|
US20130023129A1
(en)
|
2011-07-20 |
2013-01-24 |
Asm America, Inc. |
Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
|
|
US20160376700A1
(en)
|
2013-02-01 |
2016-12-29 |
Asm Ip Holding B.V. |
System for treatment of deposition reactor
|
|
WO2015112327A1
(en)
|
2014-01-21 |
2015-07-30 |
Applied Materials, Inc. |
Dielectric-metal stack for 3d flash memory application
|
|
US10858737B2
(en)
|
2014-07-28 |
2020-12-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Showerhead assembly and components thereof
|
|
US10941490B2
(en)
|
2014-10-07 |
2021-03-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
|
|
US10276355B2
(en)
|
2015-03-12 |
2019-04-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
|
|
US11139308B2
(en)
|
2015-12-29 |
2021-10-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
|
|
US9991118B2
(en)
|
2016-01-20 |
2018-06-05 |
Applied Materials, Inc. |
Hybrid carbon hardmask for lateral hardmask recess reduction
|
|
US10529554B2
(en)
|
2016-02-19 |
2020-01-07 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
|
|
US10343920B2
(en)
|
2016-03-18 |
2019-07-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Aligned carbon nanotubes
|
|
US11453943B2
(en)
|
2016-05-25 |
2022-09-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
|
|
US9859151B1
(en)
|
2016-07-08 |
2018-01-02 |
Asm Ip Holding B.V. |
Selective film deposition method to form air gaps
|
|
US10612137B2
(en)
|
2016-07-08 |
2020-04-07 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Organic reactants for atomic layer deposition
|
|
US9812320B1
(en)
|
2016-07-28 |
2017-11-07 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method and apparatus for filling a gap
|
|
US9887082B1
(en)
|
2016-07-28 |
2018-02-06 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method and apparatus for filling a gap
|
|
KR102629466B1
(ko)
*
|
2016-09-21 |
2024-01-26 |
에스케이하이닉스 주식회사 |
반도체 장치의 제조 방법
|
|
US10128116B2
(en)
*
|
2016-10-17 |
2018-11-13 |
Lam Research Corporation |
Integrated direct dielectric and metal deposition
|
|
US11532757B2
(en)
|
2016-10-27 |
2022-12-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Deposition of charge trapping layers
|
|
US10714350B2
(en)
|
2016-11-01 |
2020-07-14 |
ASM IP Holdings, B.V. |
Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
|
|
KR102546317B1
(ko)
|
2016-11-15 |
2023-06-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
|
|
US11581186B2
(en)
|
2016-12-15 |
2023-02-14 |
Asm Ip Holding B.V. |
Sequential infiltration synthesis apparatus
|
|
US11447861B2
(en)
|
2016-12-15 |
2022-09-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
|
|
US11390950B2
(en)
|
2017-01-10 |
2022-07-19 |
Asm Ip Holding B.V. |
Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
|
|
US10790140B2
(en)
*
|
2017-02-14 |
2020-09-29 |
Applied Materials, Inc. |
High deposition rate and high quality nitride
|
|
US10468261B2
(en)
|
2017-02-15 |
2019-11-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
|
|
CN106920798B
(zh)
*
|
2017-03-07 |
2018-06-26 |
长江存储科技有限责任公司 |
一种三维存储器堆栈结构及其堆叠方法及三维存储器
|
|
JP2018160303A
(ja)
*
|
2017-03-23 |
2018-10-11 |
東芝メモリ株式会社 |
半導体記憶装置
|
|
US10358717B2
(en)
*
|
2017-04-21 |
2019-07-23 |
Lam Research Corporation |
Method for depositing high deposition rate, thick tetraethyl orthosilicate film with low compressive stress, high film stability and low shrinkage
|
|
US10770286B2
(en)
|
2017-05-08 |
2020-09-08 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
|
|
US12040200B2
(en)
|
2017-06-20 |
2024-07-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
|
|
US11306395B2
(en)
|
2017-06-28 |
2022-04-19 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
|
|
KR20190009245A
(ko)
|
2017-07-18 |
2019-01-28 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
|
|
US11374112B2
(en)
|
2017-07-19 |
2022-06-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
|
|
