JP7007377B2 - 高成長速度のケイ素含有膜のための炭素架橋アミノシラン化合物 - Google Patents
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Description
本願は、合衆国法典第35巻119条(e)項の下で、2016年10月14日出願の米国仮特許出願第62/408,310号及び2017年10月4日出願の米国特許出願第15/725,122号の優先権を主張し、これらの開示は参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる。
I.R1R2 mSi(NR3R4)nXp
であって、式中、R1、R2及びR3が、それぞれ独立して、水素、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基及びC6~C10アリール基から選択され、R4が、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、C6~C10アリール基及びC3~C10アルキルシリル基から選択され、R3及びR4が結合して環状環構造を形成しているか、あるいはR3及びR4が結合せずに環状環構造を形成おらず、XがCl、Br及びIからなる群より選択されるハライドであり、mが0~3であり、nが0~2であり、pが0~2であり、m+n+pが3である式I、並びに、
II.R1R2 mSi(OR3)n(OR4)qXp
であって、式中、R1及びR2が、それぞれ独立して、水素、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基及びC6~C10アリール基から選択され、R3及びR4が、それぞれ独立して、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基及びC6~C10アリール基から選択され、R3及びR4が結合して環状環構造を形成しているか、あるいはR3及びR4が結合せずに環状環構造を形成おらず、XがCl、Br及びIからなる群より選択されるハライドであり、mが0~3であり、nが0~2であり、qが0~2であり、pが0~2であり、m+n+q+pが3である式IIを有するケイ素前駆体を使用して、500℃超の堆積温度で酸化ケイ素膜を形成するための原子層堆積(ALD)プロセスを説明している。
a)反応器に基材を提供する工程と、
b)少なくとも1つの有機アミノカルボシラン化合物を含む少なくとも1つのケイ素前駆体化合物を反応器に提供する工程であって、少なくとも1つの有機アミノカルボシラン化合物が、少なくとも1つのSiH2基又はSiMeH基を有し、かつ、式A:
c)反応器をパージガスでパージする工程と、
d)酸素含有源を反応器に導入する工程と、
e)反応器をパージガスでパージする工程とを含む方法であって、工程b~eが、所望の膜が堆積されるまで繰り返され、約25~600℃の範囲の1つ又は複数の温度で行われる方法が提供される。
a.反応器に基材を提供する工程と、
b.本明細書で説明される式Aを有する少なくとも1つのケイ素前駆体を反応器に導入する工程と、
c.反応器をパージガスでパージする工程と、
d.酸素含有源を反応器に導入する工程と、
e.反応器をパージガスでパージする工程とを含む方法を提供する。
a.反応器に基材を提供する工程と、
b.本明細書で説明される式Aを有する少なくとも1つのケイ素前駆体を反応器に導入する工程と、
c.パージガスで反応器をパージして、未吸着の前駆体の少なくとも一部を除去する工程と、
d.酸素含有プラズマ源を反応器に導入する工程と、
e.パージガスで反応器をパージして、未反応の酸素源の少なくとも一部を除去する工程とを含み、所望の厚さの酸化ケイ素膜が堆積されるまで工程b~eが繰り返される。
a.反応器に基材を提供する工程と、
b.本明細書で説明される式Aの有機アミノカルボシラン化合物から生成した蒸気を、共に流れる酸素源に接触させるか又は接触させずに、加熱した基材上で前駆体を化学吸着する工程と、
c.未吸着の前駆体をパージする工程と、
d.加熱した基材上に酸素源を導入して吸着した前駆体と反応させる工程と、
e.未反応の酸素源をパージする工程と
を含むプロセスであって、工程b~eが所望の厚さが達成されるまで繰り返されるプロセスが説明される。
表面特徴を含む基材を反応器に設置する工程であって、基材が約-20~約400℃の範囲の1つ又は複数の温度で維持され、反応器の圧力が100torr以下で維持される工程と、
式A:
酸素源を反応器に提供して、少なくとも1つの化合物と反応させて、膜を形成し、表面特徴の少なくとも一部を被覆する工程と、
約100~1000℃の1つ又は複数の温度で膜をアニールして表面特徴の少なくとも一部をコーティングする工程と、
約20~約1000℃の範囲の1つ又は複数の温度で基材を酸素源で処理して、表面特徴の少なくとも一部にケイ素含有膜を形成する工程とを含む方法が提供される。幾つかの実施形態において、酸素源は、水蒸気、水プラズマ、オゾン、酸素、酸素プラズマ、酸素/ヘリウムプラズマ、酸素/アルゴンプラズマ、窒素酸化物プラズマ、二酸化炭素プラズマ、過酸化水素、有機過酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される。この又は他の実施形態において、方法の工程は、表面特徴がケイ素含有膜で満たされるまで繰り返される。水蒸気を酸素源として用いる実施形態において、基材の温度は、約-20~約40℃又は約-10~約25℃の範囲である。
ジエチルアミン(16.1g、0.220mol)、4,4-ジメチル-ジシラペンタン(20.0g、0.151mol)、及びRu3(CO)12(1.00g、0.00156mol)を100mL丸底フラスコ中で組み合わせて、窒素雰囲気下で室温において2日間撹拌した。反応中にガスバブルを放出させた。得られた黒緑色の反応混合物を真空下に置き、残存した揮発性の初期材料を取り除き、次いで、-40℃に冷却したフラスコ中に60℃/200mTorrで真空輸送した。収集した液体(20.6g)をガスクロマトグラフィー-質量分光(GC-MS)により分析し、主に1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンであることを確認した。GC-MSは、以下の質量ピーク:m/z=203(M+)、188(M-15)、174、158、131、114、102、88、73、59、45を示した。
ケイ素前駆体としてDMATMS及びO2プラズマを用いて表4に示す条件下で堆積を行った。ケイ素前駆体としてのDMATMSをベーパードローで室温(25℃)において輸送した。ベッセルは、前駆体流を制限するための0.005”の直径を持つ開口を備えていた。
