CN102341475A

CN102341475A - 具有长寿命的电子器件

Info

Publication number: CN102341475A
Application number: CN2009801529772A
Authority: CN
Inventors: V·罗斯托弗采夫; 高卫英; G·A·约翰松; 沈裕隆; A·费尼莫尔; K·多格拉; 旻鸿; W·吴; M·H·小霍华德; R·B·劳埃德; N·S·拉杜; N·海隆; D·D·莱克洛克斯; E·M·史密斯; 许哲雄; 朴卿镐; J·A·梅罗; C·M·欧德; J·菲尔德曼; Y·王
Original assignee: EI Du Pont de Nemours and Co
Current assignee: EIDP Inc
Priority date: 2008-12-22
Filing date: 2009-12-22
Publication date: 2012-02-01
Also published as: WO2010075421A2; WO2010075421A3

Abstract

本发明提供了有机发光二极管，所述二极管具有阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层。有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有在1000尼特下至少5000小时的计算半衰期。

Description

具有长寿命的电子器件

相关领域说明

发光的有机电子器件例如组成显示器的发光二极管存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件中，有机活性层均夹置在两个电接触层之间。电接触层中的至少一个是透光的，使得光可穿过该电接触层。当在整个电接触层上施加电流时，有机活性层透过该透光的电接触层发射光。

已知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。已知诸如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等简单有机分子显示具有电致发光性。半导体共轭聚合物也被用作电致发光组分，如美国专利5,247,190、美国专利5,408,109和公布的欧洲专利申请443 861中所公开的。在许多情况下，电致发光化合物作为掺杂剂存在于基质材料中。在许多器件中，在发光层与阳极和/或阴极之间存在有机电荷注入层和/或电荷传输层。

持续需要具有较长寿命的电子器件。

发明内容

提供了有机发光二极管，所述二极管包括阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层，其中有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有1000尼特下至少5000小时的计算半衰期。

还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含氘代导电聚合物和氟化酸聚合物。

还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含氘代空穴传输化合物，所述化合物具有至少两个二芳基氨基部分。

还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含电致发光化合物，所述化合物选自氘代氨基蒽、氘代氨基屈、氘代金属喹啉配合物和氘代铱配合物。

还提供了上述有机发光二极管，其中所述有机活性层包含(a)基质材料，所述基质材料选自氘代芳基蒽、氘代芳基芘、氘代芳基屈、氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑、以及它们的组合，和(b)电活性掺杂剂，所述掺杂剂能够电致发光，具有介于380和750nm之间的最大发射。

还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含电子传输材料，所述材料选自氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑和氘代金属喹啉。

附图简述

附图中示出了实施方案，以增进对本文所述概念的理解。

图1为有机电子器件的一个实例的示例。

图2包括有机电子器件的另一个示例。

技术人员理解，附图中的物体是以简洁明了的方式示出的并且不一定按比例绘制。例如，图中一些物体的尺寸相对于其他物体可能有所放大，以便于更好地理解实施方案。

发明详述

本文示例性而非限制性地公开了许多方面和实施方案。在读完本说明书后，技术人员应认识到，在不脱离本发明范围的情况下，其他方面和实施方案也是可能的。

通过阅读以下的发明详述和权利要求，任何一个或多个实施方案的其它特征和有益效果将变得显而易见。发明详述首先提出术语的定义和阐明，然后提出有机发光器件、空穴注入层、空穴传输层、电活性层、电子传输层、围阻层、其它器件层、氘代物质的合成、以及最后的实施例。

1.术语的定义和阐明

在提出下述实施方案详情之前，先定义或阐明一些术语。

术语“脂环”旨在表示无离域π电子的环状基团。在一些实施方案中，所述脂环非不饱和。在一些实施方案中，该环具有一个双键或三键。

术语“烷氧基”是指基团RO-，其中R为烷基。

术语“烷基”旨在表示衍生自脂族烃的具有一个连接点的基团，并且包括直链、支链或环状的基团。该术语旨在包括杂烷基。术语“烃烷基”是指不具有杂原子的烷基。术语“氘代烷基”为具有至少一个可用H被D取代的烃烷基。在一些实施方案中，烷基具有1-20个碳原子。术语“支链烷基”是指具有至少一个仲碳或叔碳的烷基。术语“仲烷基”是指具有仲碳原子的支链烷基。术语“叔烷基”是指具有叔碳原子的支链烷基。在一些实施方案中，支链烷基通过仲碳或叔碳连结。

术语“芳基”旨在表示衍生自芳族烃的具有一个连接点的基团。术语“芳族化合物”旨在表示包含至少一个具有离域π电子的不饱和环状基团的有机化合物。术语旨在包括杂芳基。术语“烃芳基”旨在表示环中不具有杂原子的芳香化合物。术语芳基包括具有单环的基团，以及具有由单键连接或稠合在一起的多个环的那些。术语“氘代芳基”是指具有至少一个直接连接芳基的可用H被D取代的芳基。术语“亚芳基”旨在表示衍生自芳族烃的具有两个连接点的基团。在一些实施方案中，芳基具有3-60个碳原子。

术语“芳氧基”是指基团RO-，其中R为芳基。

术语“化合物”旨在表示由分子构成的不带电的物质，所述分子进一步由原子组成，其中不能通过物理手段将原子分开。当用来指器件中的层时，短语“邻近”不是必须指一层紧靠着另一层。另一方面，短语“邻近的R基团”用来指化学式中彼此紧接的R基(即，通过键接合的原子上的R基)。

涉及材料时，术语“导电性”或“导电的”旨在表示材料固有或本质上能够导电，其不需要加入炭黑或导电性金属颗粒。

术语“氘代”旨在表示至少一个H被D取代。氘的含量为自然丰度的至少100倍。化合物X的“氘代衍生物”具有与化合物X相同的结构，但是具有至少一个取代H的D。术语“氘代％”和“氘化％”是指氘核与质子和氘核之和的比率，以百分比表示。因此，就化合物C₆H₄D₂而言，氘代％为：

2/(4+2)×100＝33％氘代。

术语“掺杂剂”旨在表示包含基质材料的层内的材料，与缺乏此类材料时所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个波长相比，所述掺杂剂改变了所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个指标波长。

前缀“氟”和术语“氟化”是指其中至少一个可用H已被F取代的物质。

当涉及层或材料时，术语“电活性”旨在表示表现出电子或电辐射特性的层或材料。在电子器件中，电活性材料电子性地有利于器件的操作。电活性材料的实例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的材料，其中电荷可为电子或空穴，并且包括但不限于接受辐射时发射辐射或表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材料的实例包括但不限于平面化材料、绝缘材料、以及环境防护材料。有机电活性层包含有机化合物作为电活性材料。如本文所用，术语“有机”包括有机金属材料。

术语“半衰期”旨在表示器件发光性达到初始值一半所需的时间。“观测半衰期”是7mA恒定电流下测得的器件半衰期。“计算半衰期”是衍生自观测半衰期并且按1000尼特初始发光性计算出的半衰期半衰期以小时为单位测定。

前缀“杂”表示一个或多个碳原子已被不同的原子置换。在一些实施方案中，所述不同的原子为N、O、或S。

术语“基质材料”旨在表示向其添加掺杂剂的材料。基质材料可或可不具有发射、接收或过滤辐射的电子特性或能力。在一些实施方案中，基质材料以较高的浓度存在。

术语“层”与术语“薄膜”可互换使用，并且是指覆盖所需区域的涂层。该术语不受尺寸的限制。所述区域可以大如整个器件，也可以小如例如实际可视显示器的特定功能区，或者小如单个子像素。层和薄膜可以由任何常规的沉积技术形成，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)、以及热转移。连续沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、槽模涂布、喷涂、以及连续喷涂。不连续沉积技术包括但不限于喷墨印刷、凹版印刷、以及丝网印刷。

术语“有机电子器件”或有时仅称为“电子器件”旨在表示包含一个或多个有机半导体层或材料的器件。

除非另外指明，所有基团可以是取代或未取代的。在一些实施方案中，取代基选自D、卤素、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、氰基和NR₂，其中R为烷基或芳基。

除非另有定义，本文所用的所有技术和科学术语的含义均与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的一样。尽管与本文所述的方法和材料类似或等同的方法和材料也可用于本发明的实施或测试中，但是下文描述了合适的方法和材料。所有的出版物、专利申请、专利、以及本文提及的其他参考资料以引用方式全文并入本文。如发生矛盾，以本说明书及其包括的定义为准。此外，材料、方法和实施例仅是示例性的，并不旨在进行限制。

IUPAC编号系统用于全文，其中元素周期表的族按1-18从左向右编号(CRC Handbook of Chemistry and Physics，第81版，2000年)。

2.有机发光二极管

有机发光二极管(“OLED”)器件结构的一个例证示于图1中。器件100具有第一电接触层、阳极层110和第二电接触层、阴极层160、以及介于它们之间的电致发光层140。与阳极邻近的可为包含空穴注入材料的空穴注入层120。与空穴注入层邻近的可为包含空穴传输材料的空穴传输层130。与阴极相邻的可以是包含电子传输材料的电子传输层150。器件可使用一个或多个紧邻阳极110的附加空穴注入层或空穴传输层(未示出)，和/或紧邻阴极160的一个或多个附加电子注入层或电子传输层(未示出)。

在一些实施方案中，为了获得全彩，将发光层像素化，每种不同颜色各有次像素单元。像素化器件的例证示于图2中。器件200具有阳极210、空穴注入层220、空穴传输层230、电致发光层240、电子传输层250和阴极260。电致发光层被分为次像素241、242、243，它们重复出现于整个层中。在一些实施方案中，次像素代表发出红色、蓝色和绿色的光。虽然图2中描述了三种不同的次像素单元，但是也可使用两种或三种以上的次像素单元。

参照图1，本文将进一步描述不同的层。然而，描述也适用于图2以及其它配置。

层120至150单独或统称为电活性层。至少一个电活性层为包含氘代材料的有机电活性层。氘代材料可单独使用，或与其它氘代材料或非氘代材料组合使用。在一些实施方案中，氘代材料是至少10％氘代的。这是指，至少10％的H被D取代。在一些实施方案中，氘代材料是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。在一些实施方案中，氘代材料是100％氘代的。

在一些实施方案中，氘代材料为层120中的空穴注入材料。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴传输层130。在一些实施方案中，附加层为电活性层140。在一些实施方案中，附加层为电子传输层150。

在一些实施方案中，氘代材料为层130中的空穴传输材料。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴注入层120。在一些实施方案中，附加层为电活性层140。在一些实施方案中，附加层为电子传输层150。

在一些实施方案中，氘代材料为电活性层140中掺杂剂材料的基质材料。在一些实施方案中，掺杂剂材料也是氘代的。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴注入层120。在一些实施方案中，附加层为空穴传输层130。在一些实施方案中，附加层为电子传输层150。

在一些实施方案中，氘代材料为层150中的电子传输材料。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴注入层120。在一些实施方案中，附加层为空穴传输层130。在一些实施方案中，附加层为电活性层140。

在一些实施方案中，电子器件具有氘代材料，所述材料存在于任何层组合中，所述层选自空穴注入层、空穴传输层、电活性层和电子传输层。在一些实施方案中，器件的所有有机活性层均包含氘代材料。

在一些实施方案中，器件具有附加层以有助于加工或改善功能。任何或所有这些层可包含氘代材料。在一些实施方案中，所有有机器件层均包含氘代材料。在一些实施方案中，所有有机器件层均基本上由氘代材料构成。

在一些实施方案中，有机发光二极管包括阳极、阴极，并且具有介于其间的有机层，其中有机层为空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和阴极，并且其中至少两个有机层基本上由氘代材料构成。在一些实施方案中，所有有机层基本上由氘代材料构成。

在一个实施方案中，不同的层具有下列厚度范围：阳极110，

在一个实施方案中为

空穴注入层120，在一个实施方案中为

空穴传输层130，

在一个实施方案中为电活性层140，

在一个实施方案中

层150，

在一个实施方案中为阴极160，

在一个实施方案中为电子-空穴重组区域位于所述器件中，从而器件的发射光谱可能受每个层相对厚度的影响。所需的各层厚度的比率将取决于所用材料的确切性质。

本文所述器件的观测半衰期为至少200小时。在一些实施方案中，观测半衰期为至少400小时；在一些实施方案中，为至少1000小时。

本文所述器件的计算半衰期为至少5000小时。指定初始发光性下计算半衰期的方法是熟知的。所述方法描述于例如Chu等人的“Appl.Phys.Lett.”89，053503(2006)和Wellmann等人的“SID Int.Symp.Digest Tech.Papers”2005，393中。在一些实施方案中，计算半衰期为至少10,000小时；在一些实施方案中为至少20,000小时；在一些实施方案中为至少50,000小时。

2.空穴注入层

空穴注入层120包含空穴注入材料，并且可具有有机电子器件中的一个或更多个功能，包括但不限于，下层平坦化，电荷传输和/或电荷注入特性，清除杂质如氧气或金属离子，以及其它有利于或改善有机电子器件性能的方面。空穴注入材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可以是气相沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。

在一些实施方案中，空穴注入层包含氘代材料。在一些实施方案中，氘代材料包含氘代导电聚合物。“氘代导电聚合物”是指导电聚合物自身是氘代的，不包括相关的聚合酸。在一些实施方案中，氘代材料包含掺入有氘代聚合酸的导电聚合物。在一些实施方案中，氘代材料包含掺入有氘代聚合酸的氘代导电聚合物。

在一些实施方案中，氘代导电聚合物分别选自氘代聚噻吩、氘代聚(硒吩)、氘代聚(碲吩)、氘代聚呲咯、氘代聚苯胺、氘代聚(4-氨基吲哚)、氘代聚(7-氨基吲哚)和氘代多环芳族聚合物。术语“多环芳族化合物”是指具有一个以上芳环的化合物。所述环可通过一个或多个键接合，或者它们可稠合到一起。术语“芳环”旨在包括杂芳环。“多环杂芳族”化合物具有至少一个杂芳环。在一些实施方案中，氘代多环芳族聚合物为氘代聚(噻吩并噻吩)。

在一些实施方案中，氘代导电聚合物选自氘代聚(3，4-乙烯二氧噻吩)、氘代聚苯胺、氘代聚呲咯、氘代聚(4-氨基吲哚)、氘代聚(7-氨基吲哚)、氘代聚(噻吩并(2，3-b)噻吩)、氘代聚(噻吩并(3，2-b)噻吩)和氘代聚(噻吩并(3，4-b)噻吩)。

在一些实施方案中，氘代导电聚合物是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在一些实施方案中，导电聚合物选自聚(D₆-3，4-乙烯二氧噻吩)、聚(D₅-吡咯)、聚(D₇-苯胺)、聚(全氘-4-氨基吲哚)、聚(全氘-7-氨基吲哚)、聚(全氘噻吩并(2，3-b)噻吩)、聚(全氘噻吩并(3，2-b)噻吩)和聚(全氘噻吩并(3，4-b)噻吩)。

在一些实施方案中，氘代导电聚合物掺入有非氟化聚合酸。可使用具有酸性基团和可电离质子或氘核的任何聚合物。酸性基团的实例包括但不限于羧酸基团、磺酸基团、磺酰亚胺基团、磷酸基团、膦酸基团、以及它们的组合。所述酸性基团可以全部相同，或者聚合物可具有一种以上类型的酸性基团。在一些实施方案中，酸性基团选自磺酸基团、磺酰亚胺基团、以及它们的组合。磺酰亚胺基团具有下式：

-SO₂-NH-SO₂-R

其中R为烷基。适宜酸的实例包括但不限于聚(苯乙烯磺酸)(“PSSA”)、聚(全氘苯乙烯磺酸)(“D₈-PSSA”)、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“PAAMPSA”)、聚(全氘-2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“D₁₃-PAAMPSA”)、以及它们的混合物。

