KR102244170B1 - 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102244170B1
KR102244170B1 KR1020190104458A KR20190104458A KR102244170B1 KR 102244170 B1 KR102244170 B1 KR 102244170B1 KR 1020190104458 A KR1020190104458 A KR 1020190104458A KR 20190104458 A KR20190104458 A KR 20190104458A KR 102244170 B1 KR102244170 B1 KR 102244170B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
mmol
alkyl
compound
Prior art date
Application number
KR1020190104458A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200026083A (ko
Inventor
이수현
김빛나리
정소영
신효님
이미자
Original Assignee
롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 filed Critical 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority to CN201980057013.3A priority Critical patent/CN112640141A/zh
Priority to PCT/KR2019/010999 priority patent/WO2020045981A1/en
Priority to US17/272,519 priority patent/US20220384744A1/en
Publication of KR20200026083A publication Critical patent/KR20200026083A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102244170B1 publication Critical patent/KR102244170B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H01L51/0071—
    • H01L51/0072—
    • H01L51/0085—
    • H01L51/5012—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본원은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 재료 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 재료를 포함하는 복수 종의 호스트 재료, 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 특정 조합의 화합물을 호스트 재료로 포함함으로써, 종래의 유기 전계 발광 소자에 비해 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율 및/또는 장 수명의 특성을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.

