JP2000206723A

JP2000206723A - 電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置

Info

Publication number: JP2000206723A
Application number: JP11006939A
Authority: JP
Inventors: Masataka Kawahara; 正隆川原; Yoshihiro Sato; 祐弘佐藤; Keiko Hiraoka; 敬子平岡; 格 ▲高▼谷; Itaru Takatani; Takakazu Tanaka; 孝和田中
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-01-13
Filing date: 1999-01-13
Publication date: 2000-07-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】摺擦による表面層の摩耗や傷の発生等に対し
て耐久性を有し、高品位の画質を保つことのでき、繰り
返し電子写真プロセスにおいて表面抵抗の低下がなく、
高湿下においても高品位の画像を保つことのでき、かつ
残留電位の蓄積や感度の低下がない安定した電子写真特
性を示す電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電
子写真装置の提供。【解決手段】電子写真感光体の表面層が、コロイダル
シリカ及び下記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔
輸送性化合物を硬化することによって得られる化合物を
含有する電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電
子写真装置。（式中、Ａは正孔輸送性基を、Ｑは加水分解基又は水酸
基を、Ｒ^２は一価炭化水素基を、Ｒ^３はアルキレン基又
はアリーレン基を、ｍは１〜３の整数を、ｌは正の整数
を示す）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体、
電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子
写真装置に関し、詳しくは特定の材料を含有する表面層
を有する電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロ
セスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の表面には、帯電手段、
現像手段、転写手段、及びクリーニング手段等により電
気的あるいは機械的な影響が直接に加えられるために、
それらに対する耐久性が要求される。

【０００３】具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗
や傷の発生、及び高湿下におけるコロナ帯電時に発生し
易いオゾンによる感光体表面の劣化等に対する耐久性が
要求される。また、現像とクリーニングの繰り返し等に
起因した、感光体表面へのトナーの付着という問題もあ
り、これに対しては感光体表面のクリーニング性の向上
が求められている。

【０００４】上記のような感光体表面に要求される様々
な特性を満たすために、感光層上に樹脂を主成分とする
種々の表面保護層を設ける試みがなされている。例え
ば、特開昭５７−３０８４３号公報には、導電性粒子と
して金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御
した保護層が提案されている。

【０００５】電子写真感光体用の保護層に金属酸化物を
分散するのは、保護層自体の電気抵抗を制御し、電子写
真プロセスの繰り返しによる感光体内での残留電位の増
加を防止するのがその主な目的であり、他方、電子写真
感光体の保護層の適切な抵抗値は、１０¹⁰〜１０¹⁵Ω・
ｃｍであることが知られている。しかしながら、前記の
範囲の抵抗値においては、保護層の電気抵抗はイオン電
導によって影響を受け易く、そのため環境の変化によっ
て電気抵抗が大きく変化する傾向にある。特に、金属酸
化物を膜中に分散している場合には、金属酸化物表面の
吸水性が高いために、全環境において、しかも電子写真
プロセスの繰り返しを行う際に、保護層の抵抗を前記範
囲以内に保つことはこれまで非常に困難であった。

【０００６】特に高湿下においては、帯電により発生す
るオゾンやＮＯｘ等の活性物質等が表面に繰り返し付着
することにより、感光体の表面低下や表面層からのトナ
ーの離型性の低下を引き起こし、画像流れの発生、画像
均一性が欠ける等の問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、摺擦
による表面層の摩耗や傷の発生等に対して耐久性を有
し、高品位の画質を保つことのできる電子写真感光体、
この電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び
電子写真装置を提供することである。

【０００８】本発明の別の目的は、繰り返し電子写真プ
ロセスにおいて表面抵抗の低下がなく、高湿下において
も高品位の画像を保つことのでき、かつ残留電位の蓄積
や感度の低下がない安定した電子写真特性を示す電子写
真感光体、この電子写真感光体を有するプロセスカート
リッジ及び電子写真装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に従って、支持体
上に感光層を有する電子写真感光体において、電子写真
感光体の表面層が、コロイダルシリカ及び下記一般式
（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を硬
化することによって得られる化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体、この電子写真感光体を有する
プロセスカートリッジ及び電子写真装置が提供される。

【００１０】

【化３】

【００１１】式中、Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑは加水
分解基又は水酸基を示し、Ｒ²は置換基を有してもよい
一価炭化水素基を示し、Ｒ³は置換基を有してもよいア
ルキレン基又はアリーレン基を示し、ｍは１〜３の整数
を示し、ｌは正の整数を示す。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。

【００１３】本発明においては、感光体の表面層にコロ
イダルシリカを含有することにより、表面層の硬度が増
加し、摺擦による表面層の摩耗や傷の発生等に対する耐
久性が向上した。また、コロイダルシリカの表面が、有
機ケイ素変成正孔輸送性化合物によって被覆されている
ことにより、コロイダルシリカの吸水による表面抵抗の
低下が抑えられているため、高湿下においても画像流れ
のない良好な画像を得ることができた。

【００１４】上記一般式（１）において、Ｑは加水分解
性基又は水酸基を示し、加水分解性基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、メチルエチルケトオキシム基、ジエ
チルアミノ基、アセトキシ基、プロペノキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基、メトキシエチル基等が挙げられ、
より好ましくは−ＯＲ¹で示される。Ｒ¹は加水分解性基
であるアルコキシ基あるいはアルコキシアルコキシ基を
形成する基であり、炭素数が１〜６の整数であることが
好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、メトキシエチル基
等が挙げられる。Ｑとしては、式−ＯＲ¹でＲ¹がアルコ
キシ基であることが好ましい。

