JP2010143841A - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010143841A JP2010143841A JP2008321315A JP2008321315A JP2010143841A JP 2010143841 A JP2010143841 A JP 2010143841A JP 2008321315 A JP2008321315 A JP 2008321315A JP 2008321315 A JP2008321315 A JP 2008321315A JP 2010143841 A JP2010143841 A JP 2010143841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituted
- unsubstituted
- carbon atoms
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上することのできる有機材料を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
[Ar1〜Ar4は、置換もしくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基であり、Ar1〜Ar4の少なくとも1つは置換もしくは無置換のシリル基を有する。R1及びR2は、置換もしくは無置換の、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、シリル基、又はカルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくはヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。lは、0〜6の整数である。mは、0〜4の整数である。]
【選択図】なし
【解決手段】下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
[Ar1〜Ar4は、置換もしくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基であり、Ar1〜Ar4の少なくとも1つは置換もしくは無置換のシリル基を有する。R1及びR2は、置換もしくは無置換の、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、シリル基、又はカルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくはヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。lは、0〜6の整数である。mは、0〜4の整数である。]
【選択図】なし
Description
本発明は、芳香族アミン誘導体に関する。また、芳香族アミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機EL素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。しかしながら、有機EL素子を構成する有機材料が研究されてきた結果、最近の有機EL素子では上記の課題が徐々に改良されている。
有機EL素子を構成する有機材料として、例えば、芳香族アミンを有するスチリル化合物が検討されている(例えば、特許文献1参照。)。このスチリル化合物を使用した有機EL素子では、発光効率及び寿命が改善することが報告されている。
しかしながら、さらなる発光効率及び発光寿命の向上が要求されている。
有機EL素子を構成する有機材料として、例えば、芳香族アミンを有するスチリル化合物が検討されている(例えば、特許文献1参照。)。このスチリル化合物を使用した有機EL素子では、発光効率及び寿命が改善することが報告されている。
しかしながら、さらなる発光効率及び発光寿命の向上が要求されている。
また、特許文献2及び3は、ナフタレン−スチレン基を中心骨格として有する化合物を開示している。しかしながら、置換基としてシリル基を有する化合物については記載されていない。さらに、特許文献3は、電子写真感光体として用いられる材料に関するものである。
本発明は、有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上することのできる有機材料の提供を目的とする。
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有し、かつ置換もしくは無置換のシリル基を有する芳香族アミン誘導体が、有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上することを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
本発明によれば、以下の芳香族アミン誘導体等が提供される。
1.下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
[式中、
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核原子数5〜20のヘテロアリール基であり、Ar1〜Ar4の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。ここで、「核炭素数」とは、環を形成する炭素数を意味する。
R1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
lは、0〜6の整数である。
mは、0〜4の整数である。]
2.有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である上記1に記載の芳香族アミン誘導体。
3.陰極と陽極との間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、上記1又は2に記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を含有する上記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、アントラセン骨格を有する下記式(2a)で表される構造を有する化合物とを含有する上記3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基であり、R11〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は核炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である)。
6.前記式(2a)において、Ar11とAr12とが異なる基である上記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、ピレン骨格を有する下記式(2b)で表される構造を有する化合物とを含有する上記3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基であり、L1及びL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。L1又はAr13はピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2又はAr14はピレンの6〜10位のいずれかに結合する)。
8.有機エレクトロルミネッセンス材料として上記1又は2に記載の芳香族アミン誘導体と、溶媒とを含有する有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
9.前記有機エレクトロルミネッセンス材料がホスト材料とドーパント材料とを含み、かつ、
前記ドーパント材料が、上記1又は2に記載の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、上記5に記載の式(2a)で表される化合物及び上記7に記載の式(2b)で表される化合物の少なくとも1種である上記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
1.下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核原子数5〜20のヘテロアリール基であり、Ar1〜Ar4の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。ここで、「核炭素数」とは、環を形成する炭素数を意味する。
R1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
lは、0〜6の整数である。
mは、0〜4の整数である。]
2.有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である上記1に記載の芳香族アミン誘導体。
3.陰極と陽極との間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、上記1又は2に記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を含有する上記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、アントラセン骨格を有する下記式(2a)で表される構造を有する化合物とを含有する上記3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.前記式(2a)において、Ar11とAr12とが異なる基である上記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、ピレン骨格を有する下記式(2b)で表される構造を有する化合物とを含有する上記3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.有機エレクトロルミネッセンス材料として上記1又は2に記載の芳香族アミン誘導体と、溶媒とを含有する有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