在一些实施方案中，掺入有非氟化聚合酸的氘代导电聚合物进一步与高度氟化的酸聚合物(“HFAP”)组合。

在一些实施方案中，氟化酸聚合物为高度氟化的酸聚合物(“HFAP”)，其中至少80％的与碳键合的可用氢已被氟取代。高度氟化的酸聚合物(“HFAP”)可为高度氟化并且具有酸性基团的任何聚合物。酸性基团提供可电离的质子H⁺、或氘核D⁺。在一些实施方案中，酸性基团具有小于3的pKa。在一些实施方案中，酸性基团具有小于0的pKa。在一些实施方案中，酸性基团具有小于-5的pKa。酸性基团可直接连接到聚合物主链上，或它可连接到聚合物主链的侧链上。酸性基团的实例包括但不限于羧酸基团、磺酸基团、磺酰亚胺基团、磷酸基团、膦酸基团、以及它们的组合。所述酸性基团可以全部相同，或者聚合物可具有一种以上类型的酸性基团。在一些实施方案中，酸性基团选自磺酸基团、磺酰亚胺基团、以及它们的组合。

在一些实施方案中，HFAP是具有酸性氘核的含氘酸。

在一些实施方案中，HFAP至少90％氟化；在一些实施方案中，至少95％氟化；在一些实施方案中，其为完全氟化的。在其中HFAP不是完全氟化的一些实施方案中，HFAP也可以是氘代的。

在一些实施方案中，酸性基团选自磺酸基团、磺酰亚胺基团、以及它们的组合。在一些实施方案中，所述酸性基团位于氟化侧链上。在一些实施方案中，氟化侧链选自烷基、烷氧基、酰氨基、醚基、以及它们的组合，所有这些均是完全氟化的。

在一些实施方案中，HFAP具有高度氟化的烯烃主链，和高度氟化的烷基磺酸盐、高度氟化的醚磺酸盐、高度氟化的酯磺酸盐、或高度氟化的醚磺酰亚胺基团侧链。在一些实施方案中，HFAP为具有全氟醚磺酸侧链的全氟烯烃。在一些实施方案中，所述聚合物为四氟乙烯与全氟-3，6-二氧杂-4-甲基-7-辛烯磺酸的共聚物(“聚(TFE-PSEPVE)”)。含氘酸类似物被简称为D-聚(TFE-PSEPVE)。在一些实施方案中，所述聚合物为1，1-二氟乙烯与2-(1，1-二氟-2-(三氟甲基)烯丙氧基)-1，1，2，2-四氟乙磺酸的共聚物。在一些实施方案中，所述聚合物为乙烯与2-(2-(1，2，2-三氟乙烯氧基)-1，1，2，3，3，3-六氟丙氧基-1，1，2，2-四氟乙磺酸的共聚物。这些共聚物可被制成对应的磺酰氟聚合物，然后再转化为磺酸形式。

在一些实施方案中，氘代导电聚合物掺入有HFAP。此类材料的非氘代类似物已描述于例如公布的美国专利申请US 2004/0102577、US 2004/0127637、US2005/0205860和公布的PCT专利申请WO 2009/018009中。

在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有聚苯乙烯磺酸(“PSSA”)的氘代聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(“d-PEDOT”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸(“d-PSSA”)的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(“PEDOT”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸的氘代聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。在一些实施方案中，d-PEDOT/d-PSSA是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由选自下列的材料构成：d-PEDOT/PSSA、PEDOT/d-PSSA和d-PEDOT/d-PSSA。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D₈-PSSA的聚(D₆-3，4-乙烯二氧噻吩)构成。

在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“PAAMPSA”)的氘代聚苯胺(“d-PANI”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“d-PAAMPSA”)的聚苯胺(“PANI”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)的氘代聚苯胺。在一些实施方案中，d-PANI/d-PAAMPSA是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由选自下列的材料构成：d-PANI/PAAMPSA、PANI/d-PAAMPSA和d-PANI/d-PAAMPSA。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D₁₃-PAAMPSA的聚(D₇-苯胺)构成。

在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有聚苯乙烯磺酸(“PSSA”)的氘代聚呲咯(“d-PPy”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸(“d-PSSA”)的聚呲咯(“PPy”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸的氘代聚呲咯。在一些实施方案中，d-PPy/d-PSSA是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由选自下列的材料构成：d-PPy/PSSA、PPy/d-PSSA和d-PPy/d-PSSA。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D₈-PSSA的聚(D₅-吡咯)构成。

在一些实施方案中，空穴注入层包含氘代导电聚合物和HFAP。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有HFAP的氘代导电聚合物。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有HFAP的氘代导电聚合物构成。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有全氟化磺酸聚合物的氘代导电聚合物构成。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D-聚(TFE-PSEPVE)的氘代导电聚合物构成，其中所述导电聚合物选自聚(D₆-3，4-乙烯二氧噻吩)、聚(D₇-苯胺)和聚(D₅-吡咯)。

在一些实施方案中，空穴注入层包含电荷转移化合物等，如铜酞菁、四硫富瓦烯-四氰基对苯二醌二甲烷体系(TTF-TCNQ)、及它们的氘代类似物。

3.空穴传输层

空穴传输层130包含空穴传输材料。当涉及层、材料、构件或结构时，术语“空穴传输”旨在表示此类层、材料、构件或结构有利于正电荷以较高的效率和较小的电荷损失迁移通过此类层、材料、构件或结构的厚度。虽然发光材料也可具有某些空穴传输特性，但是术语“空穴传输层、材料、构件或结构”不旨在包括其主要功能为发光的层、材料、构件或结构。

空穴传输材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可以是气相沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。

在一些实施方案中，空穴传输层包含氘代材料。在一些实施方案中，空穴传输材料是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在一些实施方案中，空穴传输材料是每分子式单位具有至少两个二芳基氨基部分的氘代化合物。在一些实施方案中，空穴传输材料为氘代三芳基胺聚合物。此类材料的非氘代类似物已描述于例如公布的PCT专利申请WO 2009/067419中。在一些实施方案中，空穴传输材料为氘代芴-三芳基胺共聚物。此类材料的非氘代类似物已描述于例如公布的美国专利申请US 2008/0071049和US2008/0097076中。可交联空穴传输聚合物的非氘代类似物的实例可见于例如公布的美国专利申请2005/0184287和公布的PCT专利申请WO2005/052027中。

在一些实施方案中，空穴传输材料选自氘代三芳基胺、氘代咔唑、氘代芴、它们的聚合物、它们的共聚物、以及它们的组合。在一些实施方案中，空穴传输材料选自氘代聚合三芳基胺、氘代聚咔唑、氘代聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的氘代聚三芳基胺、芴与三芳基胺的氘代共聚物、以及它们的组合。在一些实施方案中，聚合材料是可交联的。

在一些实施方案中，空穴传输材料具有式I、式II、或式III：

(Ar²)₂N-(Ar¹)_a-[T¹-T²]-(Ar¹)_a-N(Ar²)₂ (I)

其中：Ar¹在每次出现时是相同或不同的，并且选自亚苯基、取代的亚苯基、亚萘基和取代的亚萘基；

Ar²在每次出现时是相同或不同的，并且为芳基；

M在每次出现时是相同或不同的，并且为共轭部分；

T¹和T²在每次出现时独立地为相同或不同的，并且为共轭部分；

a在每次出现时是相同或不同的，并且为1至6的整数；

b、c和d是摩尔份数，使得b+c+d＝1.0，前提条件是c不为零，并且b和d中至少一个不为零，并且当b为零时，M包含至少两个三芳基胺单元；

e在每次出现时是相同或不同的，并且为1至6的整数；并且n为大于1的整数；

其中所述化合物是至少10％氘代的。

此类材料的非氘代类似物已描述于公布的PCT专利申请WO 2009/067419中。

在式I-III的一些实施方案中，氘代发生在芳环取代基上。在一些实施方案中，取代基选自烷基、芳基、烷氧基和芳氧基。在式I-III的一些实施方案中，氘代发生在任何一个或多个芳基Ar¹和Ar²上。在该情况下，Ar¹和Ar²中有至少一个为氘代芳基。在式I-III的一些实施方案中，氘代存在于[T¹-T²]基团上。在一些实施方案中，T¹和T²是氘代的。在式I-III的一些实施方案中，氘代同时存在于取代基与Ar¹和Ar²基团上。在式I-III的一些实施方案中，氘代同时存在于[T¹-T²]基团与Ar¹和Ar²基团上。在式I-III的一些实施方案中，氘代存在于取代基、[T¹-T²]基团、以及Ar¹和Ar²基团上。

在一些实施方案中，至少一个Ar¹为具有取代基的取代苯基，所述取代基选自烷基、烷氧基、甲硅烷基、以及具有交联基团的取代基。在一些实施方案中，a为1-3。在一些实施方案中，a为1-2。在一些实施方案中，a为1。在一些实施方案中，e为1-4。在一些实施方案中，e为1-3。在一些实施方案中，e＝1。在一些实施方案中，至少一个Ar¹具有含交联基团的取代基。

在一些实施方案中，至少一个Ar²具有式a

其中：R¹在每次出现时是相同或不同的，并且选自D、烷基、烷氧基、硅氧烷和甲硅烷基；或邻近的R¹基团可结合形成芳环；

f在每次出现时是相同或不同的，并且为0-4的整数；

g为0-5的整数；并且

m为1至5的整数。

在一些实施方案中，至少一个Ar²具有式b：

f在每次出现时是相同或不同的，并且为0-4的整数；

g为0-5的整数；并且

m为1至5的整数。

在式a或b的一些实施方案中，f和g中的至少一个不为零。在一些实施方案中，m＝1-3。

在一些实施方案中，Ar²选自具有式a的基团、萘基、苯基萘基、萘基苯基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，Ar²选自苯基、对联苯基、对三联苯基、萘基、苯基萘基、萘基苯基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，Ar²选自苯基、联苯基、三联苯基、以及它们的氘代类似物。

式I至III中的任何芳族环均可以在任何位上被取代。可以存在改善化合物的一种或多种物理特性(例如溶解度)的取代基。在一些实施方案中，取代基选自C_1-12烷基、C_1-12烷氧基、甲硅烷基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，交联取代基存在于至少一个Ar²上。在一些实施方案中，交联取代基存在于至少一个M部分上。

T¹和T²为共轭部分。在一些实施方案中，T¹和T²为芳族部分。在一些实施方案中，T¹和T²为氘代芳族部分。在一些实施方案中，T¹和T²选自亚苯基、亚萘基、蒽基、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，T¹-T²基团将非平面性引入到所述化合物的主链中。T¹中的部分直接连接T²中的部分，使得T¹部分定向于平面中，其不同于所连接的T²中的部分。虽然T¹单元的其它部分例如取代基可位于一个或多个不同平面中，但是正是化合物主链中T¹中连接部分与T²中连接部分所在的平面提供非平面性。由于非平面的T¹-T²连接，因此所述化合物是手性的。一般来讲，它们以外消旋混合物形式形成。所述化合物还可为光学纯形式。非平面性可被视为围绕T¹-T²键自由旋转的限制。围绕该键的旋转导致外消旋。T¹-T²外消旋的半衰期长于未取代联苯基的半衰期。在一些实施方案中，20℃下外消旋的半衰期为12小时或更长。

在一些实施方案中，[T¹-T²]为取代的亚联苯基、或它们的氘代类似物。术语“亚联苯基”旨在表示对化合物主链具有两个连接点的联苯基。术语“联苯基”旨在表示具有两个由单键连接的苯基单元的基团。亚联苯基可连接2位、3位、4位、或5位中的一个，以及2’位、3’位、4’位、或5’位中的一个。取代的亚联苯基在2位上具有至少一个取代基。在一些实施方案中，亚联苯基至少在2位和2’位上具有取代基。

在一些实施方案中，[T¹-T²]为二亚萘基、或它们的氘代类似物。术语“二亚萘基”旨在表示对化合物主链具有2个连接点的二萘基。术语“联萘基”旨在表示具有两个由单键连接的萘单元的基团。

在一些实施方案中，[T¹-T²]为亚苯基-亚萘基，或它们的氘代类似物。在一些实施方案中，[T¹-T²]为亚苯基-1-亚萘基，其以亚苯基3位、4位、或5位中的一个以及亚萘基3位、4位、或5位中的一个连接化合物主链。在一些实施方案中，[T¹-T²]为亚苯基-2-亚萘基，其以亚苯基3位、4位、或5位中的一个以及亚萘基4位、5位、6位、7位或8位中的一个连接化合物主链。

在一些实施方案中，亚联苯基、二亚萘基和亚苯基-亚萘基在一个或多个位置上被取代的。

在一些实施方案中，[T¹-T²]为1，1-二亚萘基或其氘代类似物，其以4位和4’位连接化合物主链，称为4，4’-(1，1-二亚萘基)。在一些实施方案中，4，4’-(1，1-二亚萘基)是唯一存在的异构体。在一些实施方案中，存在两个或更多个异构体。在一些实施方案中，4，4’-(1，1-二亚萘基)存在至多50重量％的第二异构体。在一些实施方案中，第二异构体选自4，5’-(1，1-二亚萘基)、4，6’-(1，1-二亚萘基)和4，7’-(1，1-二亚萘基)。

式III代表共聚物，其中存在至少一个[T¹-T²]部分和至少一个其它共轭部分，其中整个聚合物是至少10％氘代的。在一些实施方案中，氘代存在于第一单体单元中，下标为“b”。在一些实施方案中，氘代存在于第二单体单元中，下标为“c”。在一些实施方案中，氘代存在于第三单体单元中，下标为“d”。在一些实施方案中，氘代存在于两个单体单元中。在一些实施方案中，两个单体单元中的一个为第一单体单元。在一些实施方案中，氘代存在于所有三个单体单元中。

氘代空穴传输化合物的某些非限制性实例包括下文化合物HT1至HT10。

其中x+y+z+p+q+r＝20-28

其中x为0-5；在某些化合物中，∑(x)＝10-44

其中x为0-6；在某些化合物中，∑(x)＝8-36

其中x为0-6；在某些化合物中，∑(x)＝8-36

R₁＝D_y-丙基；R₂＝D_y-辛基

其中x为0-5，并且∑(x)＝10-50

y为0-17，并且∑(y)＝0-32

其中a＝0.4-0.8；b＝0.2-0.6

x为0-5；在某些化合物，∑(x)＝10-36

化合物HT7：

其中a＝0.3-0.7；b＝0.3-0.5；c＝0.1-0.2

x为0-5；在某些化合物，∑(x)＝10-36

其中a＝0.9-0.95；b＝0.05-0.10；x为0-5；

在某些化合物中，∑(x)＝20-62

其中a＝0.7-0.99；b＝0.01-0.30；x为0-5；

在某些化合物中，∑(x)＝20-62

化合物HT10：

其中x为0-5，并且∑(x)＝15-42

其中：n为大于1的整数；

x为0-5，并且∑(x)＝10-32

三芳基胺聚合物的另一个实例为化合物HT12。

层130的其它空穴传输材料的非氘代类似物实例已总结于例如Y.Wang的1996年“Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology”第四版第18卷第837-860页中。其它空穴传输材料包括但不限于：N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-[1，1′-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)、1，1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N，N′-双(4-甲基苯基)-N，N′-双(4-乙基苯基)-[1，1′-(3，3′-二甲基)联苯基]-4，4′-二胺(ETPD)、四-(3-甲基苯基)-N，N，N′，N′-2，5-苯二胺(PDA)、a-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、双[4-(N，N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1，2-反式双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N，N，N′，N′-四(4-甲基苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(TTB)、N，N’-双(萘-1-基)-N，N’-双-(苯基)对二氨基联苯(NPB)、卟啉化合物如铜酞菁、以及任何上文所列物质的氘代类似物。还能够通过将空穴传输分子如上文所述那些掺入到聚合物如聚苯乙烯、聚碳酸酯、以及它们的氘代类似物中，获得空穴传输聚合物。

