TW202035760A - 在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜的方法 - Google Patents

在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202035760A
TW202035760A TW108141153A TW108141153A TW202035760A TW 202035760 A TW202035760 A TW 202035760A TW 108141153 A TW108141153 A TW 108141153A TW 108141153 A TW108141153 A TW 108141153A TW 202035760 A TW202035760 A TW 202035760A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
silicon oxide
substrate
oxide film
sidewall spacers
pattern
Prior art date
Application number
TW108141153A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI838420B (zh
Inventor
坎達巴拉 Ｎ 泰伯利
安東 德維利耶
赫里特 Ｊ 盧森克
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202035760A publication Critical patent/TW202035760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI838420B publication Critical patent/TWI838420B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

一種處理方法，包括：接收包含基底層之基板，基底層具有形成於其上、包含複數特徵部之心軸圖案；保形地沉積矽氧化物膜在心軸圖案上，其係藉由：塗佈含金屬催化劑層於基板表面，及在不存在任何氧化劑及水解劑下，在一基板溫度下將基板暴露至包含矽烷醇氣體之處理氣體，該基板溫度係選擇以在矽氧化物膜中產生期望應力水準。該方法更包括：從心軸圖案之上表面及與心軸圖案相鄰之下表面去除矽氧化物膜，留下矽氧化物側壁間隔物在心軸圖案之側壁上；及從基板去除心軸圖案，留下矽氧化物側壁間隔物而形成一新圖案，該新圖案具有已去除之心軸圖案之特徵部數量之兩倍。

Description

在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜的方法
本發明關於半導體製造，具體而言，關於在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜做為側壁間隔物之方法。 [相關申請案之交互參照]
本申請案關於及主張於2018年11月13日提出之美國臨時專利申請案第62/760,222號之優先權，其完整內容係併入本申請案中之參考資料。
間隔物（spacer）圖案化是一種技術，用於圖案化線寬小於傳統微影所能達成之特徵部。一般而言，間隔物是沉積在預先圖案化特徵部（通常稱為心軸）上之一層。隨後回蝕間隔物，使得覆蓋心軸之間隔物部分被蝕刻掉，然而保留側壁上之間隔物部分。接著可移除心軸，每一心軸留下二間隔物（每一邊緣一間隔物）。這通常稱為自對準雙重圖案化（SADP）。可進一步修整間隔物為較窄的寬度，特別是做為心軸以用於形成後續的第二間隔物。在重複SADP時，實現節距之額外減半。這通常稱為自對準四重圖案化（SAQP）。可實施該重複多次，並且通常稱為自對準多重圖案化（SAMP）。
本發明之實施例描述一種在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜做為側壁間隔物之方法。根據一實施例，該方法包括：接收一基板，該基板包含一基底層，該基底層具有形成於其上、包含複數特徵部之一心軸圖案；保形地沉積一矽氧化物膜在該心軸圖案上，其係藉由：塗佈一含金屬催化劑層於該基板之表面，及在不存在任何氧化劑及水解劑之情況下，在一基板溫度下將該基板暴露至包含矽烷醇氣體之一處理氣體，該基板溫度係選擇以在該矽氧化物膜中產生一期望應力水準。該方法更包括：從該心軸圖案之上表面及與該心軸圖案相鄰之下表面去除該矽氧化物膜，以留下複數矽氧化物側壁間隔物在該心軸圖案之複數側壁上；及從該基板去除該心軸圖案，以留下該等矽氧化物側壁間隔物，該等矽氧化物側壁間隔物形成一新圖案，該新圖案具有已去除之該心軸圖案之特徵部數量之兩倍。該方法更包括：將該新圖案轉移至該基底層中；及從該基板去除該等矽氧化物側壁間隔物。