9.前記有機エレクトロルミネッセンス材料がホスト材料とドーパント材料とを含み、かつ、
前記ドーパント材料が、上記1又は2に記載の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、上記5に記載の式(2a)で表される化合物及び上記7に記載の式(2b)で表される化合物の少なくとも1種である上記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
本発明によれば、有機EL素子の発光効率及び発光寿命の向上に効果のある芳香族アミン誘導体を提供できる。
また、本発明の有機EL素子は、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
また、本発明の有機EL素子は、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
式(1)において、Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20(好ましくは6〜14、さらに好ましくは6〜10)のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核原子数5〜20(好ましくは5〜10、さらに好ましくは5〜8)のヘテロアリール基であり、Ar1〜Ar4の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。
R1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50(好ましくは4〜20、より好ましくは4〜14)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
lは、0〜6の整数(好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0〜2の整数)である。
mは、0〜4の整数(好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0)である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50(好ましくは4〜20、より好ましくは4〜14)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
lは、0〜6の整数(好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0〜2の整数)である。
mは、0〜4の整数(好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0)である。
Ar1〜Ar4が示す置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2、4−ジメチルフェニル基、2、3−ジメチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−メチルビフェニル基、4−エチルビフェニル基、4−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、4−(1−ナフチル)フェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、ナフチル基、5−メチルナフチル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フルオレニル基、クリセニル基、フェナンチル基、9,9−ジメチルフルオレン−1−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−3−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−4−イル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2、4−ジメチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、3−フェニルフェニル基、ターフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9,9−ジメチルフルオレン−1−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基である。
Ar1〜Ar4が示す置換もしくは無置換の核原子数5〜20のヘテロアリール基としては、例えば、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジン等の残基が挙げられる。
Ar1〜Ar4の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。
尚、上記Ar1〜Ar4が、さらに置換基を有する場合、置換基としては、後述する式(2a)におけるR11〜R18として示した例と同様な基が挙げられる。以下、式(1)中の各基が置換基を有する場合の置換基についても後述する式(2a)におけるR11〜R18として示した例と同様である。
尚、上記Ar1〜Ar4が、さらに置換基を有する場合、置換基としては、後述する式(2a)におけるR11〜R18として示した例と同様な基が挙げられる。以下、式(1)中の各基が置換基を有する場合の置換基についても後述する式(2a)におけるR11〜R18として示した例と同様である。
R1及びR2が示す置換基の具体例は、後述する式(2a)のR11〜R18と同様である。
尚、式(1)において、ナフチレン基とフェニレン基は中心の−C=C−に対して、シスでもトランスの位置であってもよい。
本発明の式(1)で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、本発明はこれら例示化合物に限定されるものではない。
本発明の式(1)で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、本発明はこれら例示化合物に限定されるものではない。
本発明の式(1)で表される芳香族アミン誘導体の製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えば、アミン誘導体と芳香族ハロゲン化化合物に対し、テトラへドロン 40(1984)1435〜1456に記載される銅触媒、乃至はジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイアティ 123(2001)7727〜7729に記載されるパラジウム触媒を用いたカップリング反応で製造する。
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機EL素子用材料として用いると好ましく、有機EL素子用発光材料、特にドーピング材料として用いると有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上させることができるため、さらに好ましい。
本発明の有機EL素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が、本発明の芳香族アミン誘導体を少なくとも1種含むものである。
本発明の有機EL素子においては、前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を少なくとも1種含むと好ましく、前記発光層中に本発明の芳香族アミン誘導体が0.01〜20重量%含有されていると好ましく、0.5〜20重量%含有されているとさらに好ましく、1〜20重量%含有されていると特に好ましく、5〜20重量%含有されていると最も好ましい。
また、本発明の芳香族アミン誘導体を有機EL素子の発光材料として用いる場合、前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を少なくとも1種と下記式(2a)〜(2c)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含むと、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い有機EL素子が提供できるという点で好ましい。下記式(2a)及び(2b)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種がホスト材料であると好ましい。
本発明の有機EL素子においては、前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を少なくとも1種含むと好ましく、前記発光層中に本発明の芳香族アミン誘導体が0.01〜20重量%含有されていると好ましく、0.5〜20重量%含有されているとさらに好ましく、1〜20重量%含有されていると特に好ましく、5〜20重量%含有されていると最も好ましい。
