JP2020038978A - 酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積 - Google Patents

酸化ケイ素薄膜の高温原子層堆積 Download PDF

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Abstract

【課題】５００℃超の温度による酸化ケイ素の原子層堆積プロセス形成を開示する。
【解決手段】使用されるケイ素前駆体は、Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp（Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ6〜Ｃ10アリール基、Ｒ4は直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基又はＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基、Ｒ3とＲ4は連結するか又は連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩ、ｍは０〜３、ｎは０〜２、ｐは０〜２、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３）又はＲ1Ｒ2 mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp（Ｒ1及びＲ2は水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ6〜Ｃ10アリール基、Ｒ3及びＲ4は直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ6〜Ｃ10アリール基、Ｒ3とＲ4は連結するか又は連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩ、ｍは０〜３、ｎは０〜２、ｑは０〜２、ｐは０〜２、ｍ＋ｎ＋ｑ＋ｐ＝３）の式を有する。
【選択図】図１

Description

［関連出願の相互参照］
この特許出願は、２０１２年４月１２日付で出願された米国仮特許出願第６１／６２３，２１７号の優先権の利益を主張する。
酸化ケイ素膜の形成のための組成物と方法を本明細書中に記載している。より詳しく述べると、約５００℃以上の１又は複数の堆積温度における原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを使用した酸化ケイ素膜の形成のための組成物と方法を本明細書中に記載している。
熱酸化は、半導体用途の二酸化ケイ素などの高純度且つ高度に共形の酸化ケイ素膜（ＳｉＯ2）を堆積させるのに一般的に使用されるプロセスである。しかしながら、熱酸化プロセスは、非常に遅い堆積速度、例えば、７００℃にて０．０３Å／ｓであり、大量の製造プロセスでそれを非実用的なものにしている（例えば、Wolf, S., "Silicon Processing for the VLSI Era Vol. 1 - Process Technology", Lattice Press, CA, 1986を参照のこと）。
原子層堆積（ＡＬＤ）及びプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）は、低温（＜５００℃）にて二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の共形膜を堆積させるのに使用されるプロセスである。ＡＬＤプロセスとＰＥＡＬＤプロセスでは共に、前駆体と反応性気体（例えば、酸素又はオゾンなど）が、特定のサイクル数で別々に律動的に送られて、サイクルごとに二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の単分子層を形成する。しかしながら、これらのプロセスを使用して低温で堆積する二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）は、半導体用途に有害であるレベルの不純物、例えば、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、又はその両方などを含むこともある。これを解消するためには、１つの解決法は、例えば、５００℃以上に堆積温度を上げることである。しかしながら、これらのより高い温度では、半導体産業で用いられてきた従来の前駆体は、自己反応する傾向があって、熱分解し、そしてＡＬＤ様式よりむしろＣＶＤ様式で堆積する。ＣＶＤ様式の堆積は、特に半導体用途における高アスペクト比構造でＡＬＤ堆積と比較して、共形性が低下する。加えて、ＣＶＤ様式の堆積は、ＡＬＤ様式の堆積よりも膜又は物質の厚さが制御しにくい。
特開２０１０−２７５６０２号公報及び特開２０１０−２２５６６３号公報には、３００〜５００℃の温度領域にて化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスによるＳｉ含有薄膜を形成するための原料、例えば、酸化ケイ素などの使用が開示されている。原料は、以下の式で表された有機シリコン化合物である：（ａ）ＨＳｉ（ＣＨ3）（Ｒ1）（ＮＲ2Ｒ3）（式中、Ｒ1は、ＮＲ4Ｒ5又は１Ｃ‐５Ｃアルキル基を表し；Ｒ2及びＲ4は、それぞれ１Ｃ‐５Ｃアルキル基又は水素原子を表し；そしてＲ3及びＲ5は、それぞれ１Ｃ‐５Ｃアルキル基を表す）；あるいは、（ｂ）ＨＳｉ（ＣＨ3）（Ｒ1）（ＮＲ3Ｒ4）（式中、Ｒ1及びＲ3は、独立に１〜４個の炭素原子、又は１個の水素原子を持つアルキル基を表し；そしてＲ2及びＲ4は、独立に１〜４個の炭素原子を持つアルキル基を表す）。その有機シリコン化合物は、Ｈ‐Ｓｉ結合を含んでいる。
米国特許第７，０８４，０７６号には、二酸化ケイ素を形成するための５００℃未満のＡＬＤ堆積のための触媒としてのピリジンと併せて使用される、例えば、ヘキサクロロジシロキサン（ＨＣＤＳＯ）などのハロゲン化シロキサンが開示されている。
米国特許第６，９９２，０１９号には、関連するパージ方法及びシーケンスと一緒に、少なくとも２つのケイ素原子を持つケイ素化合物から成る第１の反応物成分を使用するか、又は触媒成分として第三級脂肪族アミンを使用するか、あるいは、その組み合わせてその両方を使用することによって、半導体基材上に優れた特性を有する二酸化ケイ素層を形成するための触媒補助原子層堆積（ＡＬＤ）が開示されている。使用される前駆体は、ヘキサクロロジシランである。堆積温度は、２５〜１５０℃である。
特開２０１０−２７５６０２号公報 特開２０１０−２２５６６３号公報 米国特許第７，０８４，０７６号明細書 米国特許第６，９９２，０１９号明細書
よって、熱に基づく堆積プロセスを置き換えるために、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ型プロセス、例えば、これだけに限定されるものではないが、サイクリック化学気相成長プロセスを使用した高品質の、不純物の少ない、高度に共形的な酸化ケイ素膜を形成するためのプロセスを開発する必要がある。さらに、ＡＬＤ又はＡＬＤ型プロセスで、１又は複数の膜特性、例えば、純度及び／又は密度など、を改善するために、高温堆積（例えば、５００℃の１又は複数の温度での堆積）を開発することが望まれる場合もある。
原子層堆積（ＡＬＤ）又はＡＬＤ型プロセスにおいて、高温にて、例えば、５００℃以上の１又は複数の温度にて、酸化ケイ素材料又は膜の堆積のためのプロセスを、本明細書中に記載している。
１つの実施形態では、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、及び
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され、５００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される、酸化ケイ素を堆積させる方法が提供される。
別の実施形態では、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｆ．水蒸気又はヒドロキシル源を前記反応器内に導入する工程、及び
ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｇが繰り返され、５００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される、酸化ケイ素を堆積させる方法が提供される。この又は他の実施形態では、酸素源は、酸素、酸素プラズマ、水蒸気、水蒸気プラズマ、過酸化水素、酸化窒素、及びオゾンからなる群より選択される。
本明細書で記載される少なくとも１つのケイ素前駆体は、
Ｉ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ4は、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、及びＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライドであり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）並びに
ＩＩ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライド原子であり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）
からなる群より選択される。
先に記載した１又は複数の実施形態では、パージガスは、窒素、ヘリウム、及びアルゴンからなる群より選択される。
先に記載した１又は複数の実施形態では、酸素源は、酸素、酸素プラズマ、水蒸気、水蒸気プラズマ、過酸化水素、亜酸化窒素、及びオゾン、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される。
温度関数としてジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）及びジエチルアミノトリメチルシラン（ＤＥＡＭＴＳ）の堆積速度を示し、そしてそれは、両前駆体が最高６５０℃のＡＬＤウィンドウを有することができることを示唆している。 ２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシランのマススペクトルを提供する。 ＤＭＡＴＭＳ対熱酸化物に関する６５０℃にて堆積させたＳｉＯ2膜の電流‐電界を提供する。
原子層堆積（ＡＬＤ）又はＡＬＤ型プロセス、例えば、これだけに限定されるものではないが、サイクリック化学気相成長プロセス（ＣＣＶＤ）などにおいて、５００℃以上の１又は複数の温度を用いた、酸化ケイ素含有膜、例えば、オキシ窒化ケイ素膜、化学量論的又は非化学量論的酸化ケイ素膜、酸化ケイ素膜、又はその組み合わせなどの形成に関連する組成物及びプロセスを本明細書中に記載している。
先行技術における典型的なＡＬＤは、２５〜５００℃のプロセス温度にてＳｉＯ2を形成するために、酸素源、又は酸化剤、例えば、酸素、酸素プラズマ、水蒸気、水蒸気プラズマ、過酸化水素、又はオゾン源などをそのまま使用する。堆積工程は、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．ケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、及び
