JP2009161470A - 非対称芳香族ジアミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】寿命が長く、高発光効率な有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する非対称芳香族ジアミン誘導体を提供する。
【解決手段】クリセンを介したジアミンが異なる構造となった非対称芳香族ジアミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記非対称芳香族ジアミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【選択図】なし

Description

本発明は非対称芳香族ジアミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、寿命が長く、高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する非対称芳香族ジアミン誘導体に関するものである。

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、引き続き、さらなる高発光効率、長寿命が要求されているのが実情である。
従来の有機発光材料としては、例えば、単一のモノアントラセン化合物（特許文献１参照）や単一のビスアントラセン化合物（特許文献２参照）が開示されている。また、有機発光材料としてジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いることによる、有機ＥＬ素子の長寿命化も提案されている（特許文献３参照）。
他に、モノ又はビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４参照）。
さらに、ジアミノクリセン誘導体を用いた青色発光素子が開示されている（特許文献５参照）。

特開平１１−３７８２号公報 特開平８−１２６００号公報 国際公開第９４／００６１５７号パンフレット 特開２００１−２８４０５０号公報 国際公開第０４／０４４０８８号パンフレット

特許文献１に記載の有機発光材料では、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ²において、１６５０ｃｄ／ｍ²の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、特許文献２に記載の有機発光材料でも、効率が１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のためのさらなる改良が必要である。特許文献３に記載の方法によっても、実用化に耐え得る長さの寿命ではなく、さらなる改良の余地がある。特許文献４に記載の技術では、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化し、色純度が悪いという問題があった。特許文献５に記載の素子は発光効率に優れるものの、寿命が未だ十分でなく、さらなる改良が求められている。
本発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率な有機ＥＬ素子及びそれを実現する化合物を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、クリセン構造を有する芳香族ジアミン誘導体において、アミノ基の置換基としてのアリール基や該アリール基上の置換基の組み合わせを工夫して、クリセンを介したそれぞれのアミノ基が異なる構造をした非対称芳香族ジアミン誘導体を製造し、該非対称芳香族アミン誘導体を発光材料として用いると、高発光効率且つ長寿命となることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。

すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）のいずれかで表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体である。

（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、置換又は無置換の炭素数６〜５０のアリール基を表し、且つ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはいずれも異なる構造である。但し、該置換基として、置換又は無置換のシリル基を有する場合、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの全てが同時にフェニル基にはならない。
また、Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数７〜５０のアラルキル基、炭素数１〜５０のアルコキシル基、炭素数６〜５０のアリール基、炭素数６〜５０のアリールオキシ基、炭素数６〜５０のアリールチオ基炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。
但し、一般式（ＩＶ）において、Ａが４−トリメチルシリルフェニル基であり、且つＢが４−メチルフェニル基である場合を除く。）

また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記非対称芳香族ジアミン誘導体を単独又は混合物の一成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。

本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として使用することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子膜の性質が安定し、成膜性が向上する。また、該非対称芳香族ジアミン誘導体は極性が大きいことにより溶解性が高く、精製操作が容易であり、高純度で得ることができるため、素子の長寿命化につながる。さらに前記長所に加え、該非対称芳香族ジアミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、青色純度を保ちつつ、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。

本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）のいずれかで表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体。

一般式（Ｉ）〜（Ｖ）において、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、置換又は無置換の炭素数６〜５０のアリール基を表し、且つ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはいずれも異なる構造である。但し、該置換基として、置換又は無置換のシリル基を有する場合、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの全てが同時にフェニル基にはならない。なお、本明細書において、一般式中の各基の炭素数の表示は、置換基の炭素数を含まない数である。
かかる炭素数６〜５０のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ａ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基が挙げられる。
該アリール基は、置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基類、ヘキシル基類、ヘプチル基類、オクチル基類、ノニル基類、デシル基類、オクタデシル基類などの好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基；ベンジル基、α，α−フェニルメチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基などの好ましくは炭素数７〜３０のアラルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、１−フェニルシクロオクチル基、シクロノニル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、トリシクロヘプチル基、アダマンチル基などの好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などの好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシル基；フェノキシ基、ナフチルオキシ基などの好ましくは炭素数６〜３０のアリールオキシ基；フェニルチオ基などの好ましくは炭素数６〜３０のアリールチオ基；フェニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ａ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、下記式

