JP3267519B2 - 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特定の表面層を有
する電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセ
スカートリッジ及び画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の表面には、帯電手段、
現像手段、転写手段及びクリーニング手段等により電気
的あるいは機械的な外力が直接に加えられるために、そ
れらに対する耐久性が要求される。

【０００３】具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗
や傷の発生、及び高湿下におけるコロナ帯電時に発生し
易いオゾンによる感光体表面の劣化等に対する耐久性が
要求される。また、現像とクリーニングの繰り返し等に
起因した、感光体表面へのトナーの付着という問題もあ
り、これに対しては感光体表面のクリーニング性の向上
が求められている。

【０００４】上記のような感光体表面に要求される様々
な特性を満たすために樹脂を主成分とする種々の表面保
護層を設ける試みがなされている。例えば、特開昭５７
−３０８４３号公報には、導電性粒子として金属酸化物
粒子を添加することによって耐摩耗性と抵抗を制御した
保護層が提案されている。

【０００５】また、表面層中に種々の物質を添加するこ
とで感光体表面の物性を改善することも検討されてい
る。例えば、シリコーンの低表面エネルギーに注目した
添加物としては、シリコーンオイル（特開昭６１−１３
２９５４号公報）、ポリジメチルシロキサン、シリコー
ン樹脂粉体（特開平４−３２４４５４号公報）、架橋シ
リコーン樹脂、ポリ（カーボネート−シリコーン）ブロ
ック共重合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコー
ン変成ポリエステルが報告されている。

【０００６】低表面エネルギーの代表的なポリマーとし
てはフッ素系高分子があり、該フッ素系高分子としては
ポリテトラフルオロエチレン粉体、フッ化カーボン粉末
等が挙げられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属酸
化物等を含む表面保護層は高い硬度を有するものが得ら
れるが、表面エネルギーは大きくなり易いためにクリー
ニング性等に問題がある。シリコーン系樹脂は表面エネ
ルギーが小さい点で優れているが、他の樹脂に対して十
分な相溶性を示さないため、添加系では凝集し易く光散
乱を生じたり、ブリードして表面に偏析するために安定
した特性を示さない等の問題があった。また、低表面エ
ネルギーのポリマーであるフッ素系高分子は一般に溶媒
に不溶であり、分散性も不良であることから、平滑な感
光体表面を得ることが困難であり、屈折率も小さいこと
から光散乱が生じ易く、それにより透明性の劣化を生じ
る問題点があった。また、フッ素系高分子は一般的に柔
らかいために傷がつき易い問題点があった。

【０００８】本発明の目的は、上記の問題点を解決する
ことのできる、すなわち光散乱やブリードがなく、均一
で、低表面エネルギーと機械的、電気的耐久性を両立し
た電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロ
セスカートリッジ及び画像形成装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、支持
体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子
写真感光体の表面層が硬化性有機ケイ素系高分子及び下
記式（１）

【００１０】

【外８】 （Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑは加水分解性基または水
酸基を示し、Ｒ² は置換もしくは無置換の一価炭化水素
基を示し、Ｒ³ は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
たはアリーレン基を示し、ｍは１〜３の整数を示し、１
は正の整数を示す。）で示される有機ケイ素変成正孔輸
送性化合物を硬化することによって得られる樹脂を含有
することを特徴とする電子写真感光体である。

【００１１】また、本発明は、上記電子写真感光体を有
するプロセスカートリッジ及び画像形成装置である。

【００１２】

【発明の実施の形態】上記式（１）において、Ｑは加水
分解性基または水酸基を示し、加水分解性基としては、
メトキシ基、エトキシ基、メチルエチルケトオキシム
基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロペノキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエチル基等が
挙げられ、より好ましくは−ＯＲ¹ で示される。Ｒ¹ は
加水分解性基であるアルコキシ基あるいはアルコキシア
ルコキシ基を形成する基であり、炭素数が１〜６である
ことが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、メトキシエチ
ル基等が挙げられる。Ｑとしては、式−ＯＲ¹ であるア
ルコキシ基が好ましい。一般にケイ素原子に結合してい
る加水分解性基の数ｍが１のときは有機ケイ素化合物自
体での縮合は起こりにくく高分子化反応は抑制される
が、ｍが２または３のときは縮合反応が生じ易く高度に
架橋反応を行うことが可能であることから、得られる硬
化物の硬度等の改善が期待できるが、高分子量化して溶
解性及びケイ素系熱硬化樹脂との反応性が変化してしま
う場合がある。

【００１３】Ｒ² はケイ素原子に直接結合した一価炭化
水素基であり、炭素数が１〜１５であることが好まし
く、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基等が挙げられる。この他に、ビニル基、
アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等の
アリール基が挙げられる。また、Ｒ² が有してもよい置
換基としてはフッ素等のハロゲン原子が挙げられ、ハロ
ゲン置換一価炭化水素基としては、例えばトリフルオロ
プロピル基、ヘプタフルオロペンチル基、ノナフルオロ
ヘキシル基等で代表されるフロロ炭化水素基等が挙げら
れる。

【００１４】Ｒ₃ はアルキレン基またはアリーレン基を
示し、炭素数が１〜１８であることが好ましく、例え
ば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、シクロヘ
キシリデン基、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチ
レン基、更にはこれらが結合した基等が挙げられる。ま
た、Ｒ³ が有してもよい置換基としてはメチル基、エチ
ル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基、フッ
素原子、塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。これ
らの中ではＲ³ が式

【００１５】

【外９】 （ｎは正の整数）で示されることが好ましい。

【００１６】ｎは１〜１８であることが更に好ましい
が、必ずしも直鎖状である必要はない。ｎが１９以上で
は電荷輸送性基Ａが運動し易いため硬度が低下し、ケイ
素原子に直接電荷輸送性基が結合していると立体障害等
で安定性、物性に悪影響を与え易い。ｎは好ましくは２
〜８である。

【００１７】また１は正の整数を示すが１〜５であるこ
とが好ましい。１が６以上では硬化反応において未反応
基が残り易いため電気特性等が低下し易い。

【００１８】また、本発明における電荷輸送性とは電荷
を輸送する能力のことであり、イオン化ポテンシャルで
６．２ｅＶ以下であることが好ましい。つまり、前記式
（１）で示される有機ケイ素変成電荷輸送性化合物及び
Ａの水素付加物は、イオン化ポテンシャルが６．２ｅＶ
以下であることが好ましく、特には４．５〜６．２ｅＶ
であることが好ましい。イオン化ポテンシャルが６．２
ｅＶを越えると正孔注入が起こりにくく帯電し易くな
る。また、４．５ｅＶ未満では化合物が容易に酸化され
るために劣化し易くなる。イオン化ポテンシャルは大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
によって測定される。

【００１９】また、上記有機ケイ素変成正孔輸送性化合
物は正孔輸送能として１×１０⁷ ｃｍ² ／Ｖｓｅｃ以上
のドリフト移動度を有しているものが好ましい。１×１
０^-7ｃｍ² ／Ｖｓｅｃ未満では電子写真感光体として露
光後、現像までに正孔が十分に移動できないために見か
け上感度が低減し、残留電位も高くなってしまう問題が
発生する場合がある。

【００２０】前記式（１）の正孔輸送性基Ａとしては、
正孔輸送性を示すものであればいずれのものでもよく、
その水素付加化合物（正孔輸送物質）として示せば、例
えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン等のトリアリ
ールアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルア
ミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチ
リルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニル
スチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘
導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフ
ラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘
導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体等が挙げられ
る。

【００２１】正孔輸送性基Ａとしては、構造が下記式
（２）で示されるものが好ましい。

【００２２】

【外１０】 （Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は有機基であり、そのうちの少な
くとも１つは芳香族炭化水素環基または複素環基を示
し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一であっても異なっていて
もよい。） このように、正孔輸送性基ＡはＲ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ のう
ちの少なくとも１つの基の水素原子が除かれて形成され
た基である。