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含む。従来技術の方法では、所望の膜厚が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返される。
５００℃を超える高温プロセスは、膜の純度及び密度に関して良好な膜品質を得ることができる。ＡＬＤプロセスは、良好な膜ステップ被覆率を提供する。しかしながら、ＡＬＤ又はＰＥＡＬＤで使用される典型的な有機ケイ素前駆体は、特定の温度範囲内のＡＬＤ様式においてのみ膜に堆積する。温度がこの範囲より高いと、所望のＡＬＤ様式よりむしろＣＶＢ様式に堆積プロセスを変更させる、気相反応又は連続した基材表面反応のどちらかを起こす前駆体の熱分解が起こる。
理論に縛られることなく、５００℃超の１又は複数の温度におけるＡＬＤ又はＡＬＤ型の堆積プロセスに関して、本明細書で記載されるケイ素前駆体分子は、少なくとも１つの固着官能基を有していなければならず、そしてそれが、基材表面上の特定の反応点と反応して、シリコン種の単分子層を固着する。固着官能基は、ハライド（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）基、アミノ基、又はアルコキシ群、好ましくは、例えば、ジメチルアミノ又はジエチルアミノ基などのアミノ基、から選択できる。ケイ素前駆体はまた、それが更なる表面反応を防ぐくらい化学的に安定であり、そしてそれが、自己制限的プロセスにつながる不動態の官能基も持たなければならない。不動態化官能基は、例えば、メチル、エチル、フェニル基、好ましくはメチル基などの様々なアルキル基から選択される。次いで、表面上に残った基は、酸化されて、Ｓｉ‐Ｏ‐Ｓｉ結合、並びにヒドロキシル基を形成することができる。加えて、例えば、Ｈ2Ｏ又は水プラズマなどのヒドロキシル源もまた、以下のスキーム１で明示されるように、次のＡＬＤサイクルのための反応点としてより多くのヒドロキシル基を形成するために反応器内に導入される。
１つの実施形態では、本明細書で記載される少なくとも１つのケイ素前駆体は、以下の式Ｉ
Ｉ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ4は、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、及びＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライドであり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）を有する化合物である。式Ｉを有する前駆体の例としては、これだけに限定されるものではないが、以下のものが挙げられる：ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、エチルメチルアミノトリメチルシラン、ジエチルアミノトリエチルシラン、ジメチルアミノトリエチルシラン、エチルメチルアミノトリエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン、イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン、ジイソプロピルアミノトリエチルシラン、ピロリジノトリエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン、イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン、ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン、ピロリジノトリメチルシラン、ジエチルアミノジメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、エチルメチルアミノジメチルシラン、ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン、イソ‐プロピルアミノジメチルシラン、ジイソプロピルアミノジメチルシラン、ピロリジノジメチルシラン、ジエチルアミノジエチルシラン、ジメチルアミノジエチルシラン、エチルメチルアミノジエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン、イソ‐プロピルアミノジエチルシラン、ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン、ピロリジノジエチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン、ジピロリジノジメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン、ジピロリジノジエチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン、ジピロリジノメチルビニルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン、及びトリス（ジメチルアミノ）クロロシラン。
グループＩのケイ素前駆体（式ＩのＲ4が、Ｃ3〜Ｃ10アルキルシリル基である。）の更なる例としては、これだけに限定されるものではないが、以下のものが挙げられる：１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチルジシラザン、１，１，１，２，３，３，３‐ヘプタメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチル‐２‐メチルジシラザン、１，１，２，３，３‐ペンタメチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチル‐２‐メチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチル‐２‐エチルジシラザン、１，１，１，２，３，３，３‐ヘプタエチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチル‐２‐エチルジシラザン、１，１，２，３，３‐ペンタエチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチル‐２‐イソプロピルジシラザン、及び１，１，３，３‐テトラエチル‐２‐イソプロピルジシラザン。
さらなる実施形態では、本明細書で記載される少なくとも１つのケイ素前駆体は、以下の式ＩＩ
ＩＩ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライド原子であり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｑは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｑ＋ｐ＝３である）を有する化合物である。このようなグループＩＩのケイ素前駆体の例としては、これだけに限定されるものではないが、以下のものが挙げられる：メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、イソ‐プロポキシトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン、フェノキシトリメチルシラン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリエチルシラン、エトキシトリエチルシラン、イソ‐プロポキシトリエチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン、フェノキシトリエチルシラン、アセトキシトリエチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、イソ‐プロポキシジメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン、フェノキシジメチルシラン、アセトキシジメチルシラン、メトキシジメチルフェニルシラン、エトキシジメチルフェニルシラン、イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン、フェノキシジメチルフェニルシラン、アセトキシジメチルフェニルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジ‐イソプロポキシジメチルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン、ジアセトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジ‐イソプロポキシジエチルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン、ジアセトキシジエチルシラン、ジメトキシジ‐イソプロピルシラン、ジエトキシジ‐イソプロピルシラン、ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン、ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン、及び１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン。
先の式において、また明細書を通じて、用語「アルキル」は、１〜１０、３〜１０、又は１〜６個の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖の官能基を意味する。典型的な直鎖アルキル基としては、これだけに限定されるものではないが、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル及びヘキシル基が挙げられる。特定の実施形態において、アルキル基は、自身に結合している１つ以上の官能基、例えば限定されないが、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はこれらの組み合わせを有する場合がある。他の実施形態において、アルキル基は、自身に結合する１つ以上の官能基を有さない。アルキル基は、飽和している場合が有り、又は不飽和の場合がある。
先の式において、また明細書を通じて、用語「アリール」は、３〜１０個の炭素原子、５〜１０個の炭素原子、又は６〜１０個の炭素原子を有する芳香族の環状官能基を意味する。典型的なアリール基としては、これだけに限定されるものではないが、フェニル、ベンジル、クロロベンジル、トリル、及びｏ−トリルが挙げられる。
先の式において、また明細書を通じて、用語「アルコキシ」は、酸素原子に結合しているアルキル基であって（例えばＲ−Ｏ）、１〜１２個又は１〜６個の炭素原子を有することができるアルキル基を意味する。典型的なアルコキシ基としては、これだけに限定されるものではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ‐ブトキシ、ｔｅｒｔ‐ブトキシ、ペントキシ、ｔｅｒｔ‐ペントキシ、イソペントキシ、ｎｅｏ‐ペントキシ、ヘキソキシ、及び２‐エチルヘキソキシが挙げられる。先の式において、また明細書を通じて、用語「アミノ」は、窒素原子に結合しているアルキル又は芳香族基であって（例えばＮＲ3Ｒ4と先に規定されている）、１〜１２個又は１〜６個の炭素原子を有することができる。典型的なアミノ基としては、これだけに限定されるものではないが、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ、シクロヘキシルアミノ、ピペリジノ、アルキル置換されたピペリジノ（例えば、２，６‐ジメチルピペリジノ）、ピロリジノ、アルキル置換されたピロリジノ（例えば、２，５‐ジメチルピロリジノ）、ピロリル、アルキル置換されたピロリル、イミダゾリル、及びアルキル置換されたイミダゾリル基が挙げられる。
