JP2014506246A5

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Publication number: JP2014506246A5
Application number: JP2013544641A
Authority: JP
Filing date: 2011-12-12
Publication date: 2014-12-11
Anticipated expiration: 2031-12-12

Claims

式Ｉまたは式ＩＩ

（式中、
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、同一であるか、または異なっており、炭化水素アリール、Ｎ−複素環、およびそれらの重水素化類似体である）を有する化合物。
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴の少なくとも１個が、アルキル、アリール、シリル、ジアリールアミン、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似体である置換基を有する、請求項１に記載の化合物。
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴が、次式ａ

（式中、
Ｒ¹は、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体であり、
ａは、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、０〜４の整数であり、
ｂは、０〜５の整数であり、かつ
ｍは、１〜５の整数である）を有する、請求項１に記載の化合物。
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴が、次式ｂ

（式中、
Ｒ¹は、Ｈ、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体であり、かつ
ｍは、１〜５の整数である）を有する、請求項１に記載の化合物。
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴が、次式ｃ

（式中、
Ｒ¹は、Ｈ、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体である）を有する、請求項１に記載の化合物。
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴の１個またはそれ以上が、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、ピリジン、ピリジミン、トリアジンまたはそれらの重水素化類似体である、請求項１に記載の化合物。
式Ｉまたは式ＩＩ

（式中、
Ａｒ ¹ 〜Ａｒ ⁴ は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールであり、Ａｒ ¹ 〜Ａｒ ⁴ の１個またはそれ以上が、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、ピリジン、ピリジミン、トリアジンまたはそれらの重水素化類似体であり、更に、Ａｒ¹〜Ａｒ⁴の少なくとも１個は、ジアリールアミノ、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似体で置換される）を有する化合物。
化合物１〜化合物８から選択される、請求項１に記載の化合物。
化合物１

化合物２

化合物３

化合物４

化合物５

化合物６

化合物７

化合物８
（ａ）式Ｉまたは式ＩＩ

（式中、
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールである）を有するホスト化合物を含んでなる組成物。
式Ｉまたは式ＩＩ

（式中、
Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールである）の化合物を含んでなる少なくとも１層を有する電子デバイス。
前記デバイスが、
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
式Ｉまたは式ＩＩを有する電気活性化合物を含んでなる有機半導体層と
を含んでなる有機薄膜トランジスタであって、
前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記ゲート電極および前記半導体層が両方とも前記絶縁層と接触し、前記ソース電極および前記ドレイン電極が両方とも前記半導体層と接触し、かつ前記電極が互いに接触しないという条件の下で、任意の配列で配置することができる
有機薄膜トランジスタである、請求項１０に記載のデバイス。
前記デバイスが、２層の電気接触層の間に配置された少なくとも１層の活性層を含んでなり、前記デバイスの前記少なくとも１層の活性層が式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含む、請求項１０に記載のデバイス。
アノードと、正孔注入層と、光活性層と、電子輸送層と、カソードとを含んでなり、前記光活性層および前記電子輸送層の少なくとも１層が式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含んでなる、請求項１２に記載のデバイス。
前記光活性層が、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料と、（ｂ）有機金属エレクトロルミネセントドーパントとを含んでなる、請求項１３に記載のデバイス。
前記正孔注入層が、少なくとも１種の導電性ポリマーと、少なくとも１種のフッ素化酸ポリマーとを含んでなる、請求項１４に記載のデバイス。
前記電子輸送層が、式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含んでなる、請求項１３に記載のデバイス。