JP2000122320A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 光散乱やブリードがなく、均一な状態の光導
電層であって低表面エネルギーと機械的、電気的耐久性
を両立した電子写真感光体、電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。 【解決手段】 電子写真感光体の表面層が下記式（１）
で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物及び下記式
（２）で示されるケイ素系化合物を硬化することによっ
て得られる樹脂を含有する電子写真感光体、電子写真感
光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置。 （式（１）中、Ａは正孔輸送性基を、Ｑ^１は加水分解性
基又は水酸基を、Ｒ^１はアルキレン基又はアリーレン基
を、Ｒ^２は一価炭化水素基を、ｎは１〜３の整数を示
す。式（２）中、Ｑ^２は加水分解性基又は水酸基を示
す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体、
プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しく
は特定の樹脂を含有する表面層を有する電子写真感光
体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び
電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の表面には、帯電手段、
現像手段、転写手段及びクリーニング手段等により電気
的あるいは機械的な影響が直接に加えられるために、そ
れらに対する耐久性が要求される。

【０００３】具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗
や傷の発生、及び高温下におけるコロナ帯電の感光体表
面の劣化等に対する耐久性が要求される。また、現像と
クリーニングの繰り返し等に起因した、感光体表面への
トナーの付着という問題もあり、これに対しては感光体
表面のクリーニング性の向上が求められている。

【０００４】上記のような感光体表面に要求される様々
な特性を満たすために、感光層上に樹脂を主成分とする
種々の表面保護層を設ける試みがなされている。例え
ば、特開昭５７−３０８４３号公報には、導電性粒子と
して金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御
した保護層が提案されている。

【０００５】また、表面層中に種々の物質を添加するこ
とで感光体表面の物性を改善することも検討されてい
る。例えば、シリコーンの低表面エネルギーに注目した
添加物としては、シリコーンオイル（特開昭６１−１３
２９５４号公報）、ポリジメチルシロキサン、シリコー
ン樹脂粉体（特開平４−３２４４５４号公報）、架橋シ
リコーン樹脂、（ポリカーボネート−シリコン）ブロッ
ク共重合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコーン
変成ポリエステルが報告されている。低表面エネルギー
の代表的なポリマーとしてはフッ素系高分子があり、フ
ッ素系高分子としては、ポリテトラフルオロエチレン粉
体、フッ化カーボン粉末等が挙げられる。また、耐磨耗
性や電気特性の向上の観点から表面層に電荷輸送性ポリ
エステルを用いる報告もされている。

【０００６】しかしながら、金属酸化物等を含む表面保
護層は高い硬度を有するものが得られるが、表面エネル
ギーは大きくなり易いためにクリーニング性等に問題が
ある。低表面エネルギーのポリマーであるフッ素系高分
子は、一般に溶媒に不溶であり、分散性も不良であるこ
とから、平滑な感光体表面を得ることが困難であり、屈
折率も小さいことから光散乱が生じ易く、それによる透
明性の劣化を生じる問題点があった。また、フッ素系高
分子は一般的に柔らかいために傷がつき易い問題点があ
った。また、シリコーン系樹脂は表面エネルギーが小さ
い点で優れているが他の樹脂に対して十分な相溶性を示
さないため、添加系では凝集し易く光散乱を生じたり、
ブリードして表面に偏析するために安定した特性を示さ
ない等の問題があった。また、表面層に電荷輸送性ポリ
エステルを用いた場合、耐磨耗性等の機械強度は向上す
るものの、耐トナーフィルミンク性やトナーの転写効率
が十分でなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題点を解決することのできる、すなわち光散乱やブ
リードがなく、均一な状態の光導電層であって低表面エ
ネルギーと機械的、電気的耐久性を両立した電子写真感
光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及
び電子写真装置を提供することにある。

【０００８】本発明の別の目的は、感光体の表面層の耐
摩耗性及び潤滑性が向上し、長寿命で高画質な電子写真
感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ
及び電子写真装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、支
持体上に感光層を有する電子写真感光体において、電子
写真感光体の表面層が下記一般式（１）で示される有機
ケイ素変成正孔輸送性化合物及び下記一般式（２）で示
されるケイ素系化合物を硬化することによって得られる
樹脂を含有する電子写真感光体、電子写真感光体を有す
るプロセスカートリッジ及び電子写真装置が提供され
る。

【００１０】

【化４】

【００１１】式中、Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑ¹は水
分解性基又は水酸基を示し、Ｒ¹は置換もしくは無置換
のアルキレン基又はアリーレン基を示し、Ｒ²は置換も
しくは無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜３の整
数を示す。

【００１２】

【化５】

【００１３】式中、Ｑ²は加水分解性基又は水酸基を示
し、Ｑ²はＱ¹と同一であって異なっていてもよい。

【００１４】上記一般式（１）、（２）において、Ｑ¹
及びＱ²は加水分解性基又は水酸基を示し、加水分解性
基としては、メトキシ基、エトキシ基、メチルエチルケ
トオキシム基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロ
ペノキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエチ
ル基等で、より好ましくは−ＯＲ³で示される。Ｒ³は加
水分解性基であるアルコキシ基又はアルコキシアルコキ
シ基を形成する基であり、炭素数が１〜６の整数である
ことが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、メトキシエ
チル基等で示される。Ｑ¹及びＱ²としては、−ＯＲ³で
あるアルコキシ基が好ましい。

【００１５】一般にケイ素原子に結合している加水分解
性基の数ｎが１又は２のときは有機ケイ素化合物自体で
の高分子化反応は抑制されるが、３ないし４のときは縮
合反応が生じ易く高度に架橋反応を行うことが可能であ
り、架橋密度の増大に伴って得られる重合体の硬度等の
改善が期待できる。

【００１６】上記一般式（１）において、Ｒ¹はアルキ
レン基又はアリーレン基を示し、炭素数が１〜１８であ
ることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、
プロピレン基、シクロヘキシリデン基、フェニレン基、
ビフェニレン基、ナフチレン基、更にはこれらが結合し
た基等が挙げられる。また、Ｒ¹が有してもよい置換基
としては、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェニ
ル基のアリール基、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン
原子が挙げられる。これらの中ではＲ¹が−（ＣＨ２）_m
−（ｍは正の整数）で示されることが好ましい。ｍは１
〜１８であることが更に好ましいが、必ずしも直鎖状で
ある必要はない。ｍが１９以上では正孔輸送性基Ａが運
動し易いため硬度が低下し、ケイ素原子に直接電荷輸送
性基が結合していると立体障害等で安定性、物性に悪影
響を与え易い。ｍは好ましくは２〜８である。