根據一實施例，該方法包括：接收一基板，該基板包含一基底層，該基底層具有形成於其上、包含複數特徵部之一心軸圖案；保形地沉積一矽氧化物膜在該心軸圖案上，其係藉由：塗佈一含金屬催化劑層於該基板之表面，及在不存在任何氧化劑及水解劑之情況下，在一基板溫度下將該基板暴露至包含矽烷醇氣體之一處理氣體，該基板溫度係選擇以在該矽氧化物膜中產生一期望應力水準。該方法更包括：從該心軸圖案之上表面及與該心軸圖案相鄰之下表面去除該矽氧化物膜，以留下複數矽氧化物側壁間隔物在該心軸圖案之複數側壁上；及從該基板去除該心軸圖案，以留下該等矽氧化物側壁間隔物，該等矽氧化物側壁間隔物形成一新圖案，該新圖案具有已去除之該心軸圖案之特徵部數量之兩倍。該方法更包括：保形地沉積一金屬氧化物膜在該新圖案上；從該新圖案之上表面及與該新圖案相鄰之下表面去除該金屬氧化物膜，以留下複數金屬氧化物側壁間隔物在該新圖案之複數側壁上；及從該基板去除該等矽氧化物側壁間隔物，以留下該等金屬氧化物側壁間隔物，該等金屬氧化物側壁間隔物形成一第二新圖案，該第二新圖案具有已去除之該新圖案之特徵部數量之兩倍。該方法可更包括：將該新圖案轉移至該基底層中；及從該基板去除該等金屬氧化物側壁間隔物。
根據另一實施例，該方法包括：接收一基板，該基板包含一基底層，該基底層具有形成於其上、包含複數特徵部之一心軸圖案；保形地沉積一矽氧化物膜在該心軸圖案上，其係藉由：塗佈一含金屬催化劑層於該基板之表面，及在不存在任何氧化劑及水解劑之情況下，在一基板溫度下將該基板暴露至包含矽烷醇氣體之一處理氣體，該基板溫度係選擇以在該矽氧化物膜中產生一期望應力水準。該方法更包括：保形地沉積一金屬氧化物膜在該矽氧化物膜上；從該心軸圖案之上表面及與該心軸圖案相鄰之下表面去除該金屬氧化物膜及該矽氧化物膜，以留下複數金屬氧化物側壁間隔物及複數矽氧化物側壁間隔物在該心軸圖案之複數側壁上；及從該基板去除該心軸圖案，以留下該等金屬氧化物側壁間隔物及該等矽氧化物側壁間隔物，該等金屬氧化物側壁間隔物及該等矽氧化物側壁間隔物形成一新圖案，該新圖案具有已去除之該心軸圖案之特徵部數量之兩倍。該方法可更包括：將該新圖案轉移至該基底層中；及從該基板去除該等金屬氧化物側壁間隔物及該等矽氧化物側壁間隔物。
本發明之實施例描述一種在半導體元件圖案化中形成並使用應力調整（stress-tuned）矽氧化物膜做為側壁間隔物之方法。需要對側壁間隔物之許多材料性質進行調整控制，以改善間隔物圖案而用於越來越小的特徵部尺寸。半導體元件圖案化中之關鍵挑戰為，在基板上堆疊各種材料層所產生之內在應力以及在材料層上形成之側壁間隔物之材料性質。本發明之實施例描述一種用於調整做為側壁間隔物之矽氧化物膜之物理應力之方法，其中該物理應力可影響相對於基板上之其它材料之蝕刻選擇性、線邊緣粗糙度（LER）、線寬粗糙度（LWR）、以及整體圖案轉移。這包括側壁間隔物之更直的垂直輪廓，這允許圖案轉移至側壁間隔物下方之層之改善。此外，矽氧化物膜之應力調整可用於影響沉積在矽氧化物膜上之其它膜之物理應力。
本發明之實施例提供一種基板處理方法，包括一系列處理步驟，包括：接收基板至製造平台中，該基板具有形成於其上、包含複數特徵部之心軸圖案；以及在膜形成模組中保形地施加薄膜在心軸圖案上。整合處理步驟系列更包括：在蝕刻模組中從心軸圖案之上表面以及與心軸圖案相鄰之下表面去除薄膜，以在心軸圖案之側壁上留下薄膜，從而形成側壁間隔物；在蝕刻模組中從基板去除心軸圖案，以留下側壁間隔物，其中側壁間隔物形成新圖案，該新圖案具有已去除的心軸圖案之特徵部數量之倍數；以及可選地，使用該新圖案做為另一心軸圖案並且重複保形地施加薄膜、去除薄膜及去除心軸圖案之處理步驟一或多次，其中每一重複會使特徵部之數量加倍。根據一些實施例，薄膜可包括矽氧化物、金屬摻雜的矽氧化物、或包含交替的矽氧化物及金屬氧化物膜之積層結構。
當使用在本文中，「基板」一詞意指且包含其上方形成有材料之基底材料或結構。應當了解，基板可包含單一材料、複數層之不同材料、其中具有不同材料或不同結構之區域之一層或複數層等。該等材料可包含半導體、絕緣體、導體、或其組合。例如，基板可為半導體基板、在支撐結構上之基底半導體層、金屬電極，或其上形成有一或更多層、結構或區域之半導體基板。基板可為習知的矽基板、或包含半導體材料層之其它主體基板。當使用在本文中，「主體基板」一詞不僅意指並包含矽晶圓，也意指並包含絕緣層上矽（「SOI」，silicon-on-insulator）基板，例如矽藍寶石（「SOS」，silicon-on-sapphire）基板及矽玻璃（「SOG」，silicon-on-glass）基板、基底半導體基礎上之矽磊晶層、以及其它半導體或光電材料，例如矽-鍺、鍺、砷化鎵、氮化鎵、及磷化銦。基板可為摻雜的或非摻雜的。
基板可包括已經過微影製程之各種材料之堆疊，其中將光阻塗佈至基板上並曝光以形成心軸圖案。然後經由一系列蝕刻步驟將光阻圖案轉移至下方層。對於熟悉此項技藝者而言，用於在基板上產生心軸圖案之不同方案是已知的，心軸可為有機心軸或硬心軸，包括例如矽、非晶碳、光阻聚合物、氧化物、氮化物等之材料。一種這樣的方案涉及：沉積光學或有機平坦化層（OPL），通常是旋塗材料；然後沉積矽抗反射塗層（SiARC），亦為旋塗；然後進行光阻塗佈及微影製程。另一方案涉及：使用化學氣相沉積（CVD）來沉積非晶碳層；然後使用CVD製程來沉積SiON膜；然後使用旋塗製程來沉積底部抗反射塗層（BARC）；然後進行光阻塗佈及微影流程。
