TW201343952A - 矽氧化物薄膜的高溫原子層沉積 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示藉由>500℃的溫度形成矽氧化物的原子層沉積(ALD)方法。所用的矽前驅物具有下式：I. R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2及R3係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4係選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基矽烷基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；且p係0至2且m+n+p=3；及II. R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1及R2係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R3及R4係各自獨立地選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；q係0至2且p係0至2且m+n+q+p=3。

Description

矽氧化物薄膜的高溫原子層沉積 相關申請案之相互參照
本案請求2012年4月12日申請的先前美國臨時申請案序號第61/623,217號的優先權。
本文描述的是用於形成矽氧化物膜的組合物及方法。更明確地說，本文描述的是用於約500℃或更高的一或更多沉積溫度下並使用原子層沉積(ALD)製程形成矽氧化物膜的組合物及方法。
熱氧化是常用來沉積半導體應用中的高純度及高保形性矽氧化物膜例如二氧化矽(SiO2)的製程。然而，此熱氧化製程具有非常低的沉積速率，例如，於700℃下為0.03 Å/s，使其無法實際用於大量製程(參見，舉例來說，Wolf,S.,“Silicon Processing for the VLSI Era Vol.1-Process Technology”,Lattice Press,CA,1986)。
原子層沉積(ALD)及電漿強化原子層沉積(PEALD)係用以於低溫(<500℃)下沉積二氧化矽(SiO2)保形性 膜的製程。在ALD和PEALD製程二者中，以一定數目的循環分開地脈衝前驅物和反應性氣體(例如氧或臭氧)以於每一循環形成一個二氧化矽(SiO2)單層。然而，於低溫下使用這些製程沉積的二氧化矽(SiO2)可含有某程度的對半導體應用不利的雜質例如碳(C)、氮(N)或其二者。為了補救這個，一個可行的解決方法可能是提高沉積溫度例如500℃或更高。然而，於這些較高溫度下，由半導體產業所運用的習用前驅物傾向於起自身反應，熱分解，並且以CVD模式而非ALD模式沉積。該CVD模式沉積比起ALD沉積具有降低的保形性，尤其是於於半導體應用的高縱寬比結構方面。此外，該CVD模式比ALD模式沉積較難以控制膜或材料厚度。
JP2010275602和JP2010225663揭示使用原料藉由化學氣相沉積(CVD)製程於介於300至500℃的溫度下形成含矽薄膜例如，矽氧化物。該原料係有機矽化合物，由此式表示：(a)HSi(CH3)(R1)(NR2R3)，R1表示NR4R5或1碳至5碳烷基；R2和R4各自表示1碳至5碳烷基或氫原子；而且R3和R5各自表示1碳至5碳烷基)；或(b)HSiCl(NR1R2)(NR3R4)，其中R1及R3獨立地表示具有1至4個碳原子的烷基，或氫原子；而且R2及R4獨立地表示具有1至4個碳原子的烷基。該等有機矽化合物含有H-Si鍵。
美國專利第7,084,076號(“該‘076專利”)揭示鹵化矽氧烷例如六氯二矽氧烷(HCDSO)，該鹵化矽氧烷與吡啶聯合作為低於500℃的ALD沉積的觸媒以形成二氧化矽。
美國專利第6,992,019號(“該‘019專利”)揭示一 觸媒輔助原子層沉積(ALD)的方法，該方法與相關洗淨方法一起並且循序藉由使用由具有至少二矽原子的矽化合物組成之第一反應物組分，或使用三級脂肪族胺作為觸媒組分，或二者聯合在半導體基材上形成具有優異性質的二氧化矽層。所用的前驅物係六氯二矽烷。沉積溫度係介於25至150℃之間。
因此，需要研發出用於形成高品質、低雜質、高保形性矽氧化物膜的方法，此方法使用原子層沉積(ALD)製程或類似ALD的製程，例如但不限於循環式化學氣相沉積製程，代替以熱力為基礎的沉積製程。再者，吾人所欲為可以研發高溫沉積法(例如於500℃或更高的一或更多溫度下沉積)以便以ALD或類似ALD的製程改良一或更多膜性質，例如純度及或密度。
本文描述的是於高溫，例如於500℃或更高的一或更多溫度下，以原子層沉積(ALD)或類似ALD的製程沉積矽氧化物材料或膜的方法。
一具體實施例提供一種將矽氧化物沉積於基材上之方法，該方法包含以下步驟：a.將基材提供於一反應器中；b.將至少一矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧來源引進該反應器中；及e.以洗淨氣體洗淨反應器；而且 其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度的矽氧化物為止；及其中此方法係於介於500至800℃的一或更多溫度及介於50毫托耳(mT)至760托耳的一或更多壓力下進行。
另一具體實施例提供一種沉積矽氧化物之方法，該方法包含以下步驟：a.將基材提供於一反應器中；b.將至少一矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧來源引進該反應器中；e.以洗淨氣體洗淨反應器；f.將水蒸氣或羥基來源引進該反應器中；g.以洗淨氣體洗淨反應器；及其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度為止；及其中此製程係於500至800℃的一或更多溫度及於50毫托耳(mT)至760托耳的一或更多壓力下進行。在各個不同具體實施例中，該氧來源係選自由氧、氧電漿、水蒸氣、水蒸氣電漿、過氧化氫、氮氧化物及臭氧所組成的群組。