US10590535B2
(en)
|
2017-07-26 |
2020-03-17 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
|
|
TWI815813B
(zh)
|
2017-08-04 |
2023-09-21 |
荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 |
用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
|
|
US10770336B2
(en)
|
2017-08-08 |
2020-09-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate lift mechanism and reactor including same
|
|
US10692741B2
(en)
|
2017-08-08 |
2020-06-23 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Radiation shield
|
|
US11769682B2
(en)
|
2017-08-09 |
2023-09-26 |
Asm Ip Holding B.V. |
Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
|
|
US11830730B2
(en)
|
2017-08-29 |
2023-11-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Layer forming method and apparatus
|
|
US11295980B2
(en)
|
2017-08-30 |
2022-04-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
|
|
CN107564800B
(zh)
*
|
2017-08-31 |
2020-02-18 |
长江存储科技有限责任公司 |
一种氮化硅层的制备方法
|
|
US10658205B2
(en)
|
2017-09-28 |
2020-05-19 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
|
|
US10403504B2
(en)
|
2017-10-05 |
2019-09-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
|
|
US10923344B2
(en)
|
2017-10-30 |
2021-02-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
|
|
CN107946311B
(zh)
*
|
2017-11-21 |
2020-09-25 |
长江存储科技有限责任公司 |
控制3d nand闪存结构中沟道关键尺寸的方法
|
|
US10515796B2
(en)
*
|
2017-11-21 |
2019-12-24 |
Applied Materials, Inc. |
Dry etch rate reduction of silicon nitride films
|
|
US11127617B2
(en)
|
2017-11-27 |
2021-09-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
|
|
TWI791689B
(zh)
|
2017-11-27 |
2023-02-11 |
荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 |
包括潔淨迷你環境之裝置
|
|
JP7137927B2
(ja)
|
2017-12-20 |
2022-09-15 |
キオクシア株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
US10636650B2
(en)
*
|
2018-01-15 |
2020-04-28 |
Applied Materials, Inc. |
Argon addition to remote plasma oxidation
|
|
US10872771B2
(en)
|
2018-01-16 |
2020-12-22 |
Asm Ip Holding B. V. |
Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
|
|
TWI852426B
(zh)
|
2018-01-19 |
2024-08-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
沈積方法
|
|
KR102695659B1
(ko)
|
2018-01-19 |
2024-08-14 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
|
|
US11081345B2
(en)
|
2018-02-06 |
2021-08-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
|
|
KR102657269B1
(ko)
|
2018-02-14 |
2024-04-16 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
|
|
US10896820B2
(en)
|
2018-02-14 |
2021-01-19 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
|
|
US10731249B2
(en)
|
2018-02-15 |
2020-08-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
|
|
KR102636427B1
(ko)
|
2018-02-20 |
2024-02-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법 및 장치
|
|
US10975470B2
(en)
|
2018-02-23 |
2021-04-13 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
|
|
US11473195B2
(en)
|
2018-03-01 |
2022-10-18 |
Asm Ip Holding B.V. |
Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
|
|
CN118588549A
(zh)
*
|
2018-03-16 |
2024-09-03 |
朗姆研究公司 |
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程
|
|
KR102646467B1
(ko)
|
2018-03-27 |
2024-03-11 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
|
|
KR102600229B1
(ko)
|
2018-04-09 |
2023-11-10 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
|
|
US10840086B2
(en)
*
|
2018-04-27 |
2020-11-17 |
Applied Materials, Inc. |
Plasma enhanced CVD with periodic high voltage bias
|
|
SG11202009289PA
(en)
|
2018-05-03 |
2020-11-27 |
Applied Materials Inc |
Pulsed plasma (dc/rf) deposition of high quality c films for patterning
|
|
US12025484B2
(en)
|
2018-05-08 |
2024-07-02 |
Asm Ip Holding B.V. |
Thin film forming method
|
|
US12272527B2
(en)
|
2018-05-09 |
2025-04-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
|
|
KR102596988B1
(ko)
|
2018-05-28 |
2023-10-31 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