在一些实施方案中，空穴传输层掺入有p型掺杂剂，如四氟四氰基喹啉二甲烷、苝-3，4，9，10-四甲酸-3，4，9，10-二酸酐、以及它们的氘代类似物。

4.电致发光层

电致发光层140包含电致发光材料。术语“电致发光材料”是指受施加电压活化时发光的材料。在一些实施方案中，电致发光层140基本上由电致发光材料构成。在一些实施方案中，电致发光层140包含一种或多种掺杂剂和一种或多种基质化合物。在一些实施方案中，电致发光层140基本上由一种或多种掺杂剂和一种或多种基质化合物构成。电致发光掺杂剂是能够电致发光的材料，其在380nm和750nm之间具有最大发射。在一些实施方案中，掺杂剂发出红光、绿光或蓝光。基质化合物是通常为层形式的化合物，其中分散一种或多种掺杂剂，并且其中一种或多种掺杂剂能发光。术语“基质材料”是指存在的所有基质化合物全体。基质材料可或可不具有发射、接收或过滤辐射的电子特性或能力。在包含至少一种掺杂剂和基质材料的电致发光层中，光发射源自掺杂剂。在一些实施方案中，存在的基质材料的浓度大于所有掺杂剂之和。在一些实施方案中，电致发光层140基本上由一种或多种掺杂剂和一种或多种基质化合物构成。在一些实施方案中，电致发光层140基本上由掺杂剂和基质化合物构成。在一些实施方案中，电致发光层140基本上由掺杂剂和两种基质化合物构成。

在一些实施方案中，电致发光层包含氘代材料，所述氘代材料选自氘代电致发光材料、氘代基质材料、以及它们的组合。

电致发光层材料可为聚合物、低聚物、小分子、或它们的组合。它们可以是气相沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。

当存在基质时，电致发光组合物中存在的所有掺杂剂量基于所述组合物的总重量一般在3-20重量％范围内；在一些实施方案中，在5-15重量％范围内。当存在两种基质化合物时，第一基质与第二基质的比率一般在1∶20至20∶1范围内；在一些实施方案中，在5∶15至15∶5范围内。

a.电致发光材料

电致发光材料可选自小分子有机电致发光化合物、电致发光金属配合物、电致发光共轭聚合物、以及它们的混合物。

在一些实施方案中，电致发光材料是氘代的。在一些实施方案中，电致发光材料是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

发红光材料的实例包括但不限于具有苯基喹啉或苯基异喹啉配体的铱环金属化配合物、二茚并芘、荧蒽、苝、以及它们的氘代类似物。非氘代发红光材料已公开于例如美国专利6,875,524和公布的美国专利申请2005-0158577中。

发绿光材料的实例包括但不限于具有苯基吡啶配体的铱环金属化配合物、二氨基蒽、聚苯乙炔聚合物、以及它们的氘代类似物。非氘代发绿光材料已公开于例如公布的PCT专利申请WO 2007/021117中。

发蓝光材料的实例包括但不限于二芳基蒽、二氨基屈、二氨基芘、二氨基芪、具有苯基吡啶配体的铱环金属化配合物、聚芴聚合物、以及它们的氘代类似物。非氘代发蓝光材料已公开于例如美国专利6,875,524和公布的美国专利申请2007-0292713和2007-0063638中。

在一些实施方案中，掺杂剂为有机金属配合物。在一些实施方案中，掺杂剂为铱或铂的环金属化配合物。当未被氘代时，此类材料已公开于例如美国专利6,670,645和公布的PCT专利申请WO 03/063555、WO 2004/016710和WO03/040257中。

在一些实施方案中，掺杂剂为具有式Ir(L1)_x(L2)_y(L3)_z的配合物；其中

L1为通过碳和氮配位的单阴离子二齿环金属配体；

L2为不通过碳配位的单阴离子二齿配体；

L3为单齿配体；

x为1-3；y和z独立地为0-2；

并且选择x、y和z，使得铱为六配位，并且所述配合物是电中性的。

式的一些实例包括但不限于Ir(L1)₃；Ir(L1)₂(L2)；和Ir(L1)₂(L3)(L3’)，其中L3为阴离子，并且L3’为非离子。

L1配体的实例包括但不限于苯基吡啶、苯基喹啉、苯基嘧啶、苯基吡唑、噻吩吡啶、噻吩喹啉、噻吩嘧啶、以及它们的氘代类似物。如本文所用，除非另外指明，术语“喹啉”包括“异喹啉”。氟化衍生物可具有一个或多个氟取代基。在一些实施方案中，配体非氮环上存在1-3个氟取代基。

单阴离子二齿配体L2是金属配位化学领域所熟知的。一般来讲，这些配体具有N、O、P或S作为配位原子，并且当与铱配位时形成5元或6元环。适宜的配位基团包括但不限于氨基、亚氨基、酰氨基、烷氧基、羧酸根、膦基、硫醇基、以及它们的氘代类似物。这些配体的适宜母体化合物的实例包括β-二羰基(β-烯醇配体)、以及它们的N和S类似物；氨基羧酸(氨基羧酸盐配体)；吡啶羧酸(亚氨基羧酸盐配体)；水杨酸衍生物(水杨酸盐配体)；羟喹啉(羟基喹啉配体)以及它们的S类似物；膦基烷醇(膦基烷氧化物配体)；以及它们的氘代类似物。

单齿配体L3可为阴离子或非离子。阴离子配体包括但不限于H-(“氢化物”)以及具有C、O或S作为配位原子的配体。配位基团包括但不限于烷氧根、羧酸根、硫代羧酸根、二硫代羧酸根、磺酸根、硫醇根、氨基甲酸根、二硫代氨基甲酸根、硫卡巴腙阴离子、磺酰胺阴离子、以及它们的氘代类似物。在一些情况下，上文列为L2的配体如β-烯醇根和膦烷氧根可用作单齿配体。单齿配体也可为配位阴离子，如卤离子、氰化物、异氰化物、硝酸根、硫酸根、六卤锑酸根等。这些配体一般是可商购获得的。

单齿L3配体还可为非离子配体如CO、单齿膦配体、或氘代单齿膦配体。

在一些实施方案中，一种或多种配体具有至少一个取代基，所述取代基选自F和氟化烷基。

可采用与例如美国专利6,670,645中对非氘代类似物所述那些相类似的标准合成技术，来制备铱配合物掺杂剂。

在一些实施方案中，电致发光材料为小分子有机化合物。小分子发光化合物的实例包括但不限于屈、芘、苝、红荧烯、二茚并苝、荧蒽、二苯乙烯、香豆素、蒽、噻二唑、它们的衍生物、它们的氘代类似物、以及它们的混合物。

在一些实施方案中，电致发光材料具有下列结构中的一种：

其中所述结构可以是未取代的，或被烷基或芳基进一步取代的，并且所述化合物是10％至100％氘代的。

在一些实施方案中，掺杂剂选自非聚合螺二芴化合物和荧蒽化合物。

在一些实施方案中，电致发光材料为具有芳胺基团的化合物。在一些实施方案中，电致发光材料选自下式：

其中：A在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基团；

Q’为单键或具有3-60个碳原子的芳基；

p和q相同或不同，并且各自为1-6的整数。

在上式中，p和q的值可受核心Q’基团上可用键合位点的限制。

在上式的一些实施方案中，所述化合物是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在上式的一些实施方案中，每个式中至少一个A和Q’具有至少三个缩合环。在一些实施方案中，p和q等于1。

在一些实施方案中，Q’为苯乙烯基或苯乙烯基苯基。

在一些实施方案中，Q’为具有至少两个缩合环的芳基。在一些实施方案中，Q’选自萘、蒽、苯并[a]蒽、二苯并[a，h]蒽、荧蒽、芴、螺芴、并四苯、屈、芘、并四苯、氧杂蒽、苝、香豆素、玫瑰精、喹吖啶酮、红荧烯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，A选自苯基、联苯基、甲苯基、萘基、萘基苯基、蒽基、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，电致发光材料具有结构

其中A为芳基，p为1或2，并且Q’选自

其中：R在每次出现时相同或不同，并且选自D、烷基、烷氧基和芳基，其中相邻的R基团可结合在一起形成5元或6元脂环；

Ar相同或不同，并且选自芳基；

其中所述化合物具有至少一个D。

式中虚线旨在表示当存在时，R基团可位于核心Q’基团的任何位点上。

在一些实施方案中，电致发光材料具有下式：

其中：Y在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基团；

Q”为芳基、二价三苯胺残基、或单键。

在一些实施方案中，电致发光材料为芳基并苯或其氘代类似物。在一些实施方案中，电致发光材料为非对称的芳基并苯或其氘代类似物。

在一些实施方案中，电致发光材料为具有式IV的蒽衍生物：

其中：R²在每次出现时相同或不同，并且选自D、烷基、烷氧基和芳基，其中相邻的R²基团可结合在一起形成5元或6元脂环；

Ar³至Ar⁶相同或不同，并且选自芳基和氘代芳基；

h在每次出现时相同或不同，并且为0至4的整数；

其中存在至少一个D。

在一些实施方案中，电致发光材料为具有式V的屈衍生物：

其中：R³在每次出现时相同或不同，并且选自D、烷基、烷氧基芳基、氟、氰基、硝基、-SO₂R⁴，其中R⁴为烷基或全氟烷基，其中相邻的R³基团可结合在一起形成5元或6元脂环；

Ar³至Ar⁶相同或不同，并且选自芳基；并且

i在每次出现时相同或不同，并且为0至5的整数；

其中存在至少一个D。

在式IV和V的一些实施方案中，氘代发生在芳环的取代基上。具有氘代取代基的芳基可为式IV的核心蒽基团或式V的核心屈基团；或氮上的芳基；或取代基芳基。在一些实施方案中，芳环上的氘代取代基选自烷基、芳基、烷氧基和芳氧基。在一些实施方案中，取代基是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。

在式IV和V的一些实施方案中，氘代发生在任何一个或多个芳基Ar³至Ar⁶上。在该情况下，Ar³至Ar⁶中的至少一个为氘代芳基。在一些实施方案中，Ar³至Ar⁶是至少10％氘代的。这是指Ar³至Ar⁶中与芳基C键合的所有可用H的至少10％被D取代。在一些实施方案中，每个芳环均具有若干个D。在一些实施方案中，一部分但不是所有的芳环具有D。在一些实施方案中，Ar³至Ar⁶是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。

在式IV和V的一些实施方案中，氘代同时存在于取代基(R²或R³)和芳基上。

在一些实施方案中，式IV和V的化合物是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在式IV和V的一些实施方案中，所述化合物相对于氨基是对称的。在该情况下，Ar³＝Ar⁵，并且Ar⁴＝Ar⁶，其中Ar³可与Ar⁴相同或不同。

在式IV和V的一些实施方案中，化合物相对于氨基是不对称。在该情况下，Ar³与Ar⁵和Ar⁶不相同。Ar³可与Ar⁴相同或不同，并且Ar⁴可与Ar⁵和Ar⁶中的每一个相同或不同。

在式IV的一些实施方案中，两个h＝0。

在式IV的一些实施方案中，至少一个h大于0。在一些实施方案中，至少一个R²为烃烷基。在一些实施方案中，R²为氘代烷基。在一些实施方案中，R²选自支链烃烷基和环状烃烷基。

在式IV的一些实施方案中，两个h＝4并且R²为D。

在式V中，连接(R³)_i的键旨在表示R³基团可位于两个稠合环上的任何一个或多个位点。

在式V的一些实施方案中，两个i＝0。

在式V的一些实施方案中，至少一个i大于0。在一些实施方案中，至少一个R³为烃烷基。在一些实施方案中，R³选自支链烃烷基和环状烃烷基。

在式V的一些实施方案中，两个i＝5，并且R³为D。

在一些实施方案中，Ar³至Ar⁶中的至少一个具有如上所示的式a或式b。

在一些实施方案中，Ar³至Ar⁶选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、苯基萘基、萘基苯基和联萘基。

在一些实施方案中，Ar³至Ar⁶是全氘代的。

在一些实施方案中，除了末端芳基上的一个或多个烷基以外，Ar³至Ar⁶是全氘代的。

氘代电致发光材料的一些非限制性实例示为下文E1至E13：

b.基质

一种基质化合物或两种或更多种基质化合物可作为基质材料存在。基质化合物的非氘代实例已公开于例如美国专利7,362,796和公布的美国专利申请2006-0115676中。

在一些实施方案中，基质材料是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。在一些实施方案中，基质材料是100％氘代的。

在一些实施方案中，基质材料选自蒽、屈、芘、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、二苯并呋喃、二呋喃并苯、金属喹啉配合物、吲哚并咔唑、苯并咪唑、三唑并吡啶、二杂芳基苯基、它们的取代衍生物、它们的氘代类似物、以及它们的组合。在一些实施方案中，上述基质化合物具有取代基，所述取代基选自芳基、烷基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，杂芳基选自吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、四嗪、喹唑啉、喹喔啉、萘基吡啶、它们的杂二芳基类似物、它们的杂三芳基类似物、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，基质选自下文结构1-9、或它们的氘代类似物。

其中R选自芳基、杂芳基和烷基。在一些实施方案中，杂芳基选自下文结构10-20、或它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，所述基团为杂二芳基衍生物或杂三芳基衍生物。

在一些实施方案中，基质材料具有下示结构中的一种

其中R选自芳基、杂芳基和烷基，并且所述化合物可被氘代。在一些实施方案中，上述结构进一步被芳基或杂芳基取代。在一些实施方案中，杂芳基选自上文结构10-20，或它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，基质材料具有式VI：

其中：Ar⁷在每次出现时相同或不同，并且为芳基；

Q选自多价芳基和

T选自(CR’)_a、SiR₂、S、SO₂、PR、PO、PO₂、BR和R；

R在每次出现时相同或不同，并且选自烷基和芳基；

R’在每次出现时相同或不同，并且选自H、D和烷基；

a为1-6的整数；并且

n为0-6的整数。

虽然n可具有0-6的值，但是应当理解，就一些Q基团而言，n的值受基团化学性质的限制。在一些实施方案中，n为0或1。

在式VI的一些实施方案中，相邻的Ar基团结合在一起形成环如咔唑。在式VI中，“相邻”是指Ar基团键合相同的N。

在一些实施方案中，Ar⁷独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、萘基苯基、菲基苯基、以及它们的氘代类似物。也可使用具有5-10个苯环的高于四联苯的类似物。

在一些实施方案中，至少一个Ar⁷具有至少一个取代基。可存在取代基，以改变基质材料的物理或电特性。在一些实施方案中，所述取代基改善了基质材料的可加工性。在一些实施方案中，所述取代基提高了基质材料的溶解度和/或提高了基质材料的Tg。在一些实施方案中，所述取代基选自D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、硅氧烷、以及它们的组合。

在一些实施方案中，Q为具有至少两个稠合环的芳基。在一些实施方案中，Q具有3-5个稠合的芳环。在一些实施方案中，Q选自蒽、屈、芘、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、二苯并呋喃、二呋喃并苯、吲哚并咔唑、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，基质化合物具有式VII：

其中：R⁴至R¹¹在每次出现时相同或不同，并且选自H、D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、硅氧烷和甲硅烷基；