【００２３】Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ の構造の好ましい具体
例を以下に示す。

【００２４】

【外１１】

【００２５】

【外１２】

【００２６】

【外１３】

【００２７】上記式（１）の有機ケイ素変成正孔輸送性
化合物の合成方法としては、公知の方法、例えば、芳香
族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水素化
ケイ素化合物とから白金系触媒、あるいは有機過酸化物
等を触媒にヒドロシリル化反応を行うものが好適に用い
られる。この場合に使用される白金触媒についてはとく
に限定するものではなく、通常のヒドロシリル化反応、
付加型シリコーンゴムに用いられている白金触媒であれ
ばよく、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯
体、白金−フォスフィン錯体等が挙げられる。白金触媒
の添加量に関しては特に制限するものではないが、残留
触媒が特性に悪影響を与えないようにできる限り少量で
用いることが望ましい。芳香族環にビニル基を有する化
合物と置換基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系
触媒等により、付加反応より本発明の化合物を合成する
場合にはビニル基のα位と反応する場合とβ位と反応す
る場合があり、一般には混合物が生じる。本発明におい
てはα位、β位のどちらに反応したものも用いられる
が、ケイ素原子と電荷輸送性基を結合している炭化水素
基の炭素数が少ない場合には立体障害からはβ位に反応
したものが好ましい。

【００２８】有機過酸化物としては室温以上に半減期を
示すものであればよく、特に、ラウリルパーオキシド等
のアルキル過酸化物が水素引き抜きを起こしにくいこと
から好適に用いることができる。ビニル基を有しないも
のについては、芳香族環をホルミル化し、還元、脱水す
るか直接ｗｉｔｔｉｇ反応によりビニル基を導入する方
法等により、本発明の合成原料として用いることが可能
である。

【００２９】次に、有機ケイ素系高分子について説明す
る。

【００３０】有機ケイ素系高分子としては、オルガノポ
リシロキサン、ポリシルアルキレンシロキサン、ポリシ
ルアリーレンシロキサン等が例示される。また、ケイ素
原子に結合した一価の炭化水素基とケイ素原子との数の
比が０．５〜１．５であることが好ましい。この比が
１．０を境にこれより低くなるに従いガラスの組成に近
く、加熱重量減少が少なく生成する樹脂は硬くなる傾向
があり、０．５未満では膜形成が困難である。また、こ
の比が１．０より高くなるに従いこれとは逆の傾向を示
し、オルガノポリシロキサンの場合は２．０でポリジオ
ルガノシロキサンとなるため、１．５を越えるとゴム的
要素が強くなり過ぎ、硬度が低下する。

【００３１】オルガノポリシロキサンとしては、下記式
（３）で示される構造単位を有するものが好ましい。

【００３２】 Ｒ⁷ _r ＳｉＯ_(4-r-s)/2 （ＯＲ⁸ ）_s （３） （Ｒ⁷ は直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルケニ
ル基またはアリール基を示し、Ｒ⁸ は水素原子またはア
ルキル基を示し、ｒ及びｓはモル比を示す。）

【００３３】前記式（３）において、Ｒ⁷ はケイ素原子
に結合した一価の炭化水素基であり、炭素数が１〜１８
であることが好ましく、直鎖もしくは分岐のアルキル基
としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル
基、ドデシル基、オクタデシル基等が挙げられ、アルケ
ニル基としては例えばビニル基、アリル基等が挙げら
れ、アリール基としては例えばフェニル基、トリル基等
が挙げられ、更に、例えばトリフルオロプロピル基、ヘ
プタフルオロペンチル基、ノナフルオロヘキシル基等で
代表されるフロロ炭化水素基、クロロメチル基、クロロ
エチル基等のクロロ炭化水素基等、直鎖あるいは分岐の
飽和炭化水素基ハロゲン置換体が挙げられる。

【００３４】Ｒ⁷ は必ずしも単一の種類である必要はな
く、樹脂特性の改良、溶媒に対する溶解性の改良等に応
じて適宜選択される。メチル基とフェニル基が混在する
系ではメチル基単独であるよりも一般に有機化合物との
親和性が向上することは周知の事実である。また、フロ
ロ炭化水素基を導入すると、オルガノポリシロキサンで
も一般高分子の場合と同様にフッ素原子の効果により表
面張力が減少し、そのため、はつ水・はつ油性等のオル
ガノポリシロキサンの特性が変化する。本発明において
も、より低い表面張力が求められる場合には、適宜、フ
ロロ炭化水素基と結合したケイ素単位を共重合して導入
することができる。

【００３５】なお、ｒはモル比を示し、平均０．５〜
１．５であることが好ましい。

【００３６】前記式（３）においてケイ素原子に結合し
たＯＲ⁸ 基は、水酸基または加水分解縮合可能な基であ
る。Ｒ⁸ は水素、及びメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基から選択される。ＯＲ
⁸ 基におけるＲ⁸ は水素からアルキル基の炭素数が多く
なるにつれて反応性が低下する特性を示し、使用される
反応系に応じて適宜選択される。加水分解縮合可能な基
の比率はｓによって示されるが、０．０１以上であるこ
とが好ましい。樹脂の硬度が架橋密度で調整されること
は周知であり、本発明においても前述のケイ素原子に結
合した加水分解縮合可能な基の数を制御することにより
可能となる。しかし、該加水分解縮合可能な基が多過ぎ
ると未反応で残存する可能性があり、使用環境中で加水
分解されるために表面特性等に悪影響を与え易い。好ま
しいｓの値は０．０１〜１．５である。

【００３７】有機ケイ素系高分子の一般的な特性の一つ
に有機化合物に対する親和性、溶解性が極めて悪いこと
がある。例えば、通常の有機樹脂で使用されている酸化
防止剤、紫外線吸引剤等はジメチルポリシロキサンに全
く溶解性を示さず、樹脂中で凝集する。一般に用いられ
る電荷輸送性化合物もその例外ではなく、電荷輸送の目
的に使用可能な濃度に溶解することは困難である。しか
し、本発明の前記式（１）で示される電荷輸送性化合物
と前記有機ケイ素系高分子、特にオルガノポリシロキサ
ンは、相溶性に優れ、機械的物性を大幅に改善すること
を可能にした。

【００３８】前記有機ケイ素高分子は、硬化させる際に
架橋剤を加えて、これを介して架橋させることもでき
る。

【００３９】更に、架橋剤として下記式（４）で示され
るシラン化合物を用いることにより、硬化性組成物を硬
化して得られる表面保護層の硬度や強度等の物性の制御
が容易になる。

【００４０】Ｒ⁹ _a ＳｉＹ_4-a （４） （Ｒ⁹ は直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルケニ
ル基またはフェニル基を示し、Ｙは加水分解性基を示
し、ａはモル比を示す。）

【００４１】式（４）において、Ｒ⁸ は炭素数が１〜１
８であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、ビ
ニル基、アリル基、フェニル基、トリル基等が挙げられ
る。Ｙで示される加水分解性基としては、水素原子、メ
トキシ基、エトキシ基、メチルエチルケトオキシム基、
ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロペノキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。

【００４２】上記樹脂の架橋硬化には、必ずしも触媒が
必要ではないが、通常の有機ケイ素系高分子の硬化に用
いられる触媒の使用を妨げるものではなく、硬化に要す
る時間、硬化温度等を考慮してジブチル錫ジアセテー
ト、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オクトエート
等のアルキル錫有機酸塩等またはノルマルブチルチタネ
ート等の有機チタン酸エステルから適宜選択される。

【００４３】架橋剤としての式（４）で示されるシラン
化合物の具体例としては、例えば、メチルトリメトキシ
シラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、フェニルトリエトキシシラン、これらのアル
コキシ基の代わりにアセトキシ基、メチルエチルケトオ
キシム基、ジエチルアミノ基、イソプロペノキシ基に置
換したシラン等が挙げられる。架橋剤はエチルポリシリ
ケートのようなオリゴマー状のものでもよい。

【００４４】本発明で使用する有機ケイ素系高分子の製
造方法としては、特公昭２６−２６９６号公報、特公昭
２８−６２９７号公報に記載されている方法を始めとし
て、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ，Ｃｈａｐｔｅｒ５，
ｐ．１９１〜（Ｗａｌｔｅｒ Ｎｏ１１，Ａｃａｄｅｍ
ｉｃ Ｐｒｅｓｓ，Ｉｎｃ．１９６８）のオルガノポリ
シロキサン合成方法がある。例えば、ケイ素原子に対す
る一価の有機基の置換数ｒが平均０．５〜１．５である
オルガノアルコキシシラン、オルガノハロゲノシランを
有機溶媒中に溶解し、酸あるいは塩基存在下で加水分
解、縮合することによって重合し、その後溶媒を除去す
ることによって合成される。本発明で使用する有機ケイ
素系高分子はトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、
シクロヘキサノン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、及び
クロロホルム、クロロベンゼン等の含ハロゲン炭化水
素、エタノール、ブタノール等のアルコールなどの溶媒
中に溶解させて使用される。

