JP2019049703A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ２２０を有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層２２３を覆う層間膜２０４に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。【選択図】図１

Description

酸化物半導体を用いる液晶表示装置及びその作製方法に関する。
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等の平板に形成される薄膜トランジスタは
、アモルファスシリコン、多結晶シリコンによって作製されている。アモルファスシリコ
ンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対
応することができ、一方、結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは電界効果移動度が高
いものの、レーザアニール等の結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面積化には必ず
しも適応しないといった特性を有している。
これに対し、酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、電子デバイスや光デバイ
スに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体膜として酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、画像表示装置のスイッ
チング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２で開示されている。
酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンを
用いた薄膜トランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。酸化物半導体膜はス
パッタリング法などによって３００℃以下の温度で膜形成が可能であり、多結晶シリコン
を用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。
酸化物半導体は、可視光領域の波長の光を透過する透明半導体のため、表示装置の画素に
用いることによって、高開口化が可能と言われている。
このような酸化物半導体を用いてガラス基板、プラスチック基板等に薄膜トランジスタを
形成し、表示装置への応用が期待されている。
特開２００７−１２３８６１号公報 特開２００７−９６０５５号公報
従って、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを
目的とする。
酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸
化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用
いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜は、酸化物半導体層よりも可
視光の光透過率が低い膜である。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜と
しては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩
色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機
能を有する膜として遮光層を用いてもよい。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜として、有彩色の透光性樹脂層の着色層を用いると、
画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の強度を減
衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を
防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層と
して機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トラン
ジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐
れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでより精密な
形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また、層間膜
とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表
示装置を作製可能となる。
有彩色は、黒、灰、白などの無彩色を除く色であり、有彩色の透光性樹脂層はカラーフィ
ルタとして機能させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される
。有彩色としては、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼン
ダ、イエロー（黄）などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、有
彩色の透光性樹脂層において透過する光は、その有彩色の光の波長にピークを有するとい
うことである。
有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層として機能させるため、含ませる着色材料の
濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚を適宜制御するとよい。層間膜を複数の
薄膜で積層する場合、少なくとも一層が有彩色の透光性樹脂層であれば、カラーフィルタ
として機能させることができる。
有彩色の色によって膜厚が異なる場合や薄膜トランジスタに起因する凹凸を有する場合は
、可視光領域の波長の光を透過する（いわゆる無色透明）絶縁層を積層し、層間膜表面を
平坦化してもよい。層間膜の平坦性を高めるとその上に形成される画素電極層や共通電極
層の被覆性もよく、かつ液晶層のギャップ（膜厚）を均一にすることができるため、より
液晶表示装置の視認性を向上させ、高画質化が可能になる。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜として遮光層（ブラックマトリクス）を用いると、遮
光層は薄膜トランジスタの半導体層への光の入射を遮断することができるため、酸化物半
導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を防止し安定化する効果がある。
また、遮光層は隣り合う画素への光漏れを防止することもできるため、より高コントラス
ト及び高精細な表示を行うことが可能になる。よって、液晶表示装置の高精細、高信頼性
を達成することができる。
本明細書では、薄膜トランジスタ、画素電極層、共通電極層、及び層間膜が形成されてい
る基板を素子基板（第１の基板）といい、該素子基板と液晶層を介して対向する基板を対
向基板（第２の基板）という。
遮光層は、液晶表示装置の対向基板側、素子基板側のどちらにでも形成することができる
。よりコントラスト向上や薄膜トランジスタの安定化の効果を高めることができる。遮光
層を薄膜トランジスタと対応する領域（少なくとも薄膜トランジスタの半導体層と重畳す
る領域）に形成すれば、対向基板から入射する光による薄膜トランジスタの電気特性の変
動を防止することができる。遮光層を対向基板側に形成する場合、液晶層を介して薄膜ト
ランジスタと対応する領域（少なくとも薄膜トランジスタの半導体層と重畳する領域）に
形成すればよい。遮光層を素子基板側に形成する場合、薄膜トランジスタ上（少なくとも
薄膜トランジスタの半導体層を覆う領域）に直接、又は絶縁層を介して遮光層を形成すれ
ばよい。
対向基板側にも遮光層を設ける場合、遮光性の配線層や電極層などによって、薄膜トラン
ジスタの半導体層への素子基板からの光も対向基板からの光も遮断できる場合もあるので
、必ずしも遮光層を、薄膜トランジスタを覆うように形成しなくてもよい。
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層をチ
ャネル形成領域とする薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続する画素電
極層と、薄膜トランジスタ及び画素電極層の間に設けられた層間膜と、薄膜トランジスタ
、画素電極層及び層間膜上に設けられた液晶層とを有し、層間膜は酸化物半導体層よりも
光透過率が低い有彩色の透光性樹脂層であり、有彩色の透光性樹脂層は、画素電極層と重
畳すると共に酸化物半導体層を被覆するように設けられている。
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体層
をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続する画
素電極層と、薄膜トランジスタ及び画素電極層の間に設けられた層間膜と、薄膜トランジ
スタ、画素電極層及び層間膜上に設けられた液晶層とを有し、層間膜は酸化物半導体層よ
りも光透過率が低い有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含み、遮光層は酸化物半導体層を
被覆するように設けられ、有彩色の透光性樹脂層は画素電極層と重畳するように設けられ
ている。
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を
示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称
を示すものではない。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
酸化物半導体層でチャネルを形成する薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、
少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜を、透過する可視光の光強度を減衰させる材質
で形成することで、開口率を損なうことなく、当該薄膜トランジスタの動作特性を安定化
させることができる。
液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置の電極層を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す外観図。 遊技機の例を示す外観図。 携帯電話機の一例を示す外観図。 液晶表示モジュールを説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置を説明する図。 液晶表示装置の作製方法を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣
旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者
であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有す
る部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法を、図１、図２及び図１７を用いて説明する。
図１、図２及び図１７は液晶表示装置の断面図である。
図１及び図２において、素子基板である第１の基板２００上に素子層２０３（図１７参照
）が形成され、素子層２０３上に層間膜２０９が形成され、層間膜２０９上に画素電極層
２３０が設けられている。画素電極層２３０と、対向基板である第２の基板２０１に形成
された対向電極層２３１とは液晶層２０８を挟持するように封止されている。
図１の液晶表示装置の形態は、複数の画素がマトリクス状に設けられ、画素に酸化物半導
体層を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に層間膜と、層間膜上に画素電極層
と、画素電極層上に液晶層とを有し、層間膜は有彩色の透光性樹脂層である。
素子層２０３には複数の画素がマトリクス状に設けられ、該画素に酸化物半導体層を含む
薄膜トランジスタ２２０を有している。薄膜トランジスタ２２０は逆スタガ型の薄膜トラ
ンジスタであり、絶縁表面を有する基板である第１の基板２００上に、ゲート電極層２２
１、ゲート絶縁層２２２、半導体層２２３、ソース領域又はドレイン領域として機能する
ｎ＋層２２４ａ、２２４ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層２２
５ａ、２２５ｂを含む。また、薄膜トランジスタ２２０は絶縁膜２２７に覆われている。
図１の液晶表示装置は、層間膜２０９に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有
する膜として、有彩色の透光性樹脂層２０４を用いる。有彩色の透光性樹脂層２０４の可
視光の光透過率は、酸化物半導体層である半導体層２２３の可視光の光透過率より低い。
薄膜トランジスタ２２０上に設ける層間膜２０９として、有彩色の透光性樹脂層の着色層
を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ２２０の半導体層２２
３へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トラン
ジスタ２２０の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光
性樹脂層は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィルタ層を対向
基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位
置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子
基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応
することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程
が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
有彩色は、黒、灰、白などの無彩色を除く色であり、着色層はカラーフィルタとして機能
させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される。有彩色として
は、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼンダ、イエロー（
黄）などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、着色層において透
過する光は、その有彩色の光の波長にピークを有するということである。
有彩色の透光性樹脂層２０４は、着色層（カラーフィルタ）として機能させるため、含ま
せる着色材料の濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚を適宜制御するとよい。
層間膜２０９を複数の薄膜で積層する場合、少なくとも一層が有彩色の透光性樹脂層であ
れば、カラーフィルタとして機能させることができる。
有彩色の色によって有彩色の透光性樹脂層の膜厚が異なる場合や、遮光層、薄膜トランジ
スタに起因する凹凸を有する場合は、可視光領域の波長の光を透過する（いわゆる無色透
明）絶縁層を積層し、層間膜表面を平坦化してもよい。層間膜の平坦性を高めるとその上
に形成される画素電極層や共通電極層の被覆性もよく、かつ液晶層のギャップ（膜厚）を