Description

복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 {A PLURALITY OF HOST MATERIALS AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
이스트만 코닥 사의 Tang 등이 1987년에 발광층과 전하 전달층으로 이루어진 TPD/Alq3 이중층 저분자 녹색 유기 전계 발광 소자(OLED)를 처음으로 개발한 이후, 유기 전계 발광 소자에 대한 연구가 급속도로 빠르게 이루어져 현재 상용화에 이르렀다. 현재, 유기 전계 발광 소자는 패널 구현에 있어 발광 효율이 뛰어난 인광 물질을 주로 사용하고 있다. 디스플레이의 장시간 사용과 높은 해상도를 위해서 높은 발광 효율 및/또는 장 수명을 갖는 OLED가 요구되고 있다.
미국 특허공개공보 제2014/0231769호는 디벤조푸란 또는 디벤조티오펜 유도체의 화합물을 이용한 복수 종의 호스트 재료를 개시하고 있으나, 여전히 OLED의 성능 향상을 위한 개발이 요구되고 있다.
미국 특허공개공보 제2014/0231769호 (2014.08.21 발행)
본원의 목적은, 특정 조합의 화합물을 호스트 재료로 포함함으로써, 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율 및/또는 장 수명의 특성을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 재료 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 재료를 포함하는 복수 종의 호스트 재료가 상술한 목적을 달성함을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
[화학식 1]
Figure 112019087500420-pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 또는 -NX9X10이고;
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이며;
X1 내지 X8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, -NX11X12 또는 -SiX13X14X15이거나; X1 내지 X8 중 인접한 둘 이상은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고; 단, X1과 X2, X2와 X3, X3과 X4, X4와 X5, X5와 X6, X6과 X7, 및 X7과 X8 중 하나 이상은 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 단일환 또는 2 내지 5개의 고리를 갖는 다환 고리를 형성하며;
X9 및 X10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이며;
X11 내지 X15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있고;
[화학식 2]
Figure 112019087500420-pat00002
상기 화학식 2에서,
X는 -O- 또는 -S-이고;
HAr은 하나 이상의 질소 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고;
L2는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
a는 1 내지 4 의 정수이고, b는 1 내지 3의 정수이고, a 및 b가 각각 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1 및 각각의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본원에 따른 특정 조합의 화합물을 호스트 재료로 포함함으로써, 종래의 유기 전계 발광 소자에 비해 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율 및/또는 장 수명의 특성을 갖는 유기 전계 발광 소자가 제공되며, 이를 이용한 표시 장치 또는 조명 장치의 제조가 가능하다.
도 1은 본원에 따른 제1 호스트 화합물의 대표적인 화학식이다.
도 2는 본원에 따른 제2 호스트 화합물의 대표적인 화학식이다.
이하에서 본원을 더욱 상세히 설명하나, 이는 설명을 위한 것으로 본원의 범위를 제한하도록 해석되어서는 안 된다.
본원에서 "유기 전계 발광 재료"는 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있는 재료를 의미하고, 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있으며, 필요에 따라 유기 전계 발광 소자를 구성하는 임의의 층에 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 전계 발광 재료는 정공 주입 재료, 정공 전달 재료, 정공 보조 재료, 발광 보조 재료, 전자 차단 재료, 발광 재료(호스트 재료 및 도판트 재료 포함), 전자 버퍼 재료, 정공 차단 재료, 전자 전달 재료, 전자 주입 재료 등 일 수 있다.
본원에서 "복수 종의 유기 전계 발광 재료"는 유기 전계 발광 소자를 구성하는 임의의 층에 포함될 수 있는 2종 이상의 화합물이 조합된 유기 전계 발광 재료를 의미하고, 유기 전계 발광 소자에 포함되기 전 (예를 들면, 증착 전) 및 포함된 후 (예를 들면, 증착 후)의 재료를 모두 의미할 수 있다. 예를 들면, 복수 종의 유기 전계 발광 재료는 정공주입층, 정공전달층, 정공보조층, 발광보조층, 전자차단층, 발광층, 전자버퍼층, 정공차단층, 전자전달층 및 전자주입층 중 하나 이상의 층에 포함될 수 있는 화합물이 2종 이상 조합된 것일 수 있다. 이러한 2종 이상의 화합물들은 같은 층 또는 다른 층에 포함될 수 있고, 혼합증착 또는 공증착되거나, 개별적으로 증착될 수 있다.
본원에서 "복수 종의 호스트 재료"는 2종 이상의 호스트 재료가 조합된 유기 전계 발광 재료를 의미하고, 유기 전계 발광 소자에 포함되기 전 (예를 들면, 증착 전) 및 포함된 후 (예를 들면, 증착 후)의 재료를 모두 의미할 수 있다. 본원의 복수 종의 호스트 재료는 유기 전계 발광 소자를 구성하는 임의의 발광층에 포함될 수 있는데, 상기 복수 종의 호스트 재료에 포함된 2종 이상의 화합물은 하나의 발광층에 함께 포함될 수도 있고, 각각 다른 발광층에 포함될 수도 있다. 2종 이상의 호스트 재료가 하나의 층에 포함되는 경우, 예를 들어, 혼합증착되어 층을 형성할 수도 있고, 별도로 동시에 공증착되어 층을 형성할 수도 있다.
본원에 기재되어 있는 "(C1-C30)알킬"은 쇄를 구성하는 탄소수가 1 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알킬을 의미하고, 여기에서 탄소수가 1 내지 10개인 것이 바람직하고, 1 내지 6개인 것이 더 바람직하다. 상기 알킬의 구체적인 예로서, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸 등이 있다. 본원에서 "(C3-C30)시클로알킬"은 환 골격 탄소수가 3 내지 30개인 단일환 또는 다환 탄화수소를 의미하고, 여기에서 탄소수가 3 내지 20개인 것이 바람직하고, 3 내지 7개인 것이 더 바람직하다. 상기 시클로알킬의 예로서, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등이 있다. 본원에서 "(3-7원)헤테로시클로알킬"은 환 골격 원자수가 3 내지 7개이고, B, N, O, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 O, S 및 N에서 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 시클로알킬을 의미하고, 예를 들어, 테트라하이드로푸란, 피롤리딘, 티올란, 테트라하이드로피란 등이 있다. 본원에서 "(C6-C30)아릴 또는 (C6-C30)아릴렌"은 환 골격 탄소수가 6 내지 30개인 방향족 탄화수소에서 유래된 단일환 또는 융합환계 라디칼을 의미하고, 부분적으로 포화될 수도 있고, 여기에서 환 골격 탄소수가 6 내지 20개인 것이 바람직하고, 6 내지 15개인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴은 스피로 구조를 가진 것을 포함한다. 상기 아릴의 예로서, 구체적으로는, 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 비나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 플루오레닐, 페닐플루오레닐, 디메틸플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 벤조플루오레닐, 디페닐벤조플루오레닐, 디벤조플루오레닐, 페난트레닐, 벤조페난트레닐, 페닐페난트레닐, 안트라세닐, 벤즈안트라세닐, 인데닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 테트라세닐, 페릴레닐, 크리세닐, 벤조크리세닐, 나프타세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오란테닐, 톨릴(tolyl), 자일릴(xylyl), 메시틸(mesityl), 쿠메닐(cumenyl), 스피로[플루오렌-플루오렌]일, 스피로[플루오렌-벤조플루오렌]일, 아줄레닐 등이 있다. 더욱 구체적으로, 상기 아릴의 예로는 o-톨릴, m-톨릴, p-톨릴, 2,3-자일릴, 3,4-자일릴, 2,5-자일릴, 메시틸, o-쿠메닐, m-쿠메닐, p-쿠메닐, p-t-부틸페닐, p-(2-페닐프로필)페닐, 4'-메틸비페닐, 4"-t-부틸-p-터페닐-4-일, o-비페닐, m-비페닐, p-비페닐, o-터페닐, m-터페닐-4-일, m-터페닐-3-일, m-터페닐-2-일, p-터페닐-4-일, p-터페닐-3-일, p-터페닐-2-일, m-쿼터페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 1-플루오레닐, 2-플루오레닐, 3-플루오레닐, 4-플루오레닐, 9-플루오레닐, 9,9-디메틸-1-플루오레닐, 9,9-디메틸-2-플루오레닐, 9,9-디메틸-3-플루오레닐, 9,9-디메틸-4-플루오레닐, 9,9-디페닐-1-플루오레닐, 9,9-디페닐-2-플루오레닐, 9,9-디페닐-3-플루오레닐, 9,9-디페닐-4-플루오레닐, 1-안트릴, 2-안트릴, 9-안트릴, 1-페난트릴, 2-페난트릴, 3-페난트릴, 4-페난트릴, 9-페난트릴, 1-크리세닐, 2-크리세닐, 3-크리세닐, 4-크리세닐, 5-크리세닐, 6-크리세닐, 벤조[c]페난트릴, 벤조[g]크리세닐, 1-트리페닐레닐, 2-트리페닐레닐, 3-트리페닐레닐, 4-트리페닐레닐, 3-플루오란테닐, 4-플루오란테닐, 8-플루오란테닐, 9-플루오란테닐, 벤조플루오란테닐 등을 들 수 있다. 본원에서 "(3-50원)헤테로아릴 또는 (3-30원)헤테로아릴렌"은 환 골격 원자수가 3 내지 50개 또는 3 내지 30개이고, B, N, O, S, Si, P, 및 Ge로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 아릴기를 의미한다. 여기에서 환 골격 원자수가 3 내지 30개인 것이 바람직하고, 5 내지 20개인 것이 더 바람직하다. 헤테로원자수는 바람직하게는 1 내지 4개이고, 단일 환계이거나 하나 이상의 벤젠환과 축합된 융합환계일 수 있으며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본원에서 상기 헤테로아릴 또는 헤테로아릴렌은 하나 이상의 헤테로아릴 또는 아릴기가 단일결합에 의해 헤테로아릴기와 연결된 형태도 포함하며, 스피로 구조를 가진 것도 포함한다. 상기 헤테로아릴의 예로서, 구체적으로는, 푸릴, 티오페닐, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 티아디아졸릴, 이소티아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 옥사디아졸릴, 트리아지닐, 테트라지닐, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 푸라자닐, 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다진일 등의 단일환계 헤테로아릴, 벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 디벤조티오페닐, 벤조이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 벤조이소티아졸릴, 벤조이속사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이미다조피리디닐, 이소인돌릴, 인돌릴, 벤조인돌릴, 인다졸릴, 벤조티아디아졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 카바졸릴, 아자카바졸릴, 벤조카바졸릴, 디벤조카바졸릴, 페녹사진일, 페난트리디닐, 벤조디옥솔릴, 인돌리지디닐, 아크리디닐, 실라플루오레닐, 게르마플로우레닐 등의 융합환계 헤테로아릴 등을 들 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 헤테로아릴의 예로는, 1-피롤릴, 2-피롤릴, 3-피롤릴, 2-피리디닐, 3-피리디닐, 4-피리디닐, 2-피리미디닐, 4-피리미디닐, 5-피리미디닐, 6-피리미디닐, 1,2,3-트리아진-4-일, 1,2,4-트리아진-3-일, 1,3,5-트리아진-2-일, 1-이미다졸릴, 2-이미다졸릴, 1-피라졸릴, 1-인돌리지디닐, 2-인돌리지디닐, 3-인돌리지디닐, 5-인돌리지디닐, 6-인돌리지디닐, 7-인돌리지디닐, 8-인돌리지디닐, 2-이미다조피리디닐, 3-이미다조피리디닐, 5-이미다조피리디닐, 6-이미다조피리디닐, 7-이미다조피리디닐, 8-이미다조피리디닐, 1-인돌릴, 2-인돌릴, 3-인돌릴, 4-인돌릴, 5-인돌릴, 6-인돌릴, 7-인돌릴, 1-이소인돌릴, 2-이소인돌릴, 3-이소인돌릴, 4-이소인돌릴, 5-이소인돌릴, 6-이소인돌릴, 7-이소인돌릴, 2-푸릴, 3-푸릴, 2-벤조푸라닐, 3-벤조푸라닐, 4-벤조푸라닐, 5-벤조푸라닐, 6-벤조푸라닐, 7-벤조푸라닐, 1-이소벤조푸라닐, 3-이소벤조푸라닐, 4-이소벤조푸라닐, 5-이소벤조푸라닐, 6-이소벤조푸라닐, 7-이소벤조푸라닐, 2-퀴놀릴, 3-퀴놀릴, 4-퀴놀릴, 5-퀴놀릴, 6-퀴놀릴, 7-퀴놀릴, 8-퀴놀릴, 1-이소퀴놀릴, 3-이소퀴놀릴, 4-이소퀴놀릴, 5-이소퀴놀릴, 6-이소퀴놀릴, 7-이소퀴놀릴, 8-이소퀴놀릴, 2-퀴녹살리닐, 5-퀴녹살리닐, 6-퀴녹살리닐, 1-카바졸릴, 2-카바졸릴, 3-카바졸릴, 4-카바졸릴, 9-카바졸릴, 아자카바졸-1-일, 아자카바졸-2-일, 아자카바졸-3-일, 아자카바졸-4-일, 아자카바졸-5-일, 아자카바졸-6-일, 아자카바졸-7-일, 아자카바졸-8-일, 아자카바졸-9-일, 1-페난트리디닐, 2-페난트리디닐, 3-페난트리디닐, 4-페난트리디닐, 6-페난트리디닐, 7-페난트리디닐, 8-페난트리디닐, 9-페난트리디닐, 10-페난트리디닐, 1-아크리디닐, 2-아크리디닐, 3-아크리디닐, 4-아크리디닐, 9-아크리디닐, 2-옥사졸릴, 4-옥사졸릴, 5-옥사졸릴, 2-옥사디아졸릴, 5-옥사디아졸릴, 3-푸라자닐, 2-티에닐, 3-티에닐, 2-메틸피롤-1-일, 2-메틸피롤-3-일, 2-메틸피롤-4-일, 2-메틸피롤-5-일, 3-메틸피롤-1-일, 3-메틸피롤-2-일, 3-메틸피롤-4-일, 3-메틸피롤-5-일, 2-t-부틸피롤-4-일, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일, 2-메틸-1-인돌릴, 4-메틸-1-인돌릴, 2-메틸-3-인돌릴, 4-메틸-3-인돌릴, 2-t-부틸-1-인돌릴, 4-t-부틸-1-인돌릴, 2-t-부틸-3-인돌릴, 4-t-부틸-3-인돌릴, 1-디벤조푸라닐, 2-디벤조푸라닐, 3-디벤조푸라닐, 4-디벤조푸라닐, 1-디벤조티오페닐, 2-디벤조티오페닐, 3-디벤조티오페닐, 4-디벤조티오페닐, 1-실라플루오레닐, 2-실라플루오레닐, 3-실라플루오레닐, 4-실라플루오레닐, 1-게르마플루오레닐, 2-게르마플루오레닐, 3-게르마플루오레닐, 4-게르마플루오레닐 등을 들 수 있다. 본원에서 "할로겐"은 F, Cl, Br 및 I 원자를 포함한다.
또한, "오르토(ortho; o)", "메타(meta; m)", 및 "파라(para; p)"는 각각 치환기의 상대적인 위치를 나타내는 접두어이다. 오르토(ortho) 위치란 2개의 치환기가 서로 이웃하는 것을 나타내고, 일 예로 벤젠 치환체에서 1, 2 자리를 뜻하고, 메타(meta) 위치란 2개의 치환기가 1, 3 위치에 있는 것을 나타내며, 일 예로 벤젠 치환체에서 1, 3 자리를 뜻하며, 파라(para) 위치란 2개의 치환기가 1,4 위치에 있는 것을 나타내며, 일 예로 벤젠 치환체에서 1, 4 자리를 뜻한다.
또한, 본원에 기재되어 있는 "치환 또는 비치환"이라는 기재에서 '치환'은 어떤 작용기에서 수소 원자가 다른 원자 또는 다른 작용기 (즉, 치환기)로 대체되는 것을 뜻한다. 본원에서, 치환된 알킬, 치환된 시클로알킬, 치환된 시클로알케닐, 치환된 헤테로시클로알킬, 치환된 아릴, 치환된 아릴렌, 치환된 헤테로아릴, 치환된 헤테로아릴렌, 치환된 알콕시, 치환된 트리알킬실릴, 치환된 디알킬아릴실릴, 치환된 알킬디아릴실릴, 치환된 트리아릴실릴, 치환된 모노- 또는 디- 알킬아미노, 치환된 모노- 또는 디- 아릴아미노, 또는 치환된 알킬아릴아미노의 치환기는 각각 독립적으로 중수소; 할로겐; 시아노; 카르복실; 니트로; 히드록시; (C1-C30)알킬; 할로(C1-C30)알킬; (C2-C30)알케닐; (C2-C30)알키닐; (C1-C30)알콕시; (C1-C30)알킬티오; (C3-C30)시클로알킬; (C3-C30)시클로알케닐; (3-7원)헤테로시클로알킬; (C6-C30)아릴옥시; (C6-C30)아릴티오; (C1-C30)알킬, (C6-C30)아릴 및 디(C6-C30)아릴아미노 중 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 (3-50원)헤테로아릴; 시아노, (C1-C30)알킬, (3-50원)헤테로아릴, 디(C6-C30)아릴아미노 및 트리(C6-C30)아릴실릴 중 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴; 트리(C1-C30)알킬실릴; 트리(C6-C30)아릴실릴; 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴; (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴; 아미노; 모노 또는 디(C1-C30)알킬아미노; 모노 또는 디(C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬카보닐; (C1-C30)알콕시카보닐; (C6-C30)아릴카보닐; 디(C6-C30)아릴보로닐; 디(C1-C30)알킬보로닐; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐; (C6-C30)아르(C1-C30)알킬; 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이다. 상기 치환기는, 바람직하게는 (C1-C20)알킬; (C1-C20)알킬, (3-30원)헤테로아릴 및 디(C6-C25)아릴아미노 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴; (C1-C20)알킬 및 (C6-C25)아릴 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴; 및 디(C6-C20)아릴아미노로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다. 상기 치환기는, 더욱 바람직하게는 (C1-C10)알킬; (C1-C10)알킬, (5-20원)헤테로아릴 및 디(C6-C18)아릴아미노 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴; 하나 이상의 (C6-C18)아릴로 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴; 및 디(C6-C18)아릴아미노로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 치환기는 메틸; tert-부틸; 피리디닐, 디페닐트리아진일, 페닐퀴녹살리닐, 페닐퀴나졸리닐, 비페닐퀴나졸리닐, 디벤조푸란일, 디벤조티오펜일, 카바졸릴, 및 디페닐아미노 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 페닐; 하나 이상의 디페닐트리아진일로 치환 또는 비치환된 나프틸; 비페닐; 나프틸페닐; 페닐나프틸; 터페닐; 디메틸플루오레닐; 페닐플루오레닐; 디페닐플루오레닐; 디메틸벤조플루오레닐; 페난트레닐; 트리페닐레닐; 피리디닐; 페닐 및 나프틸 중 하나 이상으로 치환된 트리아지닐; 하나 이상의 페닐로 치환된 인돌릴; 하나 이상의 페닐로 치환된 벤조이미다졸릴; 퀴놀릴; 페닐 및 비페닐 중 하나 이상으로 치환된 퀴나졸리닐; 하나 이상의 페닐로 치환된 퀴녹살리닐; 하나 이상의 페닐로 치환 또는 비치환된 카바졸릴; 디벤조푸란일; 디벤조티오펜일; 벤조나프토티오펜일; 하나 이상의 페닐로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸릴; 디벤조카바졸릴; 벤조페난트로티오펜일; 디페닐아미노; 디메틸플루오레닐페닐아미노; 및 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 함유하는 치환 또는 비치환된 (16-33원)헤테로아릴 중 하나 이상일 수 있다.