圖1A-1F藉由橫剖面圖概要地顯示出根據本發明實施例之基板處理方法。現在參考圖1A，該方法包括接收基板1，基板1包含基底材料100及基底層101，具有形成於其上、包含複數特徵部之心軸圖案102。為了簡單起見，基板1係繪示為其上具有基底層101，最終圖案將被轉移至基底層101，且心軸圖案102形成在基底層101上；然而，應當理解，其上形成有心軸圖案102之結構可為多層結構，其中基底層101僅為複數層其中一者。如熟悉此項技藝者所知，心軸圖案102之特徵部包含水平及垂直表面（亦即，側壁），其可使用標準微影技術及蝕刻技術來產生。
基底層101可包括導電層、非導電層或半導電層。例如，基底層101可包括至少一材料層，該至少一材料層包括含矽材料，例如多晶矽、二氧化矽、矽氮化物、矽碳化物或矽氮氧化物。基底層101可包含介電層，包括標稱介電常數值小於SiO2 介電常數之低介電常數（亦即，低k）層或超低介電常數（亦即，超低k）層，SiO2 之介電常數約為4（例如，熱二氧化矽之介電常數在從約3.8至約3.9之範圍內）。介電層可包括有機、無機或無機-有機混摻材料其中至少一者。另外，介電層可為多孔的或非多孔的。例如，介電層可包括使用CVD沉積之基於矽酸鹽的材料，例如碳摻雜的矽氧化物（或有機矽氧烷）。可選地，介電層可包括由單相組成之多孔無機-有機混摻膜，例如具有CH3 鍵之基於矽氧化物的基質，其阻礙了介電層在固化或沉積製程期間之完全緻密化，以產生小空隙（或孔洞）。仍然可選地，介電層可包括由至少兩相組成之多孔無機-有機混摻膜，例如具有在固化製程期間會分解及蒸發之有機材料（例如，致孔劑）之孔洞之碳摻雜的基於矽氧化物的基質。仍然可選地，介電層可包括使用旋塗介電質（SOD）技術所沉積之無機的基於矽酸鹽的材料，例如氫倍半矽氧烷（HSQ）或甲基倍半矽氧烷（MSQ）。仍然可選地，介電層可包括使用SOD技術所沉積之有機材料。
參照圖1B，該方法更包括在心軸圖案102上保形地沉積矽氧化物膜104，其係藉由在基板1之表面上塗佈含金屬的催化劑層，然後在不存在任何氧化劑及水解劑之情況下，將基板1在一基板溫度下暴露至包含矽烷醇氣體之處理氣體，該基板溫度係選擇以在矽氧化物膜104中產生期望的應力水準。塗佈及暴露步驟可在不存在電漿且時間上沒有重疊之情況下依序進行。溫和的處理條件減少或消除了對敏感的心軸材料（例如非晶碳、光阻聚合物等）之蝕刻或損壞。
在基板表面上塗佈含金屬的催化劑層之步驟可包括，將基板1暴露至包含金屬之氣體脈衝，以使含金屬的催化劑層吸附在基板1之表面上。金屬可在基板1之表面上反應，以形成厚度小於單層之化學吸附層。在一範例中，含金屬的催化劑層可包括含金屬的前驅物，例如AlMe3 。每一氣體脈衝可包括各別的吹淨（purge）或抽空步驟，以從膜沉積模組中去除未反應的氣體或副產物。
含金屬的催化劑層之範例包括含有鋁（Al）、鈦（Ti）或鋁及鈦兩者之層。根據一實施例，含金屬的催化劑層係選自於由Al、Al2 O3 、AlN、AlON、含Al前驅物、Al合金、CuAl、TiAlN、TaAlN、Ti、TiAlC、TiO2 、TiON、TiN、含Ti前驅物、Ti合金、含Hf前驅物、含Zr前驅物、及其組合所構成之群組。
本發明之實施例可利用各種的含鋁前驅物。例如，許多鋁前驅物之化學式為：AlL1 L2 L3 Dx ，其中，L1 、L2 、L3 為各別的陰離子配位基，D為中性供體配位基，x可為0、1或2。每一L1 、L2 、L3 配位基可各別地選自於烷氧化物（alkoxide）、鹵化物（halide）、芳基氧化物（aryloxide）、醯胺（amide）、環戊二烯基、烷基、矽烷基、脒基（amidinate）、β-二酮基（β-diketonate）、酮亞胺（ketoiminate）、矽烷醇化物（silanoate）、及羧酸鹽（carboxylate）之群組。D配位基可選自於醚、呋喃（furan）、吡啶（pyridine）、吡咯（pyrole）、吡咯烷（pyrolidine）、胺、冠醚（crown ether）、二醇醚（glyme）及腈（nitrile）之群組。鋁前驅物之其它範例包含：AlMe3 、AlEt3 、AlMe2 H、 [Al(O s Bu)3 ]4 、Al(CH3 COCHCOCH3 )3 、AlCl3 、AlBr3 、AlI3 、Al(O i Pr)3 、[Al(NMe2 )3 ]2 、Al( i Bu)2 Cl、Al( i Bu)3 、Al( i Bu)2 H、AlEt2 Cl、Et3 Al2 (O s Bu)3 、及Al(THD)3 。本發明之實施例可使用各種含Ti前驅物。範例包含具有「Ti-N」分子內鍵結之含Ti前驅物，包含Ti(NEt2 )4 （TDEAT）、Ti(NMeEt)4 （TEMAT）、Ti(NMe2 )4 （TDMAT）。其它範例包含具有「Ti-C」分子內鍵結之含Ti前驅物，包含Ti(COCH3 )(η5 -C5 H5 )2 Cl、Ti(η5 -C5 H5 )Cl2 、Ti(η5 -C5 H5 )Cl3 、Ti(η5 -C5 H5 )2 Cl2 、Ti(η5 -C5 (CH3 )5 )Cl3 、Ti(CH3 )(η5 -C5 H5 )2 Cl、Ti(η5 -C9 H7 )2 Cl2 、Ti((η5 -C5 (CH3 )5 )2 Cl、Ti((η5 -C5 (CH3 )5 )2 Cl2 、Ti(η5 -C5 H5 )2 (μ-Cl)2 、Ti(η5 -C5 H5 )2 (CO)2 、Ti(CH3 )3 (η5 -C5 H5 )、Ti(CH3 )2 (η5 -C5 H5 )2 、Ti(CH3 )4 、Ti(η5 -C5 H5 )(η7 -C7 H7 )、Ti(η5 -C5 H5 )(η8 -C8 H8 )、Ti(C5 H5 )2 (η5 -C5 H5 )2 、Ti((C5 H5 )2 )2 (η-H)2 、Ti(η5 -C5 (CH3 )5 )2 、Ti(η5 -C5 (CH3 )5 )2 (H)2 、及Ti(CH3 )2 (η5 -C5 (CH3 )5 )2 。TiCl4 係含有「Ti-鹵素」鍵結之鈦鹵化物前驅物之一範例。