【００１７】Ｒ²はケイ素原子に直接結合した一価炭化
水素基であり、炭素数が１〜１５であることが好まし
く、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基等が挙げられる。この他に、ビニル基、
アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等の
アリール基が挙げられる。また、Ｒ²が有してもよい置
換基としてはフッ素等のハロゲン原子が挙げられ、ハロ
ゲン置換一価炭化水素基としては、例えば、トリフルオ
ロプロピル基、ヘプタフルオロペンチル基、ノナフルオ
ロヘキシル基等で代表されるフロロ炭化水素基等が挙げ
られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明における電荷輸送性とは、
電荷を輸送する能力のことであり、イオン化ポテンシャ
ルで６．２ｅＶ以下であることが好ましい。つまり、前
記一般式（１）で示される有機ケイ素変性正孔輸送性化
合物及びＡの水素付加物は、イオン化ポテンシャルが
６．２ｅＶ以下であることが好ましく、特には４．５〜
６．２ｅＶであることが好ましい。イオン化ポテンシャ
ルが６．２ｅＶを超えると、正孔注入が起こり難く、帯
電し易くなる。また、４．５ｅＶ未満では化合物が容易
に酸化されるために劣化し易くなる。イオン化ポテンシ
ャルは、大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装
置ＡＣ−１）によって測定される。

【００１９】また、上記の有機ケイ素変成正孔輸送性化
合物は、正孔輸送能として１×１０ ^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃ
以上のドリフト移動度を有しているものが好ましい。１
×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以下では電子写真感光体とし
て露光後、現像までに正孔が十分に移動できないために
見かけ上の感度が低減し、残留電位も高くなってしまう
問題が発生する場合がある。

【００２０】上記一般式（１）の正孔輸送性基Ａとして
は、正孔輸送性を示すものであればいずれのものでもよ
く、その水素付加化合物（正孔輸送材料）として示せ
ば、例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘
導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン等のト
リアリールアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジ
ルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、
スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェ
ニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアソー
ル誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベン
ゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェ
ン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体等が挙げら
れる。正孔輸送性基Ａとしては、構造が下記一般式
（３）で示されるものが好ましい。

【００２１】

【化６】

【００２２】式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は有機基であり、
そのうちの少なくとも１つは芳香族炭化水素環基又は複
素環基を示し、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一であっても異な
っていてもよい。

【００２３】このように正孔輸送性基Ａは、Ｒ⁴、Ｒ⁵及
びＲ⁶のうちの１つの基の水素原子が除かれて形成され
た基である。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶の構造の好ましい具体例
を以下に示す。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】

【表３】

【００２７】上記一般式（１）の有機ケイ素変成正孔輸
送性化合物の合成方法としては、公知の方法、例えば、
芳香族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水
素化ケイ素化合物とから白金系触媒、あるいは有機過酸
化物等を触媒にヒドロシリル化反応を行うものが好適に
用いられる。この場合に使用される白金触媒については
特に限定するものではなく、通常のヒドロシリル化反
応、付加型シリコーンゴムに用いられている白金触媒で
あればよく、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン
錯体、白金−フォスフィン錯体等が挙げられる。白金触
媒の添加量に関しては特に制限するものではないが、残
留触媒が特性に悪影響を与えないようにできる限り少量
で用いることが望ましい。

【００２８】芳香族環にビニル基を有する化合物と置換
基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系触媒等によ
り、付加反応により本発明の化合物を合成する場合に
は、ビニル基のα位と反応する場合とβ位と反応する場
合があり、一般には混合物が生じる。本発明においては
α位、β位のどちらに反応したのものも用いられるが、
ケイ素原子と電荷輸送性基を結合している炭化水素基の
炭素数が少ない場合には、立体障害からはβ位に反応し
たものが好ましい。

【００２９】有機過酸化物としては、室温以上に半減期
を示すものであればよく、特にラウリルパーオキシド等
のアルキル過酸化物が水素引き抜きを起こし難いことか
ら好適に用いることができる。ビニル基を有しないもの
については、芳香族環をホルミル化し、還元、脱水する
か直接Ｗｉｔｔｉｇ反応によりビニル基を導入する方法
等により、本発明の合成原料として用いることが可能で
ある。

【００３０】有機ケイ素変成正孔輸送性化合物及びケイ
素系化合物の加水分解、重縮合には、必ずしも触媒が必
要ではないが、通常ケイ素樹脂の加水分解、重縮合等に
用いられる触媒の使用を妨げるものではなく、加水分
解、重縮合に要する時間、硬化温度等を考慮してジブチ
ル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル
錫オクトエート等のアルキル錫有機酸塩等もしくはノル
マルブチルチタネート等の有機チタン酸エステルから適
宜選択される。

【００３１】本発明で用いる有機ケイ素変成正孔輸送性
化合物は、硬化性有機ケイ素高分子に含有させて用いる
提案と、有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を重合させて
用いる提案がなされている。本発明では、一般式（２）
で示される４つの加水分解性基を有すケイ素系化合物と
共重合することにより、３次元架橋密度を更に増加させ
ることが可能であり、より石英ガラスに近い構造を付与
することが可能となる。このことにより硬度や機械的強
度が増大し、耐摩耗性が更に向上するのみでなく、帯電
時に発生するアーク放電等の電気的な障害や化学物質等
に対する耐久性も一層向上させることが可能となる。

【００３２】本発明においては、前もって一般式（２）
で示されるテトラアルコキシシラン等の加水分解性基を
４つ有すケイ素系化合物と有機ケイ素変成正孔輸送性化
合物を、部分的に重合させておくことができる。この場
合には、感光体への塗布に支障のない溶液もしくは分散
液であれば用いることができる。硬化の条件としては、
１００〜２００℃で加熱することが好ましい。１００℃
未満では硬化反応に時間がかかるため、未反応の加水分
解性基が残存する可能性もある。２００℃を超えると電
荷輸送性基が酸化劣化し易くなり、悪影響が発生し易
い。より望ましくは、１２０〜１６０℃で加熱硬化して
用いられる。

【００３３】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
を用いて電子写真感光体を製造する例を下記に示す。

【００３４】本発明の電子写真感光体の層構造の例を示
す図を図１に、更に表面保護層を有する電子写真感光体
の例を図２に示す。

【００３５】電子写真感光体の支持体（図１及び図２中
の１）としては、支持体自体が導電性を有するもの、例
えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、クロム、チタン、ニッケル、マグネシウム、
インジウム、金、白金、銀、鉄等を用いることができ
る。その他に、アルミニウム、酸化インジウム、酸化ス
ズ、金等を蒸着等によりプラスチック等の誘電体支持体
に被膜形成し、導電層としたものや、導電性微粒子をプ
ラスチックや紙に混合したもの等を用いることができ
る。

【００３６】これらの導電性支持体は、均一な導電性が
求められると共に平滑な表面が重要である。表面の平滑
性は、その上層に形成される下引き層、電荷発生層、正
孔輸送層の均一性に大きな影響を与えることから、その
表面粗さは、０．３μｍ以下で用いられることが好まし
い。０．３μｍを超える凹凸は、下引き層や電荷発生層
のような薄い層に印加される局所電場を大きく変化させ
てしまうために、その特性が大きく変化してしまい、電
荷注入や残留電位のむら等の欠陥を生じ易いことから好
ましくない。