本文所述的至少一矽前驅物係選自由下列所組成的群組：I. R1R2 mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2及R3係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4係選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基矽烷基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X 係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；而且p係0至2而且m+n+p=3；及II. R1R2 mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1及R2係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R3及R4係各自獨立地選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；而且p係0至2而且m+n+q+p=3。
在上述一或多個具體實施例中，該洗淨氣體係選自由氮、氦及氬所組成的群組。
在上述一或多個具體實施例中，該氧來源係選自由氧、氧電漿、水蒸氣、水蒸氣電漿、過氧化氫、氧化亞氮及臭氧及其組合所組成的群組。
圖1顯示視為溫度函數的二甲基胺基三甲基矽烷(DMATMS)及二乙基胺基三甲基矽烷(DEAMTS)沉積速率，其暗示二前驅物能具有達於650℃的ALD範圍。
圖2提供2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷的質譜。圖3提供於650℃下利用DMATMS對比於熱氧化物沉積的SiO2膜之電流與電場的比較。
本文描述的是關於於500℃或更高的一或更多溫度下，以原子層沉積(ALD)或類似ALD的製程(例如但不限於循環式化學氣相沉積製程(CCVD))形成含矽氧化物的膜(例如氧氮化矽膜)、化學計量或非化學計量矽氧化物膜、矽氧化物膜或其組合的組合物及方法。
在先前技藝中的典型ALD製程直接使用氧來源或氧化劑例如氧、氧電漿、水蒸氣、水蒸氣電漿、過氧化氫或臭氧來源以於介於25至500℃的製程溫度下形成SiO2。沉積步驟包含：a.將基材提供於一反應器中；b.將矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧來源引進該反應器中；及e.以洗淨氣體洗淨反應器。在此先前技藝製程中，重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度的膜為止。
咸相信從膜純度和密度的觀點來看高溫製程，高於500℃，可產生較好的膜品質。ALD製程提供好的膜步階覆蓋率。然而，ALD或PEALD中使用的典型有機矽前驅物僅以ALD模式在一定溫度範圍內沉積膜。當溫度高於此範圍時，前驅物的熱分解發生，造成氣相反應或連續基材表面反應而將該等沉積製程改變為CVD模式，而非所欲的ALD模式。
不欲受理論束縛，關於在高於500℃的一或更多溫度下的ALD或類似ALD的沉積製程，本文所述的矽前驅物分子理應具有至少一投錨官能基，該至少一投錨官能基與該基材表面上的若干反應性部位反應以投錨矽物種的單層。該等投錨官能基可選自鹵(Cl、Br、I)基、胺基或烷氧基，較佳為胺基例如二甲基胺基或二乙基胺基。該矽前驅物應該也具有化學安定性鈍化官能基以便防止進一步表面反應而導致自限性製程。該鈍化官能基係選自不同烷基例如甲基、乙基、苯基，較佳為甲基。表面上的剩餘基團可接著被氧化以形成Si-O-Si鍵聯以及羥基。此外，羥基來源例如H2O或水電漿也可引進該反應器以按照下列圖解1所述方式形成更多羥基作為下一個ALD循環的反應性部位。
有一具體實施例中，該文中所述的至少一矽前驅物係具有下式I的化合物：I. R1R2 mSi(NR3R4)nXp 其中R1、R2及R3係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4係選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基矽烷基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；而且p係0至2而且m+n+p=3。具有式I的前驅物的實例包括但不限於：二乙基胺基三甲基矽烷、二甲基胺基三甲基矽烷、乙基甲基胺基三甲基矽烷、二乙基胺基三乙基矽烷、二甲基胺基三乙基矽烷、乙基甲基胺基三乙基矽烷、第三丁基胺基三乙基矽烷、異丙基胺基三乙基矽烷、二異丙基胺基三乙基矽烷、吡咯啶基三乙基矽烷、第三丁基胺基三甲基矽烷、異丙基胺基三甲基矽烷、二異丙基胺基三甲基矽烷、吡咯啶基三甲基矽烷、二乙基胺基二甲基矽烷、二甲基胺基二甲基矽烷、乙基甲基胺基二甲基矽烷、第三丁基胺基二甲基矽烷、異丙基胺基二甲基矽烷、二異丙基胺基二甲基矽烷、吡咯啶基二甲基矽烷、二乙基胺基二乙基矽烷、二甲基胺基二乙基矽烷、乙基甲基胺基二乙基矽烷、第三丁基胺基二乙基矽烷、異丙基胺基二乙基矽烷、二異丙基胺基二乙基矽烷、吡咯烷酮基二乙基矽烷、雙(二乙基胺基)二甲基矽烷、雙(二甲基胺基)二甲基矽烷、雙(乙基甲基胺基)二甲基矽烷、雙(二異丙基胺基)二甲基矽烷、雙(異丙基胺基)二甲基矽烷、雙(第三丁基胺基)二甲基矽烷、二吡咯啶基二甲基矽烷、雙(二乙基胺基)二乙基矽烷、雙(二甲基胺基)二乙基矽烷、雙(乙基甲基胺基)二乙基矽烷、雙(二異丙基胺基)二乙基矽烷、 