在一些範例中，矽烷醇氣體可選自於由三(叔-戊氧基)矽烷醇（tris(tert-pentoxy)silanol，TPSOL）、三(叔-丁氧基)矽烷醇（tris(tert-butoxy)silanol）、及雙(叔-丁氧基)(異丙氧基)矽烷醇（bis(tert-butoxy)(isopropoxy)silanol）所構成之群組。但是，可考慮及使用其它矽烷醇氣體。
保形矽氧化物膜104之厚度係藉由矽烷醇氣體在含金屬的催化劑層上之自限制吸附來控制。含金屬的催化劑層催化保形矽氧化物膜104在基板1上之沉積。觀察到此催化效果，直到沒有催化位置可用於反應為止，此後矽氧化物沉積停止。在一些範例中，含金屬的催化劑層催化約10-15nm之矽氧化物之沉積。可重複塗佈及暴露步驟至少一次，以增加矽氧化物膜104之厚度。
可對矽氧化物膜104進行應力調整，以使矽氧化物膜104之材料性質最佳化。根據一實施例，可選擇基板溫度，以在矽氧化物沉積期間產生期望水準的壓縮應力或拉伸應力於矽氧化物膜104中。此外，可選擇基板溫度，以產生基本上不受應力的矽氧化物膜104。
圖3顯示出測得的矽氧化物膜應力與在矽氧化物膜沉積期間之基板溫度之關係。沉積後，在室溫下測量膜應力。使用交替的AlMe3 及TPSOL氣體暴露，使矽氧化物膜沉積在平坦的矽晶圓上。膜應力結果顯示出，當基板溫度在約200°C與約750°C之間時，矽氧化物膜具有拉伸應力，而當基板溫度小於約200°C或大於約750°C時，矽氧化物膜具有壓縮應力。此外，當基板溫度為約200°C或約750°C時，矽氧化物膜不受應力。這允許藉由簡單地選擇基板溫度而沉積受到拉伸應力、壓縮應力或不受應力之矽氧化物膜。
可藉由添加摻雜劑（例如，金屬）至膜中以進一步調整矽氧化物膜104中之物理應力。金屬可，例如，包括Al、Hf或Ti。在一範例中，可使用交替的矽氧化物及金屬氧化物膜之積層。金屬氧化物可，例如，包含TiO2 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 或其組合。積層可藉由以下步驟來形成：首先藉由依序暴露至含金屬的催化劑及矽烷醇氣體來沉積矽氧化物膜104（如上所述）、然後沉積金屬氧化物膜、並且根據需要重複沉積步驟。金屬氧化物膜可藉由以下步驟來沉積：將基板暴露至含金屬的前驅物（例如，含Ti、含Al、含Hf或含Zr的前驅物），然後將基板暴露至氧化劑（例如，O2 或H2 O）。在一範例中，藉由實施二循環之SiO2 沉積、十循環之Al2 O3 沉積、及重複依序的SiO2 及Al2 O3 沉積五次，以形成(SiO2 /Al2 O3 )5 積層在基板上。測量所得的(SiO2 /Al2 O3 )5 積層，其具有約10MPa之拉伸應力。用於比較，使用二循環之SiO2 沉積所沉積之SiO2 膜具有約50MPa之壓縮應力。在另一範例中，矽氧化物膜104可藉由以下步驟與金屬摻雜（混合）：依序暴露至含金屬的催化劑、含金屬的前驅物（例如，含Ti、含Al、含Hf或含Zr前驅物）、以及矽烷醇氣體。可實施該等依序的暴露步驟，直到摻雜的矽氧化物膜104具有期望的厚度為止。
參照圖1C，該方法更包括，從心軸圖案102之上表面及與心軸圖案102相鄰之下表面去除矽氧化物膜104，以留下矽氧化物膜104在心軸圖案102之側壁上，以形成矽氧化物側壁間隔物106。可使用碳氟化合物及碳氫化合物蝕刻氣體來去除矽氧化物膜104，例如使用CF4 、CH4 或CH3 F。
參照圖1D，該方法更包括，從基板1去除心軸圖案102，以留下矽氧化物側壁間隔物106，其中矽氧化物側壁間隔物106形成新圖案，該新圖案具有已去除的心軸圖案102之特徵部數量之兩倍。在一範例中，可使用電漿激發的O2 氣體而選擇性地去除包含非晶碳或光阻聚合物之心軸圖案102。心軸圖案102之去除可能導致矽氧化物側壁間隔物106向旁邊傾斜。然而，根據本發明之實施例，可在沉積矽氧化物膜104期間調整在矽氧化物側壁間隔物106中形成之物理應力，導致矽氧化物側壁間隔物106之垂直輪廓變直（向旁邊傾斜較少）。這允許圖案轉移至矽氧化物側壁間隔物106下方之基底層101之改善。
參照圖1E，該方法更包括，將新圖案之矽氧化物側壁間隔物106轉移至基底層101中，從而在基底層101中形成已蝕刻特徵部103。在一範例中，利用電漿激發的蝕刻氣體之非等向性氣相蝕刻製程可用於該轉移。
參照圖1F，該方法更包括，從基板去除矽氧化物側壁間隔物106。可使用碳氟化合物及碳氫化合物蝕刻氣體（例如，使用CF4 、CH4 或CH3 F）而選擇性地去除矽氧化物側壁間隔物106。