|
|
US11718913B2
(en)
|
2018-06-04 |
2023-08-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas distribution system and reactor system including same
|
|
KR102568797B1
(ko)
|
2018-06-21 |
2023-08-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 시스템
|
|
US10797133B2
(en)
|
2018-06-21 |
2020-10-06 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
|
|
WO2020003000A1
(en)
|
2018-06-27 |
2020-01-02 |
Asm Ip Holding B.V. |
Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
|
|
TWI819010B
(zh)
|
2018-06-27 |
2023-10-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
|
|
US10755922B2
(en)
|
2018-07-03 |
2020-08-25 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
|
|
US10388513B1
(en)
|
2018-07-03 |
2019-08-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
|
|
TWI830751B
(zh)
*
|
2018-07-19 |
2024-02-01 |
美商應用材料股份有限公司 |
低溫高品質的介電膜及其形成方法
|
|
CN112771645A
(zh)
*
|
2018-07-31 |
2021-05-07 |
应用材料公司 |
用于3d nand的氧化物/氮化物(on)堆叠覆盖改良
|
|
US11430674B2
(en)
|
2018-08-22 |
2022-08-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
|
|
US11239420B2
(en)
*
|
2018-08-24 |
2022-02-01 |
Lam Research Corporation |
Conformal damage-free encapsulation of chalcogenide materials
|
|
US11024523B2
(en)
|
2018-09-11 |
2021-06-01 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing apparatus and method
|
|
KR102707956B1
(ko)
|
2018-09-11 |
2024-09-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
박막 증착 방법
|
|
CN110970344B
(zh)
|
2018-10-01 |
2024-10-25 |
Asmip控股有限公司 |
衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
|
|
KR102592699B1
(ko)
|
2018-10-08 |
2023-10-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
|
|
JP2020064924A
(ja)
*
|
2018-10-16 |
2020-04-23 |
東京エレクトロン株式会社 |
窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
|
|
KR102546322B1
(ko)
|
2018-10-19 |
2023-06-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
|
|
US12378665B2
(en)
|
2018-10-26 |
2025-08-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
|
|
US11087997B2
(en)
|
2018-10-31 |
2021-08-10 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing apparatus for processing substrates
|
|
KR102748291B1
(ko)
|
2018-11-02 |
2024-12-31 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
|
|
US11572620B2
(en)
|
2018-11-06 |
2023-02-07 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
|
|
US10818758B2
(en)
|
2018-11-16 |
2020-10-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
|
|
US12040199B2
(en)
|
2018-11-28 |
2024-07-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing apparatus for processing substrates
|
|
US11217444B2
(en)
|
2018-11-30 |
2022-01-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
|
|
KR102636428B1
(ko)
|
2018-12-04 |
2024-02-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치를 세정하는 방법
|
|
US11158513B2
(en)
|
2018-12-13 |
2021-10-26 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
|
|
TWI874340B
(zh)
|
2018-12-14 |
2025-03-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
|
|
US11557509B1
(en)
|
2018-12-21 |
2023-01-17 |
Applied Materials, Inc. |
Self-alignment etching of interconnect layers
|
|
US11145504B2
(en)
*
|
2019-01-14 |
2021-10-12 |
Applied Materials, Inc. |
Method of forming film stacks with reduced defects
|
|
TWI866480B
(zh)
|
2019-01-17 |
2024-12-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 |
藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
|
|
JP7509548B2
(ja)
|
2019-02-20 |
2024-07-02 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
|
|
KR20200102357A
(ko)
|
2019-02-20 |
2020-08-31 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
|
|
KR102638425B1
(ko)
|
2019-02-20 |
2024-02-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
|
|
TWI842826B
(zh)
|
2019-02-22 |
2024-05-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基材處理設備及處理基材之方法
|
|
US11742198B2
(en)
|
2019-03-08 |
2023-08-29 |
Asm Ip Holding B.V. |