【００３７】特に、導電性微粒子をバインダー樹脂中に
分散して塗布することにより得られる導電層（図１及び
図２中の２）は、形成が容易であり、均質な表面を形成
することに適している。このとき用いられる導電性微粒
子の１次粒径は、１００ｎｍ以下であり、より好ましく
は５０ｎｍ以下のものが用いられる。導電性微粒子とし
ては、導電性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、カーボンブラッ
ク、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、インジウム等
が用いられ、これらを絶縁性微粒子の表面にコーティン
グして用いてもよい。前記導電性微粒子の含有量は、体
積抵抗が十分に低くなるように使用され、好ましくは１
×１０¹⁰Ωｃｍ以下の抵抗となるように添加される。よ
り好ましくは１×１０⁸Ωｃｍ以下で用いられる。

【００３８】レーザー等のコヒーレントな光源を用いて
露光する場合は、干渉による画像劣化を防止するために
上記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可能で
ある。このときは、電荷注入や残留電位のむら等の欠陥
が生じ難いように、使用する波長の１／２λ程度の凹凸
を、直径数μｍ以下のシリカビーズ等の絶縁物を分散す
るように、１０μｍ以下の周期で形成して用いることが
可能である。

【００３９】本発明においては、支持体と光導電層の中
間に、注入阻止機能と接着機能を持つ下引き層（図１及
び図２中の３）を設けることもできる。下引き層の材料
としては、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリビニ
ルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリウレ
タン、ゼラチン等が挙げられる。下引き層の膜厚は、
０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、特には
０．３μｍ〜３μｍであることが好ましい。

【００４０】感光層としては、電荷発生材料を含有する
電荷発生層（図１及び図２中の４）と電荷輸送材料を含
有する電荷輸送層（図１及び図２中の５）からなる機能
分離タイプのものや電荷発生材料と電荷輸送材料を同一
の層に含有する単層タイプ（不図示）が用いられる。

【００４１】電荷発生材料としては、例えば、セレン−
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料、シアニン系顔料等を用いるこ
とができる。

【００４２】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
の硬化物は、電荷輸送層（図１中の５）もしくは正孔輸
送能を有する表面保護層（図２中の６）として用いるこ
とが可能である。単層感光体として用いる場合は、前記
電荷発生材料と本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成
物と組み合わせて用いることにより良好な特性が得られ
る。

【００４３】本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物
は、他の電荷輸送材料と組み合わせて用いることが可能
であるが、かかる正孔輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリスチリルアントラセン等の複素
環や縮合多環芳香族を有する高分子化合物や、ピラゾリ
ン、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
トリアソール、カルバゾール等の複素環化合物、トリフ
ェニルメタン等のトリアリールアルカン誘導体、トリフ
ェニルアミン等のトリアリールアミン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体、
スチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体等の低分子化合物
を用いることができる。

【００４４】上記電荷発生材料や正孔輸送材料は、必要
に応じてバインター樹脂が用いられる。バインター樹脂
の例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニ
リデン、トリプルオロエチレン等のビニル化合物の重合
体及び共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルア
セタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスル
ホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セル
ロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、けい素樹
脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。

【００４５】光導電層には、前記化合物以外にも機械的
特性の改良や耐久性向上のために添加剤を用いることが
できる。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤、導電性制御剤等
が用いられる。

【００４６】本発明における電荷発生層の膜厚は、３μ
ｍ以下であることが好ましく、特には０．０１〜１μｍ
であることが好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は１〜
４０μｍであることが好ましく、特には３〜３０μｍで
あることが好ましい。感光層が単層タイプである場合
は、その膜厚は１〜４０μｍであることが好ましく、特
には３〜３０μｍであることが好ましい。

【００４７】本発明における表面保護層の厚みは、１〜
１５μｍであることが好ましい。１μｍ未満では保護効
果が十分ではなく、１５μｍを超えると感光層全体の膜
厚が増加することにより、画像劣化が生じ易くなってし
まうことから好ましくない。

【００４８】本発明においては、更に露光手段が照射す
る光ビームのスポット面積と電子写真感光体が有する感
光層の膜厚の積が２×１０⁴μｍ³以下であることが好ま
しい。また、この積は現像コントラストの大きさ（現像
時の感光体上の電位差）の点で２×１０³μｍ³以上であ
ることが好ましい。２×１０³μｍ³に満たないと十分な
現像コントラストは得難くなる傾向になる。

【００４９】この場合、本発明に用いられる露光方法
は、光をドット状に照射することによって感光体上に静
電潜像を形成するものである。その光源は特に制限され
るものではないが、より小さなスポット面積をより容易
に得ることができるという点でレーザー光及びＬＥＤ光
であることが好ましい。

【００５０】図３に光の強度分布、スポット径及びスポ
ット面積（Ｓ）と感光層の厚さの積の関係を示す。光ス
ポットは一般的には図３に示すように主走査スポット径
（ａｂ）と副走査スポット径（ｃｄ）を有する楕円形の
形状を有しており、本発明におけるスポット面積と感光
層の厚さの積は、光スポットが感光層へ照射されている
部分の体積（Ｖ）であるといえる。光ビームのスポット
面積は、ピーク強度の１／ｅ²に減少するまでの部分で
表わされる。

【００５１】光のスポット面積（Ｓ）は感光層上の面積
であり、光の強度力がピーク強度（Ａ）の１／ｅ
²（Ｂ）以上である部分の面積で表される。用いられる
光源としては半導体レーザーやＬＥＤ等が挙げられ、光
強度分布についてもガウス分布、ローレンツ分布等があ
るが、いずれの場合もピーク強度（Ａ）の１／ｅ
²（Ｂ）以上の強度の部分をスポット面積（Ｓ）とす
る。

【００５２】なお、スポット面積（Ｓ）は感光体の位置
にＣＣＤカメラを設置することにより測定することがで
きる。本発明における光のスポット面積は４×１０³μ
ｍ²以下であることが好ましく、特には３×１０³μｍ²
以下であることが好ましい。４×１０³μｍ²を超えると
隣接画素の光と重複し易くなり、階調再現性が不安定と
なり易い。また、コストの点から１×１０³μｍ²以上で
あることが好ましい。

【００５３】上記観点からは、本発明における感光層の
厚さは１２μｍ以下であることが好ましく、特には１０
μｍ以下であることが好ましい。本発明の電子写真感光
体は、極めて優れた機械的強度及び表面潤滑性を有して
いるので、このような系に用いられる感光体として非常
に好ましい。

【００５４】図４に本発明の電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジを用いた電子写真装置の概略構成を
示す。

【００５５】図において、７はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸８を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体７は、回転過程において、
一次帯電手段９によりその周面に正又は負の所定電位の
均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光等の
像露光手段（不図示）からの画像露光１０を受ける。こ
うして感光体７の局面に静電潜像が順次形成されて行
く。