また、本発明の芳香族アミン誘導体を有機EL素子の発光材料として用いる場合、前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を少なくとも1種と下記式(2a)〜(2c)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含むと、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い有機EL素子が提供できるという点で好ましい。下記式(2a)及び(2b)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種がホスト材料であると好ましい。
式(2a)において、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20(好ましくは6〜14)の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。前記芳香族環の置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜5)、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルコキシ部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれるか、又はR11〜R18の具体例として後記する基から選択される。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Ar11とAr12は、異なることが好ましい。また、Ar11とAr12の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数10〜30(好ましくは10〜20)の縮合環基を有する置換基であることが好ましく、置換もしくは無置換のナフチル基を有する置換基であることがより好ましい。
Ar11及びAr12の置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核炭素数10〜14の芳香族環から誘導される基であり、特に1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基が好ましい。
R11〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50(好ましくは4〜20、より好ましくは4〜14)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル、9,9−ジメチルフルオレン−1−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−3−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−4−イル基等が挙げられる。また、フェニル基、フェニレン基、ナフチル基、ナフタレン基を組み合わせた置換基(例えば、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、ナフチルナフチル基、ナフチルナフチルナフチル基、フェニルフェニルナフチル基、ナフチルナフチルフェニル基、ナフチルフェニルナフチル基、ナフチルフェニルフェニル基、フェニルナフチルナフチル基、フェニルナフチルフェニル基等)でもよい。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換の核原子数4〜50のヘテロアリール基としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yは、前記R11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基から選択される。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換の原子数6〜50のアリールオキシ基及びアリールチオ基は、それぞれ−OY’及び−SY”と表され、Y’及びY”は、前記R11〜R18の置換もしくは無置換の原子数6〜50のアリール基から選ばれる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)は−COOZと表され、Zは、前記R11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基から選ばれる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
前記R11〜R18及び/又は前記Ar11〜Ar12の芳香族環の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基等でさらに置換されていてもよい。
前記R11〜R18及び/又は前記Ar11〜Ar12の芳香族環の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基等でさらに置換されていてもよい。
(式(2a’)中、Ar11及びAr12、R11〜R18は、式(2a)で定義したとおりである。ただし、アントラセン構造の9位及び10位の置換基Ar11とAr12は、X−Y軸に対して非対称である。)
本発明の有機EL素子に用いられる式(2a)で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、特開2004‐356033号公報[0043]〜[0063]に示されている分子中にアントラセン骨格を2個有するものや、国際公開第2005/061656号パンフレットの27〜28ページに示されているアントラセン骨格を1個有する化合物等、公知の各種アントラセン誘導体を挙げることができる。代表的な具体例を下記に示す。
式(2b)において、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜16)のアリール基であり、L1及びL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、及び、置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。また、L1又はAr13はピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2又はAr14はピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
式(2b)におけるAr13及びAr14の核炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1−イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基等が挙げられる。好ましくは、核炭素数6〜16の芳香族環基であり、特にフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1−イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基である。
また、前記アリール基は、さらに置換基で置換されていてもよく、置換基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等)、炭素数1〜6のアルコキシ基(エトキシ基、メトキシ基、i−プロポキシ基、n−プロポキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、原子数6〜40のアリール基、原子数6〜40のアリール基で置換されたアミノ基、原子数6〜40のアリール基を有するエステル基、炭素数1〜6のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
式(2b)におけるL1及びL2は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基及び置換もしくは無置換のフルオレニレン基から選ばれる。置換基は、前記アリール基の置換基として例示した基から選ばれる。
式(2b)におけるmは、好ましくは0〜1の整数である。nは、好ましくは1〜2の整数である。sは、好ましくは0〜1の整数である。tは、好ましくは0〜2の整数である。
式(2b)におけるmは、好ましくは0〜1の整数である。nは、好ましくは1〜2の整数である。sは、好ましくは0〜1の整数である。tは、好ましくは0〜2の整数である。
本発明の有機EL素子に用いられる式(2b)で表されるピレン誘導体の具体例としては、国際公開第2005/115950号パンフレット[0020]〜[0023]に示されている非対称ピレン誘導体を挙げることができる。この他に対称ピレン誘導体も本発明の有機EL素子用材料として利用できる。代表的な具体例を下記に示す。
式(2c)において、Ar18〜Ar20は、それぞれ独立に、置換もしくは核炭素数6〜50のアリール基を表し、前記アリール基は1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。
Ar18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つは核炭素数10〜20の縮合環アリール構造又は核原子数6〜20の縮合環ヘテロアリール構造を有する。Arは、置換もしくは無置換の、芳香族環又は複素芳香環から誘導される3価の基を表す。
Ar18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つは核炭素数10〜20の縮合環アリール構造又は核原子数6〜20の縮合環ヘテロアリール構造を有する。Arは、置換もしくは無置換の、芳香族環又は複素芳香環から誘導される3価の基を表す。
式(2c)のAr18〜Ar20の核炭素数6〜50のアリール基は、好ましくは核炭素数が6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜16である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ルブレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントレニル基、ジフェニルアントリル基等が挙げられ、これらのアリール基はさらに置換基を有していてもよい。