【００１５】一般にケイ素原子に結合している加水分解
性基の数ｍが１のときは、有機ケイ素化合物自体での縮
合は起こり難く高分子化反応は抑制されるが、ｍが２又
は３のときは縮合反応が生じ易く高度に架橋反応を行う
ことが可能であることから、得られる硬化物の硬度等の
改善が期待できるが、高分子量化して溶解性及びケイ素
系熱硬化性樹脂との反応性が変化してしまう場合があ
る。

【００１６】Ｒ²はケイ素原子に直接結合した一価炭化
水素基であり、炭素数が１〜１５であることが好まし
く、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基等が挙げられる。この他に、ビニル基、
アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等の
アリール基が挙げられる。また、Ｒ²が有してもよい置
換基としては、フッ素等のハロゲン原子が挙げられ、ハ
ロゲン置換一価炭化水素基としては、例えば、トリフル
オロプロピル基、ヘプタフルオロペンチル基、ノナフル
オロヘキシル基等で代表されるフロロ炭化水素基等が挙
げられる。

【００１７】Ｒ³はアルキレン基又はアリーレン基を示
し、炭素数が１〜１８であることが好ましく、例えば、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、シクロヘキシ
リデン基、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン
基、更にはこれらが結合した基等が挙げられる。また、
Ｒ³が有してもよい置換基としては、メチル基、エチル
基等のアルキル基、フェニル基のアリール基、フッ素原
子、塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。これらの
中では、Ｒ³が式−（ＣＨ₂）ｎ−（ｎは正の整数）で示
されることが好ましい。ｎは１〜１８であることが更に
好ましいが、必ずしも直鎖状である必要はない。ｎが１
９以上では、正孔輸送性基Ａが運動し易いため硬度が低
下し、ケイ素原子に直接電荷輸送性基が結合していると
立体障害等で安定性、物性に悪影響を与え易い。ｎは好
ましくは２〜８である。

【００１８】また、ｌは正の整数を示すが、１〜５であ
ることが好ましい。ｌが６以上では、硬化反応において
未反応基が残り易いため電子写真特性等が低下し易い。

【００１９】本発明における電荷輸送性とは、電荷を輸
送する能力のことであり、イオン化ポテンシャルで６．
２ｅＶ以下であることが好ましい。つまり、前記一般式
（１）で示される有機ケイ素変成電荷輸送性化合物及び
Ａの水素付加物は、イオン化ポテンシャルが６．２ｅＶ
以下であることが好ましく、特には４．５〜６．２ｅＶ
であることが好ましい。イオン化ポテンシャルが６．２
ｅＶを越えると、正孔注入が起こり難く帯電し易くな
る。また、４．５ｅＶ未満では、化合物が容易に酸化さ
れるために劣化し易くなる。イオン化ポテンシャルは、
大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−
１）によって測定される。

【００２０】また、上記有機ケイ素変成正孔輸送性化合
物は、正孔輸送能として１×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以
上のドリフト移動度を有しているものが好ましい。１×
１０^- ⁷ｃｍ²／Ｖｓｅｃ未満では、電子写真感光体とし
て露光後、現像までに正孔が十分に移動できないために
見かけ上の感度が低減し、残留電位も高くなってしまう
問題が発生する場合がある。

【００２１】上記一般式（１）の正孔輸送性基Ａとして
は、正孔輸送性を示すものであればいずれのものでもよ
く、その水素付加化合物（正孔輸送材料）としては、例
えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン等のトリアリ
ールアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルア
ミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチ
リルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニル
スチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘
導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフ
ラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘
導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体等が挙げられ
る。

【００２２】正孔輸送性基Ａとしては、構造が下記一般
式（２）で示されるものが好ましい。

【００２３】

【化４】

【００２４】式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は有機基であり、
そのうちの少なくとも一つは芳香族炭化水素環基又は複
素環基を示し、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一であっても異な
っていてもよい。

【００２５】このように正孔輸送性基Ａは、Ｒ⁴、Ｒ⁵及
びＲ⁶のうちの一つの基の水素原子が除かれて形成され
た基である。以下に、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶の構造の好まし
い具体例を示すが、これに限定されるものではない。

【００２６】

【化５】

【００２７】

【化６】

【００２８】

【化７】

【００２９】上記一般式（１）の有機ケイ素変成電荷輸
送性化合物の合成方法としては、公知の方法、例えば、
芳香族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水
素化ケイ素化合物とから白金系触媒、あるいは有機過酸
化物等を触媒にヒドロシリル化反応を行うものが好適に
用いられる。この場合に使用される白金触媒について
は、特に限定するものではなく、通常のヒドロシリル化
反応、付加型シリコーンゴムに用いられている白金触媒
であればよく、例えば、塩化白金、塩化白金酸、白金−
オレフィン錯体、白金−フォスフィン錯体等が挙げられ
る。白金触媒の添加量に関しては、特に制限するもので
はないが、残留触媒が特性に悪影響を与えないようにで
きる限り少量で用いることが望ましい。

【００３０】芳香族環にビニル基を有する化合物と置換
基を有する水素化ケイ素化合物とが白金系触媒等によ
り、付加反応により本発明の化合物を合成する場合に
は、ビニル基のα位と反応する場合とβ位と反応する場
合があり、一般には混合物が生じる。本発明において
は、α位、β位のどちらに反応したものも用いられる
が、ケイ素原子と電荷輸送性基を結合している炭化水素
基の炭素数が少ない場合には、立体障害からはβ位に反
応したものが好ましい。

【００３１】有機過酸化物としては、室温以上に半減期
を示すものであればよく、特にラウリルパーオキシド等
のアルキル過酸化物が、水素引き抜きを起こし難いこと
から好適に用いることができる。ビニル基を有しないも
のについては、芳香族環をホルミル化し、還元、脱水す
るか、直接Ｗｉｔｔｉｇ反応によりビニル基を導入する
方法等により、本発明の合成原料として用いることが可
能である。