Ar⁸和Ar⁹相同或不同，并且选自芳基；并且

Ar¹⁰和Ar¹¹相同或不同，并且选自H、D和芳基，

其中存在至少一个D。

在式VII的一些实施方案中，所述至少一个D存在于芳环的取代基上。在一些实施方案中，取代基选自烷基和芳基。

在式VII的一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的至少一个为D。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的至少两个为D。在一些实施方案中，至少三个为D；在一些实施方案中，至少四个为D；在一些实施方案中，至少五个为D；在一些实施方案中，至少六个为D；在一些实施方案中，至少七个为D。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹皆为D。

在一些实施方案中，R⁴至R¹¹选自H和D。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的一个为D，并且七个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的两个为D，并且六个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的三个为D，并且五个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的四个为D，并且四个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的五个为D，并且三个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的六个为D，并且两个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的七个为D，并且一个为H。在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的八个为D。

在一些实施方案中，R⁴至R¹¹中有至少一个选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、硅氧烷和甲硅烷基，并且R⁴至R¹¹中其余者选自H和D。在一些实施方案中，R⁵选自烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、硅氧烷和甲硅烷基。在一些实施方案中，R⁵选自烷基和芳基。在一些实施方案中，R⁵选自氘代烷基和氘代芳基。在一些实施方案中，R⁵选自至少10％氘代的氘代芳基。在一些实施方案中，R⁵选自至少20％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少30％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少40％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少50％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少60％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少70％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少80％氘代的氘代芳基；在一些实施方案中，选自至少90％氘代的氘代芳基。在一些实施方案中，R²选自100％氘代的氘代芳基。

在式VII的一些实施方案中，Ar⁸至Ar¹¹中的至少一个为氘代芳基。在一些实施方案中，Ar¹⁰和Ar¹¹选自D和氘代芳基。

在式VII的一些实施方案中，Ar⁸至Ar¹¹是至少10％氘代的。在式VII的一些实施方案中，Ar⁸至Ar¹¹是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在一些实施方案中，式VII化合物是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。在一些实施方案中，所述化合物是100％氘代的。

在一些实施方案中，Ar⁸和Ar⁹选自苯基、萘基、菲基、蒽基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，Ar⁸和Ar⁹选自苯基、萘基、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，Ar¹⁰和Ar¹¹选自苯基、萘基、菲基、蒽基、苯基亚萘基、萘基亚苯基、它们的氘代衍生物、以及如上所示的具有式a或式b的基团。

在一些实施方案中，Ar⁸至Ar¹¹中的至少一个为杂芳基。在一些实施方案中，杂芳基是氘代的。在一些实施方案中，杂芳基是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。在一些实施方案中，杂芳基是100％氘代的。在一些实施方案中，杂芳基选自咔唑、苯并呋喃、二苯并呋喃、以及它们的氘代衍生物。

在式VII的一些实施方案中，R⁴至R¹¹中的至少一个为D，并且Ar⁸至Ar¹¹中的至少一个为氘代芳基。在一些实施方案中，所述化合物是至少10％氘代的。在一些实施方案中，所述化合物是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的。在一些实施方案中，所述化合物是100％氘代的。

在一些实施方案中，基质化合物具有式VIII

其中：R¹²在每次出现时相同或不同，并且选自D、烷基、烷氧基、甲硅烷基和硅氧烷，或相邻的R¹²基团可结合在一起形成5元或6元脂环，

Ar¹²和Ar¹³相同或不同，并且为芳基，

j为0至6的整数；

k为0至2的整数；并且

l为0至3的整数；

其中存在至少一个D。

在一些实施方案中，R¹²为D，并且j、k和l中的至少一个大于0。在一些实施方案中，R¹²为D，并且j、k和l均大于0。在一些实施方案中，R¹²为D，j＝5-6，k＝1-2，并且l＝2-3。

在一些实施方案中，至少一个R¹²为支链烷基。在一些实施方案中，支链烷基为2-丙基、叔丁基、或它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，Ar¹²和Ar¹³为具有取代基的苯基，所述取代基选自D、烷基、甲硅烷基、苯基、萘基、N-咔唑基和芴基。

在一些实施方案中，Ar¹²和Ar¹³选自苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、4-萘基苯基、4-菲基苯基、它们的氘代类似物、以及具有如上所示的式a或式b的基团。

在一些实施方案中，基质化合物具有式IX

其中：R¹³相同或不同，并且选自苯基、联苯基、萘基、萘基苯基、三苯基氨基、咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物；

并且符合下列条件之一：

(i)R¹⁴＝R¹⁵，并且选自H、D、苯基、联苯基、萘基、萘基苯基、芳基蒽基、菲基、三苯基氨基、咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物；或者

(ii)R¹⁴选自H、D、苯基和氘代苯基；

R¹⁵选自苯基、联苯基、萘基、萘基苯基、芳基蒽基、菲基、三苯基氨基、咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物；

其中存在至少一个D。

在一些实施方案中，菲咯啉化合物是对称的，其中两个R¹³相同，并且R¹⁴＝R¹⁵。在一些实施方案中，R¹³＝R¹⁴＝R¹⁵。在一些实施方案中，菲咯啉化合物是不对称的，其中两个R¹³基团不同，R¹⁴≠R¹⁵，或二者皆然。

在一些实施方案中，R¹³基团相同，并且选自联苯基、萘基、萘基苯基、三苯基氨基、咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，R¹³基团选自苯基、三苯基氨基、咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，R¹³基团选自4-三苯基氨基、间咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，R¹³＝R¹⁴，并且选自三苯基氨基、萘基苯基、芳基蒽基、间咔唑基苯基、以及它们的氘代类似物。

在一些实施方案中，基质具有式X或式XI

其中：R¹⁶在每次出现时相同或不同，并且选自氢、氘、苯基、联苯基、萘基、萘基苯基、菲基、三苯基氨基、咔唑基、咔唑基苯基、以及它们的氘代衍生物；

R¹⁷为H或D；并且

Q”’为芳基；

其中存在至少一个D。

在一些实施方案中，Q”’选自亚苯基、亚萘基、亚联苯基、二亚萘基、以及它们的氘代衍生物。在一些实施方案中，Q”’选自1，4-亚苯基、2，6-亚萘基、4，4’-亚联苯基、4，4’-(1，1’-二亚萘基)、以及它们的氘代衍生物。

在一个实施方案中，基质为具有式XII或式XIII的氘代吲哚并咔唑：

其中：Ar¹⁴为芳族电子传输基团；

Ar¹⁵选自芳基和芳族电子传输基团；并且

R¹⁸和R¹⁹在每次出现时相同或不同，并且选自H、D和芳基；

其中所述化合物具有至少一个D。

在式XII和式XIII的一些实施方案中，氘存在于选自下列的部分上：吲哚并咔唑核心、芳环、芳环上的取代基、以及它们的组合。

Ar¹⁴为芳族电子传输基团。在一些实施方案中，芳族电子传输基团为含氮杂芳基。为电子传输基团的含氮杂芳基的一些实例包括但不限于下文所示那些。

在上式中：Ar¹⁶为芳基；

R²⁰在每次出现时相同或不同，并且选自D、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、硅氧烷和甲硅烷基；

m为0-4的整数；n为0-3的整数；o为0-2的整数；p为0-5的整数；q为0或1；并且r为0-6的整数。

所述基团可键合到核心氮的任何位置上，用波形线示出。

在一些实施方案中，两个或更多个相同或不同的吸电子取代基结合在一起形成低聚取代基。在一些实施方案中，R²⁰选自D和芳基。在一些实施方案中，R²⁰为含氮杂芳族电子传输基团。

在一些实施方案中，Ar¹⁵为如上所述的芳族电子传输基团。在一些实施方案中，Ar¹⁵选自苯基、萘基、菲基、蒽基、苯基亚萘基、萘基亚苯基、它们的氘代衍生物、以及具有如上所述的式a或式b的基团。

在一些实施方案中，基质材料选自氘代二芳基蒽、氘代氨基屈、氘代二芳基屈、氘代二芳基芘、氘代吲哚并咔唑、氘代菲咯啉、以及它们的组合。

氘代基质化合物的一些非限制性实例包括下文所示化合物H1至H17。

其中x+y+z+n＝1-26

其中x+y+z+p+n+q＝1-34

∑(a-f)＝1-25

化合物H17：

∑(a-f)＝1-28

5.电子传输层

电子传输层150包含电子传输材料。当涉及层、材料、构件或结构时，术语“电子传输”旨在表示此类层、材料、构件或结构有利于负电荷以较高的效率和较小的电荷损失迁移通过此类层、材料、构件或结构的厚度。尽管发光材料也可具有一定程度的电荷传输性能，术语“电子传输层、材料、构件或结构”不旨在包括其主要功能是发光的层、材料、构件、或结构。

电子传输材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可以是气相沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。

在一些实施方案中，电子传输层包含氘代材料。在一些实施方案中，电子传输材料是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在一些实施方案中，电子传输层150包含具有如上所述的式IX、式X或式XI的氘代菲咯啉衍生物。在一些实施方案中，电子传输层150基本上由具有式IX、式X或式XI的氘代菲咯啉衍生物构成。

在一些实施方案中，电子传输层150包含具有如上所述的式XII或式XIII的氘代吲哚并咔唑衍生物。在一些实施方案中，电子传输层150基本上由具有式XII或式XIII的氘代吲哚并咔唑衍生物构成。

在一些实施方案中，电子传输层包含选自下列的材料：氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶和氘代二杂芳基苯基。

在一些实施方案中，电子传输层150包含氘代金属螯合的8-羟基喹啉酮化合物。此类材料的实例包括氘代金属喹啉衍生物如氘代三(8-羟基喹啉)铝(d-AlQ)、氘代双(2-甲基-8-喹啉)(对苯基苯酚)铝(d-BAlq)、氘代四-(8-羟基喹啉)铪(d-HfQ)和氘代四-(8-羟基喹啉)锆(d-ZrQ)。

在一些实施方案中，电子传输层包含电子传输材料，所述材料选自氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑、氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶、氘代二杂芳基苯基、氘代金属喹啉、以及它们的组合。在一些实施方案中，电子传输层基本上由电子传输材料构成，所述材料选自氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑、氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶、氘代二杂芳基苯基、氘代金属喹啉、以及它们的组合。

可用于电子传输层150中的其它电子传输材料实例包括唑化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-

二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)和1，3，5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物，例如2，3-双(4-氟代苯基)喹喔啉；三嗪；富勒烯；任何上述材料的氘代类似物；以及它们的混合物。在一些实施方案中，所述电子传输层还包含n型掺杂剂。N型掺杂剂材料是熟知的。n型掺杂剂包括但不限于第1族和第2族金属；第1族和第2族金属盐，如LiF、CsF和Cs₂CO₃；第1族和第2族金属有机化合物如锂喹啉；以及分子n型掺杂剂，如无色染料、金属配合物，如W₂(hpp)₄(其中hpp＝1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并-[1，2-a]-嘧啶)和二茂钴、四硫杂萘并萘、双(亚乙基二硫基)四硫富瓦烯、杂环基团或二价基团、以及杂环基团或二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物和多环化物。n型掺杂剂也可以是氘代的。

氘代电子传输化合物的一些非限制性实例包括下文所示化合物ET1至ET4。

∑(x+y+z)＝1-54

6.化学围阻

为了制备具有全彩图像的显示器，要将每个显示像素分成三个次像素，每个次像素发射红、绿和蓝三原显示色之一。当由液相沉积技术施加不同颜色时，需要防止相邻次像素间的液体有色材料(即油墨)扩散和颜色混合。

防止颜色混合的一种方法是在施用有色油墨之前提供化学围阻层。术语“化学围阻层”旨在表示图案层，所述层通过表面能效应而不是物理屏障结构，包含液体材料或限制液体材料的扩散。当涉及层时，术语“被包含”旨在表示该层不会显著扩散到其所沉积的区域之外。术语“表面能”是指由材料产生单位面积表面所需的能量。表面能的特性在于具有给定表面能的液体材料不会润湿具有更低表面能的表面。

在一些实施方案中，化学围阻层包含氘代材料。在一些实施方案中，所述化学围阻材料是至少10％氘代的；在一些实施方案中，是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

在一些实施方案中，就由阳极侧开始制得的器件而言，将化学围阻层施加到空穴注入层上，并且同时包含空穴传输层和电致发光层。在一些实施方案中，将化学围阻层施加到空穴传输层上，并且包含电致发光层。就从阴极侧开始制得的器件而言，将化学围阻层施加到电子注入层或电子传输层上。

在一些实施方案中，使用灌注层，在第一层上形成化学围阻层，其中灌注层具有与第一层表面能显著不同的表面能。将灌注层施加在整个第一层上。然后使所述灌注层暴露于图案形式的辐射下，以形成暴露区域和未暴露区域。接着将灌注层显影，以从暴露区域或未暴露区域有效去除灌注层。结果为第一层上的图案化灌注层。图案化灌注层为化学围阻层。术语“有效去除”和“可有效去除”是指暴露或未暴露区域中的灌注层基本上被完全去除。也可部分去除其它区域中的灌注层，使得灌注层余下图案比原灌注层薄。

在一些实施方案中，灌注层图案具有比第一层表面能更高的表面能。通过液相沉积，在第一层的灌注层图案上形成第二层。

在一些实施方案中，灌注层图案具有低于第一层表面能的表面能。通过液相沉积，在已经去除灌注层的第一层区域上形成第二层。该方法和非氘代材料已描述于公布的美国专利申请US 2007/0205409中。

测定相对表面能的一种方法是将指定液体在第一有机层上的接触角与同一液体暴露显影后在灌注层(下文称为“显影灌注层”)上的接触角进行比较。接触角随着表面能的降低而增加。有许多制造商都在生产能够测量接触角的设备。

在一些实施方案中，第一层的表面能低于灌注层的表面能。在一些实施方案中，第一层与苯甲醚的接触角大于40℃；在一些实施方案中，大于50°；在一些实施方案中，大于60°；在一些实施方案中，大于70°。在一些实施方案中，显影灌注层与苯甲醚的接触角小于30°；在一些实施方案中，小于20°；在一些实施方案中，小于10°。在一些实施方案中，指定溶剂与显影灌注层的接触角比与第一层的接触角低至少20°。在一些实施方案中，指定溶剂与显影灌注层的接触角比与第一层的接触角低至少30°。在一些实施方案中，指定溶剂与显影灌注层的接触角比与第一层的接触角低至少40°。

灌注层包含组合物，当暴露于辐射时，所述组合物反应形成材料，与未暴露的灌注材料相比，所述材料更易或更难从下方第一层上去除。该改变必须足以使暴露和未暴露区域能够物理区分并且显影。

在一个实施方案中，灌注层包含可辐射硬化的组合物。在该情况下，当暴露于辐射时，灌注层可变得较不易溶于或分散于液体介质中、粘性降低、柔韧性降低、流动性降低、移动性降低、或吸收性降低。其他物理特性也可能受到影响。

在一个实施方案中，灌注层基本上由一种或多种辐射敏感性材料构成。在一个实施方案中，灌注层基本上由下述材料构成，当暴露于辐射时，所述材料硬化，或变得较不易溶解、溶胀或分散于液体介质中，或变得粘性降低或吸收性降低。在一个实施方案中，灌注层基本上由具有可辐射聚合基团的材料构成。此类基团的实例包括但不限于烯烃、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和乙烯基醚。在一个实施方案中，灌注材料具有两个或更多个可造成交联的可聚合基团。

在一个实施方案中，灌注层基本上由至少一种反应材料和至少一种辐射敏感性材料构成。当暴露于辐射时，辐射敏感性材料生成活性物质，后者继而引发反应材料发生反应。辐射敏感性材料的实例包括但不限于可生成自由基、酸、或它们的组合的那些材料。