アリール基上の置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる)、アルケニル基、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる)、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基等が挙げられる)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる)等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。
式(2c)におけるAr18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核炭素数10〜20の縮合環アリール構造としては、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造等が挙げられ、好ましくはナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、より好ましくはフェナントレン構造、4環以上のアリール構造であり、特に好ましくはピレン構造である。
式(2c)におけるAr18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核原子数6〜20の縮合環ヘテロアリール構造としては、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造等が挙げられ、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
式(2c)におけるAr18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核原子数6〜20の縮合環ヘテロアリール構造としては、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造等が挙げられ、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
式(2c)におけるArの芳香環から誘導される3価の基は、好ましくは核炭素数6〜30であり、より好ましくは6〜20であり、さらに好ましくは炭素数6〜16である。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレンから誘導される3価の基等が挙げられる。
式(2c)におけるArの複素芳香環から誘導される3価の基は、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる原子を含み、より好ましくは窒素原子を含む。また、好ましくは炭素数2〜30であり、より好ましくは炭素数3〜20であり、さらに好ましくは炭素数3〜16である。具体的には、ピリジン、ピラジン、チオピラン、キノリン、キノキサリン、トリアジンから誘導される3価の基等が挙げられる。
これらの芳香環又は複素芳香環から誘導される3価の基は置換基を有していてもよい。置換基としては、置換基Ar18のアリール基上の置換基で示した基等が挙げられる。
Arは、好ましくはベンゼントリイル、ナフタレントリイル、アントラセントリイル、ピレントリイル、トリフェニレンから誘導される3価の基であり、より好ましくはベンゼントリイルであり、さらに好ましくは無置換(Ar18、Ar19及びAr20は置換されている)ベンゼントリイル、アルキル置換ベンゼントリイルである。
式(2c)におけるArの複素芳香環から誘導される3価の基は、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる原子を含み、より好ましくは窒素原子を含む。また、好ましくは炭素数2〜30であり、より好ましくは炭素数3〜20であり、さらに好ましくは炭素数3〜16である。具体的には、ピリジン、ピラジン、チオピラン、キノリン、キノキサリン、トリアジンから誘導される3価の基等が挙げられる。
これらの芳香環又は複素芳香環から誘導される3価の基は置換基を有していてもよい。置換基としては、置換基Ar18のアリール基上の置換基で示した基等が挙げられる。
Arは、好ましくはベンゼントリイル、ナフタレントリイル、アントラセントリイル、ピレントリイル、トリフェニレンから誘導される3価の基であり、より好ましくはベンゼントリイルであり、さらに好ましくは無置換(Ar18、Ar19及びAr20は置換されている)ベンゼントリイル、アルキル置換ベンゼントリイルである。
本発明の有機EL素子に用いられる式(2c)で表されるベンゼン誘導体の具体例としては、特開2002−324678号公報[0050]〜[0058]に示されているベンゼン誘導体等の公知の各種ベンゼン誘導体を挙げることができる。
本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機EL素子としては、(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記式(2a)〜(2c)以外のホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アントラセン、1,4−ビス(9’−エチニルアントラセニル)ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ビス−(2−メチル−8−キノリノラート)−4−(フェニルフェノリナート)アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン(Pc)誘導体としては、例えば、H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機EL素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び/又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
また、本発明の有機EL素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び/又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
本発明の有機EL素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記金属錯体化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子においては、発光層中に、式(1)で表される芳香族アミン誘導体から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
本発明の有機EL素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、10nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機EL材料として本発明の芳香族アミン誘導体と溶媒とを含有する有機EL材料含有溶液を用いることができる。
また、前記有機EL材料が、ホスト材料とドーパント材料とを含み、前記ドーパント材料が、本発明の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、式(2a)及び式(2b)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種であると好ましい。
また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
使用可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機EL材料として本発明の芳香族アミン誘導体と溶媒とを含有する有機EL材料含有溶液を用いることができる。
また、前記有機EL材料が、ホスト材料とドーパント材料とを含み、前記ドーパント材料が、本発明の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、式(2a)及び式(2b)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種であると好ましい。
また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
使用可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
合成例(1−1) 中間体1の合成
アルゴン気流下、1000mLナスフラスコに、1−ブロモ−4−(トリメチルシリル)ベンゼン27.5g、アニリン33.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)1.65g、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル2.24g、ナトリウムtert−ブトキシド23.0g、トルエンを入れ、100℃にて6時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(15/85))で精製し、減圧乾燥したところ、23.1gの無色透明の液体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体1と同定した。