【００３２】次に、コロイダルシリカについて説明す
る。

【００３３】本発明に用いられるコロイダルシリカは、
市販のアルコール分散系のものが用いられる。粒径は、
好ましくは５ｎｍ〜１５０ｎｍのものが用いられ、より
好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍの粒径のものであり、分
散安定性と光学特性から優れている。本発明のコロイダ
ルシリカには、Ｎａ₂Ｏ等のアルカリ金属酸化物の含有
量が２重量％以下のものが用いられる。分散溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔ−
ブタノール、ｎ−ブタノール等の低級脂肪族アルコール
が用いられる。

【００３４】上記の有機ケイ素変成電荷輸送性化合物と
コロイダルシリカの架橋硬化には、必ずしも触媒が必要
ではないが、通常ケイ素樹脂の硬化に用いられる触媒の
使用を妨げるものではなく、硬化に要する時間、硬化温
度等を考慮して、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫
ジラウレート、ジブチル錫オクトエート等のアルキル錫
有機酸塩等もしくは、ノルマルブチルチタネート等の有
機チタン酸エステルから適宜選択される。

【００３５】本発明においては、コロイダルシリカと本
発明の有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の硬化時に３次
元架橋構造が形成されることにより、各元素間の運動や
外部からの化合物の侵入が困難になることから、硬度や
機械的強度が増大し、耐摩耗性が向上するのみでなく、
帯電時に発生するアーク放電等の電気的な障害や化学物
質等に対する耐久性も向上させることが可能となる。

【００３６】前記コロイダルシリカと有機ケイ素変成電
荷輸送性を硬化する前の溶液（本発明の硬化性組成物と
もいう）は、例えば、両者を溶解する溶媒中に混合する
ことで得られる。コロイダルシリカの溶媒を取り除いた
固形分１００重量部に対して有機ケイ素変成電荷輸送性
化合物は、２０〜２００重量部混合して用いられことが
好ましい。２０重量部未満では、電荷輸送性が不十分と
なるために帯電電位が増加して好ましくない。また、２
００重量部を越えると機械的強度が低下し、表面エネル
ギーが増加することから好ましくない。より好ましく
は、有機ケイ素系高分子１００重量部に対して有機ケイ
素変成電荷輸送性化合物は３０〜１５０重量部で用いら
れる。

【００３７】また、硬化の条件としては１００〜２００
℃で加熱することが好ましい。１００℃未満では硬化反
応に時間がかかるため、未反応の加水分解性基が残存す
る可能性もある。２００℃を越えると電荷輸送性基が酸
化劣化し易くなり、悪影響が発生し易い。より望ましく
は、１２０〜１６０℃で加熱硬化して用いられる。

【００３８】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
を用いて電子写真感光体を製造する例を、図１及び図２
の本発明の電子写真感光体の層構造の例を示す図を参照
しながら下記に示す。

【００３９】電子写真感光体の支持体（図１及び図２中
の１）としては、支持体自体が導電性を有するもの、例
えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、クロム、チタン、ニッケル、マグネシウム、
インジウム、金、白金、銀、鉄等を用いることができ
る。その他には、アルミニウム、酸化インジウム、酸化
スズ、金等を蒸着等によりプラスチック等の支持体に被
膜形成し、導電層としたものや、導電性微粒子をプラス
チックや紙に混合したもの等を用いることができる。

【００４０】これらの支持体は、均一な導電性が求めら
れると共に平滑な表面が重要である。表面の平滑性は、
その上層に形成される下引き層、電荷発生層、正孔輸送
層の均一性に大きな影響を与えることから、その表面粗
さは０．３μｍ以下で用いられることが好ましい。０．
３μｍを越える凹凸は、下引き層や電荷発生層のような
薄い層に印加される局所電場を大きく変化させてしまう
ために、その特性が大きく変化してしまい、電荷注入や
残留電位のむら等の欠陥を生じ易いことから好ましくな
い。

【００４１】特に、導電性微粒子をポリマーバインダー
中に分散して塗布することにより得られる導電層（図１
及び図２中の２）は、形成が容易であり、均質な表面を
形成することに適している。この時、用いられる導電性
微粒子の一次粒径は、好ましくは１００ｎｍ以下であ
り、より好ましくは５０ｎｍ以下のものが用いられる。

【００４２】導電性微粒子としては、例えば、導電性酸
化亜鉛、導電性酸化チタン、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、カーボンブラック、ＩＴＯ、酸化ス
ズ、酸化インジウム、インジウム等が用いられ、これら
を絶縁性微粒子の表面にコーティングして用いてもよ
い。前記導電性微粒子の含有量は、体積抵抗が十分に低
くなるように使用され、好ましくは１×１０¹⁰Ωｃｍ以
下の抵抗となるように添加される。より好ましくは１×
１０⁸Ωｃｍ以下で用いられる。

【００４３】レーザー等のコヒーレントな光源を用いて
露光する場合は、干渉による画像劣化を防止するため
に、上記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可
能である。この時は、電荷注入や残留電位のむら等の欠
陥が生じ難いように、使用する光の波長の１／２λ程度
の凹凸を、数μｍ以下の直径のシリカビーズ等の絶縁物
を分散することに１０μｍ以下の周期で形成して用いる
ことが可能である。

【００４４】本発明においては、支持体と光導電層の中
間に、注入阻止機能と接着機能をもつ下引き層（図１及
び図２中の３）を設けることもできる。下引き層の材料
としては、例えば、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、
ポリビニルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、
ポリウレタン、ゼラチン等が挙げられる。下引き層の膜
厚は、好ましくは０．１μｍ〜１０μｍであり、特には
０．３μｍ〜３μｍであることが好ましい。