【００４５】本発明においては、硬化性の有機ケイ素系
高分子と本発明の有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の硬
化時に３次元架橋構造が形成されることにより、各元素
間の運動や外部からの化合物の侵入が困難になることか
ら、硬度や機械的強度が増大し、耐摩耗性が向上するの
みで、帯電時に発生するアーク放電等の電気的な障害や
化学物質等に対する耐久性も向上させることが可能とな
る。

【００４６】前記有機ケイ素系高分子と有機ケイ素変成
正孔輸送性化合物を硬化する前の溶液（本発明の硬化性
組成物ともいう）は、例えば両者を溶解する溶媒中に混
合することで得られる。有機ケイ素系高分子の溶媒を除
いた固形分１００重量部に対して有機ケイ素変成正孔輸
送性化合物は、好ましくは２０〜２００重量部混合して
用いられる。２０重量部未満では正孔輸送性が不十分と
なるために帯電電位が増加して好ましくない。また、２
００重量部を越えると機械的強度が低下し、表面エネル
ギーが増加することから好ましくない。より好ましくは
有機ケイ素系高分子１００重量部に対して有機ケイ素変
成正孔輸送性化合物は３０〜１５０重量部が用いられ
る。

【００４７】本発明においては、前もって硬化性高分子
と有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を部分的に反応させ
てもよい。この場合には感光体への塗布に支障のない溶
液または分散液であれば用いることができる。

【００４８】硬化の条件としては１００〜２００℃で加
熱することが好ましい。１００℃に満たないと硬化反応
に時間がかかるため、未反応の加水分解性基が残存する
可能性もある。２００℃を越えると正孔輸送性基が酸化
劣化し易くなり、悪影響が発生し易い。より好ましく
は、１２０〜１６０℃で加熱硬化して用いられる。

【００４９】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
を用いて電子写真感光体を製造する例を下記に示す。

【００５０】電子写真感光体の支持体（図１及び図２中
の１）としては支持体自体が導電性を有するもの、例え
ば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステ
ンレス、クロム、チタン、ニッケル、マグネシウム、イ
ンジウム、金、白金、銀、鉄等を用いることができる。
その他にアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、金
等を蒸着等によりプラスチック等の誘電体支持体に被膜
形成したものや、導電性微粒子をプラスチックや紙に混
合したもの等を用いることができる。これらの導電性支
持体は均一な導電性が求められるとともに平滑な表面が
重要である。表面の平滑性はその上層に形成される下引
き層、電荷発生層及び電荷輸送層の均一性に大きな影響
を与えることから、その表面粗さは０．３μｍ以下で用
いられることが好ましい。０．３μｍを越える凹凸は下
引き層や電荷発生層のような薄い層に印加される局所電
場を大きく変化させてしまうためにその特性が大きく変
化してしまい、電荷注入や残留電位のむら等の欠陥を生
じ易いことから好ましくない。

【００５１】特に導電性微粒子をポリマーバインダー中
に分散して塗布することにより得られる導電層（図１及
び図２中の２）は形成が容易であり、均質な表面を形成
することに適している。このとき用いられる導電性微粒
子の１次粒径は１００ｎｍ以下であり、より好ましくは
５０ｎｍ以下である。導電性微粒子としては、導電性酸
化亜鉛、導電性酸化チタン、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、カーボンブラック、ＩＴＯ、酸化ス
ズ、酸化インジウム、インジウム等が用いられ、これら
を絶縁性微粒子の表面にコーティングして用いてもよ
い。前記導電性微粒子の含有量は体積抵抗が十分に低く
なるように使用され、好ましくは１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以
下の抵抗となるように添加される。より好ましくは１×
１０⁸ Ω・ｃｍ以下で用いられる。

【００５２】レーザー等のコヒーレントな光源を用いて
露光する場合は干渉による画像劣化を防止するために、
上記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可能で
ある。このときは電荷注入や残留電位のむら等の欠陥が
生じにくいように、使用する波長の１／２λ程度の凹凸
を数μｍ以下の直径のシリカビーズ等の絶縁物を分散す
ることにより１０μｍ以下の周期で形成して用いること
が可能である。

【００５３】本発明においては、支持体と感光層の中間
に、注入阻止機能と接着機能をもつ下引き層（図１及び
図２中の３）を設けることもできる。下引き層の材料と
しては、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリビニル
ブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ゼラチン等が挙げられる。下引き層の膜厚は０．１
μｍ〜１０μｍであることが好ましく、特には０．３μ
ｍ〜３μｍであることが好ましい。

【００５４】感光層としては、電荷発生物質を含有する
電荷発生層（図１及び図２中の４）と電荷輸送物質を含
有する電荷輸送層（図１及び図２中の５）からなる機能
分離タイプのものや電荷発生物質と電荷輸送物質を同一
の層に有する単層タイプ（不図示）が用いられる。

【００５５】電荷発生物質としては、例えば、セレン−
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料、シアニン系顔料等を用いるこ
とができる。

【００５６】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
の硬化物は、電荷輸送層（図１中の５）もしくは正孔輸
送能を有する表面保護層（図２中の６）として用いるこ
とが可能である。

【００５７】単層感光体として用いる場合は前記電荷発
生物質と本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物と組
み合わせて用いることにより良好な特性が得られる。

【００５８】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
は他の電荷輸送物質と組み合わせて用いることが可能で
あるが、かかる電荷輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリスチリルアントラセン等の複素環
や縮合多環芳香族を有する高分子化合物や、ピラゾリ
ン、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
トリアゾール、カルバゾール等の複素環化合物、トリフ
ェニルメタン等のトリアリールアルカン誘導体、トリフ
ェニルアミン等のトリアリールアミン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体、
スチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体等の低分子化合物
を用いることができる。

【００５９】上記、電荷発生物質や電荷輸送物質は必要
に応じてバインダーポリマーが用いられる。バインダー
ポリマーの例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビ
ニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フ
ッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、等のビニル化
合物の重合体及び共重合体、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルアセタール、ポリカーボネード、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウ
レタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。

【００６０】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
には、前記化合物以外にも機械的特性の改良や耐久性向
上のために添加剤を用いることができる。このような添
加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、安定化剤、
潤滑剤、導電性制御剤等が用いられる。

【００６１】本発明における電荷発生層の膜厚は３μｍ
以下であることが好ましく、特には０．０１〜１μｍで
あることが好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は１〜４
０μｍであることが好ましく、特には３〜３０μｍであ
ることが好ましい。

【００６２】感光層が単層タイプである場合は、その膜
厚は１〜４０μｍであることが好ましく、特には３〜３
０μｍであることが好ましい。

【００６３】本発明における表面保護層の厚みは１〜１
５μｍであることが好ましい。１μｍに満たないと保護
効果が十分でなく、１５μｍを越えるとは感光層全体の
膜厚が増加することにより、画像劣化が生じて易くなっ
てしまうことから好ましくない。

【００６４】本発明においては、更に、露光手段が照射
する光のスポット面積と電子写真感光体が有する感光層
の厚さの積が２×１０⁴μｍ³以下であることが好まし
い。また、この積は現像コントラストの大きさ（現像時
の感光体上の電位差）の点で２×１０³μｍ³以上である
ことが好ましい。２×１０³μｍ³に満たないと十分な現
像コントラストは得にくくなる傾向になる。

【００６５】この場合、本発明に用いられる露光方法
は、光をドット状に照射することによって感光体上に静
電潜像を形成するものである。その光源は特に制限され
るものではないが、より小さなスポット面積をより容易
に得ることができるという点でレーザー光及びＬＥＤ光
であることが好ましい。

【００６６】図３に光の強度分布、スポット径及び光の
スポット面積（Ｓ）と感光層の厚さの積の関係を示す。
光スポットは一般的には図１に示すように主走査スポッ
ト径（ａｂ）と副走査スポット径（ｃｄ）を有する楕円
形の形状を有しており、本発明におけるスポット面積と
感光層の厚さの積は、該光スポットが感光層へ照射され
ている部分の体積（Ｖ）であるといえる。