Structure including SiOCN layer and method of forming same
|
|
KR102858005B1
(ko)
|
2019-03-08 |
2025-09-09 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
|
|
JP2020167398A
(ja)
|
2019-03-28 |
2020-10-08 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
|
|
KR102809999B1
(ko)
|
2019-04-01 |
2025-05-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반도체 소자를 제조하는 방법
|
|
WO2020008703A1
(ja)
*
|
2019-04-19 |
2020-01-09 |
株式会社日立ハイテクノロジーズ |
プラズマ処理方法
|
|
US11447864B2
(en)
|
2019-04-19 |
2022-09-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Layer forming method and apparatus
|
|
KR20200125453A
(ko)
|
2019-04-24 |
2020-11-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
|
|
KR20200130121A
(ko)
|
2019-05-07 |
2020-11-18 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
|
|
KR20200130652A
(ko)
|
2019-05-10 |
2020-11-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
|
|
JP7612342B2
(ja)
|
2019-05-16 |
2025-01-14 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
|
|
JP7598201B2
(ja)
|
2019-05-16 |
2024-12-11 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
|
|
USD975665S1
(en)
|
2019-05-17 |
2023-01-17 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor shaft
|
|
USD947913S1
(en)
|
2019-05-17 |
2022-04-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor shaft
|
|
KR20200141003A
(ko)
|
2019-06-06 |
2020-12-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
|
|
KR20200141931A
(ko)
|
2019-06-10 |
2020-12-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
|
|
KR20200143254A
(ko)
|
2019-06-11 |
2020-12-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
|
|
CN112289801B
(zh)
|
2019-06-28 |
2024-02-23 |
长江存储科技有限责任公司 |
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
|
|
CN110379817B
(zh)
|
2019-06-28 |
2020-05-19 |
长江存储科技有限责任公司 |
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
|
|
CN110349971A
(zh)
|
2019-06-28 |
2019-10-18 |
长江存储科技有限责任公司 |
用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法
|
|
EP4525024A3
(en)
|
2019-06-28 |
2025-04-30 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. |
Methods of semiconductor device fabrication
|
|
KR20210005515A
(ko)
|
2019-07-03 |
2021-01-14 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
|
|
JP7499079B2
(ja)
|
2019-07-09 |
2024-06-13 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
|
|
CN112216646A
(zh)
|
2019-07-10 |
2021-01-12 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
基板支撑组件及包括其的基板处理装置
|
|
KR102895115B1
(ko)
|
2019-07-16 |
2025-12-03 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치
|
|
KR20210010816A
(ko)
|
2019-07-17 |
2021-01-28 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
|
|
KR102860110B1
(ko)
|
2019-07-17 |
2025-09-16 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
|
|
US11643724B2
(en)
|
2019-07-18 |
2023-05-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming structures using a neutral beam
|
|
US11384428B2
(en)
|
2019-07-19 |
2022-07-12 |
Applied Materials, Inc. |
Carbon layer covered mask in 3D applications
|
|
CN112242295B
(zh)
|
2019-07-19 |
2025-12-09 |
Asmip私人控股有限公司 |
形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
|
|
TWI851767B
(zh)
|
2019-07-29 |
2024-08-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
|
|
KR20210015655A
(ko)
|
2019-07-30 |
2021-02-10 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치 및 방법
|
|
CN112309900B
(zh)
|
2019-07-30 |
2025-11-04 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
CN112309899B
(zh)
|
2019-07-30 |
2025-11-14 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
US11587815B2
(en)
|
2019-07-31 |
2023-02-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly
|
|
US11227782B2
(en)
|
2019-07-31 |
2022-01-18 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly
|
|
US11587814B2
(en)
|
2019-07-31 |
2023-02-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly
|
|