【００４５】感光層としては、電荷発生材料を含有する
電荷発生層（図１及び図２中の４）と電荷輸送材料を含
有する電荷輸送層（図１及び２中の５）からなる機能分
離タイプのものや、電荷発生材料と電荷輸送材料を同一
の層に含有する単層タイプ（不図示）が用いられる。

【００４６】電荷発生材料としては、例えば、セレン−
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料、シアニン系顔料等が挙げられ
る。

【００４７】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
の硬化物は、電荷輸送層（図１中の５）もしくは正孔輸
送能を有する表面保護層（図２中の６）として用いるこ
とが可能である。単層感光体として用いる場合は、前記
電荷発生材料と本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成
物と組み合わせて用いることにより良好な特性が得られ
る。

【００４８】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
は、他の電荷輸送材料と組み合わせて用いることが可能
であるが、かかる正孔輸送材料としては、例えば、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリスチリルアントラセン
等の複素環や縮合多環芳香族を有する高分子化合物や、
ピラゾリン、イミダゾール、オキサゾール、オキサジア
ゾール、トリアゾール、カルバゾール等の複素環化合
物、トリフェニルメタン等のトリアリールアルカン誘導
体、トリフェニルアミン等のトリアリールアミン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾ
ール誘導体、スチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体等の
低分子化合物が挙げられる。

【００４９】上記、電荷発生材料や正孔輸送材料は、必
要に応じてバインダー樹脂が用いられる。バインダー樹
脂の例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビ
ニリデン、トリフルオロエチレン等のビニル化合物の重
合体及び共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニル
アセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリス
ルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セ
ルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、けい素
樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。

【００５０】光導電層には、前記化合物以外にも機械的
特性の改良や耐久性向上のために添加剤を用いることが
できる。このような添加剤としては、例えば、酸化防止
剤、紫外線吸収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤、導電性
制御剤等が挙げられる。

【００５１】本発明における電荷発生層の膜厚は、３μ
ｍ以下であることが好ましく、特には０．０１〜１μｍ
であることが好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は１〜
４０μｍであることが好ましく、特には３〜３０μｍで
あることが好ましい。感光層が単層タイプである場合
は、その膜厚は１〜４０μｍであることが好ましく、特
には３〜３０μｍであることが好ましい。

【００５２】本発明における表面保護層の厚みは、１〜
１５μｍであることが好ましい。１μｍ未満では保護効
果が十分ではなく、１５μｍを越えると感光層全体の膜
厚が増加することにより、画像劣化が生じ易くなってし
まうことから好ましくない。

【００５３】本発明においては、更に露光手段が照射す
る光ビームのスポット面積と電子写真感光体が有する感
光層の膜厚の積が２×１０⁴μｍ³以下であることが好ま
しい。また、この積は現像コントラストの大きさ（現像
時の感光体上の電位差）の点で２×１０³μｍ³以上であ
ることが好ましい。２×１０³μｍ³に満たないと十分な
現像コントラストは得にくくなる傾向になる。

【００５４】この場合、本発明に用いられる露光方法
は、光をドット状に照射することによって感光体上に静
電潜像を形成するものである。その光源は、特に制限さ
れるものではないが、より小さなスポット面積をより容
易に得ることができるという点でレーザー光及びＬＥＤ
光であることが好ましい。

【００５５】図３に光の強度分布、スポット径及びスポ
ット面積（Ｓ）と感光層の厚さの積の関係を示す。光ス
ポットは、一般的には図３に示すように主走査スポット
径（ａｂ）と副走査スポット径（ｃｄ）を有する楕円形
の形状を有しており、本発明におけるスポット面積と感
光層の厚さの積は、光スポットが感光層へ照射されてい
る部分の体積（Ｖ）であるといえる。光ビームのスポッ
ト面積は、ピーク強度の１／ｅ²に減少するまでの部分
で表わされる。

【００５６】光のスポット面積（Ｓ）は、感光層上の面
積であり、光の強度がピーク強度（Ａ）の１／ｅ
²（Ｂ）以上である部分の面積で表される。用いられる
光源としては、半導体レーザーやＬＥＤ等が挙げられ、
光強度分布についてもガウス分布、ローレンツ分布等が
あるが、いずれの場合もピーク強度（Ａ）の１／ｅ
²（Ｂ）以上の強度の部分をスポット面積（Ｓ）とす
る。なお、スポット面積（Ｓ）は、感光体の位置にＣＣ
Ｄカメラを設置することにより測定することができる。

【００５７】本発明における光のスポット面積（Ｓ）
は、４×１０³μｍ²以下であることが好ましく、特には
３×１０³μｍ²以下であることが好ましい。４×１０³
μｍ²を越えると隣接画素の光と重複し易くなり、階調
再現性が不安定となり易い。また、コストの点から１×
１０³μｍ²以上であることが好ましい。

【００５８】上記スポット面積（Ｓ）と感光層の膜厚の
積の関係から、本発明における感光層の厚さは１２μｍ
以下であることが好ましく、特には１０μｍ以下である
ことが好ましい。

【００５９】本発明の電子写真感光体は、極めて優れた
機械的強度及び表面潤滑性を有しているので、このよう
な系に用いられる感光体として非常に好ましい。

【００６０】図４に本発明のプロセスカートリッジを有
する電子写真装置の第１の例の概略構成を示す。

【００６１】図において、７はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸８を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体７は、回転過程において、
一次帯電手段９によりその周面に正又は負の所定電位の
均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光等の
露光手段（不図示）からの露光光１０を受ける。こうし
て感光体７の周面に静電潜像が順次形成されていく。

【００６２】形成された静電潜像は、次いで現像手段１
１によりトナー現像され、現像されたトナー像は、不図
示の給紙部から感光体７と転写手段１２との間に感光体
７の回転と同期して取り出されて給紙された転写材１３
に、転写手段１２により順次転写されていく。