【００５６】形成された静電潜像は、現像手段１１によ
りトナー現像され、現像されたトナー現像像は不図示の
給紙部から感光体７と転写手段１２との間に感光体７の
回転と同期取り出されて給紙された転写材１３に、転写
手段１２により順次転写されて行く。

【００５７】像転写を受けた転写材１３は、感光体面か
ら分離されて像定着手段１４へ導入されて像定着を受け
ることにより複写物（コピー）として装置外にプリント
アウトされる。

【００５８】像転写後の感光体７の表面は、クリーニン
グ手段１５によって転写残りトナーの除去を受けて清浄
面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１
６により除電処理された後、繰り返し像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段９が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。

【００５９】本発明においては、上述の電子写真感光体
７、一次帯電手段９、現像手段１１及びクリーニング手
段１５等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカー
トリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカ
ートリッジを複写機やレーザービームプリンタ等の画像
形成装置本体に対して着脱可能に構成しても良い。例え
ば、一次帯電手段７と共に一体に支持してカートリッジ
化して、装置本体のレール１８等の案内手段を用いて装
置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１７とするこ
とができる。

【００６０】図５に本発明の電子写真装置の第２の例で
あるカラー複写機の概略構成を示す。図において２０１
は、イメージスキャナ部であり、原稿を読み取り、デジ
タル信号処理を行う部分である。また、２０２はプリン
タ部であり、イメージスキャナ２０１に読み取られた原
稿画像に対応した画像を用紙にフルカラーでプリント出
力する部分である。

【００６１】イメージスキャナ部２０１において、２０
０は原稿厚板であり、原稿台ガラス（以下プラテン）２
０３上の原稿２０４を固定するために用いられる。原稿
２０４は、ハロゲンランプ２０５の光で照射される。原
稿２０４からの反射光は、ミラー２０６及び２０７に導
かれ、レンズ２０８により３本のＣＣＤラインセンサで
構成される３ラインセンサ（以下ＣＣＤという）２１０
上に像を結ぶ。

【００６２】ＣＣＤ２１０は、原稿からの光情報を色分
解して、フルカラー情報のうちレッド（Ｒ）、グリーン
（Ｇ）、ブルー（Ｂ）成分として信号処理部２０９に送
られる。なお、２０５及び２０６は速度ｖで、２０７は
１／２ｖでラインセンサの電気的走査方向（以下、主走
査方向）に対して垂直方向（以下、副走査方向）に機械
的に動くことにより、原稿全面を走査する。

【００６３】信号処理部２１１では読み取られた信号を
電気的に処理し、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエ
ロー（Ｙ）、ブラック（ＢＫ）の各成分に分解し、プリ
ンタ部２００に送られ、計４回の原稿走査により一回の
プリントアウトが完成する。

【００６４】イメージスキャナ部２０１より送られてく
るＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの画像信号は、レーザードライバ２
１２に送られる。レーザードライバ２１２は、画像信号
に応じ半導体レーザー２１３を変調駆動する。レーザー
光は、ポリゴンミラー２１４、ｆ−θレンズ２１５、ミ
ラー２１６を介し、感光体ドラム２１７上を走査する。

【００６５】２１８は回転現像機であり、マゼンタ現像
器２１９、シアン現像器２２０、イエロー現像器２２
１、ブラック現像器２２２より構成され、４つの現像器
が交互に感光体ドラムに接し、感光体ドラム２１７上に
形成されたＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの静電潜像を対応するトナ
ーで現像する。

【００６６】２２３は転写ドラムで、用紙カセット２２
４又は２２５より給紙された用紙をこの転写ドラム２２
３に巻付け、感光体ドラム２１７上に現像されたトナー
像を用紙に転写する。このようにしてＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫ
の４色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット２２
６を通過して定着後、排紙される。

【００６７】

【実施例】以下、実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明
する。なお、実施例中の「部」は重量部を示す。

【００６８】＜合成例１＞：４−［２−（トリエトキシ
シリル）エチル］トリフェニルアミンの合成 （ｉ）４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデ
ヒドの合成 三つ口フラスコにトリフェニルアミン１０１．４ｇとＮ
−Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３５．５ｍｌを
入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．
４ｍｌを滴下し、温度を９５℃に上げて５時間反応させ
た。反応液を４リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。
その後、沈殿物を口取し、エタノール／水（１：１）の
混合溶液で洗浄し、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
ベンズアルデヒドを得た。収量９１．５ｇ（収率８１．
０％）。

【００６９】（ｉｉ）４−ビニルトリフェニルアミンの
合成 水素化ナトリウム１４．６ｇ、１，２−ジメトキシュク
ン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しな
がらトリメチルホスフォニウムブロマイド１３０．８ｇ
を加えた。次に無水エタノールを一滴加えた後、７０℃
で４時間反応させた。これに４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル
アミノ）ベンズアルデヒド１００ｇを加え、７０℃に温
度を上げ５時間反応させた。反応液を濾過し、濾液と沈
殿物のエーテル抽出液を一緒にし水洗した。次いで、エ
ーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去
し、反応混合物を得た。これをエタノールから再結晶を
行い、針状、淡黄色の４−ビニルトリフェニルアミンを
得た。収量８３．４ｇ（収率８４．０％）。

【００７０】（ｉｉｉ）４−ビニルトリフェニルアミン
のヒドロシリル化 トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン９．９ｇ（６０
ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキ
サン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１８ｍｍｏｌ
を三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４−ビニ
ルトリフェニルアミン８．２ｇのトルエン溶液２０ｍｌ
を滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った
後、溶媒を減圧下で除き、淡黄色油状の４−［２−（ト
リエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得
た。収量１２．１ｇ（収率９１．７％）。

【００７１】４−［２−（トリエトキシシリル）エチ
ル］トリフェニルアミンのＨ−ＮＭＲスペクトルを図６
に示す（ブルカー社製、商品名；ＡＰＣ３００ＮＭＲス
ペクトロメータ）。この化合物のイオン化ポテンシャル
を大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ
−１）にて測定したところ、５．６８ｅＶであった。ま
た、この化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法によ
り塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、膜厚が約８
μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極を
形成した。このサンプルに対しパルス巾３ｎｓｅｃの波
長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−
ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ１
×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００７２】＜合成例２＞：４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）アミノ]−[２−（トリエトキシ
シリル）エチル]ベンゼンの合成 （ｉ）[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ア
ミノ]ベンゼンの合成 ４−ヨード−ｏ−キシレン３８．５ｇ（１６６ｍｍｏ
ｌ）、無水炭酸カリウム２２．９ｇ（１６６ｍｍｏｌ）
及び銅粉７．０ｇをニトロベンゼン２０ｍｌに加え、攪
拌下にて加熱環流を８時間行った。冷却後に濾過、濾液
を除去した。得られた反応混合物をシリカゲルカラムを
通し、[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ア
ミノ]ベンゼンを得た。収量１５．７ｇ（収率６９
％）。