先の式において、また明細書を通じて、本明細書で用いられる場合、用語「不飽和」は、１以上の炭素二重結合又は三重結合を有する官能基、置換基、環又は架橋を意味する。不飽和環の例は、これだけに限定されるものではないが、芳香環、例えばフェニル環となることができる。用語「飽和」は、１以上の炭素二重結合又は三重結合を有さない官能基、置換基、環又は架橋を意味する。
先の式において、また明細書を通じて、用語「アルキルシリル」は、３〜１０個の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖の官能基である。典型的なアルキルシリル基としては、これだけに限定されるものではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ジメチルシリル、ジエチルシリル、及びジメチルエチルシリルが挙げられる。
特定の実施形態において、式Ｉ又は式ＩＩの置換基Ｒ3及びＲ4は、連結されて環構造を形成することができる。当業者が理解しているように、Ｒ3とＲ4が共に連結されて環を形成する場合には、Ｒ3は、Ｒ4に連結するための結合を備え、その逆もまた同様である。これらの実施形態において、環構造は、例えば、環式アルキル環などのように不飽和であっても、例えば、アリール環のように飽和されていてもよい。さらに、これらの実施形態において、環構造はまた、置換されても、未置換であってもよい。典型的な環式環基としては、これだけに限定されるものではないが、ピロリジノ、ピペリジノ、及び２，６‐ジメチルピペリジノ基が挙げられる。しかしながら、他の実施形態において、置換基Ｒ3とＲ4は連結されない。
特定の実施形態において、本明細書に記載した方法を用いて堆積させるケイ素膜を、酸素源、試薬又は酸素を含む前駆体を用いて、酸素の存在下で形成させる。酸素源は、少なくとも１つの酸素源の形態で反応器に導入させることができ、且つ／又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な酸素源ガスとしては、例えば水（Ｈ2Ｏ）（例えば、脱イオン水、精製水、及び／又は蒸留水）、酸素（Ｏ2）、過酸化物（Ｏ3）、酸素プラズマ、オゾン（Ｏ3）、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）及びこれらの組み合わせを挙げることができる。特定の実施形態において、酸素源は、約１〜約２０００立方センチメートル（ｓｃｃｍ）又は約１〜約１０００ｓｃｃｍの流量で反応器に導入する酸素源を含む。酸素源を、約０．１秒〜約１００秒の時間で導入することができる。１つの特定の実施形態において、酸素源は、１０℃以上の温度を持つ水を含む。膜をＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスによって堆積させる実施形態において、前駆体パルスは、０．０１秒超であるパルス時間を有することができ、且つ酸素源が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の１つの実施形態において、パルスとパルスの間のパージ時間は、０秒程度まで小さくすることができ、又はその間にパージをしないで連続的なパルスにすることができる。酸素源又は試薬を、分子の総量について、ケイ素前駆体に対する比を１：１より小さくして与えて、それにより少なくとも一定量の炭素を、堆積させる誘電体膜に保持させる。
特定の実施形態において、酸化ケイ素膜は、ケイ素及び窒素をさらに含む。これらの実施形態において、本明細書に記載した方法を用いて堆積させる膜を、窒素含有源の存在下で形成させる。窒素含有源は、少なくとも１つの窒素含有源の形態で反応器に導入させることができ、且つ／又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な窒素含有源としては、例えば、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／水素プラズマ及びこれらの混合物が挙げられる。特定の実施形態において、窒素含有源は、約１〜約２０００ｓｃｃｍ又は約１〜約１０００ｓｃｃｍの流量で反応器に導入するアンモニアプラズマ、又は水素／窒素プラズマ源ガスを含む。窒素含有源を、約０．１秒〜約１００秒の時間で導入することができる。膜をＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスによって堆積させる実施形態において、前駆体パルスは、０．０１秒超であるパルス時間を有することができ、且つ窒素含有源が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、０．０１秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の１つの実施形態において、パルスとパルスとの間のパージ時間は、０秒程度まで小さくすることができ、又は間にパージをしないで連続的なパルスにすることができる。
本明細書で開示した堆積方法は、１種以上のパージガスを伴う場合がある。未反応の反応物及び／又は反応副生成物をパージするために用いるパージガスは、不活性ガスであり、これは前駆体と反応しない。典型的なパージガスとしては、これだけに限定されるものではないが、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン、水素（Ｈ2）及びこれらの混合物が挙げられる。特定の実施形態において、パージガス、例えばＡｒを、約０．１秒〜１０００秒の間に、約１０〜約２０００ｓｃｃｍの流量で反応器に供給することができ、それにより反応器に残留している場合がある未反応の材料及びあらゆる副生成物を、パージすることができる。
前駆体、酸素源、窒素含有源及び／又は他の前駆体、他の物質源ガス及び／又は試薬を供給する各工程を、それらを供給する時間を変えることによって実行し、得られる誘電体膜の化学量論的な組成を変えることができる。
エネルギーを、ケイ素前駆体、酸素含有源、又はこれらの組み合わせの少なくとも１つに適用して、反応を誘導し、そして誘電体膜又はケイ素含有コーティングを基材に形成させる。そのようなエネルギーは、これだけに限定されるものではないが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、Ｘ線、電子線、光子、リモートプラズマ法及びこれらの組み合わせによって与えることができる。特定の実施形態において、二次高周波（secondary RF frequency）源を用いて、プラズマ特性を基材表面で変えることができる。堆積にプラズマを伴う実施形態において、プラズマ生成プロセスは、プラズマを反応器で直接的に生成させる直接プラズマ生成プロセス、あるいはプラズマを反応器の外部で生成させて反応器に供給するリモートプラズマ生成プロセスを、含むことができる。
少なくとも１つのケイ素前駆体を、反応チャンバー、例えば、サイクリックＣＶＤ反応器又はＡＬＤ反応器に、様々な方法で提供することができる。１つの実施形態において、液体提供システムを用いることができる。別の実施形態において、液体提供プロセスとフラッシュ気化プロセスが組み合わされたユニット、例えばMSP Corporation of Shoreview, MNによって製造されたターボ気化器を用いて、低揮発度物質を容量分析的に供給することを可能とする。これは、前駆体の熱的分解のない状態で再現性のある輸送及び堆積をもたらすことができる。液体供給配合物中において、本明細書に記載された前駆体は、そのままの液体形態で提供することができ、あるいは、この前駆体を含む溶媒配合物中又は組成物中で使用することができる。それゆえ、特定の実施形態において、その前駆体配合物は、基材上に膜を形成する特定の最終用途において所望であり且つ有利となるような、適切な特性を有する溶媒成分を含むことができる。
本明細書に記載した式Ｉ又はＩＩを有するケイ素前駆体の少なくとも１つ及び溶媒を含む組成物中で、式Ｉ又はＩＩを有するケイ素前駆体の少なくとも１つを用いる実施形態に関して、選択する溶媒又は溶媒混合物は、そのケイ素前駆体と反応しない。その組成物中の重量％による溶媒の量は、０．５〜９９．５ｗｔ％又は１０〜７５ｗｔ％である。この実施形態又は他の実施形態において、溶媒は、式Ｉ又はＩＩのケイ素前駆体の少なくとも１つの沸点（ｂ．ｐ．）に近いｂ．ｐ．を有し、又は溶媒のｂ．ｐ．と式Ｉ又はＩＩのケイ素前駆体の少なくとも１つのｂ．ｐ．との差は、４０℃以下、３０℃以下、２０℃以下、又は１０℃以下である。あるいは、その沸点の差は、次を任意の端点とする範囲になる：０℃、１０℃、２０℃、３０℃又は４０℃。ｂ．ｐ．差の適切な範囲の例としては、これだけに限定されるものではないが、０〜４０℃、２０〜３０℃、又は１０〜３０℃である。組成物中の適切な溶媒の例としては、これだけに限定されるものではないが、エーテル（例えば、１，４−ジオキサン、ジブチルエーテル）、第三級アミン（例えば、ピリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）、ニトリル（例えば、ベンゾニトリル）、アルキル（例えば、オクタン、ノナン、ドデカン、エチルシクロヘキサン）、芳香族炭化水素（例えば、トルエン、メシチレン）、第三級アミノエーテル（例えば、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル）又はこれらの混合物が挙げられる。
上述したように、式Ｉ又はＩＩのケイ素前駆体の少なくとも１つの純度は、信頼性のある半導体の製造を可能とするのに十分に高い。特定の実施形態において、本明細書に記載した式Ｉ又はＩＩを有するケイ素前駆体の少なくとも１つは、次の不純物の１種以上を２重量％以下、１重量％以下、又は０．５重量％以下で有する：遊離アミン、遊離ハライド又はハロゲンイオン、及び比較的高い分子量の物質。本明細書に記載したケイ素前駆体の比較的高い純度は、次の１以上のプロセスを通じて得ることができる：精製、吸着及び／又は蒸留。
本明細書に記載した方法の１つの実施形態において、サイクリック堆積プロセス、例えばＡＬＤ型、ＡＬＤ又はＰＥＡＬＤを用いることができ、ここでは、堆積は、式Ｉ又はＩＩを有するケイ素前駆体の少なくとも１つ、及び酸素含有源を用いて実施される。ＡＬＤ型プロセスは、サイクリックＣＶＤと規定されるが、それでも、高い共形性の酸化ケイ素膜を提供する。
特定の実施形態において、前駆体容器から反応チャンバーに連結するガスラインを、プロセスの必要性に応じて、１以上の温度に加熱し、少なくとも１つの、式Ｉ又はＩＩのケイ素前駆体の容器を、バブリングのために１以上の温度で維持する。他の実施形態において、式Ｉ又はＩＩのケイ素前駆体の少なくとも１つを含有する溶液を、直接液体注入のために１以上の温度で維持した気化器に注入する。
アルゴン及び／又は他のガスの流れを、キャリアガスとして用いて、前駆体パルスの間の反応チャンバーへの少なくとも１つの、式Ｉ又はＩＩのケイ素前駆体の蒸気の提供を促進することができる。特定の実施形態において、反応チャンバーのプロセス圧力は、約１トールである。