【００６７】該光のスポット面積（Ｓ）は感光層上の面
積であり、光の強度がピーク強度（Ａ）の１／ｅ
²（Ｂ）以上である部分の面積で表わされる。用いられ
る光源としては半導体レーザーやＬＥＤ等が挙げられ、
光強度分布についてもガウス分布やローレンツ分布等が
あるが、いずれの場合もピーク強度（Ａ）の１／ｅ
²（Ｂ）以上の強度の部分をスポット面積（Ｓ）とす
る。なお、スポット面積（Ｓ）は、感光体の位置にＣＣ
Ｄカメラを設置することにより測定することができる。

【００６８】本発明における光のスポット面積は、４×
１０³μｍ²以下であることが好ましく、特には３×１０
³μｍ²以下であることが好ましい。４×１０³μｍ²を越
えると隣接画素の光と重複し易くなり、階調再現性が不
安定となり易い。また、コストの点から１×１０³μｍ²
以上であることが好ましい。

【００６９】上記観点からは、本発明における感光層の
厚さは１２μｍ以下であることが好ましく、特には１０
μｍ以下であることが好ましい。

【００７０】本発明の電子写真感光体は、極めて優れた
機械的強度及び表面潤滑性を有しているので、このよう
な系に用いられる感光体としては非常に好ましい。

【００７１】図４に本発明のプロセスカートリッジを有
する画像形成装置の第１の例の概略構成を示す。

【００７２】図において、７はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸８を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体７は、回転過程において、
一次帯電手段９によりその周面に正または負の所定電位
の均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光等
の像露光手段（不図示）からの画像露光光１０を受け
る。こうして感光体７の周面に静電潜像が順次形成され
ていく。

【００７３】形成された静電潜像は、現像手段１１によ
りトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示
の給紙部から感光体７と転写手段１２との間に感光体７
の回転と同期取りされて給紙された転写材１３に、転写
手段１２により順次転写されていく。

【００７４】像転写を受けた転写材１３は、感光体面か
ら分離されて像定着手段１４へ導入されて像定着を受け
ることにより複写物（コピー）として装置外へプリント
アウトされる。

【００７５】像転写後の感光体７の表面は、クリーニン
グ手段１５によって転写残りトナーの除去を受けて清浄
面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１
６により除電処理された後、繰り返し像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段９が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。

【００７６】本発明においては、上述の電子写真感光体
７、一次帯電手段９、現像手段１１及びクリーニング手
段１５等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカー
トリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカ
ートリッジを複写機やレーザービームプリンター等の画
像形成装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例
えば、一次帯電手段９、現像手段１１及びクリーニング
手段１５の少なくとも１つを感光体７と共に一体に支持
してカートリッジ化して、装置本体のレール１８等の案
内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリ
ッジ１７とすることができる。

【００７７】図５に本発明の画像形成装置の第２の例で
あるカラー複写機の概略構成を示す。

【００７８】図において２０１はイメージスキャナ部で
あり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分で
ある。また、２０２はプリンター部であり、イメージス
キャナ２０１に読み取られた原稿画像に対応した画像を
用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。

【００７９】イメージスキャナ部２０１において、２０
０は鏡面厚板であり、原稿台ガラス２０３上の原稿２０
４は、赤外カットフィルター２０８を通ったハロゲンラ
ンプ２０５の光で照射され、原稿からの反射光はミラー
２０６及び２０７に導かれ、レンズ２０９により３ライ
ンセンサ（ＣＣＤ）２１０上に像を結び、フルカラー情
報レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）成分と
して信号処理部２１１に送られる。なお、２０５及び２
０６は速度ｖで、２０７は１／２ｖでラインセンサの電
気的走査方向（主走査方向）に対して垂直方向に（副走
査方向）に機械的に動くことにより、原稿全面を走査す
る。

【００８０】信号処理部２１１では読み取られた信号を
電気的に処理し、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエ
ロー（Ｙ）及びブラック（ＢＫ）の各成分に分解し、プ
リンター部２０２に送る。また、イメージスキャナ部２
０１における一回の原稿走査につき、Ｍ、Ｃ、Ｙ及びＢ
Ｋの内、一つの成分がプリンター２０２に送られ、計４
回の原稿走査により一回のプリントアウトが完成する。

【００８１】イメージスキャナ部２０１より送られてく
るＭ、Ｃ、Ｙ及びＢＫの画像信号は、レーザードライバ
２１２に送られる。レーザードライバ２１２は画像信号
に応じ、半導体レーザー２１３を変調駆動する。レーザ
ー光はポリゴンミラー２１４、ｆ−θレンズ２１５及び
ミラー２１６を介し、感光体２１７上を走査する。

【００８２】２１８は回転現像器であり、マゼンタ現像
器２１９、シアン現像器２２０、イエロー現像器２２１
及びブラック現像器２２２より構成され、４つの現像器
が交互に感光体に接し、感光体２１７上に形成された
Ｍ、Ｃ、Ｙ及びＢＫの静電潜像を対応するトナーで現像
する。

【００８３】２２３は転写ドラムで、用紙カセット２２
４または２２５より給紙された用紙をこの転写ドラム２
２３に巻き付け、感光体２１７上に現像されたトナー像
を用紙に転写する。

【００８４】このようにしてＭ、Ｃ、Ｙ及びＢＫの４色
が順次転写された後に、用紙は定着ユニット２２６を通
過して排紙される。

【００８５】次に本発明に用いられる硬化性有機ケイ素
高分子の合成例を示す。

【００８６】

【実施例】

〔合成例１〕 メチルポリシロキサン樹脂を主成分とする硬化性樹脂溶
液の調製 メチルシロキサン単位８０モル％、ジメチルシロキサン
単位２０モル％からなる１重量％のシラノール基を含む
メチルポリシロキサン樹脂１０ｇをトルエン１０ｇに溶
解し、これにメチルトリメトキシシラン５．３ｇ、ジブ
チル錫ジアセテート０．２ｇを加え、均一な溶液にし
た。

【００８７】〔合成例２〕 メチルポリシロキサン樹脂を主成分とする硬化性樹脂溶
液の調製 メチルシロキサン単位８０モル％、ジメチルシロキサン
単位２０モル％からなる１重量％のシラノール基を含む
メチルポリシロキサン樹脂１０ｇをトルエン１０ｇに溶
解し、これに、メチルトリ（メチルエチルケトキシム）
シラン１１．５ｇ、ジブチル錫ジアセテート０．２ｇを
加え均一な溶液にした。

【００８８】〔合成例３〕 メチルフェニルポリシロキサン樹脂を主成分とする硬化
性樹脂溶液の調製 フェニルシロキサン単位４０モル％、ジフェニルシロキ
サン単位２０モル％、メチルシロキサン単位２０モル
％、ジメチルシロキサン単位２０モル％からなる１重量
％のシラノール基を含むメチルフェニルポリシロキサン
樹脂１２ｇをトルエン１０ｇに溶解しジブチル錫ジアセ
テート０．２ｇを加え均一な溶液にした。

【００８９】〔合成例４〕 フルオロシリコーン樹脂を主成分とする硬化性樹脂溶液
の調製 メチルシロキサン単位５０モル％、ジメチルシロキサン
単位１０モル％、３，３，４，４，５，５，６，６，６
−ノナフルオロヘキシルシロキサン単位１０モル％から
なる１重量％のシラノール基を含むメチルノナフルオロ
ヘキシルポリシロキサン樹脂１０ｇをトルエン１０ｇに
溶解し、これに、ジブチル錫ジアセテート０．２ｇを加
え均一な溶液にした。

【００９０】次に、本発明に用いられる有機ケイ素変成
正孔輸送性化合物の合成例を示す。

【００９１】〔合成例５〕 ４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕トリフェニ
ルアミンの合成 〈４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド
の合成〉三つ口フラスコにトリフェニルアミン１０１．
４ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、撹拌し
ながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下し、温度を９
５℃に上げて５時間反応させた。反応液を４リットルの
温水へ注ぎ１時間撹拌した。その後、沈澱物を瀘取し、
エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドを得
た。収量９１．５ｇ（収率８１．０％）。