圖2A至2F藉由橫剖面圖概要地顯示出根據本發明實施例之基板處理方法。圖1D中之基板1已複製為圖2A中之基板2，包含新圖案之矽氧化物側壁間隔物106在基底層101上。
參照圖2B，該方法更包括，保形地沉積金屬氧化物膜108在新圖案之矽氧化物側壁間隔物106上。金屬氧化物膜108可包含TiO2 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 或其組合。金屬氧化物膜108之沉積可如上所述。可藉由在金屬氧化物膜108之沉積期間所使用之處理條件來控制金屬氧化物膜108之物理應力性質。此外，由於金屬氧化物膜108與矽氧化物側壁間隔物106之間之晶格匹配，因此矽氧化物側壁間隔物106中之物理應力可能影響金屬氧化物膜108中之物理應力。物理應力可能影響相對於基板上之其它材料之蝕刻選擇性、LER及LWR。
參照圖2C，該方法更包括，從新圖案之上表面及與新圖案相鄰之下表面去除金屬氧化物膜108，以留下金屬氧化物膜108在新圖案之側壁上，從而形成金屬氧化物側壁間隔物110。
參照圖2D，該方法更包括，從基板2選擇性地去除新圖案之矽氧化物側壁間隔物106，以留下形成第二新圖案之金屬氧化物側壁間隔物110，該第二新圖案具有已去除的新圖案之特徵部數量之兩倍。可使用氣相蝕刻製程來選擇性地去除矽氧化物側壁間隔物106，該氣相蝕刻製程對於蝕刻矽氧化物與金屬氧化物是具有選擇性的。
參照圖2E，該方法更包括，將第二新圖案之金屬氧化物側壁間隔物110轉移至基底層101中，從而形成已蝕刻特徵部105在基底層101中。在一範例中，利用電漿激發的蝕刻氣體之非等向性氣相蝕刻製程可用於該轉移。
參照圖2F，該方法更包括，從基板2去除金屬氧化物側壁間隔物110。
圖4A至4F藉由橫剖面圖概要地顯示出根據本發明實施例之基板處理方法。圖1B中之基板1已複製為圖4A中之基板4，包含矽氧化物膜104沉積在心軸圖案102上。
參照圖4B，該方法更包括，沉積金屬氧化物膜112在矽氧化物膜104上。金屬氧化物膜112可包含TiO2 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 或其組合。金屬氧化物膜112之沉積可如上所述。基板4上之矽氧化物膜104之存在保護心軸圖案102，使心軸圖案102在可能使用氧化劑、電漿或兩者之金屬氧化物膜112沉積期間免受損壞。可藉由在金屬氧化物膜112之沉積期間所使用之處理條件來控制金屬氧化物膜112之物理應力性質。此外，由於金屬氧化物膜112與矽氧化物膜104之間之晶格匹配，因此矽氧化物膜104中之物理應力可能影響金屬氧化物膜112中之物理應力。物理應力可能影響相對於基板上之其它材料之蝕刻選擇性、LER及LWR。
參照圖4C，該方法更包括，從心軸圖案102之上表面及與心軸圖案102相鄰之下表面去除金屬氧化物膜112及矽氧化物膜104，以留下金屬氧化物膜112在心軸圖案102側壁上之矽氧化物膜104上，因而形成金屬氧化物側壁間隔物116及矽氧化物側壁間隔物114。
參照圖4D，該方法更包括，從基板4去除心軸圖案102以留下金屬氧化物側壁間隔物116及矽氧化物側壁間隔物114，其中金屬氧化物側壁間隔物116及矽氧化物側壁間隔物114形成新圖案，該新圖案具有已去除的心軸圖案102之特徵部數量之兩倍。
參照圖4E，該方法更包括，將新圖案之金屬氧化物側壁間隔物116及矽氧化物側壁間隔物114轉移至基底層101中，從而形成已蝕刻特徵部107在基底層101中。在一範例中，利用電漿激發的蝕刻氣體之非等向性氣相蝕刻製程可用於該轉移。
參照圖4F，該方法更包括，從基板4去除金屬氧化物側壁間隔物116及矽氧化物側壁間隔物114。
在各種實施例中揭露了一種在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜做為側壁間隔物之方法。為了說明及描述之目的，以上已經提出了本發明實施例之實施方式。其並非詳盡無遺的或用於將本發明限制於所揭露的精確形式。該實施方式及以下的申請專利範圍包括僅用於說明目的之術語，並且不應被解釋為限制。根據以上的教示內容，熟悉此項技藝者可以理解，許多的修改及變化是可能的。對於圖式中之各種構件，熟悉此項技藝者將能了解各種均等組合及替代物。因此，本發明之範圍不應受該實施方式所限制，而是由所附的申請專利範圍所限制。
1:基板 2:基板 4:基板 100:基底材料 101:基底層 102:心軸圖案 103:已蝕刻特徵部 104:矽氧化物膜 105:已蝕刻特徵部 106:矽氧化物側壁間隔物 107:已蝕刻特徵部 108:金屬氧化物膜 110:金屬氧化物側壁間隔物 112:金屬氧化物膜 114:矽氧化物側壁間隔物 116:金屬氧化物側壁間隔物
在附圖中：
圖1A-1F藉由橫剖面圖概要地顯示出根據本發明實施例之基板處理方法；
圖2A-2F藉由橫剖面圖概要地顯示出根據本發明實施例之基板處理方法；
圖3顯示出測得的矽氧化物膜應力與在矽氧化物膜沉積期間之基板溫度之關係；及
圖4A-4F藉由橫剖面圖概要地顯示出根據本發明實施例之基板處理方法。
2:基板
100:基底材料
101:基底層
106:矽氧化物側壁間隔物
108:金屬氧化物膜

Claims (20)