CN118422165A
(zh)
|
2019-08-05 |
2024-08-02 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
用于化学源容器的液位传感器
|
|
US12195846B2
(en)
|
2019-08-07 |
2025-01-14 |
Applied Materials, Inc. |
Modified stacks for 3D NAND
|
|
US10923593B1
(en)
*
|
2019-08-09 |
2021-02-16 |
Micron Technology, Inc. |
Transistor and methods of forming transistors
|
|
US11024736B2
(en)
|
2019-08-09 |
2021-06-01 |
Micron Technology, Inc. |
Transistor and methods of forming integrated circuitry
|
|
KR20210018761A
(ko)
|
2019-08-09 |
2021-02-18 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
|
|
KR102748031B1
(ko)
|
2019-08-09 |
2024-12-31 |
마이크론 테크놀로지, 인크 |
트랜지스터 및 트랜지스터의 형성 방법
|
|
US10964811B2
(en)
|
2019-08-09 |
2021-03-30 |
Micron Technology, Inc. |
Transistor and methods of forming transistors
|
|
USD965524S1
(en)
|
2019-08-19 |
2022-10-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor support
|
|
USD965044S1
(en)
|
2019-08-19 |
2022-09-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor shaft
|
|
JP2021031769A
(ja)
|
2019-08-21 |
2021-03-01 |
エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． |
成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
|
|
USD979506S1
(en)
|
2019-08-22 |
2023-02-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Insulator
|
|
KR20210024423A
(ko)
|
2019-08-22 |
2021-03-05 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
|
|
US11286558B2
(en)
|
2019-08-23 |
2022-03-29 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
|
|
KR20210024420A
(ko)
|
2019-08-23 |
2021-03-05 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
|
|
KR102806450B1
(ko)
|
2019-09-04 |
2025-05-12 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
|
|
KR102733104B1
(ko)
|
2019-09-05 |
2024-11-22 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치
|
|
US12469693B2
(en)
|
2019-09-17 |
2025-11-11 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
|
|
US11562901B2
(en)
*
|
2019-09-25 |
2023-01-24 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing method
|
|
CN112593212B
(zh)
|
2019-10-02 |
2023-12-22 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
|
|
TW202128273A
(zh)
|
2019-10-08 |
2021-08-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
|
|
TWI846953B
(zh)
|
2019-10-08 |
2024-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理裝置
|
|
KR20210042810A
(ko)
|
2019-10-08 |
2021-04-20 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
|
|
KR102879443B1
(ko)
|
2019-10-10 |
2025-11-03 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
|
|
US12009241B2
(en)
|
2019-10-14 |
2024-06-11 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
|
|
TWI834919B
(zh)
|
2019-10-16 |
2024-03-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
|
|
US11637014B2
(en)
|
2019-10-17 |
2023-04-25 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for selective deposition of doped semiconductor material
|
|
KR102845724B1
(ko)
|
2019-10-21 |
2025-08-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
|
|
KR20210050453A
(ko)
|
2019-10-25 |
2021-05-07 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
|
|
US11646205B2
(en)
|
2019-10-29 |
2023-05-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
|
|
KR102890638B1
(ko)
|
2019-11-05 |
2025-11-25 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
|
|
SG10202010798QA
(en)
*
|
2019-11-08 |
2021-06-29 |
Tokyo Electron Ltd |
Etching method and plasma processing apparatus
|
|
JP6990799B2
(ja)
*
|
2019-11-08 |
2022-02-03 |
東京エレクトロン株式会社 |
エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体
|
|
JP7343461B2
(ja)
*
|
2019-11-08 |
2023-09-12 |
東京エレクトロン株式会社 |
エッチング方法及びプラズマ処理装置
|
|
US11456180B2
(en)
|
2019-11-08 |
2022-09-27 |
Tokyo Electron Limited |
Etching method
|
|
WO2021090516A1
(ja)
|
2019-11-08 |
2021-05-14 |
東京エレクトロン株式会社 |
エッチング方法
|
|
US11501968B2
(en)
|
2019-11-15 |
2022-11-15 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