【００９２】〈４−ビニルトリフェニルアミンの合成〉
水素化ナトリウム１４．６ｇ、１，２−ジメトキシエタ
ン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しな
がらトリメチルホスフォニウムブロマイド１３０．８ｇ
を加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０
℃で４時間反応させた。これに４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルアミノ）ベンズアルデヒド１００ｇを加え、７０℃に
温度を上げ５時間反応させた。反応液を瀘過し、瀘液と
沈澱物のエーテル抽出液を一緒にし水洗した。次いで、
エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去
し、反応混合物を得た。これをエタノールから再結晶を
行い、針状、淡黄色のビニルトリフェニルアミンを得
た。収量８３．４ｇ（収率８４．０％）。

【００９３】〈４−ビニルトリフェニルアミンのヒドロ
シリル化〉トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン９．
９ｇ（６０ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニ
ルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１
８ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しなが
ら４−ビニルトリフェニルアミン８．２ｇのトルエン溶
液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹
拌を行った後、溶媒を減圧下で除き、淡黄色油状の４−
〔２−トリエトキシシリル）エチル〕トリフェニルアミ
ンを得た。収量１２．１ｇ（収率９１．７％）。

【００９４】Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図６に示す（ブル
カー社製、ＡＰＣ３００ ＮＭＲスペクトロメータ）。
この化合物のイオン化ポテンシャルを大気下光電子分析
法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）にて測定した
ところ、５．６８ｅＶであった。

【００９５】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
８μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【００９６】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ１×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００９７】〔合成例６〕 ４−〔２−（メチルジエトキシシリル）エチル〕トリフ
ェニルアミンの合成 〈４−ビニルトリフェニルアミンのヒドロシリル化〉ト
ルエン４０ｍｌ、メチルジエトキシシラン８．１ｇ及び
トリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金
（０）のトルエン溶液０．０１８ｍｍｏｌを三つ口フラ
スコに取り、室温で撹拌しながら４−ビニルトリフェニ
ルアミン８．２ｇトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴
下終了後、７０℃で３時間撹拌した後、溶媒を減圧下除
去し、淡黄色油状の４−〔２−（メチルジエトキシシリ
ル）エチル〕トリフェニルアミンを得た。収量１１．２
ｇ（収率９１．４％）。

【００９８】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．６６ｅＶであった。

【００９９】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ド法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【０１００】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ１．２×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【０１０１】〔合成例７〕 ４，４′，４″−トリス〔２−（トリエトキシシリル）
エチル〕トリフェニルアミンの合成 〈トリ（４−ホルミルフェニル）アミンの合成〉三つ口
フラスコにトリフェニルアミン５０．７ｇとＤＭＦ５
３．３ｍｌを入れ、氷水冷却下、撹拌しながらオキシ塩
化リン１２６．６ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶
液を９５℃で５時間反応させ、５リットルの温水へ注ぎ
１時撹拌した。その後、沈澱物を瀘取し、エタノール／
水（１：１）の混合溶液で洗浄し、トリ（４−ホルミル
フェニル）アミンを得た。収量６５．３ｇ（収率９５．
９％）。

【０１０２】〈トリ（４−ビニルフェニル）アミンの合
成〉水素化ナトリウム１４．６ｇ、１，２−ジメトキシ
エタン７０ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌し
ながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１３０．８
ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７
０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反
応混合液にトリ（４−ホルミルフェニル）アミン４０．
２ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、瀘別し、瀘
取したケーキをエーテル抽出し瀘液と一緒にした後、水
洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水
後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタ
ノールで再結晶二回行い、針状、淡黄色のトリ（４−ビ
ニルフェニル）アミンを得た。収量３８．４ｇ（収率９
７．３％）。

【０１０３】〈トリ（４−ビニルフェニル）アミンのヒ
ドロシリル化〉トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン
９．９ｇ（６０ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジ
ビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．
０１８ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌し
ながらトリ（４−ビニルフェニル）アミン３．３ｇ（１
３ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下
終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下
で除去し、淡黄色油状の４，４′，４″−〔２−（トリ
エトキシシリル）エチル〕トリフェニルアミンを得た。
収量７．８ｇ（収率８０．６％）。

【０１０４】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．６５ｅＶであった。

【０１０５】この化合物を銅基板にワイヤーバーコード
法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約５
μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極を
形成した。

【０１０６】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ３×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【０１０７】〔合成例８〕 ４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ノ〕−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕ベンゼン
の合成 〈Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノベ
ンゼンの合成〉４−ヨード−ｏ−キシレン３８．５ｇ
（１６６ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム２２．９ｇ（１
６６ｍｍｏｌ）及び銅粉７．０ｇをニトロベンゼン２０
ｍｌに加え、撹拌下加熱還流を８時間行った。冷却後瀘
過し、沈澱を除去した。得られた反応混合物をシリカゲ
ルカラムを通しＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミノベンゼンを得た。収量１５．７ｇ（収率６９
％）。

【０１０８】〈４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）アミノ〕ベンズアルデヒドの合成〉三つ口フ
ラスコに〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
アミノ〕ベンゼン１２４．６ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを
入れ、氷水冷却下、撹拌しながらオキシ塩化リン８４．
４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５
時間反応させ、４リットルの温水へ注ぎ１時間撹拌し
た。その後、沈澱物を瀘取し、エタノール／水（１：
１）の混合溶液で洗浄し、４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４
−ジメチルフェニル）アミノ〕ベンズアルデヒドを得
た。収量１０７．６ｇ（収率７９．０％）。

【０１０９】〈４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）アミノ〕スチレンの合成〉水素化ナトリウム
１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタン５８０ｍｌを三
つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらトリメチルホ
スフォニウムブロマイド１０８．５ｇを加えた。次に無
水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させ
た。以上のようにして得られた反応混合液に４−〔Ｎ，
Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ〕ベンズ
アルデヒド１００．０ｇを加え、７０℃で５時間反応さ
せた後、瀘別し、瀘取したケーキをエーテル抽出し瀘液
と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシ
ウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。
これをエタノールで再結晶二回行い、針状、４−〔Ｎ，
Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ〕スチレ
ンを得た。収量８４．５ｇ（収率８５．０％）。

【０１１０】〈４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）アミノ〕スチレンのヒドロシリル化〉トルエ
ン４０ｍｌ、トリエトキシシラン６．０ｇ及びトリス
（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）の
トルエン溶液０．５４ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取
り、室温で撹拌しながら４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）アミノ〕スチレン９．９ｇのトルエ
ン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時
間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状
の４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ア
ミノ〕−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕ベンゼ
ンを得た。収量１３．４ｇ（収率９０．１％）。

【０１１１】Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図７に示す。（ブ
ルカー社製、ＡＰＣ３００ ＮＭＲスペクトロメータ）
Ｃ−ＮＭＲスペクトルを図８に示す。（ブルカー社製、
ＡＰＣ３００ ＮＭＲスペクトロメータ）この化合物の
イオン化ポテンシャルを大気下光電子分析法（理研計器
製、表面分析装置ＡＣ−１）にて測定したところ、５．
２６ｅＶであった。

【０１１２】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【０１１３】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ９×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【０１１４】〔合成例９〕 ４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ノ〕−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕ベンゼン
の合成 〈４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ア
ミノ〕スチレンのヒドロシリル化〉トルエン４０ｍｌ、
トリエトキシシラン６．０ｇ（３７ｍｍｏｌ）及びジク
ロロ（ｈ−シクロオクター１，５−ジエン）白金（Ｉ
Ｉ）０．３４ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で
撹拌しながら４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）アミノ〕スチレン９．９ｇのトルエン溶液２０
ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行
った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４−
〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ〕
−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕ベンゼンを得
た。収量１４．０ｇ（収率９４．２％）。

【０１１５】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．３１ｅＶであった。

【０１１６】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【０１１７】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ７×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【０１１８】〔合成例１０〕 ４−〔３−（トリエトキシシリル）プロピル〕トリフェ
ニルアミンの合成 〈４−プロモトリフェニルアミンの合成〉Ｎ−プロモス
クシンイミド８．０ｇ（４５ｍｍｏｌ）、トリフェニル
アミン１０．０ｇ（４１ｍｍｏｌ）を２００ｍｌ三つ口
フラスコに入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０
ｍｌを加えた後、室温下で一晩撹拌した。次いで、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミドを除去し、得られた固形物を
四塩化炭素で抽出した。その後、四塩化炭素を除去し、
得られた反応混合物をエタノールで二回再結晶を行い、
白色固体の４−プロモトリフェニルアミンを得た。収量
８．２ｇ（収率６１．７％）。