典型的なＡＬＤ又はＡＬＤ型プロセス、例えばＣＣＶＤプロセスなどでは、基材、例えば酸化ケイ素基材を、反応チャンバー内のヒーター台で加熱し、これを始めにケイ素前駆体にさらして、錯体を基材の表面に化学的に吸着させる。
パージガス、例えばアルゴンは、未吸着の余分な錯体をプロセスチャンバーからパージする。十分なパージの後で、酸素源を、反応チャンバーに導入して、吸着した表面と反応させた後で、他の１つのパージガスによって、チャンバーから反応副生成物を除去することができる。このプロセスサイクルを、所望の膜厚さを得るように繰り返すことができる。場合によっては、ポンピングでパージガスを不活性ガスに置き替えられるが、未反応ケイ素前駆体を取り除くのに、両方とも利用することができる。
この実施形態又は他の実施形態において、本明細書で記載される方法の工程を、様々な順番で実行しても、順次的に実行しても、又は同時に（例えば、他の１つの工程の少なくとも一部の間に）実行してもよく、そしてこれらのあらゆる組み合わせで実行することができると理解される。前駆体及び酸素源ガスを提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための時間の持続時間を変えることによって実行して、得られる誘電性膜の化学量論的組成を変えることができる。
基材上に酸化ケイ素膜を堆積させるための本明細書で記載される方法の１つの特定の実施形態は、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．式Ｉ、ＩＩ又はその両方を有する本明細書で記載される少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、及び
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さの酸化ケイ素膜が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返される。
本明細書で記載される方法及び組成物の１つの特定の実施形態では、ケイ素前駆体は、以下の式Ｉ
Ｉ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp
（式中、Ｒ1はメチル（Ｍｅ）基であり、Ｒ2はＭｅ基であり、ｍ＝２、ｎ＝１、ｐ＝０、Ｒ3は、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ4は、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ3〜Ｃ10アルキルシリル基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結しない）を有する化合物である。以下の表１は、ハライド原子、アミン基、又はアルコキシ基から選択される固着官能基を持ち、且つ、好ましくはメチル又はＭｅ基であるアルキル基から選択される不動態化機能を有する典型的なケイ素前駆体と持つ構造物を示す。理論に縛られるものではないが、Ｓｉ‐Ｍｅ基が、５００℃超の温度にて安定しているので、更なる表面反応を予防する不動態化官能基を提供し、そして自己制限的ＡＬＰ又はＡＬＤ型プロセスにつながる。
本明細書で記載される方法のもう１つの実施形態では、酸化工程後のヒドロキシル又はＯＨ源、例えば、Ｈ2Ｏ蒸気などを導入する。この実施形態における目標は、表面上に固着して単分子層を形成する、ケイ素前駆体の固着官能基又は反応点を再投入することである。その堆積工程は、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．上記の１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸化剤を前記反応器内に導入する工程、
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｆ．水蒸気又はヒドロキシル源を前記反応器内に導入する工程、及び
ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｇが繰り返される。
本明細書で記載される方法の代替の実施形態では、堆積工程は、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．上記の１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｆ．水蒸気又はＯＨ源を前記反応器内に導入する工程、及び
ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｇが繰り返される。
さらに別の実施形態は、不動態化官能基又は不動態化基、例えば、メチルなどを取り除くために過酸化水素又は酸素プラズマを利用する。その堆積工程は、以下のとおり、
ａ．基材を反応器内に用意する工程、
ｂ．上記の１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
ｄ．オゾン、過酸化水素又は酸素プラズマを前記反応器内に導入する工程、及び
ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
を含み、所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返される。
本明細書で記載される方法のプロセス温度は、５００℃〜１０００℃；５００℃〜７５０℃；６００℃〜７５０℃；又は６００℃〜８００℃の１又は複数の温度である。
堆積圧力範囲は、５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トール又は５００ｍＴ〜１００トールの１又は複数の圧力である。パージガスは、例えば、窒素、ヘリウム又はアルゴンなどの不活性ガスから選択できる。酸化剤は、酸素、過酸化物、オゾン又はプラズマプロセスからの分子酸素から選択される。
［実施例１：ジメチルアミノトリメチルシランを用いた酸化ケイ素膜の原子層堆積］
酸化ケイ素膜の原子層堆積を、次の前駆体を用いて行った：ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）。堆積を、実験室スケールのＡＬＤプロセスツールで行った。ケイ素前駆体を、蒸気ドローによってチャンバーに供給した。全てのガス（例えば、パージガス、反応ガス又は前駆体及び酸素源）を、堆積ゾーンに入る前に１００℃に余熱した。ガス及び前駆体の流量を、高速作動するＡＬＤダイアフラムバルブで制御した。堆積に用いた基材は、１２インチの長さのシリコンストリップであった。基材の温度を確認するために、熱電対をサンプルホルダーに取り付けた。酸素源ガスとしてオゾンを用いて、堆積を行った。堆積パラメーターを表７に与える。
所望の厚さに達するまで、工程２〜６を繰り返す。膜の厚みと屈折率を、膜からの反射データをあらかじめ設定しておいた物理モデルに当てはめることによって、FihnTek 2000SE偏光解析器（例えば、ローレンツ振動子モデル）を使用して計測した。ウェットエッチ速度を、脱イオン水中の４９％フッ化水素（ＨＦ）酸の１％溶液を使用することで実施した。熱酸化物ウェハーを、溶液濃度を確認するための各バッチの基準として使用した。Ｈ2Ｏ溶液中の１％ＨＦに関する典型的な熱酸化物ウェハーのウェットエッチ速度は、０．５Å／ｓである。エッチング前後のそれぞれの膜の厚みを、ウェットエッチ速度について計算するために使用した。膜中の炭素濃度と窒素濃度を、Dynamic Secondary Ions Mass Spectrometry（ＳＩＭＳ）技術を用いて分析した。不均質性（％）を、以下の方程式を使用して、６点の測定から計算した：不均質性（％）＝（（最大−最小）／（２*平均））。膜密度を、Ｘ線反射測定（ＸＲＲ）を用いて特徴づけした。表ＩＩには、５００〜６５０℃のウェハー温度にて、一定投与（８秒）のＤＭＡＴＭＳ前駆体を用いて堆積させたＳｉＯ2膜の特性をまとめる。
ＤＭＡＴＭＳから堆積した酸化ケイ素の膜密度は、２．０８〜２．２３ｇ／ｃｃに及んだ。
図３は、６５０℃にてＤＭＡＴＭＳを用いて堆積させた熱酸化物とＳｉＯ2とのリーク電流と絶縁破壊の比較を表しており、ＤＭＡＴＭＳを使用した酸化ケイ素が、熱酸化物に匹敵する電気的性質を有することを実証している。１〜５ＭＶ／ｃｍ（典型的な動作電圧）でのリーク電流は、熱酸化物の典型的なデバイス動作電圧の大きさの１桁分以内である。
ＡＬＤ様式の堆積を確認するために、複数回の前駆体投与をオゾン導入前に使用して、堆積が自己制限的であることを保証する。堆積工程を、以下で表ＩＩＩ内に挙げる。
工程２ａと２ｂを繰り返して、ケイ素前駆体の複数回投与を導入した。堆積速度と不均質性の両方を、表ＩＶで報告する。
堆積速度は、６５０℃におけるＡＬＤ様式の堆積を確認する前駆体投与の増加に伴って自己制限的挙動と飽和状態を示している。
［実施例２：ジエチルアミノトリメチルシランを用いた酸化ケイ素膜の原子層堆積］
酸化ケイ素膜の原子層堆積は、実施例１の表Ｉに挙げたジエチルアミノトリメチルシラン（ＤＥＡＴＭＳ）使用工程である。５００〜６５０℃にて一定の前駆体投与（８秒）でＤＥＡＴＭＳを用いて堆積させたＳｉＯ2膜の堆積速度と膜不均質性を、表ＩＶに示した。
ＡＬＤ様式の堆積を確認するために、複数回の前駆体投与を、オゾン堆積工程前に使用して、堆積が自己制限的であることを保証する。堆積工程を以下の表Ｖに挙げる。
工程２ａと２ｂを繰り返して、ケイ素前駆体の複数回投与をシミュレートする。堆積速度と不均質性の両方を、表ＶＩで報告する。
堆積速度は、６５０℃におけるＡＬＤ様式の堆積を確認する前駆体投与の増加に伴って自己制限的挙動と飽和状態を示している。
［実施例３：ＤＭＡＴＭＳを用いたパターンケイ素基材上の酸化ケイ素膜の原子層堆積］
ＳｉＯ2膜を、ＤＭＡＴＭＳを用いてパターンシリコンウェハー上に堆積させた。堆積プロセスを、６５０℃にて８秒の、酸素源ガスとしてのオゾンと前駆体の二連パルスを使用して実施した。基材上に堆積した膜を、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥＳＥＭ）Hitachi S‐4800SEMを使用して計測した。サンプルを、断面ホルダーに乗せ、そして２ｋＶの加速電圧で稼働したＳＥＭを使用して調べられた。サンプル断面のＳｉＯ2厚の測定を、溝の上部、側壁、及び底部で行なった。ＳｉＯ2膜のＳＥＭ断面の精査で、素晴らしい段差被覆率（＞９６％）を示したので、そのプロセスが確かにＡＬＤプロセスであると確認した。
［実施例４：ジエチルアミノトリエチルシラン（Diethylaminotriethylsilane）（ＤＥＡＴＥＳ）を用いた酸化ケイ素膜の原子層堆積］
酸化ケイ素膜の堆積を、ケイ素前駆体であるジエチルアミノトリエチルシラン（ＤＥＡＴＥＳ）とオゾンを使用して行なった。使用した堆積工程は、実施例１の表Ｉに挙げてある。表ＶＩＩには、５００〜６５０℃のウェハー温度にてＤＥＡＴＥＳを使用して堆積させたＳｉＯ2膜の堆積速度と不均質性をまとめてある。
表ＶＩＩを参照すると、堆積速度及び不均質性は、６００℃において増加し（６００℃において一部のＣＶＤ反応で示された）、そして６５０℃におけるＣＶＤ反応で更に増加した。
［実施例５：メトキシトリメチルシラン（Methoxytrimethylsilane）を用いた酸化ケイ素膜の原子層堆積］