본원에서, "인접한 치환기와 연결되어 형성된 고리"는 인접한 두 개 이상의 치환기가 연결 또는 융합되어 형성된 치환 또는 비치환된 (3-30원)의 단일환 또는 다환의 지환족, 방향족 또는 이들의 조합의 고리를 의미하고, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 (3-26원), 더욱 바람직하게는 치환 또는 비치환된 (5-20원)의 단일환 또는 다환의 지환족, 방향족 또는 이들의 조합의 고리일 수 있다. 또한, 형성된 고리는 B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수 있다.
본원에서, 헤테로아릴, 헤테로아릴렌, 및 헤테로시클로알킬은 각각 독립적으로, B, N, O, S, Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 헤테로원자는 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노, 및 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이 결합될 수 있다.
상기 화학식 1에서, Ar은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 또는 -NX9X10이다. 본원의 일 양태에 따르면, Ar은 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴, 또는 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴, 또는 -NX9X10이다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, Ar은 하나 이상의 (C1-C10)알킬로 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴; 하나 이상의 (C6-C18)아릴로 치환 또는 비치환된, 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 포함하는 (5-25원)헤테로아릴; 또는 -NX9X10이다. 구체적으로, Ar은 치환 또는 비치환된 페닐, 치환 또는 비치환된 나프틸, 치환 또는 비치환된 비페닐, 치환 또는 비치환된 터페닐, 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐, 치환 또는 비치환된 피리딜, 치환 또는 비치환된 트리아진일, 치환 또는 비치환된 피리미딘일, 치환 또는 비치환된 퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 벤조푸로피리미딘일, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜일, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란일, 치환 또는 비치환된 벤조푸란일, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐, 치환 또는 비치환된 플루오레닐, 치환 또는 비치환된 벤조플루오레닐, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐, 치환 또는 비치환된 벤조나프토푸란일, 또는 치환 또는 비치환된 벤조나프토티오펜일, 또는 -NX9X10일 수 있다. 예를 들면, Ar은 페닐, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 디메틸플루오레닐, 디메틸벤조플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 페닐로 치환된 피리딜, 하나 이상의 페닐로 치환된 트리아진일, 하나 이상의 페닐로 치환된 피리미딘일, 페닐로 치환된 퀴놀릴, 페닐 및 나프틸 중 하나 이상으로 치환된 퀴나졸리닐, 페닐 및 나프틸 중 하나 이상으로 치환된 퀴녹살리닐, 하나 이상의 페닐로 치환된 나프티리디닐, 디벤조푸란일, 디벤조티오페닐, 하나 이상의 페닐로 치환된 벤조푸로피리미디닐, 하나 이상의 페닐로 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 하나 이상의 페닐로 치환된 벤조퀴녹살리닐, 하나 이상의 페닐로 치환된 벤조퀴나졸리닐, 또는 -NX9X10일 수 있다.
상기 X9 및 X10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이다. 본원의 일 양태에 따르면, X9 및 X10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴이다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, X9 및 X10은 각각 독립적으로 (C6-C18)아릴로 치환 또는 비치환된 (C6-C18)아릴, 또는 (C6-C18)아릴로 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이다. 예를 들면, X9 및 X10은 각각 독립적으로 페닐, 나프틸, 비페닐, 나프틸페닐, 또는 페닐로 치환 또는 비치환된 카바졸릴일 수 있다.
상기 화학식 1에서, L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이다. 본원의 일 양태에 따르면, L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴렌이다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, L1은 단일 결합, 비치환된 (C6-C18)아릴렌, 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴렌이다. 예를 들면, L1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 비페닐렌, 카바졸릴렌, 퀴나졸릴렌, 퀴녹살리닐렌, 벤조푸로피리미디닐렌, 나프티리디닐렌, 벤조퀴녹살리닐렌, 퀴놀릴렌, 또는 벤조퀴나졸리닐렌일 수 있다.
상기 화학식 1에서, X1 내지 X8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, -NX11X12 또는 -SiX13X14X15이거나; X1 내지 X8 중 인접한 둘 이상은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고; 단, X1과 X2, X2와 X3, X3과 X4, X4와 X5, X5와 X6, X6과 X7, 및 X7과 X8 중 하나 이상은 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 단일환 또는 2 내지 5개의 고리를 갖는 다환 고리를 형성한다. 본원의 일 양태에 따르면, X1 내지 X8은 각각 독립적으로 수소이거나, X1 내지 X8 중 인접한 둘 이상은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고; 단, X1과 X2, X2와 X3, X3과 X4, X4와 X5, X5와 X6, X6과 X7, 및 X7과 X8 중 하나 이상은 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 단일환 또는 2 내지 5개의 고리를 갖는 다환 고리를 형성한다. 예를 들면, X1 내지 X8은 각각 독립적으로 수소이거나, X1 내지 X8 중 인접한 둘 이상은 서로 연결되어 벤젠 고리, 페닐, 나프틸, 비페닐 또는 터페닐로 치환된 인돌 고리, 또는 페닐로 치환된 벤조인돌 고리를 형성할 수 있다.
X11 내지 X15는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본원의 일 양태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 하나 이상으로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure 112019087500420-pat00003
[화학식 1-3] [화학식 1-4]
Figure 112019087500420-pat00004
[화학식 1-5]
Figure 112019087500420-pat00005
상기 화학식 1-1 내지 1-5에서, Ar 및 L1은 화학식 1에서 정의된 바와 같고, V는 각각 독립적으로 CX18X19, NX20, O 또는 S이다. 본원의 일 양태에 따르면, V는 NX20이다.
X18 내지 X31은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이다. 본원의 일 양태에 따르면, X18 내지 X20은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C20)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴이고, X21 내지 X31은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, X18 내지 X20은 각각 독립적으로 비치환된 (C6-C18)아릴이고, X21 내지 X31은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다. 예를 들면, X18 내지 X20은 각각 독립적으로 페닐, 나프틸, 비페닐 또는 터페닐일 수 있고, X21 내지 X31은 각각 독립적으로 수소일 수 있다.
f, g, j, k, l 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, c 내지 e, h 및 i는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고, c 내지 m이 각각 2 이상인 경우, 각각의 X21 내지 X31은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본원의 일 양태에 따르면, 상기 화학식 1-5가 하기 화학식 1-6으로 표시되는 경우는 제외할 수 있다.
[화학식 1-6]
Figure 112019087500420-pat00006
상기 화학식 1-6에서, Ar, L1, V, X30, X31, l 및 m은 상기 화학식 1-5에서 정의된 바와 같다.
상기 화학식 2에서, X는 -O- 또는 -S-이다.
상기 화학식 2에서, HAr은 하나 이상의 질소 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이다. 본원의 일 양태에 따르면, HAr은 하나 이상의 질소 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴이다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, HAr은 (C6-C18)아릴 및 (3-20원)헤테로아릴 중 하나 이상으로 치환된, 하나 이상의 질소 원자를 포함하는 (5-25원)헤테로아릴이다. 구체적으로, HAr은 치환 또는 비치환된 트리아진일, 치환 또는 비치환된 피리딜, 치환 또는 비치환된 피리미딘일, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 벤조이소퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴, 치환 또는 비치환된 피라졸릴, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐, 치환 또는 비치환된 벤조티에노피리미딘일, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 또는 치환 또는 비치환된 피리도피라진일일 수 있다. 예를 들면, HAr은 치환된 퀴녹살리닐, 치환된 퀴나졸리닐, 치환된 나프티리디닐, 치환된 카바졸릴, 치환된 피리도피라진일, 치환된 벤조퀴녹살리닐, 치환된 벤조퀴나졸리닐, 또는 치환된 트리아진일일 수 있고; 상기 치환된 퀴녹살리닐, 치환된 퀴나졸리닐, 치환된 나프티리디닐, 치환된 카바졸릴, 치환된 피리도피라진일, 치환된 벤조퀴녹살리닐, 치환된 벤조퀴나졸리닐, 및 치환된 트리아진일의 치환기는 페닐, 카바졸릴로 치환된 페닐, 디페닐아미노로 치환된 페닐, 페닐퀴녹살리닐로 치환된 페닐, 디벤조푸란일로 치환된 페닐, 디벤조티오펜일로 치환된 페닐, 나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 비페닐, 터페닐, 디메틸플루오레닐, 디메틸벤조플루오레닐, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페닐로 치환된 카바졸릴, 디벤조푸란일, 및 디벤조티오펜일 중 하나 이상일 수 있다.
상기 화학식 2에서, L2는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이다. 본원의 일 양태에 따르면, L2는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴렌이다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, L2는 단일 결합, (C6-C18)아릴로 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴렌, 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴렌이다. 예를 들면, L2는 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 비페닐렌, 페닐나프틸렌, 나프틸페닐렌, 또는 나프티리디닐렌일 수 있다.
상기 화학식 2에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있다. 예를 들어, 두 개의 R1끼리, 두 개의 R2끼리, 및/또는 R1과 R2가 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다. 본원의 일 양태에 따르면, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다.
상기 화학식 2에서, a는 1 내지 4의 정수이고, b는 1 내지 3의 정수이고, a 및 b가 각각 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1 및 각각의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본원의 일 양태에 따르면, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 및 2-2 중 하나 이상으로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1] [화학식 2-2]
Figure 112019087500420-pat00007
상기 화학식 2-1 및 2-2에서, X, R1, R2, L2, a 및 b는 화학식 2에서 정의된 바와 같다.
상기 화학식 2-2에서, A 고리는 치환 또는 비치환된 (6-10 원)고리이다. 본원의 일 양태에 따르면, A 고리는 (C6-C18)아릴 또는 (5-20원)헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 (6-10원) 단일환 또는 다환 고리일 수 있다. 예를 들면, A 고리는 벤젠 고리; 나프탈렌 고리; 페닐, 비페닐, 나프틸, 디메틸플루오레닐, 디메틸벤조플루오레닐 또는 페닐카바졸릴로 치환 또는 비치환된 피리딘 고리; 또는 페닐로 치환된 피라진 고리 등일 수 있다.
상기 화학식 2-1 및 2-2에서, Y1 내지 Y5, 및 Y11 내지 Y13은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이다.
상기 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 R3끼리 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다. 본원의 일 양태에 따르면, R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C20)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C25)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-25원)헤테로아릴이다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, (C1-C10)알킬 및 (3-20원)헤테로아릴 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 (C6-C18)아릴로 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이다. 예를 들면, R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 페닐, 나프틸, 비페닐, 디메틸플루오레닐, 페난트레닐, 나프틸페닐, 페닐나프틸, 디메틸벤조플루오레닐, 터페닐, 트리페닐레닐, 페닐로 치환된 카바졸릴, 디벤조푸란일 또는 디벤조티오펜일일 수 있고, 상기 치환된 페닐의 치환기는 카바졸릴, 디페닐아미노, 페닐퀴녹살리닐, 디벤조푸란일 및 디벤조티오펜일 중 하나 이상일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 구체적으로 하기의 화합물로서 예시될 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112019087500420-pat00008
Figure 112019087500420-pat00009
Figure 112019087500420-pat00010
Figure 112019087500420-pat00011
Figure 112019087500420-pat00012
Figure 112019087500420-pat00013
Figure 112019087500420-pat00014
Figure 112019087500420-pat00015