【０１１９】〈４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノアリルベ
ンゼンの合成〉３００ｍｌ四つ口フラスコにマグネシウ
ム金属１．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換を行っ
た。次いでジエチルエーテル１００ｍｌを加え撹拌を開
始した。そこへ４−プロモトリフェニルアミン８．６ｇ
（２７ｍｍｏｌ）を溶解したジエチルエーテル溶液３０
ｍｌをゆっくり滴下した。約３ｍｌ滴下したところでゆ
るやかに還流が始まった。還流させながら、更にジエチ
ルエーテル溶液の滴下を続け、滴下終了後、更に一時間
還流を行った。以上のようにして得られたグリニャール
試薬溶液を室温まで戻し、次にアリルクロライド２．１
ｇ（２７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液４０ｍｌを
氷冷しながらゆっくり滴下した。滴下終了後、反応混合
物を２時間還流し反応を熟成した。その後、水５０ｍｌ
を氷冷しながら加え加水分解を行った。次に、エーテル
層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、水で
２回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾
燥後、ジエチルエーテルを除去し白色固体の４−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノアリルベンゼンを得た。収量４．９
ｇ（収率６３．２％）。

【０１２０】〈４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノアリルベ
ンゼンのヒドロシリル化〉トルエン４０ｍｌ、トリエト
キシシラン６．０ｇ（３７ｍｍｏｌ）及びトリス（テト
ラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエ
ン溶液０．５４ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温
で撹拌しながら４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノアリルベ
ンゼン９．７ｇ（３４ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍ
ｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行っ
た後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４−〔３−
（トリエトキシシリル）プロピル〕トリフェニルアミン
を得た。収量１０．７ｇ（収率７０．１％）。

【０１２１】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．７２ｅＶであった。

【０１２２】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
９μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【０１２３】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ１．４×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【０１２４】〔合成例１１〕 ４−〔４−（トリエトキシシリル）ブチル〕トリフェニ
ルアミンの合成 〈４−メチルトリフェニルアミンの合成〉ジフェニルア
ミン４．５ｇ（２７ｍｍｏｌ）、ｐ−ヨードトルエン１
１．０ｇ（５１ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム５．５ｇ
（４０ｍｍｏｌ）及び銅粉１．１ｇをｏ−ジクロロベン
ゼン３０ｍｌに加え、撹拌下加熱還流を７時間行った。
反応終了後、反応溶液を瀘過し、瀘液を３５％チオ硫酸
ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、有機層
を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を除去した。得ら
れた反応混合物をエタノールを用いて再結晶を行い４−
メチルトリフェニルアミンを得た。収量５．７ｇ（収率
８１．４％）。

【０１２５】〈４−ブロモメチルトリフェニルアミンの
合成〉Ｎ−ブロモスクシンイミド６．９ｇ（３９ｍｍｏ
ｌ）、４−メチルトリフェニルアミン９．１ｇ（３５ｍ
ｍｏｌ）を３００ｍｌ三つ口フラスコに入れ、四塩化炭
素１００ｍｌを加えた後、撹拌下加熱還流を一晩行っ
た。反応終了後、反応溶液を冷却した。次いで、反応溶
液を瀘過し、溶媒を除去して、得られた反応混合物をエ
タノールを用いて再結晶を行い４−ブロモメチルトリフ
ェニルアミンを得た。収量１０．８ｇ（収率９１．２
％）。

【０１２６】〈４−Ｎ，Ｎジフェニルアミノフェニル−
１−ブテンの合成〉２００ｍｌ四つ口フラスコにマグネ
シウム金属１．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換を
行った。次いでジエチルエーテル１００ｍｌを加え撹拌
を開始した。そこへ４−ブロモメチルトリフェニルアミ
ン９．１ｇ（２７ｍｍｏｌ）を溶解したジエチルエーテ
ル溶液２０ｍｌをゆっくり滴下した。約５ｍｌ滴下した
ところでゆるやかに還流が始まった。還流させながら、
更にジエチルエーテル溶液の滴下を続け、滴下終了後、
更に一時間還流を行った。以上のようにして得られたグ
リニャール試薬溶液を室温まで戻し、次にアリルクロラ
イド２．１ｇ（２７ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液
２０ｍｌを氷冷しながらゆっくり滴下した。滴下終了
後、反応混合物を２時間還流し反応を熟成した。その
後、水５０ｍｌを氷冷しながら加え加水分解を行った。
次に、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトトリウム水
溶液で１回、水で２回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを除去し白色
固体の４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル−１−ブ
テンを得た。収量５．５ｇ（収率６６．７％）。

【０１２７】〈４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフェニル
−１−ブテンのヒドロシリル化〉トルエン４０ｍｌ、ト
リエトキシシラン９．９ｇ（６０ｍｍｏｌ）及びトリス
（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）の
トルエン溶液０．０１８ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取
り、室温で撹拌しながら４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
フェニル−１−ブテン１６．７ｇ（５４．７ｍｍｏｌ）
のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０
℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡
黄色油状の４−〔４−（トリエトキシシリル）ブチル〕
トリフェニルアミンを得た。収量１３．９ｇ（（収率８
３．２％）。

【０１２８】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．６９ｅＶであった。

【０１２９】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【０１３０】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｃｅ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ２×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【０１３１】〔合成例１２〕合成例１の樹脂溶液に４−
〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕トリフェニルア
ミン（合成例５）樹脂固形分に対してその７０重量％を
加え混合した。これをガラス板にバーコートを用いて塗
布し、１４０℃で１５時間乾燥した。顕微鏡で観察した
ところ均一フィルムが形成されたことが判明した。

【０１３２】〔比較合成例１〕合成例１の樹脂溶液に正
孔輸送性化合物としてトリフェニルアミンを樹脂量に対
して３０重量％溶解し、合成例１２と同様に混合硬化さ
せてフィルムを形成した。フィルムは白濁し顕微鏡では
トリフェニルアミンの析出が観測された。

【０１３３】〔比較合成例２〕合成例２の樹脂溶液を用
いたほかは比較合成例１と同様に行ってフィルムを形成
させた。生成したフィルムは不透明性は低下したもの
の、顕微鏡観測ではトリフェニルアミンの結晶が析出し
た。

【０１３４】〔比較合成例３〕合成例５で得られた４−
ビニルトリフェニルアミンにトリメチルシラン６ｇ（６
０ｍｍｏｌ）を使用したほかは合成例５と同様に反応さ
せ、４−〔２−（トリメチルシリル）エチル〕トリフェ
ニルアミンを得た。これを比較合成例１と同様にしてフ
ィルムを生成したところ、不透明であり、４−〔２−
（トリメチルシリル）エチル〕トリフェニルアミンの分
離が認められた。

【０１３５】〔合成例１３〕 ４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）−〔２−（ト
リエトキシシリル）エチル〕ベンゼンの合成 〈４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）ベンズアル
デヒドの合成〉三つ口フラスコにジフェニルエチルアミ
ン８２ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを加え、氷水冷却下、攪
拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下し、滴下
終了後、温度を９５℃に昇温して５時間反応させた。そ
の後、沈澱物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混
合溶液を洗浄し、４−（Ｎ−フェニルアミノ）エチルベ
ンズアルデヒドを得た。収量６２ｇ。

【０１３６】〈４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミ
ノ）スチレンの合成〉水素化ナトリウム１４．６ｇ、
１，２−ジメトキシエタン７００ｍｌを三つ口フラスコ
に取り、室温で攪拌しながらトリメチルホスフォニウム
ブロマイド１３０．８ｇを加えた。次に無水エタノール
を一滴加えた後、７０℃に温度を昇温し、５時間反応さ
せた。反応液を濾過し、濾液と沈澱物のエーテル抽出液
を一緒にして水洗した。次いで、エーテル液を塩化カル
シウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得
た。これをエタノールから再結晶を行い、針状、淡黄色
の結晶を得た。収量６２．４ｇ。