均一にすることができるため、より液晶表示装置の視認性を向上させ、高画質化が可能に
なる。
透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、遮光層となる着色層も用
いることができる。図２の液晶表示装置は、層間膜２０９に有彩色の透光性樹脂層２０４
及び遮光層２０５を含み、半導体層２２３上に設ける透過する可視光の光強度を減衰させ
る機能を有する膜として、遮光層２０５を用いる例である。遮光層２０５の可視光の光透
過率は、酸化物半導体層である半導体層２２３の可視光の光透過率より低い。
図２の液晶表示装置の形態は、複数の画素がマトリクス状に設けられ、画素に酸化物半導
体層を含む薄膜トランジスタと、遮光層及び有彩色の透光性樹脂層を含む層間膜と、画素
電極層と、画素電極層上に液晶層とを有し、層間膜において、薄膜トランジスタ上に遮光
層が設けられ、有彩色の透光性樹脂層上に画素電極層が設けられる。
有彩色の透光性樹脂層２０４としては、透光性の有機樹脂、有彩色の顔料、染料を用いる
ことができ、有機樹脂に顔料、又は染料などを混合させて用いればよい。透光性の有機樹
脂としては、感光性、又は非感光性の樹脂を用いることができる。
有彩色の透光性樹脂層２０４の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、スピンコート
、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセッ
ト印刷等）などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法（ドライエッチング又はウエ
ットエッチング）により所望のパターンに加工すればよい。
薄膜トランジスタ２２０上に設ける層間膜２０９として遮光層２０５（ブラックマトリク
ス）を用いると、遮光層２０５は薄膜トランジスタ２２０の半導体層２２３への光の入射
を遮断することができるため、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタ２２０の電
気特性の変動を防止し安定化する効果がある。また、遮光層２０５は隣り合う画素への光
漏れを防止することもできるため、より高コントラスト及び高精細な表示を行うことが可
能になる。よって、液晶表示装置の高精細、高信頼性を達成することができる。
遮光層を、液晶表示装置の対向基板側にさらに形成してもよい。よりコントラスト向上や
薄膜トランジスタの安定化の効果を高めることができる。遮光層を対向基板側に形成する
場合、液晶層を介して薄膜トランジスタと対応する領域（少なくとも薄膜トランジスタの
半導体層と重畳する領域）に形成すれば、対向基板から入射する光による薄膜トランジス
タの電気特性の変動をより防止することができる。
対向基板側に遮光層を形成する場合、遮光性の配線層や電極層などによって、薄膜トラン
ジスタの半導体層への素子基板からの光も対向基板からの光も遮断できる場合もあるので
、必ずしも遮光層を薄膜トランジスタを覆うように形成しなくてもよい。
遮光層２０５は、光を反射、又は吸収し、遮光性を有する材料を用いる。例えば、黒色の
有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料
系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また
、遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、
コバルト、銅、タングステン、又はアルミニウムなどを用いればよい。
遮光層２０５の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェ
ット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）などの湿式法を用い、必要に応じてエッチ
ング法（ドライエッチング又はウエットエッチング）により所望のパターンに加工すれば
よい。
本明細書では酸化物半導体としてＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を
好適に用いる。薄膜トランジスタ２２０は、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記さ
れる薄膜を形成し、その薄膜を半導体層２２３として用いる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇ
ａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルニウム（Ａｌ）、及びコ
バルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばＭとして、
Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が
含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金属元素の他
に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含ま
れているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜
を用いることができる。ただし、半導体層２２３は、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）
で表記される構造の酸化物半導体層に限られるものではなく、インジウム、ガリウム、亜
鉛またはスズのうち少なくとも一つを含めばよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫
（ＳｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化珪素
を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、酸化珪素を含む酸化インジウム亜鉛、ガリウム
を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等からなる酸化物半導体層を用いてもよい。
ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜（層）において、Ｍがガリウム（Ｇａ）である場合
、本明細書においてはこの薄膜をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜とも呼ぶ。Ｉｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の結晶構造は、スパッタ法で成膜した後、２００℃〜５００℃
、代表的には３００〜４００℃で１０分〜１００分熱処理を行っても、アモルファス構造
がＸＲＤ（Ｘ線回析）の分析では観察される。また、薄膜トランジスタの電気特性もゲー
ト電圧±２０Ｖにおいて、オンオフ比が１０９以上、移動度が１０以上のものを作製する
ことができる。また、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１としたターゲットを
用い、スパッタ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜は波長４５０ｎｍ以下に
光感度を有する。
なお、液晶表示装置に形成される薄膜トランジスタの構造は、特に限定されない。薄膜ト
ランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成され
るダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、
周辺駆動回路領域のトランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはト
リプルゲート構造であっても良い。
薄膜トランジスタは、トップゲート型（例えば順スタガ型、コプラナ型）、ボトムゲート
型（例えば、逆スタガ型、逆コプラナ型）、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜
を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造にお
いても適用できる。
また、図１及び図２では図示しないが、配向膜や、偏光板、位相差板、反射防止膜などの
光学フィルムなどは適宜設ける。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよ
い。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
また、遮光層は、有彩色の透光性樹脂層の上や下に積層して設けてもよい。遮光層と有彩
色の透光性樹脂層の積層構造の例を図１７に示す。図１７（Ａ）（Ｂ）は、素子基板であ
る第１の基板２００上に素子層２０３が形成され、素子層２０３上に層間膜２０９が形成
されている。層間膜２０９は、有彩色の透光性樹脂層２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ及び
遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄを含み、有彩色の透光性樹脂層２０４ａ
、２０４ｂ、２０４ｃの間に遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄがそれぞれ
形成される構成である。なお、図１７（Ａ）（Ｂ）では含まれる画素電極層及び共通電極
層は省略している。
有彩色は複数色用いることができ、例えば図１７の液晶表示装置においては、有彩色の透
光性樹脂層２０４ａは赤色、有彩色の透光性樹脂層２０４ｂは緑色、有彩色の透光性樹脂
層２０４ｃは青色の着色層とし、複数色の有彩色の透光性樹脂層を用いている。
図１７（Ａ）（Ｂ）は、遮光層として有彩色の透光性樹脂層より膜厚の薄い薄膜を用い、
有彩色の透光性樹脂層の上方、又は下方に遮光層を積層する例である。このような遮光層
としては、薄膜の遮光性の無機膜（例えば金属膜）が好適である。
図１７（Ａ）は、素子層２０３上に薄膜の遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５
ｄが形成され、遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ上に有彩色の透光性樹脂
層２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃが積層されている。また、図１７（Ｂ）は、素子層２０
３上に有彩色の透光性樹脂層２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃが形成され、有彩色の透光性
樹脂層２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ上に薄膜の遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、
２０５ｄが積層され、遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ上にオーバーコー
ト膜として絶縁膜２１１が形成されている。図１７（Ｂ）のように素子層、遮光層、有彩
色の透光性樹脂層は直接積層されてもよいし、それぞれの上、下、間に絶縁膜が設けられ
た構造であってもよい。
液晶層２０８の液晶材料としては、種々の液晶を用いることができ、リオトロピック液晶
、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、ディスコチック液晶、強誘電液晶、
反強誘電液晶等を適宜選択して用いればよい。
シール材２０２ａ、２０２ｂとしては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱
硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン
樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、
フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
本明細書において、液晶表示装置は光源の光を透過することによって表示を行う透過型の
液晶表示装置である（又は半透過型の液晶表示装置）の場合、少なくとも画素領域におい
て光を透過させる必要がある。よって光が透過する画素領域に存在する第１の基板、第２
の基板、素子層に含まれる画素電極層、共通電極層、他絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべ
て可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
第１の基板２００、第２の基板２０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ
酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。
酸化物半導体層でチャネルを形成する薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、
少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜を、透過する可視光の光強度を減衰させる材質
で形成することで、開口率を損なうことなく、当該薄膜トランジスタの動作特性を安定化
させることができる。よって、該薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の信頼性を向上
させることができる。
（実施の形態２）
液晶表示装置を、図１８を用いて説明する。
図１８（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図１８（Ｂ）
は図１８（Ａ）の線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。
図１８（Ａ）において、複数のソース配線層（配線層４０５ａを含む）が互いに平行（図
中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層（ゲ
ート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交する方向（図中左右方向）に延伸し
、かつ互いに離間するように配置されている。共通配線層４０８は、複数のゲート配線層
それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソ
ース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線層と、共通
配線層４０８及びゲート配線層とによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間
に液晶表示装置の画素電極層及び共通配線層が配置されている。画素電極層を駆動する薄
膜トランジスタ４２０は、図中左上の角に配置されている。画素電極層及び薄膜トランジ
スタは、マトリクス状に複数配置されている。
図１８の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ４２０に電気的に接続する第１の電極
層４４７が画素電極層として機能し、共通配線層４０８と電気的に接続する第２の電極層
４４６が共通電極層として機能する。なお、第１の電極層と共通配線層によって容量が形
成されている。共通電極層はフローティング状態（電気的に孤立した状態）として動作さ
せることも可能だが、固定電位、好ましくはコモン電位（データとして送られる画像信号
の中間電位）近傍でフリッカーの生じないレベルに設定してもよい。
基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分