Figure 112019087500420-pat00016
Figure 112019087500420-pat00017
Figure 112019087500420-pat00018
Figure 112019087500420-pat00019
Figure 112019087500420-pat00020
Figure 112019087500420-pat00021
Figure 112019087500420-pat00022
Figure 112019087500420-pat00023
Figure 112019087500420-pat00024
Figure 112019087500420-pat00025
Figure 112019087500420-pat00026
Figure 112019087500420-pat00027
Figure 112019087500420-pat00028
Figure 112019087500420-pat00029
Figure 112019087500420-pat00030
Figure 112019087500420-pat00031
Figure 112019087500420-pat00032
Figure 112019087500420-pat00033
Figure 112019087500420-pat00034
Figure 112019087500420-pat00035
Figure 112019087500420-pat00036
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 구체적으로 하기의 화합물로서 예시될 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112019087500420-pat00037
Figure 112019087500420-pat00038
Figure 112019087500420-pat00039
Figure 112019087500420-pat00040
Figure 112019087500420-pat00041
Figure 112019087500420-pat00042
Figure 112019087500420-pat00043
Figure 112019087500420-pat00044
Figure 112019087500420-pat00045
Figure 112019087500420-pat00046
Figure 112019087500420-pat00047
Figure 112019087500420-pat00048
Figure 112019087500420-pat00049
Figure 112019087500420-pat00050
Figure 112019087500420-pat00051
Figure 112019087500420-pat00052
Figure 112019087500420-pat00053
Figure 112019087500420-pat00054
Figure 112019087500420-pat00055
Figure 112019087500420-pat00056
Figure 112019087500420-pat00057
Figure 112019087500420-pat00058
Figure 112019087500420-pat00059
Figure 112019087500420-pat00060
Figure 112019087500420-pat00061
Figure 112019087500420-pat00062
Figure 112019087500420-pat00063
Figure 112019087500420-pat00064
Figure 112019087500420-pat00065
Figure 112019087500420-pat00066
Figure 112019087500420-pat00067
Figure 112019087500420-pat00068
Figure 112019087500420-pat00069
Figure 112019087500420-pat00070
Figure 112019087500420-pat00071
Figure 112019087500420-pat00072
Figure 112019087500420-pat00073
Figure 112019087500420-pat00074
Figure 112019087500420-pat00075
Figure 112019087500420-pat00076
Figure 112019087500420-pat00077
Figure 112019087500420-pat00078
Figure 112019087500420-pat00079
Figure 112019087500420-pat00080
Figure 112019087500420-pat00081
Figure 112019087500420-pat00082
Figure 112019087500420-pat00083
Figure 112019087500420-pat00084
Figure 112019087500420-pat00085
Figure 112019087500420-pat00086
Figure 112019087500420-pat00087
Figure 112019087500420-pat00088
Figure 112019087500420-pat00089
Figure 112019087500420-pat00090
Figure 112019087500420-pat00091
상기 화합물 C1-1 내지 C1-145 중 하나 이상과 상기 화합물 C2-1 내지 C2-275 중 하나 이상이 조합되어 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있다. 본원의 일 양태에 따르면, 상기 화학식 1-3으로 표시되는 화합물 하나 이상과 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 하나 이상이 조합되어 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있다.
본원의 또 다른 일 양태에 따른 유기 전계 발광 화합물은 하기 화학식 2-1-1로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1-1]
Figure 112019087500420-pat00092
상기 화학식 2-1-1에서,
Xa는 O 또는 S이고;
La는 1,2-나프틸렌 구조를 제외한 비치환된 나프틸렌이고;
Ara 및 Arb는 각각 독립적으로, 비치환된 페닐, 비치환된 나프틸, 비치환된 비페닐, 비치환된 터페닐, 또는 이들의 조합이다.
본원의 일 양태에 따르면, La는 1,2-나프틸렌 구조를 제외한 비치환된 나프틸렌이며, 예를 들어, 하기 그룹 1에 나열된 치환기 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[그룹 1]
Figure 112019087500420-pat00093
*는 상기 화학식 2-1-1에서 인접한 고리와의 연결 위치를 나타낸다.
본원의 일 양태에 따르면, Ara 및 Arb는 각각 독립적으로, 비치환된 페닐, 비치환된 나프틸, 비치환된 비페닐, 비치환된 터페닐, 또는 이들의 조합이고, 바람직하게는, 각각 독립적으로, 비치환된 페닐, 비치환된 o-비페닐, 비치환된 m-비페닐, 비치환된 p-비페닐, 비치환된 나프틸, 비치환된 m-터페닐, 또는 비치환된 p-터페닐일 수 있다.
상기 화학식 2-1-1로 표시되는 화합물은 구체적으로 하기의 화합물로서 예시될 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112019087500420-pat00094
Figure 112019087500420-pat00095
Figure 112019087500420-pat00096
Figure 112019087500420-pat00097
Figure 112019087500420-pat00098
Figure 112019087500420-pat00099
Figure 112019087500420-pat00100
Figure 112019087500420-pat00101
Figure 112019087500420-pat00102
Figure 112019087500420-pat00103
Figure 112019087500420-pat00104
Figure 112019087500420-pat00105
Figure 112019087500420-pat00106
Figure 112019087500420-pat00107
Figure 112019087500420-pat00108
Figure 112019087500420-pat00109
Figure 112019087500420-pat00110
Figure 112019087500420-pat00111
Figure 112019087500420-pat00112
Figure 112019087500420-pat00113
Figure 112019087500420-pat00114
Figure 112019087500420-pat00115
Figure 112019087500420-pat00116
Figure 112019087500420-pat00117
Figure 112019087500420-pat00118
본원의 일 양태에 따르면, 상기 화학식 2-1-1로 표시되는 화합물이 단독 또는 둘 이상이 조합되어 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있다.
본원에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1 및 당업자에게 공지된 합성 방법으로 제조할 수 있으며, 예를 들면, 한국 공개특허공보 제2015-0135109호 (2015.12.02. 공개), 제2016-0099471호 (2016.08.22. 공개), 제 2015-0077513호 (2015.07.08. 공개), 및 제 2017-0129599호 (2017.11.27. 공개)를 참조하여 제조할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
[반응식 1]
Figure 112019087500420-pat00119
상기 반응식 1에서, Ar, L1, X20, X27 내지 X29, i, j 및 k는 각각 화학식 1-4에서 정의한 바와 같다.
본원의 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 반응식 2 및 당업자에게 공지된 합성 방법으로 제조될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
[반응식 2]
Figure 112019087500420-pat00120
상기 반응식 2에서, X, HAr, L2, R1, R2, a, 및 b는 각각 화학식 2에서 정의한 바와 같다.
본원에 따른 유기 전계 발광 소자는 양극, 음극 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 적어도 1층의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층은 제1 유기 전계 발광 재료로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물, 및 제2 유기 전계 발광 재료로 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 복수 종의 유기 전계 발광 재료를 포함할 수 있다. 본원의 일 양태에 따르면, 본원에 따른 유기 전계 발광 소자는 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 적어도 1층의 발광층을 포함하고, 상기 발광층 중 적어도 1층은 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, 본원에 따른 유기 전계 발광 소자는 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 적어도 1층의 발광층을 포함하고, 상기 발광층 중 적어도 1층은 화학식 2-1-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 발광층은 호스트와 도판트를 포함하고, 상기 호스트는 복수 종의 호스트 재료를 포함하며, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 복수 종의 호스트 재료 중 제1 호스트 화합물로, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 복수 종의 호스트 재료 중 제2 호스트 화합물로 포함될 수 있다. 여기서, 제1 호스트 화합물과 제 2 호스트 화합물의 중량비는 약 1:99 내지 약 99:1, 바람직하게는 약 10:90 내지 약 90:10, 더욱 바람직하게는 약 30:70 내지 약 70:30, 더욱 바람직하게는 약 40:60 내지 60:40이며, 더욱 더 바람직하게는 약 50:50이다.
본원에서 발광층은 발광이 이루어지는 층으로서 단일층일 수 있으며, 또한 2개 이상의 층이 적층된 복수의 층일 수 있다. 본원의 복수 종의 호스트 재료는 제1 및 제2 호스트 재료가 모두 하나의 층에 포함될 수도 있고, 제1 및 제2 호스트 재료가 각각 다른 발광층에 포함될 수도 있다. 본원의 일 태양에 따르면, 상기 발광층의 호스트 화합물에 대한 도판트 화합물의 도핑 농도는 20 중량% 미만일 수 있다. 본원의 다른 일 양태에 따르면, 상기 발광층에는 화학식 2-1-1로 표시되는 화합물인 단독으로 포함될 수도 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자는 정공주입층, 정공전달층, 정공보조층, 발광보조층, 전자전달층, 전자주입층, 계면층(interlayer), 전자버퍼층, 정공차단층 및 전자차단층에서 선택되는 1층 이상을 더 포함할 수 있다. 본원의 일 양태에 따르면, 본원의 유기 전계 발광 소자는 본원의 복수 종의 호스트 재료 이외에 아민계 화합물을 정공 주입 재료, 정공 전달 재료, 정공 보조 재료, 발광 재료, 발광 보조 재료, 및 전자 차단 재료 중 하나 이상으로 더 포함할 수 있다. 또한, 본원의 일 양태에 따르면, 본원의 유기 전계 발광 소자는 본원의 복수 종의 호스트 재료 이외에 아진계 화합물을 전자 전달 재료, 전자 주입 재료, 전자 버퍼 재료 및 정공 차단 재료 중 하나 이상으로 더 포함할 수 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자에 포함되는 도판트로는 하나 이상의 인광 또는 형광 도판트를 사용할 수 있고, 인광 도판트가 바람직하다. 본원의 유기 전계 발광 소자에 적용되는 인광 도판트 재료는 특별히 제한되지는 않으나, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 착체 화합물일 수 있고, 경우에 따라 바람직하게는, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 오르토 메탈화 착체 화합물일 수 있으며, 경우에 따라 더 바람직하게는, 오르토 메탈화 이리듐 착체 화합물일 수 있다.
본원의 유기 전계 발광 소자에 포함되는 도판트로 하기 화학식 101로 표시되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
[화학식 101]
Figure 112019087500420-pat00121
상기 화학식 101에서,
L은 하기 구조 1 또는 2에서 선택되고;
[구조 1] [구조 2]
Figure 112019087500420-pat00122
Figure 112019087500420-pat00123
R100 내지 R107은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 시아노, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시이고; 인접 치환기끼리 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있고, 예를 들면 R100 내지 R103은 인접한 치환기와 연결되어 치환 또는 비치환된 퀴놀린, 치환 또는 비치환된 벤조푸로피리딘, 치환 또는 비치환된 벤조티에노피리딘, 치환 또는 비치환된 인데노피리딘, 치환 또는 비치환된 벤조푸로퀴놀린, 치환 또는 비치환된 벤조티에노퀴놀린, 또는 치환 또는 비치환된 인데노퀴놀린 형성이 가능하며, R104 내지 R107은 인접한 치환기와 연결되어 치환 또는 비치환된 나프틸, 치환 또는 비치환된 플루오렌, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란, 치환 또는 비치환된 인데노피리딘, 치환 또는 비치환된 벤조푸로피리딘, 또는 치환 또는 비치환된 벤조티에노피리딘 형성이 가능하며;
R201 내지 R211은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고, 인접 치환기끼리 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
n'은 1 내지 3의 정수이다.
구체적으로, 상기 도판트 화합물의 구체적인 예는 다음과 같으나, 이에 한정되지는 않는다.
Figure 112019087500420-pat00124
Figure 112019087500420-pat00125
Figure 112019087500420-pat00126
Figure 112019087500420-pat00127
Figure 112019087500420-pat00128
Figure 112019087500420-pat00129
Figure 112019087500420-pat00130
Figure 112019087500420-pat00131
Figure 112019087500420-pat00132
Figure 112019087500420-pat00133
Figure 112019087500420-pat00134
Figure 112019087500420-pat00135
Figure 112019087500420-pat00136
Figure 112019087500420-pat00137
Figure 112019087500420-pat00138
Figure 112019087500420-pat00139
Figure 112019087500420-pat00140
Figure 112019087500420-pat00141
Figure 112019087500420-pat00142
Figure 112019087500420-pat00143
Figure 112019087500420-pat00144
Figure 112019087500420-pat00145
본원의 일 양태에 따르면, 본원의 유기 전계 발광 소자는 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 적어도 1층의 발광층을 포함하고, 상기 발광층 중 적어도 1층은 본원의 복수 종의 호스트 재료 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112019087500420-pat00146
상기 화학식 3에서, R11 내지 R13은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C5)알킬이고, R14는 치환 또는 비치환된 (C1-C5)알킬, 또는 (C1-C5)알킬로 치환 또는 비치환된 페닐이다.
본원의 유기 전계 발광 소자의 각 층은 진공 증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온 플레이팅 등의 건식 성막법이나, 잉크 젯 프린팅(ink jet printing), 노즐 프린팅(nozzle printing), 슬롯 코팅(slot coating), 스핀 코팅, 침지 코팅(dip coating), 플로우 코팅 등의 습식 성막법 중 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다.