【００７３】（ｉｉ）４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジ
メチルフェニル）アミノ]ベンズアルデヒドの合成 三つ口フラスコに［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）アミノ］ベンゼン１２４．６ｇ及びＤＭＦ３
５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩
化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液
を９５℃で５時間反応させ、４リットルの温水へ注ぎ１
時間攪拌した。その後、沈殿物を口取し、エタノール／
水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４−[Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミノ]ベンズアルデヒ
ドを得た。収量１０７．６ｇ（収率７９．０％）。

【００７４】（ｉｉｉ）４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）アミノ］スチレンの合成 水素化ナトリウム１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタ
ン５８０ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しな
がらトリメチルホスフォニウムブロマイド１０８．５ｇ
を加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０
℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応
混合液に４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミノ]ベンズアルデヒド１００．０ｇを加え、７
０℃で５時間反応させた後、口別し、口取したケーキを
エーテル抽出し口液と一緒にし水洗した。次いで、エー
テル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、
反応混合物を得た。これをエタノールで再結晶二回行
い、針状の４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）アミノ]スチレンを得た。収量８４．５ｇ（収率
８５．０％）。

【００７５】（ｉｖ）４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジ
メチルフェニル）アミノ]スチレンのヒドロシリル化 トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン６．０ｇ及びト
リス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金
（０）のトルエン溶液０．５４ｍｍｏｌを三つ口フラス
コに取り、室温で攪拌しながら４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３,
４−ジメチルフェニル）アミノ]スチレン９．９ｇのト
ルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で
３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色
油状の４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミノ］−[２−（トリエトキシシリル）エチル]ベ
ンゼンを得た。収量１３．４ｇ（収率９０．１％）。

【００７６】４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフ
ェニル）アミノ］−[２−（トリエトキシシリル）エチ
ル]ベンゼンのＨ−ＮＭＲ及びＣ−ＮＭＲスペクトルを
図７及び図８に示す（ブルカー社製、商品名；ＡＰＣ３
００ＮＭＲスペクトロメータ）。この化合物のイオン化
ポテンシャルを大気下光電子分析法（理研計器製、表面
分析装置ＡＣ−１）にて測定したところ、５．２６ｅＶ
であった。また、この化合物を銅基板上にワイヤーバー
コート法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化
し、約５μｍの膜を作成した。次に、蒸着により半透明
金電極を形成した。このサンプルに対しパルス巾３ｎｓ
ｅｃの波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ
−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定した
ところ９×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００７７】＜合成例３＞：４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）アミノ]−[２−（トリエトキシ
シリル）エチル]ベンゼンの合成 （ｉ）４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミノ]スチレンのヒドロシリル化 トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン６．０ｇ（３７
ｍｍｏｌ）及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−
ジエン）白金（２）０．３４ｍｍｏｌを三つ口フラスコ
に取り、室温で攪拌しながら４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）アミノ]スチレン９．９ｇのト
ルエン溶液２０ｍｌ滴下した。滴下終了後、７０℃で３
時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油
状の４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
アミノ]−[２−（トリエトキシシリル）エチル]ベンゼ
ンを得た。収量１４．０ｇ（収率９４．２％）。

【００７８】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．３１ｅＶであった。また、こ
の化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布
し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約５μｍの膜を作
成した。次に、蒸着により半透明金電極を形成した。こ
のサンブルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３３７ｎ
ｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈ
ｔ法にてドリフト移動度を測定したところ７×１０^-7ｃ
ｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００７９】＜合成例４＞：４−[３−（トリエトキシ
シリル）プロピル]トリフェニルアミンの合成 （ｉ）４−ブロモトリフェニルアミンの合成 Ｎ−ブロモスクシンイミド８．０ｇ（４５ｍｍｏｌ）、
トリフェニルアミン１０．０ｇ（４１ｍｍｏ１）を２０
０ｍｌ三つ口フラスコに入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド１５０ｍｌを加えた後、室温下で一晩攪拌した。
次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを除去し、得ら
れた固形物を四塩化炭素で抽出した。その後、四塩化炭
素を除去し、得られた反応混合物をエタノールで二回再
結晶を行い、白色固体の４−ブロモトリフェニルアミン
を得た、収量８．２ｇ（収率６１．７％）。

【００８０】（ｉｉ）４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノア
リルベンゼンの合成 ３００ｍｌ四つ口フラスコにマグネシウム金属１．０ｇ
（４０ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換を行った。次いで、ジ
エチルエーテル１００ｍｌを加え攪拌を開始した。そこ
へ４−ブロモトリフェニルアミン８．６ｇ（２７ｍｍｏ
ｌ）を溶解したジエチルエーテル溶液３０ｍｌをゆっく
り滴下した。約３ｍｌ滴下したところで緩やかに環流が
始まった。環流させながら、更にジエチルエーテル溶液
の滴下を続け、滴下終了後、更に一時間環流を行った。
以上のようにして得られたグリニャール試薬溶液を室温
まで戻し、次にアリルクロライト２．１ｇ（２７ｍｍｏ
ｌ）のジエチルエーテル溶液４０ｍｌを氷冷しながらゆ
っくり滴下した。滴下終了後、反応混合物を２時間環流
し、反応を熟成させた。その後、水５０ｍｌを氷冷しな
がら加え加水分解を行った。次に、エーテル層を抽出し
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、水で２回洗浄
し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、ジ
エチルエーテルを除去し、白色固体の４−Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノアリルベンゼンを得た。収量４．９ｇ（収
率・６３．２％）。

【００８１】（ｉｉｉ）４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
アリルベンゼンのヒドロシリル化 トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン６．０ｇ（３７
ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキ
サン）二白金（０）のトルエン溶液０．５４ｍｍｏｌを
三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノアリルベンゼン９．７ｇ（３４ｍｍ
ｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了
後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除
去し、淡黄色油状の４−[３−（トリエトキシシリル）
プロピル]トリフェニルアミンを得た。収量１０．７ｇ
（収率７０．１％）。

【００８２】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．７２ｅＶであった。また、こ
の化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布
し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、膜厚が約９μｍの
膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極を形成し
た。このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３
３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌ
ｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ１．４
×１０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００８３】＜合成例５＞：４−[４−（トリエトキシ
シリル）ブチル]トリフェニルアミンの合成 （ｉ）４−メチルトリフェニルアミンの合成 ジフェニルアミン４．５ｇ（２７ｍｍｏｌ）、ｐ−ヨー
ドトルエン１１．０ｇ（５１ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリ
ウム５．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）及び銅粉１．１ｇをｏ−
ジクロロベンゼン３０ｍｌに加え、攪拌下にて加熱環流
を７時間行った。反応終了後、反応溶液を濾過し、濾液
を３〜５％チオ硫酸ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶
媒を除去した。得られた反応混合物をエタノールを用い
て再結晶を行い４−メチルトリフェニルアミンを得た。
収量５．７ｇ（収率８１．４％）。