【００６３】像転写を受けた転写材１３は、感光体面か
ら分離されて像定着手段１４へ導入されて像定着を受け
ることにより画像形成物（コピー、プリント）として装
置外にプリントアウトされる。

【００６４】像転写後の感光体７の表面は、クリーニン
グ手段１５によって転写残りトナーの除去を受けて清浄
面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１
６により除電処理された後、繰り返し像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段９が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。

【００６５】本発明においては、上述の電子写真感光体
７、一次帯電手段９、現像手段１１及びクリーニング手
段１５等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカー
トリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカ
ートリッジを複写機やレーザービームプリンタ等の電子
写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例え
ば、一次帯電手段７と共に一体に支持してカートリッジ
化して、装置本体のレール１８等の案内手段を用いて装
置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１７とするこ
とができる。

【００６６】図５に本発明の電子写真装置の第２の例で
あるカラー複写機の概略構成図を示す。

【００６７】図において２０１はイメージスキャナ部で
あり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分で
ある。また、２０２はプリンタ部であり、イメージスキ
ャナ部２０１に読み取られた原稿画像に対応した画像を
用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。

【００６８】イメージスキャナ部２０１において、２０
０は原稿厚板であり、原稿台ガラス２０３上の原稿２０
４を固定するために用いられる。原稿２０４は、赤外カ
ットフィルター２０８を通ったハロゲンランプ２０５の
光で照射される。原稿２０４からの反射光は、ミラー２
０６、２０７に導かれ、レンズ２０９により３本のＣＣ
Ｄラインセンサで構成される３ラインセンサ（以下ＣＣ
Ｄという）２１０上に像を結ぶ。

【００６９】ＣＣＤ２１０は、原稿からの光情報を色分
解して、フルカラー情報のうちレッド（Ｒ）、グリーン
（Ｇ）、ブルー（Ｂ）成分として信号処理部２１１に送
られる。なお、２０５、２０６は速度Ｖで、２０７は１
／２Ｖでラインセンサの電気的走査方向（以下、主走査
方向）に対して垂直方向（以下、副走査方向）に機械的
に動くことにより、原稿全面を走査する。

【００７０】信号処理部２１１では、読み取られた信号
を電気的に処理し、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イ
エロー（Ｙ）、ブラック（ＢＫ）の各成分に分解し、プ
リンタ部２０２に送られ、計４回の原稿走査により一回
のプリントアウトが完成する。

【００７１】イメージスキャナ部２０１より送られてく
るＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの画像信号は、レーザドライバ２１
２に送られる。レーザドライバ２１２は、画像信号に応
じて、半導体レーザー２１３を変調駆動する。レーザー
光は、ポリゴンミラー２１４、ｆ−θレンズ２１５、ミ
ラー２１６を介し、感光体ドラム２１７上を走査する。

【００７２】２１８は回転現像機であり、マゼンタ現像
器２１９、シアン現像器２２０、イエロー現像器２２
１、ブラック現像器２２２より構成され、４つの現像器
が交互に感光体ドラムに接し、感光体ドラム２１７上に
形成されたＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの静電潜像を対応するトナ
ーで現像する。

【００７３】２２３は転写ドラムで、用紙カセット２２
４又は２２５より給紙された用紙をこの転写ドラム２２
３に巻付け、感光体ドラム２１７上に現像されたトナー
像を用紙に転写する。このようにしてＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫ
の４色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット２２
６を通過して定着後、排紙される。

【００７４】

【実施例】以下に、本発明を実施例をもって具体的に説
明するが、本発明は実施例によって制限されるものでは
ない。なお、実施例中の「部」は重量部を示す。

【００７５】（有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の合成
例１）４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ノ］−［２−（トリエトキシシリル）エチル］ベンゼン
の合成＜Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノベ
ンゼンの合成＞４−ヨード−ｏ−キシレン３８．５ｇ
（１６６ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム２２．９ｇ（１
６６ｍｍｏｌ）及び銅粉７．０ｇをニトロベンゼン２０
ｍｌに加え、撹拌下にて加熱還流を８時間行った。冷却
後に濾過し、沈殿を除去した。得られた反応混合物を、
シリカゲルカラムに通しＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチ
ルフェニル）アミノベンゼンを得た。収量１５．７ｇ
（収率６９％）。

【００７６】＜４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）アミノ］ベンズアルデヒドの合成＞三つ口フ
ラスコにＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ア
ミノベンゼン１２４．６ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、撹拌
しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下
終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、４リット
ルの温水へ注ぎ１時間撹拌した。その後、沈殿物を口取
し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４
−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ノ］ベンズアルデヒドを得た。収量１０７．６ｇ（収率
７９．０％）。

【００７７】＜４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）アミノ］スチレンの合成＞水素化ナトリウム
１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタン５８０ｍｌを三
つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらトリメチルホ
スフォニウムブロマイド１０８．５ｇを加えた。次に、
無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応さ
せた。以上のようにして得られた反応混合液に、４−
［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ］
ベンズアルデヒド１００．０ｇを加え、７０℃で５時間
反応させた後、口別し、口取したケーキをエーテル抽出
し口液と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化
カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を
得た。これをエタノールで再結晶を二回行い、針状の４
−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ノ］スチレンを得た。収量８４．５ｇ（収率８５．０
％）。