在一个实施方案中，反应材料为可聚合的或可交联的。该材料的聚合反应或交联反应由活性物质引发或催化。在一个实施方案中，反应材料为烯键式不饱和化合物，而辐射敏感性材料则生成自由基。烯键式不饱和化合物包括但不限于丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物、以及它们的组合。可以使用任何已知类别的可生成自由基的辐射敏感性材料。产生自由基的辐射敏感性材料实例包括但不限于醌、二苯甲酮、苯偶姻醚、芳基酮、过氧化物、二咪唑、苄基二甲基缩酮、羟基烷基苯基苯乙酮、二烷氧基苯乙酮、三甲基苯甲酰氧化膦衍生物、氨基酮、苯甲酰基环己醇、甲基苯硫吗啉酮、吗啉代苯基氨基酮、α-卤代苯乙酮、氧基磺酰基酮、磺酰基酮、氧磺酰基酮、磺酰基酮、苯甲酰肟酯、噻吨酮、樟脑醌、香豆素酮和米氏酮。作为另外一种选择，辐射敏感性材料可为化合物的混合物。当受到经辐射活化的感光剂作用时，其中一种化合物提供自由基。在一个实施方案中，辐射敏感性材料对可见光辐射或紫外线辐射敏感。

辐射敏感性材料的含量基于所述灌注层的总重量一般为0.001％至10.0％。

在一个实施方案中，反应材料可在酸的引发下发生聚合反应，而辐射敏感性材料则生成酸。此类反应材料的实例包括但不限于环氧化物。产生酸的辐射敏感性材料的实例包括但不限于锍

盐和碘

盐，如二苯基碘

六氟磷酸盐。

在一个实施方案中，灌注层包含可辐射软化的组合物。在该情况下，当暴露于辐射时，灌注层可变得较易溶于或分散于液体介质中，粘性提高、柔韧性提高、可流动性提高、移动性提高、或吸收性提高。其他物理特性也可能受到影向。

在一个实施方案中，灌注层基本上由下述材料构成，当暴露于辐射时，所述材料软化，或变得较易溶于、溶胀于、或分散于液体介质中，或变得粘性更大或吸收性更大。

在可辐射软化的组合物的一个实例中，反应材料为酚醛树脂，并且辐射敏感性材料为二叠氮萘醌。

在可辐射软化的组合物的一个实例中，灌注层基本上由至少一种聚合物构成，当暴露于200-300nm波长范围内的深紫外线辐射时，所述聚合物发生主链降解。发生此类降解的聚合物的实例包括但不限于聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酮、聚砜、它们的共聚物、以及它们的混合物。

还可以使用本领域已知的其他辐射敏感性体系。

在一个实施方案中，当暴露于辐射下时，灌注层与下方区域反应。此反应的确切机理将取决于所用的材料。暴露于辐射后，通过适宜的显影处理，有效去除未暴露区域中的灌注层。在一些实施方案中，仅去除未暴露区域中的灌注层。在一些实施方案中，还部分去除暴露区域中的灌注层，在那些区域中保留一较薄的层。在一些实施方案中，保留在暴露区域中的灌注层厚度小于

在一些实施方案中，保留在暴露区域中的灌注层在厚度上基本上为单层。

在一些实施方案中，灌注材料是氘代的。术语“氘代”旨在表示至少一个H被D取代。术语“氘代类似物”是指其中一个或多个可用氢已被氘取代的化合物或基团的结构类似物。在氘代化合物或氘代类似物中，氘的含量为自然丰度的至少100倍。在一些实施方案中，灌注材料是至少10％氘代的。这是指，至少10％的氢已被氘取代。在一些实施方案中，灌注材料是至少20％氘代的；在一些实施方案中，是至少30％氘代的；在一些实施方案中，是至少40％氘代的；在一些实施方案中，是至少50％氘代的；在一些实施方案中，是至少60％氘代的；在一些实施方案中，是至少70％氘代的；在一些实施方案中，是至少80％氘代的；在一些实施方案中，是至少90％氘代的；在一些实施方案中，是100％氘代的。

可由任何已知的沉积方法来施加灌注层。在一个实施方案中，施加灌注层，而无需将其加入到溶剂中。在一个实施方案中，经由气相沉积来施加灌注层。

在一个实施方案中，经由冷凝方法施加灌注层。如果灌注层通过蒸汽相冷凝来施加，并且蒸汽冷凝期间表面层温度过高，则灌注层可能迁移到有机基质表面的孔腔或自由体积中。在一些实施方案中，保持有机基质温度低于基质材料的玻璃化转变温度或熔融温度。可通过任何已知的技术来维持该温度，例如将第一层置于通过流动液体或气体进行冷却的表面上。

在一个实施方案中，在冷凝步骤之前将灌注层施加到临时载体上，以形成均匀的灌注层涂层。这可以通过任何沉积方法来实现，这些方法包括液相沉积、气相沉积和热传递。在一个实施方案中，经由连续液相沉积技术将灌注层沉积在临时载体上。沉积灌注层的液体介质选择将取决于灌注层自身的实际性质。在一个实施方案中，该材料通过旋涂法进行沉积。然后，将涂覆的临时载体用作来源以加热形成用于冷凝步骤的蒸汽。

可使用连续或间歇方法，实现灌注层的施加。例如，在间歇方法中，用灌注层同时涂布一个或多个器件，然后同时暴露于辐射源。在连续方法中，在皮带或其它输送器件上运输的器件将通过其中用灌注层将它们连续涂布的工位，然后继而通过其中使它们连续暴露于辐射源的工位。所述方法的一部分可以是连续的，而所述方法的其它部分可以是间歇的。

在一个实施方案中，灌注材料在室温下为液体，并且经由液相沉积施用到第一层上。液体灌注材料可为成膜的，或它可吸收或吸附到第一层表面上。在一个实施方案中，将液体灌注材料冷却至低于其熔点的温度，以在第一层上形成第二层。在一个实施方案中，灌注材料在室温下不为液体，并且加热至高于其熔点的温度，沉积在第一层上，并且冷却至室温，以在第一层上形成第二层。就液相沉积而言，可使用上述任何方法。

在一个实施方案中，由第二液体组合物来沉积灌注层。如上所述，液相沉积方法可以是连续或不连续的。在一个实施方案中，采用连续液相沉积方法沉积灌注液体组合物。沉积灌注层的液体介质的选择将取决于灌注材料自身的实际性质。

形成灌注层后，将其暴露于辐射。如上所述，所用的辐射类型将取决于灌注层敏感性。暴露是图案形式的。如本文所用，术语“图案形式”是指仅所选部分的材料或层暴露。可以使用任何已知的成像技术来实现以图案形式暴露。在一个实施方案中，通过掩模暴露来获得图案。在一个实施方案中，通过仅使所选部分暴露于光栅激光器，来获得图案。暴露时间可在数秒至数分钟范围内，这取决于所用灌注层的特定化学性质。如果使用激光器，则每个单独区域的暴露时间要短得多，具体取决于激光器的功率。暴露步骤既可在空气中进行，也可在惰性气氛中进行，具体取决于材料的敏感性。

在一个实施方案中，辐射选自紫外线辐射(10-390nm)、可见辐射(390-770nm)、红外线辐射(770-10⁶nm)、以及它们的组合，包括同步和依序处理。在一个实施方案中，辐射选自可见辐射和紫外线辐射。在一个实施方案中，辐射具有300至450nm范围内的波长。在一个实施方案中，辐射为深UV(200-300nm)。在另一个实施方案中，紫外线辐射具有介于300和400nm之间的波长。在另一个实施方案中，辐射具有400至450nm范围内的波长。在一个实施方案中，辐射为热辐射。在一个实施方案中，通过加热来完成暴露于辐射。加热步骤的温度和持续时间使得灌注层的至少一种物理特性发生改变，而不会损坏发光区域的任何下层。在一个实施方案中，加热温度低于250℃。在一个实施方案中，加热温度低于150℃。

以图案形式暴露于辐射后，将灌注层显影。可通过任何已知的技术实现显影。此类技术已广泛用于光致抗蚀剂和印刷领域。显影技术实例包括但不限于施加热(蒸发)、用液体介质处理(洗涤)、用吸收材料处理(吸墨)、用粘性材料处理等。显影步骤导致有效去除暴露或未暴露区域中的灌注层。然后灌注层分别保留于未暴露或暴露区域中。也可部分去除未暴露或暴露区域中的灌注层，但必须充分保留以使得暴露和未暴露区域之间存在可润湿性差异。例如，可有效去除未暴露区域中的灌注层，并且去除暴露区域的一部分厚度。在一些实施方案中，显影步骤致使有效去除未暴露区域中的灌注层。

在一个实施方案中，使灌注层暴露于辐射下，造成灌注层在溶剂中溶解性或可分散性的变化。在该情况下，可通过湿法显影处理实现显影。处理通常涉及用溶剂洗涤，所述溶剂溶解、分散或移除一种类型的区域。在一个实施方案中，以图案形式暴露于辐射，造成灌注层暴露区域的不溶解性，并且用溶解处理致使去除灌注层的未暴露区域。

在一个实施方案中，使灌注层暴露于辐射引起反应，所述反应改变暴露区域中灌注层的挥发性。在该情况下，可通过热显影处理实现显影。处理涉及加热至在挥发性较高物质的挥发或升华温度以上，并且在所述物质热反应温度以下的温度。例如，对于可聚合单体而言，可将材料的温度加热到升华温度之上以及热聚合反应温度之下。应当理解，热反应温度接近或低于挥发温度的灌注材料可能无法以这样的方式显影。

在一个实施方案中，使灌注层暴露于辐射下，致使材料的熔融、软化或流动温度发生变化。在该情况下，可通过干法显影处理实现显影。干法显影处理可包括使元件的最外表面接触吸收剂表面，以将更软的部分吸收或芯吸掉。只要不进一步影响剩余区域的特性，可在高温下实施干法显影。

显影步骤获得保留的灌注层区域和其中下方第一层未被覆盖的区域。

在一些实施方案中，灌注层包含空穴传输材料。在一些实施方案中，灌注层包含选自下列的材料：三芳基胺、咔唑、芴、它们的聚合物、它们的共聚物、它们的氘代类似物、以及它们的组合。在一些实施方案中，灌注层包含选自下列的材料：聚合三芳基胺、聚咔唑、聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的聚三芳基胺、芴和三芳基胺的共聚物、它们的氘代类似物、以及它们的组合。在一些实施方案中，聚合材料是可交联的。在一些实施方案中，灌注层包含电子传输材料。在一些实施方案中，灌注层包含金属螯合的8-羟基喹啉酮化合物。在一些实施方案中，灌注层包含金属喹啉衍生物。在一些实施方案中，灌注层包含选自下列的材料：三(8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(对苯基苯酚)铝、四-(8-羟基喹啉)铪和四-(8-羟基喹啉)锆。在一些实施方案中，灌注层基本上由选自下列的材料构成：聚合三芳基胺、聚咔唑、聚芴、它们的共聚物和金属喹啉。

在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氟化酸聚合物的导电聚合物，并且灌注层基本上由空穴传输材料构成。在一些实施方案中，空穴传输材料为三芳基胺聚合物。此类聚合物已描述于例如公布的PCT专利申请WO 2008/024378、WO 2008/024379和WO 2009/067419中。在一些实施方案中，灌注材料选自具有以非平面构型连接的共轭部分的聚合三芳基胺、具有至少一个芴部分和至少两个三芳基胺部分的化合物、以及它们的氘代类似物。在一些实施方案中，聚合三芳基胺具有如上所述的式I、式II、或式III。

可用作灌注层的一些示例性化合物包括氘代芴、氘代聚芴、氘代聚乙烯咔唑、化合物HT1至HT12、ET3和ET4。

7.其它器件层

器件中的其他层可由已知用于此类层的任何材料制成。

阳极110是用于注入正电荷载体的尤其有效的电极。它可由例如包含金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物的材料制成，或者它可以是导电聚合物，或它们的混合物。适宜的金属包括第11族金属、第4-6族中的金属和第8-10族的过渡金属。如果使阳极具有透光性，则一般使用12、13和14族金属的混合金属氧化物，例如氧化铟锡。阳极110还可包含有机材料如聚苯胺，如“Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer，”Nature第357卷，第477-479页(1992年6月11日)中所述。所述阳极和阴极中至少一个理想地至少是部分透明的以使得所产生的光被观察到。

阴极160是用于注入电子或负电荷载体尤其有效的电极。阴极可以是功函低于阳极的任何金属或非金属。用于阴极的材料可选自1族的碱金属(例如锂、铯)、第2族(碱土)金属、第12族金属，包括稀土元素和镧系元素、以及锕系元素。可使用诸如铝、铟、钙、钡、钐和镁、以及它们的组合的材料。含Li或Cs的有机金属化合物、LiF、CsF和Li₂O也可沉积在有机层和阴极层之间，以降低操作电压。

已知在有机电子器件中存在其他层。例如，在阳极110和空穴注入层120之间存在层(未示出)，以控制注入的正电荷量和/或提供层的带隙匹配，或用作保护层。可使用本领域已知的层，如铜酞菁、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或超薄金属层如Pt。作为另外一种选择，阳极层110、活性层120、130、140和150、或阴极层160中的一些或所有可被表面处理，以增加电荷负载传输效率。优选通过平衡发射极层中的正电荷和负电荷来确定每个组件层的材料的选择，以提供具有高电致发光效率的器件。任何或所有这些层可包含氘代材料。

应当理解，每个功能层可由一个以上的层构成。

可使用多种技术来制造所述器件，包括在适宜的基板上依次气相沉积各层。可使用诸如玻璃、塑料、以及金属的基板。可使用常规的气相沉积技术诸如热蒸发、化学气相沉积等。作为另外一种选择，可使用常规的涂布或印刷技术，包括但不限于旋涂、浸涂、卷对卷技术、喷墨印刷、丝网印刷、凹版印刷等，由适宜溶剂中的溶液或分散体来施加有机层。

在一些实施方案中，用于制备有机发光器件的方法包括：

提供其上具有图案化阳极的基底；

通过沉积第一液体组合物形成电活性层，所述组合物包含(a)氘代电活性材料，和(b)液体介质；并且

形成整个阴极。

术语“液体组合物”旨在包括其中溶解一种或多种材料以形成溶液的液体介质、其中分散一种或多种材料以形成分散体的液体介质、或其中悬浮一种或多种材料以形成悬浮液或乳液的液体介质。

在上述方法的一些实施方案中，氘代电活性材料为氘代空穴注入材料。在上述方法的一些实施方案中，氘代电活性材料为氘代空穴传输材料。在上述方法的一些实施方案中，氘代电活性材料为氘代电致发光材料。在上述方法的一些实施方案中，氘代电活性材料为氘代基质材料。在上述方法的一些实施方案中，氘代电活性材料为氘代电子传输材料。在上述方法的一些实施方案中，氘代电活性材料为氘代化学围阻材料。

在一些实施方案中，所述方法还包括：

通过沉积第二液体组合物形成第二电活性层，所述组合物包含位于第二液体介质中的第二氘代电活性材料。

在一些实施方案中，第二氘代电活性材料选自氘代空穴注入材料、氘代空穴传输材料、氘代电致发光材料、氘代基质材料、氘代电子传输材料和氘代化学围阻材料。

可使用任何已知的液相沉积技术或技术的组合，包括连续和非连续技术。连续液相沉积技术的实例包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、槽模涂布、喷涂和连续喷印。非连续沉积技术的实例包括但不限于喷墨印刷、照相凹版印刷和丝网印刷。在一些实施方案中，由选自连续喷涂和喷墨印刷的方法形成图案形式的电活性层。虽然喷印可被认为是连续技术，但是通过将喷嘴仅放置在所期望的成层区域上，就能够形成图案。例如，能够形成连续带图案。