【００８４】（ｉｉ）４−ブロモメチルトリフェニルア
ミンの合成 Ｎ−ブロモスクシンイミド６．９ｇ（３９ｍｍｏｌ）、
４−メチルトリフェニルアミン９．１ｇ（３５ｍｍｏ
ｌ）を３００ｍｌ三つ口フラスコに入れ、四塩化炭素１
００ｍｌを加えた後、攪拌下にて加熱環流を一晩行っ
た。反応終了後、反応溶液を冷却した。次いで、反応溶
液を濾過し、溶媒を除去して、得られた反応混合物をエ
タノールを用いて再結晶を行い４−ブロモメチルトリフ
ェニルアミンを得た。収量１０．８ｇ（収率９１．２
％）。

【００８５】（ｉｉｉ）４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
フェニル−１−ブテンの合成 ２００ｍｌ四つ口フラスコにマグネシウム金属１．０ｇ
（４０ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換を行った。次いで、ジ
エチルエーテル１００ｍｌを加え攪拌を開始した。そこ
へ４−ブロモメチルトリフェニルアミン９．１ｇ（２７
ｍｍｏｌ）を溶解したジエチルエーテル溶液２０ｍｌを
ゆっくり滴下した。約５ｍｌ滴下したところで緩やかに
環流が始まった。環流させながら、更にジエチルエーテ
ル溶液の滴下を続け、滴下終了後、更に一時間環流を行
った。以上のようにして得られたグリニャール試薬溶液
を室温まで戻し、次にアリルクロライト２．１ｇ（２７
ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液２０ｍｌを氷冷しな
がらゆっくり滴下した。滴下終了後、反応混合物を２時
間環流し、反応を熟成させた。その後、水５０ｍｌを氷
冷しながら加え加水分解を行った。次に、エーテル層を
抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で１回、水で２回
洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥
後、ジエチルエーテルを除去し白色固体の４−Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノフェニル−１−ブテンを得た。収量
５．５ｇ（収率６６．７％）。

【００８６】（ｉｖ）４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノフ
ェニル−１−ブチンのヒドロシリル化 トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン９．９ｇ（６０
ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキ
サン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１８ｍｍｏＩ
を三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４−Ｎ，
Ｎ−ジフェニルアミノフェニル−１−ブチン１６．７ｇ
（５４．７ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下し
た。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒
を減圧下で除去し、淡黄色油状の４−[４−（トリエト
キシシリル）ブチル]トリフェニルアミンを得た。収量
１３．９ｇ（収率８３．２％）。

【００８７】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、５．６９ｅＶであった。また、こ
の化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布
し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、膜厚が約５μｍの
膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極を形成し
た。このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３
３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌ
ｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ２×１
０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００８８】＜合成例６＞：４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルアミノ）−[２−（トリエトキシシリル）エチル]
ベンゼンの合成 （ｉ）４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）ベンズ
アルデヒドの合成 三つ口フラスコにジフェニルエチルアミン８２ｇとＤＭ
Ｆ３５．５ｍｌを加え、氷水冷却下、攪拌しながらオキ
シ塩化リン８４．４ｍｌを滴下し、滴下終了後、温度を
９５℃に昇温して５時間反応させた。その後、沈殿物を
口取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄
し、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）ベンズア
ルデヒドを得た。収量６２ｇ（収率５６．８％）。

【００８９】（ｉｉ）４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニル
アミノ）スチレンの合成 水素化ナトリウム１４．６ｇ、１，２−ジメトキシエタ
ン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しな
がらトリメチルホスフォニウムブロマイド１３０．８ｇ
を加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０
℃に温度を昇温し、５時間反応させた。これに、４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド１００
ｇを加え、７０℃で５時間反応させた。反応液を濾過
し、濾液と沈殿物のエーテル抽出液を一緒にして水洗し
た。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エ
ーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタノール
から再結晶を行い、針状、淡黄色の４−（Ｎ−エチル−
Ｎ−フェニルアミノ）スチレンを得た。収量６２．４ｇ
（収率６２．９％）。

【００９０】（ｉｉｉ）４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ）スチレンのヒドロシリル化 トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン９．９ｇ（６０
ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキ
サン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１８ｍｍｏｌ
を三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４−（Ｎ
−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）スチレン７．６ｇのト
ルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で
３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去して、淡黄
色油状の４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）−
[２−（トリエトキシシリル）エチル]ベンゼンを得た。
収量７．８ｇ（収率５９．０％）。

【００９１】この化合物のイオン化ポテンシャルを大気
下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）
にて測定したところ、６．３ｅＶであった。また、この
化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布
し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、膜厚が約５μｍの
膜を作成した。次に、蒸着により半透明金電極を形成し
た。このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３
３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌ
ｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ２×１
０^-8ｃｍ²／Ｖｓｅｃであった。

【００９２】＜合成例７＞合成例１の４−［２−（トリ
エトキシシリル）エチル〕トリフェニルアミン１０ｇを
トルエン１６．７ｇに溶解し、テトラエトキシシラン１
０ｇとジブチル錫ジアセテート０．２ｇを加え混合し
た。これをガラス板にバーコートを用いて塗布し、１４
０℃で１５時間乾燥した。顕微鏡で観察したところ均一
フィルムが形成されたことが判明した。

【００９３】＜比較合成例１＞テトラエトキシシラン１
０ｇをトルエン１６．７ｇに溶解し、溶液に電荷輸送性
化合物としてトリフェニルアミンをテトラエトキシシラ
ンに対して３０重量％溶解し、ジブチル錫ジアセテート
０．２ｇを加え混合した。合成例７と同様に硬化させて
フィルムを形成した。フィルムは白濁し、顕微鏡ではト
リフェニルアミンの析出が観察された。

【００９４】＜比較合成例２＞合成例１でのヒドロシリ
ル化にて、トリエトキシシランに代えてトリメチルシラ
ン６ｇ（６０ｍｍｏｌ）を使用した以外は、合成例１と
同様に反応させ４−[２−（トリメチルシリル）エチル]
トリフェニルアミンを得た。これを電荷輸送性化合物と
して比較合成例１と同様にしてフィルムを生成したとこ
ろ、不透明であり、４−［２−（トリメチルシリル）エ
チル］トリフェニルアミンの分離が認められた。

【００９５】（実施例１）鏡面加工により作成した外径
８０ｍｍのアルミニウムシリンダーを用いて下引き層と
して、アルコール可溶性共重合ナイロン（商品名：アミ
ランＣＭ−８０００、東レ（株）製）５部をメタノール
９５部に溶解した溶液を、浸漬コーティング法により塗
工した。８０℃で１０分間乾燥して、膜厚が１μｍの下
引き層を形成した。

【００９６】次に、電荷発生層として下記のビスアゾ顔
料５部をシクロヘキサノン９５部にポリビニルベンザー
ル（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解した液に加
え、サンドミルで２０時間分散した。この分散液を先に
形成した下引き層の上に浸漬コーティング法で塗工し、
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように電荷発生層を形
成した。