|
|
KR102861314B1
(ko)
|
2019-11-20 |
2025-09-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
|
|
CN112951697B
(zh)
|
2019-11-26 |
2025-07-29 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
KR20210065848A
(ko)
|
2019-11-26 |
2021-06-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
|
|
CN120432376A
(zh)
|
2019-11-29 |
2025-08-05 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
CN112885692B
(zh)
|
2019-11-29 |
2025-08-15 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
JP7527928B2
(ja)
|
2019-12-02 |
2024-08-05 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
基板処理装置、基板処理方法
|
|
KR20210070898A
(ko)
|
2019-12-04 |
2021-06-15 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치
|
|
TWI869506B
(zh)
|
2019-12-17 |
2025-01-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成氮化釩層之方法與系統以及包括該氮化釩層之結構
|
|
US11527403B2
(en)
|
2019-12-19 |
2022-12-13 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
|
|
EP4077762A1
(en)
*
|
2019-12-19 |
2022-10-26 |
AGC Glass Europe |
Silicon oxide coated polymer films and low pressure pecvd methods for producing the same
|
|
KR20210089077A
(ko)
|
2020-01-06 |
2021-07-15 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
|
|
KR20210089079A
(ko)
|
2020-01-06 |
2021-07-15 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
채널형 리프트 핀
|
|
US11993847B2
(en)
|
2020-01-08 |
2024-05-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Injector
|
|
KR102882467B1
(ko)
|
2020-01-16 |
2025-11-05 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
고 종횡비 피처를 형성하는 방법
|
|
KR102675856B1
(ko)
|
2020-01-20 |
2024-06-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
|
|
TWI889744B
(zh)
|
2020-01-29 |
2025-07-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
污染物捕集系統、及擋板堆疊
|
|
TW202513845A
(zh)
|
2020-02-03 |
2025-04-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
半導體裝置結構及其形成方法
|
|
KR20210100010A
(ko)
|
2020-02-04 |
2021-08-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
|
|
US11776846B2
(en)
|
2020-02-07 |
2023-10-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
|
|
KR20210103956A
(ko)
|
2020-02-13 |
2021-08-24 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
|
|
KR20210103953A
(ko)
|
2020-02-13 |
2021-08-24 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
|
|
TWI855223B
(zh)
|
2020-02-17 |
2024-09-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於生長磷摻雜矽層之方法
|
|
TWI895326B
(zh)
|
2020-02-28 |
2025-09-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
專用於零件清潔的系統
|
|
KR20210113043A
(ko)
|
2020-03-04 |
2021-09-15 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반응기 시스템용 정렬 고정구
|
|
KR20210116249A
(ko)
|
2020-03-11 |
2021-09-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
|
|
KR20210116240A
(ko)
|
2020-03-11 |
2021-09-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
|
|
CN113394086A
(zh)
|
2020-03-12 |
2021-09-14 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
|
|
US12173404B2
(en)
|
2020-03-17 |
2024-12-24 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
|
|
KR102755229B1
(ko)
|
2020-04-02 |
2025-01-14 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
박막 형성 방법
|
|
TWI887376B
(zh)
|
2020-04-03 |
2025-06-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
|
TWI888525B
(zh)
|
2020-04-08 |
2025-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
|
|
KR20210127620A
(ko)
|
2020-04-13 |
2021-10-22 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
|
|
US11821078B2
(en)
|
2020-04-15 |
2023-11-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
|
|
KR20210128343A
(ko)
|
2020-04-15 |
2021-10-26 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
|
|
US11996289B2
(en)
|
2020-04-16 |
2024-05-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
|
|
TW202143328A
(zh)
|
2020-04-21 |
2021-11-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於調整膜應力之方法
|
|
TWI887400B
(zh)
|
2020-04-24 |