本领域技术人员能够易于确定具体待沉积组合物的适宜液体介质。就某些应用而言，期望所述化合物可溶解于非水性溶剂中。此类非水性溶剂可以是相对极性的，如C₁至C₂₀醇、醚和酸酯，或可以是相对非极性的，如C₁至C₁₂烷烃或芳烃如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。另一种适用于制备如本文所述的包含新型化合物的溶液或分散体形式的液体组合物的液体包括但不限于氯化烃(如二氯甲烷、氯仿、氯苯)、芳烃(如取代或未取代的甲苯或二甲苯，包括三氟甲苯)、极性溶剂(如四氢呋喃(THF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP))、酯(如乙酸乙酯)、醇(如异丙醇)、酮(如环戊酮)、或它们的任何混合物。用于电致发光材料的溶剂混合物实例已描述于例如公布的美国专利申请2008-0067473中。

沉积后，使材料干燥形成层。可采用任何常规的干燥技术，包括加热、抽真空、以及它们的组合。

在一些实施方案中，通过空穴注入层、空穴传输层和电活性层的液相沉积，以及通过阳极、电子传输层、电子注入层和阴极的气相沉积，制得器件。

8.氘代材料的合成

本文所述化合物的非氘代类似物可由已知的偶合和取代反应制得。然后通过使用氘代前体材料以类似的方式，或更一般通过在路易斯酸H/D交换催化剂如三氯化铝或氯化乙基铝，或酸如CF₃COOD、DCl等的存在下，用氘代溶剂如d6-苯处理未氘代化合物，制得新的氘代化合物。示例性制备示于实施例中。氘代度可通过NMR分析和质谱仪如大气固体分析探测质谱仪(ASAP-MS)测得。

全氘代或部分氘代的芳香化合物或烷基化合物的原料可购自商业来源，或可采用已知方法获得。此类方法的一些实例可见于a)“Efficient H/D ExchangeReactions of Alkyl-Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd/C-H2-D2OSystem”，Hiroyoshi Esaki，Fumiyo Aoki，Miho Umemura，Masatsugu Kato，Tomohiro Maegawa，Yasunari Monguchi，和Hironao Sajiki，“Chem.Eur.J.”2007，13，4052-4063；b)“Aromatic H/D Exchange Reaction Catalyzed byGroups 5 and 6 Metal Chlorides”，GUO，Qiao-Xia，SHEN，Bao-Jian，GUO，Hai-Qing，TAKAHASHI，Tamotsu，“Chinese Journal of Chemistry”，2005，23，341-344；c)“A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis(2，2′-bipyridine)iridium(III)ion”，Richard J.Watts，Shlomo Efrima，和Horia Metiu，“J.Am.Chem.Soc.”，1979，101(10)，2742-2743；d)“Efficient H-D Exchange of Aromatic Compounds in Near-CriticalD20 Catalysed by a Polymer-Supported Sulphonic Acid”，Carmen Boix和MartynPoliakoff，“Tetrahedron Letters”，40(1999)，4433-4436；e)US3849458；f)“Efficient C-H/C-D Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of AromaticCompounds Using Heterogeneous Pd/C in D2O”，Hironao Sajiki，Fumiyo Aoki，Hiroyoshi Esaki，Tomohiro Maegawa，和Kosaku Hirota，“Org.Lett.”，2004，6(9)，1485-1487中。

可采用液相沉积技术，使本文所述化合物形成膜。令人惊奇并且出乎意料的是，当与同类非氘代化合物比较时，这些化合物大幅度改善了特性。包括具有本文所述化合物的活性层的电子器件具有大幅度改善的寿命。此外，获得寿命增加，以及高量子效率和良好色彩饱和度。此外，本文所述氘代化合物具有比非氘代类似物更大的空气容受度。这可致使材料的制备和纯化具有更大的加工容受度，并且致使采用所述材料制造电子器件具有更大的加工容受度。

实施例

以下实施例示出了本发明的某些特征和优点。它们旨在举例说明本发明而并不是限制性的。所有百分数均按重量计，除非另外指明。

合成实施例1

该实施例示出了氘代空穴注入材料D-HIJ-1的制备

a.氘氧化物(D ₂ O)中氘代-HFAP分散体的制备

将四氟乙烯(“TFE”)和全氟-3，6-二氧杂-4-甲基-7-辛烯磺酸(“PSEPVE”)的共聚物氘代，并且以下列方式，制成D₂O中的胶态分散体。首先使用与美国专利6,150,426实施例1部分2中方法相似的方法，将磺酸中每987克具有一个质子(每个酸性位点的共聚物重量)的聚(TFE-PSEPVE)制成水分散体，不同的是温度为约270℃。在液体深度不超过5/8″的托盘中，将非氘代聚(TFE-PSEPVE)分散体转变成自由流动的聚(TFE-PSEPVE)固体片。然后将托盘冷却至低于0℃，以首先冷冻水分散体。冷冻后，使其经历不高于1mmHg的部分真空压力，直至大部分水被移除。然后将部分干燥的固体在真空压力下加热至约30℃，以完全除去水分，而不使聚合物聚结。

将21g经真空炉预干燥以除水的非氘代聚(TFE-PSEPVE)固体片放置于预先用氮气吹扫的金属圆柱管中。将购自Cambridge Isotope Lab，Inc.的150g D₂O立即加入到包含聚(TFE-PSEPVE)的管中。将管盖封，并且在压力实验室中短时间加热至约270℃，之后冷却至R.T.，以确保固体片转变成D₂O中的聚(TFE-PSEPVE)胶态分散体。此外，聚(TFE-PSEPVE)中远超过氘的质子已经与氘交换，以完成聚(TFE-PSEPVE)的氘代。将D₂O中的氘代聚(TFE-PSEPVE)(“D-聚(TFE-PSEPVE)”)分散体进一步处理以去除较大的颗粒。由重量测定法测得D₂O分散体中D-聚(TFE-PSEPVE)的重量百分比按所述分散体的总重量计为11.34重量％。

b.直接加工形成氘代-HFAP以及氘氧化物(D ₂ O)中的氘代-HFAP分散体

四氟乙烯(“TFE”)和全氟-3，6-二氧杂-4-甲基-7-辛烯磺酸(“PSEPVE”)的共聚物可被氘代，并且以下列方式制成D₂O中的胶态分散体。使用与美国专利6,150,426实施例1部分2中方法相似的方法，将磺酸中每987克具有一个质子(每个酸性位点的共聚物重量)的聚(TFE-PSEPVE)树脂制成D2O分散体，不同的是温度为约270℃，并且使用D₂O替代水。

c.制备掺入有氘代HFAP的氘代导电聚合物

氘代吡咯(“D₅-Py”(分子式重量：72.12)购自Aldrich ChemicalCompany(Milwaukee，WI)。使用前，将该褐色液体减压分馏。由¹³C NMR光谱表征无色馏出液以证实结构。

以下列方式实施D₅-Py的D-聚(TFE-PSEPVE)/D₂O分散体聚合反应。首先称量70.2g实施例1中制得的D-聚(TFE-PSEPVE)/D₂O，放入到500mL树脂锅中，然后加入额外的14g D₂O。D-聚(TFE-PSEPVE)/D₂O的量代表8.14mmol酸。用具有顶置式搅拌器的玻璃封盖将所述树脂锅盖封。在搅拌D-聚(TFE-PSEPVE)/D₂O的同时，将预先溶于10mL的0.135g(0.26mmol)硫酸铁和0.62g(2.6mmol)Na₂S₂O₈加入到D-聚(TFE-PSEPVE)/D₂O中。稍后，将预先溶于7mL D₂O的0.175g(2.43mmol)D₅-Py在一分钟内加入到所述混合物中。D₅-Py加入后立即开始聚合反应。使聚合反应进行10分钟。在氮气下进行成分的加入和聚合反应。10分钟结束时，将Dowex M-43树脂加入到树脂锅中，并且混合约5分钟。用417滤纸真空过滤后，将Dowex M-31 Na+树脂加入到混合物中，并且搅拌5分钟。使用417滤纸，将所得材料再次真空过滤。再用离子交换树脂处理掺入有D-聚(TFE-PSEPVE)的氘代聚呲咯(“聚(D₅-Py)/D-聚(TFE-PSEPVE)”)的D₂O分散体，以进一步纯化所述分散体，其中它仅包含1.79ppm的硫酸盐，和0.79ppm的氯化物。测得分散体的固体％为4.3％，并且测得pH为5.2。275℃下在干箱中烘烤30分钟的流延膜电导率室温下测得为～1×10^- ⁶S/cm。

合成实施例2

该实施例示出了氘代空穴传输材料HT5的制备。这示于下文中，其中R¹＝正丙基，R²＝正辛基，y＝0并且x＝42：

所述化合物根据下文方案制得。

中间体化合物Y1的合成：

在氮气氛下，将AlCl₃(0.17g，1.29mmol)加入到2，2’-二辛基-4，4’-二溴-1，1’-二萘(2.328g，3.66mmol)的C₆D₆(100mL)溶液中。将所得混合物在室温下搅拌30分钟，之后加入D₂O(50mL)。分层，然后用CH₂Cl₂(2×30mL)洗涤水层。在硫酸镁上干燥合并的有机层，并且通过旋转蒸发移除挥发性物质。经由柱层析纯化粗产物。获得白色粉末状化合物Y1(1.96g)。

中间体化合物Y2的合成：

采用与上文中间体化合物C1制备相似的方法，由化合物Y1制得化合物Y2。采用层析纯化化合物Y2。

中间体化合物Y3的合成：

在氮气下，向100mL圆底烧瓶中加入化合物Y2(2.100g，2.410mmol)和二氯甲烷(30mL)。使其搅拌5分钟，然后加入三氟乙酸(1.793mL)，并且使反应搅拌过夜。反应完成后，使用饱和碳酸钠溶液终止反应。除去水，并且用CH2Cl2洗涤，然后将合并的有机层蒸发至干。将残余物溶于乙醚中，并且用碳酸钠、盐水和水洗涤产物，并且使用硫酸镁干燥。使用层析纯化化合物Y3，获得1.037g。

由¹H NMR证实化合物结构，如图2所示。

中间体化合物Y4的合成：

用氮气将4-溴-4′-丙基联苯(5.10g，18.53mmol)的C6D6(20mL)溶液吹扫30分钟。经由注射器滴加1.0M二氯化乙基铝的己烷溶液(4.0mL，4.0mmol)，并且在氮气氛下，将反应混合物加热回流1.75h。氮气氛下冷却至室温后，加入氘氧化物(20mL)，摇动混合物，然后分层。用苯(3×10mL)萃取水层，并且在硫酸镁上干燥合并的有机相，过滤并且旋转蒸发浓缩。将由此获得的产物在上述反应条件下再处理两次。第三次处理后，将粗产物从乙醇(20mL)中重结晶，获得白色固体状化合物Y4(1.01g)。Mp 110.1-111.6℃。纯度(UPLC)：100％。Y4的¹H NMR波谱符合被氘取代的8个芳族质子平均值7.64。

中间体化合物Y5的合成：

氮气氛下，将化合物Y3(1.04g，1.55mmol)、Y4(0.80g，2.82mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(81mg，0.09mmol)、三叔丁基磷化氢(42mg，0.21mol％)和甲苯(25mL)混合。加入叔丁醇钠(0.52g，5.41mmol)，并且将反应在室温下搅拌40h。然后加入三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(50mg，0，05mmol)、三叔丁基磷化氢(30mg，0.15mmol)和Y4(196mg，0.69mmol)，并且将反应混合物加热至50℃。又72h后，将反应混合物通过硅藻土垫过滤，用CH2Cl2(50mL)淋洗。将滤液在旋转蒸发器上浓缩，然后真空干燥。通过中压液相色谱法，在硅胶上纯化产物(0-40％梯度二氯甲烷的己烷溶液)，获得0.99g(59％收率)白色固体。NMR分析证实中间体化合物Y5的结构为4，4’-和4，5’-区域异构体的混合物。纯度(UPLC)：99.3％。

中间体化合物Y6的合成：

步骤1：制备氘代4-溴联苯。

用氮气将4-溴联苯(4.66g，20.0mmol)的C6D6(20mL)溶液吹扫30分钟。经由注射器滴加1.0M二氯化乙基铝的己烷溶液(4.0mL，4.0mmol)，并且在氮气氛下，将反应混合物加热回流50min。氮气氛下冷却至室温后，加入氘氧化物(20mL)，摇动混合物，然后分层。在硫酸镁上干燥有机相，过滤并且旋转蒸发浓缩。将由此获得的产物在上述反应条件下再处理四次。第五次处理后，将粗产物从乙醇(20mL)中重结晶，获得白色固体状步骤1标题化合物(2.26g)。Mp 92.8-94.1℃。纯度(UPLC)：98.14％。质谱显示已掺入6-9个氘原子。

步骤2：制备Y6：

将步骤1的产物(2.26g，9.36mmol)和碘酸(687mg)溶于乙酸(40mL)中。加入碘片(1.56g)，然后加入浓硫酸(1.0mL)和水(2.0mL)，并且将反应混合物加热回流210分钟。冷却至室温后，过滤收集沉淀，并且用水洗涤，然后用甲醇(每次20mL)洗涤。将粗产物从EtOH/EtOAc(1/1)中重结晶，获得白色固体状Y6(1.31g)。Mp 179.0-181.3℃。纯度(UPLC)：100％。质谱显示已掺入平均6-7个氘原子。

中间体化合物Y7的合成：

在用氮气吹扫的手套箱中，向配备磁力搅拌器、温度计和顶部具有处于关闭位置的进气适配器的回流冷凝器的3颈圆底烧瓶中，通过开口颈部加入Y5(986mg，0.92mmol)、Y6(1.30g，3.55mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(124mg，14.8mol％)、双(二苯基膦二茂铁)(151mg，29.6mol％)和甲苯(20mL)。加入叔丁醇钠(0.30g，3.12mmol)，将开口颈部盖封，并且将反应容器从手套箱中取出。将氮气鼓泡软管安装到进气适配器上，并且在微正压氮气下将活塞转至打开位置。将反应加热回流。21h后，由UPLC对等分试样的分析判断反应完全，然后将反应冷却至室温。使反应混合物过滤通过硅藻土垫，用CH2Cl2淋洗。将滤液旋转蒸发浓缩。使粗产物在高真空下干燥，并且通过中压液相色谱法，在硅胶上纯化(0-40％梯度二氯甲烷的己烷溶液)，获得1.21g白色固体；用沸腾的甲醇将所述固体粉化2h，获得0.975g Y7。¹H NMR分析证实中间体化合物Y7的结构为4，4’-和4，5’-区域异构体的混合物，并且表明剩余平均14个芳族质子。这由质谱中的母离子(m/z 1550.3)证实，证实50个芳族氢中有36个被氘取代。纯度(UPLC)：＞99％。

化合物空穴传输化合物HT5的合成：

按比较例A所述，实施中间体化合物Y7的聚合反应。以68％的收率(0.285g)获得白色固体状聚合物。由GPC(THF流动相，聚苯乙烯标准物)测定聚合物的分子量：M_w＝325,740；M_n＝139,748；M_w/M_n＝2.33。

合成实施例3

该实施例示出了氘代空穴传输材料化合物HT11的制备，其中∑(x)＝18。

化合物2的合成

在氮气氛下，向250mL圆底烧瓶中加入9，9-二辛基-2，7-二溴芴(25.0g，45.58mmol)、苯硼酸(12.23g，100.28mmol)、Pd₂(dba)₃(0.42g，0.46mmol)、P^tBu₃(0.22g，1.09mmol)和100mL甲苯。搅拌反应混合物5分钟，然后分两部分加入KF(8.74g，150.43mmol)，并将所得溶液在室温下搅拌过夜。用500mL THF稀释该混合物，并通过二氧化硅和硅藻土塞过滤，在减压下除去滤液中的挥发物。使用己烷作为洗脱液，通过快速硅胶柱层析纯化黄色油。以80.0％收率(19.8g)获得白色固体状产物。NMR分析表明所述物质为具有上示结构的化合物2。