【００９７】

【化７】

【００９８】次いで、下記の構造式を有するトリアリー
ルアミン化合物５部とポリカーボネート樹脂（商品名Ｚ
−２００、三菱瓦斯化学（株）製）５部をクロロベンゼ
ン７０部に溶解した電荷輸送層用の液に加え、更に平均
粒径２μｍのシリコーン樹脂微粒子０．３部を添加した
ものを前記の電荷発生層の上に浸漬コーティング法によ
り塗工し、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように電荷輸
送層を形成した。

【００９９】

【化８】

【０１００】次に、合成例２で合成した４−[Ｎ，Ｎ−
ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ]−[２−（ト
リエトキシシリル）エチル]ベンゼン１００部をトルエ
ン１６７部に溶解し、テトラエトキシシラン１００部及
びジブチル錫ジアセテート２部を加え混合した溶液を、
前記の電荷輸送層の上にスプレーコーティング法により
塗工した。１４０℃で４時間乾燥、熱硬化することで膜
厚が２μｍの表面保護層を形成した。

【０１０１】この電子写真感光体を−７００Ｖに帯電し
て波長６８０ｎｍの光で電子写真特性を測定したとこ
ろ、Ｅ_1/2（−３５０Ｖまで帯電電位が減少するために
必要な露光量）が１．２μＪ／ｃｍ²、残留電位が−１
６Ｖと良好であった。

【０１０２】本電子写真感光体をキヤノン製デジタルフ
ルカラー複写機ＣＬＣ−５００の改造機｛（１／ｅ²）
を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０μｍの
照射スポット径となるように改造｝を用い、初期帯電を
−４００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、初期及
び１０万枚耐久試験後も黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞
もなく、感光体の摩耗量も１．５μｍと少なく、均一性
の優れた画像出力が得られ、階調再現性も４００ｄｐｉ
で２５６階調と極めて良好であった。

【０１０３】＜比較合成例３＞テトラエトキシシラン１
０ｇをトルエン１６．７ｇに溶解し、溶液に電荷輸送性
化合物として実施例１にて使用したトリアリールアミン
化合物をテトラエトキシシランに対して３０重量％溶解
し、ジブチル錫ジアセテート０．２ｇを加え、合成例７
と同様に混合硬化させてフィルムを形成した。フィルム
は白濁し、顕微鏡ではトリフェニルアミンの析出が観察
された。

【０１０４】（比較例１）実施例１において保護層を塗
工しないこと以外は、同様にして作成した電子写真感光
体の画像評価を行ったところ、２万枚の耐久試験後に黒
ポチ等が大量に発生したために良好な画像は得られなか
った。感光体の摩耗量は、２万枚で５μｍと極めて大き
かった。

【０１０５】（実施例２）引き抜き加工により得られた
外径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、フェノー
ル樹脂（商品名；プライオーフェン、大日本インキ化学
工業（株）製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に
溶解したものに、導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒
径５０ｎｍ）２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン
樹脂粒子３部を分散したものを浸漬コーティング法によ
り塗工し、乾燥後の膜厚が１５μｍの導電層を形成し
た。

【０１０６】次に、先の導電層上にアルコール可溶性共
重合ナイロン（商品名：アミランＣＭ−８０００、東レ
（株）製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸
漬コーティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾
燥して、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１０７】次に、電荷発生層用分散液としてＣｕＫα
特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の
９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．９°に強
いピークを有するオキシチタニルフタロシアニン顔料５
部をシクロヘキサノン９５部にポリビニルベンザール
（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解した液に加
え、サンドミルで２時間分散した。この分散液を先に形
成した下引き層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾
燥後の膜厚が０．２μｍとなるようにし電荷発生層を形
成した。

【０１０８】次いで、合成例２で合成した４−[Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ]−[２−
（トリエトキシシリル）エチル]ベンゼン１００部をト
ルエン１６７部に溶解し、テトラエトキシシラン１００
部及びジブチル錫ジアセテート２部を加え混合した溶液
を、先の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により塗
工した。１２０℃で５時間乾燥、熱硬化して電荷輸送層
の膜厚が１０μｍの透明で均一な電荷輸送層を作成し
た。

【０１０９】鉛筆硬度は６Ｈであり、水との接触角は９
７°であった。この電子写真感光体を−７００Ｖに帯電
し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定し
たところ、Ｅ_1/2（−３５０Ｖまで帯電電位が減少する
ために必要な露光量）が０．２Ｊ／ｃｍ²、残留電位が
−２４Ｖと良好であった。

【０１１０】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＬＢＰ−８ＩＶの改造機｛（１／ｅ²）を
副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０μｍの照
射スポット径となるように改造｝を用い、初期帯電を−
５００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、４０００
枚の耐久試験後の感光体の摩耗量は０．１μｍ以下と極
めて少なく、耐久後の水との接触角も９５°と良好で画
像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号において
のハイライト部の１画素再現性も十分であった。

【０１１１】（比較例２）実施例２と同様にして、電荷
発生層まで形成した。次いで、実施例１において用いた
トリアリールアミン化合物５部とポリカーボネート樹脂
（商品名：Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）５部を
クロロベンゼン７０部に溶解した電荷輸送層用の液を、
電荷発生層の上に浸漬コーティング法により塗工するこ
とによって、乾燥後の膜厚が１０μｍの電荷輸送層を形
成した。

【０１１２】得られた電子写真感光体を実施例２と同様
に評価したところ、４０００枚の耐久試験後は、干渉縞
及び黒ポチが認められ、摩耗量が１．８μｍと大きく、
水との接触角も７２°と小さいために不良であり、６０
０ｄｐｉでのハイライト部の１画素再現も不十分でムラ
があった。

【０１１３】（実施例３）実施例２と同様のアルミニウ
ムシリンダー上に、フェノール樹脂（商品名：プライオ
ーフェン、大日本インキ化学工業（株）製）１６７部を
メチルセロソルブ１００部に溶解したものに、導電性硫
酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）２００部を分
散したものを浸漬コーティング法により塗工し、乾燥後
の膜厚が１０μｍとなるように導電層を形成した。更
に、この導電層の上に実施例２と同様にして膜厚１μｍ
の下引き層及び膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成し
た。

【０１１４】次いで、合成例２で合成した４−[Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミノ]−[２−
（トリエトキシシリル）エチル]ベンゼン１００部をト
ルエン１６７部に溶解し、テトラエトキシシラン１００
部及びジブチル錫ジアセテート２部を加え混合した溶液
に、更に平均粒径３μｍのＳｉＯ₂微粒子１．２５部を
添加したものを、前記の電荷発生層の上に浸漬コーティ
ング法により塗工した。１２０℃にて５時間乾燥、熱硬
化して膜厚が１０μｍの電荷輸送層を形成した。顕微鏡
で観察したところＳｉＯ₂粒子以外は透明で均一であっ
た。

【０１１５】鉛筆硬度は５Ｈであり、水との接触角は１
０７°であった。この電子写真感光体を−７００Ｖに帯
電し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定
したところ、Ｅ_1/2（−３５０Ｖまで帯電電位が減少す
るために必要な露光量）が０．２２Ｊ／ｃｍ²、残留電
位−２３Ｖと良好であった。

【０１１６】本電子写真感光体を実施例２と同様のキヤ
ノン製レーザービームプリンタを用い、初期帯電−５０
０Ｖに設定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は０．１μｍ以下と極めて少な
く、水との接触角は９６°と良好で黒ポチ等の電荷注入
及び干渉縞による画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当
の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十
分であった。

【０１１７】（実施例４）実施例１と同様にして、電荷
発生層まで形成した。次いで、実施例１で用いた電荷輸
送層用の液に平均粒径２μｍのシリコーン樹脂微粒子
０．１部を添加したものを、前記の電荷発生層の上に浸
漬コーティング法により塗工し、乾燥後の膜厚が９μｍ
の電荷輸送層を形成した。

【０１１８】次に、表面保護層として合成例２で合成し
た４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ア
ミノ］−［２−（トリエトキシシリル）エチル］ベンゼ
ン１００部をトルエン１６７部に溶解し、テトラエトキ
シシラン１００部及びジブチル錫ジアセテート２部を加
え混合した溶液を、電荷輸送層の上にスプレーコーティ
ング法により塗工した。１４０℃で４時間乾燥、熱硬化
することで透明で均一な膜厚が３μｍの表面保護層を形
成した。

【０１１９】鉛筆硬度は３Ｈであり、水との接触角は１
０５°であった。この電子写真感光体を実施例１と同様
のデジタルフルカラー複写機を用いて初期帯電−４００
Ｖ設定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験
後の摩耗量は０．１１μｍと極めて少なく、水との接触
角は９９°であり、ハイライト部、高濃度部の再現性の
優れた画像が得られた。

【０１２０】（実施例５）実施例２と同様にして、電荷
発生層まで形成した。次いで、合成例６で合成した４−
（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ）−[２−（トリエ
トキシシリル）エチル]ベンゼン１００部をトルエン１
６７部に溶解し、テトラエトキシシラン１００部及びジ
ブチル錫ジアセテート２部を加え混合した溶液を、前記
の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により塗工し
た。１２０℃にて５時間乾燥、熱硬化して電荷輸送層の
膜厚が８μｍの本発明の感光体を作成した。

【０１２１】鉛筆硬度は５Ｈであり、水との接触角は１
０４°であった。実施例２と同様にして電子写真特性を
測定したところ、Ｅ_1/2が０．２２Ｊ／ｃｍ²、残留電位
が−２７Ｖであった。本電子写真感光体を実施例２と同
様のレーザービームプリンタを用いて、初期帯電を−５
００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐
久試験後の摩耗量は０．２０μｍと極めて少なく、水の
接触角は９６°であり良好で黒ポチ等の電荷注入及び干
渉縞による画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力
信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であ
った。

【０１２２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、光散乱や
ブリードがなく、均一で、低表面エネルギーと機械的、
電気的耐久性を両立した電子写真感光体、電子写真感光
体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提
供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図
である。

【図２】本発明の表面保護層を有する電子写真感光体の
層構成の例を示す図である。

【図３】光の強度分布、スポット径及び光のスポット面
積と感光層の厚さの積の関係を示す図である。

【図４】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカー
トリッジを用いた電子写真装置の概略構成を示す図であ
る。

【図５】本発明の電子写真感光体を用いたカラー電子写
真装置の概略構成を示す図である。

【図６】合成例１の４−[２−（トリエトキシシリル）
エチル]トリフェニルアミンのＨ−ＮＭＲスペクトルで
ある。

【図７】合成例２の４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）アミノ］−[２−（トリエトキシシリ
ル）エチル]ベンゼンのＨ−ＮＭＲスペクトルである。

【図８】合成例２の４−[Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメ
チルフェニル）アミノ]-[２−（トリエトキシシリル）
エチル]ベンゼンのＣ−ＮＭＲスペクトルである。

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 導電層 ３ 下引層 ４ 電荷発生層 ５ 電荷輸送層 ６ 表面保護層 ７ 感光体 ８ 軸 ９ 一次帯電手段 １０ 画像露光光 １１ 現像手段 １２ 転写手段 １３ 転写材 １４ 定着装置 １５ クリーニング手段 １６ 前露光光 １７ プロセスカートリッジ １８ 案内手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 祐弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 平岡 敬子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 AA02 AA03 AA05 AA08 AA21 BA58 BB33 BB49 FA27

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に感光層を有する電子写真感光
   体において、該電子写真感光体の表面層が下記一般式
   （１） 【化１】 （式中、Ａは正孔輸送性基を示し、Ｑ¹は加水分解性基
   又は水酸基を示し、Ｒ¹は置換もしくは無置換のアルキ
   レン基又はアリーレン基を示し、Ｒ²は置換もしくは無
   置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜３の整数を示
   す）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物及び下
   記一般式（２） 【化２】 （式中、Ｑ²は加水分解性基又は水酸基を示し、Ｑ²はＱ
   ¹と同一であっても異なっていてもよい）で示されるケ
   イ素系化合物を硬化することによって得られる樹脂を含
   有することを特徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 Ｒ¹が−（ＣＨ₂）_m−（ｍは１〜１８の
   整数）で示され、Ｒ²が炭素数１〜１５の一価炭化水素
   基又はハロゲン置換一価炭化水素基である請求項１記載
   の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 Ｑ¹及びＱ²が−ＯＲ³（Ｒ³はアルキル基
   又はアルコキシアルキル基を示す）で示される請求項１
   又は２記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 Ｒ³の炭素数が１〜６である請求項３記
   載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 上記一般式（１）の正孔輸送基Ａが下記
   一般式（３）で示される請求項１〜４のいずれかに記載
   の電子写真感光体。 【化３】 （式中、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は有機基であり、そのうちの
   少なくとも１つは芳香族炭化水素環基又は複素環基を示
   し、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵は同一であっても異なっていても
   よい）
6. 【請求項６】 有機ケイ素変成正孔輸送性化合物が４．
   ５〜６．２ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する請求項
   １〜５のいずれかに記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 有機ケイ素変成正孔輸送性化合物が１×
   １０^-7ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以上のドリフト移動度を有する
   請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の電子写
   真感光体を、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、
   静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像す
   る現像手段、及び転写工程後の感光体上に残余するトナ
   ーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれた
   少なくとも一つの手段と共に一体に支持し、電子写真装
   置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカー
   トリッジ。
9. 【請求項９】 請求項１〜７のいずれかに記載の電子写
   真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段
   と、帯電した電子写真感光体に対し像露光を行い静電潜
   像を形成する像露光手段と、静電潜像の形成された電子
   写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写材上
   のトナー像を加熱転写する転写手段を備えたことを特徴
   とする電子写真装置。