CN106653913A - 一种n型双面电池的互联技术 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种N型双面电池的互联技术，其特征在于：所述N型双面电池的正面和背面均设置有细栅线，采用导电材料将电池正面细栅线相互连接并与下一片电池片的背面细栅线相连接，下一片电池片的背面细栅线也通过此导电材料相互连接。本发明采用在表面设置多跟导电材料的方式来改善电流的收集，降低串联电阻，同时将细栅线线宽降低或者面积降低来降低金属化带来的复合，从而提高电池的效率同时降低电池的成本。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种N型双面电池互联技术。
背景技术
N型硅材料具有以下的优点：（1） N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片的高，达到毫秒级；（2）N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片，Fe 、Cr、 Co、W、 Cu、 Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片大；（3） N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。但是目前的电池存在串联电阻大、电阻损耗大，组件功率低的缺陷。
发明内容
为了解决上述问题，本发明一种N型电池互联技术，解决了现有技术中存在的问题。在N型双面电池中制约效率的主要因素是金属化带来的复合和串联电阻增加带来的功率损失增加，双面的银浆同时会增加成本，本发明采用在表面设置多跟导电材料的方式来改善电流的收集，降低串联电阻，同时将细栅线线宽降低或者面积降低来降低金属化带来的复合，从而提高电池的效率同时降低电池的成本。
为了达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明是一种N型双面电池的互联技术，其特征在于：所述N型双面电池的正面和背面均设置有细栅线，采用导电材料将电池正面细栅线相互连接并与下一片电池片的背面细栅线相连接，下一片电池片的背面细栅线也通过此导电材料相互连接。
本发明的进一步改进在于：所述N型双面电池的正面和背面的细栅线是直线或线段。
本发明的进一步改进在于：所述N型双面电池正面和背面的细栅线规则排布在晶体硅太阳能电池的减反射钝化膜上，且穿透减反射钝化膜与晶体硅片形成欧姆接触。
本发明的进一步改进在于：所述减反射钝化膜是SiNx，SiO2, TiO2,Al2O3，SiOxNy薄膜中的一种或者叠层膜。
本发明的进一步改进在于：所述细栅线的宽度为20微米-100微米，横截面积为400-5000平方微米，所占面积比例为1-10%。
本发明的进一步改进在于：所述导电材料为涂覆有低温金属或合金的导电金属材料或者有机，无机与金属材料的混合体。
本发明的进一步改进在于：所述导电材料横截面积为0.0075-0.45平方毫米，数量为4-150根。
本发明的进一步改进在于：导电材料与细栅线通过焊接或者粘接方式连接。
本发明的进一步改进在于：所述导电材料均匀分布于金属化区域，与每一根细栅线均相互连接。当细栅线为线段时，位于细栅线中心。
本发明的进一步改进在于：采用丝网印刷、激光转印、喷墨或3D打印将金属浆料按阵列图案涂敷在晶体硅片的表面；或采用激光或化学腐蚀进行开孔，随后采用气相沉积、光诱导镀或电镀方法在开孔处制备金属电极。
本发明的有益效果是：本发明采用在表面设置多跟导电材料的方式来改善电流的收集，降低串联电阻，同时将细栅线线宽降低或者面积降低来降低金属化带来的复合，从而提高电池的效率的同时降低电池的成本。
本发明结构简单、设计合理新颖，操作方便。
附图说明
图1 是本发明的结构示意图。
图2 是本发明实施例一的结构示意图。
图3 是本发明实施例二的结构示意图。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步详细描述，该实施例仅用于解释本发明，并不对本发明的保护范围构成限定。
如图1-3所示，本发明是一种N型双面电池的互联技术，所述N型双面电池的正面和背面均设置有细栅线，采用导电材料将电池正面细栅线相互连接并与下一片电池片的背面细栅线相连接，下一片电池片的背面细栅线也通过此导电材料相互连接，所述N型双面电池的正面和背面的细栅线是直线或线段，所述N型双面电池正面和背面的细栅线规则排布在晶体硅太阳能电池的减反射钝化膜上，且穿透减反射钝化膜与晶体硅片形成欧姆接触，所述减反射钝化膜是SiNx，SiO2, TiO2,Al2O3，SiOxNy薄膜中的一种或者叠层膜，所述细栅线的宽度为20微米-100微米，横截面积为400-5000平方微米，所占面积比例为1-10%，所述导电材料为涂覆有低温金属或合金的导电金属材料或者有机，无机与金属材料的混合体，所述导电材料横截面积为0.0075-0.45平方毫米，数量为4-150根，导电材料与细栅线通过焊接或者粘接方式连接，所述导电材料均匀分布于金属化区域，与每一根细栅线均相互连接。当细栅线为线段时，位于细栅线中心，本发明采用丝网印刷、激光转印、喷墨或3D打印将金属浆料按阵列图案涂敷在晶体硅片的表面；或采用激光或化学腐蚀进行开孔，随后采用气相沉积、光诱导镀或电镀方法在开孔处制备金属电极。
实施例一
如图2所示双面电池正面细栅线101根，线宽55微米，横截面积为550平方微米。背面细栅线90根，线宽50微米，横截面积为500微米，采用丝网印刷印刷AgAl浆和Ag浆形成。采用镀锡铜线，直径为300微米，数量为12根，将第一片电池正面细栅线与第二片电池的背面细栅线焊接的方法连接起来。
实施例二
如图3所示双面电池正面细栅线为线段，每根线段长度为25mm，间距为1mm, 共606根，线宽45微米，横截面积为900平方微米。背面细栅线为线段，每根线段长度为25mm，间距为1mm,共540根，线宽30微米，横截面积为900平方微米。采用电镀工艺形成，为Ni, Cu，Ag层。采用导电胶带，宽度为1mm，横截面积为0.3平方毫米，数量为6根，将第一片电池正面细栅线与第二片电池的背面细栅线采用粘接的方法连接起来。
Claims (10)
1.一种N型双面电池的互联技术，其特征在于：所述N型双面电池的正面和背面均设置有细栅线，采用导电材料将电池正面细栅线相互连接并与下一片电池片的背面细栅线相连接，下一片电池片的背面细栅线也通过此导电材料相互连接。
2.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述N型双面电池的正面和背面的细栅线是直线或线段。
3.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述N型双面电池正面和背面的细栅线规则排布在晶体硅太阳能电池的减反射钝化膜上，且穿透减反射钝化膜与晶体硅片形成欧姆接触。
4.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述减反射钝化膜是SiNx，SiO2, TiO2,Al2O3，SiOxNy薄膜中的一种或者叠层膜。