化合物3的合成

用N₂将250mL三颈圆底烧瓶吹扫30分钟，所述烧瓶配备冷凝器和滴液漏斗。加入9，9-二辛基-2，7-二苯基芴(19.8g，36.48mmol)，并且溶解于100mL二氯甲烷中。将澄清的溶液冷却至-10℃，并且滴加溴(12.24g，76.60mmol)的20mL二氯甲烷溶液。将该混合物在0℃下搅拌1小时，然后将其加热至室温并搅拌过夜。加入100mL 10％的Na₂S₂O₃水溶液，并将反应混合物搅拌1小时。萃取有机层并用100mL二氯甲烷洗涤水层三次。将合并的有机层用Na₂SO₄干燥，过滤并浓缩至干燥状态。向所得油中加入丙酮，得到白色沉淀。过滤并干燥后得到白色粉末(13.3g，52.2％)。NMR分析表明，所述物质为具有上示结构的化合物3。

化合物4的合成

在氮气氛下，向250mL圆底烧瓶中加入3(13.1g，18.70mmol)、苯胺(3.66g，39.27mmol)、Pd₂(dba)₃(0.34g，0.37mmol)、P^tBu₃(0.15g，0.75mmol)和100mL甲苯。搅拌反应混合物10分钟，然后加入NaO^tBu(，3.68)38.33，并在室温下将反应混合物搅拌一天。用3L甲苯稀释所得的反应混合物，并通过二氧化硅和硅藻土塞进行过滤。挥发物蒸发后，使用1∶10的乙酸乙酯∶己烷混合物作为洗脱液，通过快速硅胶柱层析纯化所得的深棕色油。以50.2％(6.8g)的收率获得浅黄色粉末状产物。NMR分析表明，所述物质为具有上示结构的化合物4。

化合物5的合成

在250mL配备冷凝器的三颈圆底烧瓶中，使4(4.00g，5.52mmol)、1-溴-4-碘苯(4.68g，16.55mmol)、Pd₂(dba)₃(0.30g，0.33mmol)和DPPF(0.37g，0.66mmol)与80mL甲苯混合。将所得混合物搅拌10min。加入NaO^tBu(1.17g，12.14mmol)，并将混合物加热至80℃维持4天。用1L甲苯和1L THF稀释所得的反应混合物，并经二氧化硅和硅藻土塞过滤以除去不溶性盐。挥发物蒸发后，使用1∶10的二氯甲烷∶己烷混合物作为洗脱液，通过快速硅胶柱层析纯化所得的棕色油。干燥后得到黄色粉末(4.8g，84.8％)。NMR分析表明，所述物质为具有上示结构的化合物5。

化合物6的合成

在氮气氛下，将1g化合物5溶于C₆D₆(20mL)中，向其中滴加CF₃OSO₂D(1.4mL)。使反应混合物在室温下搅拌过夜，然后用饱和Na2CO₃/D₂O终止反应。分离出有机层，并且在MgSO₄上干燥。使用二氧化硅层析(20％CH2Cl2：己烷)纯化产物，获得0.688g物质。分离物质的MS波谱证实结构具有18个芳族D。

化合物6的聚合反应：

除非另外指明，所有操作在氮气吹扫的手套箱中进行。将化合物6(0.652g，0.50mmol)加入到闪烁小瓶中，并且溶于16mL甲苯中。向干净干燥的50mL施兰克管中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)(0.344g，1.252mmol)。称量2，2’-二吡啶(0.195g，1.252mmol)和1，5-环辛二烯(0.135g，1.252mmol)，加入到闪烁小瓶中，并且溶于3.79g N，N’-二甲基甲酰胺中。将溶液加入到施兰克管中。将施兰克管插入到铝块中，然后加热铝块，并且在设定值下的加热板/搅拌器上搅拌，达到60℃内温。使催化剂体系在60℃下保持45分钟，然后升至65℃。将单体的甲苯溶液加入到施兰克管中，并且将管密封。将聚合混合物在65℃下搅拌，同时通过加入甲苯(8mL)调节粘度。使反应混合物冷却至室温，并且加入20mL浓HCl。使混合物搅拌45分钟。真空过滤收集聚合物，并且用额外的甲醇洗涤，并且高真空下干燥。通过由甲苯至丙酮和MeOH的逐步沉淀，纯化聚合物。获得白色纤维状聚合物(0.437g，79％收率)。由GPC(THF流动相，聚苯乙烯标准物)测定聚合物的分子量：M_w＝1,696,019；M_n＝873,259。NMR分析证实所述结构为聚合物化合物HT11。

合成实施例4

该实施例示出下示氘代电致发光材料E4的制备。

将0.45g 2，6-二叔丁基-9，10-二溴蒽(1mM)(Müller，U.；Adam，M.；Müllen，K.，“Chem.Ber.”，1994，127，437-444)放入到氮气填充的手套箱内的圆底烧瓶中，并且加入0.38g(2.2mM)二(全氘苯基)胺和0.2g叔丁醇钠(2mM)以及40mL甲苯。将0.15g Pd₂DBA₃(0.15mM)和0.07g P(t-Bu)3(0.3mM)溶于10mL甲苯中，并且在搅拌下加入到第一溶液中。当将所有物质混合时，溶液缓慢放热，并且变成黄褐色。搅拌溶液，并且在氮气下，在80C手套箱中加热1hr。溶液立即为深紫色，但是达到～80C时，变为深黄绿色，发出明显的绿光。冷却至室温后，将溶液从手套箱中取出，并且通过碱性氧化铝短塞过滤，用甲苯洗提，获得亮黄绿色带。将溶剂蒸发，并且将物质从甲苯/甲醇中重结晶。收率0.55g。由¹H nmr证实结构。

合成实施例5

该实施例示出了氘代基质化合物H14的制备。

首先制备非氘代类似化合物比较化合物A。

可根据下列方案制得该化合物：

化合物2的合成：

在配备机械搅拌器、滴液漏斗、温度计和N₂鼓泡器的3L烧瓶中，加入54g(275.2mmol)蒽酮的1.5L无水二氯甲烷溶液。将烧瓶在冰浴中冷却，并且经由滴液漏斗，在1.5hr内加入83.7mL(559.7mmol)1，8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳-7-烯(“DBU”)。所述溶液变为橙色，变得不透明，然后变为深红色。经由注射器，在约1.5hr内，向仍然冷的溶液中加入58mL(345.0mmol)三氟甲基磺酸酐，保持溶液温度低于5℃。使反应在室温下进行3hr，之后加入1mL额外的三氟甲基磺酸酐，并且在室温下持续搅拌30min。缓慢加入500mL水，并且分层。用3×200mL二氯甲烷(“DCM”)萃取水层，使合并的有机物在硫酸镁上干燥，过滤，并且通过旋转蒸发浓缩，获得红色的油。在硅胶上柱层析，然后从己烷中结晶，获得43.1g(43％)棕褐色粉末。

化合物3的合成：

向填充氮气的手套箱内的配备磁性搅棒的200mL克氏反应烧瓶中，加入蒽-9-基三氟甲磺酸盐(6.0g，18.40mmol)、萘-2-基硼酸(3.78g，22.1mmol)、磷酸钾(17.50g，82.0mmol)、乙酸钯(II)(0.41g，1.8mmol)、三环己基膦(0.52g，1.8mmol)和THF(100mL)。从干燥箱中取出后，用氮气吹扫反应混合物，并且经由注射器加入脱气水(50mL)。然后加上冷凝器，并且使反应回流过夜。由TLC监测反应。完成后，将反应混合物冷却至室温。分离有机层，并且用DCM萃取水层。合并有机部分，用盐水洗涤，并且用硫酸镁干燥。减压移除溶剂。用丙酮和己烷洗涤所得固体，并且过滤。通过硅胶上柱层析纯化获得4.03g(72％)产物，为浅黄色晶状物质。

化合物4的合成：

将11.17g(36.7mmol)9-(萘-2-基)蒽悬浮于100mL DCM中。加入6.86g(38.5mmol)N-溴代琥珀酰亚胺，并且在100W灯照明下搅拌混合物。形成黄色澄清溶液，然后发生沉淀。由TLC监测反应。1.5h后，将反应混合物部分浓缩以移除二氯甲烷，然后从乙腈中结晶获得12.2g浅黄色晶体(87％)。

化合物7的合成：

向填充氮气的手套箱内的配备搅拌棒的500mL圆底烧瓶中，加入萘-1-基-1-硼酸(14.2g，82.6mmol)、1-溴-2-碘苯(25.8g，91.2mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(1.2g，1.4mmol)、碳酸钠(25.4g，240mmol)和甲苯(120mL)。从干燥箱中取出后，用氮气吹扫反应混合物，并且经由注射器加入脱气水(120mL)。然后使反应烧瓶配备冷凝器，并且将反应回流15小时。由TLC监测反应。将反应混合物冷却至室温。分离有机层，并且用DCM萃取水层。合并有机组分，并且减压移除溶剂，获得黄色的油。使用硅胶，由柱层析纯化，获得13.6g无色的油(58％)。

化合物6的合成：

向配备磁性搅棒、连接氮气管线的回流冷凝器和油浴的1升烧瓶中，加入4-溴苯基-1-萘(28.4g，10.0mmol)、联硼酸频那醇酯(40.8g，16.0mmol)、Pd(dppf)₂Cl₂(1.64g，2.0mmol)、乙酸钾(19.7g，200mmol)和DMSO(350mL)。用氮气将混合物鼓泡15分钟，然后加入Pd(dppf)₂Cl₂(1.64g，0.002mol)。在过程期间，所述混合物逐渐变成深褐色。在氮气下，使反应在120℃(油浴)下搅拌18h。冷却后，将混合物倒入到冰水中，并且用氯仿(3x)萃取。用水(3x)和饱和盐水(1x)洗涤有机层，并且用MgSO4干燥。过滤并且去除溶剂后，在硅胶柱上经由层析纯化残余物。将包含产物的部分合并，并且通过旋转蒸发移除溶剂。从己烷/氯仿中结晶所得白色固体，并且在40℃的真空炉中干燥，获得白色结晶薄片状产物(15.0g，收率45％)。1H和13C-NMR波谱符合预期结构。

比较化合物A的合成

向手套箱内的250mL烧瓶中，加入(2.00g，5.23mmol)、4，4，5，5-四甲基-2-(4-(萘-4-基)苯基)-1，3，2-二杂氧戊硼烷(1.90g，5.74mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.24g，0.26mmol)和甲苯(50mL)。从干箱操作手套箱中取出反应烧瓶，并且配备冷凝器和氮气入口。经由注射器加入脱气碳酸钠水溶液(2M，20mL)。将反应搅拌，并且在90℃下加热过夜。由HPLC监测反应。冷却至室温后，分离出有机层。用DCM将水层洗涤两次，并且经由旋转蒸发浓缩合并的有机层，获得灰色粉末。通过中性氧化铝上过滤、己烷沉淀以及硅胶上柱层析纯化，获得2.28g白色粉末(86％)。

如公布的美国专利申请2008-0138655中所述进一步纯化产物，使其HPLC纯度为至少99.9％，并且杂质吸光度不大于0.01。

化合物A的¹H NMR波谱示于图2中。

氘代基质化合物H14由比较化合物A制得。

在氮气氛下，将AlCl₃(0.48g，3.6mmol)加入到得自比较实施例A的比较化合物A(5g，9.87mmol)的全氘苯或苯-D6(C₆D₆)(100mL)溶液中。将所得混合物在室温下搅拌六小时，之后加入D₂O(50mL)。分层，然后用CH₂Cl₂(2×30mL)洗涤水层。在硫酸镁上干燥合并的有机层，并且通过旋转蒸发移除挥发性物质。经由柱层析纯化粗产物。获得白色粉末状氘代产物H1(x+y+n+m＝21-23)(4.5g)。

如公布的美国专利申请2008-0138655中所述进一步纯化所述产物，以达到至少99.9％的HPLC纯度，和不大于0.01的杂质吸光度。测得所述物质具有与上文比较化合物A相同的纯度。

¹H NMR(CD₂Cl₂)和ASAP-MS显示，所述化合物具有下示结构：

其中“D/H”示出该原子位置处H或D大致相等的可能性。结构由¹H NMR、¹³CNMR、²D NMR和¹H-¹³C HSQC(杂核单一量子同调)证实。

合成实施例6

该实施例示出了氘代电子传输材料ET2的制备。

a)如下采用Yamada等人在“Bull Chem Soc Jpn”(63，2710，1990)中的方法来制备三亚甲基桥联的红菲绕啉：将2g红菲绕啉加入到20g 1，3-二溴丙烷中，并且在空气下回流。约30分钟后冷却浓稠的橙色浆液。加入甲醇以溶解固体，然后加入丙酮以沉淀出橙黄色固体。将其过滤，并且用甲苯和二氯甲烷(“DCM”)洗涤，获得橙色粉末，产量为2.8g。

b)将得自上文的2.8g产物溶解于12mL水中，并且在约30分钟期间内滴到冰冷却的21g铁氰化钾和10g氢氧化钠的30mL水溶液中，然后搅拌90分钟。将它再次冰冷却，并且用60mL 4M HCl中和至pH为约8。过滤出浅棕褐色/黄色固体，并且抽干。将滤出的固体放入到索氏抽提器中，并且用氯仿提取，以提取出褐色溶液。将它蒸发至褐色油状固体，然后用少量甲醇洗涤，获得浅褐色固体(～1.0g，47％)。可通过将氯仿从混合物中蒸出，使所述产物以金黄色片状物从氯仿/甲醇中重结晶出来。由NMR鉴定结构，为下面的二酮。

c)将得自上文步骤(b)的共5.5g(13.6mM)合并二酮部分悬浮在39mL POCl₃中，并且加入5.4g PCl₅。将它脱气，并且在氮气下回流8小时。通过蒸发移除过量的POCl3。加入冰分解剩余氯化物，并且用氨溶液中和所述混合物。收集褐色沉淀并且真空干燥，同时用二氯甲烷萃取母液。合并所有褐色物质，蒸发至褐色胶状物，并且加入甲醇。摇荡并且搅拌后，分离出浅黄色固体，所述固体以灰白色针状物从CHCl3和甲醇(1∶10)中重结晶出来。NMR分析显示，结构为下示2，9-二氯-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉。

d)采用2，9-二氯-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉与下示硼酸酯的铃木偶联反应来制备非氘代类似化合物。

在手套箱中，取出1.0g二氯苯酚(2.5mM)并且加入3.12g(6mM)硼酸酯。加入0.15g Pd₂DBA₃(DBA＝二亚苄基丙酮)(0.15mM)、0.1g三环己基膦(0.35mM)和2.0g磷酸钾(9mM)，并且将所有物质溶于30mL二氧杂环己烷和15mL水中。在手套箱中混合并且在100C加热套内加热1hr，然后在氮气氛下温和加热(最低变阻器设定)过夜。溶液立即为深紫色，但是达到～80C时，它为棕褐色浆液，其缓慢变为具有浓厚沉淀的澄清褐色。随着溶液回流(空气冷凝管)，形成褐色胶状物质。通过从手套箱中取出并且加入水，将其冷却并且处理。在DCM中萃取，并且在硫酸镁上干燥。在二氧化硅/弗罗里硅土滤塞上层析，用DCM洗脱，然后用2∶1的DCM/甲醇洗脱。收集浅黄色溶液，将其蒸发，并且加入甲醇后沉淀出白色/浅黄色固体。由NMR分析证实结构为下示化合物。

e)由非氘代类似化合物制备化合物ET2。

在氮气氛下，将得自上文步骤(d)的化合物(1.925g)溶于C₆D₆(200mL)中，向其中滴加CF₃OSO₂D(13.2mL)。使反应混合物在室温下搅拌过夜，然后用饱和Na₂CO₃/D₂O终止反应。分离出有机层，并且在MgSO₄上干燥。使用二氧化硅层析(CH₂Cl₂：己烷)纯化产物，获得1.70g物质。分离出的物质的NMR波谱证实结构为ET2，具有32-34个取代H的D。