습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하는데, 그 용매는 각 층을 형성하는 재료가 용해 또는 분산될 수 있고, 성막성에 문제가 없는 것이라면 어느 것이어도 된다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 상기 열거된 방법으로 성막할 수 있으며, 흔히 공증착 또는 혼합증착 공정에 의해 성막할 수 있다. 상기 공증착은 두 가지 이상의 재료를 각각의 개별 도가니 소스에 넣고, 두 셀을 동시에 전류를 인가하여 재료를 증발시켜 혼합 증착하는 방식이고, 상기 혼합 증착은 증착 전 두 가지 이상의 재료를 하나의 도가니 소스에 혼합한 후, 하나의 셀에 전류를 인가하여 재료를 증발시켜 혼합 증착하는 방식이다.
본원의 복수 종의 호스트 재료를 포함하여 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본원의 유기 전계 발광 소자를 이용하여 표시 장치 또는 조명 장치를 제조하는 것이 가능하다. 구체적으로, 본원의 유기 전계 발광 소자를 이용하여 디스플레이 장치, 예를 들면, 스마트폰, 태블릿, 노트북, PC, TV 또는 차량용의 디스플레이 장치, 또는 조명 장치, 예를 들면, 옥외 또는 옥내용 조명 장치를 제조하는 것이 가능하다.
이하에서, 본원에 따른 OLED 의 발광 효율 및 수명 특성을 살펴본다. 그러나, 이하의 실시예는 본원의 상세한 이해를 위하여 본원에 따른 OLED의 특성을 설명한 것일 뿐, 본원은 하기의 예들에 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1] 화합물 C1-128의 제조
Figure 112019087500420-pat00147
1) 화합물 1의 합성
플라스크에 7H-디벤조[c,g]카바졸 (60 g, 224 mmol)을 DMF 900 mL에 녹인 뒤 0℃로 냉각 교반하였다. NBS (36 g, 202 mmol)을 DMF 220 mL에 녹여 2.5시간 동안 적가하였다. 상온에서 2시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 Na2S2O3 수용액과 물로 씻어주며 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 MgSO4를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 실리카 필터로 분리하여 화합물 1 (79 g, 수율: 79%)을 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (76 g, 220 mmol), 아이오도벤젠 (90 g, 439 mmol), CuI (20.90 g, 110 mmol), 에틸렌디아민(EDA) (13 g, 110 mmol), 및 K3PO4(139 g, 659 mmol)을 톨루엔 1.1 L에 투입한 후 2.5 시간 동안 환류 교반하였다. MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압 여과하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 2 (55.1 g, 수율: 60%)를 얻었다.
3) 화합물 3의 합성
화합물 2 (54.6 g, 129 mmol), 2-클로로아닐린 (20 g, 155 mmol), Pd(OAc)2 (2.9 g, 13 mmol), P(t-Bu)3 (5.2 g, 26 mmol), NaOt-Bu (31 g, 323 mmol), 및 톨루엔 650 mL 를 4시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각시키고 NH4Cl(aq)를 넣었다. EA로 추출하고 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 감압 증류하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 3 (47.9 g, 수율: 79%)을 얻었다.
4) 화합물 4의 합성
화합물 3 (48 g, 103 mmol), Pd(OAc)2 (2.3 g, 10 mmol), 리간드(트리시클로헥실포스포늄 테트라플루오로보레이트) (7.6 g, 21 mmol), Cs2CO3 (100 g, 308 mmol) 및 DMA 400 mL를 1시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각시키고 NH4Cl(aq)를 넣었다. 메틸렌 클로라이드(MC)로 추출하고 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 감압 증류하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 4 (44 g, 수율: 79%)을 얻었다.
5) 화합물 C1 -128의 합성
화합물 4 (5 g, 12 mmol), 아이오도벤젠 (3.5 g, 17 mmol), CuI (1.1 g, 6 mmol), 1,2-디아미노사이클로헥산 (2.6 g, 23 mmol), 및 K3PO4 (4.9 g, 23 mmol)을 o-자일렌 60 mL 에 투입한 후 하루동안 환류교반하였다. 상온으로 냉각한 후 셀라이트 필터를 MC로 진행하고 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-128 (1.3 g, 수율: 22%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00148
Figure 112019087500420-pat00149
[ 실시예 2] 화합물 C1-129의 제조
Figure 112019087500420-pat00150
화합물 4 (7 g, 16 mmol), 2-브로모나프탈렌 (6.7 g, 32 mmol), CuI (1.5 g, 8 mmol), 1,2-디아미노사이클로헥산 (3.7 g, 32 mmol), 및 K3PO4 (10.3 g, 49 mmol)을 o-자일렌 80 mL 에 투입한 후 하루 동안 환류교반하였다. 상온으로 냉각한 후 셀라이트 필터를 MC로 진행하고 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-129 (1.3 g, 수율: 22%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00151
Figure 112019087500420-pat00152
[ 실시예 3] 화합물 C1-131의 제조
Figure 112019087500420-pat00153
1) 화합물 14의 합성
화합물 1 (15 g, 220 mmol), 3-아이오도-1,1'-비페닐 (18 g, 65 mmol), CuI (4.1 g, 22 mmol), 에틸렌디아민 (2.6 g, 43 mmol), K3PO4 (23 g, 108 mmol), 및 톨루엔 216 mL를 투입한 후 4 시간 동안 환류 교반하였다. MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압 여과하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 14 (16 g, 수율: 74%)를 얻었다.
2) 화합물 15의 합성
화합물 14 (15 g, 30 mmol), 2-클로로아닐린 (7.7 g, 60 mmol), Pd(OAc)2 (0.67 g, 3 mmol), P(t-Bu)3 (1.2 g, 6 mmol), NaOt-Bu (7.2 g, 75 mmol), 및 톨루엔 150 mL 를 2시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각시키고 NH4Cl(aq)를 넣었다. EA로 추출하고 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 감압 증류하고 컬럼 분리하여 화합물 15 (10.1 g, 수율: 62%)을 얻었다.
3) 화합물 16의 합성
화합물 15 (10 g, 18 mmol), Pd(OAc)2 (0.41 g, 1.8 mmol), 리간드(트리시클로헥실포스포늄 테트라플루오로보레이트) (1.35 g, 3.7 mmol), Cs2CO3 (18 g, 55 mmol) 및 DMA 92 mL를 1시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각시키고 NH4Cl(aq)를 넣었다. MC로 추출하고 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 감압 증류하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 16 (7.1 g, 수율: 76%)을 얻었다.
4) 화합물 C1 -131의 합성
화합물 16 (6.7 g, 13 mmol), 3-아이오도-1,1'-비페닐 (7.4 g, 26 mmol), Cu 분말 (0.42 g, 7 mmol), 및 K2CO3 (3.6 g, 26 mmol)을 o-디클로로벤젠 70 mL 에 투입한 후 하루 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 셀라이트 필터를 MC로 진행하고 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-131 (3.1 g, 수율: 36%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00154
Figure 112019087500420-pat00155
[ 실시예 4] 화합물 C1-130의 제조
Figure 112019087500420-pat00156
화합물 4 (4 g, 9.25 mmol), 3-아이오도-1,1'-비페닐 (3.1 g, 11.1 mmol), Pd2(dba)3 (0.42 g, 0.46 mmol), s-phos (0.38 g, 0.92 mmol), 및 NaOt-Bu (2.2 g, 23.13 mmol)을 o-자일렌 46 mL 에 투입한 후 하루동안 환류교반하였다. MC로 추출 후 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-130 (1.2 g, 수율: 23%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00157
Figure 112019087500420-pat00158
[ 실시예 5] 화합물 C1-133의 제조
Figure 112019087500420-pat00159
1) 화합물 1의 합성
5-브로모-7H-디벤조[c,g]카바졸 (8.5 g, 0.025 mol), 2-아이오도-나프탈렌 (10.7 g, 0.042 mol), EDA (1.49 g, 0.025 mol), K3PO4 (13.1 g, 0.062 mol), 및 CuI (2.3 g, 0.012 mol)에 톨루엔 124 mL를 투입한 후 하루동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 MC로 추출 후 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 1 (7.6 g, 수율: 58%)를 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (7.5 g, 0.016 mol), 2-클로로-벤젠아민 (2.4 g, 0.019 mol), Pd(OAc)2 (0.36 g, 0.002 mol), P(t-Bu)3 (0.15 g, 0.003 mol), 및 NaOt-Bu (3.8 g, 0.04 mol)를 톨루엔 80 mL 에 투입한 후 100℃에서 하루동안 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압 증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 2 (3.6 g, 수율: 43%)를 얻었다.
3) 화합물 3의 합성
화합물 2 (5.8 g, 0.011 mol), P(Cy3)HFB4 (0.82 g, 0.002 mol), Pd(OAc)2 (0.25 g, 0.001 mol), 및 Cs2CO3 (10.9 g, 0.033 mol)을 DMA 44.4 mL에 투입한 후 하루동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 한 뒤 증류수와 MC로 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 3 (4.2 g, 수율: 76%)를 얻었다.
4) 화합물 C1 -133의 합성
화합물 3 (4.2 g, 0.009 mol), 아이오도벤젠 (1.9 mL, 0.017 mol), CuI (0.8 g, 0.004 mol), 1,2-디아미노사이클로헥산 (2 mL, 0.018 mol), 및 K3PO4 (3.7 g, 0.017 mol)을 o-자일렌 44 mL 에 투입한 후 하루동안 환류교반하였다. MC로 추출 후 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-133 (1.2 g, 수율: 24%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00160
Figure 112019087500420-pat00161
[ 실시예 6] 화합물 C1-132의 제조
Figure 112019087500420-pat00162
1) 화합물 1의 합성
플라스크에 7H-디벤조[c,g]카바졸 (50 g, 187 mmol)을 DMF 750 mL에 녹인 뒤 0℃로 냉각 교반하였다. NBS (30 g, 168 mmol)을 DMF 250 mL에 녹여 1시간 동안 적가하였다. 상온에서 2시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 Na2S2O3 수용액과 물로 씻어주며 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 MgSO4를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 실리카 필터로 분리하여 화합물 1 (40 g, 수율: 62%)을 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (11 g, 32 mmol), 4-아이오도-1,1'-비페닐 (17.8 g, 64 mmol), CuI (3.0 g, 15.9 mmol), 에틸렌디아민 (1.91 g, 31.8 mmol), K3PO4 (20.3 g, 95 mmol), 및 톨루엔 160 mL 를 투입한 후 4 시간 동안 환류교반하였다. MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압 여과하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 2 (13.0 g, 수율: 82%)를 얻었다.
3) 화합물 3의 합성
화합물 2 (13.0 g, 26 mmol), 2-클로로아닐린 (6.7 g, 52 mmol), Pd(OAc)2 (0.59 g, 2.6 mmol), P(t-Bu)3 (1.1 g, 5.2 mmol), NaOt-Bu(6.3 g, 65 mmol), 및 톨루엔 130 mL 를 4시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각시키고 NH4Cl(aq)를 넣었다. EA로 추출하고 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 감압 증류하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 3 (9.2 g, 수율: 65%)을 얻었다.
4) 화합물 4의 합성
화합물 3 (9.2 g, 17 mmol), Pd(OAc)2 (0.38 g, 2 mmol), 리간드(트리시클로헥실포스포늄 테트라플루오로보레이트) (1.2 g, 3 mmol), Cs2CO3 (138 g, 42 mmol) 및 DMA 70 mL를 1시간 동안 환류 교반하였다. 상온으로 냉각시키고 NH4Cl(aq)를 넣었다. 생성된 고체를 감압 증류하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 4 (6.0 g, 수율: 70%)을 얻었다.
5) 화합물 C1 -132의 합성
화합물 4 (6 g, 12 mmol), 2-브로모나프탈렌 (4.9 g, 24 mmol), CuI (1.1g, 6 mmol), 1,2-디아미노사이클로헥산 (2.7 g, 24 mmol), 및 K3PO4 (7.5 g, 35 mmol)을 o-자일렌 60 mL 에 투입 후 하루동안 환류교반하였다. 상온으로 냉각한 후 에틸아세테이트와 물을 넣어 유기층을 분리한 후 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 셀라이트 필터를 MC로 진행하고 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-132 (2.1 g, 수율: 28%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00163
Figure 112019087500420-pat00164
[ 실시예 7] 화합물 C1-6의 제조
Figure 112019087500420-pat00165
플라스크에 화합물 1-1 (7 g, 13 mmol), 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 ( 3 g, 14.3 mmol), K2CO3 (5.4 g, 39 mmol), Pd(PPh3)4 (0.75 g, 0.65 mmol), H2O 30 mL, 톨루엔 60 mL, 및 EtOH 30 mL으로 녹인 후 120℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-6 (5.7 g, 수율: 70%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00166
Figure 112019087500420-pat00167
[ 실시예 8] 화합물 C1-47의 제조
Figure 112019087500420-pat00168
플라스크에 화합물 1-1 (5.7 g, 10.6 mmol), 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (2.5 g, 11.7 mmol), K2CO3 (4.4 g, 31.8 mmol), Pd(PPh3)4 (0.61 g, 0.653 mmol), H2O 30 mL, 톨루엔 60 mL, 및 EtOH 30 mL으로 녹인 후, 120℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-47 (1.2 g, 수율: 18%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00169
Figure 112019087500420-pat00170
[ 실시예 9] 화합물 C1-46의 제조
Figure 112019087500420-pat00171
플라스크에 화합물 1-1 (5.0 g, 9.3 mmol), 디벤조[b,d]푸란-4-일보론산(2.2 g, 10.2 mmol), Pd(PPh3)4 (0.54 g, 0.47 mmol), 및 K2CO3 (2.6 g, 18.6 mmol)을 톨루엔 20 mL, EtOH 8 mL, 및 H2O 10 mL로 녹인 후 120℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-46 (3.5 g, 수율: 60%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00172
Figure 112019087500420-pat00173
[ 실시예 10] 화합물 C1-41의 제조
Figure 112019087500420-pat00174