雙(異丙基胺基)二乙基矽烷、雙(第三丁基胺基)二乙基矽烷、二吡咯啶基二乙基矽烷、雙(二乙基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(二甲基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(乙基甲基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(二異丙基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(異丙基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(第三丁基胺基)甲基乙烯基矽烷、二吡咯啶基甲基乙烯基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基甲基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基二甲基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷、叁(二甲基胺基)苯基矽烷、叁(二甲基胺基)甲基矽烷、叁(二甲基胺基)乙基矽烷及叁(二甲基胺基)氯矽烷。
式I中的R4係C3至C10烷基矽烷基之群組I矽前驅物的其他實例包括但不限於：1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六乙基二矽氮烷、1,1,3,3-四甲基二矽氮烷、1,1,3,3-四乙基二矽氮烷、1,1,1,2,3,3,3-七甲基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六乙基-2-甲基二矽氮烷、1,1,2,3,3-五甲基二矽氮烷、1,1,3,3-四乙基-2-甲基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六甲基-2-乙基二矽氮烷、1,1,1,2,3,3,3-七乙基二矽氮烷、1,1,3,3-四甲基-2-乙基二矽氮烷、1,1,2,3,3-五乙基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六甲基-2-異丙基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六乙基-2-異丙基二矽氮烷、1,1,3,3-四甲基-2-異丙基二矽氮烷及1,1,3,3-四乙基-2-異丙基二矽氮烷。
在另一具體實施例中，該本文所述的至少一矽前驅物係具有下列式II的化合物：II. R1R2 mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1及R2係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷 基及C6至C10芳基；R3及R4係各自獨立地選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；q係0至2；而且p係0至2而且m+n+q+p=3。此群組II矽前驅物的實例包括但不限於：甲氧基三甲基矽烷、乙氧基三甲基矽烷、異丙氧基三甲基矽烷、第三丁氧基三甲基矽烷、第三戊氧基三甲基矽烷、苯氧基三甲基矽烷、乙醯氧基三甲基矽烷、甲氧基三乙基矽烷、乙氧基三乙基矽烷、異丙氧基三乙基矽烷、第三丁氧基三乙基矽烷、第三戊氧基三乙基矽烷、苯氧基三乙基矽烷、乙醯氧基三乙基矽烷、甲氧基二甲基矽烷、乙氧基二甲基矽烷、異丙氧基二甲基矽烷、第三丁氧基二甲基矽烷、第三戊氧基二甲基矽烷、苯氧基二甲基矽烷、乙醯氧基二甲基矽烷、甲氧基二甲基苯基矽烷、乙氧基二甲基苯基矽烷、異丙氧基二甲基苯基矽烷、第三丁氧基二甲基苯基矽烷、第三戊氧基二甲基苯基矽烷、苯氧基二甲基苯基矽烷、乙醯氧基二甲基苯基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二異丙氧基二甲基矽烷、二第三丁氧基二甲基矽烷、二乙醯氧基二甲基矽烷、二甲氧基二乙基矽烷、二乙氧基二乙基矽烷、二異丙氧基二乙基矽烷、二第三丁氧基二乙基矽烷、二乙醯氧基二乙基矽烷、二甲氧基二異丙基矽烷、二乙氧基二異丙基矽烷、二異丙氧基二異丙基矽烷、二第三丁氧基二異丙基矽烷、二乙醯氧基二異丙基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽 烷、二異丙氧基甲基乙烯基矽烷、二第三丁氧基甲基乙烯基矽烷、二乙醯氧基甲基乙烯基矽烷、1,1,3,4-四甲基-1-矽雜-2,5-二氧雜環戊烷及1,1,3,3,4,4-六甲基-1-矽雜-2,5-二氧雜環戊烷。
在以上及整個說明內容的式中，該措辭“烷基”表示具有1至10、3至10或1至6個碳原子的線性或分支官能基。例示性線性烷基包括，但不限於，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及己基。例示性分支烷基包括，但不限於，異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、異戊基、第三戊基、異己基及新己基。在某些具體實施例中，該烷基可具有一或更多附接於該烷基的官能基例如，但不限於，烷氧基、二烷基胺基或其組合。在其他具體實施例，該烷基沒有一或更多附接於該烷基的官能基。該烷基可能是飽和或，也可以，不飽和。
在以上及整個說明內容的式中，該措辭“芳基”表示具有3至10個碳原子、5至10個碳原子或6至10個碳原子的芳香族環狀官能基。例示性芳基包括，但不限於，苯基、苯甲基、氯苯甲基、甲苯基及鄰-二甲苯基。