【００７８】＜４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチル
フェニル）アミノ］スチレンのヒドロシリル化＞トルエ
ン４０ｍｌ、トリエトキシシラン６．０ｇ（３７ｍｍｏ
ｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）
二白金（Ｏ）のトルエン溶液０．５４ｍｍｏｌを三つ口
フラスコに取り、室温で撹拌しながら４−［Ｎ，Ｎ−ビ
ス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ］スチレン９．
９ｇのトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、
７０℃で３時間撹拌を行った後、活性炭及びシリカゲル
カラムにて白金触媒を除去した。溶媒を減圧下で除去
し、淡黄色油状の４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチ
ルフェニル）アミノ］−［２−（トリエトキシシリル）
エチル］ベンゼンを得た。収量９．４ｇ（収率６３．１
％）。

【００７９】４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）アミノ］−［２−（トリエトキシシリル）エチ
ル］ベンゼンのＨ−ＮＭＲスペクトルを図６に示す（ブ
ルカー社製、ＡＰＣ３００ＮＭＲスペクトロメー
タ）。また、この化合物のＣ−ＮＭＲスペクトルを図７
に示す（ブルカー社製、ＡＰＣ３００ＮＭＲスペクト
ロメータ）。

【００８０】この化合物に含まれる残留白金量をＩＣＰ
−ＭＳ法にて測定したところ、白金量は０．５ｐｐｍで
あった。また、この化合物のイオン化ポテンシャルを大
気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−
１）にて測定したところ、５．２６ｅＶであった。

【００８１】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を形成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。このサンプルに対し、パルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ９×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００８２】（有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の合成
例２）４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ノ］−［２−（トリエトキシシリル）エチル］ベンゼン
の合成＜Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ］
スチレンのヒドロシリル化＞トルエン４０ｍｌ、トリエ
トキシシラン６．０ｇ（３７ｍｍｏｌ）及びジクロロ
（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）
０．３４ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌
しながら４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミノ］スチレン９．９ｇのトルエン溶液２０ｍｌ
を滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った
後、活性炭及びシリカゲルカラムにて白金触媒を除去し
た。溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４−［Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ］−［２−
（トリエトキシシリル）エチル］ベンゼンを得た。収量
９．８ｇ（収率６５．９％）。

【００８３】この化合物に含まれる残留白金量をＩＣＰ
−ＭＳ法にて測定したところ、白金量は０．３ｐｐｍで
あった。また、この化合物のイオン化ポテンシャルを大
気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−
１）にて測定したところ、５．３１ｅＶであった。

【００８４】この化合物を銅基板上にワイヤーバーコー
ト法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約
５μｍの膜を形成した。次に、蒸着により半透明金電極
を形成した。このサンプルに対し、パルス巾３ｎｓｅｃ
の波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏ
ｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したとこ
ろ７×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００８５】（実施例１）（正孔輸送能を有する硬化性組成物の調製）フラスコに
コロイダルシリカ（固形分３０％）のイソプロピルアル
コール分散液２２．２ｇを取り、撹拌しながら合成例１
で合成した４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）アミノ］−［２−（トリエトキシシリル）エチ
ル］ベンゼンのテトラヒドロフラン溶液２０．０ｇ、ジ
ブチル錫ジラウレート０．５ｇを添加した。添加後、混
合溶液を２時間６５〜７０℃に加熱し、反応させて硬化
性組成物Ｉを調製した。

【００８６】上記硬化性組成物Ｉをガラス板にバーコー
トを用いて塗布し、１２０℃で３時間乾燥熱処理した。
乾燥後、膜厚が１μｍの透明で均一な膜が得られた。得
られたサンプルを顕微鏡で観察したところ、均一フィル
ムが形成されたことが判明した。

【００８７】更に、このサンプルを分光光度計にて６０
０ｎｍの波長における吸収を測定したところ、膜厚１μ
ｍ当たりの吸光度として０．００１が得られ透明であっ
た。

【００８８】（感光体の作製）鏡面加工により作成した
外径８０ｍｍのアルミニウムシリンダーを用いて、下引
き層としてアルコール可溶性共重合ナイロン（商品名：
アミランＣＭ−８０００、東レ（株）製）５部をメタノ
ール９５部に溶解した溶液を浸漬コーティング法により
塗工した。８０℃で１０分間乾燥して、膜厚が１μｍの
下引き層を形成した。

【００８９】次に、電荷発生層として下記構造式のビス
アゾ顔料５部をシクロヘキサノン９５部にポリビニルベ
ンザール（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解した
液に加え、サンドミルで２０時間分散した。この分散液
を、先に形成した下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．２
μｍとなるように浸漬コーティング法で塗工し、電荷発
生層を形成した。

【００９０】

【化８】

【００９１】次いで、下記構造式を有するトリアリール
アミン化合物５部とポリカーボネート樹脂（商品名：Ｚ
−２００、三菱瓦斯化学（株）製）５部をクロロベンゼ
ン７０部に溶解した電荷輸送層用の液に、平均粒径２μ
ｍのシリコーン樹脂微粒子０．３部を添加したものを、
前記電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後
１０μｍの膜厚になるように塗工し、電荷輸送層を形成
した。

【００９２】

【化９】

【００９３】次に、合成例１で合成した硬化性組成物Ｉ
を前記電荷輸送層の上にスプレーコーティング法によ
り、塗工した。１４０℃で４時間乾燥、熱硬化すること
で、膜厚が２μｍの表面保護層を形成した。

【００９４】この電子写真感光体を、−７００Ｖに帯電
して波長６８０ｎｍの光で電子写真特性を測定したとこ
ろ、Ｅ_1/2（−３５０Ｖまで帯電電位が減少するために
必要な露光量）が１．２μＪ／ｃｍ²、残留電位が−１
８Ｖと良好であった。