5.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述细栅线的宽度为20微米-100微米，横截面积为400-5000平方微米，所占面积比例为1-10%。
6.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述导电材料为涂覆有低温金属或合金的导电金属材料或者有机，无机与金属材料的混合体。
7.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述导电材料横截面积为0.0075-0.45平方毫米，数量为4-150根。
8.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：导电材料与细栅线通过焊接或者粘接方式连接。
9.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：所述导电材料均匀分布于金属化区域，与每一根细栅线均相互连接，当细栅线为线段时，位于细栅线中心。
10.根据权利要求1所述一种N型双面电池互联技术，其特征在于：采用丝网印刷、激光转印、喷墨或3D打印将金属浆料按阵列图案涂敷在晶体硅片的表面；或采用激光或化学腐蚀进行开孔，随后采用气相沉积、光诱导化学镀或电镀方法在开孔处制备金属电极。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414236B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module |
| CN102786882A (zh) * | 2011-05-17 | 2012-11-21 | 旺能光电股份有限公司 | 电极胶带的制作机台 |
| CN205177858U (zh) * | 2015-09-18 | 2016-04-20 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 无主栅双面电池组件 |
| CN105576083A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-05-11 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN105742378A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-07-06 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种n型太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统 |
| CN105742408A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-06 | 泰州中来光电科技有限公司 | N型双面太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统 |
| CN105874609A (zh) * | 2014-01-13 | 2016-08-17 | 光城公司 | 具有低电阻电极的太阳能电芯的模块制造 |
| CN106206764A (zh) * | 2014-10-31 | 2016-12-07 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池单元、电池片阵列、电池组件及其制备方法 |
-
2017
- 2017-01-24 CN CN201710054875.3A patent/CN106653913A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414236B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module |
| CN102786882A (zh) * | 2011-05-17 | 2012-11-21 | 旺能光电股份有限公司 | 电极胶带的制作机台 |
| CN105874609A (zh) * | 2014-01-13 | 2016-08-17 | 光城公司 | 具有低电阻电极的太阳能电芯的模块制造 |
| CN106206764A (zh) * | 2014-10-31 | 2016-12-07 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池单元、电池片阵列、电池组件及其制备方法 |
| CN205177858U (zh) * | 2015-09-18 | 2016-04-20 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 无主栅双面电池组件 |
| CN105576083A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-05-11 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种基于apcvd技术的n型双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN105742408A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-06 | 泰州中来光电科技有限公司 | N型双面太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统 |
| CN105742378A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-07-06 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种n型太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统 |
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Address after: 225300 Jiangsu Province, Taizhou City Hailing Xingtai Road No. 268 Applicant after: Taizhou long base music Photovoltaic Technology Co., Ltd. Address before: 225300 Jiangsu province Taizhou Xingtai Road No. 268 Applicant before: TAIZHOU LEYE PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO., LTD. |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170510 |