在以上及整個說明內容的式中，該措辭“烷氧基”表示連接至氧原子(例如，R-O)並且可具有1至12或1至6個碳原子的烷基。例示性烷氧基包括，但不限於，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、第三戊氧基、異戊氧基、新戊氧基、己氧基及2-乙基己氧基。在以上及整個說明內容的式中，該措辭“胺 基”表示連接至氮原子並且可具有1至12或1至6個碳原子的烷基或芳香族基團(例如，如以上定義的NR3R4)。例示性胺基包括，但不限於，二甲基胺基、二乙基胺基、第三丁基胺基、環己基胺基、六氫吡啶基、經烷基取代的六氫吡啶基(舉例來說2,6-二甲基六氫吡啶基)、吡咯啶基、經烷基取代的吡咯啶基(舉例來說2,5-二甲基吡咯啶基)、吡咯基、經烷基取代的吡咯基、咪唑基及經烷基取代的咪唑基。
在以上及整個說明內容的式中，用於本文時該措辭“不飽和”意指具有一或更多碳雙鍵或叁鍵的官能基、取代基、環或架橋。不飽和環的實例可為，但不限於，芳香族環例如苯基環。該措辭“飽和”意指該官能基、取代基、環或架橋沒有一或更多碳雙鍵或叁鍵。
在以上及整個說明內容的式中，該措辭“烷基矽烷基”表示具有3至10個碳原子的線性或分支官能基。例示性烷基矽烷基包括，但不限於，三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、二甲基矽烷基、二乙基矽烷基及二甲基乙基矽烷基。
在某些具體實施例中，式I或式II中的取代基R3及R4可連在一起以形成一環結構。技巧純熟者將會明白，在R3及R4係連在一起以形成一環的情形中，R3包括連接至R4的鍵而且反之亦然。在這些具體實施例中，該環結構可為不飽和的(例如，舉例來說，環狀烷基環)或飽和的(舉例來說，芳基環)。再者，在這些具體實施例中，該環結構也可為經取代或不經取代的。例示性環狀環基團包括，但不限於，吡咯啶基、六氫吡啶基及2,6-二甲基六氫吡啶基。然而，在其他 具體實施例，取代基R3及R4沒有連接。
在某些具體實施例中，使用本文所述的方法沉積的矽膜係於氧存在之下使用氧來源、試劑或包含氧的前驅物形成。氧來源可以至少一氧來源的形式引進該反應器及/或可附帶存在於該沉積方法所用的其他前驅物中。適合的氧來源氣體可包括，舉例來說，水(H2O)(例如，去離子水、純水及/或蒸餾水)、氧(O2)、氧電漿、臭氧(O3)、NO、NO2、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)及其組合。在某些具體實施例中，該氧來源包含於介於約1至約2000每分鐘標準立方公分(sccm)或約1至約1000 sccm的流速下引進該反應器的氧來源氣體。該氧來源可被引進歷經介於約0.1至約100秒的時間。在一特定具體實施例中，該氧來源包含具有10℃或更高溫度的水。在藉由ALD或循環式CVD製程沉積該膜的具體實施例中，該前驅物脈衝可具有大於0.01秒的脈衝期間，而且該氧來源可具有小於0.01秒的脈衝期間，而該水脈衝期間可具有小於0.01秒的脈衝期間。在又另一具體實施例中，該等脈衝之間的洗淨期間可低到0秒或連續脈衝而於其間沒有洗淨。該氧來源或試藥係以對該矽前驅物1：1比例的分子用量提供，所以原沉積(as deposited)的含矽膜中還保持至少一些碳。
在某些具體實施例中，該矽氧化物膜另外包含氮。在這些具體實施例中，使用文中所述的方法所沉積的膜係於含氮來源存在之下形成。含氮來源可以至少一氮來源的形式引進該反應器及/或可附帶存在於該沉積製程中所用的其他前驅物中。適合的含氮來源氣體可包括，舉例來說，氨、 肼、單烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氫、氨電漿、氮電漿、氮/氫電漿及其混合物。在某些具體實施例中，該含氮來源包含氨電漿或氫/氮電漿來源氣體，該來源氣體係於介於約1至約2000每分鐘標準立方公分(sccm)或約1至約1000 sccm的流速下引進該反應器。該含氮來源可被引進歷經介於約0.1至約100秒的時間。在藉由ALD或循環式CVD製程沉積該膜的具體實施例中，該前驅物脈衝可具有大於0.01秒的脈衝期間，而且該含氮來源可具有小於0.01秒的脈衝期間，而該水脈衝期間可具有小於0.01秒的脈衝期間。在又另一具體實施例中，該等脈衝之間的洗淨期間可低到0秒或連續脈衝而於其間沒有洗淨。
在此所揭示的沉積方法可能涉及一或更多洗淨氣體。該洗淨氣體，其係用以洗淨未消耗的反應物及/或反應副產物，為不會與該等前驅物反應的惰性氣體。例示性洗淨氣體包括，但不限於，氬(Ar)、氮(N2)、氦(He)、氖、氫(H2)及其混合物。在某些具體實施例中，洗淨氣體例如Ar係於介於約10至約2000 sccm的流速下歷經約0.1至1000秒供應至該反應器中，藉以洗掉未反應的材料及可能留在該反應器中的任何副產物。
供應該等前驅物、氧來源、該含氮來源及/或其他前驅物、來源氣體及/或試劑的分別步驟可藉由改變供應彼等的時間以改變所得含矽膜的化學計量組成而進行。
將能量施於該矽前驅物、含氧來源或其組合之至少其一以引發反應並且將該介電膜或塗層形成於該基材上。 此能量可經由，但不限於，熱力、電漿、脈衝電漿、螺旋電漿(helicon plasma)、高密度電漿、誘導耦合電漿、X-射線、電子束、光子、遠距電漿方法及其組合來提供。在某些具體實施例中，可使用二次RF頻率來源以改變該基材表面的電漿特性。在沉積涉及電漿的具體實施例中，該電漿產生製程可包含於該反應器中直接產生電漿的直接電漿產生製程，或選擇性地在該反應器外側產生電漿而且供應至該反應器中的遠距電漿產生製程。
該至少一矽前驅物可以各式各樣的方式輸送至該反應艙例如循環式CVD或ALD反應器。有一具體實施例中，可利用液體輸送系統。有一替代具體實施例中，可運用合併液體輸送及閃蒸汽化製程，例如，舉例來說，明尼蘇達州，休爾瓦的MSP有限公司所製造的渦輪汽化器使低揮發性材料能夠以體積輸送，導致可再現的運送及沉積而不會使該前驅物熱分解。在液體輸送配方中，文中所述的前驅物可以純液體形態遞送，或者，可以溶劑配方或包含該前驅物的組合物加以運用。因此，在某些具體實施例中該等前驅物配方可包括指定的最終用途應用可能想要及有益的適合特性的溶劑組分以在基材上形成膜。