で表される基などの好ましくは炭素数６〜３０のアリール基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基など、炭素数１〜５０のアルキル基や炭素数６〜５０のアリール基が置換したアミノ基；オキソフェニルメチル基、１−オキソエチル基などの好ましくは炭素数２〜２０のカルボニル基；イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジンなどの複素環基；置換又は無置換のシリル基（トリアルキルシリル基、ジアルキル−モノアリールシリル基、モノアルキル−ジアリールシリル基など。該アルキル部位は炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、アリール部位は炭素数６〜１４のアリール基が好ましい。）が挙げられ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤが表すアリール基と共に５員環又は６員環を形成した置換基であってもよい。

Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、置換又は無置換のフェニル基又はナフチル基であることが好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜３０のアラルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基で置換されたフェニル基又はナフチル基であることがより好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基で２ヶ所が置換されたフェニル基であることがさらに好ましい。特に、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、フェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ビフェニル基のいずれかであることが好ましい。

一般式（Ｉ）〜（Ｖ）において、Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数７〜５０のアラルキル基、炭素数１〜５０のアルコキシル基、炭素数６〜５０のアリール基、炭素数６〜５０のアリールオキシ基、炭素数６〜５０のアリールチオ基、炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。
炭素数１〜５０のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基類が挙げられ、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。
炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられ、炭素数５〜８のシクロヘキシル基が好ましい。
炭素数７〜５０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、α，α−フェニルメチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基が挙げられ、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましい。
炭素数１〜５０のアルコキシル基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基が挙げられ、炭素数１〜１０のアルコキシル基が好ましい。
炭素数６〜５０のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ａ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基が挙げられ、炭素数６〜１４のアリール基が好ましい。
炭素数６〜５０のアリールオキシ基としては、例えばフェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられ、炭素数６〜２０のアリールオキシ基が好ましい。
炭素数６〜５０のアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基が挙げられ、炭素数６〜２０のアリールチオ基が好ましい。
炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などが挙げられ、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基が好ましい。
アミノ基としては、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などの炭素数１〜５０のアルキル基や炭素数６〜５０のアリール基が置換したアミノ基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

前記一般式（Ｉ）で表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体としては、例えば

が挙げられる。
前記一般式（II）で表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体としては、例えば

が挙げられる。
前記一般式（III）で表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体としては、例えば

が挙げられる。
前記一般式（ＩＶ）で表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体としては、例えば

が挙げられる。
前記一般式（Ｖ）で表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体としては、例えば

が挙げられる。

本発明の一般式（１）で表される非対称芳香族ジアミン誘導体の製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えばＲｅｖ．Ｒｏｕｍ．Ｃｈｉｍ．，３４ １９０７（１９８９）（Ｍ．Ｄ．Ｂａｎｃｉａら）に記載された方法で得られる６，１２−ジブロモクリセンを、ジアリールアミンによりアミノ化して非対称芳香族ジアミン誘導体を製造する。

本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料として好適であり、特に、発光材料であると好ましく、青色発系発光材料又は緑色系発光材料として好適に用いられる。
また、本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体は、有機ＥＬ素子用ドーピング材料として、より好適である。

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は複数層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有してもよい。本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、発光材料又はドーピング材料として発光層に使用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体を含有すると好ましく、含有量としては、通常０．１〜２０質量％であり、１〜１０質量％であるとさらに好ましい。また、本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この非対称芳香族ジアミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間に本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体を主成分とする有機層を有しても好ましい。該有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。

さらに、本発明の芳香族ジアミン誘導体をドーピング材料として使用する場合、ホスト材料としては公知の化合物が使用でき特に制限は無いが、下記一般式（ｉ）のアントラセン誘導体及び／又は下記一般式（ii）のピレン誘導体を使用することがより好ましい。

［式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５０）、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である。また、Ｅ及びＦは、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。］

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基としては、例えばフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基が挙げられる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、例えば１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基が挙げられる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基が挙げられる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基のアルキル基部位は、前記Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基から選択される。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換基の置換もしくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５０）としては、例えばベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基が挙げられる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールオキシ基及びアリールチオ基のアリール基部位は、それぞれ前記Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基から選ばれる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基は、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基が挙げられ、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基が好ましい。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の置換シリル基としては、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。