【００９５】本電子写真感光体を、キヤノン製デジタル
フルカラー複写機ＣＬＣ−５００の改造機（（１／
ｅ²）を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０
μｍの照射スポット径となるように改造）を用いて、初
期帯電−５００Ｖにて画像評価を行ったところ、初期及
び３万枚繰り返し使用の耐久試験後も黒ポチ等の電荷注
入及び干渉縞もなく、感光体の摩耗量も１．５μｍと少
なく、均一性の優れた画像出力が得られ、階調再現性も
４００ｄｐｉで２５６階調と極めて良好であった。ま
た、１０℃／湿度１５％の低温低湿下及び３５℃／湿度
８０％の高温高湿下においても、ボソ抜け等によるムラ
や黒ポチのない画像を得ることができた。

【００９６】（比較例１）実施例１において、保護層を
塗工しないこと以外は同様にして作成した電子写真感光
体の画像評価を行ったところ、２万枚の耐久試験後に黒
ポチ等が大量に発生したために良好な画像は得られなか
った。感光体の摩耗量は、２万枚で５μｍと極めて大き
かった。

【００９７】（比較例２）（正孔輸送能を有する硬化性組成物の調製）フラスコに
コロイダルシリカ（固形分３０％）のイソプロピルアル
コール分散液２２．２ｇを取り、撹拌しながら実施例１
の電荷輸送層にて使用したトリアリールアミン化合物の
テトラヒドロフラン溶液１０．０ｇ、メチルトリエトキ
シシラン５ｇジブチル錫ジラウレート０．５ｇを添加し
た。添加後、混合溶液を２時間６５〜７０℃に加熱し、
反応させて硬化性組成物ＩＩを調製した。

【００９８】上記硬化性組成物ＩＩをガラス板にバーコ
ートを用いて塗布し、１２０℃で３時間乾燥熱処理し
た。乾燥後、フィルムは白濁し顕微鏡でトリアリールア
ミン化合物の析出が観察された。

【００９９】（実施例２）（正孔輸送能を有する硬化性組成物の調製）フラスコに
コロイダルシリカ（固形分３０％）のキシレン４５％／
ｎ−ブタノン５５％混合分散液２２．２ｇを取り、撹拌
しながら合成例２で合成した４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）アミノ］−［２−（トリエトキ
シシリル）エチル］ベンゼンのテトラヒドロフラン溶液
２０．０ｇ、ジブチル錫ジラウレート０．５ｇを添加し
た。添加後、混合溶液を２時間６５〜７０℃に加熱し、
反応させて硬化性組成物ＩＩＩを調製した。

【０１００】（感光体の作製）引き抜き加工により得ら
れた外径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、フェ
ノール樹脂（商品名：プライオーフェン、大日本インキ
化学工業（株）製）１６７部をメチルセルソルブ１００
部に溶解したものに、導電性硫酸バリウム超微粒子（１
次粒径５０ｎｍ）２００部及び平均粒径２μｍのシリコ
ーン樹脂粒子３部を分散したものを浸漬コーティング法
により塗工し、乾燥後の膜厚が１５μｍの導電層を形成
した。

【０１０１】上記導電層上に、アルコール可溶性共重合
ナイロン（商品名：アミランＣＭ−８０００、東レ
（株）製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸
漬コーティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾
燥して、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１０２】次に、電荷発生層用分散液としてＣｕＫα
特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の
９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．９°に強
いピークを有するオキシチタニルフタロシアニン顔料５
部をシクロヘキサノン９５部にポリビニルベンザール
（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解した液に加
え、サンドミルで２時間分散し、電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を、先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工し、電荷発生層を形成した。

【０１０３】次いで、実施例１で用いたトリアリールア
ミン化合物１０部とポリカーボネート樹脂（商品名：Ｚ
−４００、三菱瓦斯化学（株）製）１０部をテトラヒド
ロフラン５０部に溶解した液に先に調製した硬化性組成
物ＩＩＩ１０部を混合し、前記の電荷発生層の上に浸
漬コーティング法により塗工した。１２０℃で５時間乾
燥、熱硬化し、電荷輸送層の膜厚が１０μｍの透明で均
一な電荷輸送層を作成した。

【０１０４】この電子写真感光体を−７００Ｖに帯電
し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定し
たところ、Ｅ_1/2（−３５０Ｖまで帯電電位が減少する
ために必要な露光量）が０．２Ｊ／ｃｍ²、残留電位が
−２５Ｖと良好であった。

【０１０５】本電子写真感光体を、キヤノン製レーザー
ビームプリンタＬＢＰ−８ＩＶの改造機（（１／ｅ²）
を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０μｍの
照射スポット径となるように改造）を用い、初期帯電−
５００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、４０００
枚の繰り返し使用の耐久試験後の感光体の摩耗量は０．
２μｍと少なく、画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当
の入力信号においてのハイライト部の一画素再現性も十
分であった。また、１０℃／湿度１５％の低温低湿下及
び３５℃／湿度８０％の高温高湿下においても、ボソ抜
け等によるムラや黒ポチのない画像を得ることができ
た。

【０１０６】（比較例３）実施例１において用いたトリ
アリールアミン化合物５部とポリカーボネート樹脂（商
品名：Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）５部をクロ
ロベンゼン７０部に溶解した電荷輸送層用分散液を、実
施例２の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により塗
工することによって、乾燥後の膜厚が１０μｍの電荷輸
送層を形成した。得られた電子写真感光体を、実施例２
と同様に評価したところ、４０００枚の繰り返し使用の
耐久試験後は干渉縞及び黒ポチが認められ、摩耗量が
１．８μｍと大きく、６００ｄｐｉでのハイライト部の
一画素再現も不十分でムラがあった。

【０１０７】（実施例３）（正孔輸送能を有する硬化性組成物の調製）フラスコに
コロイダルシリカ（固形分３０％）のイソプロピルアル
コール分散液２２．２ｇを取り、撹拌しながら合成例２
で合成した４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）アミノ］−［２−（トリエトキシシリル）エチ
ル］ベンゼンのトルエン溶液６０．０ｇを添加した。添
加直後の混合溶液は白濁するが、ジブチル錫ジラウレー
ト０．５ｇを添加し、混合溶液を２時間６５〜７０℃に
加熱し、反応させることにより透明な硬化性組成物ＩＶ
を調製した。