  1. 一種基板處理方法，包括： 接收一基板，該基板包含一基底層，該基底層具有形成於其上、包含複數特徵部之一心軸圖案； 保形地沉積一矽氧化物膜在該心軸圖案上，其係藉由： 塗佈一含金屬催化劑層於該基板之表面，及 在不存在任何氧化劑及水解劑之情況下，在一基板溫度下將該基板暴露至包含矽烷醇氣體之一處理氣體，該基板溫度係選擇以在該矽氧化物膜中產生一期望應力水準； 從該心軸圖案之上表面及與該心軸圖案相鄰之下表面去除該矽氧化物膜，以留下複數矽氧化物側壁間隔物在該心軸圖案之複數側壁上；及 從該基板去除該心軸圖案，以留下該等矽氧化物側壁間隔物，該等矽氧化物側壁間隔物形成一新圖案，該新圖案具有已去除之該心軸圖案之特徵部數量之兩倍。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中該基板溫度係在約200°C與約750°C之間，該矽氧化物膜具有拉伸應力。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中該基板溫度係小於約200°C或大於約750°C，該矽氧化物膜具有壓縮應力。
  4. 如請求項1之基板處理方法，其中該基板溫度係約200°C或約750°C，該矽氧化物膜不受應力。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中該含金屬催化劑層係選自於由Al、Al2 O3 、AlN、AlON、含Al前驅物、Al合金、CuAl、TiAlN、TaAlN、Ti、TiAlC、TiO2 、TiON、TiN、含Ti前驅物、Ti合金、含Hf前驅物、含Zr前驅物、及其組合所構成之群組。
  6. 如請求項1之基板處理方法，其中該矽烷醇氣體係選自於由三(叔-戊氧基)矽烷醇（TPSOL）、三(叔-丁氧基)矽烷醇、及雙(叔-丁氧基)(異丙氧基)矽烷醇所構成之群組。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中該矽氧化物膜與一金屬氧化物形成一混合物，該金屬氧化物包含TiO2 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 或其組合。
  8. 如請求項1之基板處理方法，更包括： 將該新圖案轉移至該基底層中；及 從該基板去除該等矽氧化物側壁間隔物。
  9. 如請求項1之基板處理方法，其中在該矽氧化物膜中之該期望應力水準改善該等矽氧化物側壁間隔物之垂直輪廓。
  10. 如請求項1之基板處理方法，更包括： 保形地沉積一金屬氧化物膜在該新圖案上； 從該新圖案之上表面及與該新圖案相鄰之下表面去除該金屬氧化物膜，以留下複數金屬氧化物側壁間隔物在該新圖案之複數側壁上；及 從該基板去除該等矽氧化物側壁間隔物，以留下該等金屬氧化物側壁間隔物，該等金屬氧化物側壁間隔物形成一第二新圖案，該第二新圖案具有已去除之該新圖案之特徵部數量之兩倍。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其中該金屬氧化物膜包含TiO2 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 或其組合。
  12. 如請求項10之基板處理方法，更包括： 將該第二新圖案轉移至該基底層中；及 從該基板去除該等金屬氧化物側壁間隔物。
  13. 一種基板處理方法，包括： 接收一基板，該基板包含一基底層，該基底層具有形成於其上、包含複數特徵部之一心軸圖案； 保形地沉積一矽氧化物膜在該心軸圖案上，其係藉由： 塗佈一含金屬催化劑層於該基板之表面，及 在不存在任何氧化劑及水解劑之情況下，在一基板溫度下將該基板暴露至包含矽烷醇氣體之一處理氣體，該基板溫度係選擇以在該矽氧化物膜中產生一期望應力水準； 保形地沉積一金屬氧化物膜在該矽氧化物膜上； 從該心軸圖案之上表面及與該心軸圖案相鄰之下表面去除該金屬氧化物膜及該矽氧化物膜，以留下複數金屬氧化物側壁間隔物及複數矽氧化物側壁間隔物在該心軸圖案之複數側壁上；及 從該基板去除該心軸圖案，以留下該等金屬氧化物側壁間隔物及該等矽氧化物側壁間隔物，該等金屬氧化物側壁間隔物及該等矽氧化物側壁間隔物形成一新圖案，該新圖案具有已去除之該心軸圖案之特徵部數量之兩倍。
  14. 如請求項13之基板處理方法，其中該基板溫度係在約200°C與約750°C之間，該矽氧化物膜具有拉伸應力。
  15. 如請求項13之基板處理方法，其中該基板溫度係小於約200°C或大於約750°C，該矽氧化物膜具有壓縮應力。
  16. 如請求項13之基板處理方法，其中該基板溫度係約200°C或約750°C，該矽氧化物膜不受應力。
  17. 如請求項13之基板處理方法，其中該含金屬催化劑層係選自於由Al、Al2 O3 、AlN、AlON、含Al前驅物、Al合金、CuAl、TiAlN、TaAlN、Ti、TiAlC、TiO2 、TiON、TiN、含Ti前驅物、Ti合金、含Hf前驅物、含Zr前驅物、及其組合所構成之群組。
  18. 如請求項13之基板處理方法，其中該矽烷醇氣體係選自於由三(叔-戊氧基)矽烷醇（TPSOL）、三(叔-丁氧基)矽烷醇、及雙(叔-丁氧基)(異丙氧基)矽烷醇所構成之群組。