一般式（ｉ）におけるＲ¹¹〜Ｒ¹⁸のハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
前記Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸の芳香族環の置換基は、例えばハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜３０のアリール基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数５〜３０の芳香族複素環基、炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基でさらに置換されていてもよい。

Ｅ及びＦは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。該芳香族環は、１つ以上の置換基で置換されていてもよい。かかる芳香族環の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５）、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれ、これらはＲ¹¹〜Ｒ¹⁸の具体例として前記した基から選択される。該芳香族環が２つ以上の置換基で置換されている場合、置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。
また、ＥとＦの少なくとも一方は、置換もしくは無置換の炭素数１０〜３０の縮合環基を有する置換基であることが好ましく、置換もしくは無置換のナフチル基を有する置換基であることがより好ましい。
なお、ＥとＦは異なることが好ましい。

Ｅ及びＦの置換もしくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基としては、例えばフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜１４の芳香族環から誘導される基であり、特に１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基が好ましい。
かかるＥ及びＦの芳香族環の置換基は、例えばハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜３０のアリール基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数５〜３０の芳香族複素環基、炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基でさらに置換されていてもよい。

（式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｓは０〜２の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは０〜４の整数である。
また、Ｌ¹又はＡｒ¹は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ²又はＡｒ²は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｐ＋ｒが偶数の時、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｌ¹、Ｌ²は下記（１）又は（２） を満たす。
（１）Ａｒ¹≠Ａｒ²及び／又はＬ¹≠Ｌ²（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）Ａｒ¹＝Ａｒ²かつＬ¹＝Ｌ²の時
(2-1) ｓ≠ｑ及び／又はｐ≠ｒ、又は
(2-2) ｓ＝ｑかつｐ＝ｒの時、
(2-2-1) Ｌ¹及びＬ²、又はピレンが、それぞれＡｒ¹及びＡｒ²上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ¹及びＬ²、又はピレンが、Ａｒ¹及びＡｒ²上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ¹及びＬ²又はＡｒ¹及びＡｒ²のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。）

Ａｒ¹及びＡｒ²が表す炭素数６〜５０のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル基、４−シクロヘキシルビフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ａ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基が挙げられる。特に炭素数６〜３０のアリール基が好ましい。

Ｌ¹及びＬ²が表すフェニレン基、ナフタレニレン基、フルオレニレン基、ジベンゾシロリレン基が有していてもよい置換基としては、例えば炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数７〜５０のアラルキル基、炭素数１〜５０のアルコキシル基、炭素数６〜５０のアリール基、炭素数６〜５０のアリールオキシ基、炭素数６〜５０のアリールチオ基、炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。
炭素数１〜５０のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基類が挙げられ、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。
炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられ、炭素数５〜８のシクロヘキシル基が好ましい。
炭素数７〜５０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、α，α−フェニルメチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基が挙げられ、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましい。
炭素数１〜５０のアルコキシル基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基が挙げられ、炭素数１〜１０のアルコキシル基が好ましい。
炭素数６〜５０のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ａ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基が挙げられ、炭素数６〜１４のアリール基が好ましい。
炭素数６〜５０のアリールオキシ基としては、例えばフェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられ、炭素数６〜２０のアリールオキシ基が好ましい。
炭素数６〜５０のアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基が挙げられ、炭素数６〜２０のアリールチオ基が好ましい。
炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基が挙げられ、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基が好ましい。
アミノ基としては、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などの炭素数１〜５０のアルキル基や炭素数６〜５０のアリール基が置換したアミノ基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる前記一般式（ｉ）で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、特開２００４−３５６０３３号公報の段落［００４３］〜［００６３］に示されている分子中にアントラセン骨格を２個有するものや、国際公開第２００５／０６１６５６号パンフレットの２７〜２８頁に示されているアントラセン骨格を１個有する化合物など公知の各種アントラセン誘導体を挙げることができる。代表的な具体例を下記に示すが、特にこれらに限定されるものではない。

本発明の有機ＥＬ素子に用いる前記一般式（ii）のピレン誘導体の具体例を以下に示すが、特にこれら例示化合物に限定されるものではない。

本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、例えば（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。有機ＥＬ素子は、有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。前記複数層には、必要に応じて、本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体以外に、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を併せて使用することもできる。ドーピング材料を併せて使用すると、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。
また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。