アルゴン気流下、1000mLナスフラスコに、1−ブロモ−4−(トリメチルシリル)ベンゼン27.5g、アニリン33.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)1.65g、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル2.24g、ナトリウムtert−ブトキシド23.0g、トルエンを入れ、100℃にて6時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(15/85))で精製し、減圧乾燥したところ、23.1gの無色透明の液体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体1と同定した。
合成例(1−2) 中間体2の合成
500mLナスフラスコに、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチル14.2g、trans−2−(4−クロロフェニル)ビニルボロン酸8.0g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)1.4g、炭酸ナトリウム12.8g(上水60mL)、及びトルエンを入れ、アルゴン気流下、還流にて8時間反応した。
冷却後、反応溶液をろ過し、得られた固体を、上水、メタノールで洗浄し、シリカゲルクロマトグラフィー(熱トルエン)で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、6.6gの白色固体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体2と同定した。
500mLナスフラスコに、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチル14.2g、trans−2−(4−クロロフェニル)ビニルボロン酸8.0g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)1.4g、炭酸ナトリウム12.8g(上水60mL)、及びトルエンを入れ、アルゴン気流下、還流にて8時間反応した。
冷却後、反応溶液をろ過し、得られた固体を、上水、メタノールで洗浄し、シリカゲルクロマトグラフィー(熱トルエン)で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、6.6gの白色固体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体2と同定した。
合成例(1−3) D−1の合成
アルゴン気流下、500mLのナスフラスコに、中間体1 9.0g、中間体2 5.8g、ナトリウムtert−ブトキシド 3.25g、酢酸パラジウム 378mg、トリ−tert−ブチルホスフィン 343mg、トルエンを入れ、90℃にて9時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、得られたろ液を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(10/90))で精製し、得られた固体をトルエン、エタノールで再結晶して得られた固体を減圧乾燥したところ、5.2gの黄白色固体を得た。
アルゴン気流下、500mLのナスフラスコに、中間体1 9.0g、中間体2 5.8g、ナトリウムtert−ブトキシド 3.25g、酢酸パラジウム 378mg、トリ−tert−ブチルホスフィン 343mg、トルエンを入れ、90℃にて9時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、得られたろ液を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(10/90))で精製し、得られた固体をトルエン、エタノールで再結晶して得られた固体を減圧乾燥したところ、5.2gの黄白色固体を得た。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C48H48N2Si2=708、found m/z=708(M+)
UV(PhMe);λmax 393nm、FL(PhMe、λex=365nm);λmax 433nm
FDMS、calcd for C48H48N2Si2=708、found m/z=708(M+)
UV(PhMe);λmax 393nm、FL(PhMe、λex=365nm);λmax 433nm
合成例(2−1) 中間体3の合成
中間体2の合成において、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチルの代わりに3、7−ジブロモ−1、5−ジメチルナフタレンを用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体3と同定した。
中間体2の合成において、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチルの代わりに3、7−ジブロモ−1、5−ジメチルナフタレンを用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体3と同定した。
合成例(2−2) D−2の合成
D−1の合成において、中間体2の代わりに中間体3を用いて同様の方法で合成した。
D−1の合成において、中間体2の代わりに中間体3を用いて同様の方法で合成した。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C50H52N2Si2=736、found m/z=736(M+)
FDMS、calcd for C50H52N2Si2=736、found m/z=736(M+)
合成例(3−1) 中間体4の合成
D−1の合成において、中間体1の代わりにジフェニルアミンを用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体4と同定した。
D−1の合成において、中間体1の代わりにジフェニルアミンを用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体4と同定した。
合成例(3−2) D−3の合成
D−1の合成において、中間体2の代わりに中間体4を用いて同様の方法で合成した。
D−1の合成において、中間体2の代わりに中間体4を用いて同様の方法で合成した。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C45H40N2Si=636、found m/z=636(M+)
UV(PhMe);λmax 393nm、FL(PhMe、λex=365nm);λmax 433nm
FDMS、calcd for C45H40N2Si=636、found m/z=636(M+)
UV(PhMe);λmax 393nm、FL(PhMe、λex=365nm);λmax 433nm
合成例(4−1) 中間体5の合成
中間体2の合成において、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチルの代わりに3、7−ジブロモ−1、5−ジフェニルナフタレンを用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体5と同定した。
中間体2の合成において、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチルの代わりに3、7−ジブロモ−1、5−ジフェニルナフタレンを用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体5と同定した。
合成例(4−2) 中間体6の合成
D−1の合成において、中間体2の代わりに中間体5を用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体6と同定した。
D−1の合成において、中間体2の代わりに中間体5を用いて同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体6と同定した。
合成例(4−3) D−10の合成
D−1の合成において、中間体1の代わりにジフェニルアミンを用いて、中間体2の代わりに中間体6を用いて同様の方法で合成した。
D−1の合成において、中間体1の代わりにジフェニルアミンを用いて、中間体2の代わりに中間体6を用いて同様の方法で合成した。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C57H48N2Si=788、found m/z=788(M+)
FDMS、calcd for C57H48N2Si=788、found m/z=788(M+)
実施例1
25mm×75mm×1.1mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。この透明電極は、陽極として働く。続いて、このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、N’,N”−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’,N”−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミンを60nmの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−ビフェニル)−4,4’−ベンジジンを20nmの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)と、ドーピング材料である芳香族アミン誘導体(D−1)とを、質量比40:2で同時蒸着し、厚さ40nmの発光層を形成した。