關於在包含溶劑和至少一具有本文所述的式I或II的矽前驅物之組合物中使用該至少一具有本文所述的式I或II的矽前驅物之具體實施例，所選擇的溶劑或其混合物無法與該矽前驅物反應。在該組合物中的溶劑量以重量百分比計介於0.5重量%至99.5%或10重量%至75%。在各個不同具 體實施例中，該溶劑具有類似於式I或式II的至少一矽前驅物的沸點之沸點(b.p.)或該溶劑的沸點與該式I或式II的至少一矽前驅物的沸點之間的差異為40℃或更低、30℃或更低或20℃或更低或10℃或更低。也可以，該等沸點之間的差異介於以下端點之任一或多者：0、10、20、30或40℃。沸點差異的適合範圍之實例包括，但不限於，0至40℃、20°至30℃或10°至30℃。該等組合物中的適合溶劑之實例包括，但不限於，醚(例如1,4-二噁烷、二丁基醚)、三級胺(例如吡啶、1-甲基六氫吡啶、1-乙基六氫吡啶、N,N'-二甲基六氫吡嗪、N,N,N',N'-四甲基乙二胺)、腈(例如苯甲腈)、烷(例如辛烷、壬烷、十二烷、乙基環己烷)、芳香族烴(例如甲苯、均三甲苯)、三級胺基醚(例如雙(2-二甲基胺基乙基)醚)或其混合物。
如先前所述，該式I或式II的至少一矽前驅物的純度高到足以為可靠性半導體製造所接受。在某些具體實施例中，文中所述的式I或式II的至少一矽前驅物包含低於2重量%或低於1重量%或低於0.5重量%的以下雜質之一或多者：游離胺類、游離鹵基或鹵離子，及較高分子量物種。較高純度的文中所述的前驅物可透過以下製程之一或多者獲得：純化、吸附及/或蒸餾。
在文中所述的方法之一具體實施例中，循環式沉積製程例如類似ALD、ALD或PEALD均可運用，其中使用該式I或式II的至少一矽前驅物及氧來源進行沉積。該類似ALD的製程係定義為循環式CVD製程而且還提供高保形性矽氧化物膜。
在某些具體實施例中，從該等前驅物藥罐連接到該反應艙的氣體管道係加熱至一或更多溫度，其取決於製程需求，而且使該式I或式II的至少一矽前驅物的容器保持於一或更多溫度下以供起泡。在其他具體實施例中，把包含該式I或式II的至少一矽前驅物的溶液注入保持於一或更多溫度下的汽化器以供直接液體注入。
氬及/或其他氣體流可當作載體氣體以協助在該前驅物脈衝的期間將該式I或式II的至少一矽前驅物的蒸氣輸送至該反應艙。在某些具體實施例中，該反應艙加工壓力為約1托耳。
在典型的ALD或類似ALD的製程例如CCVD製程中，該基材係於一反應艙的加熱器段上加熱，該反應艙最初暴露於該矽前驅物以使該錯合物化學吸附於該基材的表面上。
洗淨氣體例如氬從該加工艙洗掉未被吸附的過量錯合物。經過充分洗淨之後，可將氧來源引進反應艙以與被吸附的表面反應，接著另一氣體洗淨以從該艙移除反應副產物。此加工循環可重複進行以達到所欲的膜厚度。在一些案例中，泵抽能取代以惰性氣體洗淨或同時運用二者以除去未反應的矽前驅物。
在各個不同具體實施例中，咸瞭解文中所述的方法的步驟可以各式各樣的順序進行，可連續地進行，可同時地進行(例如，在另一步驟的至少一部分的期間)，及其任何組合。供應該等前驅物及該等氧來源氣體的分別步驟可藉由變 化供應彼等的時期以改變所得介電膜的化學計量組成而進行。
本文所述之將矽氧化物膜沉積於基材上的方法之一特定具體實施例包含以下步驟：a.將基材提供於一反應器中；b.將本文所述之具有式I、II或二者的至少一矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧來源引進該反應器中；及e.以洗淨氣體洗淨反應器；其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度的矽氧化物膜為止。
在本文所述的方法和組合物之一特定具體實施例中，該矽前驅物係具有以下式I的化合物：I. R1R2 mSi(NR3R4)nXp其中R1係甲基(Me)，R2係甲基，m=2，n=1，p=0，R3係選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4係選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基矽烷基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構。以下表1顯示具有選自鹵原子、胺基或烷氧基的投錨官能基並且具有選自烷基(其較佳為甲基或Me基團)的鈍化官能基之例示性矽前驅物的構造。不受理論所束縛，咸相信該等Si-Me基團於高於500℃的溫度下係安定的並且提供鈍化官能基以防止其他表面反應而導致自限性ALD 或類似ALD的製程。
本文所述的方法的另一具體實施例在氧化步驟之後引進羥基或OH來源例如水蒸氣。此具體實施例的目標在 於重新佈局矽前驅物的投錨官能基或反應性部位，該等投錨官能基或反應性部位投錨於表面上以形成單層。該等沉積步驟包含：a.將基材提供於一反應器中；b.將一上述矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧化劑引進該反應器中；e.以洗淨氣體洗淨反應器；f.將水蒸氣或羥基來源引進該反應器中；g.以洗淨氣體洗淨反應器；其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度為止。
在本文所述的方法的另一具體實施例中，該等沉積步驟包含：a.將基材提供於一反應器中；b.將一上述矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧來源引進該反應器中；e.以洗淨氣體洗淨反應器；f.將水蒸氣或OH來源引進該反應器中；及g.以洗淨氣體洗淨反應器；其中重複進行步驟b至g直到沉積得到所欲厚度為止。
又另一具體實施例運用過氧化氫或氧電漿以移除鈍化官能基或例如甲基的基團。該等沉積步驟如下：a.將基材提供於一反應器中； b.將一上述矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將臭氧、過氧化氫或氧電漿引進該反應器中；及e.以洗淨氣體洗淨反應器；其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度為止。
