JP4936344B1 - 金属膜形成方法、及び金属膜を有する製品 - Google Patents

Abstract

金属膜が剥離し難い配線基板を提供することである。
基体表面に下記化合物（α）を含む剤が設けられる工程（Ｘ）と、前記化合物（α）の表面に、湿式メッキの手法により、金属膜が設けられる工程（Ｙ）とを具備してなり、前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる。
【選択図】なし

Description

本発明は、金属膜形成方法および金属膜を有する製品に関する。

基板がＡＢＳ樹脂（高分子材料）からなるメッキ製品（例えば、エンブレム等の自動車用装飾メッキ製品）が提案されている。この種のメッキ製品において重要な特性は、基板上にメッキ手段で設けられた金属膜（メッキ膜）の密着性である。密着力が小さいと、金属膜が剥離し易い。金属膜の密着性が大きいことは、製品の信頼性が増すことを意味する。

前記密着性の向上を図る為、基板表面に微細な凹凸を形成することが提案されている。すなわち、基板の表面を粗くすることが提案されている。これにより、所謂、アンカー効果（食い込み効果）が期待され、密着力が向上する。

基板の表面を粗くする為には、例えば酸化剤（例えば、過マンガン酸塩、六価クロム酸などの水溶液）によるエッチングが知られている。ところが、六価クロム酸によるエッチング技術が採用できるのは、樹脂がＡＢＳ樹脂の如く、不飽和基を持つ樹脂の場合に限られる。この為、基板材料に制約が加わる。更に、六価クロム酸の使用は、近年、規制が高まった。これにより、六価クロム酸に代わる物質が探索されている。しかしながら、有効な対策が未だにない状況である。

回路基板には、技術の進歩に伴って、高集積化や高密度化が求められている。このことから、回路基板にあっては、基板の銅箔表面に存する凹凸は少ない方が好ましい。しかしながら、エッチングされた基板表面に設けられた金属膜（例えば、Ｃｕ膜）には凹凸が有る。金属膜（Ｃｕ膜）に凹凸が有ると、金属膜を流れる信号の伝達距離が長くなる。伝達ロス（信号の減衰）も大きくなる。更に、発熱がおこる。従って、金属膜（Ｃｕ膜）は凹凸度が少ない方が好ましい。すなわち、表面粗さが小さな基板が望まれている。

Ｃｕの資源問題や配線パターンの微細化の進行に対応する為、回路基板における配線回路の構築には、セミアディティブ法が、採用され始めている。このような観点からも、表面粗さが小さな基板が望まれている。

基板と金属膜との密着性を高める為に、コロナ放電処理（又はプラズマ放電処理）が知られている。この種の処理によって、基板表面にＯＨ基が導入される。このＯＨ基の存在によって、その上に設けられたメッキ膜の密着性が高まると言われている。

しかしながら、コロナ放電処理（又はプラズマ放電処理）は基板を劣化させる恐れが有る。かつ、ＯＨ基が生成すると謂えども、その数は多くない。このことから、密着力の向上に限界が有った。更に、コロナ放電処理（又はプラズマ放電処理）は、被処理物の形状や大きさに制約が有る。しかも、放電処理の作業性も良くない。

特開２００６−２１３６７７号公報 特開２００７−１７９２１号公報 特開２００７−１１９７５２号公報

日本接着学会誌「２１世紀の接着技術」 森邦夫 ｖｏｌ．４３（６） ２４２−２４８（２００７） 表面技術誌「六価クロムフリ−樹脂めっき」 森邦夫 阿部四郎 ｖｏｌ．５９（５） ２９９−３０４（２００８）

本発明者は、湿式メッキ手段で金属膜がポリマー製基板上に設けられた場合において、金属膜の密着現象は接着現象の一つであろうと考えた。ポリマー製基板と金属膜との双方に結合する剤（例えば、本発明者によって提唱の分子接着剤と称される剤）が前記基板上に設けられていたならば、金属膜の密着性が向上するであろうと考えた。

ところが、分子接着剤と称される化合物が用いられても、ポリマー製基板上に設けられた金属メッキ膜の密着強度は満足できなかった。これまでの分子接着剤は、基板表面がコロナ放電処理（又はプラズマ放電処理）されることが前提となっていたからであった。

従って、本発明が解決しようとする課題は、酸（例えば、六価クロム酸など）によるエッチング、コロナ放電処理（プラズマ放電処理）が採用されずとも、形成された金属膜の密着力が高い技術を提供することである。

前記課題は、
金属膜の形成方法であって、
基体表面に下記化合物（α）を含む剤が設けられる工程（Ｘ）と、
前記化合物（α）の表面に、湿式メッキの手法により、金属膜が設けられる工程（Ｙ）
とを具備してなり、
前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、
前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる
ことを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記基体の表面に存する前記化合物（α）に対して所定パターンの光が照射される工程（Ｗ）を更に具備することを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記工程（Ｗ）の光照射によって、前記基体と前記化合物（α）のアジド基とが化学反応し、前記基体の表面に前記化合物（α）が結合することを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記光は紫外線であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備することを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記工程（Ｘ）又は工程（Ｖ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナート基および／またはアルコキシチタナート基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備することを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（β）は下記一般式［Ｔ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（β）は下記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記化合物（β）は下記一般式［ＩＶ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

好ましくは、前記金属膜形成方法であって、前記基体が配線用基板であり、金属膜の一部が少なくともＣｕを含むメッキ膜であることを特徴とする金属膜形成方法によって解決される。

前記課題は、
金属膜を有する製品であって、
基体と、
前記基体の表面に設けられた下記化合物（α）と、
前記化合物（α）の上に設けられた湿式メッキ金属膜
とを具備してなり、
前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、
前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる
ことを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記基体と前記化合物（α）とは化学結合してなることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が、前記化合物（α）の表面に設けられることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナート基および／またはアルコキシチタナート基を有する化合物（β）が、前記化合物（α）の表面に設けられることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（β）は下記一般式［Ｔ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（β）は下記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品であって、前記化合物（β）は下記一般式［ＩＶ］で表わされる化合物であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

好ましくは、前記製品が配線基板であることを特徴とする金属膜を有する製品によって解決される。

一般式［Ｉ］

［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。−ＮＲ_１（Ｒ_２）のＲ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［Ｉｏ］

［式中、−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［Ｉａ］

［式中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［Ｉｂ］

［式中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
一般式［ＩＩ］

［式中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。Ｚは、Ａｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基である。ｎ，ｍは、０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは、０〜１００の整数である。］
一般式［Ｔ］
Ｌ−Ｓｉ（Ｍ’）_ｎ（ＯＭ）_３−ｎ
［式中、Ｌは、有機基（有機基は、炭素、水素以外の元素を含んでいても良い。有機基は、置換基を含んでいても良い。有機基は、脂肪族、芳香族、鎖状、環状の如何なる形態のものでも良い。）である。Ｍ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ｍは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｍ’とＭとは、同一でも、異なるものでも良い。］
一般式［ＩＩＩ］

［式中、Ｒ_５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは、１〜３の整数である。Ｍ^１は、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
一般式［ＩＶ］

［式中、Ｒ_５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。全てのＸ’’及びＹ’’は同一でも異なっていても良い。ｎ，ｍは、１〜３の整数である。Ｍ^１は、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］

密着性が高い金属膜が形成される。例えば、金属メッキ膜が剥離し難い製品（例えば、機能性製品（回路基板）や意匠（装飾）製品）が得られる。

ＴＥ−ＤＡＺの¹Ｈ−ＮＭＲのスペクトル図 ＴＥ−ＤＡＺの¹³Ｃ−ＮＭＲのスペクトル図

第１の本発明は金属膜形成方法である。特に、湿式メッキの手法により、金属膜が形成されるに際して用いられる方法である。例えば、配線基板と言った機能性基板の製造方法である。或いは、意匠製品（装飾製品）の製造方法である。本方法は、工程（Ｘ）と工程（Ｙ）とを具備する。前記工程（Ｘ）は、基体表面に化合物（α）を含む剤が設けられる工程である。前記工程（Ｙ）は、前記化合物（α）の表面に、湿式メッキの手法により、金属膜が設けられる工程である。前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基とを有する。前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる。

前記工程（Ｘ）は、前記化合物（α）を含む（例えば、溶解または分散）溶液中に、基体を浸けることで達成される。前記溶液が基体の必要な箇所（全面又は部分）に吹き付けられることでも達成される。この後、必要に応じて、乾燥が行われる。すなわち、溶媒が揮散することによって、基体表面に前記化合物（α）が残る。

前記方法は、特に好ましくは、光照射工程を更に具備する。すなわち、光が前記基体の表面に存する前記化合物（α）に向けて照射される。この結果、前記基体と前記化合物（α）のアジド基とが化学反応する。そして、前記基体表面に前記化合物（α）が結合する。光が照射されなかった箇所では、化学反応が促進され難い。従って、この後、洗浄したならば、光照射部位においてのみ、前記化合物（α）が前記基体の表面に存した（結合した）ものになる。光が特定個所に照射されないようにするには、光照射（露光）時に、特定個所にマスクを配置しておけば良い。光照射時に、反射板や反射フィルムを用いることが出来る。これにより、照射効率が高まる。照射範囲が広がる。前記光は、好ましくは、紫外線である。

前記化合物（α）のＯＨ基またはＯＨ生成基は、好ましくは、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である。この場合、前記化合物（α）は、アルコキシシリル基とアジド基とを持つ。好ましくは、更に、トリアジン環を持つ。

前記化合物（α）は、好ましくは、トリアジン（中でも、１，３，５−トリアジン）に、少なくとも一個のアジド基と、少なくとも一個のアルコキシシリル基とが、直接または間接的に結合した構造を持つ。

前記化合物（α）は、好ましくは、前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である。より好ましくは、前記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である。更に好ましくは、前記一般式［Ｉａ］または［Ｉｂ］で表わされる化合物である。

前記一般式中、−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。

前記一般式［Ｉａ］中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。前記炭素数が１〜２４の炭化水素基は、鎖状の炭化水素基、置換基（環状または鎖状）を有する鎖状の炭化水素基、環状基、又は置換基（環状または鎖状）を有する環状基である。例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１，−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−１，−Ｃ_６Ｈ_５，−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５，−ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５，−Ｃ_１０Ｈ_７等である。前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎのＲは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基（例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ）である。前記Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）である。前記Ａは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣＨ_３，−Ｃ_２Ｈ_５，−ＣＨ（ＣＨ_３）_２，−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）_２，−Ｃ（ＣＨ_３）_３）である。ｎは０〜２の整数である。Ｒ_１とＲ_２との少なくとも一方は、前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。本明細書で置換基を有する基（例えば、炭化水素基）とは、例えば前記基（例えば、炭化水素基）のＨが置換可能な適宜な官能基で置換されたものを意味する。