合成实施例7

该实施例示出了氘代电子传输材料ET4的制备。

配体D ₆ -8-羟喹啉的合成

在氮气氛下，将8-羟喹啉(93.00g，20.667mmol)、D₂O(60mL)和10％Pd/C(0.200g)的混合物放入到Parr反应器中，并且在180C下加热16小时。将所得混合物加入到乙醚(200mL)中，分层并且使有机层过滤通过硅藻土。蒸发挥发性物质后，采用层析(20％DCM/己烷)纯化所得固体，获得2.4g(77％收率)D₆-8-羟喹啉产物。

ET4的合成

使1.0g氯化锆(IV)与10mL无水甲醇混合，并且加入到搅拌着的3.2g D₆-8-羟喹啉的10mL无水甲醇溶液中。将其搅拌，并且在氮气下回流30分钟。锆试剂立即形成浓厚的黄色沉淀，将其搅拌并且加热回流30分钟。向其中加入4.8g三正丁基胺，并且持续回流15分钟。过滤出深黄色沉淀物，用甲醇和氨(1N)洗涤。将其干燥，然后用二氯甲烷萃取，为浅黄色溶液，并且通过加入甲醇再沉淀。由¹H NMR证实结构。

合成实施例8

该实施例示出了氘代电致发光化合物E13的制备。

a)下示化合物根据Yan等人在“J.Mater.Chem.”(2004，14，2295-3000)中的方法制得。

b)根据下列方案制备非氘代化合物。

在手套箱中取出1.0g溴代二苯乙烯(2.3mM)，并且加入0.74g(2.3mM)所示仲胺和0.24g t-BuONa(2.4mM)以及10mL甲苯。加入100mg Pd₂DBA₃、40mg溶于甲苯中的P(t-Bu)₃。在手套箱中，在80C的加热套中，在氮气下混合并且加热1小时。溶液立即为深紫色，但是在达到～80C时，其为深黄色，发出明显的蓝光。将所述物质冷却，从手套箱中取出并且经由层析纯化，用甲苯洗脱。蓝色发光材料是非常易溶的，并且洗脱液为浅黄色溶液。将溶液蒸发至小体积，然后加入甲醇以沉淀出具有亮蓝色PL的浅黄色固体。NMR分析证实所述结构。

c)通过采用与合成实施例6中方法相类似的方法，将得自上文步骤(b)的化合物氘代，制得化合物E13。

器件实施例1-6

使用下列非氘代材料：

HIJ-A和HIJ-B为导电聚合物和聚合氟化磺酸的含水分散体。此类物质描述于例如公布的美国专利申请US 2004/0102577、US 2004/0127637、US2005/0205860和公布的PCT专利申请WO 2009/018009中。

聚合物Pol-A为非交联芳胺聚合物(20nm)。

ELM-A和ELM-B为发出蓝光的电致发光双(二芳基氨基)屈化合物。

基质A为二芳基蒽化合物。

ET-A为金属喹啉衍生物(10nm)。

在器件实施例1中，氘代材料存在于空穴注入层中。空穴注入层为得自合成实施例1的D₅-PPy/D-聚(TFE-PSEPVE)。

在器件实施例2中，氘代材料存在于空穴传输层中。空穴传输层为得自合成实施例2的HT5。

在器件实施例3中，氘代材料存在于电致发光层中。电致发光材料为得自合成实施例4的E4。

在器件实施例4中，氘代材料存在于电致发光层中。电致发光层中的基质为得自合成实施例5的H14。

在器件实施例5中，氘代材料存在于电子传输层中。电子传输层为得自合成实施例6的ET2。

在器件实施例6中，氘代材料存在于电子传输层中。电子传输层为得自合成实施例7的ET4。

就每个器件而言，阳极为氧化铟锡(ITO)，电子注入层为CsF，并且阴极为Al(100nm)。在实施例1、2、4、5和6中，阳极具有50nm的厚度；在实施例3中，阳极厚度为180nm。在实施例1-4和6中，电子注入层具有1nm的厚度；在实施例5中，电子注入层厚度为0.7nm。其它层的材料和厚度总结于下表1中。

表1：器件结构

HIL＝空穴注入层；HTL＝空穴传输层；EML＝电致发光层；ETL＝电子传输层；比率＝按重量计的基质：掺杂剂

通过溶液工艺和热蒸发技术的组合来制造OLED器件。使用得自Thin Film器件s，Inc的图案化氧化铟锡(ITO)镀膜玻璃基板。这些ITO基板基于涂覆有ITO的Coming 1737玻璃，其具有30欧/平方的薄膜电阻和80％的透光率。在含水洗涤剂溶液中超声清洁图案化ITO基板并且用蒸馏水漂洗。随后在丙酮中超声清洁图案化ITO，用异丙醇漂洗并且在氮气流中干燥。

在即将制造器件之前，用紫外臭氧将洁净的图案化ITO基板处理10分钟。冷却后，立即在ITO表面上旋涂空穴注入材料的含水分散体，并且加热移除溶剂。冷却后，接着用空穴传输材料的溶液旋涂所述基板，然后加热移除溶剂。冷却后，用电致发光层溶液旋涂所述基板，然后加热移除溶剂。将所述基板用掩模遮盖并且放置于真空室中。通过热蒸发沉积电子传输层，然后沉积CsF层作为电子注入层。然后真空变换遮罩，并且通过热蒸发沉积Al层，以形成阴极。将室排气，并且使用玻璃封盖、干燥剂和紫外可固化环氧化物来封装所述器件。

通过测量它们的(1)电流-电压(I-V)曲线，(2)相对于电压的电致发光辐射，和(3)相对于电压的电致发光光谱，来表征OLED样本。所有三个测试均同时进行并且由计算机控制。通过将LED的电致发光辐射除以运行器件所需的电流，来确定某一电压下器件的电流效率。单位是cd/A。功率效率为电流效率乘以pi，除以操作电压。单位是lm/W。器件数据示于表2和表3中。

表2：器件性能

CIE(x，y)是根据C.I.E.色度(Commission Intemationale de L′Eclairage，1931)的x和y颜色坐标；V＝电压；CE＝电流效率；E.Q.E.＝外量子效率；P.E.＝功率效率；加速因子＝1.7。

表3：器件性能

CIE(x，y)是根据C.I.E.色度(Commission Intemationale de L′Eclairage，1931)的x和y颜色坐标；V＝电压；CE＝电流效率；E.Q.E.＝外量子效率；P.E.＝功率效率；观测T70为指定寿命测试发光性下器件达到最初发光性70％的时间，以小时为单位。计算T70为1000尼特下，使用加速因子1.7，达到最初发光性70％的预期时间。

在该实施例中，测定达到70％发光性的时间，而不是半衰期。然而，计算半衰期将甚至大于达到70％发光性时的计算时间。因此，1000尼特下的半衰期明显大于10,000小时。

器件实施例7

该实施例示出了具有由液相沉积形成的氘代灌注层的电子器件，其中空穴传输层和电致发光层也通过液相沉积形成。

器件在玻璃基板上具有下列结构：

阳极＝ITO：50nm

空穴注入层＝HIJ-B(50nm)

灌注层：HT11(20nm)

空穴传输层＝Pol-A(20nm)

电致发光层＝13∶1重量比的基质H14∶掺杂剂ELM-B(40nm)，

电子传输层＝ET-A(10nm)

阴极＝CsF/Al(1/100nm)

通过溶液工艺和热蒸发技术的组合来制造OLED器件。使用得自Thin FilmDevices，Inc的图案化氧化铟锡(ITO)镀膜玻璃基板。ITO基板基于涂覆有ITO的Coming 1737玻璃，其具有30欧/平方的薄层电阻和80％的透光率。在含水洗涤剂溶液中超声清洁图案化ITO基板，并且用蒸馏水清洗。随后在丙酮中超声清洁图案化ITO，用异丙醇漂洗并且在氮气流中干燥。

在即将制造器件之前，用紫外臭氧清洗机将干净的图案化ITO基板处理10分钟。冷却后，立即在ITO表面上旋涂HIJ-B的含水分散体，并且加热移除溶剂。冷却后，通过将HT11的甲苯溶液旋涂到空穴注入层上，形成灌注层。灌注层以图案方式暴露于248nm下，剂量为100mJ/cm²。暴露后，以2000rpm速率旋转并且喷雾苯甲醚60s将灌注层显影，然后通过旋转30s干燥。然后用空穴传输材料溶液旋涂所述基板，然后加热移除溶剂。通过由苯甲酸甲酯溶液旋涂沉积电致发光层，然后加热移除溶剂。冷却后，将基板遮罩，并且放入到真空室中，然后通过热蒸发沉积电子传输材料，之后沉积CsF层。然后在真空下更换掩模并通过热蒸发来沉积铝层。将室排气，并且使用玻璃封盖、干燥剂和紫外可固化环氧化物来封装所述器件。

如上所述表征OLED样本。

所得器件数据示于表4中。

表4：器件性能

所有数据1000尼特；CIE(x，y)是根据C.I.E.色度(Commission Intemationalede L′Eclairage，1931)的x和y颜色坐标；CE＝电流效率，以cd/A为单位；EQE＝外量子效率，以％为单位；PE＝功率效率，以lm/W为单位；寿命测试电流密度以mA/cm²为单位；寿命测试发光性＝以尼特为单位的发光性；观测半衰期为指定寿命测试发光性下器件达到最初发光性一半的时间，以小时为单位。计算半衰期为1000尼特下，使用加速因子1.7的预期时间，以小时为单位。

器件实施例8

该实施例示出了具有包含氘代基质和氘代电致发光掺杂剂的电致发光层的电子器件。

器件在玻璃基板上具有下列结构：

阳极＝ITO：50nm

空穴注入层＝HIJ-B(50nm)

空穴传输层＝Pol-A(20nm)

电致发光层＝86∶14重量比的基质H14∶掺杂剂E13(40nm)，

电子传输层＝ET-A(10nm)

阴极＝CsF/Al(0.7/100nm)

如器件实施例1中所述制得OLED器件。结果示于表5中。

表5：器件性能

如表中数据所示，具有至少一个包含氘代材料的层的器件具有大于5000小时的计算半衰期。在器件实施例3中，计算半衰期大于50,000小时。

注意到，上文一般性描述或实施例中所描述的行为不是所有都是必须的，一部分具体行为不是必需的，并且除了所描述的那些以外，还可实施一个或多个其它行为。此外，所列行为的顺序不必是实施它们的顺序。

在上述说明书中，已参考具体的实施方案描述了不同概念。然而，本领域的普通技术人员认识到，在不脱离如下文权利要求中所述的本发明范围的情况下，可进行各种修改和变化。因此，说明书和附图应被认为是示例性而非限制性的，并且所有此类修改形式均旨在包括于本发明的范围内。

上文已结合具体的实施方案描述了有益效果、其他优点以及问题的解决方案。然而，有益效果、优点、问题的解决方案、以及可致使任何有益效果、优点或解决方案产生或变得更显著的任何特征不可解释为是任何或所有权利要求的关键、必需或基本特征。

应当认识到，为清楚起见，本文不同实施方案的上下文中所描述的某些特点也可在单个实施方案中以组合方式提供。反之，为简化起见，在单个实施方案上下文中所描述的多个特点也可以分别提供，或以任何子组合的方式提供。

本文指定的各种范围中使用的数值规定为近似值，就像是在规定范围内的最小值和最大值前均有“约”字。如此，在所述范围之上或之下的微小变化值均可用于获得与这些范围内的值基本上相同的结果。而且，这些范围的公开还旨在作为包括介于最小和最大平均值之间的每个值的连续范围，当一个值的某些组分与不同值的那些混合时，其包括可产生结果的部分值。当公开更宽的和更窄的范围时，在本发明的期望内，使来自一个范围的最小值与来自另一个范围的最大值匹配，反之亦然。

Claims

1.有机发光二极管，所述二极管包括阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层，其中所述有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有在1000尼特下至少5000小时的计算半衰期。

2.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含氘代导电聚合物和氟化酸聚合物。

3.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含氘代空穴传输化合物，所述氘代空穴传输化合物在每个分子式单元中具有至少两个二芳基氨基部分。

4.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含选自下列的材料：氘代聚合三芳基胺、氘代聚咔唑、氘代聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的氘代聚三芳基胺、芴与三芳基胺的氘代共聚物、以及它们的组合。

5.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含电致发光化合物，所述电致发光化合物选自氘代屈、氘代芘、氘代苝、氘代红荧烯、氘代二茚并芘、氘代荧蒽、氘代二苯乙烯、氘代香豆素、氘代蒽、氘代噻二唑、氘代螺二芴、它们的衍生物、以及它们的混合物。

6.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含具有下述式之一的电致发光化合物：

其中：

A在每次出现时相同或不同并且为具有3-60个碳原子的芳族基团；

Q’选自萘、蒽、苯并[a]蒽、二苯并[a，h]蒽、荧蒽、芴、螺芴、并四苯、屈、芘、并四苯、氧杂蒽、苝、香豆素、玫瑰精、喹吖啶酮、红荧烯、它们的取代衍生物、以及它们的氘代类似物，

p和q相同或不同并且各自为1-6的整数；

其中所述化合物是至少10％氘代的。

7.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含电致发光化合物，所述电致发光化合物选自氘代氨基蒽、氘代氨基屈、氘代氨基芪、氘代金属喹啉配合物和氘代铱配合物。

8.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含(a)至少一种基质材料，所述基质材料选自氘代蒽、氘代屈、氘代芘、氘代菲、氘代苯并菲、氘代菲咯啉、氘代萘、氘代喹啉、氘代异喹啉、氘代喹喔啉、氘代苯基吡啶、氘代二苯并呋喃、氘代二呋喃并苯、氘代金属喹啉配合物、氘代吲哚并咔唑、氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶、氘代二杂芳基苯基、它们的取代衍生物、以及它们的组合，和(b)至少一种掺杂剂，所述掺杂剂能够电致发光，具有介于380和750nm之间的最大发射。

9.权利要求8的有机发光二极管，其中所述基质材料选自氘代二芳基蒽、氘代氨基屈、氘代二芳基屈、氘代二芳基芘、氘代吲哚并咔唑、氘代菲咯啉、以及它们的组合。

10.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含电子传输材料，所述电子传输材料选自氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑、氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶、氘代二杂芳基苯基、氘代金属喹啉、以及它们的组合。

11.权利要求1的有机发光二极管，其中所述活性层为使用灌注层形成的化学围阻层，其中所述灌注层包含选自下列的材料：氘代聚合三芳基胺、氘代聚咔唑、氘代聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的氘代聚三芳基胺、芴和三芳基胺的氘代共聚物、氘代金属喹啉衍生物、以及它们的组合。

12.权利要求1的有机发光二极管，所述二极管还包括第二活性层，其中所述第二活性层包含氘代化合物。

13.权利要求1的有机发光二极管，其中在1000尼特下的所述计算半衰期为至少10,000小时。

14.权利要求1的有机发光二极管，其中在1000尼特下的所述计算半衰期为至少20,000小时。

15.权利要求1的有机发光二极管，其中在1000尼特下的所述计算半衰期为至少50,000小时。

16.有机发光二极管，所述二极管包括阳极、阴极并且具有介于所述阳极和阴极之间的有机层，其中所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和阴极，并且其中至少两个所述有机层基本上由氘代材料构成。

17.权利要求16的有机发光二极管，其中所有所述有机层基本上由氘代材料构成。