本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体と共に発光層に使用できる上記一般式（ｉ）及び（ii）以外のホスト材料又はドーピング材料としては、公知の材料が挙げられ、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル) アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル) ベンゼン等の縮合多環芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート) アルミニウム、ビス−（２−メチル−８−キノリノラート) −４−（フェニルフェノリナート) アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族第三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族第三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族第三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ₂Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ₂ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族第三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。

電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。

本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) −４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル) ］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層中に、前記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）から選ばれる少なくとも一種の非対称芳香族ジアミン誘導体の他に、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも１種を同一層に含有させてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイルや樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられるが、これらに制限されない。

本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。

次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。

＜合成例１＞Ｎ−フェニルアセトアミドの合成
アルゴン気流下、ブロモベンゼン６．２ｇ、アセトアミド２．８ｇ、ヨウ化銅３８０ｍｇ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン３５２ｍｇ、炭酸カリウム８．２ｇ及びキシレンを入れて、還流下に１２時間反応させた。冷却後、トルエンを加えてろ過した後、ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で精製し、得られた固体をヘキサンで洗浄して減圧乾燥したところ白色固体４．６ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｎ−フェニルアセトアミドと同定した。

＜合成例２＞Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアセトアミドの合成
合成例１において、ブロモベンゼンの代わりに３，４−ジメチルフェニルアミンを用い、アセトアミドの代わりにＮ−フェニルアセトアミドを用いた以外は、合成例１と同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアセトアミドと同定した。

＜合成例３＞３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミンの合成
Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアセトアミド６．１ｇ、水酸化カリウム８．６ｇ、上水９．２ｇ、エタノール及びトルエンを入れて、還流下に６時間反応させた。冷却後、トルエン、塩化アンモニウム水溶液を加えて分液し、有機層を上水で３回洗浄して濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製することによって、黄白色固体４．５ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミンと同定した。

＜合成例４＞６−ブロモ−１２−（３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミノ）クリセンの合成
アルゴン気流下、３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミン３．５ｇ、６，１２−ジブロモクリセン７．７ｇ、Ｐｄ₂（ｄｂａ）₃２３０ｍｇ、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）₃３２３ｍｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．９ｇ、トルエンを入れて、還流下、１２時間反応した。冷却後、トルエンを加えてろ過をして、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（熱トルエン）によって精製し、得られた固体をトルエンで再結晶することによって黄色固体８．８ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、６−ブロモ−１２−（３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミノ）クリセンと同定した。

＜合成例５＞３，５−ジメチルフェニル−４−メチルフェニルアミンの合成
合成例３において、Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアセトアミドの代わりにＮ−（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−４−メチルフェニルアセトアミドを用いた以外は、合成例３と同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、３，５−ジメチルフェニル−４−メチルフェニルアミンと同定した。

＜合成例６＞Ｄ１の合成
合成例４において、３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミンの代わりに３，５−ジメチルフェニル−４−メチルフェニルアミンを用い、６，１２−ジブロモクリセンの代わりに６−ブロモ−１２−（３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミノ）クリセンを用いた以外は、合成例４と同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｄ１と同定した。

＜合成例２＞Ｄ１７の合成
合成例４において、３，４−ジメチルフェニル−フェニルアミンの代わりに、１−ナフチル−フェニルアミンを用いて、６，１２−ジブロモクリセンの代わりに６−ブロモ−１２−（４，４’−ジメチルジフェニルアミノ）クリセンを用いた以外は、合成例４と同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｄ１７と同定した。

＜実施例１＞
２５×７５×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄した後、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ’，Ｎ'’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ’，Ｎ'’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを６０ｎｍの厚さに蒸着した後、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料として１０，１０’−ビス［１，１’，４’，１'’］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニル（ＢＴＢＡＮ）とドーピング材料として上記合成例６で得たＤ１とを、質量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
次に、電子注入層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを１０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、フッ化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このフッ化リチウム／アルミニウム膜は、陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧６Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ² にて、発光輝度６３０ｃｄ／ｍ²の青色発光（発光極大波長：４６４ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は５８００時間であった。