用於本文所述的方法的製程溫度係介於500℃至1000℃；或500℃至750℃；或600℃至750℃；或600℃至800℃的一或更多溫度。
沉積壓力範圍係介於50毫托耳(mT)至760托耳或500 mT至100托耳的一或更多壓力。洗淨氣體能選自惰性氣體例如氮、氦或氬。氧化劑係選自氧、過氧化物、臭氧或來自電漿製程的分子氧。
實施例 實施例1：藉由二甲基胺基三甲基矽烷進行矽氧化物膜的原子層沉積
矽氧化物膜的原子層沉積係利用下列前驅物進行：二甲基胺基三甲基矽烷(DMATMS)。藉由實驗室規模的ALD處理設備進行沉積。藉由蒸氣汲取器把該矽前驅物遞送至該艙。所有氣體(例如，洗淨及反應物氣體或前驅物及氧來源)在進入沉積區之前先預熱至100℃。以具有高速致動能力的ALD膜片閥控制氣體及前驅物流速。沉積時所用的基材是12吋長的矽條。熱電耦附接於試樣固持器上以確認基材溫度。利用臭氧作為氧來源氣體進行沉積。將沉積參數列於表I 中。
重複進行步驟2至6直到達到所欲的厚度為止。該等膜的厚度及折射率利用FilmTek 2000SE橢圓儀藉由將該膜的反射數據擬合於預設的物理模型(例如，Lorentz Oscillator Model)測得。利用49%氫氟酸(HF)於去離子水中的1%溶液進行濕式蝕刻速率。使用熱氧化物晶圓作為各批次的參考物以確保溶液濃度。關於1% HF水溶液的典型熱氧化物晶圓濕式蝕刻速率係0.5 Å/s。使用蝕刻前後的膜厚度計算濕式蝕刻速率。以動態二次離子質譜儀(SIMS)技術分析膜中的碳和氮濃度。利用下列方程式由6點測量計算不均勻性%：不均勻性%=((最大值-最小值)/(2*平均值))。利用X-射線反射量測術(XRR)敘述膜密度的特徵。表II總結於介於500至650℃的晶圓溫度下利用DMATMS前驅物的固定注入量(8 秒)沉積的SiO2膜性質。
由DMATMS所沉積的矽氧化物的膜密度介於2.08至2.23 g/cc。
圖3描述於650℃下熱氧化物與利用DMATMS沉積的SiO2之間的洩漏電流及擊穿比較，其證明使用DMATMS的矽氧化物具有與熱氧化物相當的電氣性質。於1至5 MV/cm下的洩漏電流係，典型操作電壓，於1個數量級的熱氧化物典型裝置操作電壓。
為了確定ALD模式沉積，在引進臭氧之前使用多重前驅物劑量以確保該沉積為自限性。以下在表III中列舉沉積步驟：
重複進行步驟2a和2b以引進多重劑量的矽前驅物。表IV中記載沉積速率及不均勻性二者。
該等沉積速率顯示自限性作用並且隨著提高前驅物劑量而飽和，其確定於650℃下的ALD模式。
實施例2：利用二乙基胺基三甲基矽烷進行矽氧化物膜的原子層沉積
使用實施例1的表I中列舉的步驟以二乙基胺基 三甲基矽烷(DEATMS)進行矽氧化物膜的原子層沉積。表IV中描述以DEATMS於500至650℃下於固定前驅物劑量(8秒)下沉積的SiO2膜之沉積速率及膜不均勻性。
為了確定ALD模式沉積，在臭氧沉積步驟之前使用多重前驅物劑量以確保該沉積為自限性。以下在表V中列舉沉積步驟：
重複進行步驟2a和2b以模擬多重劑量的矽前驅物。表VI中記載沉積速率及不均勻性二者。
該等沉積速率顯示自限性作用並且隨著提高前驅物劑量而飽和，其確定於650℃下的ALD模式。
實施例3：以DMATMS在圖案化矽基材上進行矽氧化物膜的原子層沉積
以DMATMS在圖案化矽晶圓上沉積SiO2膜。使用臭氧作為該氧來源氣體及於650℃下的8秒前驅物雙重脈衝來進行沉積製程。沉積於該基材上的膜使用場致發射掃描式電子顯微鏡(FESEM)Hitachi S-4800 SEM來測量。試樣安裝於斷面固持器中並且使用於2 kV加速電壓下操作的SEM檢測。於溝槽頂面、側壁和底部進行試樣斷面的SiO2厚度測量。該SiO2膜的SEM斷面檢查指示優良的步階覆蓋率(>96%)並且確 定此製程的確是ALD製程。
實施例4：以二乙基胺基三乙基矽烷(DEATES)進行矽氧化物膜的原子層沉積
使用該矽前驅物二乙基胺基三乙基矽烷(DEATES)及臭氧進行矽氧化物膜的沉積。實施例1的表I中列舉所用的沉積步驟。表VII總結於500至650℃的晶圓溫度下使用DEATES沉積的SiO2膜的沉積速率及不均勻性。
參照表VII，該等沉積速率及膜不均勻性於600℃下提高，表示於600℃下有些CVD反應並且CVD反應於650℃下進一步增強。
實施例5：以甲氧基三甲基矽烷進行矽氧化物膜的原子層沉積
使用該矽前驅物甲氧基三甲基矽烷進行矽氧化 物膜的原子層沉積。使用臭氧於650℃下利用實施例1的表I中列舉的製程步驟進行沉積。基材溫度係設定於650℃。沉積速率係約0.3 Å/循環。
實施例6：以氯三甲基矽烷進行矽氧化物膜的原子層沉積
使用該矽前驅物氯三甲基矽烷進行矽氧化物膜的原子層沉積。使用臭氧作為該氧來源氣體進行沉積而且沉積的製程參數與實施例1的表I中相同。基材溫度係設定於650℃。沉積速率係約0.5 Å/循環。
實施例7：以六甲基二矽氮烷進行矽氧化物膜的原子層沉積
使用該矽前驅物六甲基二矽氮烷進行矽氧化物膜的原子層沉積。使用臭氧於650℃下利用實施例1的表I中列舉的製程步驟進行沉積。沉積速率係約1.3 Å/循環。
實施例8：使用雙(二甲基胺基)二甲基矽烷進行矽氧化物膜的ALD沉積
使用雙(二甲基胺基)二甲基矽烷(BDMADMS)作為該矽前驅物。BDMADMS具有通用結構R1R2 mSi(NR3R4)n，其中R1、R2、R3、R4係甲基，n=2，而且m=1。
藉由實驗室規模的ALD處理設備進行沉積。使用臭氧作為該氧來源氣體進行沉積而且沉積的製程參數與表I中相同。表VIII中總結使用BDMADMS以固定前驅物劑量(8秒)於500至650℃下沉積的矽氧化物膜之沉積速率及膜不 均勻性：
使用雙重前驅物脈衝製程以進一步證明ALD模式。表IX顯示在單次8秒脈衝及雙重8秒脈衝情況下的膜之沉積速率及不均勻性。
如表IX所示，當使用雙重前驅物脈衝而且均勻性降低時該沉積速率提高相當多，暗示有些CVD模式沉積。
