-29 1990-06-12 Trifari, Krussman & Fishel, Inc. Electroplating tank
DE3901042A1 (de) 1989-01-14 1990-07-26 Nukem Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
US5118361A (en) 1990-05-21 1992-06-02 The Boeing Company Terrestrial concentrator solar cell module
US5091018A (en) 1989-04-17 1992-02-25 The Boeing Company Tandem photovoltaic solar cell with III-V diffused junction booster cell
US5217539A (en) 1991-09-05 1993-06-08 The Boeing Company III-V solar cells and doping processes
JPH036867A (ja) 1989-06-05 1991-01-14 Mitsubishi Electric Corp 光発電素子の電極構造、形成方法、及びその製造装置
DE4009336A1 (de) 1990-03-23 1991-09-26 Telefunken Systemtechnik Solarzelle
DE69128080T2 (de) 1990-05-18 1998-02-26 Hitco Technologies Inc., Gardena, Calif. Werkstoffe für cdv-verfahren
DK170189B1 (da) 1990-05-30 1995-06-06 Yakov Safir Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
US5155051A (en) 1990-06-22 1992-10-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing photovoltaic device
US5213628A (en) 1990-09-20 1993-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
DE4030713A1 (de) 1990-09-28 1992-04-02 Telefunken Systemtechnik Photovoltaischer solargenerator
JPH04245683A (ja) 1991-01-31 1992-09-02 Tonen Corp 太陽電池の製造方法
US5364518A (en) 1991-05-28 1994-11-15 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron cathode for a rotating target
DE69224965T2 (de) 1991-06-11 1998-10-29 Ase Americas Inc Verbesserte solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
US5178685A (en) 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
US5181968A (en) 1991-06-24 1993-01-26 United Solar Systems Corporation Photovoltaic device having an improved collector grid
US5455430A (en) 1991-08-01 1995-10-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate
US5705828A (en) 1991-08-10 1998-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US5286306A (en) 1992-02-07 1994-02-15 Shalini Menezes Thin film photovoltaic cells from I-III-VI-VII compounds
US5808315A (en) 1992-07-21 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor having transparent conductive film
JPH06196766A (ja) 1992-12-24 1994-07-15 Fujitsu Ltd 超伝導トランジスタ
JPH0794431A (ja) 1993-04-23 1995-04-07 Canon Inc アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
US5401331A (en) 1993-09-07 1995-03-28 Midwest Research Institute Substrate for thin silicon solar cells
DE4333407C1 (de) 1993-09-30 1994-11-17 Siemens Ag Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht
JPH07249788A (ja) 1994-03-11 1995-09-26 Tonen Corp 太陽電池
JPH07326664A (ja) 1994-05-31 1995-12-12 Fuji Electric Co Ltd ウエハの誘電体分離溝の充填方法
FR2722612B1 (fr) 1994-07-13 1997-01-03 Centre Nat Rech Scient Procede de fabrication d'un materiau ou dispositif photovoltaique, materiau ou dispositif ainsi obteu et photopile comprenant un tel materiau ou dispositif
JP2992464B2 (ja) 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
US5627081A (en) 1994-11-29 1997-05-06 Midwest Research Institute Method for processing silicon solar cells
EP0729189A1 (en) 1995-02-21 1996-08-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of preparing solar cells and products obtained thereof
WO1996034124A1 (en) 1995-04-25 1996-10-31 The Boc Group, Inc. Sputtering system using cylindrical rotating magnetron electrically powered using alternating current
JP3459947B2 (ja) 1996-06-18 2003-10-27 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
US6552414B1 (en) 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6017581A (en) 1997-04-18 2000-01-25 Semi-Alloys Company Method for coating lenticular articles
JPH1131834A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Showa Shell Sekiyu Kk ガラスサンドイッチ型太陽電池パネル
US6091019A (en) 1997-09-26 2000-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic element and manufacturing method thereof
US6140570A (en) 1997-10-29 2000-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element having a back side transparent and electrically conductive layer with a light incident side surface region having a specific cross section and a module comprising said photovolatic element
US5903382A (en) 1997-12-19 1999-05-11 Rockwell International Corporation Electrodeposition cell with high light transmission
US6441297B1 (en) 1998-03-13 2002-08-27 Steffen Keller Solar cell arrangement
JP4121603B2 (ja) * 1998-03-18 2008-07-23 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法及びその接続方法
EP0962989B1 (en) 1998-05-20 2011-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic power generating structure
US20070108437A1 (en) 1998-06-08 2007-05-17 Avto Tavkhelidze Method of fabrication of high temperature superconductors based on new mechanism of electron-electron interaction
US6468828B1 (en) 1998-07-14 2002-10-22 Sky Solar L.L.C. Method of manufacturing lightweight, high efficiency photovoltaic module
US6232545B1 (en) 1998-08-06 2001-05-15 Jx Crystals Inc. Linear circuit designs for solar photovoltaic concentrator and thermophotovoltaic applications using cell and substrate materials with matched coefficients of thermal expansion
US6303853B1 (en) 1998-08-06 2001-10-16 Jx Crystals Inc. Shingle circuits for thermophotovoltaic systems
CN1134071C (zh) 1998-11-04 2004-01-07 北京市太阳能研究所 一种太阳能电池及其制作方法
US6488824B1 (en) 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
JP2000164902A (ja) 1998-11-27 2000-06-16 Kyocera Corp 太陽電池
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US7635810B2 (en) 1999-03-30 2009-12-22 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20080011350A1 (en) * 1999-03-30 2008-01-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and other optoelectric devices
US8076568B2 (en) 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US6414236B1 (en) * 1999-06-30 2002-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module
US6034322A (en) 1999-07-01 2000-03-07 Space Systems/Loral, Inc. Solar cell assembly
JP2001148500A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP4752168B2 (ja) 2000-03-13 2011-08-17 ソニー株式会社 光エネルギー変換装置
US6538193B1 (en) 2000-04-21 2003-03-25 Jx Crystals Inc. Thermophotovoltaic generator in high temperature industrial process
US6586270B2 (en) 2000-06-01 2003-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a photovoltaic element
JP5081345B2 (ja) 2000-06-13 2012-11-28 富士フイルム株式会社 光電変換素子の製造方法
US6333457B1 (en) 2000-08-29 2001-12-25 Sunpower Corporation Edge passivated silicon solar/photo cell and method of manufacture
DE10042733A1 (de) 2000-08-31 2002-03-28 Inst Physikalische Hochtech Ev Multikristalline laserkristallisierte Silicium-Dünnschicht-Solarzelle auf transparentem Substrat
JP3490964B2 (ja) 2000-09-05 2004-01-26 三洋電機株式会社 光起電力装置
JP2002134484A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
US20020189939A1 (en) 2001-06-14 2002-12-19 German John R. Alternating current rotatable sputter cathode
US6620645B2 (en) 2000-11-16 2003-09-16 G.T. Equipment Technologies, Inc Making and connecting bus bars on solar cells
JP4055358B2 (ja) 2000-12-12 2008-03-05 サンケン電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2002084335A2 (en) 2000-12-19 2002-10-24 Coventor, Incorporated Light transmissive substrate for an optical mems device
US6927242B2 (en) 2001-01-17 2005-08-09 Mitsui Chemicals, Inc. Resin composition, coating materials containing the same, coating film and process for forming the film
WO2002075816A1 (fr) 2001-03-19 2002-09-26 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Pile solaire et son procede de fabrication
FR2822436B1 (fr) 2001-03-21 2003-08-15 Cit Alcatel Panneau solaire ayant des bornes electriques reparties sur sa surface
WO2002091692A1 (en) 2001-04-13 2002-11-14 Girard Gregory D Ditributed edge switching system for voice-over-packet multiservice network
US7173275B2 (en) 2001-05-21 2007-02-06 Regents Of The University Of Colorado Thin-film transistors based on tunneling structures and applications
JP2003069055A (ja) 2001-06-13 2003-03-07 Sharp Corp 太陽電池セルとその製造方法
US7399385B2 (en) 2001-06-14 2008-07-15 Tru Vue, Inc. Alternating current rotatable sputter cathode
US20030000568A1 (en) 2001-06-15 2003-01-02 Ase Americas, Inc. Encapsulated photovoltaic modules and method of manufacturing same
US6713670B2 (en) 2001-08-17 2004-03-30 Composite Optics, Incorporated Electrostatically clean solar array
WO2003019598A1 (en) 2001-08-27 2003-03-06 Northwestern University High work function transparent conducting oxides as anodes for organic light-emitting diodes
US6664589B2 (en) 2001-08-30 2003-12-16 Micron Technology, Inc. Technique to control tunneling currents in DRAM capacitors, cells, and devices
US6563040B2 (en) 2001-10-11 2003-05-13 Pinnacle West Capital Corporation Structure for supporting a photovoltaic module in a solar energy collection system
US6672018B2 (en) 2001-10-12 2004-01-06 Jefferson Shingleton Solar module mounting method and clip
US7469299B2 (en) 2001-10-25 2008-12-23 Verizon Business Global Llc Bridging user agent and a proxy server for supporting network services
CN1180486C (zh) 2001-10-31 2004-12-15 四川大学 透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池
US20030116185A1 (en) 2001-11-05 2003-06-26 Oswald Robert S. Sealed thin film photovoltaic modules
JP3902534B2 (ja) 2001-11-29 2007-04-11 三洋電機株式会社 光起電力装置及びその製造方法
US20030121228A1 (en) 2001-12-31 2003-07-03 Stoehr Robert P. System and method for dendritic web solar cell shingling
US6736948B2 (en) 2002-01-18 2004-05-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation
US6683360B1 (en) 2002-01-24 2004-01-27 Fillfactory Multiple or graded epitaxial wafers for particle or radiation detection
US20030154667A1 (en) 2002-02-20 2003-08-21 Dinwoodie Thomas L. Shingle system
JP4070483B2 (ja) 2002-03-05 2008-04-02 三洋電機株式会社 光起電力装置並びにその製造方法
US20030173217A1 (en) 2002-03-14 2003-09-18 Sputtering Components, Inc. High-power ion sputtering magnetron
DE10213049A1 (de) 2002-03-22 2003-10-02 Dieter Wurczinger Drehbare Rohrkatode
KR20030083953A (ko) 2002-04-24 2003-11-01 김홍근 신용카드 단말기에서 상품권을 가지고 즉시로 결제하는방법 및 그 장치
US7388146B2 (en) 2002-04-24 2008-06-17 Jx Crystals Inc. Planar solar concentrator power module
US6803513B2 (en) 2002-08-20 2004-10-12 United Solar Systems Corporation Series connected photovoltaic module and method for its manufacture
EP1398837A1 (en) 2002-09-09 2004-03-17 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) Photovoltaic device
US7126052B2 (en) 2002-10-02 2006-10-24 The Boeing Company Isoelectronic surfactant induced sublattice disordering in optoelectronic devices
JP2004134672A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Sony Corp 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置
JP2004193350A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
US6870600B2 (en) 2003-01-13 2005-03-22 Nikon Corporation Vibration-attenuation devices and methods using pressurized bellows exhibiting substantially zero lateral stiffness
JP2004235274A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp 多結晶シリコン基板およびその粗面化法
JP2004304167A (ja) 2003-03-20 2004-10-28 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 配線、表示装置及び、これらの形成方法
US7388147B2 (en) 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
JP4118187B2 (ja) 2003-05-09 2008-07-16 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法
US20050064247A1 (en) 2003-06-25 2005-03-24 Ajit Sane Composite refractory metal carbide coating on a substrate and method for making thereof
DE102004031950A1 (de) 2003-06-26 2005-02-10 Kyocera Corp. Halbleiter/Elektroden-Kontaktstruktur und eine solche verwendendes Halbleiterbauteil
CN2626907Y (zh) 2003-07-01 2004-07-21 何学东 一体化组件的防伪盖
JP3722813B2 (ja) 2003-07-08 2005-11-30 沖電気工業株式会社 埋め込み配線構造の形成方法
US7455787B2 (en) 2003-08-01 2008-11-25 Sunpower Corporation Etching of solar cell materials
EP1654752B1 (en) 2003-08-01 2011-06-29 SGL Carbon SE Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
US7172184B2 (en) 2003-08-06 2007-02-06 Sunpower Corporation Substrate carrier for electroplating solar cells
US7199395B2 (en) 2003-09-24 2007-04-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic cell and method of fabricating the same
JP4515208B2 (ja) 2003-09-25 2010-07-28 富士フイルム株式会社 画像処理方法および装置並びにプログラム
JP4232597B2 (ja) 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
JP2005123445A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Canon Inc 光起電力素子および光起電力素子の製造方法
US20050189015A1 (en) 2003-10-30 2005-09-01 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
JP2005142268A (ja) 2003-11-05 2005-06-02 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
JP2007513048A (ja) 2003-12-04 2007-05-24 ダウ・コーニング・コーポレイション 太陽電池グレードのケイ素を生産するための、冶金グレードのケイ素から不純物を除去する方法
DE10357698A1 (de) 2003-12-09 2005-07-14 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Träger für zu behandelnde Gegenstände sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP2005175197A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Canon Inc 太陽電池モジュール及びその製造方法
US7887632B2 (en) 2004-01-15 2011-02-15 Japan Science And Technology Agency Process for producing monocrystal thin film and monocrystal thin film device
JP4213718B2 (ja) 2004-01-28 2009-01-21 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
EP1560272B1 (en) 2004-01-29 2016-04-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
US20060060238A1 (en) 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
WO2005081326A1 (en) 2004-02-19 2005-09-01 The University Of Toledo Interconnected photoelectrochemical cell
US20050268963A1 (en) 2004-02-24 2005-12-08 David Jordan Process for manufacturing photovoltaic cells
US20050252544A1 (en) 2004-05-11 2005-11-17 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
EP1598874A1 (en) 2004-05-19 2005-11-23 Dutch Space B.V. Solar cell assembly
US7777128B2 (en) 2004-06-01 2010-08-17 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module architecture
FR2871157A1 (fr) 2004-06-04 2005-12-09 Aventis Pharma Sa Produits biaryl aromatiques, compositions les contenant et utilisation
EP1766299A1 (en) * 2004-06-24 2007-03-28 Heliodynamics Limited Solar energy collection systems
EP1766490A4 (en) 2004-07-13 2007-12-05 Univ Central Queensland DEVICE FOR DETECTING MAXIMUM DISTRIBUTED POWER FOR SOLAR PANELS
US20080149163A1 (en) * 2004-08-31 2008-06-26 Ron Gangemi System and method for mounting photovoltaic cells
US7087906B2 (en) 2004-09-08 2006-08-08 Nikon Corporation Bellows with spring anti-gravity device
US20060130891A1 (en) 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
US7432119B2 (en) 2005-01-11 2008-10-07 Semileds Corporation Light emitting diode with conducting metal substrate
FR2880989B1 (fr) 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US7723215B2 (en) 2005-02-11 2010-05-25 Sarnoff Corporation Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same
US8115093B2 (en) 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
US20080121932A1 (en) 2006-09-18 2008-05-29 Pushkar Ranade Active regions with compatible dielectric layers
EP1696492B1 (en) 2005-02-25 2012-04-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic cell
DE102005013668B3 (de) 2005-03-14 2006-11-16 Universität Stuttgart Solarzelle
US7759158B2 (en) 2005-03-22 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
WO2006104169A1 (ja) 2005-03-29 2006-10-05 Kyocera Corporation 太陽電池素子の梱包方法及び太陽電池素子の梱包体
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
DE102005019225B4 (de) 2005-04-20 2009-12-31 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Heterokontaktsolarzelle mit invertierter Schichtstrukturgeometrie
US7375378B2 (en) 2005-05-12 2008-05-20 General Electric Company Surface passivated photovoltaic devices
JP5301758B2 (ja) 2005-05-19 2013-09-25 信越半導体株式会社 太陽電池
US8039731B2 (en) 2005-06-06 2011-10-18 General Electric Company Photovoltaic concentrator for solar energy system
EP1734589B1 (en) 2005-06-16 2019-12-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic module
US20090194233A1 (en) 2005-06-23 2009-08-06 Tokyo Electron Limited Component for semicondutor processing apparatus and manufacturing method thereof
US20070023082A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 Venkatesan Manivannan Compositionally-graded back contact photovoltaic devices and methods of fabricating such devices
US7906723B2 (en) 2008-04-30 2011-03-15 General Electric Company Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices
US20070023081A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 General Electric Company Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
JP2007123792A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Kyocera Corp 太陽電池モジュール
JP5171001B2 (ja) 2005-09-30 2013-03-27 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
EP1969641A2 (en) 2005-11-04 2008-09-17 Dow Corning Corporation Encapsulation of photovoltaic cells
WO2007106180A2 (en) 2005-11-07 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Photovoltaic contact and wiring formation
EP1948852B1 (en) 2005-11-18 2018-08-29 Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST) Master electrode and method of forming the master electrode
EP1806684A1 (en) 2005-12-05 2007-07-11 Sap Ag Creation of structured order items during availability check
US20070132034A1 (en) 2005-12-14 2007-06-14 Giuseppe Curello Isolation body for semiconductor devices and method to form the same
US20070137699A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 General Electric Company Solar cell and method for fabricating solar cell
JP2007194580A (ja) 2005-12-21 2007-08-02 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
JP5025135B2 (ja) 2006-01-24 2012-09-12 三洋電機株式会社 光起電力モジュール
EP1816684A2 (en) 2006-02-01 2007-08-08 Sanyo Electric Co. Ltd. Solar battery module
US7769887B1 (en) 2006-02-03 2010-08-03 Sprint Communications Company L.P. Opportunistic data transfer over heterogeneous wireless networks
US8603248B2 (en) 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
DE102006009194A1 (de) 2006-02-22 2007-08-23 Siegfried Gutfleisch Anordnung aus einer tragenden Gebäudestruktur und einem Solarzellenaufbau
CH696344A5 (fr) 2006-02-22 2007-04-30 Ses Soc En Solaire Sa Film support et procédé de couplage de cellules photovoltaïques.
US20090014055A1 (en) 2006-03-18 2009-01-15 Solyndra, Inc. Photovoltaic Modules Having a Filling Material
US20070235077A1 (en) 2006-03-27 2007-10-11 Kyocera Corporation Solar Cell Module and Manufacturing Process Thereof
US8168880B2 (en) 2006-04-26 2012-05-01 Certainteed Corporation Shingle with photovoltaic element(s) and array of same laid up on a roof
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US8571012B2 (en) 2006-05-12 2013-10-29 Oracle International Corporation Customized sip routing to cross firewalls
US20080035489A1 (en) 2006-06-05 2008-02-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Plating process
US20070283997A1 (en) 2006-06-13 2007-12-13 Miasole Photovoltaic module with integrated current collection and interconnection
US20070283996A1 (en) 2006-06-13 2007-12-13 Miasole Photovoltaic module with insulating interconnect carrier
JP4290747B2 (ja) 2006-06-23 2009-07-08 シャープ株式会社 光電変換素子およびインターコネクタ付き光電変換素子
EP2070115A2 (en) 2006-08-04 2009-06-17 SoloPower, Inc. Thin film solar cell with finger pattern
US7915517B2 (en) 2006-08-16 2011-03-29 Lau Po K Bifacial photovoltaic devices
US20080047602A1 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US7893348B2 (en) 2006-08-25 2011-02-22 General Electric Company Nanowires in thin-film silicon solar cells
US20080053519A1 (en) 2006-08-30 2008-03-06 Miasole Laminated photovoltaic cell
DE102006042617B4 (de) 2006-09-05 2010-04-08 Q-Cells Se Verfahren zur Erzeugung von lokalen Kontakten
US20080264477A1 (en) 2006-10-09 2008-10-30 Soltaix, Inc. Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells
US7999174B2 (en) 2006-10-09 2011-08-16 Solexel, Inc. Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells
US20080092947A1 (en) 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Pulse plating of a low stress film on a solar cell substrate
DE102006051735A1 (de) 2006-10-30 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
US8013474B2 (en) 2006-11-27 2011-09-06 Xslent Energy Technologies, Llc System and apparatuses with multiple power extractors coupled to different power sources
JP2008135655A (ja) 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル
US20080121276A1 (en) 2006-11-29 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Selective electroless deposition for solar cells
JP4429306B2 (ja) 2006-12-25 2010-03-10 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
EP2105970A4 (en) 2006-12-26 2015-08-05 Kyocera Corp SOLAR CELL MODULE
US7825329B2 (en) 2007-01-03 2010-11-02 Solopower, Inc. Thin film solar cell manufacturing and integration
CN101226968A (zh) 2007-01-17 2008-07-23 易斌宣 降低聚光太阳能电池串联电阻阻值的方法及由该方法获得的聚光太阳能电池
US20080173350A1 (en) 2007-01-18 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US20080173347A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 General Electric Company Method And Apparatus For A Semiconductor Structure
CN101675531B (zh) 2007-02-16 2013-03-06 纳克公司 太阳能电池结构、光生伏打模块及对应的工艺
JP2008205137A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール
US7534632B2 (en) 2007-02-20 2009-05-19 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Method for circuits inspection and method of the same
DE202007002897U1 (de) 2007-02-28 2008-07-10 SCHÜCO International KG Photovoltaisches Solarmodul
US7968792B2 (en) 2007-03-05 2011-06-28 Seagate Technology Llc Quantum dot sensitized wide bandgap semiconductor photovoltaic devices & methods of fabricating same
KR20100015622A (ko) 2007-03-16 2010-02-12 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 태양 전지
EP1973167B1 (en) 2007-03-19 2018-06-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic device and method of manufacturing the same
FR2914785B1 (fr) 2007-04-06 2009-05-15 Saint Gobain Ct Recherches Revetement de toiture photovoltaique
US8471141B2 (en) 2007-05-07 2013-06-25 Nanosolar, Inc Structures for low cost, reliable solar roofing
US20080308145A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
KR200438601Y1 (ko) 2007-07-13 2008-02-26 임준희 연필심 깎이
JP5288790B2 (ja) * 2007-08-02 2013-09-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5147332B2 (ja) * 2007-08-27 2013-02-20 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池、及びこれらの製造方法
US20090056797A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Blue Square Energy Incorporated Photovoltaic Thin-Film Solar Cell and Method Of Making The Same
US7709730B2 (en) 2007-09-05 2010-05-04 Skyline Solar, Inc. Dual trough concentrating solar photovoltaic module
US7749883B2 (en) 2007-09-20 2010-07-06 Fry's Metals, Inc. Electroformed stencils for solar cell front side metallization
MX2010003227A (es) 2007-09-25 2010-04-07 First Solar Inc Dispositivos fotovoltaicos que incluyen una capa interfacial.
TWI371112B (en) 2007-10-02 2012-08-21 Univ Chang Gung Solar energy photoelectric conversion apparatus
EP2195855A1 (en) 2007-10-12 2010-06-16 SYSTEM S.p.A. A process for connecting photovoltaic cells in series, a photovoltaic cell connectable in series using the process, and a module obtained with the process
GB2453746A (en) 2007-10-16 2009-04-22 Renewable Energy Corp Asa Parallel interconnection of solar cell units
WO2009052271A1 (en) 2007-10-18 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Lead-free conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive
WO2009061963A2 (en) 2007-11-06 2009-05-14 Krause Richard H Photovoltaic roofing systems and methods for installing them
US7956283B2 (en) 2007-11-09 2011-06-07 Sunpreme, Ltd. Low-cost solar cells and methods for their production
US20090139512A1 (en) 2007-11-30 2009-06-04 Lima Daniel D De Solar Line Boiler Roof
AT506129B1 (de) 2007-12-11 2009-10-15 Heic Hornbachner En Innovation Gekrümmte photovoltaik-module und verfahren zu deren herstellung
US8021487B2 (en) 2007-12-12 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
TWI379425B (en) 2007-12-13 2012-12-11 Nexpower Technology Corp Translucent solar cell and manufacturing method thereof
KR20100093590A (ko) 2007-12-17 2010-08-25 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 후방 측 간섭계 마스크를 구비한 광전변환장치
CN100580957C (zh) 2007-12-28 2010-01-13 中国科学院上海技术物理研究所 亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件
US8212139B2 (en) 2008-01-18 2012-07-03 Tenksolar, Inc. Thin-film photovoltaic module
WO2009094578A2 (en) 2008-01-24 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Improved hit solar cell structure
US20090188561A1 (en) 2008-01-25 2009-07-30 Emcore Corporation High concentration terrestrial solar array with III-V compound semiconductor cell
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
JP5331131B2 (ja) 2008-02-20 2013-10-30 コーニング インコーポレイテッド ガラスセラミック製中心パイプを備えた太陽熱集熱素子
WO2009104561A1 (ja) 2008-02-21 2009-08-27 シャープ株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
US8187906B2 (en) 2008-02-28 2012-05-29 Sunlight Photonics Inc. Method for fabricating composite substances for thin film electro-optical devices
WO2009111575A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Sri International Substrates for silicon solar cells and methods of producing the same
US20100043863A1 (en) 2008-03-20 2010-02-25 Miasole Interconnect assembly
US7833808B2 (en) 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
US20090250108A1 (en) 2008-04-02 2009-10-08 Applied Materials, Inc. Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation
US20090255574A1 (en) 2008-04-14 2009-10-15 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell fabricated by silicon liquid-phase deposition
CN102113130A (zh) 2008-04-29 2011-06-29 应用材料股份有限公司 使用单石模块组合技术制造的光伏打模块
US20090283145A1 (en) 2008-05-13 2009-11-19 Kim Yun-Gi Semiconductor Solar Cells Having Front Surface Electrodes
TWI513014B (zh) 2008-05-19 2015-12-11 Tatung Co 高性能光電元件
US20090293948A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell
US20100229914A1 (en) 2008-06-04 2010-09-16 Solexant Corp. Solar cells with shunt resistance
JP2011524639A (ja) 2008-06-11 2011-09-01 インテバック・インコーポレイテッド 太陽電池装置及び太陽電池素子形成方法
JP2011523226A (ja) 2008-06-12 2011-08-04 イサム・リサーチ・デベロツプメント・カンパニー・オブ・ザ・へブルー・ユニバーシテイ・オブ・エルサレム・リミテッド ソーラ体積構造
US8338218B2 (en) 2008-06-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module
DE102008030693A1 (de) 2008-07-01 2010-01-14 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Heterojunction-Solarzelle mit Absorber mit integriertem Dotierprofil
EP2311101B1 (en) 2008-07-03 2012-11-21 Imec Photovoltaic module and the processing thereof
KR101244027B1 (ko) 2008-07-08 2013-03-14 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플렉서블 태양전지 제조방법
WO2010009297A2 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
KR101065752B1 (ko) 2008-08-19 2011-09-19 주식회사 티지솔라 태양전지모듈 및 그 제조방법
KR20100026291A (ko) 2008-08-29 2010-03-10 삼성전자주식회사 박막 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
DE102008045522A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Heterosolarzelle und Verfahren zur Herstellung von Heterosolarzellen
US20150075599A1 (en) 2013-09-19 2015-03-19 Zena Technologies, Inc. Pillar structured multijunction photovoltaic devices
US8637761B2 (en) 2008-09-16 2014-01-28 Silevo, Inc. Solar cells fabricated by using CVD epitaxial Si films on metallurgical-grade Si wafers
WO2010033744A2 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Applied Materials, Inc. Methods of making an emitter having a desired dopant profile
JP2010085949A (ja) 2008-10-03 2010-04-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8070925B2 (en) 2008-10-17 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition reactor with circularly symmetric RF feed and DC feed to the sputter target
US20100108134A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Crystal Solar, Inc. Thin two sided single crystal solar cell and manufacturing process thereof
US8586857B2 (en) 2008-11-04 2013-11-19 Miasole Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
US20100116325A1 (en) 2008-11-12 2010-05-13 Mehrdad Nikoonahad High efficiency solar panel and system
US9150966B2 (en) 2008-11-14 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell metallization using inline electroless plating
KR100993511B1 (ko) 2008-11-19 2010-11-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US20100132774A1 (en) 2008-12-11 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Thin Film Silicon Solar Cell Device With Amorphous Window Layer
WO2010077952A1 (en) 2008-12-16 2010-07-08 Solopower, Inc. Thin film photovoltaic module manufacturing methods and structures
DE102008055028A1 (de) 2008-12-19 2010-07-01 Q-Cells Se Solarzelle
KR101539047B1 (ko) 2008-12-24 2015-07-23 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법
US7945663B2 (en) 2008-12-29 2011-05-17 Genband Inc. Systems, methods, and computer program products for adaptively adjusting a registration interval of an endpoint
WO2010075606A1 (en) 2008-12-29 2010-07-08 Shaun Joseph Cunningham Improved photo-voltaic device
US20100175743A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Solopower, Inc. Reliable thin film photovoltaic module structures
US20100186802A1 (en) 2009-01-27 2010-07-29 Peter Borden Hit solar cell structure
US9029181B2 (en) 2009-02-02 2015-05-12 Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited Two-part screen printing for solar collection grid
DE102009003491A1 (de) 2009-02-16 2010-08-26 Q-Cells Se Solarzellenstring und Solarmodul mit derartigen Solarzellenstrings
CA2655007C (en) * 2009-02-20 2017-06-27 Queen's University At Kingston Photovoltaic cell inverter
US8283557B2 (en) 2009-03-10 2012-10-09 Silevo, Inc. Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design
DE102009012539A1 (de) 2009-03-10 2010-09-23 Tyco Electronics Amp Gmbh Verbindungsvorrichtung zum Anschluss an ein Solarmodul und Solarmodul mit einer solchen Verbindungsvorrichtung
JP5644759B2 (ja) 2009-03-11 2014-12-24 信越化学工業株式会社 太陽電池セル電極の接続用シート、太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
KR20100107600A (ko) 2009-03-26 2010-10-06 삼성전자주식회사 태양전지 및 그 제조 방법
US8182662B2 (en) 2009-03-27 2012-05-22 Sputtering Components, Inc. Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus
EP4350782A3 (en) 2009-04-21 2024-07-10 Tetrasun, Inc. High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture
JP5361995B2 (ja) 2009-04-30 2013-12-04 三菱電機株式会社 太陽電池セル
US20100279492A1 (en) 2009-05-02 2010-11-04 Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research Method of Fabricating Upgraded Metallurgical Grade Silicon by External Gettering Procedure
JP4797083B2 (ja) 2009-05-15 2011-10-19 シャープ株式会社 薄膜太陽電池モジュール
WO2010133224A2 (de) 2009-05-18 2010-11-25 Solarion Ag Anordnung und verschaltung, sowie verfahren zur verschaltung von flächenartigen solarzellen
KR101028971B1 (ko) 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
US20100300507A1 (en) 2009-06-02 2010-12-02 Sierra Solar Power, Inc. High efficiency low cost crystalline-si thin film solar module
US9537032B2 (en) 2009-06-02 2017-01-03 Solarcity Corporation Low-cost high-efficiency solar module using epitaxial Si thin-film absorber and double-sided heterojunction solar cell with integrated module fabrication
WO2011005447A2 (en) 2009-06-22 2011-01-13 International Business Machines Corporation Semiconductor optical detector structure
JP2011008881A (ja) 2009-06-26 2011-01-13 Toshiba Storage Device Corp 磁気記録装置及び磁気記録媒体
US20110146781A1 (en) 2009-06-26 2011-06-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process of forming a grid cathode on the front-side of a silicon wafer
US20110005920A1 (en) 2009-07-13 2011-01-13 Seagate Technology Llc Low Temperature Deposition of Amorphous Thin Films
WO2011008881A2 (en) 2009-07-14 2011-01-20 Spectrawatt, Inc. Light conversion efficiency-enhanced solar cell fabricated with downshifting nanomaterial
US8258050B2 (en) 2009-07-17 2012-09-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making light trapping crystalline structures
MX2012001218A (es) 2009-07-29 2012-06-01 Cyrium Technologies Inc Celda solar y metodo de fabricacion de la misma.
KR101112487B1 (ko) 2009-08-06 2012-03-09 한국과학기술원 광기전력 장치 및 그 제조 방법
JP5535553B2 (ja) 2009-08-26 2014-07-02 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池
US8343795B2 (en) 2009-09-12 2013-01-01 Yuhao Luo Method to break and assemble solar cells
EP2479796B1 (en) 2009-09-18 2014-08-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar battery, solar battery module, and solar battery system
DE102009043047A1 (de) 2009-09-28 2011-04-14 Schott Solar Ag Solarzelle
WO2011046664A2 (en) 2009-10-15 2011-04-21 Applied Materials, Inc. A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells
WO2011050367A2 (en) 2009-10-24 2011-04-28 Photon Energy Systems Manufacturing photovoltaic devices and devices formed
KR101301029B1 (ko) 2009-10-30 2013-08-28 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈
US8119901B2 (en) 2009-11-03 2012-02-21 Lg Electronics Inc. Solar cell module having a conductive pattern part
US9228256B2 (en) 2009-12-11 2016-01-05 Kgt Graphit Technologie Gmbh Substrate support
WO2011073971A2 (en) 2009-12-16 2011-06-23 Shenkar College Of Engineering And Design Photovoltaic device and method of its fabrication
US8759664B2 (en) 2009-12-28 2014-06-24 Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited Thin film solar cell strings
TWI425597B (zh) 2009-12-31 2014-02-01 Kingpak Tech Inc 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
US8895838B1 (en) 2010-01-08 2014-11-25 Magnolia Solar, Inc. Multijunction solar cell employing extended heterojunction and step graded antireflection structures and methods for constructing the same
TWI396292B (zh) 2010-01-11 2013-05-11 Tatung Co 太陽能電池及其製造方法
US20130191570A1 (en) 2010-01-12 2013-07-25 Synerchip Co., Ltd. MULTI-MEDIA USB DATA TRANSFER OVER DIGITAL INTERACTION INTERFACE FOR VIDEO AND AUDIO (DiiVA)
US20120031480A1 (en) 2010-01-20 2012-02-09 Tisler Anthony C Current collection system for a photovoltaic cell
EP2362430A1 (en) 2010-02-18 2011-08-31 SAVIO S.p.A. A photovoltaic module
US8791564B2 (en) 2010-02-24 2014-07-29 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method of Manufacturing a semiconductor module and device for the same
US20110220182A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Rfmarq, Inc. Solar Panel Tracking and Performance Monitoring Through Wireless Communication
JP2013524015A (ja) 2010-03-31 2013-06-17 マスタング ヴァキューム システムズ,エルエルシー 円筒形の回転する磁電管スパッタリング陰極装置及び無線周波放射を使用して材料を蒸着する方法
US20110245957A1 (en) 2010-04-06 2011-10-06 Applied Materials, Inc. Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells
DE102010028189B4 (de) * 2010-04-26 2018-09-27 Solarworld Industries Gmbh Solarzelle
US20120318340A1 (en) 2010-05-04 2012-12-20 Silevo, Inc. Back junction solar cell with tunnel oxide
US8686283B2 (en) 2010-05-04 2014-04-01 Silevo, Inc. Solar cell with oxide tunneling junctions
US20110277816A1 (en) 2010-05-11 2011-11-17 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with shade-free front electrode
US20110277825A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with metal grid fabricated by electroplating
US9240513B2 (en) 2010-05-14 2016-01-19 Solarcity Corporation Dynamic support system for quartz process chamber
US20110308573A1 (en) 2010-06-21 2011-12-22 Fraunhofer USA, Inc. Center for Sustainable Energy Systems Devices and methods to create a diffuse reflection surface
TW201203574A (en) 2010-07-14 2012-01-16 Solapoint Corp Solar cell device having an air-bridge type contact
US8846451B2 (en) 2010-07-30 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Methods for depositing metal in high aspect ratio features
US8883552B2 (en) 2010-08-11 2014-11-11 Crystal Solar Inc. MWT architecture for thin SI solar cells
US8872384B2 (en) * 2010-08-18 2014-10-28 Volterra Semiconductor Corporation Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods
WO2012033657A2 (en) * 2010-09-07 2012-03-15 Dow Global Technologies Llc Improved photovoltaic cell assembly
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US8221600B2 (en) 2010-09-23 2012-07-17 Sunpower Corporation Sealed substrate carrier for electroplating
US20120080083A1 (en) 2010-09-30 2012-04-05 Twin Creeks Technologies, Inc. Semiconductor assembly with a metal oxide layer having intermediate refractive index
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
US9287175B2 (en) 2010-11-05 2016-03-15 Win Semiconductors Corp. Fabrication method for dicing of semiconductor wafers using laser cutting techniques
US20120125391A1 (en) 2010-11-19 2012-05-24 Solopower, Inc. Methods for interconnecting photovoltaic cells
JP5857237B2 (ja) 2010-11-29 2016-02-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
CN102088040A (zh) 2010-12-09 2011-06-08 泰通(泰州)工业有限公司 双面电池组件
DE102010061317B4 (de) 2010-12-17 2022-10-06 Hanwha Q Cells Gmbh Siebdruckmaske zur Herstellung einer Elektrodenfingerstruktur für Wafersolarzellen und Verfahren zur Herstellung einer Wafersolarzelle unter Einsatz einer solchen Siebdruckmaske
US20120152349A1 (en) 2010-12-17 2012-06-21 Solopower, Inc. Junction box attachment for photovoltaic thin film devices
US20120325671A2 (en) 2010-12-17 2012-12-27 Tel Nexx, Inc. Electroplated lead-free bump deposition
CN102148264A (zh) * 2010-12-30 2011-08-10 袁晓 一种具有金属丝电极的硅太阳电池及其制造方法
JP5687506B2 (ja) 2011-01-28 2015-03-18 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
CA2825141A1 (en) 2011-01-31 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Screen printing plate for solar cell and method for printing solar cell electrode
US9716196B2 (en) 2011-02-09 2017-07-25 Alta Devices, Inc. Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices
WO2012135052A1 (en) 2011-03-25 2012-10-04 Kevin Michael Coakley Foil-based interconnect for rear-contact solar cells
US20120192932A1 (en) 2011-03-25 2012-08-02 Neo Solar Power Corp. Solar cell and its electrode structure
US8525191B2 (en) 2011-04-01 2013-09-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Optoelectronic devices and coatings therefore
US20130112239A1 (en) 2011-04-14 2013-05-09 Cool Earh Solar Solar energy receiver
US20120285517A1 (en) 2011-05-09 2012-11-15 International Business Machines Corporation Schottky barrier solar cells with high and low work function metal contacts
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US20120318319A1 (en) 2011-06-17 2012-12-20 Solopower, Inc. Methods of interconnecting thin film solar cells
JP5014503B2 (ja) 2011-06-20 2012-08-29 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US20120325282A1 (en) 2011-06-24 2012-12-27 Solopower, Inc. Solar cells with grid wire interconnections
EP2546889B1 (en) 2011-07-12 2020-06-17 Airbus Defence and Space GmbH Solar cell assembly and method of fabrication of solar cell assembly
US9000288B2 (en) 2011-07-22 2015-04-07 Space Systems/Loral, Llc Current collector bar and grid pattern for a photovoltaic solar cell
US20140318611A1 (en) 2011-08-09 2014-10-30 Solexel, Inc. Multi-level solar cell metallization
US20130228221A1 (en) 2011-08-05 2013-09-05 Solexel, Inc. Manufacturing methods and structures for large-area thin-film solar cells and other semiconductor devices
US20130213469A1 (en) 2011-08-05 2013-08-22 Solexel, Inc. High efficiency solar cell structures and manufacturing methods
WO2013020590A1 (de) 2011-08-09 2013-02-14 Kioto Photovoltaics Gmbh Rechteckige solarzelle und zugehörige solarzellen-anordnung
US20150171230A1 (en) 2011-08-09 2015-06-18 Solexel, Inc. Fabrication methods for back contact solar cells
KR20140064854A (ko) 2011-08-09 2014-05-28 솔렉셀, 인크. 고효율 태양 광기전 전지 및 박형 결정 반도체 흡수체를 이용한 모듈
KR101969032B1 (ko) 2011-09-07 2019-04-15 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
DE112011105671B4 (de) * 2011-09-28 2023-08-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solarzelle und Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle
US20130096710A1 (en) 2011-10-17 2013-04-18 Solopower, Inc. Tracking system and method for solar cell manufacturing
US8853525B2 (en) 2011-11-14 2014-10-07 Prism Solar Technologies, Inc. Frameless photovoltaic module
KR20130081484A (ko) 2012-01-09 2013-07-17 엘지전자 주식회사 박막 태양 전지
KR101449942B1 (ko) 2012-01-17 2014-10-17 주식회사 호진플라텍 전기도금 및 광 유도 도금을 병행하는 태양전지 기판용 도금장치 및 도금 방법
JP2013161855A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Sharp Corp 太陽電池用インターコネクタおよびインターコネクタ付き太陽電池セル
US20130206221A1 (en) 2012-02-13 2013-08-15 John Anthony Gannon Solar cell with metallization compensating for or preventing cracking
KR101894585B1 (ko) 2012-02-13 2018-09-04 엘지전자 주식회사 태양전지
US10741712B2 (en) 2012-02-15 2020-08-11 Alta Devices, Inc. Photovoltaic module containing shingled photovoltaic tiles and fabrication processes thereof
US9379269B2 (en) 2012-02-29 2016-06-28 Bakersun Bifacial crystalline silicon solar panel with reflector
US9911881B2 (en) 2012-04-03 2018-03-06 Flisom Ag Thin-film photovoltaic device with wavy monolithic interconnects
CN202736932U (zh) * 2012-04-16 2013-02-13 英利能源(中国)有限公司 N型太阳能电池组件及n型太阳能电池片
KR101918738B1 (ko) 2012-04-17 2018-11-15 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP2013233553A (ja) * 2012-05-07 2013-11-21 Npc Inc 配線材接続装置
JP5546616B2 (ja) * 2012-05-14 2014-07-09 セリーボ, インコーポレイテッド トンネル酸化物を有する後面接合太陽電池
DE102012010151A1 (de) 2012-05-24 2013-11-28 Manz Ag Thermisch optimierter elektrostatischer Substrathalter
JP5709797B2 (ja) * 2012-05-25 2015-04-30 三菱電機株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
US9935224B2 (en) 2012-06-05 2018-04-03 Ebfoil, S.R.L. Encapsulating layer adapted to be applied to back-sheets for photovoltaic modules including back-contact cells
US20140000682A1 (en) 2012-06-27 2014-01-02 E I Du Pont De Nemours And Company Integrated back-sheet for back contact photovoltaic module
US9227259B2 (en) 2012-08-22 2016-01-05 International Business Machines Corporation Increasing the efficiency of solar cells by transfer of solder
US9050517B2 (en) 2012-09-05 2015-06-09 Bryan P. Oliver Ski training device and method
US20140102524A1 (en) 2012-10-15 2014-04-17 Silevo, Inc. Novel electron collectors for silicon photovoltaic cells
US9812590B2 (en) 2012-10-25 2017-11-07 Sunpower Corporation Bifacial solar cell module with backside reflector
US9780253B2 (en) 2014-05-27 2017-10-03 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US9947820B2 (en) 2014-05-27 2018-04-17 Sunpower Corporation Shingled solar cell panel employing hidden taps
US20140124013A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
US20140124014A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
US9287431B2 (en) 2012-12-10 2016-03-15 Alliance For Sustainable Energy, Llc Superstrate sub-cell voltage-matched multijunction solar cells
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
CN105164816B (zh) 2013-01-28 2017-03-08 环球太阳能公司 光伏互连系统、装置和方法
US10615297B2 (en) 2013-02-22 2020-04-07 International Business Machines Corporation Electrode formation for heterojunction solar cells
US9496448B2 (en) 2013-03-15 2016-11-15 Sandia Corporation Customized color patterning of photovoltaic cells
EP2787541B1 (en) 2013-04-03 2022-08-31 LG Electronics, Inc. Solar cell
US20140345674A1 (en) 2013-05-24 2014-11-27 Silevo, Inc. Moisture ingress resistant photovoltaic module
US20150096613A1 (en) 2013-06-24 2015-04-09 Sino-American Silicon Products Inc. Photovoltaic device and method of manufacturing the same
KR101622089B1 (ko) 2013-07-05 2016-05-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US9831369B2 (en) 2013-10-24 2017-11-28 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Photovoltaic power generation system with photovoltaic cells as bypass diodes
WO2015081077A1 (en) 2013-11-26 2015-06-04 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Solar cells formed via aluminum electroplating
US20150179834A1 (en) 2013-12-20 2015-06-25 Mukul Agrawal Barrier-less metal seed stack and contact
US11811360B2 (en) 2014-03-28 2023-11-07 Maxeon Solar Pte. Ltd. High voltage solar modules
JP6350858B2 (ja) 2014-05-26 2018-07-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
US20150349176A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Cogenra Solar, Inc. High voltage solar panel
CN106489211A (zh) 2014-05-27 2017-03-08 太阳能公司 叠盖式太阳能电池模块
CN104282788B (zh) 2014-09-28 2017-03-22 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅、高效率背接触太阳能电池模块、组件及制备工艺
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US20160233352A1 (en) 2014-12-05 2016-08-11 Solarcity Corporation Photovoltaic electrode design with contact pads for cascaded application
CN104409402B (zh) 2014-12-30 2018-06-19 厦门市三安光电科技有限公司 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘
US9806206B2 (en) 2015-04-28 2017-10-31 International Business Machines Corporation Optimized grid design for concentrator solar cell
US20160329443A1 (en) 2015-05-06 2016-11-10 Solarcity Corporation Solar cell with a low-resistivity transparent conductive oxide layer
US9711671B2 (en) 2015-09-18 2017-07-18 Alta Devices, Inc. Via structures for solar cell interconnection in solar module
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer

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