【０１３７】〈４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミ
ノ）スチレンのヒドロシリル化〉トルエン４０ｍｌ、ト
リエトキシシラン９．９ｇ（６０ｍｍｏｌ）およびトリ
ス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）
のトルエン溶液０．０１８ｍｍｏｌを三つ口フラスコに
取り、室温で攪拌しながら４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェ
ニルアミノ）スチレン７．６ｇのトルエン溶液２０ｍｌ
を滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った
後、溶媒を減圧下で除去して、淡黄色油状の４−（Ｎ−
エチル−Ｎ−フェニルアミノ）−〔２−（トリエトキシ
シリル）エチル〕ベンゼンを得た。収量７．８ｇ。

【０１３８】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、６．３ｅＶであった。

【０１３９】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。

【０１４０】このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ２×１０^-8ｃｍ² ／Ｖｓｅｃであった。

【０１４１】〔実施例１〕鏡面加工により作成した外径
８０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、アルコール可
溶性共重合ナイロン（商品名アミランＣＭ−８０００、
東レ（株）製）５重量部をメタノール９５重量部に溶解
した溶液を浸漬コーティング法により塗工した。８０℃
で１０分間乾燥して、膜厚が１μｍの下引き層を形成し
た。

【０１４２】次に、電荷発生層用分散液として下記のビ
スアゾ顔料５重量部をシクロヘキサノン９５重量部にポ
リビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）２重
量部を溶解した液に加え、サンドミルで２０時間分散し
た。

【０１４３】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１４４】

【外１４】

【０１４５】次いで、下記の構造式を有するトリアリー
ルアミン化合物５重量部とポリカーボネート樹脂（商品
名Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）５重量部をクロ
ロベンゼン７０重量部に溶解した電荷輸送層用の液に平
均粒径２μｍのシリコーン樹脂微粒子０．３重量部を添
加したものを前記の電荷発生層の上に浸漬コーティング
法により乾燥後１０μｍの膜厚に塗工した。

【０１４６】

【外１５】

【０１４７】次に、合成例１の硬化性組成物１００重量
部にトルエン２００重量部と合成例８で合成した４−
〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ〕
−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕ベンゼン４０
重量部を加えた硬化性組成物をスプレーコーティング法
により塗工した。

【０１４８】１４０℃で４時間乾燥、熱硬化することで
透明で均一な膜厚が２μｍの表面保護層を形成した。

【０１４９】この電子写真感光体を−７００Ｖに帯電し
て波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定した
ところ、Ｅ１／２（−３５０Ｖまで帯電電位が減少する
ために必要な露光量）が１．２μＪ／ｃｍ² 、残留電位
が−２６Ｖと良好であった。

【０１５０】本電子写真感光体をキヤノン製デジタルフ
ルカラー複写機ＣＬＣ−５００を副走査方向で６３．５
μｍ、主走査方向で２０μｍの照射スポット径（１／ｅ
² ）となるように改造した評価機を用いて初期帯電−５
００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、初期及び１
０万枚耐久試験後も黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞もな
く、感光体の摩耗量も０．８μｍと少なく、均一性の優
れた画像出力が得られ、階調再現性も４００ｄｐｉで２
５６階調と極めて良好であった。

【０１５１】〔比較合成例４〕合成例４の樹脂溶液１０
０重量部に実施例１にて使用したトリアリールアミン化
合物を樹脂量に対して３０重量％溶解し、合成例１２と
同様に混合硬化させてフィルムを形成した。フィルムは
白濁し顕微鏡ではトリフェニルアミンの析出が観測され
た。

【０１５２】〔比較例１〕実施例１において保護層を塗
工しないこと以外は同様にして作成した電子写真感光体
の画像評価を行ったところ、２万枚の耐久試験後に黒ポ
チ等が大量に発生したために良好な画像は得られなかっ
た。感光体の摩耗量は２万枚で５μｍと極めて大きかっ
た。

【０１５３】〔実施例２〕引き抜き加工により得られた
外径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、フェノー
ル樹脂（商品名プライオーフェン、大日本インキ化学工
業（株）製）１６７重量部をメチルセロソルブ１００重
量部に溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１
次粒径５０ｎｍ）２００重量部及び平均粒径２μｍのシ
リコーン樹脂粒子３重量部を分散したものを浸漬コーテ
ィング法により塗工し、乾燥後の膜厚が１５μｍの導電
層を形成した。

【０１５４】上記導電層上に、アルコール可溶性共重合
ナイロン（商品名アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５重量部をメタノール９５重量部に溶解した溶液を
浸漬コーティング法により塗工した。８０℃で１０分間
乾燥して、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１５５】次に、電荷発生層用分散液としてＣｕＫα
特性Ｘ線回折におけるブラック角（２θ±０．２°）の
９．０°，１４．２°，２３．９°及び２７．１°に強
いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン顔料
５重量部をシクロヘキサノン９５重量部にポリビニルベ
ンザール（ベンザール化度７５％以上）２重量部を溶解
した液に加え、サンドミルで２時間分散した。

【０１５６】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１５７】次いで、合成例９で合成した有機ケイ素変
成トリアリールアミン化合物５５重量部と合成例３のシ
リコーン系熱硬化樹脂１００重量部をトルエン１００重
量に加え溶解したものを前記の電荷発生層の上に浸漬コ
ーティング法により塗工した。１２０℃で５時間乾燥、
熱硬化して膜厚１０μｍの透明で均一な電荷輸送層を作
成した。

【０１５８】鉛筆硬度は５Ｈであり、水の接触角は１０
５度であった。

【０１５９】この電子写真感光体を−７００Ｖに帯電
し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定し
たところ、Ｅ１／２（−３５０Ｖまで帯電電位が減少す
るために必要な露光量）が０．２μＪ／ｃｍ² 、残留電
位が−３２Ｖと良好であった。

【０１６０】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＬＢＰ−８ＩＶの改造機（照射スポット
（１／ｅ² ）を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向
で２０μｍに改造）を用いて初期帯電−５００Ｖに設定
して画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久試験後
の感光体の摩耗量は０．１μｍ以下と極めて少なく、耐
久後の水の接触角も１００度と良好で、画像の劣化もな
く、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト
部の１画素再現性も十分であった。

【０１６１】〔比較例２〕実施例１において用いたトリ
アリールアミン化合物５重量部とポリカーボネート樹脂
（商品名Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）５重量部
をクロロベンゼン７０重量部に溶解した電荷輸送層用の
液を実施例２の電荷発生層の上に浸漬コーティング法に
より塗工することによって、乾燥後の膜厚が１０μｍの
電荷輸送層を形成した。得られた電子写真感光体を実施
例２と同様にして評価したところ、４０００枚の耐久試
験後は干渉縞及び黒ポチが認められ、摩耗量が１．８μ
ｍと大きく、水の接触角も７２度と小さいために不良で
あり、６００ｄｐｉでのハイライト部の１画素再現も不
十分でムラがあった。

【０１６２】〔実施例３〕実施例２と同様のアルミニウ
ムシリンダー上に、フェノール樹脂（商品名プライオー
フェン、大日本インキ化学工業（株）製）１６７重量部
をメチルセロソルブ１００重量部に溶解したものへ導電
性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）２００重
量部を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥
後の膜厚が１０μｍとなるように塗工した。この導電性
支持体に実施例２と同様にして膜厚１μｍの下引き層、
及び膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。

【０１６３】次いで、合成例８で合成した有機ケイ素変
成トリアリールアミン化合物４０重量部と合成例２のシ
リコーン系熱硬化樹脂１００重量部をトルエン１００重
量部に加え溶解したものに更に平均粒径３μｍのＳｉＯ
₂ 微粒子０．５重量部を添加したものを前記の電荷発生
層の上に浸漬コーティング法により塗工した。１２０℃
で５時間乾燥、熱硬化して膜厚１０μｍの電荷輸送層を
作成した。

【０１６４】顕微鏡で観察したところＳｉＯ₂ 粒子以外
は透明で均一であった。

【０１６５】鉛筆硬度は４Ｈであり、水の接触角は１１
０度であった。

【０１６６】この電子写真感光体を−７００Ｖに帯電
し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定し
たところ、Ｅ１／２（−３５０Ｖまで帯電電位が減少す
るために必要な露光量）が０．２３μＪ／ｃｍ² 、残留
電位３１Ｖと良好であった。

【０１６７】本電子写真感光体を実施例２と同様のレー
ザービームプリンタを用いて初期帯電−５００Ｖに設定
して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験後の感
光体の摩耗量は０．２μｍ以下と極めて少なく、水の接
触角は１０２度と良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞
による画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号
においてのハイライト部の１画素再現性も十分であっ
た。

【０１６８】〔実施例４〕実施例１と同様にして、電荷
発生層まで形成した。

【０１６９】次いで、実施例１で用いた電荷輸送層用の
液に平均粒径２μｍのシリコーン樹脂微粒子０．１重量
部を添加したものを前記の電荷発生層の上に浸漬コーテ
ィング法により乾燥後９μｍの膜厚に塗工した。

【０１７０】次に、表面保護層として合成例４の樹脂溶
液１００重量部にトルエン２００重量部と合成例８で合
成した４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミノ〕−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕
ベンゼン４０重量部を加えた硬化性組成物をスプレーコ
ーティング法により、塗工した。

【０１７１】１４０℃で４時間乾燥、熱硬化することで
透明で均一な膜厚が３μｍの表面保護層を形成した。鉛
筆硬度は２Ｈであり、水の接触角は１１５度であった。

【０１７２】この電子写真感光体の電子写真特性を実施
例１と同様にして評価したところ、Ｅ１／２＝０．７０
μＪ／ｃｍ² 、残留電位が−３５Ｖと良好であった。

【０１７３】本電子写真感光体を実施例１と同様のデジ
タルフルカラー複写機を用いて初期帯電−４００Ｖに設
定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験後の
摩耗量は０．１３μｍと極めて少なく、水の接触角は１
０９度であり、ハイライト部、高濃度部の再現性の優れ
た画像が得られた。

【０１７４】〔実施例５〕実施例２と同様にして、電荷
発生層まで形成した。

【０１７５】次いで、合成例１３で合成した有機ケイ素
変成トリアリールアミン化合物６０重量部と合成例３の
シリコーン系熱硬化樹脂１００重量部をトルエン１００
重量部に加え溶解したものを前記の電荷発生層の上に浸
漬コーティング法により塗工した。１２０℃にて５時間
乾燥、熱硬化して電荷輸送層の膜厚１０μｍの本発明の
感光体を作成した。

【０１７６】鉛筆硬度は５Ｈであり、水の接触角は１０
７度であった。

【０１７７】実施例２と同様にして電子写真特性を測定
したところ、Ｅ１／２が０．２０μＪ／ｃｍ² 、残留電
位が−４５Ｖであった。

【０１７８】本電子写真感光体を実施例２と同様のレー
ザービームプリンタを用いて初期帯電−５００Ｖに設定
して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験後の感
光体の摩耗量は０．２８μｍと極めて少なく、水の接触
角は９８度と良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞によ
る画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号にお
いてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。

【０１７９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光散乱
やブリードがなく、均一で、低表面エネルギーと機械
的、電気的耐久性を両立した電子写真感光体、及び該電
子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形
成装置を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図
である。

【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図
である。

【図３】光の強度分布、スポット径及び光のスポット面
積と感光層の厚さの積の関係を示す図である。

【図４】本発明の画像形成装置の第１の例の概略構成を
示す図である。

【図５】本発明の画像形成装置の第２の例の概略構成を
示す図である。

【図６】実施例５の４−〔２−（トリエトキシシリル）
エチル〕トリフェニルアミンのＨ−ＮＭＲスペクトルで
ある。

【図７】実施例８の４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）アミノ〕−〔２−（トリエトキシシリ
ル）エチル〕ベンゼンのＨ−ＮＭＲスペクトルである。

【図８】実施例８の４−〔Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）アミノ〕−〔２−（トリエトキシシリ
ル）エチル〕ベンゼンのＣ−ＮＭＲスペクトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−127710（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−323634（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−21688（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−168262（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−271358（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−209886（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−177358（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 5/00 ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に感光層を有する電子写真感光
   体において、該電子写真感光体の表面層が硬化性有機ケ
   イ素系高分子及び下記式（１） 【外１】 （Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑは加水分解性基または水
   酸基を示し、Ｒ² は置換もしくは無置換の一価炭化水素
   基を示し、Ｒ³ は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
   たはアリーレン基を示し、ｍは１〜３の整数を示し、１
   は正の整数を示す。）で示される有機ケイ素変成正孔輸
   送性化合物を硬化することによって得られる樹脂を含有
   することを特徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 Ｒ² が炭素数１〜１５の一価炭化水素基
   またはハロゲン置換一価炭化水素基であり、Ｒ³ が 【外２】 （ｎは１〜１８の整数）で示され、ｌが１〜５の整数で
   ある請求項１記載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 Ｑが−ＯＲ¹ （Ｒ¹ はアルキル基または
   アルコキシアルキル基を示す。）で示される請求項１ま
   たは２記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 Ｒ¹ の炭素数が１〜６である請求項３記
   載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 Ａが下記式（２） 【外３】 （Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は有機基であり、そのうちの少な
   くとも１つは芳香族炭化水素環基または複素環基を示
   し、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一であっても異なっていて
   もよい。）で示される請求項１乃至４のいずれかに記載
   の電子写真感光体。
6. 【請求項６】 硬化性有機ケイ素高分子が下記式（３） Ｒ⁷ _r ＳｉＯ_(4-r-s)/2 （ＯＲ⁸ ）_s （３） （Ｒ⁷ は直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルケニ
   ル基またはアリール基を示し、Ｒ⁸ は水素原子またはア
   ルキル基を示し、ｒ及びｓはモル比を示す。）で示され
   る請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 ｒが平均０．５〜１．５であり、ｓが平
   均０．０１〜１．５である請求項６記載の電子写真感光
   体。
8. 【請求項８】 有機ケイ素変成正孔輸送性化合物が４．
   ５〜６．２ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する請求項
   １乃至７のいずれかに記載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 有機ケイ素変成正孔輸送性化合物が１×
   １０^-7ｃｍ² ／Ｖｓｅｃ以上のドリフト移動度を有する
   請求項１乃至８のいずれかに記載の電子写真感光体。
10. 【請求項１０】 電子写真感光体、及び帯電手段、現像
    手段及びクリーニング手段からなる群より選ばれる少な
    くともひとつの手段を一体に支持し、画像形成装置本体
    に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、 該電子写真感光体が支持体上に感光層を有する電子写真
    感光体であって、該電子写真感光体の表面層が硬化性有
    機ケイ素系高分子及び下記式（１） 【外４】 （Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑは加水分解性基または水
    酸基を示し、Ｒ² は置換もしくは無置換の一価炭化水素
    基を示し、Ｒ³ は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
    たはアリーレン基を示し、ｍは１〜３の整数を示し、１
    は正の整数を示す。）で示される有機ケイ素変成正孔輸
    送性化合物を硬化することによって得られる樹脂を含有
    することを特徴とするプロセスカートリッジ。
11. 【請求項１１】 Ｒ² が炭素数１〜１５の一価炭化水素
    基またはハロゲン置換一価炭化水素基であり、Ｒ³ が 【外５】 （ｎは１〜１８の整数）で示され、ｌが１〜５の整数で
    ある請求項１０記載のプロセスカートリッジ。
12. 【請求項１２】 電子写真感光体、帯電手段、露光手
    段、現像手段及び転写手段を有する画像形成装置におい
    て、 該電子写真感光体が支持体上に感光層を有する電子写真
    感光体であって、該電子写真感光体の表面層が硬化性有
    機ケイ素系高分子及び下記式（１） 【外６】 （Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑは加水分解性基または水
    酸基を示し、Ｒ² は置換もしくは無置換の一価炭化水素
    基を示し、Ｒ³ は置換もしくは無置換のアルキレン基ま
    たはアリーレン基を示し、ｍは１〜３の整数を示し、１
    は正の整数を示す。）で示される有機ケイ素変成正孔輸
    送性化合物を硬化することによって得られる樹脂を含有
    することを特徴とする画像形成装置。
13. 【請求項１３】 Ｒ² が炭素数１〜１５の一価炭化水素
    基またはハロゲン置換一価炭化水素基であり、Ｒ³ が 【外７】 （ｎは１〜１８の整数）で示され、ｌが１〜５の整数で
    ある請求項１２記載の画像形成装置。