實施例9：2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷的合成
在裝配滴液漏斗、冷凝器及機械攪拌子的1000 mL三頸圓底燒瓶中，添加113 g(1.0 mol)2,6-二甲基六氫吡啶及500 ml己烷。配合攪拌，透過該滴液漏斗逐滴添加50.5g(0.5 mol)氯三甲基矽烷。等完成添加之後，使該反應混合物迴流6小時，冷卻至室溫，過濾該混合物。以己烷清洗固體，並且結合該己烷溶液與濾液。藉由蒸餾移除溶劑己烷。藉由分餾獲得134g的2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷。產率為75%。圖2中提供的質譜確定其係為具有185(M)、170(M-15)斷片的二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷。

Claims (17)

  1. 一種將矽氧化物膜沉積於基材上之方法，該方法包含以下步驟：a.將基材提供於一反應器中；b.將至少一矽前驅物引進該反應器中；c.以洗淨氣體洗淨反應器；d.將氧來源引進該反應器中；及e.以洗淨氣體洗淨反應器；而且其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度的矽氧化物為止；及其中此方法係於介於500至800℃的一或更多溫度及介於50毫托耳(mT)至760托耳的一或更多壓力下進行。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一矽前驅物具有選自由下列所組成的群組的化學式：I. R1R2 mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2及R3係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4係選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基矽烷基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；而且p係0至2而且m+n+p=3；及 II. R1R2 mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1及R2係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R3及R4係各自獨立地選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；q係0至2而且p係0至2而且m+n+q+p=3。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一矽前驅物係選自由下列所組成的群組：二乙基胺基三乙基矽烷、二甲基胺基三乙基矽烷、乙基甲基胺基三乙基矽烷、第三丁基胺基三乙基矽烷、異丙基胺基三乙基矽烷、二異丙基胺基三乙基矽烷、吡咯烷酮基三乙基矽烷、二乙基胺基三甲基矽烷、二甲基胺基三甲基矽烷、乙基甲基胺基三甲基矽烷、第三丁基胺基三甲基矽烷、異丙基胺基三甲基矽烷、二異丙基胺基三甲基矽烷、吡咯烷酮基三甲基矽烷、二乙基胺基二甲基矽烷、二甲基胺基二甲基矽烷、乙基甲基胺基二甲基矽烷、第三丁基胺基二甲基矽烷、異丙基胺基二甲基矽烷、二異丙基胺基二甲基矽烷、吡咯啶基二甲基矽烷、二乙基胺基二乙基矽烷、二甲基胺基二乙基矽烷、乙基甲基胺基二乙基矽烷、第三丁基胺基二乙基矽烷、異丙基胺基二乙基矽烷、二異丙基胺基二乙基矽烷、吡咯烷酮基二 乙基矽烷、雙(二乙基胺基)二甲基矽烷、雙(二甲基胺基)二甲基矽烷、雙(乙基甲基胺基)二甲基矽烷、雙(二異丙基胺基)二甲基矽烷、雙(異丙基胺基)二甲基矽烷、雙(第三丁基胺基)二甲基矽烷、二吡咯啶基二甲基矽烷、雙(二乙基胺基)二乙基矽烷、雙(二甲基胺基)二乙基矽烷、雙(乙基甲基胺基)二乙基矽烷、雙(二異丙基胺基)二乙基矽烷、雙(異丙基胺基)二乙基矽烷、雙(第三丁基胺基)二乙基矽烷、二吡咯啶基二乙基矽烷、雙(二乙基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(二甲基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(乙基甲基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(二異丙基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(異丙基胺基)甲基乙烯基矽烷、雙(第三丁基胺基)甲基乙烯基矽烷、二吡咯啶基甲基乙烯基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基甲基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基二甲基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷、叁(二甲基胺基)苯基矽烷、叁(二甲基胺基)甲基矽烷、叁(二甲基胺基)乙基矽烷、叁(二甲基胺基)氯矽烷及其混合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一矽前驅物係選自由下列所組成的群組：甲氧基三甲基矽烷、乙氧基三甲基矽烷、異丙氧基三甲基矽烷、第三丁氧基三甲基矽烷、第三戊氧基三甲基矽烷、苯氧基三甲基矽烷、乙醯氧基三甲基矽烷、甲氧基三乙基矽烷、乙氧基三乙基矽烷、異丙 