前記一般式［Ｉｂ］中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。前記炭素数が１〜２４の炭化水素基は、鎖状の炭化水素基、置換基（環状または鎖状）を有する鎖状の炭化水素基、環状基、又は置換基（環状または鎖状）を有する環状基である。例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１，−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−１，−Ｃ_６Ｈ_５，−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５，−ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５，−Ｃ_１０Ｈ_７等である。前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎのＲは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基（例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ）である。前記Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）である。前記Ａは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基（例えば、−ＣＨ_３，−Ｃ_２Ｈ_５，−ＣＨ（ＣＨ_３）_２，−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）_２，−Ｃ（ＣＨ_３）_３）である。ｎは０〜２の整数である。全てのＲ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。

前記方法は、好ましくは、前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、前記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備する。すなわち、前記一般式［ＩＩ］で表わされるポリマーが表面に存することで、表面に存する−ＯＨ基の数が増加し、金属膜の密着性（耐剥離性）が改善された。

前記一般式［ＩＩ］中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。Ｚは、Ａｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基（例えば、−ＣＨ_３，−Ｃ_２Ｈ_５，−ＣＨ＝ＣＨ_２）、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基（例えば、−ＯＣＨ_３，−ＯＣ_２Ｈ_５）である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基（例えば、−ＯＣＨ_３，−ＯＣ_２Ｈ_５）である。ｎ，ｍは、０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは、０〜１００の整数である。好ましくは、ｎ≠１，ｍ≠１，ｐ≠１である。

前記方法は、好ましくは、前記工程（Ｘ）（又は、工程（Ｖ））の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナート基および／またはアルコキシチタナート基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する。すなわち、前記化合物（β）が表面に存することで、表面に存する−ＯＨ基の数が増加する。或いは、更に、反応性官能基が導入される。そして、金属膜の密着性（耐剥離性）が改善された。ここで、前記化合物（β）は、好ましくは、前記一般式［Ｔ］［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物である。

前記一般式［ＩＩＩ］［ＩＶ］中、Ｒ_５，Ｒ_７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。前記炭化水素基は、鎖状の炭化水素基または環状の炭化水素基である。より具体的には、飽和脂肪族炭化水素基である。或いは、不飽和脂肪族炭化水素基である。又は、芳香族炭化水素基である。前記脂肪族炭化水素基は、直鎖の炭化水素基であっても、分岐鎖を有する炭化水素基であっても良い。前記芳香族炭化水素基は、置換基を持たない場合と、置換基を持つ場合とがある。更に、前記Ｒ_５，Ｒ_７は、−ＮＨ−，−ＣＯ−，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯＯ−等の基を持つ場合と、持たない場合とがある。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。この炭化水素基は、鎖状の炭化水素基である。より具体的には、飽和脂肪族炭化水素基である。或いは、不飽和脂肪族炭化水素基である。これ等の脂肪族炭化水素基は、環状基を持たないが、置換基として、環状基を持つ場合も有る。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは１〜３の整数である。Ｍ^１は、Ｈ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。

金属薄膜の形成には、乾式メッキ（蒸着やスパッタ）による手法と、湿式メッキによる手法とが有る。前記工程（Ｙ）では、湿式メッキによる手法が採用される。前記湿式メッキは、例えば無電解メッキである。或いは、電気メッキである。何れか一方のみが採用されても良い。両者が採用されても良い。尚、本技術は公知な技術が採用されても良い。

第２の本発明は金属膜を有する製品である。例えば、機能性メッキ製品（輸送機器（例えば、自動車）、或いは電気・電子機器における配線基板（プリント配線基板、回路基板）である。意匠製品（装飾製品）である。本製品は、基体と、前記基体の表面に設けられた化合物（α）と、前記化合物（α）の上に設けられた湿式メッキ金属膜とを具備する。前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基とを有する。化合物（α）は前述の化合物である。前記化合物（α）と共に、必要に応じて、前記一般式［ＩＩ］［Ｔ］［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物が用いられる。前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる。

本発明においては、基体の表面に、例えば前記一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］又は［Ｉｂ］で表わされる化合物（α）と、増幅剤（例えば、一般式［ＩＩ］［Ｔ］［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物）とを共存させることが出来る。そして、この後、光（紫外線）が照射される。或いは、加熱後に光が照射される。本発明においては、基体の表面に、前記一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］又は［Ｉｂ］で表わされる化合物（α）が設けられる。或いは、更に増幅剤（例えば、一般式［ＩＩ］［Ｔ］［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物）が設けられる。そして、光照射が行われる。或いは、加熱後に光が照射される。この後、好ましくは、酸性溶液中あるいはアルカリ性溶液中に浸漬される。

本発明においては、前記増幅剤と共に、或いは前記増幅剤の代わりに、アルコキシシリル基を有するシランカップリング剤やベンゾフェノン系等の光増感剤を用いることも出来る。

上記発明によれば、化合物（α）のアジド基と基体との化学反応（結合）により、例えばアルコキシシリル基が基体表面に導入されている。そして、アルコキシシリル基が変性されてＯＨ基が生成する。この結果、湿式メッキにより設けられる金属薄膜（メッキ膜）の密着性（耐剥離性）が向上した。従来、金属薄膜（メッキ膜）の密着性（耐剥離性）を向上させる為、基体の表面粗さを粗くすることが行われていた。すなわち、基体に対して六価クロム酸や硫酸等の強酸による処理が行われていたが、斯かる処理が必要なくなった。更に、分子接着剤を処理する前に従来実施していたコロナ放電処理やプラズマ処理が行われると、樹脂製の基体は劣化の恐れが有る。しかし、これらの処理も必須でなくなった。

前記化合物（α）が基体表面に設けられる。この後、光が照射される。この時、前記化合物（α）と基体との間で化学反応が起きる。この結果、前記化合物（α）と基体とが結合する。基体はポリマーで構成されている。前記ポリマーは、硬化性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂）や熱可塑性樹脂が挙げられる。繊維強化樹脂も挙げられる。ゴム（加硫ゴム）も挙げられる。その他にも、表面にポリマーを含む塗膜が設けられたものであっても良い。

アジド化合物が架橋剤であることは知られている。アジド化合物を含む組成物に紫外線照射が行われると、架橋構造のポリマーが得られる。しかしながら、ポリマー表面にアジド化合物が存在している状況下において、紫外線が照射された場合、アジド基がポリマー（ポリマー表面の分子鎖）と化学結合するか否かは知られてなかった。

本発明者によって次の実験が試みられた。ポリマー表面に、前記化合物（α）（特に、一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表わされる化合物）が設けられた。この後、光が照射された。この結果、アジド基とポリマー（ポリマー表面の分子鎖）との間で化学反応が起きた。すなわち、化学結合が、前記化合物（α）と前記ポリマーとの間で生じた。そして、アルコキシシリル基がポリマー表面に存することが判った。このことは、従来知識からは想像できないものであった。そして、アルコキシシリル基で表面改質された基体が、前記一般式［ＩＩ］［ＩＩＩ］［ＩＶ］で表わされる化合物やシランカップリング剤で処理された。これにより、金属膜の密着性が益々向上した。

以下、上記とは異なる視点から本発明が説明される。

［化合物α（密着性向上剤：分子接着剤）］
本発明の密着性向上剤（化合物（α））は、分子接着剤であるとも言える。
前記化合物（α）は、アルコキシシリル基とアジド基とを持つ。好ましくは、更にトリアジン環を持つ。アジド基は、好ましくは、トリアジン環（Ｃ原子）に、直接、結合している。トリアジン環に結合しているアジド基の数は、例えば一個または二個である。ＯＨ基またはＯＨ生成基（例えば、アルコキシシリル基）は、好ましくは、スペーサ（例えば、アミノ基、オキシ基および／または炭化水素基）を介して、間接的に、トリアジン環（Ｃ原子）に結合している。間接的に結合しているアルコキシシリル基は、一個または二個以上である。

トリアジン環（共役系骨格）と結合したアジド基は、ナイトレンへの分解エネルギーが高いことが判った。従って、近紫外線、可視光による影響が起き難い。この為、紫外線露光の作業性が改善される。トリアジン環に結合したナイトレンは、そうではないナイトレンに比べて、安定であることも判った。ナイトレン同士の結合が抑制されることも判った。Ｃ−Ｈ結合に対する水素引抜き活性や不飽和結合に対する付加活性が増強することも判った。

前記アルコキシシリル基は、トリアジン環（共役系骨格）に対して、スペーサ（例えば、アミノ基、オキシ基および／または炭化水素基）を介して結合している。この為、前記化合物（α）がポリマー表面に結合した場合、金属膜との接触において、化学結合を生成する為のエントロピー効果が高まる。エントロピー効果の向上は、ポリマー（前記基体）と金属膜（メッキ膜）との接触後、界面反応における頻度因子項を増大させる。この結果、界面反応の機会が増す。前記スペーサの長さは界面反応における頻度因子の増大に反映される。スペーサの長さが長すぎると、コストが高くなる。かつ、分子接着剤の吸着量の減少が生ずる。従って、適度な長さのスペーサが好ましい。このような観点から、前記一般式［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表わされる化合物のものが好ましかった。

界面反応における頻度因子項の増大の観点から、１分子中に存在するアルコキシシリル基やアジド基の数は多い方が好ましい。しかしながら、コスト等の観点から、その数にも制約が有る。すなわち、前記一般式［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表わされる化合物のものが好ましかった。

前記一般式［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］におけるアルコキシシリル基は、殆どの場合、ＯＨ生成基（ＯＨ前駆体）である。ＯＨ生成基をＯＨ基に変性する為、例えば水（中性水、酸性水、アルカリ水）で処理される。その他にも、コロナ放電処理やプラズマ処理が考えられる。但し、水処理が好ましい。

化合物（α）は、下記反応式に沿って合成された。

ヒドロキシル基を含むアミノ化合物（例えば、アミノアルコール）のアセトン溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのアセトン溶液に滴下された。この時の温度は０〜１０℃である。この後、ＮａＯＨ水溶液が滴下された。これによりＲＤＣが得られた。このＲＤＣのジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液に、ＮａＮ_３のＤＭＦ水溶液が滴下された。この時の温度は４０〜６０℃である。これにより、ＤＡＺが得られた。前記アセトンの代わりに、アルコール（例えば、メタノール、エタノール等）が用いられても良い。

ヒドロキシル基を含むアミノ化合物（例えば、アルコキシシリルアルキルアミン）のＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのＴＨＦ溶液に滴下された。この時の温度は０〜５０℃である。この後、ＮａＯＨ水溶液が滴下された。これによりＲＭＣが得られた。このＲＭＣのＤＭＦ溶液に、ＮａＮ_３のＤＭＦ水溶液が滴下された。この時の温度は５０〜７０℃である。これにより、ＭＡＺが得られた。前記ＴＨＦの代わりに、アルコール（例えば、メタノール、エタノール等）が用いられても良い。

ＮａＮ_３水溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのアセトン溶液に滴下された。この時の温度は０〜５℃である。これによりＡＤＣが得られた。このＡＤＣのアセトン溶液にヒドロキシル基を含むアミノ化合物（例えば、アミノアルコール）溶液が滴下された。この時の温度は４０〜６０℃である。これにより、ＭＡＺが得られた。前記アセトンの代わりに、アルコール（例えば、メタノール、エタノール等）が用いられても良い。

ＮａＮ_３水溶液が、撹拌下において、塩化シアヌルのアセトン溶液に滴下された。この時の温度は０〜１０℃である。これによりＡＭＣが得られた。このＡＭＣのアセトン溶液にヒドロキシル基を含むアミノ化合物（例えば、アミノアルコール）溶液が滴下された。この時の温度は０〜６０℃である。これにより、ＤＡＺが得られた。前記アセトンの代わりに、アルコール（例えば、メタノール、エタノール等）が用いられても良い。

前記化合物（α）は、アルコキシシリル基およびアジド基を持つトリアジン系の化合物である。このような化合物は、好ましくは、前記一般式［Ｉ］［Ｉｏ］［Ｉａ］［Ｉｂ］で表される化合物である。この種の化合物として、例えば６−アジド−２，４−ビス（エタノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ヘキサノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（デカノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３，４−ビスヒドロキフェニル）アミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（２，２−ジヒドロキシメチル）エチルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（トリスメタノールメチル）メチルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−（１，２−ジヒドロキシプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリエトキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン（ＴＥ−ＭＡＺ）、６−アジド−２，４−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１,３,５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリアセトキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリイソプロペノオキシシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリベンゾキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ジエタノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ジヘキサノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（ジデカノールアミノ）−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（６−トリエトキシシリルへキシル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−アジド−２，４−ビス（１０−トリエトキシシリルドデシル）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジエタノール）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＤＥＡ−ＤＡＺ）、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジデカノール）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３，４−ビスヒドロキフェニル）アミノ）−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（２，２−ジヒドロキシメチル）エチルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（トリスメタノールメチル）メチルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（１，２−ジヒドロキシプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＴＥ−ＤＡＺ）、２，４−ジアジド−６−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−ビス（３−メチルエチルケトキシミノシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリアセトキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリイソプロペノオキシシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（３−トリベンゾキシシリル）プロピルアミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−ビス（ジヒドロキシエチル）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジヘキサノール）アミノ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ジデカノール）アミノ−１,３,５−トリアジン、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＢＴＥ−ＤＡＺ）、２，４−ジアジド−６−（Ｎ，Ｎ−ビス（６−トリエトキシシリルヘキシル）アミノ−１，３，５−トリアジン、６−（１１−トリエトキシシリルウンデシル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＵ−ＤＡＺ）、６−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＤＥＭ−ＤＡＺ）、６−（４−トリエトキシシリルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＢ−ＤＡＺ）等が挙げられる。

［基体（ポリマ−）］
基体はポリマー（樹脂）で構成される。前記ポリマーは、例えばＣ−Ｈ結合またはＳｉ−Ｃ結合を有する。特に、Ｃ−Ｈ結合を有する。前記ポリマーは、硬化性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂）である。又は、熱可塑性樹脂である。或いは、繊維強化樹脂である。若しくは、加硫ゴムや未加硫ゴムである。その他にも、ポリマーを含む塗膜が表面に設けられたものでも良い。前記ポリマーは二次元線状構造である。又は、三次元網目構造である。基体の形状は用途によって決まる。例えば、フィルム状、シート状、板状、柱状、棒状、枠状、箱状、繊維状、糸状、布状、不織布状、発泡体状と言った形状である。

前記ポリマー等の具体例としては、例えばセルロース及びその誘導体、ヒドロキシエチルセルロース、デンプン、二酢酸セルロース、表面ケン化酢酸ビニル樹脂、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、石油樹脂、ポリスチレン、シンジオタクチック−ポリスチレン、スチレン共重合体、クロマン−インデン樹脂、テルペン樹脂、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリルニトリル、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリシアノアクリレート、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢ビ共重合体樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン−エチレン共重合体、フッ化ビニリデン−プロピレン共重合体、ポリ１，４−トランスポリブタジエン、ポリ１，２−トランスポリブタジエン、ポリオキシメチレン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、フェノール−ホルマリン樹脂、クレゾール−ホルマリン樹脂、レゾルシン樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、トルエン樹脂、グリプタル樹脂、変性グリプタル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート、アリルエステル樹脂、ポリカーボネート、６−ナイロン、６’，６−ナイロン、６’，１０−ナイロン、ポリイミド、ポリアミド、ポリベンズイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリアミドイミド、ケイ素樹脂、付加硬化型シリコーンゴム、重合硬化型シリコーンゴム、縮合硬化型シリコーンゴム、付加硬化型シリコーン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリジメチルフェニレンオキサイド、ポリフェニレンオキサイド又はポリジメチルフェニレンオキサイドとトリアリルイソシアヌレートとのブレンドポリマー（ポリマーアロイ）、ポリフェニレンオキサイド又はポリジメチルフェニレンオキサイドとトリアリルイソシアヌル酸パーオキサイドとのブレンドポリマー（ポリマーアロイ）、ポリキシレン、ポリフェニレンスルファイド、ポリシクロオレフィン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、液晶樹脂（ＬＣＰ）、天然ゴム、１，４−シスブタジエンゴム、イソプレンゴム、ポリクロロプレン、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、水素添加スチレン−ブタジエン共重合ゴム、アクリルニトリル−ブタジエン共重合ゴム、水素添加アクリルニトリル−ブタジエン共重合ゴム、ポリブテンゴム、ポリイソブチレンゴム、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、エチレンオキサイド−エピクロロヒドリン共重合体ゴム、塩素化ポリエチレンゴム、クロルスルホン化ポリエチレンゴム、アルキル化クロルスルフォン化ポリエチレンゴム、クロロプレンゴム、塩素化アクリルゴム、臭素化アクリルゴム、フッ素ゴム、エピクロルヒドリン共重合ゴム、塩素化エチレン−プロピレンゴム、塩素化ブチルゴム、臭素化ブチルゴム、テトラフロロエチレン、ヘキサフロロプロピレン、フッ化ビニリデン及びテトラフルオロロエチレンなどの単独重合体ゴム及びこれらの二元及び三元共重合体ゴム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合ゴム、プロピレン−テトラフルオロエチレン共重合ゴム、エチレンアクリルゴム、パーオキサイド型シリコーンゴム、付加型シリコーンゴム、縮合型シリコーンゴム、エポキシゴム、ウレタンゴム、両末端不飽和基エラストマーなどが挙げられる。

前記基体（ポリマー）は、必要に応じて、各種の添加剤（例えば、架橋剤、架橋促進剤、架橋助剤、ラジカル開始剤、カチオン開始剤、光重合開始剤、スコーチ防止剤、安定剤、老化防止剤、紫外線防止剤、充填剤、補強剤、可塑剤、軟化剤、着色剤、粘度調整剤など）を含む。

前記三次元網目構造のポリマーは、例えば前記二次元線状ポリマーに架橋剤（更には、架橋促進剤や架橋助剤）を添加した組成物に対して、加熱または光照射を行うことで得られる。或いは、所定のモノマー（例えば、ビニル基、アクリレート基、メタアクリレート基、エポキシ基、イソシアナート基またはオキセタン基を、一分子中に１個又は２個以上有する低分子モノマー）に架橋剤（更には、架橋促進剤や架橋助剤）を添加した組成物に対して、加熱または光照射を行うことで得られる。

前記モノマーとしては、例えばウレタンアクリレート系、エポキシアクリレート系、エステルアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系、ビニルエーテル系のモノマーが挙げられる。具体的には、アクリレート類（例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、１，４−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、（メタ）アクリル酸との付加反応により得られたエポキシ(メタ)アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとジオールとジイソシアネートとの反応により得られたポリウレタン(メタ)アクリレート、（メタ）アクリル酸とポリカルボン酸とポリオールとの反応により得られたポリエステル(メタ)アクリレートポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリオールアクリレート）や、メタクリレート類（例えば、ポリエステルメタクリレート、ウレタンメタクリレート、エポキシメタクリレート、ポリエーテルメタクリレート、ポリオールメタクリレート）が挙げられる。その他にも、ｎ−アルキルアクリレート、ｉ−プロピルアクリレート、ｉ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、β−ヒドロキシエチルアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、β−ヒドロキシプロピルアクリレート、グリシジルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジアルキルアミノエチルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、β−エトキシエチルアクリレート、アリールアクリレート、ベンゾイルオキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアルコールとεーカプロラクトンとの付加物アクリレート、ｉ−ボロニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、アセタールグリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールとε−カプロラクトンとの付加物ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパン・ポリエトキシレイト・トリアクリレート、トリメチロールプロパン・ポリプロポキシレイト・トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールとε−カプロラクトンとの付加物ヘキサアクリレート、アクリロキシエチルホスフェート、フロロアルキルアクリレート、スルホプロピルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ｉ−プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、オクチルメタクリレート、ｉ−オクチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、デシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ジメチルアミノエチルメタクリレート、２−ジエチルアミノエチルメタクリレート、２−ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ノニルフェニールメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ボルニルメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、グリセロールメタクリレート、メタクリロキシエチルフォスフェート、ビス・メタクリロキシエチルフォスフェート、アロオキセタン、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、３−エチル−３−（ヘキシロキシメチル）オキセタン、キシリレンジオキセタン、フェニルオキセタン、オキセタニルシルセスキオキサン、３−エチル−３−（ヘプチルオキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（オクチルオキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（ドデシルオキシメチル）オキセタン、ビスフェノールＡ型エポキシモノマー、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー、ノボラック型エポキシモノマー、トルエンジイソシアナート等も挙げられる。

前記重合開始剤、架橋剤、架橋促進剤や架橋助剤には、各種のものが用いられる。例えば、パーオキサイド類、カチオン重合開始剤、光重合開始剤、硫黄、硫黄系架橋促進剤、ポリオール系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、ポリチオール系架橋剤、アクリレート系架橋助剤、メタクリレート系架橋助剤、アリル系架橋助剤などである。具体的には、例えばアゾビスブチロニトリル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾインイソプロピルエーテル、クロロチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−フェニルプロパンが挙げられる。アセトフェノン誘導体化合物（例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン）も挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物（例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル）も挙げられる。ベンジルジメチルケタールなどのケタール誘導体化合物も挙げられる。ハロゲン化ケトン、アシルフォスフィンオキシド、アシルフォスフォナート、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、フェニルジメチルスルホニュウムクロリド、トリアリールスルホニュウムヘキサフルオロフォスフェートも挙げられる。トリアジンジチオール系架橋剤、樹脂架橋剤、ポリオール架橋剤、Ｈ末端シロキサン系架橋剤、シラノール縮合系架橋剤も挙げられる。ジベンゾチアゾイルジスルフィド、４−モルホリノジチオベンゾチアゾール、Ｎ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−ｔ−ブチル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−オキシジエチレン−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−ジイソプロピル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、Ｎ−ジシクロヘキシル−２−ベンゾチアゾイルスルフェンアミド、テトラメチルチューラムジスルフィド、テトラエチルチューラムジスルフィド、テトラブチルチューラムジスルフィド、テトラオクチルチューラムジスルフィド、アミン類、ヘキサメチレンテトラミン、ザリゲン、第四級アンモニュウム塩、ホスホニュウム塩、ジアルキルスズ有機酸塩、チタネート、ポリエチレングリコール、塩化白金酸、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、酸化錫、酸化鉄、水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、脂肪酸ナトリウム、オクチル酸カルシウム、イソオクチル酸カリウム、カリウムブトキサイド、オクチル酸セシウム、イソステアリン酸カリウム、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、ドデカンジオール、ヘキサメチレンジアミン、ドデカンジアミン、末端ジアミノポリエチレングリコール、末端ジアミノポリプロピレングリコール、ベンゼンジチオール、ヘキサンジチオール、１，１０−デカンジチオール、１，１２−ドデカンジチオール、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、ジアリルエーテル、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレートも挙げられる。

高分子材料である二次元線状構造ポリマー（熱可塑性樹脂、未架橋ゴム）と三次元網目構造のポリマー（熱硬化性樹脂、架橋ゴム）製の基体は、１００重量部の二次元線状構造のポリマー（又は、モノマー）に、架橋剤未添加（二次元線状構造ポリマー、熱可塑性樹脂）か、又は０．１〜２０重量部の架橋剤、０．１〜２０重量部の架橋促進剤、及び０．１〜２０重量部の架橋助剤を添加した組成物を、温度は２０〜３５０℃、加工時間は０．１秒〜２００分の条件で、ロールシーティング加工、カレンダーロール加工、プレス加工、押出加工、又は射出成形加工することで得られる。但し、加工機の特性により、架橋剤などの添加量、加工温度、加工時間は異なる。

基体が光硬化樹脂で構成される場合は、ＵＶ装置（例えば、高圧水銀ＵＶランプ、低圧水銀ＵＶランプ、蛍光式ＵＶランプ（ショートＡＲＣキセノンランプ、ケミカルランプ）、メタルハライドランプ）が用いられ、２００〜４５０ｎｍの紫外線が、所望の環境下（例えば、大気下、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、或いは減圧下）で照射することで得られる。照射光量は、例えば１ｍＪ／ｍ^２〜２０Ｊ／ｍ^２である。紫外線照射される組成物は、適宜、選定される。例えば、１００重量部のエポキシ系化合物と０．０１〜５重量部の光重合触媒とを含む組成物である。

加硫ゴムは、ガラス転移温度が−２０℃以下の線状重合体の群の中から選ばれる一種または二種以上のエラストマーと、添加剤（例えば、架橋剤、架橋促進剤など）とを含む組成物を、０．１〜１２００分の間、０〜３００℃の温度に保持することで得られる。付加型シリコーンゴムや縮合型シリコーンゴムなどは低温で長時間加熱して得られる場合がある。温度は、一般的には、６０〜１８０℃の場合が多い。

前記基体には、必要に応じて、各種の充填剤や補強剤が、適宜な量、含有される。例えば、必要に応じて、各種のカーボンブラック、炭酸カルシウム、タルク、クレー、カオリン、ガラス、湿式シリカ、乾式シリカが含まれる。必要に応じて、レーヨン、ナイロン、ポリエステル、ビニロン、スチール、ケブラー、炭素繊維、ガラス繊維、布が含まれる。必要に応じて、金属粒子（銅、ニッケル、銀、金、錫など）が含まれる。必要に応じて、カーボン粒子が含まれる。必要に応じて、導電性材料が含まれる。必要に応じて、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミナ、炭化珪素、ダイヤモンドなどの伝熱材が含まれる。含有量は、ポリマー１００重量部に対して、２００重量部以下である。一般的には、１００重量部以下である。但し、必要に応じて２００重量部より多く含有する場合もある。

前記基体には、必要に応じて、安定剤が、適宜な量、含有される。安定剤は、例えば老化防止剤あるいは紫外線吸収剤である。例えば、ポリ（２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリン）、６−エトキシ−１，２−ジヒドロ−２，２，４−トリメチルキノリン等のアミン・ケトン系縮合物である。オクチルジフェニルアミン、４，４−ビス（α、α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−１，３−ジメチルブチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族第二級アミン化合物である。スチレン化フェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−フェノール、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，２−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン等のモノ又はビスフェノール系化合物である。２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−Ｚｎメルカプトベンゾイミダゾール、ニッケルジメチルジチオカーバメイト、１，３−ビス（ジメチルアミノプロピル）チオウレア、ジラウリル−３，３−チオジプロピオネート、トリス（ノニル化フェニル）フォスファイト等の硫黄系または燐系化合物である。含有量は、ポリマー１００重量部に対して、３０重量部以下である。一般的には、０．５〜５重量部である。

前記基体には、必要に応じて、次の化合物が、適宜な量、含有される。例えば、パラメトキシケイ皮酸２エチルヘキシル（オクチル）、パラジメチルアミノ安息香酸２エチルヘキシル（オクチル）、オキシベンゾン（ベンゾフェノン３）、サリチル酸２エチルヘキシル（オクチル）、４−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシベンゾイルメタン、ベンゾエート系安定剤、ヒンダードアミン系光安定剤等の紫外線吸収材である。含有量は、ポリマー１００重量部に対して、１０重量部以下である。一般的には、０．１〜２重量部である。

前記基体には、必要に応じて、軟化剤、可塑剤、加工助剤、粘度調整剤、着色剤が、適宜な量、含有される。

［基体の表面処理］
先ず、前記化合物（α）が溶解（又は、分散）した溶液が用意される。用いられる溶媒としては、水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記化合物の混合物であっても良い。前記化合物（α）の含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜２ｗｔ％である。これは、前記化合物（α）の含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。逆に、基体との反応量は限られており、多すぎても、意味が乏しい。このような観点から、上記の割合が好ましかった。

前記溶液（分散液）中には、必要に応じて、表面張力の調整の観点から、界面活性剤が添加される。例えば、ノニオン系界面活性剤（例えば、長鎖アルキル鎖とポリエチレングリコールからなるノニオン系界面活性剤）、カチオン系界面活性剤（例えば、第４級アンモニウム塩）、又はアニオン系界面活性剤（例えば、有機カルボン酸塩、スルホン酸塩）が用いられる。

前記溶液（分散液）中に基体が浸漬される。又は、前記溶液（分散液）が基体に噴霧される。これにより、前記接着性向上剤（前記化合物（α）：分子接着剤）が基体表面に付着する。

この後、光（紫外線）が照射される。特に、前記基体に前記化合物（α）を結合させたい箇所にのみ光は照射される。この為には、適宜なパタ−ンのマスクが使用される。前記紫外線照射によって、前記化合物（α）のアジド基が分解する。アジド基の分解により、ナイトレンが生成する。このナイトレンが前記基体表面の官能基（例えば、−ＣＨ_３，−ＣＨ_２−，−ＣＨ＜，−ＣＨ＝ＣＨ−）を攻撃する。そして、水素引抜きラジカル付加あるいはラジカル付加反応が起き、前記化合物（α）と基体表面との間で化学結合が生じる。未照射箇所では、化学結合が起きない。

紫外線照射には、ＵＶ装置（例えば、高圧水銀ＵＶランプ、低圧水銀ＵＶランプ、蛍光式ＵＶランプ（ショートＡＲＣキセノンランプ、ケミカルランプ）、メタルハライドランプ）が用いられる。そして、２００〜４５０ｎｍの紫外線が照射される。照射光量が少な過ぎると、反応が進み難い。逆に、照射光量が多すぎると、基体の劣化の恐れが有る。従って、好ましい照射光量（波長２５４ｎｍ）は１ｍＪ／ｍ^２〜５Ｊ／ｍ^２である。より好ましくは、５ｍＪ／ｍ^２〜１Ｊ／ｍ^２である。

基体が複雑な形状の場合において、ＵＶを基体に均一に照射する為には、反射板の使用が有効である。反射板としては、例えば鏡、表面研磨された金属箔、Ａｌ鏡面箔、ＳＵＳ鏡面箔、銀めっき鏡面板などが挙げられる。反射板の形状、寸法、材質などは、反射効率の観点から、適宜、選択される。

前記紫外線照射後の基体が水で処理される。例えば、水中に浸漬される。水は、好ましくは、酸性水溶液あるいはアルカリ性水溶液である。例えば、０．１〜６０分（好ましくは、１〜２０分）間に亘って、基体が、０．０００１〜１０％（好ましくは、０．０１〜５％）の酸性水溶液に浸漬される。これにより、アルコキシシリル基がヒドロキシシリル基に変性する。前記の数値条件は、ヒドロキシシリル基がアルコキシシリル基からの変性効率の観点からである。

前記化合物（α）の使用に加えて、前記一般式［ＩＩ］のポリマーの併用は好ましい。すなわち、前記一般式［ＩＩ］のポリマーの併用により、基体表面に存する−ＯＨの数が増加する。すなわち、前記一般式［ＩＩ］のアルコキシ基含有ポリマーが用いられることで、基体表面に存する−ＯＨの数が増加する。

前記アルコキシ基含有ポリマーによる処理は、前記化合物（α）による処理と同様に行われる。すなわち、前記一般式［ＩＩ］のポリマーを含む（溶解または分散）溶液で基体が処理される。前記処理に用いられる溶媒としては、水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記化合物の混合物であっても良い。前記アルコキシ基含有ポリマーの含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜５ｗｔ％である。これは、前記ポリマーの含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。前記ポリマーによる処理後、０〜２００℃(好ましくは、２０〜１５０℃)で０．１〜６０分間（１〜２０分間）加熱処理される。

又、前記化合物（α）の使用に加えて、前記一般式［Ｔ］［ＩＩＩ］又は／及び［ＩＶ］で表わされる化合物による処理も好ましい。すなわち、前記一般式［Ｔ］［ＩＩＩ］又は／及び［ＩＶ］で表わされる化合物の併用により、基体表面に存する−ＯＨの数が増加する。更に反応性官能基が導入される。

前記一般式［Ｔ］［ＩＩＩ］及び／又は［ＩＶ］で表わされる化合物による処理は、前記化合物（α）による処理と同様に行われる。すなわち、前記一般式［Ｔ］［ＩＩＩ］及び／又は［ＩＶ］で表わされる化合物を含む（溶解または分散）溶液で基体が処理される。前記処理に用いられる溶媒としては、水、アルコ−ル（例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、エチレングリコ−ル、プロピレングリコ−ル、セルソルブ、カルビト−ル）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エ−テル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエ−テル、アニソ−ル）等である。前記化合物の混合物であっても良い。前記一般式［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物の含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜５ｗｔ％である。これは、前記化合物の含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。前記一般式［Ｔ］［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］で表わされる化合物による処理後、０〜２００℃(好ましくは、２０〜１５０℃)で０．１〜６０分間（１〜２０分間）加熱処理される。

本発明では、工程（Ｕ）において、例えばアルコキシシリル基を有するカップリング剤を用いることが出来る。これにより、種々の官能基が基体表面に導入される。この種のカップリング剤として、例えば６−アルコキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム、６−ビス（３−アルコキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム、６−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−（３−（トリエトキシシリル）プロピルアミノ）−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム、ビニルメトキシシロキサンホモポリマー、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、６−アルコキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール、３−アルコキシシリルプロピルアミン、ビス（３−アルコキシシリルプロピル）アミン、６−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−３−（トリエトキシシリル）プロピルアミン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、（３−アクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシラン、トリエトキシシリルウンデカナル、４−アミノブチルトリエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリエトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）ピロ−ル、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、アミノプロピルシラントリオール、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルシラントリオール、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリメチルアンモニウムクロリド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン、３−（トリエトキシシリル）プロピル琥珀酸無水物、６−アジドスルホニルヘキシルトリエトキシシラン、２−（４−クロロスルホニル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）トリメトキシシラン、（３−グリシジオキシプロピル）トリメトキシシラン、１０−（カーボメトキシ）デシルジメチルメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、７−ブロモヘプチルトリメトキシシラン、３−イソシアネイトプロピルトリエトキシシラン、（３−トリエトキシシリル）−ｔ−ブチルカーバメイト、２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、ジエチルホスフェイトエチルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、５−（ビシクロヘプチニル）トリエトキシシラン、（３−シクロペンタジダイエンプロピル）トリエトキシシラン等が挙げられる。

これ等のカップリング剤による処理も、前記化合物（α）による処理や前記アルコキシ基含有ポリマーによる処理の場合と同様にして行われる。用いられる溶媒は、例えば水、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、セルソルブ、カルビトール）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン）、脂肪族炭化水素（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、オクタデカン）、エステル（例えば、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、フタル酸メチル）、エ−テル（例えば、テトラヒドロフラン、エチルブチルエーテル、アニソール）等である。前記カップリング剤の含有量は０．０００１〜１０ｗｔ％である。特に好ましくは０．００１〜５ｗｔ％である。これは、前記カップリング剤の含有量が少なすぎると、効果が乏しいからである。前記カップリング剤による処理後、０〜２００℃(好ましくは、２０〜１５０℃)で０．１〜６０分間（１〜２０分間）加熱処理される。

［金属膜（メッキ膜）］
所定のパターンで化合物（α）が設けられた基体上に、金属薄膜が設けられる。金属薄膜の形成には、無電解メッキや電気メッキと言った湿式メッキの手法が採用される。この湿式メッキによる金属膜の形成には、前記膜の金属成分（金属イオン）を含有する溶液（無電解メッキ液あるいは電気メッキ液）が用いられる。

前記無電解メッキ工程あるいは電気メッキ工程の前に、一般的に、金属触媒溶液による処理が行われる。金属触媒の付与後、導電化工程を用いても良い。前記金属触媒溶液には、例えば一種類または二種類以上の金属（例えば、Ｓｎ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｓｎ／Ｐｄ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｓｎ／Ａｇ／Ｐｄ等）のハロゲン化物（塩化物、臭化物、ヨウ化物）が含まれる。他にも、例えばＨＣｌ等が含まれる。Ｃｕイオンが含まれる。前記金属触媒溶液に前記化合物（α）が設けられた基体が浸けられる。処理条件は、例えば０〜８０℃（好ましくは、２０〜５０℃）で、１〜５分である。電気メッキや無電解メッキの前に行われる本処理は公知であるから、詳細な説明は省略される。この前処理は公知な技術のみに限定されるものでは無い。

無電解メッキ液には金属塩や還元剤が含まれている。無電解メッキ液としては、例えば無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液、無電解Ｎｉ−Ｐ複合メッキ液、無電解銅ホルマリン液、無電界銅グリオキシル酸液、無電解銅次亜リン酸液、無電解パラジウムメッキ液、無電解金メッキ液、無電解コバルトメッキ液などが知られている。勿論、これ等に限られない。

前記無電解メッキ液に含まれている金属塩とは、例えば銀、銅、金、亜鉛、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、真鍮、スズ、モリブデン、タングステン、パーマロイ、スチール等の金属塩である。具体的には、ＫＡｕ（ＣＮ）_２，ＫＡｕ（ＣＮ）_４，Ｎａ_３Ａｕ（ＳＯ_３）_２，Ｎａ_３Ａｕ（Ｓ_２Ｏ_３）_２，ＮａＡｕＣｌ_４，ＡｕＣＮ，Ａｇ（ＮＨ_３）_２ＮＯ_３，ＡｇＣＮ，ＡｇＮＯ_３，ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ，ＣｕＥＤＴＡ，ＮｉＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ，ＮｉＣｌ_２，Ｎｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_２，ＣｏＳＯ_４，ＣｏＣｌ_２，ＳｎＣｌ_２・７Ｈ_２Ｏ，ＰｄＣｌ_２等が挙げられる。金属塩の濃度は０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌ（好ましくは、０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌ）である。

前記還元剤は、前記金属塩を還元して金属を生成する作用を持つ化合物である。具体的には、ＫＢＨ_４，ＮａＢＨ_４，ＮａＨ_２ＰＯ_２，（ＣＨ_３）_２ＮＨ・ＢＨ_３，ＮＨ_２ＮＨ_２，Ｈ_２ＮＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ_４Ｓ、Ｈ_２ＮＮＨ_２・ＨＣｌ、Ｈ_２ＮＮＨ_２・２ＨＣｌ、Ｈ_２ＮＮＨ_２・ＣＨ_３ＣＯＯＨ、ヒドロキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ−エチルグリシン、グルコールソーダ、グリオキシル酸、グルコース、ホルムアルデヒド、バニリン等である。還元剤の濃度は０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ（好ましくは、０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌ）である。

前記金属塩や還元剤の他に、錯化剤、ｐＨ調整剤などの各種の添加剤が含まれている。例えば、無電解メッキ液の安定性（寿命）とか、還元効率の観点からの添加剤が含まれている。具体的には、塩基性化合物、無機塩、有機酸塩、クエン酸塩、酢酸塩、ホウ酸塩、炭酸塩、水酸化アンモニア、ＥＤＴＡ、ジアミノエチレン、酒石酸ナトリウム、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール（分子量：２００〜４００）、チオ尿素、トリアジンチオール、トリエタノールアミン等である。添加剤の濃度は０．００００１〜１０ｍｏｌ／Ｌ（好ましくは、０．０００１〜１ｍｏｌ／Ｌ）である。

電気メッキ液には金属塩が含まれている。電気メッキ液としては、例えば硫酸銅標準メッキ液、硫酸銅ハイスローメッキ液、シアン化銅メッキ液、光沢シアン化銅メッキ液、シアン化銅ストライクメッキ液、ピロリン酸銅標準メッキ液、ピロリン酸銅プリント基板用メッキ液、ピロリン酸銅装飾用メッキ液、ニッケル標準メッキ液、ニッケルワットメッキ液、光沢ニッケル標準メッキ液、スルファミン酸ニッケルメッキ液、六価クロム標準メッキ液、三価クロム標準メッキ液、亜鉛アルカリメッキ液、塩化亜鉛メッキ液、シアン化亜鉛メッキ液、硫酸スズメッキ液、メタンスルホン酸スズメッキ液、アルカリ性スズメッキ液、中性スズメッキ液、弱酸性金メッキ液、強酸性金メッキ液、中性金メッキ液、金メッキアルカリシアン液、金メッキアルカリ性亜硫酸液、銀ストライクメッキ液、シアン化銀メッキ液、チオ硫酸銀メッキ液、コハク酸銀メッキ液、白金メッキ液、ロジュウムメッキ液、パラジウムメッキ液などが知られている。勿論、これ等に限られない。

電気メッキ液には、前記金属塩の他に、鉱酸、アルカリ、レベリング剤、光沢剤、抑制剤などの添加剤が含まれている。具体的には、硫酸、塩酸、ホウ酸、シアン化ナトリウム、苛性カリ、アンモニア、硝酸カリ、ピロリン酸カリ、ロッシェル塩、チオシアン化カリ、サッカリン、クマリン、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、アリルスルフォン酸、エチレンシアンヒドリン、ピリジニウムプロピルスルホネート、ナフタリンスルホン酸、１，４−ブタンチオール、鉛化合物、グルコン酸ナトリウム、オキシカルボン酸、界面活性剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール（分子量：２００〜６００）等である。

電気メッキ処理が行われる温度（浴温度）は、例えば２０〜１００℃（好ましくは、２０〜７０℃）である。電流密度は、例えば０．１〜１５Ａ／ｄｍ^２（好ましくは、１〜７Ａ／ｄｍ^２）である。

本発明を用いて回路基板を作製する場合、Ｃｕ配線膜などの金属膜の形成が簡単である。なぜならば、基板（基体）上に設けられた前記化合物（α）のパターン形成が容易であるからである。かつ、前記化合物（α）が無い領域では、湿式メッキの手法で設けられた金属膜が簡単に除去できるからである。

以下、具体的な実施例を挙げて説明する。しかし、本発明は、以下の実施例に限定されるものでは無い。
［化合物α（−ＯＨ付与剤）の合成方法］
［合成例Ａ−１］
０〜５℃下において、０．１ｍｏｌ（１８．４ｇ）の塩化シアヌルが、２００ｍｌのアセトン水溶液に加えられた。この塩化シアヌル溶液に、０．２０４ｍｏｌのＮａＮ_３を含有する水溶液１００ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が３０分間に亘って続行された。この後、この混合溶液から、エーテルで、有機層が抽出された。そして、濾過が行われた。この後、ロータリーエバポレーターにより、エーテルが除去された。次いで、減圧乾燥により、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；混合溶媒（クロロホルム：ヘキサン＝１：２））により精製が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は１８．１ｇ（収率；９１．５％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は２，４‐ジアジド‐６‐クロロ‐１，３，５‐トリアジン（ＤＡＭＣ）であると決定された。元素分析測定装置はパーキンエルマモデル２４００ＣＨＮ分析装置である。ＮＭＲ測定装置は日本ブルカー社製ＡＣ４００Ｐである。ＭＳ測定装置はＪＥＯＬ ＪＭＳ−７００である。以下で用いられる元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、ＭＳ測定装置は、前記装置と同じ装置である。

上記ＤＡＭＣ９．８８ｇ（０．０５０ｍｏｌ）がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＤＡＭＣ溶液に、０．０５０ｍｏｌ（１１．５ｍｌ）のトリエトキシシリルプロピルアミンと０．０５１ｍｏｌ（７．２ｍｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液１００ｍｌが滴下された。そして、５０℃下で１２０分間の撹拌が行われた。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム）により精製が行われた。得られた精製物は白色粉末であった。その量は１８．５５ｇ（収率；９７％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥ−ＤＡＺ）であると決定された。

［合成例Ａ−２］
前記［合成例Ａ−１］に準じて行われた。
すなわち、前記［合成例Ａ−１］において、０．０５０ｍｏｌ（１１．５ｍｌ）のトリエトキシシリルプロピルアミンの代わりに、０．０５０ｍｏｌ（２１．９ｍｌ）のビス（３−トリエトキシシリルプロピル)アミンが用いられた以外は同様に行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は２８．１７ｇ（収率；９６％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＢＴＥ−ＤＡＺ）であると決定された。

［合成例Ａ−３］
前記［合成例Ａ−１］に準じて行われた。
すなわち、前記［合成例Ａ−１］において、０．１０２ｍｏｌのＮａＮ_３が用いられた以外は同様に行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は１７．２ｇ（収率；９０％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は２‐アジド‐４，６‐ジクロロ‐１，３，５‐トリアジン（ＭＡＤＣ）であると決定された。

上記ＭＡＤＣ４．３５ｇ（０．０２３ｍｏｌ）がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＭＡＤＣ溶液に、０．０４８ｍｏｌ（１１ｍｌ）のアミノプロピルトリエトキシシランを含有するＴＨＦ溶液４０ｍｌが滴下された。この後、０．０４８ｍｏｌ（６．８ｍｌ）のトリエチルアミンを含有するＴＨＦ溶液４０ｍｌが滴下された。滴下終了後、反応溶液が４５℃になるまで昇温が行われた。この後、１時間の撹拌が行われた。室温までの冷却が行われた。アンモニウム塩が析出したので、吸引濾過による濾別が行われた。濾液がロータリーエバポレーターにて濃縮された。減圧乾燥により粗生成物が得られた。精製がシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；混合溶媒（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２））により行われた。得られた精製物は無色なオイル状であった。その量は１０．８６ｇ（収率；８５％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は２−アジド−４，６−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン（ＴＥ−ＭＡＺ）であると決定された。

［実施例１］
［工程（Ｘ）］
ＡＢＳ樹脂製の基板が用意された。この基板が４０℃のエタノール中で１０分間に亘って超音波洗浄された。超音波洗浄後に、化合物ＴＥ−ＤＡＺのエタノール溶液（濃度２ｍｍｏｌ）中に浸漬（温度：２０℃、時間：５分間）された。基板が引き上げられた後、乾燥された。
［工程（Ｗ）］
工程（Ｘ）の後、紫外線照射が前記基板に施された。この紫外線照射に際しては、例えば配線パターンに沿ったものとする為、所定パターンのマスクが用いられた。紫外線照射装置は、高圧水銀ランプ（アイグラフィック株式会社製のアイミニグランテイジ、出力：２ｋｗ、照射エネルギー：３０ｍＪ／ｃｍ^２）である。前記紫外線照射後、前記基板はエタノールで洗浄された。
［工程（Ｙ）］
前記工程（Ｗ）の後、前記基板が、触媒処理液（上村工業株式会社製のＮＰ−８；１５０ｍｌ／Ｌ，ＨＣｌ；１５０ｍｌ／Ｌ）中に、浸漬（温度：２５℃、時間：１分間）された。これにより、表面にＰｄ−Ｓｎ触媒が担持された。このＰｄ−Ｓｎ触媒が担持された基板が、無電解銅メッキ浴（上村工業株式会社製のスルカップＰＳＹ−１Ａ；１００ｍｌ／Ｌ スルカップＰＳＹ−１Ｂ；５５ｍｌ／Ｌ １８．５％ホルマリン水溶液；２０ｍｌ／Ｌ）中に、浸漬（温度：３３℃、時間：２０分間）された。これにより、表面に厚さ０．２μｍのＣｕメッキ膜が形成された。

［実施例２］
前記実施例１に準じて行われた。すなわち、前記実施例１において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりにＢＴＥ−ＤＡＺが用いられた以外は同様に行われた。

［実施例３］
前記実施例１に準じて行われた。すなわち、前記実施例１において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりにＴＥ−ＭＡＺが用いられた以外は同様に行われた。

［比較例１］
前記実施例１に準じて行われた。すなわち、前記実施例１において、ＴＥ−ＤＡＺの代わりにＴＥ−ＡＳＨ（アジドスルホン酸ヘキシルトリエトキシシラン）が用いられた以外は同様に行われた。

［特性］
前記実施例１〜３および比較例１で得られたサンプルについて、下記の測定が行われたので、その結果が表−１に示される。
表面層（深さ：８ｎｍ）における元素組成は、Ｘ線光電子分光装置（ＵＬＶＡＣＰＨＩ社：ＰＥＲＫＩＮ ＥＬＭＥＲ ＰＨＩ ５６００ ＥＳＣＡ）により、測定された。
接触角は、接触角測定装置（Ｅｌｍａ-ｔｙｐｅ Ｇ−１）により、測定された。
Ｃｕメッキ接着性は次のようにして調べられた。前記サンプルに切り目（縦・横方向に１ｍｍ間隔で１０本）が入れられた。すなわち、合計１００個の□が形成された。これに、粘着テープ（住友３Ｍ社製：スコッチクリアテープ）が、貼付後、剥離された。この時の剥離数が数えられた。
表−１
化合物α 元素組成（ａｔ％） 接触角 剥離数
Ｎ１ｓ Ｓｉ２ｐ （°）
実施例１ ＴＥ−ＤＡＺ １９．１ ３．６ 36（84） ０（100）
実施例２ＢＴＥ−ＤＡＺ １９．０ ７．２ 25（82） ０（100）
実施例３ ＴＥ−ＭＡＺ ９．８ ５．１ 34（83） ０（100）
比較例１ ＴＥ−ＡＳＨ ４．０ ０．０ 81（83） 100(100)
＊接触角および剥離数における数値の中、（ ）外の数値は、紫外線照射が行われた箇所での接触角および剥離数、（ ）内の数値は、紫外線照射が行われなかった箇所での接触角および剥離数である。

表−１から、化合物（α）付着基板に紫外線照射が行われることによって、化合物（α）のアジド基から生成したナイトレンと、樹脂基板のＣ−Ｈ基やＣ＝Ｃ基との間で付加反応が起こり、樹脂基板の表面に化合物（α）が結合していることが判る。すなわち、基板表面にアルコキシシリル基が存在していることが判る。ＡＢＳ樹脂は、元々、アクリロニトリルに基づくＮを４原子％有する。しかしながら、本実施例は、何れも、この数値よりも高い値である。つまり、トリアジン環がＡＢＳ樹脂表面に結合していることが判る。

表面に化合物（α）が結合した樹脂基板は、接触角が小さい。但し、紫外線照射が行われていない箇所の接触角は大きい。このことから、紫外線照射が行われていない箇所では、エタノール洗浄によって、化合物（α）が除去されていることが判る。

無電解メッキにより、基板表面には、Ｃｕ膜が形成される。このＣｕメッキ膜は、紫外線照射によって化合物（α）が樹脂基板に結合している箇所では、密着強度が高い。

このことから、本実施例の技術は自動車用、建材用、日用品用意匠（装飾）製品、セミアディティブ法による回路基板に好適に用いられることが判る。勿論、これら以外の製品にも使用できることは理解される。

［実施例４〜６］
先ず、前記実施例１〜３に準じて行われた。但し、無電解銅メッキ浴中での浸漬時間は１０分である。従って、形成された無電解Ｃｕメッキ膜の厚さは０．１μｍであった。
この後、電気メッキが行われた。この電気メッキに用いられた電解浴は、上村工業株式会社製のスルカップＥＴＮ浴（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ；８０ｇ／Ｌ，Ｈ_２ＳＯ_４；２００ｇ／Ｌ，Ｃｌ⁻；５０ｐｐｍ）、スルカップＥＴＮ−１Ａ浴（１ｍｌ／Ｌ）、スルカップＥＴＮ−１Ｂ浴（１０ｍｌ／Ｌ）である。電流は２．５Ａ／ｄｍ^２であった。時間は１２０分間であった。温度は２５℃であった。このようにして得られたＣｕメッキ膜の厚さは３０μｍであった。

［比較例２］
先ず、前記比較例１に準じて行われた。但し、無電解銅メッキ浴中での浸漬時間は１０分である。
この後、電気メッキが行われた。この電気メッキに用いられた電解浴は、上村工業株式会社製のスルカップＥＴＮ浴（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ；８０ｇ／Ｌ，Ｈ２ＳＯ４；２００ｇ／Ｌ，Ｃｌ−；５０ｐｐｍ）、スルカップＥＴＮ−１Ａ浴（１ｍｌ／Ｌ）、スルカップＥＴＮ−１Ｂ浴（１０ｍｌ／Ｌ）である。電流は２．５Ａ／ｄｍ^２であった。時間は１２０分間であった。温度は２５℃であった。

［特性］
前記実施例４〜６および比較例２で得られたサンプルについて、下記の測定が行われたので、その結果が表−２に示される。
ＸＰＳ分析の測定には前記実施例１の測定に用いられた装置が用いられた。
Ｃｕメッキ膜の密着強度の測定には、剥離試験装置（島津製作所製のオートグラフＰ−１００）が用いられた。測定時における剥離速度は５０ｍｍ／ｍｉｎの条件である。
表−２
化合物α ＸＰＳ分析値 密着強度
（Ｓｉ２ｐ：at%） （ｋＮ／ｍ）
実施例４ ＴＥ−ＤＡＺ ３．１ ２．６
実施例５ ＢＴＥ−ＤＡＺ ５．８ ２．４
実施例６ ＴＥ−ＭＡＺ ４．６ ２．３
比較例２ ＴＥ−ＡＳＨ ＜０．１ ＜０．１
本実施例のＣｕメッキ膜は密着強度が非常に大きいことが理解される。従って、本実施例の技術は、自動車用、建材用、日用品用意匠（装飾）製品、セミアディティブ法による回路基板に好適に用いられることが判る。勿論、これら以外の製品にも使用できることは理解される。

［実施例７〜２２］
実施例４に準じて行われた。但し、本実施例では、ＥＰ（エポキシ）樹脂製基板、ＰＥＴ（ポリエステル）樹脂製基板、ＰＡ６（６−ナイロン）樹脂製基板、ＰＩ（ポリイミド）樹脂製基板、ＡＢＳ樹脂製基板、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂製基板、ＰＳｔ（ポリスチレン）樹脂製基板、ＰＥ（ポリエチレン）樹脂製基板、ＰＰ（ポリプロピレン）樹脂製基板、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）樹脂製基板、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂製基板、ＰＥＥＫ（ポリエーテルケトン）樹脂製基板、ＮＢＲ（ニトリルブタジエンゴム）基板、ＦＫＭ（フッ素ゴム）基板、Ｑ（シリコーンゴム）基板、ＳＢＲ（スチレンブタジエンゴム）基板が用いられた。

［比較例３〜１８］
比較例２に準じて行われた。但し、本比較例では、ＥＰ樹脂製基板、ＰＥＴ樹脂製基板、ＰＡ６樹脂製基板、ＰＩ樹脂製基板、ＡＢＳ樹脂製基板、ＰＣ樹脂製基板、ＰＳｔ樹脂製基板、ＰＥ樹脂製基板、ＰＰ樹脂製基板、ＣＯＰ樹脂製基板、ＰＰＳ樹脂製基板、ＰＥＥＫ樹脂製基板、ＮＢＲ基板、ＦＫＭ基板、Ｑ基板、ＳＢＲ基板が用いられた。

［特性］
得られた３０μｍ厚のＣｕメッキ膜の密着強度が調べられたので、その結果が表−３に示される。ヒートショック試験も行われたので、その結果が表−３に示される。
＊密着強度：ＪＩＳＫ６８５４に準拠して測定された。すなわち、先ず、１ｃｍ幅の切り目が入れられた。端から２ｃｍの位置まで剥がされ、島津オートグラフＰ−１００により、５０ｍｍ／ｍｉｎの速度でＴ字型剥離試験が行われた。
＊ヒートショック試験：冷熱衝撃試験装置（エスペック社製のＴＳＡ−７１Ｈ−Ｗ）が用いられた。そして、基板が次の環境（８５℃（６０分間）→常温（６０分間）→−４０℃（３０分間）→常温（３０分間）→８５℃（６０分間）の３サイクル）に置かれた後、基板表面が肉眼により観察された。
表−３
基板 Ｃｕメッキ膜密着強度 ヒートショック試験
実施例７ ＥＰ １．６（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例３ ＥＰ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例８ ＰＥＴ １．１（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例４ ＰＥＴ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例９ ＰＡ６ ２．５（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例５ ＰＡ６ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１０ ＰＩ ０．９（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例６ ＰＩ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１１ ＡＢＳ ２．７（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例７ ＡＢＳ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１２ ＰＣ １．２（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例８ ＰＣ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１３ ＰＳｔ １．１（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例９ ＰＳｔ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１４ ＰＥ １．４（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１０ ＰＥ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１５ ＰＰ １．２（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１１ ＰＰ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１６ ＣＯＰ １．５（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１２ ＣＯＰ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１７ ＰＰＳ ０．６（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１３ ＰＰＳ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１８ ＰＥＥＫ ０．６（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１４ ＰＥＥＫ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例１９ ＮＢＲ １．８（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１５ ＮＢＲ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例２０ ＦＫＭ ３．７（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１６ ＦＫＭ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例２１ Ｑ ２．８（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１７ Ｑ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例２２ ＳＢＲ １．９（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１８ ＳＢＲ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
これによれば、本実施例によるＣｕメッキ膜は密着強度に優れていることが判る。

［実施例２３〜２８］
先ず、ＰＥ樹脂製基板がＴＥ−ＤＡＺエタノール溶液中に浸漬された（第１処理）。この後、紫外線照射が行われた。次いで、前記基板がポリジエトキシラン（ＰＤＥＳ）溶液及び／又は６−トリエトキシシリルプロピルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノナトリウム（ＴＥＳ）溶液中に浸漬された（第２処理）。そして、エタノール洗浄が行われた。これにより、無電解メッキに供される基板が得られた。すなわち、前記処理を経た基板が用いられ、実施例１に準じて、無電解メッキ膜及び電気メッキ膜が設けられた。
このようにして得られた３０μｍ厚のＣｕメッキ膜の密着強度が、ＪＩＳＫ６８５４に準拠して、調べられたので、その結果が表−４に示される。
表−４
基板 第１処理／第２処理 密着強度
（ｋＮ／ｍ）
実施例２３ ＰＥ 0.01wt%TE-DAZ/0.5wt%PDES(80℃×10min) ０．５
実施例２４ ＰＥ 0.01wt%TE-DAZ/0.1wt%TES(120℃×10min) ０．７
実施例２５ ＰＥ 0.01wt%TE-DAZ/0.5wt%PDES(80℃×10min)
＋0.1wt%TES(120℃×10min) １．１
参考例 ＰＥ 0.01wt%TE-DAZ／無 ０．３
参考例 ＰＥ 0.1wt%TE-DAZ／無 １．４
実施例２６ ＰＰ 0.01wt%TE-DAZ/0.5wt%PDES(80℃×10min) ０．４
実施例２７ ＰＰ 0.01wt%TE-DAZ/0.1wt%TES(120℃×10min) ０．７
実施例２８ ＰＰ 0.01wt%TE-DAZ/0.5wt%PDES(80℃×10min)
＋0.1wt%TES(80℃×10min) 1．０
参考例 ＰＰ 0.01wt%TE-DAZ／無 ０．３
参考例 ＰＰ 0.1wt%TE-DAZ／無 １．２
本実施例より、化合物（α）で処理された後、前記一般式［ＩＩ］［ＩＩＩ］［ＩＶ］で表わされる化合物でも処理されると、金属メッキ膜の密着強度が更に高くなることが判る。

［化合物α（−ＯＨ付与剤）の合成方法］
［合成例Ａ−４］
−１０℃下において、０．１ｍｏｌ（１８．４ｇ）の塩化シアヌルが、２００ｍｌのＴＨＦ溶液に加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。この塩化シアヌル溶液に、０．１０５ｍｏｌ（３５．０ｇ）の１１−アミノウンデシルトリエトキシシランと０．１０５ｍｏｌ（１４．６ｍｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液１００ｍｌが滴下された。滴下終了後も撹拌が３０分間に亘って続行された。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は４３．０５ｇ（収率；８９．４％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（１１−トリエトキシシリルウンデシルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジクロライド（ＴＥＵ−ＤＣ）であると決定された。

上記ＴＥＵ−ＤＣ２４．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）が、５０〜６０℃下において、エタノール２００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＴＥＵ−ＤＣ溶液に、０．１０２ｍｏｌのＮａＮ_３を含有するエタノール５０ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が７時間に亘って続行された。析出した塩の濾過が行われた。この後、ロータリーエバポレーターにより、エタノールが除去された。次いで、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と水とが用いられ、再沈殿が行われた。析出した結晶が濾過された。その後、乾燥が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は２３．５ｇ（収率；９５．２％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（１１−トリエトキシシリルウンデシル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＵ−ＤＡＺ）であると決定された。

［合成例Ａ−５］
−１０℃下において、５．０ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の塩化シアヌルが、５０ｍｌのＴＨＦ溶液に加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。この塩化シアヌル溶液に５．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）の３−アミノプロピルジエトキシメチルシランと３．８ｇ（０．０３８ｍｏｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液３０ｍｌが滴下された。滴下終了後も撹拌が２時間に亘って続行された。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、生成物が得られた。得られた生成物はオイル状であった。その量は９．１９ｇ（収率；１００．０％）であった。得られた生成物（化合物）の同定が、元素分析測定置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、生成物は６−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジクロライド（ＤＥＭ−ＤＣ）であると決定された。

上記ＤＥＭ−ＤＣ９．１９ｇ（０．０２７ｍｏｌ）が、５０〜６０℃下において、メタノール１００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＤＥＭ−ＤＣ溶液に、３．８ｇ（０．０５９ｍｏｌ）のＮａＮ_３を含有するメタノール５０ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が３時間に亘って続行された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でメタノールが留去され、粗生成物が得られた。この粗成生物にエーテル２００ｍｌが加えられた。生成した塩と過剰量のＮａＮ_３が除去された。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物は白色粉体であった。その量は９．２ｇ（収率；９３％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＤＥＭ−ＤＡＺ）であると決定された。

［合成例Ａ−６］
−１０℃下において、１０．０ｇ（０．０５４ｍｏｌ）の塩化シアヌルが、１００ｍｌのＴＨＦ溶液に加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。この塩化シアヌル溶液に１２．８ｇ（０．０５４ｍｏｌ）の４−アミノブチルトリエトキシシランと７．７ｇ（０．０７５ｍｏｌ）のトリエチルアミンとを含有するＴＨＦ溶液６０ｍｌが滴下された。滴下終了後も撹拌が２時間に亘って続行された。反応終了後、生成したトリエチルアミン塩酸塩が除去された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でＴＨＦが留去され、粗生成物が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物はオイル状であった。その量は１７．１ｇ（収率；８３．０％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（４−トリエトキシシリルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジクロライド（ＴＥＢ−ＤＣ）であると決定された。

上記ＴＥＢ−ＤＣ１５．０ｇ（０．０３９ｍｏｌ）が、５０〜６０℃下において、メタノール１００ｍｌに加えられた。そして、窒素雰囲気下に置かれた。このＴＥＢ−ＤＣ溶液に、５．６ｇ（０．０８６ｍｏｌ）のＮａＮ_３を含有するメタノール５０ｍｌが、撹拌されながら、滴下された。滴下終了後も撹拌が３時間に亘って続行された。減圧下（２０ｍｍＨｇ）でメタノールが留去され、粗生成物が得られた。この粗成生物にエーテル２００ｍｌが加えられた。生成した塩と過剰量のＮａＮ_３が除去された。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製が行われた。得られた精製物は白色粉体であった。その量は１４．０ｇ（収率；９７．２％）であった。
得られた精製物（化合物）の同定が、元素分析測定装置、ＮＭＲ測定装置、及びＭＳ測定装置により行われた。この結果、精製物は６−（４−トリエトキシシリルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアジド（ＴＥＢ−ＤＡＺ）であると決定された。