2025-06-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於穩定釩化合物之方法及設備
|
|
TW202146831A
(zh)
|
2020-04-24 |
2021-12-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
|
|
JP2021172884A
(ja)
|
2020-04-24 |
2021-11-01 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
|
|
KR20210132600A
(ko)
|
2020-04-24 |
2021-11-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
|
|
TW202208671A
(zh)
|
2020-04-24 |
2022-03-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
|
|
KR102783898B1
(ko)
|
2020-04-29 |
2025-03-18 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
고체 소스 전구체 용기
|
|
KR20210134869A
(ko)
|
2020-05-01 |
2021-11-11 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
|
|
JP7726664B2
(ja)
|
2020-05-04 |
2025-08-20 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
基板を処理するための基板処理システム
|
|
JP7736446B2
(ja)
|
2020-05-07 |
2025-09-09 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
同調回路を備える反応器システム
|
|
KR20210137395A
(ko)
|
2020-05-07 |
2021-11-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
|
|
KR102788543B1
(ko)
|
2020-05-13 |
2025-03-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
|
|
TW202146699A
(zh)
|
2020-05-15 |
2021-12-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
|
|
TW202147383A
(zh)
|
2020-05-19 |
2021-12-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基材處理設備
|
|
KR20210145079A
(ko)
|
2020-05-21 |
2021-12-01 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
|
|
KR102795476B1
(ko)
|
2020-05-21 |
2025-04-11 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
|
|
TWI873343B
(zh)
|
2020-05-22 |
2025-02-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於在基材上形成薄膜之反應系統
|
|
KR20210146802A
(ko)
|
2020-05-26 |
2021-12-06 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
|
|
US11449026B2
(en)
*
|
2020-05-27 |
2022-09-20 |
Applied Materials, Inc. |
Variable loop control feature
|
|
US11658041B2
(en)
|
2020-05-28 |
2023-05-23 |
Applied Materials, Inc. |
Methods of modifying portions of layer stacks
|
|
TWI876048B
(zh)
|
2020-05-29 |
2025-03-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
TW202212620A
(zh)
|
2020-06-02 |
2022-04-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
|
|
US12266534B2
(en)
|
2020-06-15 |
2025-04-01 |
Tokyo Electron Limited |
Forming a semiconductor device using a protective layer
|
|
TW202208659A
(zh)
|
2020-06-16 |
2022-03-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
沉積含硼之矽鍺層的方法
|
|
JP7703376B2
(ja)
|
2020-06-24 |
2025-07-07 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
シリコンを備える層を形成するための方法
|
|
TWI873359B
(zh)
|
2020-06-30 |
2025-02-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
KR102707957B1
(ko)
|
2020-07-08 |
2024-09-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법
|
|
TWI864307B
(zh)
|
2020-07-17 |
2024-12-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於光微影之結構、方法與系統
|
|
KR20220011092A
(ko)
|
2020-07-20 |
2022-01-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
|
|
TWI878570B
(zh)
|
2020-07-20 |
2025-04-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於沉積鉬層之方法及系統
|
|
TW202219303A
(zh)
|
2020-07-27 |
2022-05-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
薄膜沉積製程
|
|
KR20220021863A
(ko)
|
2020-08-14 |
2022-02-22 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법
|
|
US12040177B2
(en)
|
2020-08-18 |
2024-07-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
|
|
TW202228863A
(zh)
|
2020-08-25 |
2022-08-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
|
|
TWI874701B
(zh)
|
2020-08-26 |
2025-03-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
|
|
TW202229601A
(zh)
|
2020-08-27 |
2022-08-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
|
|
USD990534S1
(en)
|
2020-09-11 |
2023-06-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Weighted lift pin
|
|
KR20220036866A
(ko)
|
2020-09-16 |
2022-03-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 산화물 증착 방법