この発光層上に、電子注入層として、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウムを20nmの厚さに蒸着した。
次に、弗化リチウムを1nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを150nmの厚さに蒸着し、有機EL素子を作製した。尚、このアルミニウム/弗化リチウムは陰極として働く。
こうして得られた有機EL素子について、電流密度10mA/cm2における駆動時の素子性能(発光輝度及び発光効率)、及び、初期輝度100cd/cm2での、半減寿命を測定した結果を第1表に示す。
25mm×75mm×1.1mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。この透明電極は、陽極として働く。続いて、このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、N’,N”−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’,N”−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミンを60nmの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−ビフェニル)−4,4’−ベンジジンを20nmの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)と、ドーピング材料である芳香族アミン誘導体(D−1)とを、質量比40:2で同時蒸着し、厚さ40nmの発光層を形成した。
この発光層上に、電子注入層として、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウムを20nmの厚さに蒸着した。
次に、弗化リチウムを1nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを150nmの厚さに蒸着し、有機EL素子を作製した。尚、このアルミニウム/弗化リチウムは陰極として働く。
こうして得られた有機EL素子について、電流密度10mA/cm2における駆動時の素子性能(発光輝度及び発光効率)、及び、初期輝度100cd/cm2での、半減寿命を測定した結果を第1表に示す。
実施例2
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−2)を用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−2)を用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例3
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−3)を用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−3)を用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例4
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−10)を用い、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)の代わりに(2a’−55)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−10)を用い、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)の代わりに(2a’−55)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例5
実施例3において、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)の代わりに(2a’−55)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例3において、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)の代わりに(2a’−55)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
比較例1
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、前記構造式で表される化合物(H−1)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、前記構造式で表される化合物(H−1)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
比較例2
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、前記構造式で表される化合物(H−2)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、前記構造式で表される化合物(H−2)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
比較例と実施例の結果より、本発明の芳香族アミン誘導体には大幅な長寿命化効果及び高発光効率化効果がみられた。
本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。
Claims (9)
- 下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
[式中、
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核原子数5〜20のヘテロアリール基であり、Ar1〜Ar4の少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。
R1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基であり、R1及びR2がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するこれらの基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
lは、0〜6の整数である。
mは、0〜4の整数である。] - 有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である請求項1に記載の芳香族アミン誘導体。
- 陰極と陽極との間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項1又は2に記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を含有する請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、アントラセン骨格を有する下記式(2a)で表される構造を有する化合物とを含有する請求項3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基であり、R11〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である)。 - 前記式(2a)において、Ar11とAr12とが異なる基である請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、ピレン骨格を有する下記式(2b)で表される構造を有する化合物とを含有する請求項3又は4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50のアリール基であり、L1及びL2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。L1又はAr13はピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L2又はAr14はピレンの6〜10位のいずれかに結合する)。 - 有機エレクトロルミネッセンス材料として請求項1又は2に記載の芳香族アミン誘導体と、溶媒とを含有する有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス材料がホスト材料とドーパント材料とを含み、かつ、
前記ドーパント材料が、請求項1又は2に記載の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、請求項5に記載の式(2a)で表される化合物及び請求項7に記載の式(2b)で表される化合物の少なくとも1種である請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008321315A JP2010143841A (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008321315A JP2010143841A (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010143841A true JP2010143841A (ja) | 2010-07-01 |
Family