【０１０８】（感光体の作製）実施例２と同様のアルミ
ニウムシリンダー上に、フェノール樹脂（商品名：プラ
イオーフェン、大日本インキ化学工業（株）製）１６７
部をメチルセルソルブ１００部に溶解したものに、導電
性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）２００部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１０μｍとなるように塗工した。この導電性支持
体に、実施例２と同様にして膜厚１μｍの下引き層及び
膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。

【０１０９】次いで、硬化性組成物ＩＶを前記の電荷発
生層の上に浸漬コーティング法により塗工した。１２０
℃にて５時間乾燥、熱硬化し、膜厚が１０μｍの電荷輸
送層を形成した。

【０１１０】この電子写真感光体を、−７００Ｖに帯電
し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定し
たところ、Ｅ_1/2（−３５０Ｖまで帯電電位が減少する
ために必要な露光量）が０．２２Ｊ／ｃｍ²、残留電位
が−３８Ｖと良好であった。

【０１１１】本電子写真感光体を、キヤノン製レーザー
ビームプリンタＬＢＰ−８ＩＶの改造機（（１／ｅ²）
を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０μｍの
照射スポット径となるように改造）を用い、初期帯電−
５００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、４０００
枚の繰り返し使用の耐久試験後の感光体の摩耗量は０．
２μｍと少なく、画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当
の入力信号においてのハイライト部の一画素再現性も十
分であった。また、１０℃／湿度１５％の低温低湿下及
び３５℃／湿度８０％の高温高湿下においても、ボソ抜
け等によるムラや黒ポチのない画像を得ることができ
た。

【０１１２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、摺擦によ
る表面層の摩耗や傷の発生等に対して耐久性を有し、か
つ残留電位の蓄積や感度の低下がなく安定した電子写真
特性を示し、更に繰り返し電子写真プロセスにおいて表
面抵抗の低下がなく、高湿下においても高品位の画像を
保つことのできる電子写真感光体、この電子写真感光体
を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供
することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図
である。

【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す別
の図である。

【図３】光の強度分布、スポット径及び光のスポット面
積と感光層の厚さの積の関係を示す図である。

【図４】本発明の電子写真装置の第１の例の概略構成を
示す図である。

【図５】本発明の電子写真装置の第２の例の概略構成を
示す図である。

【図６】合成例１の４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）アミノ］−［２−（トリエトキシシリ
ル）エチル］ベンゼンのＨ−ＮＭＲスペクトルである。

【図７】合成例１の４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）アミノ］−［２−（トリエトキシシリ
ル）エチル］ベンゼンのＣ−ＮＭＲスペクトルである。

【符号の説明】

１支持体２導電層３下引層４電荷発生層５電荷輸送層６表面保護層７感光体８軸９帯電手段１０露光光１１現像手段１２転写手段１３転写材１４定着手段１５クリーニング手段１６前露光光１７プロセスカートリッジ１８レール２００原稿厚板２０１イメージスキャナ部２０２プリンタ部２０３原稿台ガラス２０４原稿２０５ハロゲンランプ２０６，２０７ミラー２０８赤外カットフィルター２０９レンズ２１０３ラインセンサ（ＣＣＤ）２１１信号処理部２１２レーザドライバ２１３半導体レーザー２１４ポリゴンミラー２１５ｆ−θレンズ２１６ミラー２１７感光体ドラム２１８回転現像機２１９マゼンタ現像器２２０シアン現像器２２１イエロー現像器２２２ブラック現像器２２３転写ドラム２２４，２２５用紙カセット２２６定着ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者平岡敬子東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者 ▲高▼谷格東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者田中孝和東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に感光層を有する電子写真感光
体において、該電子写真感光体の表面層が、コロイダル
シリカ及び下記一般式（１）で示される有機ケイ素変成
正孔輸送性化合物を硬化することによって得られる化合
物を含有することを特徴とする電子写真感光体。【化１】（式中、Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑは加水分解基又は
水酸基を示し、Ｒ²は置換基を有してもよい一価炭化水
素基を示し、Ｒ³は置換基を有してもよいアルキレン基
又はアリーレン基を示し、ｍは１〜３の整数を示し、ｌ
は正の整数を示す）
【請求項２】Ｒ²が炭素数１〜１５の一価炭化水素基
又はハロゲン置換一価炭化水素基であり、Ｒ³が−（Ｃ
Ｈ₂）_n−（ｎは１〜１８の整数）で示され、ｌが１〜５
の整数である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】Ｑが−ＯＲ¹（Ｒ¹はアルキル基又はアル
コキシアルキル基）で示される請求項１又は２に記載の
電子写真感光体。
【請求項４】Ｒ¹の炭素数が１〜６である請求項３に
記載の電子写真感光体。
【請求項５】Ａが下記一般式（２）で示される請求項
１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体。【化２】（式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は有機基であり、そのうちの
少なくとも一つは芳香族炭化水素環基又は複素環基を示
し、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一であっても異なっていても
よい）
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の電子写
真感光体を、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、
静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像す
る現像手段、及び転写工程後の感光体上に残余するトナ
ーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれた
少なくとも一つの手段と共に一体に支持し、電子写真装
置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカー
トリッジ。
【請求項７】請求項１〜５のいずれかに記載の電子写
真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯
電した電子写真感光体に対し露光を行い静電潜像を形成
する露光手段、静電潜像の形成された電子写真感光体を
トナーで現像する現像手段、及び転写手段を有すること
を特徴とする電子写真装置。