|
|
USD1012873S1
(en)
|
2020-09-24 |
2024-01-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Electrode for semiconductor processing apparatus
|
|
TWI889903B
(zh)
|
2020-09-25 |
2025-07-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
US12009224B2
(en)
|
2020-09-29 |
2024-06-11 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus and method for etching metal nitrides
|
|
KR20220045900A
(ko)
|
2020-10-06 |
2022-04-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
|
|
CN114293174A
(zh)
|
2020-10-07 |
2022-04-08 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
|
|
TW202229613A
(zh)
|
2020-10-14 |
2022-08-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
於階梯式結構上沉積材料的方法
|
|
KR102873665B1
(ko)
|
2020-10-15 |
2025-10-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
|
|
KR20220053482A
(ko)
|
2020-10-22 |
2022-04-29 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
|
|
TW202223136A
(zh)
|
2020-10-28 |
2022-06-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
|
|
TW202229620A
(zh)
|
2020-11-12 |
2022-08-01 |
特文特大學 |
沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
|
|
TW202229795A
(zh)
|
2020-11-23 |
2022-08-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
具注入器之基板處理設備
|
|
TW202235649A
(zh)
|
2020-11-24 |
2022-09-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
填充間隙之方法與相關之系統及裝置
|
|
KR20220076343A
(ko)
|
2020-11-30 |
2022-06-08 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
|
|
US11637175B2
(en)
|
2020-12-09 |
2023-04-25 |
Micron Technology, Inc. |
Vertical transistors
|
|
US12255053B2
(en)
|
2020-12-10 |
2025-03-18 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods and systems for depositing a layer
|
|
TW202233884A
(zh)
|
2020-12-14 |
2022-09-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成臨限電壓控制用之結構的方法
|
|
CN114639631A
(zh)
|
2020-12-16 |
2022-06-17 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
跳动和摆动测量固定装置
|
|
TW202232639A
(zh)
|
2020-12-18 |
2022-08-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
具有可旋轉台的晶圓處理設備
|
|
TW202231903A
(zh)
|
2020-12-22 |
2022-08-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
|
|
TW202226899A
(zh)
|
2020-12-22 |
2022-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
具匹配器的電漿處理裝置
|
|
TW202242184A
(zh)
|
2020-12-22 |
2022-11-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
|
|
US20220216048A1
(en)
*
|
2021-01-06 |
2022-07-07 |
Applied Materials, Inc. |
Doped silicon nitride for 3d nand
|
|
CN112928065B
(zh)
*
|
2021-03-24 |
2023-06-02 |
长江存储科技有限责任公司 |
一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法
|
|
JP7679463B2
(ja)
*
|
2021-05-07 |
2025-05-19 |
東京エレクトロン株式会社 |
基板処理方法及び基板処理装置
|
|
USD1023959S1
(en)
|
2021-05-11 |
2024-04-23 |
Asm Ip Holding B.V. |
Electrode for substrate processing apparatus
|
|
USD980814S1
(en)
|
2021-05-11 |
2023-03-14 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas distributor for substrate processing apparatus
|
|
USD981973S1
(en)
|
2021-05-11 |
2023-03-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Reactor wall for substrate processing apparatus
|
|
USD980813S1
(en)
|
2021-05-11 |
2023-03-14 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas flow control plate for substrate processing apparatus
|
|
USD990441S1
(en)
|
2021-09-07 |
2023-06-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas flow control plate
|
|
USD1099184S1
(en)
|
2021-11-29 |
2025-10-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Weighted lift pin
|
|
USD1060598S1
(en)
|
2021-12-03 |
2025-02-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Split showerhead cover
|
|
US12400863B2
(en)
*
|
2022-03-25 |
2025-08-26 |
Tokyo Electron Limited |
Method for etching for semiconductor fabrication
|
|
US20240096641A1
(en)
*
|
2022-09-20 |
2024-03-21 |
Applied Materials, Inc. |
In-situ carbon liner for high aspect ratio features
|