ケイ素前駆体としての1-ジイソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン及びO2プラズマを用いて表3に示す条件下で堆積を行った。工程b~eを複数回繰り返して、計測のための所望の厚さの酸化ケイ素を得た。図1は、様々な前駆体パルスでのGPCを示し、図2は、前駆体1-ジイソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンについての、様々な酸素プラズマ時間でのGPCを示す。図1から、GPCは4秒間及び8秒間の1-ジイソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンの前駆体パルスでほぼ一定であることを理解することができ、4秒間の前駆体パルスで堆積が飽和することを示している。図2から、5秒間の酸素プラズマ時間に比べて10秒間の酸素プラズマ時間では、GPCがわずかに減少したことを理解することができる。そのわずかに減少したGPCは、より長い酸素プラズマ時間の間に膜が緻密化したことを示し、これは、10秒間の酸素プラズマ時間で堆積した膜の膜密度がより高く、WERがより低かったことにより確認される。結果は、ALD堆積の挙動と一致していた。膜堆積のパラメーター及び堆積GPCを表5に示す。異なる堆積条件での膜特性を表6に示す。
ケイ素前駆体としての1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン及びO2プラズマを用いて表3に示す条件下で堆積を行った。工程b~eを複数回繰り返して、計測のための所望の厚さの酸化ケイ素を得た。図1は、様々な前駆体パルスでのGPCを示し、図2は、前駆体1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンについての、様々な酸素プラズマ時間でのGPCを示す。図1から、GPCは4秒間及び8秒間の1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンの前駆体パルスでほぼ一定であることを理解することができ、4秒間の前駆体パルスで堆積が飽和することを示している。図2から、5秒間の酸素プラズマ時間に比べて10秒間の酸素プラズマ時間では、GPCがわずかに減少したことを理解することができる。そのわずかに減少したGPCは、より長い酸素プラズマ時間の間に膜が緻密化したことを示し、これは、10秒間の酸素プラズマ時間で堆積した膜のWERがより低かったことにより確認される。結果は、ALD堆積の挙動と一致していた。膜堆積のパラメーター及び堆積GPCを表7に示す。異なる堆積条件での堆積した膜特性を表8に示す。
酸化ケイ素膜の原子層堆積を、以下の前駆体DMATMSを使用して行った。実験室規模のALD処理ツールにおいて堆積を行った。ケイ素前駆体をベーパードローによりチャンバーに輸送した。堆積プロセス及びパラメーターを表2に示す。工程1~6を、所望の厚さに達するまで繰り返した。300℃において、12秒間のDMATMS前駆体導入時間及び10秒間のオゾン流を用いた場合、測定された膜成長速度/サイクルは1.00Å/サイクルであり、膜反射率は1.46であり、500℃において、12秒間のDMATMS前駆体導入時間及び10秒間のオゾン流を用いた場合、測定された膜成長速度/サイクルは1.33Å/サイクルであり、膜反射率は1.45であった。
酸化ケイ素膜の原子層堆積を、以下の前駆体:1-ジイソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンを使用して行った。実験室規模のALD処理ツールにおいて堆積を行った。ケイ素前駆体をベーパードローによりチャンバーに輸送した。堆積プロセス及びパラメーターを表2に示す。工程1~6を、所望の厚さに達するまで繰り返した。堆積のプロセスパラメーター、堆積GPC、及び膜特性を表9及び表10に示した。
以下の前駆体:1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタンを使用して酸化ケイ素膜の熱原子層堆積を行った。実験室規模のALD処理ツールにおいて堆積を行った。ケイ素前駆体をベーパードローによりチャンバーに輸送した。堆積プロセス及びパラメーターを表2に示した。工程1~6を所望の膜厚の厚さに達するまで繰り返した。堆積のプロセスパラメーター、成長速度/サイクル(GPC)及び膜特性を表11及び表12に示す。
Claims (21)
- 基材上にケイ素及び酸素を含む膜を堆積するための方法であって、
a)反応器に基材を提供する工程と、
b)少なくとも1つの有機アミノカルボシラン化合物を含む少なくとも1つのケイ素前駆体化合物を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1つの有機アミノカルボシラン化合物が、少なくとも1つのSiH2基又はSiMeH基を有し、かつ、式A:
R1が、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルキニル基、C1~C6ジアルキルアミノ基、C6~C10アリール基、C3~C10環状アルキル基、分枝状C4~C10環状アルキル基、C3~C10環状アルケニル基、分枝状C4~C10環状アルケニル基、C3~C6環状アルキニル基、分枝状C3~C6環状アルキニル基、C1~C6ジアルキルアミノ基、及びC1~C6アルキルアミノ基からなる群より選択され、
R 2 が、水素、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルキニル基、C1~C6ジアルキルアミノ基、C6~C10アリール基、C3~C10環状アルキル基、分枝状C4~C10環状アルキル基、C3~C10環状アルケニル基、分枝状C4~C10環状アルケニル基、C3~C6環状アルキニル基、分枝状C3~C6環状アルキニル基、及びC4~C10アリール基からなる群より選択され、
R 3~4 が、それぞれ独立して、直鎖状又は分枝状C 1 ~C 10 アルキル基、直鎖状又は分枝状C 3 ~C 10 アルケニル基、直鎖状又は分枝状C 3 ~C 10 アルキニル基、C 1 ~C 6 ジアルキルアミノ基、C 6 ~C 10 アリール基、C 3 ~C 10 環状アルキル基、分枝状C 4 ~C 10 環状アルキル基、C 3 ~C 10 環状アルケニル基、分枝状C 4 ~C 10 環状アルケニル基、C 3 ~C 6 環状アルキニル基、分枝状C 3 ~C 6 環状アルキニル基、及びC 4 ~C 10 アリール基からなる群より選択され、
R5が、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルキニル基、C6~C10アリール基、C3~C10環状アルキル基、分枝状C4~C10環状アルキル基、C3~C10環状アルケニル基、分枝状C4~C10環状アルケニル基、C3~C6環状アルキニル基、分枝状C3~C6環状アルキニル基、及びC4~C10アリール基からなる群より選択され、
Rが、水素及びメチルからなる群より選択され(ただし、R及びR3~5は全て水素であることはできない)、n=2又は3である、工程と、