＜実施例２＞
実施例１において、ドーピング材料としてＤ１の代わりに、Ｄ１７を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ² にて、発光輝度５００ｃｄ／ｍ²の青色発光（発光極大波長：４５９ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は３５００時間であった。

＜比較例１＞
実施例１において、ドーピング材料としてＤ１の代わりに、下記構造式で表される対称型の芳香族ジアミン誘導体Ｈ１を用いたこと以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧６Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ² にて、発光輝度４１０ｃｄ／ｍ²の青色発光（発光極大波長：４５７ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２１６０時間であった。

＜比較例２＞
実施例１において、ドーピング材料としてＤ１の代わりに、下記構造式で表される対称型の芳香族ジアミン誘導体Ｈ２を用いたこと以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ² にて、発光輝度５９６ｃｄ／ｍ²の青色発光（発光極大波長：４６３ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ²で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は３８８０時間であった。

本発明の非対称芳香族ジアミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長時間使用しても劣化し難く寿命が長い。このため、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。

Claims (12)

1. 下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）のいずれかで表わされる非対称芳香族ジアミン誘導体。
   

   

   

   

   （式中、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、置換又は無置換の炭素数６〜５０のアリール基を表し、且つ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはいずれも異なる構造である。但し、該置換基として、置換又は無置換のシリル基を有する場合、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの全てが同時にフェニル基にはならない。
   また、Ｒ¹〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５０のアルキル基、炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数７〜５０のアラルキル基、炭素数１〜５０のアルコキシル基、炭素数６〜５０のアリール基、炭素数６〜５０のアリールオキシ基、炭素数６〜５０のアリールチオ基炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。
   但し、一般式（ＩＶ）において、Ａが４−トリメチルシリルフェニル基であり、且つＢが４−メチルフェニル基である場合を除く。）
2. Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤが、それぞれ独立して、置換又は無置換のフェニル基又はナフチル基である、請求項１に記載の非対称芳香族ジアミン誘導体。
3. Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤが、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル−、炭素数７〜３０のアラルキル−、炭素数３〜２０のシクロアルキル−フェニル基又はナフチル基である、請求項１に記載の非対称芳香族ジアミン誘導体。
4. Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤが、それぞれ独立して、フェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ビフェニル基のいずれかである、請求項１に記載の非対称芳香族ジアミン誘導体。
5. 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体。
6. 有機エレクトロルミネッセンス素子用青色系発光材料である請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体。
7. 有機エレクトロルミネッセンス素子用ドーピング材料である請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体。
8. 陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミレッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体を単独もしくは混合物の一成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミレッセンス素子において、発光層と陽極との間の一層が、請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体を単独もしくは混合物の一成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミレッセンス素子において、該発光層が、請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体を単独もしくは混合物の一成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記発光層が、請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体をドーピング材料として含有し、下記一般式（ｉ）で表されるアントラセン誘導体をホスト材料として含有する請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    

    

    ［式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜５０、アルキル部分は炭素数１〜５０）、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である。また、Ｅ及びＦは、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０の芳香族環から誘導される基である。］
12. 前記発光層が、請求項１〜４のいずれかに記載の非対称芳香族ジアミン誘導体をドーピング材料として含有し、下記一般式（ii）で表されるピレン誘導体をホスト材料として含有する請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    

    

    （式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基である。
    Ｌ¹及びＬ²は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
    ｓは０〜２の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは０〜４の整数である。
    また、Ｌ¹又はＡｒ¹は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ²又はＡｒ²は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
    ただし、ｐ＋ｒが偶数の時、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｌ¹、Ｌ²は下記（１）又は（２） を満たす。
    （１）Ａｒ¹≠Ａｒ²及び／又はＬ¹≠Ｌ²（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
    （２）Ａｒ¹＝Ａｒ²かつＬ¹＝Ｌ²の時
    (2-1) ｓ≠ｑ及び／又はｐ≠ｒ、又は
    (2-2) ｓ＝ｑかつｐ＝ｒの時、
    (2-2-1) Ｌ¹及びＬ²、又はピレンが、それぞれＡｒ¹及びＡｒ²上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ¹及びＬ²、又はピレンが、Ａｒ¹及びＡｒ²上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ¹及びＬ²又はＡｒ¹及びＡｒ²のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。）