ID=42564648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008321315A Pending JP2010143841A (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010143841A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012056674A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。 |
| WO2012133256A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びそれを用いてなる発光素子 |
| WO2014088047A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 三星ディスプレイ株式▲会▼社 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131987A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US9997715B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-06-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
-
2008
- 2008-12-17 JP JP2008321315A patent/JP2010143841A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012056674A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。 |
| CN102639490A (zh) * | 2010-10-25 | 2012-08-15 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物及使用该衍生物的有机电致发光元件 |
| JPWO2012056674A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-03-20 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。 |
| US9269907B2 (en) | 2010-10-25 | 2016-02-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same |
| WO2012133256A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びそれを用いてなる発光素子 |
| CN103547611A (zh) * | 2011-03-25 | 2014-01-29 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物和使用其形成的发光元件 |
| US9793486B2 (en) | 2011-03-25 | 2017-10-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymer compound and light-emitting element using the same |
| CN103547611B (zh) * | 2011-03-25 | 2016-06-08 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物和使用其形成的发光元件 |
| JP2014131982A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131984A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131986A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131983A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131985A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131981A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2014131987A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-17 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US9780317B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-10-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Amine derivative, organic luminescent material and organic electroluminescent device using the amine derivative or the organic luminescent material |
| WO2014088047A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 三星ディスプレイ株式▲会▼社 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2018138560A (ja) * | 2012-12-05 | 2018-09-06 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US10629830B2 (en) | 2012-12-05 | 2020-04-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US9997715B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-06-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5191496B2 (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5091854B2 (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR100949214B1 (ko) | 방향족 아민 유도체 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자 | |
| JP4848134B2 (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2009084585A1 (ja) | 芳香族ジアミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPWO2010013676A1 (ja) | 有機発光媒体及び有機el素子 | |
| JPWO2009102054A1 (ja) | 有機発光媒体および有機el素子 | |
| WO2009107596A1 (ja) | 有機発光媒体及び有機el素子 | |
| JP2009161470A (ja) | 非対称芳香族ジアミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2010013675A1 (ja) | 有機発光媒体及び有機el素子 | |
| JPWO2008156089A1 (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPWO2009102026A1 (ja) | 有機発光媒体および有機el素子 | |
| WO2010052885A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP5396397B2 (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US8829783B2 (en) | Trinaphthyl monoamine or derivative thereof, organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent material-containing solution | |
| JP2010143841A (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2009161469A (ja) | 芳香族化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2009161468A (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2009161464A (ja) | カルバゾール誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP6047116B2 (ja) | 新規なアントラセン化合物及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2009161465A (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2009161466A (ja) | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