氧基三乙基矽烷、第三丁氧基三乙基矽烷、第三戊氧基三乙基矽烷、苯氧基三乙基矽烷、乙醯氧基三乙基矽烷、甲氧基二甲基矽烷、乙氧基二甲基矽烷、異丙氧基二甲基矽烷、第三丁氧基二甲基矽烷、第三戊氧基二甲基矽烷、苯氧基二甲基矽烷、乙醯氧基二甲基矽烷、甲氧基二甲基苯基矽烷、乙氧基二甲基苯基矽烷、異丙氧基二甲基苯基矽烷、第三丁氧基二甲基苯基矽烷、第三戊氧基二甲基苯基矽烷、苯氧基二甲基苯基矽烷、乙醯氧基二甲基苯基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二異丙氧基二甲基矽烷、二第三丁氧基二甲基矽烷、二乙醯氧基二甲基矽烷、二甲氧基二乙基矽烷、二乙氧基二乙基矽烷、二異丙氧基二乙基矽烷、二第三丁氧基二乙基矽烷、二乙醯氧基二乙基矽烷、二甲氧基二異丙基矽烷、二乙氧基二異丙基矽烷、二異丙氧基二異丙基矽烷、二第三丁氧基二異丙基矽烷、二乙醯氧基二異丙基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二異丙氧基甲基乙烯基矽烷、二第三丁氧基甲基乙烯基矽烷、二乙醯氧基甲基乙烯基矽烷、1,1,3,4-四甲基-1-矽雜-2,5-二氧雜環戊烷、1,1,3,3,4,4-六甲基-1-矽雜-2,5-二氧雜環戊烷及其混合物。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一矽前驅物係選自由下列所組成的群組：1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷、 1,1,1,3,3,3-六乙基二矽氮烷、1,1,3,3-四甲基二矽氮烷、1,1,3,3-四乙基二矽氮烷、1,1,1,2,3,3,3-七甲基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六乙基-2-甲基二矽氮烷、1,1,2,3,3-五甲基二矽氮烷、1,1,3,3-四乙基-2-甲基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六甲基-2-乙基二矽氮烷、1,1,1,2,3,3,3-七乙基二矽氮烷、1,1,3,3-四甲基-2-乙基二矽氮烷、1,1,2,3,3-五乙基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六甲基-2-異丙基二矽氮烷、1,1,1,3,3,3-六乙基-2-異丙基二矽氮烷、1,1,3,3-四甲基-2-異丙基二矽氮烷、1,1,3,3-四乙基-2-異丙基二矽氮烷及其混合物。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該洗淨氣體係選自由氮、氦及氬所組成的群組。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該氧來源係選自由氧、過氧化物、氧電漿、水蒸氣、水蒸氣電漿、過氧化氫及臭氧來源所組成的群組。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之方法，其於步驟e之後另外包含步驟f和g：f.將水蒸氣或羥基來源引進該反應器中；g.以洗淨氣體洗淨反應器，其中重複進行步驟b至g直到沉積得到所欲厚度的矽氧化物為止。
  9. 一種沉積矽氧化物之方法，該方法包含以下步驟：a)將基材提供於一反應器中；b)將至少一矽前驅物引進該反應器中；c)以洗淨氣體洗淨反應器；d)將氧來源引進該反應器中；e)以洗淨氣體洗淨反應器；而且其中重複進行步驟b至e直到沉積得到所欲厚度為止；其中製程溫度介於500至800℃而且壓力介於50毫托耳(mT)至760托耳，而且該矽前驅物包含至少一投錨官能基(anchoring functionality)及包含Si-Me基團的鈍化官能基(passivating functionality)。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該氧來源係選自由氧、過氧化物、氧電漿、氧化亞氮、水蒸氣、水蒸氣電漿、過氧化氫及臭氧來源所組成的群組。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該製程溫度介於550至750℃。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，該壓力介於50毫托耳(mT)至100托耳。
  13. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該投錨官能基係胺基。
  14. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該投錨官能基係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基。
  15. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該投錨官能基係烷氧基。
  16. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該至少一矽前驅物係選自由下列所組成的群組：異丙基胺基三甲基矽烷、第三丁基胺基三甲基矽烷、異丁基胺基三甲基矽烷、環六胺基三甲基矽烷、吡咯啶基三甲基矽烷、2-甲基吡咯啶基三甲基矽烷、2,5-二甲基吡咯啶基三甲基矽烷、六氫吡啶基三甲基矽烷、2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷、1-甲基六氫吡嗪基三甲基矽烷、吡咯基三甲基矽烷、2,5-二甲基吡咯基三甲基矽烷、咪唑基三甲基矽烷、1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷、甲氧基三甲基矽烷、乙氧基三甲基矽烷及氯矽烷。
  17. 一種含矽前驅物，其係選自由2,6-二甲基六氫吡啶基三甲基矽烷、2,5-二甲基吡咯啶基三甲基矽烷及2-甲基吡咯啶基三甲基矽烷所組成的群組。
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