7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (3.6 g, 9.285 mmol), 1-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]푸란 (3 g, 9.285 mmol), CuI (0.08 g, 0.464 mmol), EDA (0.5 g, 9.285 mmol), 및 K3PO4 (4.9 g, 23.21 mmol)에 o-자일렌 50 mL를 투입 후 하루동안 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 한 뒤 증류수와 MeOH로 추출하였다. MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-41 (2.7 g, 수율: 47%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00175
Figure 112019087500420-pat00176
[ 실시예 11] 화합물 C1-3의 제조
Figure 112019087500420-pat00177
7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (7.6 g, 18.88 mmol), 3-클로로-1,1':2',1"-터페닐 (5 g, 18.88 mmol), Pd2(dba)3 (0.86 g, 0.940 mmol), NaOt-Bu (4.5 g, 47.22 mmol), 및 P(t-Bu)3 (0.38 g, 1.888 mmol)에 톨루엔 100 mL를 투입한 후 하루동안 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 증류수와 MeOH로 추출하였다. MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-3 (0.7 g, 수율: 6.2%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00178
Figure 112019087500420-pat00179
[ 실시예 12] 화합물 C1-11의 제조
Figure 112019087500420-pat00180
플라스크에 7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (5.1 g, 13 mmol), 9-(3-브로모페닐)-9H-카바졸 (4.7 g, 14.6 mmol), Pd2(dba)3 (0.604 g, 0.66 mmol), s-phos (0.546 g, 1.33mmol), NaOt-bu (3.20 g, 33.3 mmol) 및 o-자일렌 50 mL를 넣은 후 190℃에서 2시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 C1-11 (4.4 g, 수율: 53.0%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00181
Figure 112019087500420-pat00182
[ 실시예 13] 화합물 C1-18의 제조
Figure 112019087500420-pat00183
플라스크에 7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (5.0 g, 13 mmol), 4'-브로모-1,1':3',1''-터페닐 (6.06 g, 20 mmol), Cu 분말 (1.307 g, 0.65 mmol), K2CO3 (3.4 g, 26 mmol), 및 o-DCB 60 mL를 넣은 후, 230℃에서 12시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 C1-18 (1.3 g, 수율: 16.3%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00184
Figure 112019087500420-pat00185
[ 실시예 14] 화합물 C1-20의 제조
Figure 112019087500420-pat00186
1) 화합물 1의 합성
7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (10 g, 26.14 mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 (14.8 g, 52.29 mmol), CuI (2.5 g, 13.07 mmol), EDA (1.57 g, 26.14 mmol), K3PO4 (13.8 g, 65.36 mmol)에 톨루엔 130 mL를 투입한 후 하루동안 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 한 뒤 증류수와 MeOH로 추출하였다. MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 1 (9 g, 64%)를 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (9 g, 16.74 mmol)에 THF 85 mL를 투입한 후 한시간 동안 -78℃ 로 교반하면서 n-BuLi(2.5M) (8.7 mL, 21.77 mmol)을 천천히 투입한 후 B(Oi-Pr)3 (5.7 mL, 25.12 mmol)을 투입한 후 하루동안 교반하였다. 반응 종결 후 NH4Cl와 증류수를 투입 후 30분 동안 교반 후에 증류수와 EA로 추출한 후 유기층을 농축하여 화합물 2 (6.8 g, 수율: 80%)를 얻었다.
3) 화합물 C1 -20의 합성
화합물 2 (6.8 g, 13.53 mmol), 4-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌 (3.7 g, 13.53 mmol), Pd(PPh3)4 (0.8 g, 0.676 mmol), K2CO3 (3.7 g, 27.07 mmol)에 톨루엔 60 mL, EtOH 15 mL, 및 정제수 15 mL를 투입한 후 3시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 한 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-20 (1.5 g, 수율: 17%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00187
Figure 112019087500420-pat00188
[ 실시예 15] 화합물 C1-2의 제조
Figure 112019087500420-pat00189
7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (5 g, 13.07 mmol), 4-브로모-1,1':2',1"-터페닐 (4 g, 13.07 mmol), Pd2(dba)3 (0.6 g, 0.653 mmol), NaOt-Bu (3.8 g, 39.21 mmol), s-phos (0.5 g, 1.307 mmol)에 o-자일렌 70 mL를 투입한 후 하루동안 교반 하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 한 뒤 증류수와 MeOH로 추출하였다. MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-2 (6.3 g, 78%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00190
Figure 112019087500420-pat00191
[ 실시예 16] 화합물 C1-7의 제조
Figure 112019087500420-pat00192
1) 화합물 1의 합성
디벤조[b,d]티오펜-1-일보론산 (20 g, 87.71 mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 (50 g, 175.4 mmol), Pd(PPh3)4 (5 g, 4.385 mmol), 및 Na2CO3 (18 g, 175.4 mmol)에 톨루엔 360 mL, 정제수 90 mL, 및 EtOH 90 mL를 투입한 후 3시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 1 (20 g, 67%)를 얻었다.
2) 화합물 C1 -7의 합성
화합물 1 (4.4 g, 13.07 mmol), 7-페닐-7,9-디하이드로벤조[g]인돌로[2,3-b]카바졸 (5 g, 13.07 mmol), Pd2(dba)3 (0.6 g, 0.653 mmol), s-phos (0.5 g, 1.307 mmol), NaOt-Bu (3.7 g, 39.21 mmol)에 o-자일렌 70 mL를 투입한 후 2시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 MeOH로 추출한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C1-7 (5.1 g, 60%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00193
Figure 112019087500420-pat00194
[ 실시예 17] 화합물 C2-18의 제조
Figure 112019087500420-pat00195
1) 화합물 1의 합성
플라스크에 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (40.0 g, 189 mmol), 1-브로모-4-아이오도벤젠 (80.06 g, 283mmol), Pd(PPh3)4 (10.90 g, 9 mmol), Na2CO3 (49.99 g, 472mmol), 톨루엔 550 mL, EtOH 200 mL, H2O 200 mL를 적가한 후 150℃에서 2시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 1 (30.1 g, 49.3%)을 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (9.0 g, 28 mmol), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란) (10.61 g, 42 mmol), PdCl2(PPh3)2 (0.977 g, 1 mmol), KOAc (6.832 g, 70 mmol) 및 1,4-디옥산 150 mL를 적가한 후, 140℃에서 1시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 2 (10.2 g, 수율: 98.93%)을 얻었다.
3) 화합물 C2 -18의 합성
플라스크에 2,3-디클로로퀴녹살린 (2.50 g, 13 mmol), 화합물 2 (10.23 g, 28 mmol), Pd(PPh3)4 (1.451 g, 1 mmol), K2CO3 (8.680 g, 63 mmol), 톨루엔 10 mL, EtOH 3 mL, H2O 3 mL를 적가한 후 150℃에서 2시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 C2-18 (1.6 g, 수율: 20.0%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00196
Figure 112019087500420-pat00197
[ 실시예 18] 화합물 C2-3의 제조
Figure 112019087500420-pat00198
플라스크에 2-클로로-3-페닐퀴녹살린 (4.0 g, 17 mmol), 화합물 2 (8.38 g, 20 mmol), Pd(PPh3)4 (0.960 g, 0.83 mmol), K2CO3 (6.89 g, 50 mmol), 톨루엔 50 mL, EtOH 20 mL, 및 H2O 20 mL를 적가한 후 140℃에서 2시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 C2-3 (3.2 g, 수율: 38.6%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00199
Figure 112019087500420-pat00200
[ 실시예 19] 화합물 C2-29의 제조
Figure 112019087500420-pat00201
1) 화합물 1의 합성
플라스크에 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (80.0 g, 377 mmol), 1-브로모-4-아이오도벤젠 (160.13 g, 566 mmol), Pd(PPh3)4 (21.80 g, 19 mmol), Na2CO3 (99.99 g, 943 mmol), 및 톨루엔 550 mL, EtOH 200 mL, 및 H2O 200 mL를 적가한 후 150℃에서 2.5시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 1 (51.8 g, 수율: 42.5%)을 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (30.0 g, 93 mmol), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란) (35.4 g, 139 mmol), PdCl2(PPh3)2 (3.26 g, 5 mmol), KOAc (22.77 g, 232 mmol) 및 1,4-디옥산 150 mL를 적가한 후 140℃에서 1시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 2 (23.3 g, 수율: 67.8%)을 얻었다.
3) 화합물 C2-29의 합성
플라스크에 6-클로로-2,4-디페닐퀴나졸린 (4.28 g, 14 mmol), 화합물 2 (6.00 g, 16 mmol), Pd(PPh3)4 (0.780 g, 0.675 mmol), K2CO3 (4.67 g, 34 mmol) 및 톨루엔 40 mL, EtOH 15 mL, H2O 15 mL를 적가한 후 150℃에서 2시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 C2-29 (4.3 g, 수율: 60.7%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00202
Figure 112019087500420-pat00203
[ 실시예 20] 화합물 C2-27의 제조
Figure 112019087500420-pat00204
플라스크에 6-클로로-2,3-디페닐퀴녹살린 (4.28 g, 14 mmol), 2-(4-(디벤조[b,d]푸란-1-일)페닐)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란 (6.00 g, 16 mmol), Pd2(dba)3 (0.618 g, 0.675 mmol), s-phos (0.554 g, 1 mmol), NaOt-Bu (3.24 g, 34 mmol)과 o-자일렌 70 mL를 적가한 후 140℃에서 2시간 동안 환류 교반시켰다. 반응 완료 후 EA로 추출한 후 MgSO4로 건조하였다. 컬럼 크로마토그래피로 분리한 후 MeOH을 넣어 생성된 고체를 감압여과하여 화합물 C2-27 (4.6 g, 수율: 64.9%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00205
Figure 112019087500420-pat00206
[ 실시예 21] 화합물 C2-91의 제조
Figure 112019087500420-pat00207
플라스크에 화합물 1 (4 g, 13.3 mmol), 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (5.9 g, 28 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(O) (Pd(PPh3)4) (768 mg, 0.66 mmol), 2M K2CO3 13 mL, 톨루엔 52 mL, 및 에탄올 13 mL를 넣어 녹인 후 120℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-91 (2.5 g, 수율: 33%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00208
[ 실시예 22] 화합물 C2-121의 제조
Figure 112019087500420-pat00209
1) 화합물 C2-121의 합성
플라스크에 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (3.0 g, 14.2 mmol), 2-(3'-브로모-[1,1'-비페닐]-3-일)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (7.3 g, 15.6 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) (0.8 g, 0.71 mmol), 탄산나트륨 (3.9 g, 28.4 mmol), 톨루엔 30 mL, 에탄올 8 mL, 및 물 15 mL를 넣어 녹인 후 2시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거하였다. 이후 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-121 (2.7 g, 수율: 35%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00210
[ 실시예 23] 화합물 C2- 107 의 제조
Figure 112019087500420-pat00211
1) 화합물 C2-107의 합성
플라스크에 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (3.0 g, 14.2 mmol), 2-(4-브로모나프탈렌-1-일)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (6.3 g, 14.2 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) (0.82 g, 0.71 mmol), 탄산나트륨 (3.9 g, 28.4 mmol), 톨루엔 30 mL, 에탄올 8 mL, 및 물 15 mL를 넣어 녹인 후 2시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거하였다. 이후 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-107 (1.9 g, 수율: 26%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00212
[ 실시예 24] 화합물 C2-95의 제조
Figure 112019087500420-pat00213
1) 화합물 C2-95의 합성
플라스크에 2,4-디클로로-6-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 (1.6 g, 4.54 mmol), 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (2.12 g, 10 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) (0.26 g, 0.23 mmol), 탄산나트륨 (1.3 g, 9.0 mmol), 톨루엔 16 mL, 에탄올 1 mL, 및 물 4 mL를 넣어 녹인 후 3시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거하였다. 이후 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-95 (1.0 g, 수율: 36%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00214
[ 실시예 25] 화합물 C2-113의 제조
Figure 112019087500420-pat00215
1) 화합물 C2-113의 합성
플라스크에 2-(4-(디벤조[b,d]푸란-1)페닐)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란 (4.0 g, 10.8 mmol), 2-클로로-4,6-디(나프탈렌-2-일)-1,3,5-트리아진 (4.4 g, 11.9 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) (0.6 g, 0.54 mmol), 탄산나트륨 (3.0 g, 21.6 mmol), 톨루엔 30 mL, 에탄올 7 mL, 및 물 10 mL를 넣어 녹인 후 7시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거하였다. 이 후 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-113 (4.0 g, 수율: 65%)을 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00216