酸化ケイ素膜の原子層堆積を、ケイ素前駆体であるメトキシトリメチルシランを使用して行なった。堆積は、実施例１の表Ｉで列挙したプロセス工程を用いて６５０℃にてオゾンを使用することで実施した。基材温度を６５０℃に設定した。堆積速度は、約０．３Å／サイクルであった。
［実施例６：クロロトリメチルシラン（Chlorotrimethylsilane）を用いた酸化ケイ素膜の原子層堆積］
酸化ケイ素膜の原子層堆積を、ケイ素前駆体であるクロロトリメチルシランを使用して行なった。堆積を、酸素源ガスとしてオゾンを使用して実施し、堆積プロセスパラメーターは、実施例１の表Ｉと同じである。基材温度を６５０℃に設定した。堆積速度は０．５Å／サイクルであった。
［実施例７：ヘキサメチルジシラザンを用いた酸化ケイ素膜の原子層堆積］
酸化ケイ素膜の原子層堆積を、ケイ素前駆体であるヘキサメチルジシランを使用して行なった。堆積を、実施例１の表Ｉに挙げたプロセス工程を用いて、６５０℃にてオゾンを使用して実施した。堆積速度は、約１．３Å／サイクルであった。
［実施例８：ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシランを使用した酸化ケイ素膜のＡＬＤ堆積］
ビスジメチルアミノジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）を、ケイ素前駆体として使用した。ＢＤＭＡＤＭＳは、Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）n（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、メチルであり、ｎ＝２、そしてｍ＝１。）の一般構造を有する。
堆積を、実験室スケールのＡＬＤプロセスツールにより実施した。堆積を、酸素源ガスとしてのオゾンと、表Ｉのものと同じ堆積プロセスパラメーターを使用して実施した。
５００〜６５０℃にて一定の前駆体投与（８秒）でＢＤＭＡＤＭＳを使用して堆積させた酸化ケイ素膜の堆積速度と膜不均質性を、表ＶＩＩＩにまとめる：
二連前駆体パルスプロセスを使用して、ＡＬＤ様式をさらに検証した。表ＩＸには、一連の８秒パルスと二連の８秒パルスを用いた膜の堆積速度と不均質性に示す。
表ＩＸに示すとおり、二連前駆体パルスを使用したとき、堆積速度が有意に増加し、そして均質性は低下し、そしてそれは、いくらのＣＶＤ様式の堆積を意味した。
［実施例９：２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシランの合成］
添加漏斗、冷却管、及び機械式スターラーを備えた１０００ｍｌ容の三つ口丸底フラスコの中に、１１３ｇ（１．０ｍｏｌ）の２，６‐ジメチルピペリジン及び５００ｍｌのヘキサンを加えた。撹拌しながら、５０．５ｇ（０．５ｍｏｌ）のクロロトリメチルシランを、添加漏斗を通して滴下して加えた。添加が完了した後、反応混合物を６時間還流した。室温まで冷まし、混合物は濾過した。固体をヘキサンで洗浄し、そして、そのヘキサン溶液を濾液と合わせた。溶媒であるヘキサンを蒸留によって取り除いた。分別蒸留によって１３４ｇの２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシランを得た。収率は７５％であった。図２に提供したマススペクトルで、それが１８５（Ｍ）、１７０（Ｍ‐１５）にフラグメントを有するジメチルピペリジノトリメチルシランであることを確認した。

Claims (24)

  1. ａ．基材を反応器内に用意する工程、
    ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
    ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
    ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、及び
    ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
    を含み、所望の厚さの酸化ケイ素が堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され、
    ５００〜８００℃の１又は複数の温度及び５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールの１又は複数の圧力で実施される、基材上に酸化ケイ素膜を堆積させる方法。
  2. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、
    Ｉ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp
    （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ4は、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、及びＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライドであり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）並びに
    ＩＩ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp
    （式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライド原子であり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｑは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｑ＋ｐ＝３である）
    からなる群より選択される式を有する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、ジエチルアミノトリエチルシラン、ジメチルアミノトリエチルシラン、エチルメチルアミノトリエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン、イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン、ジイソプロピルアミノトリエチルシラン、ピロリジノトリエチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、エチルメチルアミノトリメチルシラン、ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン、イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン、ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン、ピロリジノトリメチルシラン、ジエチルアミノジメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、エチルメチルアミノジメチルシラン、ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン、イソ‐プロピルアミノジメチルシラン、ジイソプロピルアミノジメチルシラン、ピロリジノジメチルシラン、ジエチルアミノジエチルシラン、ジメチルアミノジエチルシラン、エチルメチルアミノジエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン、イソ‐プロピルアミノジエチルシラン、ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン、ピロリジノジエチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン、ジピロリジノジメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン、ジピロリジノジエチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン、ジピロリジノメチルビニルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
  4. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、イソ‐プロポキシトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン、フェノキシトリメチルシラン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリエチルシラン、エトキシトリエチルシラン、イソ‐プロポキシトリエチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン、フェノキシトリエチルシラン、アセトキシトリエチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、イソ‐プロポキシジメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン、フェノキシジメチルシラン、アセトキシジメチルシラン、メトキシジメチルフェニルシラン、エトキシジメチルフェニルシラン、イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン、フェノキシジメチルフェニルシラン、アセトキシジメチルフェニルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジ‐イソプロポキシジメチルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン、ジアセトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジ‐イソプロポキシジエチルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン、ジアセトキシジエチルシラン、ジメトキシジ‐イソプロピルシラン、ジエトキシジ‐イソプロピルシラン、ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン、ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン、１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
  5. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチルジシラザン、１，１，１，２，３，３，３‐ヘプタメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチル‐２‐メチルジシラザン、１，１，２，３，３‐ペンタメチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチル‐２‐メチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチル‐２‐エチルジシラザン、１，１，１，２，３，３，３‐ヘプタエチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチル‐２‐エチルジシラザン、１，１，２，３，３‐ペンタエチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチル‐２‐イソプロピルジシラザン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
  6. 前記パージガスが、窒素、ヘリウム、及びアルゴンからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
  7. 前記酸素源が、酸素、過酸化物、酸素プラズマ、水蒸気、水蒸気プラズマ、過酸化水素、及びオゾン源からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
  8. ｆ．水蒸気又はヒドロキシル源を前記反応器内に導入する工程、及び
    ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
    を工程ｅの後にさらに含む、請求項１に記載の方法。
  9. ａ．基材を反応器内に用意する工程、
    ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
    ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
    ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、
    ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
    ｆ．水蒸気又はＯＨ源を前記反応器内に導入する工程、及び
    ｇ．前記反応器をパージガスでパージする工程
    を含み、所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｇが繰り返され、
    プロセス温度が５００〜８００℃であり、圧力が５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールである、酸化ケイ素を堆積させる方法。
  10. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、
    Ｉ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＮＲ3Ｒ4）nＸp
    （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ4は、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、及びＣ3〜Ｃ10アルキルシリル基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライドであり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３である）並びに
    ＩＩ．Ｒ1Ｒ2 mＳｉ（ＯＲ3）n（ＯＲ4）qＸp
    （式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、直鎖又は分岐鎖のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及びＣ6〜Ｃ10アリール基から選択され、ここで、Ｒ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結するか又はＲ3とＲ4は環式環構造を形成するために連結せず、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライド原子であり、ｍは０〜３であり、ｎは０〜２であり、ｑは０〜２であり、ｐは０〜２であり、ｍ＋ｎ＋ｑ＋ｐ＝３である）
    からなる群より選択される式を有する、請求項９に記載の方法。
  11. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、ジエチルアミノトリエチルシラン、ジメチルアミノトリエチルシラン、エチルメチルアミノトリエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノトリエチルシラン、イソ‐プロピルアミノトリエチルシラン、ジイソプロピルアミノトリエチルシラン、ピロリジノトリエチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、エチルメチルアミノトリメチルシラン、ｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン、イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン、ジ‐イソプロピルアミノトリメチルシラン、ピロリジノトリメチルシラン、ジエチルアミノジメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、エチルメチルアミノジメチルシラン、ｔ‐ブチルアミノジメチルシラン、イソ‐プロピルアミノジメチルシラン、ジイソプロピルアミノジメチルシラン、ピロリジノジメチルシラン、ジエチルアミノジエチルシラン、ジメチルアミノジエチルシラン、エチルメチルアミノジエチルシラン、ｔ‐ブチルアミノジエチルシラン、イソ‐プロピルアミノジエチルシラン、ジ‐イソプロピルアミノジエチルシラン、ピロリジノジエチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジメチルシラン、ジピロリジノジメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジイソプロピルアミノ）ジエチルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）ジエチルシラン、ジピロリジノジエチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ジ‐イソプロピルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（イソ‐プロピルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルアミノ）メチルビニルシラン、ジピロリジノメチルビニルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノジメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
  12. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、イソ‐プロポキシトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシトリメチルシラン、フェノキシトリメチルシラン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリエチルシラン、エトキシトリエチルシラン、イソ‐プロポキシトリエチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシトリエチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシトリエチルシラン、フェノキシトリエチルシラン、アセトキシトリエチルシラン、メトキシジメチルシラン、エトキシジメチルシラン、イソ‐プロポキシジメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルシラン、フェノキシジメチルシラン、アセトキシジメチルシラン、メトキシジメチルフェニルシラン、エトキシジメチルフェニルシラン、イソ‐プロポキシジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ‐ブトキシジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ‐ペントキシジメチルフェニルシラン、フェノキシジメチルフェニルシラン、アセトキシジメチルフェニルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジ‐イソプロポキシジメチルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジメチルシラン、ジアセトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジ‐イソプロポキシジエチルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジエチルシラン、ジアセトキシジエチルシラン、ジメトキシジ‐イソプロピルシラン、ジエトキシジ‐イソプロピルシラン、ジ‐イソプロポキシジ‐イソプロピルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシジ‐イソプロピルシラン、ジアセトキシジ‐イソプロピルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジ‐イソプロポキシメチルビニルシラン、ジ‐ｔ‐ブトキシメチルビニルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、１，１，３，４‐テトラメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン、１，１，３，３，４，４‐ヘキサメチル‐１‐シラ‐２，５‐ジオキサシクロペンタン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
  13. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチルジシラザン、１，１，１，２，３，３，３‐ヘプタメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチル‐２‐メチルジシラザン、１，１，２，３，３‐ペンタメチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチル‐２‐メチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチル‐２‐エチルジシラザン、１，１，１，２，３，３，３‐ヘプタエチルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチル‐２‐エチルジシラザン、１，１，２，３，３‐ペンタエチルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサエチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，３，３‐テトラメチル‐２‐イソプロピルジシラザン、１，１，３，３‐テトラエチル‐２‐イソプロピルジシラザン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
  14. 前記パージガスが、窒素、ヘリウム、及びアルゴンからなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