  19. 如請求項13之基板處理方法，其中該金屬氧化物膜包含TiO2 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 或其組合。
  20. 如請求項13之基板處理方法，更包括： 將該新圖案轉移至該基底層中；及 從該基板去除該等金屬氧化物側壁間隔物及該等矽氧化物側壁間隔物。
TW108141153A 2018-11-13 2019-11-13 在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜的方法 TWI838420B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862760222P 2018-11-13 2018-11-13
US62/760,222 2018-11-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202035760A true TW202035760A (zh) 2020-10-01
TWI838420B TWI838420B (zh) 2024-04-11

Family

ID=70550753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108141153A TWI838420B (zh) 2018-11-13 2019-11-13 在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11443953B2 (zh)
TW (1) TWI838420B (zh)
WO (1) WO2020102353A1 (zh)

Families Citing this family (222)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) * 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) * 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11569127B2 (en) * 2021-03-04 2023-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Double patterning approach by direct metal etch
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2024073220A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Lam Research Corporation Layered metal oxide-silicon oxide films

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510464B1 (ko) 1998-04-30 2005-10-24 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 산화막의 증착방법
US20060038293A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Rueger Neal R Inter-metal dielectric fill
JP4894153B2 (ja) * 2005-03-23 2012-03-14 株式会社アルバック 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
KR101366792B1 (ko) * 2005-05-24 2014-02-25 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 폴리실란화합물을 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물
DE102005057073B4 (de) * 2005-11-30 2011-02-03 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Herstellungsverfahren zur Verbesserung der mechanischen Spannungsübertragung in Kanalgebieten von NMOS- und PMOS-Transistoren und entsprechendes Halbleiterbauelement
US7993457B1 (en) * 2007-01-23 2011-08-09 Novellus Systems, Inc. Deposition sub-chamber with variable flow
US8492282B2 (en) 2008-11-24 2013-07-23 Micron Technology, Inc. Methods of forming a masking pattern for integrated circuits