[ 실시예 26] 화합물 C2-115의 제조
Figure 112019087500420-pat00217
1) 화합물 1-1의 합성
플라스크에 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (20 g, 94.3 mmol), 1,4-디브로모나프탈렌 (53.9 g, 188.67 mmol), K2CO3 (32.6 g, 235.75 mmol), Pd(PPh3)4 (5.4 g, 4.7 mmol), 톨루엔 470 mL, 에탄올 235 mL, 및 물 235 mL를 넣어 녹인 후 140℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 1-1 (20g, 수율: 56.8%)을 얻었다.
2) 화합물 1-2의 합성
플라스크에 화합물 1-1 (20 g, 53.6 mmol), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란) (Bis(pinacolato)diboron) (16.3 g, 64.3 mmol), PdCl2(PPh3)2 (3.76 g, 5.36 mmol), KOAc (10.5 g, 107.2 mmol), 및 1,4-디옥산 270 mL를 넣어 녹인 후 150℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 1-2 (23g, 수율: 100%)를 얻었다.
3) 화합물 C2-115의 합성
플라스크에 화합물 1-2 (7 g, 16.6 mmol), 2-클로로-4,6-디(나프탈렌-2-일)-1,3,5-트리아진 (7.35 g, 19.9 mmol), Cs2CO3 (13.5 g, 41.5 mmol), Pd(PPh3)4 (0.959 mg, 0.83 mmol), 및 톨루엔 83 mL를 넣어 녹인 후 130℃에서 18시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-115 (2 g, 수율: 19.2%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00218
[ 실시예 27] 화합물 C2-124의 제조
Figure 112019087500420-pat00219
1) 화합물 2-1의 합성
플라스크에 2-클로로-4,6-디(나프탈렌-2-일)-1,3,5-트리아진 (32.2 g, 87.7 mmol), (4-브로모나프탈렌-1-일)보론산 (20 g, 79.7 mmol), Cs2CO3 (65 g, 199.25 mmol), Pd(PPh3)4 (4.6 g, 3.985 mmol), 및 톨루엔 400 mL를 넣어 녹인 후 140℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 2-1 (20g, 수율: 46.6%) 얻었다.
2) 화합물 C2-124의 합성
플라스크에 화합물 2-1 (7 g, 13 mmol), 화합물 2-2 (4.6 g, 15.6 mmol), K2CO3 (4.5 g, 32.5 mmol), 및 Pd(PPh3)4 (0.75 g, 0.65 mmol)을 톨루엔 65 mL, 에탄올 32.5 mL, 및 H2O 32.5 mL 로 녹인 후, 130℃에서 3 시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-124 (3.4 g, 수율: 41%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00220
[ 실시예 28] 화합물 C2-114의 제조
Figure 112019087500420-pat00221
1) 화합물 1의 합성
디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (20 g, 94.33 mmol), 1,4-디브로모나프탈렌 (54 g, 188.6 mmol), Pd(PPh3)4 (5.4 g, 4.716 mmol), 및 K2CO3 (26 g, 188.6 mmol)에 톨루엔 380 mL, EtOH 95 mL, 및 정제수 95 mL 를 투입 후 3시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 1 (20 g, 수율: 55 %)를 얻었다.
2) 화합물 2의 합성
화합물 1 (20 g, 53.59 mmol)에 PdCl2(PPh3)2 (3.7 g, 53.59 mmol), KOAc (10.5 g, 107.1 mmol), 비스(피나콜라토)디보론 (Bis(pinacolato)diboron) (17.7 g, 69.66 mmol), 1,4-디옥산 270 mL를 투입 후 2시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 셀라이트 필터(Celite filter) 후 MC로 추출한 후 유기층을 농축하였다. MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 2 (20 g, 수율: 88%)를 얻었다.
3) 화합물 C2-114의 합성
화합물 2 (6 g, 14.16 mmol), 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진 (5 g, 15.73 mmol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.786 mmol), 및 K2CO3 (4.3 g, 31.47 mmol)에 톨루엔 64 mL, EtOH 16 mL, 및 정제수 16 mL를 투입 후 2시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각한 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-114 (4g, 수율: 44%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00222
[ 실시예 29] 화합물 C2-90의 제조
Figure 112019087500420-pat00223
1) 화합물 1의 합성
2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진 (10 g, 54.22 mmol), 디벤조[b,d]푸란-1-일보론산 (20.7 g, 97.60 mmol), PdCl2(PPh3)2 (0.76 g, 1.084 mmol), 및 Na2CO3 (5.7 g, 54.22 mmol)에 톨루엔 150 mL 및 정제수 30 mL를 투입 후 이틀 동안 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 한 뒤 증류수와 MeOH로 추출하여 화합물 1 (3.4g, 수율: 14 %)를 얻었다.
2) 화합물 C2-90의 합성
화합물 1 (3.4 g, 7.592 mmol)에 나프탈렌-2-일보론산 (1.5 g, 9.111 mmol), Pd2(PPh3)4 (0.4 g, 0.379 mmol), K2CO3 (2 g, 15.18 mmol)에 톨루엔 32 mL, EtOH 8 mL, 및 정제수 8 mL를 투입 후 140℃에서 1시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 감압농축 후 MC로 추출하고, 유기층을 농축하였다. MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-90 (0.88 g, 수율: 21%)을 얻었다.
[ 실시예 30] 화합물 C2-123의 제조
Figure 112019087500420-pat00224
1) 화합물 4-1의 합성
플라스크에 2-클로로-4-(나프탈렌-2-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진 (24.7 g, 77.7 mmol), (4-브로모나프탈렌-1-일)보론산 (15.0 g, 59.8 mmol), K2CO3 (20.7 g, 149.5 mmol), 및 Pd(PPh3)4 (3.4 g, 3.0 mmol)을 톨루엔 200 mL, 에탄올 50 mL, 및 물 50 mL에 넣어 녹인 후 130℃에서 2시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 4-1 (15 g, 수율: 51.3 %)을 얻었다.
2) 화합물 C2-123의 합성
플라스크에 화합물 4-1 (7.5 g, 15.4 mmol), 화합물 2-2 (5.0 g, 16.9 mmol), K2CO3 (5.3 g, 38.4 mmol), 및 Pd(PPh3)4 (888 mg, 0.768 mmol)을 톨루엔 45 mL, 에탄올 15 mL, 및 물 15 mL 에 넣어 녹인 후 130℃에서 6시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C2-123 (4.5 g, 수율: 51%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00225
[ 실시예 31] 화합물 C-5의 제조
Figure 112019087500420-pat00226
1) 화합물 3-1의 합성
플라스크에 3-브로모디벤조푸란 (5 g, 20 mmol), 비스(피나콜라토)디보론 (7.6 g, 30 mmol), PdCl2(PPh3)2 (1.4 g, 2 mmol), KOAc (3.9 g, 50 mmol), 및 1,4-디옥산 100 mL를 넣어 녹인 후, 150℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고, 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 3-1 (5 g, 수율: 85%)을 얻었다.
2) 화합물 C-5의 합성
플라스크에 화합물 2-1 (4.4 g, 12.3 mmol), 화합물 3-1 (5 g, 13.5 mmol), K2CO3 (4.5 g, 32.5 mmol), 및 Pd(PPh3)4 (0.75 g, 0.65 mmol)을 톨루엔 60 mL, 에탄올 30 mL, 및 H2O 30 mL에 넣어 녹인 후, 130℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 C-5 (4 g, 수율: 49%)를 얻었다.
Figure 112019087500420-pat00227
[소자 실시예 1-1 내지 3-2] 본원에 따른 제1 호스트 화합물 및 제2 호스트 화합물을 공증착한 OLED 제조
본원에 따른 OLED를 제조하였다. 우선, OLED용 글래스 (지오마텍사 제조) 기판 상의 투명 전극 ITO 박막(10Ω/□)을 아세톤 및 이소프로필알코올을 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 홀더에 ITO 기판을 장착한 후, 진공 증착 장비 내의 셀에 화합물 HI -1을 넣고 챔버 내의 진공도가 10-7 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 ITO 기판 위에 80 nm 두께의 제1 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HI -2를 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 주입층 위에 5 nm 두께의 제2 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HT -1을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제2 정공 주입층 위에 10 nm 두께의 제1 정공 전달층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HT -2를 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 전달층 위에 60 nm 두께의 제2 정공 전달층을 증착하였다. 정공 주입층과 정공 전달층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 증착시켰다. 진공 증착 장비 내의 셀 두 군데에 호스트로서 하기 표 1에 기재된 각각의 제1 호스트 화합물 및 제2 호스트 화합물을 넣고, 또 다른 셀에는 도판트로서 화합물 D- 39를 넣은 후, 두 호스트 물질을 1:1의 속도로 증발시키고 동시에 도판트 물질을 다른 속도로 증발시켜 호스트와 도판트의 합계량에 대해 도판트를 3중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 정공 전달층 위에 40 nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서 상기 발광층 위에 전자 전달 재료로서 화합물 ET - 1:EI -1을 50:50 중량비로 35 nm 두께의 전자 전달층을 증착하였다. 이어서 전자 주입층으로 화합물 EI-1을 상기 전자 전달층 위에 2 nm 두께로 증착한 후, 다른 진공 증착 장비를 이용하여 Al 음극을 상기 전자 주입층 위에 80 nm의 두께로 증착하여 OLED를 제조하였다. 재료별로 각 화합물은 10-6 torr 하에서 진공 승화 정제하여 사용하였다.
[ 비교예 1 내지 3] 호스트로서 종래의 화합물을 포함하는 OLED 제조
호스트로서 종래의 화합물 하나만을 사용한 것 외에는 소자 실시예와 동일한 방법으로 OLED를 제조하였다.
상기 소자 실시예들 및 상기 비교예들에서 제조된 OLED의 1,000 nits 휘도 기준의 구동 전압, 전압 감소율, 발광 효율, 및 1,000 nits 에서의 효율에서 5,000 nits에서의 효 율값의 차를 나타낸 Roll-off, 및 1,000 nits 의 전류를 일정하게 가하여 처음 나오는 빛의 세기를 100%라 보고, 그 빛의 세기가 97%가 될 때까지 걸리는 시간(T97)을 측정하여, 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112019087500420-pat00228
상기 표 1로부터, 본원에 따른 특정 조합의 화합물을 호스트 재료로 포함하는 유기 전계 발광 소자는, 종래의 화합물 하나만을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 비하여 구동전압을 현저하게 낮출 수 있고, roll-off 특성을 개선 시켜 고휘도에서도 높은 효율을 나타냄을 알 수 있다. 또한, 본원에 따른 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자에 비하여 동등 이상의 효율 및/또는 개선된 수명특성을 나타낼 수 있음을 알 수 있다.
[소자 실시예 4 및 5] 본원에 따른 제1 호스트 화합물 및 제2 호스트 화합물을 공증착한 OLED 제조
호스트로서 하기 표 2의 화합물을 사용하고, 도판트로 화합물 D-39 대신에 화합물 D-78을 사용한 것 외에는 소자 실시예 3-2와 동일한 방법으로OLED를 제조하였다.
이상과 같이 제조된 소자 실시예 4 및 5의 유기 전계 발광 소자의 1,000 nits 휘도 기준의 구동 전압, 발광 효율, CIE 색 좌표를 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure 112019087500420-pat00229
상기 표 2로부터, 본원에 따른 특정 조합의 화합물을 호스트 재료로, 본원에 따른 특정 화합물을 도판트 재료로 포함하는 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자에 비해 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율 및/또는 우수한 색순도를 가짐을 알 수 있다.
상기 소자 실시예 1-1 내지 3-2, 4, 및 5와 비교예 1 내지 3에 사용되는 화합물을 하기 표 3에 나타내었다.
[표 3]
Figure 112019087500420-pat00230
Figure 112019087500420-pat00231
[소자 실시예 6 및 7] 본원에 따른 화합물을 포함하는 OLED 제조
본원에 따른 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 OLED를 제조하였다. 우선, OLED용 글래스(지오마텍사 제조)로부터 얻어진 투명전극 ITO 박막(10Ω/□)을, 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올 및 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 홀더에 ITO 기판을 장착한 후, 진공 증착 장비 내의 셀에 화합물 HI -1을 넣고 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 ITO 기판 위에 80 nm 두께의 제1 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HI - 2을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 주입층 위에 5 nm 두께의 제2 정공 주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HT -1을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제2 정공 주입층위에 10 nm 두께의 제1 정공 전달층을 증착하였다. 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 화합물 HT -2를 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 제1 정공 전달층 위에 60 nm 두께의 제2 정공 전달층을 증착하였다. 정공 주입층과 정공 전달층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 증착시켰다. 진공 증착 장비 내의 셀에 호스트로서 하기 표 4에 기재된 화합물을 넣고, 또 다른 셀에는 도판트로서 화합물 D- 39을 넣은 후, 호스트 물질과 도판트 물질을 다른 속도로 증발시켜 호스트와 도판트의 합계량에 대해 도판트를 3 중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 정공 전달층위에 40 nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 또 다른 셀 두 군데에 화합물 ET -1과 EI - 1를 1:1의 속도로 증발시켜 발광층 위에 35 nm 두께의 전자 전달층을 증착하였다. 이어서, 전자 주입층으로 화합물 EI -1을 상기 전자 전달층 위에 2 nm 두께로 증착한 후, 다른 진공 증착장비를 이용하여 Al 음극을 80 nm의 두께로 증착하여, OLED를 제조하였다.
[ 비교예 4 내지 6] 호스트로서 종래의 화합물을 포함하는 OLED 제조
호스트로서 하기 표 4의 화합물을 사용한 것 외에는, 소자 실시예와 동일한 방법으로 OLED를 제조하였다.
상기 소자 실시예 6 및 7 과 비교예 4 내지 6에서 제조된 OLED에 대해, 5,000 nits의 전류를 일정하게 가하여 처음 나오는 빛의 세기를 100%라 보고, 그 빛의 세기가 97% 및 80%가 될 때까지 걸리는 시간(수명; T97 및 T80)을 각각 측정하여, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
[표 4]
Figure 112019087500420-pat00232
상기 표 4로부터, 본원에 따른 화합물을 호스트 재료로 포함함으로써 수명이 상당히 개선된, 장 수명의 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
상기 소자 실시예 6 및 7 및 비교예 4 내지 6에 사용되는 화합물을 하기 표 5에 나타내었다.
[표 5]
Figure 112019087500420-pat00233
Figure 112019087500420-pat00234