［実施例２９〜４０、比較例１９〜２２］
前記実施例４に準じて行われた。但し、ＴＥ-ＤＡＺの代わりに、ＴＥＵ−ＤＡＺ，ＤＥＭ−ＤＡＺ，ＴＥＢ−ＤＡＺ，ＴＥ−ＡＳＨが用いられた。用いられた基板は、ＡＢＳ樹脂製基板、ＰＰ樹脂製基板、ＦＫＭ基板、Ｑ基板である。

［特性］
前記工程Ｙ（メッキ工程）の処理前で、前記工程Ｗ（紫外線照射工程）の処理後において、ＸＰＳ分析（線光電子分光分析装置：ＵＬＶＡＣＰＨＩ社製の前記装置）が行われたので、その結果が表−５に示される。
表−５
基板 化合物α ＸＰＳ分析
Ｎ１ｓ（ａｔ％） Ｓｉ２ｐ（ａｔ％）
ＰＰ ＴＥＵ−ＤＡＺ １０．２ ２．１
ＰＰ ＤＥＭ−ＤＡＺ １６．１ ３．３
ＰＰ ＴＥＢ−ＤＡＺ １３．９ ２．８
ＰＰ ＴＥ−ＤＡＺ １３．５ ２．９
ＰＰ ＴＥ−ＡＳＨ ＜０．１ ＜０．１
得られた３０μｍ厚のＣｕメッキ膜の密着強度が調べられたので、その結果が表−６に示される。ヒートショック試験も行われたので、その結果が表−６に示される。密着強度およびヒートショック試験の内容は前記密着強度およびヒートショック試験の内容と同じである。

表−６
基板 化合物α Ｃｕメッキ膜密着強度 ヒートショック試験
実施例２９ ＡＢＳ ＴＥＵ−ＤＡＺ ２．４（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３０ ＡＢＳ ＤＥＭ−ＤＡＺ ２．５（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３１ ＡＢＳ ＴＥＢ−ＤＡＺ ２．２（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例１９ ＡＢＳ ＴＥ−ＡＳＨ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例３２ ＰＰ ＴＥＵ−ＤＡＺ ２．０（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３３ ＰＰ ＤＥＭ−ＤＡＺ ２．４（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３４ ＰＰ ＴＥＢ−ＤＡＺ ２．１（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例２０ ＰＰ ＴＥ−ＡＳＨ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例３５ ＦＫＭ ＴＥＵ−ＤＡＺ ２．６（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３６ ＦＫＭ ＤＥＭ−ＤＡＺ ２．９（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３７ ＦＫＭ ＴＥＢ−ＤＡＺ ２．７（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例２１ ＦＫＭ ＴＥ−ＡＳＨ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
実施例３８ Ｑ ＴＥＵ−ＤＡＺ ２．６（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例３９ Ｑ ＤＥＭ−ＤＡＺ ２．３（ｋＮ／ｍ） フクレ無
実施例４０ Ｑ ＴＥＢ−ＤＡＺ ２．１（ｋＮ／ｍ） フクレ無
比較例２２ Ｑ ＴＥ−ＡＳＨ ＜０．１（ｋＮ／ｍ） フクレ有
これによれば、本実施例によるＣｕメッキ膜は密着強度に優れていることが判る。

この出願は、２０１０年１０月４日に出願された日本出願特願２０１０−２２５１６５を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (29)

1. 金属膜の形成方法であって、
   基体表面に下記化合物（α）を含む剤が設けられる工程（Ｘ）と、
   前記化合物（α）の表面に、湿式メッキの手法により、金属膜が設けられる工程（Ｙ）
   とを具備してなり、
   前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、
   前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる
   ことを特徴とする金属膜形成方法。
2. 前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記基体の表面に存する前記化合物（α）に対して所定パタ−ンの光が照射される工程（Ｗ）を更に具備する
   ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
3. 前記工程（Ｗ）の光照射によって、前記基体と前記化合物（α）のアジド基とが化学反応し、前記基体の表面に前記化合物（α）が結合する
   ことを特徴とする請求項２の金属膜形成方法。
4. 前記光は紫外線である
   ことを特徴とする請求項２の金属膜形成方法。
5. 前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
   ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
6. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である
   ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
   一般式［Ｉ］
   

   

   ［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。−ＮＲ_１（Ｒ_２）のＲ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
7. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
   ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
   一般式［Ｉｏ］
   

   

   ［式中、−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
8. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
   ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
   一般式［Ｉａ］
   

   

   ［式中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
9. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
   ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
   一般式［Ｉｂ］
   

   

   ［式中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
10. 前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が設けられる工程（Ｖ）を更に具備する
    ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
    一般式［ＩＩ］
    

    

    ［式中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。ＺはＡｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基である。ｎ，ｍは０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは０〜１００の整数である。］
11. 前記工程（Ｘ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する
    ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
12. 前記工程（Ｖ）の後で、かつ、前記工程（Ｙ）の前において、前記化合物（α）の表面に、アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が設けられる工程（Ｕ）を更に具備する
    ことを特徴とする請求項１０の金属膜形成方法。
13. 前記化合物（β）は下記一般式［Ｔ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２の金属膜形成方法。
    一般式［Ｔ］
    Ｌ−Ｓｉ（Ｍ’）_ｎ（ＯＭ）_３−ｎ
    ［式中、Ｌは、有機基（有機基は、炭素、水素以外の元素を含んでいても良い。有機基は、脂肪族、芳香族、鎖状、環状の如何なる形態のものでも良い。）である。Ｍ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ｍは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｍ’とＭとは、同一でも、異なるものでも良い。］
14. 前記化合物（β）は下記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２の金属膜形成方法。
    一般式［ＩＩＩ］
    

    

    ［式中、Ｒ_５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは１〜３の整数である。Ｍ^１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
15. 前記化合物（β）は下記一般式［ＩＶ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２の金属膜形成方法。
    一般式［ＩＶ］
    

    

    ［式中、Ｒ_５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。全てのＸ’’及びＹ’’は同一でも異なっていても良い。ｎ，ｍは１〜３の整数である。Ｍ^１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
16. 前記基体が配線用基板であり、金属膜の一部が少なくともＣｕを含むメッキ膜である
    ことを特徴とする請求項１の金属膜形成方法。
17. 金属膜を有する製品であって、
    基体と、
    前記基体の表面に設けられた下記化合物（α）と、
    前記化合物（α）の上に設けられた湿式メッキ金属膜
    とを具備してなり、
    前記化合物（α）は、一分子内に、ＯＨ基またはＯＨ生成基と、アジド基と、トリアジン環とを有する化合物であり、
    前記基体はポリマーが用いられて構成されてなる
    ことを特徴とする金属膜を有する製品。
18. 前記基体と前記化合物（α）とは化学結合してなる
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
19. 前記ＯＨ基またはＯＨ生成基が、アルコキシシリル基（前記アルコキシ基がＯＨ基である場合も含まれる。）である
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
20. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
    一般式［Ｉ］
    

    

    ［式中、Ｅは、任意の基である。Ｆは、ＯＨ基またはＯＨ生成基である。−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。−ＮＲ_１（Ｒ_２）のＲ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
21. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｏ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
    一般式［Ｉｏ］
    

    

    ［式中、−Ｑは、−Ｎ_３又は−ＮＲ_１（Ｒ_２）である。Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
22. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉａ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
    一般式［Ｉａ］
    

    

    ［式中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。Ｒ_１とＲ_２との少なくとも一方は前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
23. 前記化合物（α）が下記一般式［Ｉｂ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
    一般式［Ｉｂ］
    

    

    ［式中、Ｒ_１，Ｒ_２は、Ｈ、炭素数が１〜２４の炭化水素基、又は−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎ（Ｒは、炭素数が１〜１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。）である。全てのＲ_１，Ｒ_２における少なくとも一つは前記−ＲＳｉ（Ｒ’）_ｎ（ＯＡ）_３−ｎである。Ｒ_１とＲ_２とは同一でも異なるものでも良い。］
24. 下記一般式［ＩＩ］で表わされる物質が、前記化合物（α）の表面に設けられる
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
    一般式［ＩＩ］
    

    

    ［式中、Ｘ’，Ｙ’は、Ｓｉ又はＴｉである。ＺはＡｌである。Ｇは、炭素数が１〜３の炭化水素基、又は炭素数が１〜３のアルコキシ基である。Ｂは、炭素数が１〜３のアルコキシ基である。ｎ，ｍは０〜２００の整数（但し、２≦ｎ＋ｍ≦４００）である。ｐは０〜１００の整数である。］
25. アルコキシシリル基、アルコキシアルミナ−ト基および／またはアルコキシチタナ−ト基を有する化合物（β）が、前記化合物（α）の表面に設けられる
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。
26. 前記化合物（β）は下記一般式［Ｔ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項２５の金属膜を有する製品。
    一般式［Ｔ］
    Ｌ−Ｓｉ（Ｍ’）_ｎ（ＯＭ）_３−ｎ
    ［式中、Ｌは、有機基（有機基は、炭素、水素以外の元素を含んでいても良い。有機基は、脂肪族、芳香族、鎖状、環状の如何なる形態のものでも良い。）である。Ｍ’は、炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。Ｍは、Ｈ、又は炭素数が１〜４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０〜２の整数である。前記Ｍ’とＭとは、同一でも、異なるものでも良い。］
27. 前記化合物（β）は下記一般式［ＩＩＩ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項２５の金属膜を有する製品。
    一般式［ＩＩＩ］
    

    

    ［式中、Ｒ_５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_６は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。ｎは１〜３の整数である。Ｍ^１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
28. 前記化合物（β）は下記一般式［ＩＶ］で表わされる化合物である
    ことを特徴とする請求項２５の金属膜を有する製品。
    一般式［ＩＶ］
    

    

    ［式中、Ｒ_５は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｒ_７は、炭素数が１〜１２の炭化水素基である。Ｘ’’は、Ｈ、又は炭素数が１〜１０の炭化水素基である。Ｙ’’は、炭素数が１〜１０のアルキルオキシ基である。全てのＸ’’及びＹ’’は同一でも異なっていても良い。ｎ，ｍは１〜３の整数である。Ｍ^１はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ又はＣｓである。］
29. 配線基板である
    ことを特徴とする請求項１７の金属膜を有する製品。

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