JP5573772B2 (ja) 2010-06-22 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5932793B2 (ja) * 2010-09-02 2016-06-08 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 電気デバイスのための中間層
JP4936344B1 (ja) * 2010-10-04 2012-05-23 邦夫 森 金属膜形成方法、及び金属膜を有する製品
US9416447B2 (en) 2014-02-07 2016-08-16 HGST Netherlands B.V. Method for line density multiplication using block copolymers and sequential infiltration synthesis
WO2016002584A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 東レ株式会社 積層体およびそれを用いた発光装置の製造方法
US9443731B1 (en) 2015-02-20 2016-09-13 Tokyo Electron Limited Material processing to achieve sub-10nm patterning
US9653571B2 (en) * 2015-06-15 2017-05-16 International Business Machines Corporation Freestanding spacer having sub-lithographic lateral dimension and method of forming same
US10522395B1 (en) * 2018-08-21 2019-12-31 Micron Technology, Inc. Methods of forming a pattern

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020102353A1 (en) 2020-05-22
US11443953B2 (en) 2022-09-13
TWI838420B (zh) 2024-04-11
US20200152473A1 (en) 2020-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI838420B (zh) 在半導體元件圖案化中形成及使用應力調整矽氧化物膜的方法
JP7266068B2 (ja) 横方向ハードマスク凹部縮小のためのハイブリッドカーボンハードマスク
KR102524573B1 (ko) SiOCN 박막들의 형성
EP2378543B1 (en) Method of forming semiconductor patterns
TWI788311B (zh) 拓撲受限電漿增強循環沉積方法
CN110678981B (zh) 3d-nand器件中用于字线分离的方法
CN110600379B (zh) 具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法
TWI645506B (zh) 形成具有氣隙之半導體元件的方法
TWI737612B (zh) 用於均勻且共形之混成氧化鈦薄膜的沉積方法
JP7434272B2 (ja) ３ｄｎａｎｄエッチング
KR20130039699A (ko) 안티몬 산화물막의 원자층 증착
TW202011459A (zh) Vnand拉伸厚teos氧化物
WO2017139483A1 (en) Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system
TW202218059A (zh) 半導體裝置及其製備方法
KR20220111258A (ko) 산소 라디칼 보조 유전체 막 고밀화
KR20220166338A (ko) 유전체 재료 충전 및 처리 방법들
TW201044443A (en) Method of forming carbon-containing layer
US20240258101A1 (en) Substrate processing method
TWI851705B (zh) 以多色選擇性非等向性蝕刻相鄰線的方法
US20240162043A1 (en) Sidewall Inorganic Passivation for Dielectric Etching Via Surface Modification
KR102553120B1 (ko) 레트로그레이드 리세스된 피처를 충전하는 방법
KR20030049159A (ko) 반도체 소자 제조 방법
TW202121527A (zh) 以多色選擇性非等向性蝕刻相鄰線的方法
CN117438408A (zh) 半导体装置及其制备方法
TW202435268A (zh) 用於介電蝕刻的經由表面改質之側壁無機鈍化