  15. 前記酸素源が、酸素、酸素プラズマ、亜酸化窒素、水蒸気、水蒸気プラズマ、過酸化水素、及びオゾン源からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
  16. ａ．基材を反応器内に用意する工程、
    ｂ．少なくとも１つのケイ素前駆体を前記反応器内に導入する工程、
    ｃ．前記反応器をパージガスでパージする工程、
    ｄ．酸素源を前記反応器内に導入する工程、及び
    ｅ．前記反応器をパージガスでパージする工程
    を含み、所望の厚さが堆積するまで工程ｂから工程ｅが繰り返され、
    プロセス温度が５００〜８００℃であり、圧力が５０ミリトール（ｍＴ）〜７６０トールであり、前記ケイ素前駆体がＳｉ‐Ｍｅ基を含む少なくとも１つの固着官能基及び不動態化官能基を有する、酸化ケイ素を堆積させる方法。
  17. 前記酸素源が、酸素、過酸化物、酸素プラズマ、亜酸化窒素、水蒸気、水蒸気プラズマ、過酸化水素、及びオゾン源からなる群より選択される、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記プロセス温度が５５０〜７５０℃である、請求項１６に記載の方法。
  19. 前記圧力が５０ミリトール（ｍＴ）〜１００トールである、請求項１６に記載の方法。
  20. 前記固着官能基がアミノ基である、請求項１６に記載の方法。
  21. 前記固着官能基がＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択されるハライドである、請求項１６に記載の方法。
  22. 前記固着官能基がアルコキシ基である、請求項１６に記載の方法。
  23. 前記少なくとも１つのケイ素前駆体が、イソ‐プロピルアミノトリメチルシラン、ｔｅｒｔ‐ブチルアミノトリメチルシラン、イソ‐ブチルアミノトリメチルシラン、シクロヘキサミノトリメチルシラン、ピロリジノトリメチルシラン、２‐メチルピロリジノトリメチルシラン、２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン、ピペリジノトリメチルシラン、２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン、１‐メチルピペラジノトリメチルシラン、ピロリルトリメチルシラン、２，５‐ジメチルピロリルトリメチルシラン、イミダゾリルトリメチルシラン、１，１，１，３，３，３‐ヘキサメチルジシラザン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、及びクロロシランからなる群より選択される、請求項１６に記載の方法。
  24. ２，６‐ジメチルピペリジノトリメチルシラン、２，５‐ジメチルピロリジノトリメチルシラン、及び２‐メチルピロリジノトリメチルシランからなる群より選択されるケイ素含有前駆体。
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Families Citing this family (383)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9460912B2 (en) * 2012-04-12 2016-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
KR101720017B1 (ko) * 2014-01-08 2017-03-27 (주)디엔에프 신규한 트리실릴아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9583337B2 (en) 2014-03-26 2017-02-28 Ultratech, Inc. Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma
US20150275355A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films
CN105097500B (zh) * 2014-05-23 2020-02-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
US10113234B2 (en) * 2014-07-21 2018-10-30 Applied Materials, Inc. UV assisted silylation for porous low-k film sealing
CN104099581A (zh) * 2014-07-23 2014-10-15 国家纳米科学中心 一种氧化硅膜材料及其制备方法
CN104120404A (zh) * 2014-07-23 2014-10-29 国家纳米科学中心 一种超薄氧化硅膜材料及其制备方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9478414B2 (en) 2014-09-26 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD
US9875888B2 (en) * 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN104911561B (zh) * 2015-04-14 2017-12-26 中国计量科学研究院 制备高厚度均匀性纳米/亚微米SiO2薄膜的方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US11104990B2 (en) * 2015-09-11 2021-08-31 Versum Materials Us, Llc Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9633838B2 (en) * 2015-12-28 2017-04-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Vapor deposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10283348B2 (en) * 2016-01-20 2019-05-07 Versum Materials Us, Llc High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
CN105870249B (zh) * 2016-03-24 2017-10-03 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种晶硅太阳能电池的制造工艺
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10703915B2 (en) * 2016-09-19 2020-07-07 Versum Materials Us, Llc Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10464953B2 (en) 2016-10-14 2019-11-05 Versum Materials Us, Llc Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11631580B2 (en) 2017-03-15 2023-04-18 Versum Materials Us, Llc Formulation for deposition of silicon doped hafnium oxide as ferroelectric materials
US11081337B2 (en) * 2017-03-15 2021-08-03 Versum Materials U.S., LLC Formulation for deposition of silicon doped hafnium oxide as ferroelectric materials
US11193206B2 (en) * 2017-03-15 2021-12-07 Versum Materials Us, Llc Formulation for deposition of silicon doped hafnium oxide as ferroelectric materials
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102548405B1 (ko) 2017-04-20 2023-06-28 (주)디엔에프 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR102093227B1 (ko) 2017-04-20 2020-03-25 (주)디엔에프 다이실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11177127B2 (en) * 2017-05-24 2021-11-16 Versum Materials Us, Llc Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
JP6676592B2 (ja) * 2017-08-22 2020-04-08 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
CN107523809B (zh) * 2017-08-23 2019-06-25 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 一种有机硅硬质纳米防护涂层的制备方法
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
US11049714B2 (en) * 2017-09-19 2021-06-29 Versum Materials Us, Llc Silyl substituted organoamines as precursors for high growth rate silicon-containing films
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102251040B1 (ko) 2017-10-24 2021-05-12 (주)덕산테코피아 아미노실란 전구체 화합물 및 이를 사용하는 박막 형성 방법
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102700220B1 (ko) * 2018-02-06 2024-08-29 주식회사 동진쎄미켐 실리콘 화합물 전구체 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR20190105970A (ko) 2018-03-07 2019-09-18 (주)덕산테코피아 SiC 전구체 화합물 및 이를 사용하는 박막 형성 방법
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102173384B1 (ko) 2018-03-30 2020-11-03 에스케이트리켐 주식회사 SiO2 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 SiO2 박막 형성.