子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。このような方式として、図１
８に示すようなＩＰＳモードで用いる電極構成が適用できる。
ＩＰＳモードなどに示される横電界モードは、液晶層の下方に開口パターンを有する第１
の電極層（例えば各画素別に電圧が制御される画素電極層）及び第２の電極層（例えば全
画素に共通の電圧が供給される共通電極層）を配置する。よって第１の基板４４１上には
、一方が画素電極層であり、他方が共通電極層である第１の電極層４４７及び第２の電極
層４４６が形成され、少なくとも第１の電極層及び第２の電極層の一方が層間膜上に形成
されている。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６は、平面形状でなく、様々な開
口パターンを有し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む。第１の電極層４４７及び第２の
電極層４４６はその電極間に電界を発生させるため、同形状で重ならない配置とする。
画素電極層と共通電極層との間に電界を加えることで、液晶を制御する。液晶には水平方
向の電界が加わるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。つまり、基板と平行に
配向している液晶分子を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くなる。
第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６の他の例を図８に示す。図８（Ａ）乃至（Ｄ
）の上面図に示すように、第１の電極層４４７ａ乃至４４７ｄ及び第２の電極層４４６ａ
乃至４４６ｄが互い違いとなるように形成されており、図８（Ａ）では第１の電極層４４
７ａ及び第２の電極層４４６ａはうねりを有する波状形状であり、図８（Ｂ）では第１の
電極層４４７ｂ及び第２の電極層４４６ｂは同心円状の開口部を有する形状であり、図８
（Ｃ）では第１の電極層４４７ｃ及び第２の電極層４４６ｃは櫛場状であり一部重なって
いる形状であり、図８（Ｄ）では第１の電極層４４７ｄ及び第２の電極層４４６ｄは櫛場
状であり電極同士がかみ合うような形状である。なお、図８（Ａ）乃至（Ｃ）のように、
第１の電極層４４７ａ、４４７ｂ、４４７ｃ、と第２の電極層４４６ａ、４４６ｂ、４４
６ｃとが重なる場合は、第１の電極層４４７と第２の電極層４４６との間には絶縁膜を形
成し、異なる膜上に第１の電極層４４７と第２の電極層４４６とが形成する。
薄膜トランジスタ４２０は逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板
である第１の基板４４１上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０
３、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ、ソース電極
層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂを含む。
薄膜トランジスタ４２０を覆い、半導体層４０３に接する絶縁膜４０７が設けられている
。絶縁膜４０７上に層間膜４１３が設けられ、層間膜４１３上に第１の電極層４４７及び
第２の電極層４４６が形成されている。
図１８の液晶表示装置は、層間膜４１３に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を
有する膜として、有彩色の透光性樹脂層４１７を用いる。
薄膜トランジスタ４２０上に設ける層間膜４１３として、有彩色の透光性樹脂層４１７の
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ４２０の半導体
層４０３へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜
トランジスタ４２０の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色
の透光性樹脂層４１７は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィ
ルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な
画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層と
して直接素子基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの
画素にも対応することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ね
るので、工程が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
有彩色の透光性樹脂としては、感光性、非感光性の有機樹脂を用いることができる。感光
性の有機樹脂層を用いるとレジストマスク数を削減することができるため、工程が簡略化
し好ましい。また、層間膜に形成するコンタクトホールも曲率を有する開口形状となるた
めに、コンタクトホールに形成される電極層などの膜の被覆性も向上させることができる
。
層間膜４１３（有彩色の透光性樹脂層４１７）の形成法は、特に限定されず、その材料に
応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スク
リーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター
、ナイフコーター等を用いることができる。
第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６上には液晶層４４４が設けられ、対向基板で
ある第２の基板４４２で封止されている。
第１の基板４４１及び第２の基板４４２は透光性基板であり、それぞれ外側（液晶層４４
４と反対側）に偏光板４４３ａ、４４３ｂが設けられている。
第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６は、酸化タングステンを含むインジウム酸化
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）
、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有す
る導電性材料を用いることができる。
また、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６として、導電性高分子（導電性ポリマ
ーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて
形成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光
率が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵
抗率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
下地膜となる絶縁膜を第１の基板４４１とゲート電極層４０１の間に設けてもよい。下地
膜は、第１の基板４４１からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化珪素膜、酸
化珪素膜、窒化酸化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜から選ばれた一又は複数の膜による積層
構造により形成することができる。ゲート電極層４０１の材料は、モリブデン、チタン、
クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属
材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することがで
きる。ゲート電極層４０１に遮光性を有する導電膜を用いることで、バックライトからの
光（第１の基板４４１から入射する光）が、半導体層４０３へ入射することを防止するこ
とができる。
例えば、ゲート電極層４０１の２層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン
層が積層された２層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した二層構造、また
は銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した二層構造、窒化チタン層とモリ
ブデン層とを積層した２層構造とすることが好ましい。３層の積層構造としては、タング
ステン層または窒化タングステンと、アルミニウムとシリコンの合金またはアルミニウム
とチタンの合金と、窒化チタンまたはチタン層とを積層した積層とすることが好ましい。
ゲート絶縁層４０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコ
ン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を単層で又は積層し
て形成することができる。また、ゲート絶縁層４０２として、有機シランガスを用いたＣ
ＶＤ法により酸化シリコン層を形成することも可能である。有機シランガスとしては、珪
酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化
学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、
トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ
（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
半導体層４０３として用いる酸化物半導体膜を成膜する前に、アルゴンガスを導入してプ
ラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層の表面に付着しているゴミを除去す
ることが好ましい。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いてもよい。
また、アルゴン雰囲気に酸素、水素、Ｎ２Ｏなどを加えた雰囲気で行ってもよい。また、
アルゴン雰囲気にＣｌ２、ＣＦ４などを加えた雰囲気で行ってもよい。
半導体層４０３及びソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層４０４ａ、４０４
ｂには、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜を用いることができる。ｎ＋層４０４ａ、４
０４ｂは、半導体層４０３より低抵抗な酸化物半導体層である。例えばｎ＋層４０４ａ、
４０４ｂは、ｎ型の導電型を有し、活性化エネルギー（ΔＥ）が０．０１ｅＶ以上０．１
ｅＶ以下である。ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜であ
り、少なくともアモルファス成分を含んでいるものとする。ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂは
非晶質構造の中に結晶粒（ナノクリスタル）を含む場合がある。このｎ＋層４０４ａ、４
０４ｂ中の結晶粒（ナノクリスタル）は直径１ｎｍ〜１０ｎｍ、代表的には２ｎｍ〜４ｎ
ｍ程度である。
ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂを設けることにより、金属層である配線層４０５ａ、４０５ｂ
と、酸化物半導体層である半導体層４０３との間を良好な接合としてショットキー接合に
比べて熱的にも安定動作を有せしめる。また、チャネルのキャリアを供給する（ソース側
）、またはチャネルのキャリアを安定して吸収する（ドレイン側）、または抵抗成分を配
線層との界面に作らない、ためにも積極的にｎ＋層を設けると効果的である。また低抵抗
化により、高いドレイン電圧でも良好な移動度を保持することができる。
半導体層４０３として用いる第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜は、ｎ＋層４０４
ａ、４０４ｂとして用いる第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の成膜条件と異なら
せる。例えば、第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の成膜条件における酸素ガス流
量とアルゴンガス流量の比よりも第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の成膜条件に
おける酸素ガス流量の占める比率が多い条件とする。具体的には、第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ−Ｏ系非単結晶膜の成膜条件は、希ガス（アルゴン、又はヘリウムなど）雰囲気下（ま
たは酸素ガス１０％以下、アルゴンガス９０％以上）とし、第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ
系非単結晶膜の成膜条件は、酸素雰囲気下（又は酸素ガスの流量がアルゴンガスの流量と
等しいかそれ以上）とする。
例えば、半導体層４０３として用いる第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜は、直径
８インチのＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ
３：ＺｎＯ＝１：１：１）を用いて、基板とターゲットの間との距離を１７０ｍｍ、圧力
０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、アルゴン又は酸素雰囲気下で成膜する。なお
、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好
ましい。第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の膜厚は、５ｎｍ〜２００ｎｍとする
。
一方、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂとして用いる第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇ
ａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１としたターゲットを用い、成膜条件は、圧力を０．４Ｐａ
とし、電力を５００Ｗとし、成膜温度を室温とし、アルゴンガス流量４０ｓｃｃｍを導入
してスパッタ法により成膜する。成膜直後で大きさ１ｎｍ〜１０ｎｍの結晶粒を含むＩｎ
−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜が形成されることがある。なお、ターゲットの成分比、成
膜圧力（０．１Ｐａ〜２．０Ｐａ）、電力（２５０Ｗ〜３０００Ｗ：８インチφ）、温度
（室温〜１００℃）、反応性スパッタの成膜条件などを適宜調節することで結晶粒の有無
や、結晶粒の密度や、直径サイズは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で調節されうると言える。
第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍとする。勿論、膜
中に結晶粒が含まれる場合、含まれる結晶粒のサイズが膜厚を超える大きさとならない。
第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜の膜厚は、５ｎｍとする。
スパッタ法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッタ法と、ＤＣスパッタ法
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパッタ法もある。ＲＦスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、ＤＣスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタ法を用いるスパッタ装置
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるＥＣＲスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
また、スパッタ法を用いる成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分
とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に
基板にも電圧をかけるバイアススパッタ法もある。
半導体層、ｎ＋層、配線層の作製工程において、薄膜を所望の形状に加工するためにエッ
チング工程を用いる。エッチング工程は、ドライエッチングやウエットエッチングを用い
ることができる。
ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例え
ば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）、塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣ
ｌ４）など）が好ましい。
また、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、弗化硫黄（ＳＦ
６）、弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（ＨＢｒ
）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスを
添加したガス、などを用いることができる。
ドライエッチングに用いるエッチング装置としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ
法）を用いたエッチング装置や、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）やＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）
などの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。また、Ｉ
ＣＰエッチング装置と比べて広い面積に渡って一様な放電が得られやすいドライエッチン
グ装置としては、上部電極を接地させ、下部電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電源を接続
し、さらに下部電極に３．２ＭＨｚの低周波電源を接続したＥＣＣＰ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ
Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）モードのエッチング装置
がある。このＥＣＣＰモードのエッチング装置であれば、例えば基板として、第１０世代
の３ｍを超えるサイズの基板を用いる場合にも対応することができる。
所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件（コイル型の電極に印加され
る電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節する。
ウエットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、ア
ンモニア過水（過酸化水素：アンモニア：水＝５：２：２）などを用いることができる。
また、ＩＴＯ０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
また、ウエットエッチング後のエッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によっ
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム等
の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる
。
所望の加工形状にエッチングできるように、材料に合わせてエッチング条件（エッチング
液、エッチング時間、温度等）を適宜調節する。
配線層４０５ａ、４０５ｂの材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ば
れた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜
等が挙げられる。また、２００℃〜６００℃の熱処理を行う場合には、この熱処理に耐え
る耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。Ａｌ単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しや
すい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。Ａｌと組み合わせ
る耐熱性導電性材料としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）
、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｓｃ（スカンジウム）から
選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合
金膜、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ、配線層４０５ａ、４
０５ｂを大気に触れさせることなく連続的に形成してもよい。大気に触れさせることなく
連続成膜することで、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく
各積層界面を形成することができるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減するこ
とができる。
なお、半導体層４０３は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する半導体層であ
る。
半導体層４０３、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂに２００℃〜６００℃、代表的には３００℃
〜５００℃の熱処理を行うと良い。例えば、窒素雰囲気下で３５０℃、１時間の熱処理を
行う。この熱処理により半導体層４０３、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂを構成するＩｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の原子レベルの再配列が行われる。この熱処理（光アニール
等も含む）は、半導体層４０３、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ中におけるキャリアの移動を
阻害する歪みを解放できる点で重要である。なお、上記の熱処理を行うタイミングは、半
導体層４０３、ｎ＋層４０４ａ、４０４ｂの形成後であれば特に限定されない。
また、露出している半導体層４０３の凹部に対して酸素ラジカル処理を行ってもよい。ラ
ジカル処理は、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、酸素を含むＮ２、Ｈｅ、Ａｒなどの雰囲気下で行うことが
好ましい。また、上記雰囲気にＣｌ２、ＣＦ４を加えた雰囲気下で行ってもよい。なお、
ラジカル処理は、第１の基板４４１側にバイアス電圧を印加せずに行うことが好ましい。
薄膜トランジスタ４２０を覆う絶縁膜４０７は、乾式法や湿式法で形成される無機絶縁膜
、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法などを用いて得られ
る窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タ
ンタル膜などを用いることができる。また、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン
、ポリアミド、エポキシ等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、
低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ
（リンボロンガラス）等を用いることができる。
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓ
ｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアルキ
ル基やアリール基）やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。シロキサン系樹脂は塗布法により成膜し、焼成することによって絶縁膜４０７
として用いることができる。
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜４０７を形成し
てもよい。例えば、無機絶縁膜上に有機樹脂膜を積層する構造としてもよい。
また、多階調マスクにより形成した複数（代表的には二種類）の厚さの領域を有するレジ
ストマスクを用いると、レジストマスクの数を減らすことができるため、工程簡略化、低
コスト化が図れる。
コントラストや視野角特性を改善することで、より高画質な液晶表示装置を提供すること
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
（実施の形態３）
実施の形態２において、画素電極層と共通電極層とが異なる面上に形成される例を図３、
図４、図７に示す。なお、実施の形態１及び実施の形態２と同様なものに関しては同様の
材料及び作製方法を適用することができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な
説明は省略する。
図３（Ａ）、図４（Ａ）、図７（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示
している。図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、図７（Ｂ）は、図３（Ａ）、図４（Ａ）、図７（Ａ
）それぞれの線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。
図３（Ａ）、図４（Ａ）、図７（Ａ）の平面図においては、実施の形態２と同様に、複数
のソース配線層（配線層４０５ａを含む）が互いに平行（図中上下方向に延伸）かつ互い
に離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層（ゲート電極層４０１を含む）は
、ソース配線層に略直交する方向（図中左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように
配置されている。共通配線層４０８は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配
置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方
向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線層と、共通配線層４０８及びゲート配線
層とによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層
及び共通配線層が配置されている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ４２０は、図
中左上の角に配置されている。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数
配置されている。
図３、図４、図７の液晶表示装置は、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、図７（Ｂ）の断面図に示
すように、画素電極層である第１の電極層４４７と、共通電極層である第２の電極層４４
６とが別の膜上（別レイヤー上）にそれぞれ設けられている。図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、
図７（Ｂ）では、画素電極層である第１の電極層４４７が、絶縁膜を介して共通電極層で
ある第２の電極層４４６の下に形成される例を示すが、共通電極層である第２の電極層４
４６が絶縁膜を介して画素電極層である第１の電極層４４７の下に形成される構造であっ
てもよい。
図３（Ａ）、図４（Ａ）、図７（Ａ）の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ４２０
に電気的に接続する第１の電極層４４７が画素電極層として機能し、共通配線層４０８と
電気的に接続する第２の電極層４４６が共通電極層として機能する。
図３においては、第１の電極層４４７が第１の基板４４１上に形成されており、第１の電
極層４４７上にはゲート絶縁層４０２、配線層４０５ｂ、絶縁膜４０７、層間膜４１３が
積層され、層間膜４１３上に第２の電極層４４６が形成されている。なお、図３において
は、配線層４０５ａ、４０５ｂと同工程で形成される配線層４１０と第１の電極層４４７
とによって容量が形成されている。
図４においては、第１の電極層４４７が絶縁膜４０７上に形成されており、第１の電極層
４４７上には層間膜４１３が積層され、層間膜４１３上に第２の電極層４４６が形成され
ている。なお、図４においては、第１の電極層と共通配線層とによって容量が形成されて
いる。
図７においては、第１の電極層４４７が層間膜４１３上に形成されており、第１の電極層
４４７上には絶縁膜４１６が積層され、絶縁膜４１６上に第２の電極層４４６が形成され
ている。なお、図７においては、第１の電極層と共通配線層とによって容量が形成されて
いる。また、図７は第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６は櫛歯状の形状であるが
、その屈曲部の角度が９０度となっている例である。このように第１の電極層４４７及び
第２の電極層４４６の屈曲部の角度が９０度であると、偏光板の偏光軸と液晶分子の配向
する角度との差が４５度となり、白表示時の透過率を最大とすることができる。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜として、有彩色の透光性樹脂層の着色層を用いると、
画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の強度を減
衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を
防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層と
して機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トラン
ジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐
れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでより精密な
形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また、層間膜
とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表
示装置を作製可能となる。
コントラストや視野角特性を改善することで、より高画質な液晶表示装置を提供すること
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
（実施の形態４）
遮光層（ブラックマトリクス）を有する液晶表示装置を、図５を用いて説明する。
図５に示す液晶表示装置は、実施の形態２の図１８（Ａ）（Ｂ）で示す液晶表示装置にお
いて、対向基板である第２の基板４４２側にさらに遮光層４１４を形成する例である。よ
って、実施の形態２と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法を適用することがで
き、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図５（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の線Ｘ１−Ｘ２の断
面図である。なお、図５（Ａ）の平面図では素子基板側のみ図示しており、対向基板側の
記載は省略している。
第２の基板４４２の液晶層４４４側に、遮光層４１４が形成され、平坦化膜として絶縁層
４１５が形成されている。遮光層４１４は、液晶層４４４を介して薄膜トランジスタ４２
０と対応する領域（薄膜トランジスタの半導体層と重畳する領域）に形成することが好ま
しい。遮光層４１４が薄膜トランジスタ４２０の少なくとも半導体層４０３上方を覆うよ
うに配置されるように、第１の基板４４１及び第２の基板４４２は液晶層４４４を挟持し
て固着される。
遮光層４１４は、光を反射、又は吸収し、遮光性を有する材料を用いる。例えば、黒色の
有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料
系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また
、遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、
コバルト、銅、タングステン、又はアルミニウムなどを用いればよい。
遮光層４１４の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェ
ット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）などの湿式法を用い、必要に応じてエッチ
ング法（ドライエッチング又はウエットエッチング）により所望のパターンに加工すれば
よい。
絶縁層４１５もアクリルやポリイミドなどの有機樹脂などを用いて、スピンコートや各種
印刷法などの塗布法で形成すればよい。
このようにさらに対向基板側に遮光層４１４を設けると、よりコントラスト向上や薄膜ト
ランジスタの安定化の効果を高めることができる。遮光層４１４は薄膜トランジスタ４２
０の半導体層４０３への光の入射を遮断することができるため、酸化物半導体の光感度に
よる薄膜トランジスタ４２０の電気特性の変動を防止しより安定化させる。また、遮光層
４１４は隣り合う画素への光漏れを防止することもできるため、より高コントラスト及び
高精細な表示を行うことが可能になる。よって、液晶表示装置の高精細、高信頼性を達成
することができる。
コントラストや視野角特性を改善することで、より高画質な液晶表示装置を提供すること
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態５）
遮光層（ブラックマトリクス）を有する液晶表示装置を、図６を用いて説明する。
図６に示す液晶表示装置は、実施の形態２の図１８（Ａ）（Ｂ）で示す液晶表示装置にお
いて、素子基板である第１の基板４４１側に層間膜４１３の一部として遮光層４１４を形
成する例である。よって、実施の形態２と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法
を適用することができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図６（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の線Ｘ１−Ｘ２の断
面図である。なお、図６（Ａ）の平面図では素子基板側のみ図示しており、対向基板側の
記載は省略している。
層間膜４１３は遮光層４１４及び有彩色の透光性樹脂層４１７を含む。遮光層４１４は、
素子基板である第１の基板４４１側に設けられており、薄膜トランジスタ４２０上（少な
くとも薄膜トランジスタの半導体層を覆う領域）に絶縁膜４０７を介して形成され、半導
体層に対する遮光層として機能する。一方、有彩色の透光性樹脂層４１７は、第１の電極
層４４７及び第２の電極層４４６に重なる領域に形成され、カラーフィルタ層として機能
する。図６（Ｂ）の液晶表示装置において、第２の電極層４４６の一部は、遮光層４１４
上に形成され、その上に液晶層４４４が設けられている。
遮光層４１４を層間膜として用いるため、黒色の有機樹脂を用いることが好ましい。例え
ば、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒色樹脂やカーボンブ
ラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。遮光層４１４の形成方法は材料
に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、ス
クリーン印刷、オフセット印刷等）などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法（ド
ライエッチング又はウエットエッチング）により所望のパターンに加工すればよい。
このように遮光層４１４を設けると、遮光層４１４は、画素の開口率を低下させることな
く薄膜トランジスタ４２０の半導体層４０３への光の入射を遮断することができ、酸化物
半導体の光感度による薄膜トランジスタ４２０の電気特性の変動を防止し安定化する効果
を得られる。また、遮光層４１４は隣り合う画素への光漏れを防止することもできるため
、より高コントラスト及び高精細な表示を行うことが可能になる。よって、液晶表示装置
の高精細、高信頼性を達成することができる。
また、有彩色の透光性樹脂層４１７は、カラーフィルタ層として機能させることができる
。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板
との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜に含まれ
る有彩色の透光性樹脂層４１７をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するので
より精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。ま
た、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コス
トで液晶表示装置を作製可能となる。
コントラストや視野角特性を改善することで、より高画質な液晶表示装置を提供すること
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態６）
実施の形態１乃至５において、液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例を示
す。なお、実施の形態２乃至５と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法を適用す
ることができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層とがｎ＋層を介さずに接する構成の薄膜トラ
ンジスタを有する液晶表示装置の例を図１０に示す。
図１０（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図１０（Ｂ）
は、図１０（Ａ）の線Ｖ１−Ｖ２における断面図である。
図１０（Ａ）の平面図においては、実施の形態２と同様に、複数のソース配線層（配線層
４０５ａを含む）が互いに平行（図中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置さ
れている。複数のゲート配線層（ゲート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交
する方向（図中左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配
線層４０８は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配
線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延
伸している。ソース配線層と、共通配線層４０８及びゲート配線層とによって、略長方形
の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通配線層が配置さ
れている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ４２２は、図中左上の角に配置されて
いる。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
薄膜トランジスタ４２２、有彩色の透光性樹脂層である層間膜４１３、第１の電極層４４
７、及び第２の電極層４４６が設けられた第１の基板４４１と、第２の基板４４２とは液
晶層４４４を間に挟持して固着されている。
薄膜トランジスタ４２２は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する配線層４０
５ａ、４０５ｂと半導体層４０３とがｎ＋層を介さずに接する構成である。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜として、有彩色の透光性樹脂層の着色層を用いると、
画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の強度を減
衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を
防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層と
して機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トラン
ジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐
れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでより精密な
形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また、層間膜
とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表
示装置を作製可能となる。
コントラストや視野角特性を改善し、高速応答を可能にすることで、より高画質及び高性
能な液晶表示装置を提供することができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産
性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態７）
実施の形態１乃至５において、液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例を、
図９を用いて説明する。
図９（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図９（Ｂ）は、
図９（Ａ）の線Ｚ１−Ｚ２における断面図である。
図９（Ａ）の平面図においては、実施の形態２と同様に、複数のソース配線層（配線層４
０５ａを含む）が互いに平行（図中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置され
ている。複数のゲート配線層（ゲート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交す
る方向（図中左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配線
層４０８は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線
層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸
している。ソース配線層と、共通配線層４０８及びゲート配線層とによって、略長方形の
空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通配線層が配置され
ている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ４２１は、図中左上の角に配置されてい
る。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
薄膜トランジスタ４２１、有彩色の透光性樹脂層である層間膜４１３、第１の電極層４４
７、及び第２の電極層４４６が設けられた第１の基板４４１と、第２の基板４４２とは液
晶層４４４を間に挟持して固着されている。
薄膜トランジスタ４２１はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する
基板である第１の基板４４１上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、ソース電
極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂ、ソース領域又はドレ
イン領域として機能するｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ、及び半導体層４０３を含む。また、
薄膜トランジスタ４２１を覆い、半導体層４０３に接する絶縁膜４０７が設けられている
。半導体層４０３及びｎ＋層４０４ａ、４０４ｂは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜
を用いる。このような構造の薄膜トランジスタ４２１は、移動度２０ｃｍ２／Ｖｓ以上、
Ｓ値０．４Ｖ／ｄｅｃ以下の特性が得られる。よって高速動作が可能となり、シフトレジ
スタなどの駆動回路（ソースドライバー又はゲートドライバー）を画素部と同一基板上に
形成することができる。
なお、半導体層４０３をスパッタ法により成膜する前に、ゲート絶縁層４０２、配線層４
０５ａ、４０５ｂにアルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、表
面に付着しているゴミを除去することが好ましい。
半導体層４０３及びｎ＋層４０４ａ、４０４ｂに、２００℃〜６００℃、代表的には３０
０℃〜５００℃の熱処理を行うと良い。例えば、窒素雰囲気下で３５０℃、１時間の熱処
理を行う。この熱処理を行うタイミングは、半導体層４０３及びｎ＋層４０４ａ、４０４
ｂに用いる酸化物半導体膜の形成後であれば特に限定されない。
また、半導体層４０３に対して酸素ラジカル処理を行ってもよい。
薄膜トランジスタ４２１は、薄膜トランジスタ４２１を含む領域全てにおいてゲート絶縁
層４０２が存在し、ゲート絶縁層４０２と絶縁表面を有する基板である第１の基板４４１
の間にゲート電極層４０１が設けられている。ゲート絶縁層４０２上には配線層４０５ａ
、４０５ｂ、及びｎ＋層４０４ａ、４０４ｂが設けられている。そして、ゲート絶縁層４
０２、配線層４０５ａ、４０５ｂ、及びｎ＋層４０４ａ、４０４ｂ上に半導体層４０３が
設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層４０２上には配線層４０５ａ、４０
５ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層４０３の外周部より外側に延在している
。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜として、有彩色の透光性樹脂層の着色層を用いると、
画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の強度を減
衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を
防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層と
して機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トラン
ジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐
れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでより精密な
形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また、層間膜
とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表
示装置を作製可能となる。
コントラストや視野角特性を改善することで、より高画質な液晶表示装置を提供すること
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態８）
実施の形態１乃至５において、液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例を示
す。なお、実施の形態２乃至５と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法を適用す
ることができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層とが、ｎ＋層を介さずに接する構成の薄膜ト
ランジスタを有する液晶表示装置の例を図１１に示す。
図１１（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図１１（Ｂ）
は、図１１（Ａ）の線Ｙ１−Ｙ２における断面図である。
図１１（Ａ）の平面図においては、実施の形態２と同様に、複数のソース配線層（配線層
４０５ａを含む）が互いに平行（図中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置さ
れている。複数のゲート配線層（ゲート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交
する方向（図中左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配
線層４０８は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配
線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延
伸している。ソース配線層と、共通配線層４０８及びゲート配線層とによって、略長方形
の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通配線層が配置さ
れている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ４２３は、図中左上の角に配置されて
いる。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
薄膜トランジスタ４２３、有彩色の透光性樹脂層である層間膜４１３、第１の電極層４４
７、及び第２の電極層４４６が設けられた第１の基板４４１と、第２の基板４４２とは液
晶層４４４を間に挟持して固着されている。
薄膜トランジスタ４２３は、薄膜トランジスタ４２３を含む領域全てにおいてゲート絶縁
層４０２が存在し、ゲート絶縁層４０２と絶縁表面を有する基板である第１の基板４４１
の間にゲート電極層４０１が設けられている。ゲート絶縁層４０２上には配線層４０５ａ
、４０５ｂが設けられている。そして、ゲート絶縁層４０２、配線層４０５ａ、４０５ｂ
上に半導体層４０３が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層４０２上には
配線層４０５ａ、４０５ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層４０３の外周部よ
り外側に延在している。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜として、有彩色の透光性樹脂層の着色層を用いると、
画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の強度を減
衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を
防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層と
して機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トラン
ジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐
れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでより精密な
形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また、層間膜
とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表
示装置を作製可能となる。
コントラストや視野角特性を改善することで、より高画質な液晶表示装置を提供すること
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態９）
上記実施の形態において、液晶層としてブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
ブルー相を示す液晶層を用いる液晶表示装置について図１９を用いて説明する。
図１９（Ａ）乃至（Ｄ）は液晶表示装置及び該の作製工程の断面図である。
図１９（Ａ）において、素子基板である第１の基板２００上に素子層２０３が形成され、
素子層２０３上に層間膜２０９が形成されている。
層間膜２０９は、有彩色の透光性樹脂層２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ及び遮光層２０５
ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄを含み、有彩色の透光性樹脂層２０４ａ、２０４ｂ、
２０４ｃの間に遮光層２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄがそれぞれ形成される構
成である。なお、図１９（Ａ）乃至（Ｄ）では含まれる画素電極層及び共通電極層は省略
している。例えば、画素電極層及び共通電極層は実施の形態２乃至８の構造を用いること
ができ、横電界モードを適用することができる。
図１９（Ｂ）に示すように、第１の基板２００と対向基板である第２の基板２０１とを、
液晶層２０６を間に挟持させてシール材２０２ａ、２０２ｂで固着する。液晶層２０６を
形成する方法として、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板２００と第２の基板２０
１とを貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる
。
液晶層２０６には、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。ブルー相を示す液晶
材料は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高
性能化が可能になる。
ブルー相を示す液晶材料として液晶及びカイラル剤を含む。カイラル剤は、液晶を螺旋構
造に配向させ、ブルー相を発現させるために用いる。例えば、５重量％以上のカイラル剤
を混合させた液晶材料を液晶層に用いればよい。
液晶は、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等
を用いる。
カイラル剤は、液晶に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い材料を用いる。また、Ｒ体
、Ｓ体のどちらか片方の材料が良く、Ｒ体とＳ体の割合が５０：５０のラセミ体は使用し
ない。
上記液晶材料は、条件により、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメクチッ
ク相、スメクチックブルー相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す
。
ブルー相であるコレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺旋ピッチが５０
０ｎｍ以下で比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみら
れる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。可視光の波長以下の秩序を有している
ため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブル
ー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、
表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。また配向膜へのラビング処理も不要と
なるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工
程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性
を向上させることが可能となる。特に、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタは、静
電気の影響により薄膜トランジスタの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する
恐れがある。よって酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置にブ
ルー相の液晶材料を用いることはより効果的である。
また、ブルー相は狭い温度範囲でしか発現が難しく、温度範囲を広く改善するために液晶
材料に、光硬化樹脂及び光重合開始剤を添加し、高分子安定化処理を行うことが好ましい
。高分子安定化処理は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材
料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して行う。この高分子安
定化処理は、等方相を示す液晶材料に光照射して行っても良いし、温度制御してブルー相
を発現した液晶材料に光照射して行ってもよい。例えば、液晶層の温度を制御し、ブルー
相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行う。但し、こ
れに限定されず、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃
以内の等方相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行っ
てもよい。ブルー相と等方相間の相転移温度とは、昇温時にブルー相から等方相に転移す
る温度又は降温時に等方相からブルー相に相転移する温度をいう。高分子安定化処理の一
例としては、液晶層を等方相まで加熱した後、徐々に降温させてブルー相にまで相転移さ
せ、ブルー相が発現する温度を保持した状態で光を照射することができる。他にも、液晶
層を徐々に加熱して等方相に相転移させた後、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１
０℃以内、好ましくは＋５℃以内状態（等方相を発現した状態）で光を照射することがで
きる。また、液晶材料に含まれる光硬化樹脂として、紫外線硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を
用いる場合、液晶層に紫外線を照射すればよい。なお、ブルー相を発現させなくとも、ブ
ルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内状態（等方相を
発現した状態）で光を照射して高分子安定化処理を行えば、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と
短く高速応答が可能である。
光硬化樹脂は、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマーでもよく、ジアクリ
レート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマ
ーでもよく、これらを混合させたものでもよい。また、液晶性のものでも非液晶性のもの
でもよく、両者を混合させてもよい。光硬化樹脂は、用いる光重合開始剤の反応する波長
の光で硬化する樹脂を選択すれば良く、代表的には紫外線硬化樹脂を用いることができる
。
光重合開始剤は、光照射によってラジカルを発生させるラジカル重合開始剤でもよく、酸
を発生させる酸発生剤でもよく、塩基を発生させる塩基発生剤でもよい。
具体的には、液晶材料として、ＪＣ−１０４１ＸＸ（チッソ株式会社製）と４−シアノ−
４’−ペンチルビフェニルの混合物を用いることができ、カイラル剤としては、ＺＬＩ−
４５７２（メルク株式会社製）を用いることができ、光硬化樹脂は、２−エチルヘキシル
アクリレート、ＲＭ２５７（メルク株式会社製）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ートを用いることができ、光重合開始剤としては２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセ
トフェノンを用いることができる。
液晶層２０６は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材料を用
いて形成する。
図１９（Ｃ）に示すように、液晶層２０６に、光２０７を照射して高分子安定化処理を行
い、液晶層２０８を形成する。光２０７は、液晶層２０６に含まれる光硬化樹脂、及び光
重合開始剤が反応する波長の光とする。この光照射による高分子安定化処理により、液晶
層２０８がブルー相を示す温度範囲を広く改善することができる。
シール材に紫外線などの光硬化樹脂を用い、滴下法で液晶層を形成する場合など、高分子
安定化処理の光照射工程によってシール材の硬化も行ってもよい。
図１９のように、素子基板上にカラーフィルタ層及び遮光層を作り込む液晶表示装置の構
成であると、カラーフィルタ層及び遮光層によって対向基板側から照射される光が吸収、
遮断されることがないために、液晶層全体に均一に照射することができる。よって、光重
合の不均一による液晶の配向乱れやそれに伴う表示ムラなどを防止することができる。ま
た、遮光層によって薄膜トランジスタは遮光されるので、その電気特性は安定なままであ
る。
図１９（Ｄ）に示すように、第１の基板２００の外側（液晶層２０８と反対側）に偏光板
２１０ａを、第２の基板２０１の外側（液晶層２０８と反対側）に偏光板２１０ｂを設け
る。また、偏光板の他、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを設けてもよい。
例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。以上の工程で、液晶表示装置
を完成させることができる。