c)前記反応器をパージガスでパージする工程と、
d)前記反応器に酸素含有源を導入する工程と、
e)前記反応器をパージガスでパージする工程とを含み、所望の厚さの膜が堆積されるまで工程b~eが繰り返され、
25~600℃の範囲の1つ又は複数の温度で行われる、方法。 - 式Aの化合物が、1-ジメチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-エチルメチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジイソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピペリジノ-sec-ブチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピペリジノ-sec-ブチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピロリジノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジエチル-1,4-ジシラペンタン、1-エチルメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジイソプロピルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピペリジノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-2,5-ジメチルピペリジノ-sec-ブチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピロリジノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジメチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジエチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-エチルメチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジイソプロピルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピペリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,6-ジメチルピペリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピロリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジメチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジエチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-エチルメチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジイソプロピルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピペリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,6-ジメチルピペリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピロリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、及び1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサンからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸素含有源が、オゾン、酸素プラズマ、酸素及びアルゴンを含むプラズマ、酸素及びヘリウムを含むプラズマ、オゾンプラズマ、水プラズマ、亜酸化窒素プラズマ、二酸化炭素プラズマ、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸素含有源がプラズマを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマがその場で生成される、請求項4に記載の方法。
- 前記プラズマが遠隔で生成される、請求項4に記載の方法。
- 前記膜が、2.0g/cm3以上の密度を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記膜が炭素をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記膜が、1.8g/cm3以上の密度を有する、請求項8に記載の方法。
- X線光電子分光により測定した場合に、前記膜の炭素含有量が0.5原子wt%(at.%)以上である、請求項8に記載の方法。
- 気相堆積プロセスを使用して酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸化ケイ素膜を堆積するための組成物であって、
式A:
R1が、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルキニル基、C1~C6ジアルキルアミノ基、C6~C10アリール基、C3~C10環状アルキル基、分枝状C4~C10環状アルキル基、C3~C10環状アルケニル基、分枝状C4~C10環状アルケニル基、C3~C6環状アルキニル基、分枝状C3~C6環状アルキニル基、C1~C6ジアルキルアミノ基、及びC1~C6アルキルアミノ基からなる群より選択され、
R 2 が、水素、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルキニル基、C1~C6ジアルキルアミノ基、C6~C10アリール基、C3~C10環状アルキル基、分枝状C4~C10環状アルキル基、C3~C10環状アルケニル基、分枝状C4~C10環状アルケニル基、C3~C6環状アルキニル基、分枝状C3~C6環状アルキニル基、及びC4~C10アリール基からなる群より選択され、
R 3~4 が、それぞれ独立して、直鎖状又は分枝状C 1 ~C 10 アルキル基、直鎖状又は分枝状C 3 ~C 10 アルケニル基、直鎖状又は分枝状C 3 ~C 10 アルキニル基、C 1 ~C 6 ジアルキルアミノ基、C 6 ~C 10 アリール基、C 3 ~C 10 環状アルキル基、分枝状C 4 ~C 10 環状アルキル基、C 3 ~C 10 環状アルケニル基、分枝状C 4 ~C 10 環状アルケニル基、C 3 ~C 6 環状アルキニル基、分枝状C 3 ~C 6 環状アルキニル基、及びC 4 ~C 10 アリール基からなる群より選択され、
R5が、直鎖状又は分枝状C1~C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3~C10アルキニル基、C6~C10アリール基、C3~C10環状アルキル基、分枝状C4~C10環状アルキル基、C3~C10環状アルケニル基、分枝状C4~C10環状アルケニル基、C3~C6環状アルキニル基、分枝状C3~C6環状アルキニル基、及びC4~C10アリール基からなる群より選択され、
Rが、水素及びメチルからなる群より選択され(ただし、R及びR3~5は全て水素であることはできず、また、R3~5は全て水素又はC1~C6ジアルキルアミノ基のみからなることはできない)、n=2又は3である少なくとも1つのケイ素前駆体を含む、組成物。 - 前記少なくとも1つのケイ素前駆体が、1-ジメチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-エチルメチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジイソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピペリジノ-sec-ブチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピペリジノ-sec-ブチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピロリジノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジエチル-1,4-ジシラペンタン、1-エチルメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジイソプロピルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピペリジノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-2,5-ジメチルピペリジノ-sec-ブチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ピロリジノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-1-メチル-4,4-ジメチル-1,4-ジシラペンタン、1-ジメチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジエチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-エチルメチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジイソプロピルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピペリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,6-ジメチルピペリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピロリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジメチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジエチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-エチルメチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジイソプロピルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ジ-sec-ブチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピペリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,6-ジメチルピペリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-ピロリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-2,5-ジメチルピロリジノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルメチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシルエチルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、1-シクロヘキシル-イソプロピルアミノ-1-メチル-5,5-ジメチル-1,5-ジシラヘキサン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項11に記載の組成物。
- 前記膜が以下の特徴:2.0g/cm3以上の密度、1:100のHF:水(0.5wt%のdHF)の酸の溶液中で測定した場合に2.5Å/s未満のウェットエッチ速度、6MV/cm以下で1e-8A/cm2未満の漏電、及びSIMSで測定した場合に4e21at/cc未満の水素不純物のうち少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記有機アミノカルボシラン化合物が、ハライド化合物、金属イオン、金属、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される1つ又は複数の不純物を実質的に含まない、請求項1に記載の方法。
- 前記組成物が、ハライド化合物、金属イオン、金属、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される1つ又は複数の不純物を実質的に含まない、請求項11に記載の組成物。
- 前記ハライド化合物が塩化物含有種を含む、請求項15に記載の組成物。
- ICにより測定した場合に、塩化物の濃度が50ppm未満である、請求項15に記載の組成物。
- ICにより測定した場合に、塩化物の濃度が10ppm未満である、請求項15に記載の組成物。
- ICにより測定した場合に、塩化物の濃度が5ppm未満である、請求項15に記載の組成物。
- 前記組成物が、ハライド化合物、金属イオン、金属、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される1つ又は複数の不純物を含まない、請求項11に記載の組成物。
- 前記組成物が塩化物を含まない、請求項20に記載の組成物。
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