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN111954922A (zh) * 2018-04-09 2020-11-17 朗姆研究公司 使用有机硅前体修饰晶片表面的疏水性
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
US12057310B2 (en) 2018-05-22 2024-08-06 Versum Materials Us, Llc Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10985010B2 (en) * 2018-08-29 2021-04-20 Versum Materials Us, Llc Methods for making silicon and nitrogen containing films
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20210052518A (ko) * 2018-09-28 2021-05-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 광활성 자기 조립 단분자층을 사용하여 스페이서 임계 치수를 포괄적으로 조정하기 위한 방법
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
WO2020072768A1 (en) * 2018-10-04 2020-04-09 Versum Materials Us, Llc Composition for high temperature atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films
CN112969817B (zh) * 2018-10-05 2024-04-19 弗萨姆材料美国有限责任公司 含硅膜的高温原子层沉积
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
JP7087917B2 (ja) 2018-10-31 2022-06-21 住友ゴム工業株式会社 クロスプライタイヤの製造方法
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102157137B1 (ko) * 2018-11-30 2020-09-17 주식회사 한솔케미칼 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
EP3680245A4 (en) * 2018-11-30 2020-07-22 Hansol Chemical Co., Ltd SILICON PRECURSOR AND METHOD FOR PRODUCING A THIN FILM CONTAINING SILICON USING THEREOF
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
US20220076947A1 (en) * 2018-12-21 2022-03-10 L'Air Liquide, Sociètè Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procèdès Georges Claude Precursors and processes for deposition of si-containing films using ald at temperature of 550°c or higher
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US20200247830A1 (en) * 2019-02-01 2020-08-06 Versum Materials Us, Llc Compositions And Methods Using Same for Silicon Containing Films
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI755711B (zh) * 2019-04-25 2022-02-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 用於矽氧化物薄膜的高溫原子層沉積之有機胺基二矽氮烷
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7065805B2 (ja) * 2019-05-13 2022-05-12 大陽日酸株式会社 ハロゲン化アミノシラン化合物、薄膜形成用組成物およびシリコン含有薄膜
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
JP7023905B2 (ja) * 2019-08-30 2022-02-22 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2021040060A (ja) * 2019-09-04 2021-03-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN114365265A (zh) * 2019-09-10 2022-04-15 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法
KR20220061162A (ko) * 2019-09-13 2022-05-12 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 모노알콕시실란 및 이로부터 제조된 고밀도 오가노실리카 필름
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
JP7314016B2 (ja) * 2019-10-16 2023-07-25 大陽日酸株式会社 金属酸化薄膜の形成方法
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN114867888A (zh) * 2019-12-27 2022-08-05 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于沉积膜的方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR102364476B1 (ko) * 2020-05-08 2022-02-18 주식회사 한솔케미칼 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP7123100B2 (ja) 2020-09-24 2022-08-22 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
US11447865B2 (en) * 2020-11-17 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Deposition of low-κ films
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
KR20240031411A (ko) * 2021-07-19 2024-03-07 램 리써치 코포레이션 옥사이드 막들의 증착 레이트들 상승
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
EP4448832A1 (en) * 2021-12-17 2024-10-23 Entegris, Inc. Precursors and related methods
KR20240104544A (ko) * 2022-12-28 2024-07-05 에스케이트리켐 주식회사 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077399A (ja) 1998-01-21 2000-03-14 Nippon Steel Corp シリカ系多孔質膜およびその製造方法
JP3633821B2 (ja) * 1999-03-18 2005-03-30 独立行政法人科学技術振興機構 気相からの低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法
KR100505668B1 (ko) 2002-07-08 2005-08-03 삼성전자주식회사 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법
US7084076B2 (en) 2003-02-27 2006-08-01 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming silicon dioxide film using siloxane
JP4410497B2 (ja) * 2003-06-17 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
TW200529325A (en) 2003-09-30 2005-09-01 Aviza Tech Inc Growth of high-k dielectrics by atomic layer deposition
US20050252449A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
EP1785266A4 (en) 2004-09-01 2011-03-16 Konica Minolta Holdings Inc GASSPERRENM MULTILAYER BODY AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
US7332618B2 (en) 2004-09-28 2008-02-19 Praxair Technology, Inc. Organometallic precursor compounds
JP2006269621A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Ａｌｄによる薄膜形成方法および装置
US7601652B2 (en) 2005-06-21 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for treating substrates and films with photoexcitation
JP4476880B2 (ja) 2005-06-24 2010-06-09 株式会社東芝 絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置
US7875312B2 (en) 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US7498273B2 (en) 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
WO2007139379A1 (en) 2006-05-30 2007-12-06 Fujifilm Manufacturing Europe B.V. Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge
US20080119057A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-22 Applied Materials,Inc. Method of clustering sequential processing for a gate stack structure
US20080124946A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films
JP4836761B2 (ja) 2006-11-29 2011-12-14 株式会社日立国際電気 半導体デバイスの製造方法
US7500397B2 (en) * 2007-02-15 2009-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films
US20080207007A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma Enhanced Cyclic Chemical Vapor Deposition of Silicon-Containing Films
JP5211572B2 (ja) 2007-07-27 2013-06-12 株式会社明電舎 酸化膜形成方法
WO2009039251A1 (en) 2007-09-18 2009-03-26 L'air Liquide - Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of forming silicon-containing films
JP2009260151A (ja) * 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4982457B2 (ja) 2008-09-11 2012-07-25 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
KR101293896B1 (ko) 2008-12-03 2013-08-06 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법
US8703624B2 (en) * 2009-03-13 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric films comprising silicon and methods for making same
JP5547418B2 (ja) 2009-03-19 2014-07-16 株式会社Ａｄｅｋａ 化学気相成長用原料及びこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法
US8889235B2 (en) * 2009-05-13 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor
JP2010275602A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Adeka Corp 化学気相成長用原料とこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法
GB0910040D0 (en) * 2009-06-11 2009-07-22 Fujifilm Mfg Europe Bv Substrate structure
JP5011355B2 (ja) * 2009-07-30 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP5421736B2 (ja) * 2009-11-13 2014-02-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
US8703625B2 (en) * 2010-02-04 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Methods to prepare silicon-containing films
EP2363512A1 (en) 2010-02-04 2011-09-07 Air Products And Chemicals, Inc. Methods to prepare silicon-containing films
JP2011243620A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Tokyo Electron Ltd 成膜方法および成膜装置
US8460753B2 (en) 2010-12-09 2013-06-11 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for depositing silicon dioxide or silicon oxide films using aminovinylsilanes
US8809152B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-19 International Business Machines Corporation Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for CMOS devices
US9460912B2 (en) * 2012-04-12 2016-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

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