JP2014509067A5

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Publication number: JP2014509067A5
Application number: JP2013546287A
Authority: JP
Filing date: 2011-12-19
Publication date: 2014-11-13
Anticipated expiration: 2031-12-19

Claims

（ａ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、（ｂ）少なくとも１単位の式Ｉ

（式中、
Ｑは、次式

を有する縮合環結合であり、
Ｒ¹は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、
Ｒ²は、それぞれ、同一であるか、もしくは異なって、Ｈ、Ｄ、アルキル、炭化水素アリールもしくはスチリルであるか、またはＲ²の両方がＮ−複素環であり、
Ｒ³は、それぞれ、同一であるか、または異なって、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、スチリル、ビニルまたはアリルであり、かつ
ａは、それぞれ、同一であるか、または異なって、０〜４の整数である）を有するホスト化合物と、
（ｃ）第２のホスト化合物と
を含む組成物であって、
前記第１のホスト化合物が少なくとも１０％重水素化されている、組成物。
Ｒ¹が炭化水素アリール、Ｎ，Ｏ，Ｓ−複素環またはそれらの重水素化類似物である、請求項１に記載の組成物。
Ｒ¹が、Ｄ、ナフチル、置換ナフチル、スチリル、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、それらの重水素化類似物、または式ＩＩＩの置換基

（式中、
Ｒ⁵は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アルキルまたはアリールであり、隣接するＲ⁵基は結合して、６員縮合芳香族環を形成することができ、
Ｒ⁶は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリルまたはそれらの重水素化類似物であり、隣接するＲ⁶基は結合して、６員縮合芳香族環を形成することができ、
ｃは整数０〜５であるが、ただし、ｃ＝５である場合、ｆ＝ｇ＝０であり、
ｄは整数０〜５であるが、ただし、ｄ＝５である場合、ｇ＝０であり、
ｅは整数０〜５であり、
ｆは整数０〜５であり、
ｇは０または１である）である、請求項１に記載の組成物。
Ｒ²が、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチルまたはそれらの重水素化類似物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
Ｒ³がＨまたはＤである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
前記第１のホスト化合物が、少なくとも１単位の式ＩＩ

（式中、
Ｑは、次式

を有する縮合環結合であり、
Ｒ¹は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニルまたはアリルであり、
Ｒ³は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄ、シアノ、アルキルまたはアリールであり、
Ｒ⁴は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリル、ジアルキルアミノ、ジアリールアミン、カルバゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾピランまたはそれらの重水素化類似物であり、
ａは、それぞれ、同一であるか、または異なって、０〜４の整数であり、かつ
ｂは、それぞれ、同一であるか、または異なって、０〜５の整数である）を有する、請求項１に記載の組成物。
Ｒ⁴が、Ｄ、ナフチル、置換ナフチル、スチリル、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、それらの重水素化類似物、または式ＩＩＩの置換基

（式中、
Ｒ⁵は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリル、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似物であり、隣接するＲ⁵基は結合して、６員縮合芳香族環を形成することができ、
Ｒ⁶は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリル、ジアルキルアミン、ジアリールアミン、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似物であり、隣接するＲ⁶基は結合して、６員縮合芳香族環を形成することができ、
ｃは整数０〜５であるが、ただし、ｃ＝５である場合、ｆ＝ｇ＝０であり、
ｄは整数０〜５であるが、ただし、ｄ＝５である場合、ｇ＝０であり、
ｅは整数０〜５であり、
ｆは整数０〜５であり、
ｇは０または１である）である、請求項６に記載の組成物。
Ｒ⁴が、フェニル、ビニルもしくはアリル置換基を有するフェニル、ビフェニル、ビニルもしくはアリル置換基を有するビフェニル、テルフェニル、ビニルもしくはアリル置換基を有するテルフェニル、またはそれらの重水素化類似物である、請求項６に記載の組成物。
前記第１のホスト化合物が式ＩＶ

（式中、
Ｒ⁷は、Ｈ、Ｄ、フェニルまたは重水素化フェニルである）を有する、請求項１に記載の組成物。
前記第２のホストが、トリアジン、Ｎ−複素環置換基を有するインドロカルバゾールまたはそれらの重水素化類似物である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
第１の電気接触層と、第２の電気接触層と、その間に光活性層とを含む有機電子デバイスであって、前記光活性層が、請求項１に記載の組成物を含む、デバイス。
前記ドーパントがルミネセント有機金属錯体である、請求項１１に記載のデバイス。
前記有機金属錯体が、イリジウムまたは白金のシクロメタレート化錯体である、請求項１２に記載のデバイス。
前記第２のホストが、トリアジン、Ｎ−複素環置換基を有するインドロカルバゾールまたはそれらの重水素化類似物である、請求項１１に記載のデバイス。
前記第２のホスト材料が、式Ｖ

（式中、
Ｑは、次式

を有する縮合環結合であり、
Ｒ¹は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アルキル、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニルまたはアリルであり、
Ｒ³は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄ、シアノ、アルキルまたはアリールであり、
Ｒ⁴は、それぞれ、同一であるか、または異なって、Ｄ、アリール、シリル、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ビニル、アリル、ジアルキルアミノ、ジアリールアミン、カルバゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾピランまたはそれらの重水素化類似物であり、
Ｒ⁸は、それぞれ、同一であるか、もしくは異なって、Ｈ、Ｄ、アルキルもしくはアリールであるか、またはＲ⁸は縮合５員環もしくは６員環を形成してもよく、
Ｘは、それぞれ、同一であるか、または異なって、ＣＨまたはＮであるが、ただし、少なくとも１個のＸはＮであり、
ａは、それぞれ、同一であるか、または異なって、整数０〜４であり、かつ
ｂは、それぞれ、同一であるか、または異なって、整数０〜５である）を有する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のデバイス。
前記第２のホストが、式ＶＩ

（式中、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³は、同一であるか、または異なって、Ｈ、Ｄまたはアリール基であるが、ただし、Ａｒ¹、Ａｒ²およびＡｒ³のうちの少なくとも２つはアリール基である）を有する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のデバイス。
前記光活性層が、（ａ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントと、（ｂ）少なくとも１単位の式Ｉを有するホスト化合物と、（ｃ）第２のホスト化合物とから本質的になる、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載のデバイス。
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
請求項１に記載の組成物を含む有機半導体層と
を含む有機薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極および前記半導体層が両方とも前記絶縁層と接触し、前記ソース電極および前記ドレイン電極が両方とも前記半導体層と接触し、かつ前記電極が互いに接触しない条件の任意の配列で、前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を配置することができる有機薄膜トランジスタ。