また、大型の基板を用いて複数の液晶表示装置を作製する場合（所謂多面取り）、その分
断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができる。分断工程に
よる液晶層への影響（分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど）を考慮すると、第
１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好ましい。
図示しないが、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いればよい。光源は素子
基板である第１の基板２００側から、視認側である第２の基板２０１へと透過するように
照射される。
コントラストや視野角特性を改善し、高速応答を可能にすることで、より高画質及び高性
能な液晶表示装置を提供することができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産
性よく作製することができる。
また、薄膜トランジスタの特性を安定化し、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態１０）
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表
示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、薄膜トランジスタを駆動回
路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成す
ることができる。
液晶表示装置は表示素子として液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。
また、液晶表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントロ
ーラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該液晶表示装置を
作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素
子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、
具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極とな
る導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても
良いし、あらゆる形態があてはまる。
なお、本明細書中における液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしく
は光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ
ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が
取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモ
ジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集
積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図１２を用い
て説明する。図１２（Ａ１）（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成された酸化物半導
体膜を半導体層として含む信頼性の高い薄膜トランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶
素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５によって封止した、パネ
ルの上面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ１）（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に
相当する。
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲む
ようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回
路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査
線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
とによって、液晶層４００８と共に封止されている。
また、図１２（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている
領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形
成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図１２（Ａ２）は信号線駆動
回路の一部を第１の基板４００１上に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで形成する
例であり、第１の基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意
された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３
ａが実装されている。
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、
ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図１２（Ａ１）
は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図１２（Ａ２）は、
ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、
薄膜トランジスタを複数有しており、図１２（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜
トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１
とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜
４０２１が設けられている。
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、実施の形態１乃至８に示す酸化物半導体膜を半
導体層として含む信頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。薄膜トランジ
スタ４０１０、４０１１はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
また、第１の基板４００１上に画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が設けられ、
画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子
４０１３は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１、及び液晶層４００８を含む。な
お、第１の基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２、４０
３３が設けられている。画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１の構成は実施の形態
１の構成を適用してもよく、その場合、共通電極層４０３１は第２の基板４００６側に設
けられ、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１とは液晶層４００８を介して積層する
構成とすればよい。
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プラ
スチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａ
ｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド
）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。
また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシー
トを用いることもできる。
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、
液晶層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のス
ペーサを用いていても良い。なお、液晶層４００８を用いる液晶表示装置は、液晶層４０
０８の膜厚（セルギャップ）を５μｍ以上２０μｍ程度とすることが好ましい。
なお図１２は透過型液晶表示装置の例であるが、半透過型液晶表示装置でも適用できる。
また、図１２の液晶表示装置では、一対の基板の外側（視認側）に偏光板を設けける例を
示すが、偏光板は一対の基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によっ
て適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい
。
層間膜４０２１は、有彩色の透光性樹脂層であり、カラーフィルタ層として機能する。ま
た、層間膜４０２１の一部を遮光層としてもよい。図１２においては、薄膜トランジスタ
４０１０、４０１１上方を覆うように遮光層４０３４が第２の基板４００６側に設けられ
ている。遮光層４０３４を設けることにより、さらにコントラスト向上や薄膜トランジス
タの安定化の効果を高めることができる。
薄膜トランジスタ上に設ける層間膜４０２１として、有彩色の透光性樹脂層の着色層を用
いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の
強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性
の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィ
ルタ層として機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄
膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を
損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでよ
り精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また
、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コスト
で液晶表示装置を作製可能となる。
薄膜トランジスタの保護膜として機能する絶縁層４０２０で覆う構成としてもよいが、特
に限定されない。
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜
、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウ
ム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成す
ればよい。
また、保護膜を形成した後に、半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行ってもよ
い。
また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合、ポリイミド、アクリル
、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いるこ
とができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系
樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよ
い。
積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。絶縁層を材料液を用いて形成する場合、ベークする
工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁層の焼
成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく液晶表示装置を作製することが可能
となる。
画素電極層４０３０、共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
また、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマー
ともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４
００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース
線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路
は、酸化物半導体を用いた非線形素子を用いて構成することが好ましい。
図１２では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、
端子電極４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン
電極層と同じ導電膜で形成されている。
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介し
て電気的に接続されている。
また図１２においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実
装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して
実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成し
て実装しても良い。
図１６は、本明細書に開示する液晶表示装置として液晶表示モジュールを構成する一例を
示している。
図１６は液晶表示モジュールの一例であり、素子基板２６００と対向基板２６０１がシー
ル材２６０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む素子層２６０３、液晶層を含む表
示素子２６０４、カラーフィルタとして機能する有彩色の透光性樹脂層を含む層間膜２６
０５が設けられ表示領域を形成している有彩色の透光性樹脂層を含む層間膜２６０５はカ
ラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した有
彩色の透光性樹脂層が各画素に対応して設けられている。素子基板２６００と対向基板２
６０１の外側には偏光板２６０６、偏光板２６０７、拡散板２６１３が配設されている。
光源は冷陰極管２６１０と反射板２６１１により構成され、回路基板２６１２は、フレキ
シブル配線基板２６０９により素子基板２６００の配線回路部２６０８と接続され、コン
トロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また、光源として、白色の
ダイオードを用いてもよい。また偏光板と、液晶層との間に位相差板を有した状態で積層
してもよい。
なお、実施の形態１を適用する液晶表示モジュールには、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａ
ｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉ
ｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍ
ｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）などを用いることができる。
以上の工程により、液晶表示装置として信頼性の高い液晶表示パネルを作製することがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態１１）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用するこ
とができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョ
ン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯
型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げら
れる。
図１３（Ａ）は、テレビジョン装置９６００の一例を示している。テレビジョン装置９６
００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１
を支持した構成を示している。
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
コン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キー
９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作機
９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図１３（Ｂ）は、デジタルフォトフレーム９７００の一例を示している。例えば、デジタ
ルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７０３が組み込まれている。表示
部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができる。
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
図１４（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成さ
れており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示部
９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。また、図
１４（Ａ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８８
６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ９
８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書
に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構
成とすることができる。図１４（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されている
プログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通
信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１４（Ａ）に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図１４（Ｂ）は大型遊技機であるスロットマシン９９００の一例を示している。スロット
マシン９９００は、筐体９９０１に表示部９９０３が組み込まれている。また、スロット
マシン９９００は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン９９００の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよ
く、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
図１５（Ａ）は、携帯電話機１０００の一例を示している。携帯電話機１０００は、筐体
１００１に組み込まれた表示部１００２の他、操作ボタン１００３、外部接続ポート１０
０４、スピーカ１００５、マイク１００６などを備えている。
図１５（Ａ）に示す携帯電話機１０００は、表示部１００２を指などで触れることで、情
報を入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部
１００２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部１００２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部１００２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部１００２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
また、携帯電話機１０００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機１０００の向き（縦か横か）を判断して、表
示部１００２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部１００２を触れること、又は筐体１００１の操作
ボタン１００３の操作により行われる。また、表示部１００２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部１００２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部１００２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部１００２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部１０
０２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図１５（Ｂ）も携帯電話機の一例である。図１５（Ｂ）の携帯電話機は、筐体９４１１に
、表示部９４１２、及び操作ボタン９４１３を含む表示装置９４１０と、筐体９４０１に
操作ボタン９４０２、外部入力端子９４０３、マイク９４０４、スピーカ９４０５、及び
着信時に発光する発光部９４０６を含む通信装置９４００とを有しており、表示機能を有
する表示装置９４１０は電話機能を有する通信装置９４００と矢印の２方向に脱着可能で
ある。よって、表示装置９４１０と通信装置９４００の短軸同士を取り付けることも、表
示装置９４１０と通信装置９４００の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機
能のみを必要とする場合、通信装置９４００より表示装置９４１０を取り外し、表示装置
９４１０を単独で用いることもできる。通信装置９４００と表示装置９４１０とは無線通
信又は有線通信により画像又は入力情報を授受することができ、それぞれ充電可能なバッ
テリーを有する。

Claims (5)

  1. ゲート電極層と、
    前記ゲート電極層上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方のチャネル形成領域と、
    ソース領域またはドレイン領域としての機能を有するｎ型の領域と、
    ソース電極層またはドレイン電極層と、
    前記チャネル形成領域上方の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上方の、有彩色の透光性樹脂層と、
    前記有彩色の透光性樹脂層上方の、第３の絶縁層と、
    前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の一方と電気的に接続された画素電極層と、
    前記第２の絶縁層上方の電極層と、を有し、
    前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体層に設けられ、
    前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
    前記電極層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記ｎ型の領域は、ナノクリスタルを有し、
    前記有彩色の透光性樹脂層の可視光の透過率は、前記半導体層の可視光の透過率よりも低く、
    前記第３の絶縁層は、前記有彩色の透光性樹脂層と接する領域を有し、
    前記酸化物半導体は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
    前記ｎ型の領域は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、シリコンと、酸素と、を有し、
    前記チャネル形成領域を有するトランジスタは、チャネル長方向において、前記ゲート電極層の長さが前記半導体層の長さより大きいことを特徴とする表示装置。
  2. ゲート電極層と、
    前記ゲート電極層上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方のチャネル形成領域と、
    ソース領域またはドレイン領域としての機能を有するｎ型の領域と、
    ソース電極層またはドレイン電極層と、
    前記チャネル形成領域上方の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上方の、有彩色の透光性樹脂層と、
    前記有彩色の透光性樹脂層上方の、第３の絶縁層と、
    前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の一方と電気的に接続された画素電極層と、
    前記第２の絶縁層上方の電極層と、を有し、
    前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体層に設けられ、
    前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
    前記電極層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記ｎ型の領域は、直径１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の結晶を有し、
    前記有彩色の透光性樹脂層の可視光の透過率は、前記半導体層の可視光の透過率よりも低く、
    前記第３の絶縁層は、前記有彩色の透光性樹脂層と接する領域を有し、
    前記酸化物半導体は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
    前記ｎ型の領域は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、シリコンと、酸素と、を有し、
    前記チャネル形成領域を有するトランジスタは、チャネル長方向において、前記ゲート電極層の長さが前記半導体層の長さより大きいことを特徴とする表示装置。
  3. ゲート電極層と、
    前記ゲート電極層上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方のチャネル形成領域と、
    ソース領域またはドレイン領域としての機能を有するｎ型の領域と、
    ソース電極層またはドレイン電極層と、
    前記チャネル形成領域上方の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上方の、有彩色の透光性樹脂層と、
    前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の一方と電気的に接続された画素電極層と、
    前記第２の絶縁層上方の電極層と、を有し、
    前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体層に設けられ、
    前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
    前記電極層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記ｎ型の領域は、ナノクリスタルを有し、
    前記有彩色の透光性樹脂層の可視光の透過率は、前記半導体層の可視光の透過率よりも低く、
    前記酸化物半導体は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
    前記ｎ型の領域は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、シリコンと、酸素と、を有し、
    前記チャネル形成領域を有するトランジスタは、チャネル長方向において、前記ゲート電極層の長さが前記半導体層の長さより大きいことを特徴とする表示装置。
  4. ゲート電極層と、
    前記ゲート電極層上方の第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上方のチャネル形成領域と、
    ソース領域またはドレイン領域としての機能を有するｎ型の領域と、
    ソース電極層またはドレイン電極層と、
    前記チャネル形成領域上方の第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上方の、有彩色の透光性樹脂層と、
    前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の一方と電気的に接続された画素電極層と、
    前記第２の絶縁層上方の電極層と、を有し、
    前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体層に設けられ、
    前記チャネル形成領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
    前記電極層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記ｎ型の領域は、直径１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の結晶を有し、
    前記有彩色の透光性樹脂層の可視光の透過率は、前記半導体層の可視光の透過率よりも低く、
    前記酸化物半導体は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
    前記ｎ型の領域は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、酸素と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、シリコンと、酸素と、を有し、
    前記チャネル形成領域を有するトランジスタは、チャネル長方向において、前記ゲート電極層の長さが前記半導体層の長さより大きいことを特徴とする表示装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記有彩色の透光性樹脂層は、複数の色を有し、
    前記表示装置が有する複数の画素のいずれか一は、前記複数の色のいずれか一を有することを特徴とする表示装置。
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