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 호스트 재료 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 호스트 재료를 포함하는, 복수 종의 호스트 재료:
    [화학식 1-1] [화학식 1-2]
    Figure 112020084342759-pat00355

    [화학식 1-3] [화학식 1-4]
    Figure 112020084342759-pat00356

    상기 화학식 1-1 내지 1-4에서,
    V는 각각 독립적으로 CX18X19, NX20, O 또는 S이며;
    Ar은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 질소, 산소 및 황 중 하나 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 또는 -NX9X10이고;
    L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이며;
    X9 및 X10은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고;
    X18 내지 X29는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이고;
    f, g, j, 및 k는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, c 내지 e, h 및 i는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고, c 내지 k가 각각 2 이상인 경우, 각각의 X21 내지 X29는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
    [화학식 2]
    Figure 112020084342759-pat00236

    상기 화학식 2에서,
    X는 -O- 또는 -S-이고;
    HAr은 하나 이상의 질소 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고;
    L2는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌이고;
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 치환기와 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
    a는 1 내지 4의 정수이고, b는 1 내지 3의 정수이고, a 및 b가 각각 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1 및 각각의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, 치환된 아릴, 치환된 아릴렌, 치환된 헤테로아릴, 치환된 헤테로아릴렌, 치환된 알킬, 치환된 시클로알킬, 치환된 시클로알케닐, 치환된 헤테로시클로알킬, 치환된 알콕시, 치환된 트리알킬실릴, 치환된 디알킬아릴실릴, 치환된 알킬디아릴실릴, 치환된 트리아릴실릴, 치환된 모노- 또는 디- 알킬아미노, 치환된 모노- 또는 디- 아릴아미노, 또는 치환된 알킬아릴아미노의 치환기는 각각 독립적으로 중수소; 할로겐; 시아노; 카르복실; 니트로; 히드록시; (C1-C30)알킬; 할로(C1-C30)알킬; (C2-C30)알케닐; (C2-C30)알키닐; (C1-C30)알콕시; (C1-C30)알킬티오; (C3-C30)시클로알킬; (C3-C30)시클로알케닐; (3-7원)헤테로시클로알킬; (C6-C30)아릴옥시; (C6-C30)아릴티오; (C1-C30)알킬, (C6-C30)아릴 및 디(C6-C30)아릴아미노 중 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 (3-50 원)헤테로아릴; 시아노, (C1-C30)알킬, (3-50원)헤테로아릴, 디(C6-C30)아릴아미노 및 트리(C6-C30)아릴실릴 중 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴; 트리(C1-C30)알킬실릴; 트리(C6-C30)아릴실릴; 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴; (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴; 아미노; 모노- 또는 디- (C1-C30)알킬아미노; 모노- 또는 디- (C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노; (C1-C30)알킬카보닐; (C1-C30)알콕시카보닐; (C6-C30)아릴카보닐; 디(C6-C30)아릴보로닐; 디(C1-C30)알킬보로닐; (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐; (C6-C30)아르(C1-C30)알킬; 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인, 복수 종의 호스트 재료.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 Ar이 치환 또는 비치환된 페닐, 치환 또는 비치환된 나프틸, 치환 또는 비치환된 비페닐, 치환 또는 비치환된 터페닐, 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐, 치환 또는 비치환된 피리딜, 치환 또는 비치환된 트리아진일, 치환 또는 비치환된 피리미딘일, 치환 또는 비치환된 퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 벤조푸로피리미딘일, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜일, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란일, 치환 또는 비치환된 벤조푸란일, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐, 치환 또는 비치환된 플루오레닐, 치환 또는 비치환된 벤조플루오레닐, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐, 치환 또는 비치환된 벤조나프토푸란일, 또는 치환 또는 비치환된 벤조나프토티오펜일인 것인, 복수 종의 호스트 재료.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 및 2-2 중 하나 이상으로 표시되는 것인, 복수 종의 호스트 재료:
    [화학식 2-1] [화학식 2-2]
    Figure 112019087500420-pat00241

    상기 화학식 2-1 및 2-2에서,
    X, R1, R2, L2, a 및 b는 제1항에서 정의된 바와 같고;
    A 고리는 치환 또는 비치환된 (6-10원)고리이며;
    Y1 내지 Y5, 및 Y11 내지 Y13은 각각 독립적으로 N 또는 CR3이고;
    R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시, 치환 또는 비치환된 트리(C1-C30)알킬실릴, 치환 또는 비치환된 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 트리(C6-C30)아릴실릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C1-C30)알킬아미노, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-(C6-C30)아릴아미노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노이거나; 인접한 R3끼리 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
  6. 제1항에 있어서, 상기 HAr이 치환 또는 비치환된 트리아진일, 치환 또는 비치환된 피리딜, 치환 또는 비치환된 피리미딘일, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴나졸리닐, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 벤조퀴녹살리닐, 치환 또는 비치환된 퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 벤조이소퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴, 치환 또는 비치환된 피라졸릴, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐, 치환 또는 비치환된 벤조티에노피리미딘일, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 또는 치환 또는 비치환된 피리도피라진일인 것인, 복수 종의 호스트 재료.
  7. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1-1 내지 1-4로 표시되는 화합물은 하기 화합물들로부터 선택되는 하나 이상인 것인, 복수 종의 호스트 재료.
    Figure 112020084342759-pat00242

    Figure 112020084342759-pat00243

    Figure 112020084342759-pat00244

    Figure 112020084342759-pat00245

    Figure 112020084342759-pat00246

    Figure 112020084342759-pat00247

    Figure 112020084342759-pat00248

    Figure 112020084342759-pat00249

    Figure 112020084342759-pat00250

    Figure 112020084342759-pat00251

    Figure 112020084342759-pat00252

    Figure 112020084342759-pat00253

    Figure 112020084342759-pat00254

    Figure 112020084342759-pat00255

    Figure 112020084342759-pat00256

    Figure 112020084342759-pat00257

    Figure 112020084342759-pat00258

    Figure 112020084342759-pat00259

    Figure 112020084342759-pat00260

    Figure 112020084342759-pat00261

    Figure 112020084342759-pat00262

    Figure 112020084342759-pat00263

    Figure 112020084342759-pat00264

    Figure 112020084342759-pat00265

    Figure 112020084342759-pat00266

    Figure 112020084342759-pat00267

    Figure 112020084342759-pat00357
  8. 제1항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물들로부터 선택되는 하나 이상인 것인, 복수 종의 호스트 재료.
    Figure 112019087500420-pat00271

    Figure 112019087500420-pat00272

    Figure 112019087500420-pat00273

    Figure 112019087500420-pat00274

    Figure 112019087500420-pat00275

    Figure 112019087500420-pat00276

    Figure 112019087500420-pat00277

    Figure 112019087500420-pat00278

    Figure 112019087500420-pat00279

    Figure 112019087500420-pat00280

    Figure 112019087500420-pat00281

    Figure 112019087500420-pat00282

    Figure 112019087500420-pat00283

    Figure 112019087500420-pat00284

    Figure 112019087500420-pat00285

    Figure 112019087500420-pat00286

    Figure 112019087500420-pat00287

    Figure 112019087500420-pat00288

    Figure 112019087500420-pat00289

    Figure 112019087500420-pat00290

    Figure 112019087500420-pat00291

    Figure 112019087500420-pat00292

    Figure 112019087500420-pat00293

    Figure 112019087500420-pat00294

    Figure 112019087500420-pat00295

    Figure 112019087500420-pat00296

    Figure 112019087500420-pat00297

    Figure 112019087500420-pat00298

    Figure 112019087500420-pat00299

    Figure 112019087500420-pat00300

    Figure 112019087500420-pat00301

    Figure 112019087500420-pat00302

    Figure 112019087500420-pat00303

    Figure 112019087500420-pat00304

    Figure 112019087500420-pat00305

    Figure 112019087500420-pat00306

    Figure 112019087500420-pat00307

    Figure 112019087500420-pat00308

    Figure 112019087500420-pat00309

    Figure 112019087500420-pat00310

    Figure 112019087500420-pat00311

    Figure 112019087500420-pat00312

    Figure 112019087500420-pat00313

    Figure 112019087500420-pat00314

    Figure 112019087500420-pat00315

    Figure 112019087500420-pat00316

    Figure 112019087500420-pat00317

    Figure 112019087500420-pat00318

    Figure 112019087500420-pat00319

    Figure 112019087500420-pat00320

    Figure 112019087500420-pat00321

    Figure 112019087500420-pat00322

    Figure 112019087500420-pat00323

    Figure 112019087500420-pat00324

    Figure 112019087500420-pat00325
  9. 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 적어도 1층의 발광층을 포함하고, 상기 발광층 중 적어도 1층은 제1항에 기재된 복수 종의 호스트 재료를 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 발광층 중 적어도 1층은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 추가로 포함하는, 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 3]
    Figure 112019087500420-pat00326

    상기 화학식 3에서,
    R11 내지 R13은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C5)알킬이고;
    R14는 치환 또는 비치환된 (C1-C5)알킬, 또는 (C1-C5)알킬로 치환 또는 비치환된 페닐이다.
  11. 하기 화학식 2-1-1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물:
    [화학식 2-1-1]
    Figure 112020141791919-pat00327

    상기 화학식 2-1-1에서,
    Xa는 O 또는 S이고;
    La는 1,2-나프틸렌 구조를 제외한 비치환된 나프틸렌이고;
    Ara는 비치환된 페닐, 비치환된 나프틸, 비치환된 비페닐, 비치환된 터페닐, 또는 이들의 조합이고;
    Arb는 비치환된 나프틸, 비치환된 터페닐, 또는 이들의 조합이다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 화학식 2-1-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들로부터 선택되는 것인, 유기 전계 발광 화합물.
    Figure 112020141791919-pat00358
    Figure 112020141791919-pat00359

    Figure 112020141791919-pat00360

    Figure 112020141791919-pat00361
    Figure 112020141791919-pat00362

    Figure 112020141791919-pat00334

    Figure 112020141791919-pat00335

    Figure 112020141791919-pat00336

    Figure 112020141791919-pat00363

    Figure 112020141791919-pat00364

    Figure 112020141791919-pat00365

    Figure 112020141791919-pat00366

    Figure 112020141791919-pat00367

    Figure 112020141791919-pat00368

    Figure 112020141791919-pat00369

    Figure 112020141791919-pat00370
    Figure 112020141791919-pat00371

    Figure 112020141791919-pat00372

    Figure 112020141791919-pat00373

    Figure 112020141791919-pat00374
    Figure 112020141791919-pat00375

    Figure 112020141791919-pat00376

    Figure 112020141791919-pat00377

    Figure 112020141791919-pat00378
  13. 제11항에 기재된 유기 전계 발광 화합물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 화합물을 발광층에 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
KR1020190104458A 2018-08-29 2019-08-26 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 KR102244170B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980057013.3A CN112640141A (zh) 2018-08-29 2019-08-28 多种主体材料和包含其的有机电致发光装置
PCT/KR2019/010999 WO2020045981A1 (en) 2018-08-29 2019-08-28 A plurality of host materials and organic electroluminescent device comprising the same
US17/272,519 US20220384744A1 (en) 2018-08-29 2019-08-28 A plurality of host materials and organic electroluminescent device comprising the same

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180102278 2018-08-29
KR1020180102278 2018-08-29
KR20190077904 2019-06-28
KR1020190077904 2019-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200026083A KR20200026083A (ko) 2020-03-10
KR102244170B1 true KR102244170B1 (ko) 2021-04-26

Family

ID=69800632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190104458A KR102244170B1 (ko) 2018-08-29 2019-08-26 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102244170B1 (ko)
CN (1) CN112640141A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4130002A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-08 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
DE102023112182A1 (de) 2022-05-10 2023-11-16 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Mehrere wirtsmaterialien und diese umfassende organische elektrolumineszierende vorrichtung
KR20230157860A (ko) 2022-05-10 2023-11-17 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210129999A (ko) * 2020-04-21 2021-10-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111718338A (zh) * 2020-06-30 2020-09-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 化合物、显示面板及显示装置
KR102492462B1 (ko) * 2020-09-28 2023-01-30 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 및 유기물층용 조성물
WO2022231285A1 (ko) * 2021-04-28 2022-11-03 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
DE102022119036A1 (de) 2021-07-30 2023-02-02 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organische elektrolumineszierende verbindung, mehrere wirtsmaterialien und diese umfassende organische elektrolumineszierende vorrichtung
KR102349311B1 (ko) 2021-08-20 2022-01-10 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20230164900A (ko) * 2022-05-26 2023-12-05 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130248849A1 (en) * 2010-12-20 2013-09-26 E I Dupont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
JP2014157947A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
US20170222160A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-03 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same
KR101857632B1 (ko) * 2018-02-02 2018-05-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102491209B1 (ko) * 2014-04-29 2023-01-26 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101912107B1 (ko) * 2015-03-06 2018-10-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130248849A1 (en) * 2010-12-20 2013-09-26 E I Dupont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
JP2014157947A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
US20170222160A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-03 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same
KR101857632B1 (ko) * 2018-02-02 2018-05-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4130002A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-08 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
DE102023112182A1 (de) 2022-05-10 2023-11-16 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Mehrere wirtsmaterialien und diese umfassende organische elektrolumineszierende vorrichtung
KR20230157860A (ko) 2022-05-10 2023-11-17 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200026083A (ko) 2020-03-10
CN112640141A (zh) 2021-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102244170B1 (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102245910B1 (ko) 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102306966B1 (ko) 유기 전계 발광 화합물, 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102302838B1 (ko) 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20200125080A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210048735A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20200043269A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210008812A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210082888A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN112759543A (zh) 多种主体材料以及包含其的有机电致发光装置
KR20210098399A (ko) 유기 전계 발광 화합물, 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210006283A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210076837A (ko) 유기 전계 발광 화합물, 복수 종의 호스트 재료, 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210003041A (ko) 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20220055411A (ko) 유기 전계 발광 화합물, 복수 종의 호스트 재료, 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20230059218A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN115403569A (zh) 多种主体材料、有机电致发光化合物及包含其的有机电致发光装置
KR20230037756A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210139134A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20220008212A (ko) 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210010310A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20220023839A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN112239666A (zh) 多种主体材料以及包含其的有机电致发光装置
KR20210070738A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20230121557A (ko) 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant