JP2012084860A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012084860A5 JP2012084860A5 JP2011196867A JP2011196867A JP2012084860A5 JP 2012084860 A5 JP2012084860 A5 JP 2012084860A5 JP 2011196867 A JP2011196867 A JP 2011196867A JP 2011196867 A JP2011196867 A JP 2011196867A JP 2012084860 A5 JP2012084860 A5 JP 2012084860A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- semiconductor film
- substrate
- heating
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011196867A JP6005347B2 (ja) | 2010-09-13 | 2011-09-09 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010204971 | 2010-09-13 | ||
| JP2010204971 | 2010-09-13 | ||
| JP2011196867A JP6005347B2 (ja) | 2010-09-13 | 2011-09-09 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016174219A Division JP6246289B2 (ja) | 2010-09-13 | 2016-09-07 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012084860A JP2012084860A (ja) | 2012-04-26 |
| JP2012084860A5 true JP2012084860A5 (enExample) | 2014-10-02 |
| JP6005347B2 JP6005347B2 (ja) | 2016-10-12 |
Family
ID=45807109
Family Applications (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011196867A Active JP6005347B2 (ja) | 2010-09-13 | 2011-09-09 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2016174219A Expired - Fee Related JP6246289B2 (ja) | 2010-09-13 | 2016-09-07 | 半導体装置 |
| JP2017218850A Active JP6422557B2 (ja) | 2010-09-13 | 2017-11-14 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2018194831A Active JP6636591B2 (ja) | 2010-09-13 | 2018-10-16 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2019227942A Active JP6882441B2 (ja) | 2010-09-13 | 2019-12-18 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2021078405A Active JP7083938B2 (ja) | 2010-09-13 | 2021-05-06 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2022089391A Active JP7320108B2 (ja) | 2010-09-13 | 2022-06-01 | 半導体装置 |
| JP2023119014A Active JP7584586B2 (ja) | 2010-09-13 | 2023-07-21 | 半導体装置 |
| JP2024193440A Active JP7739573B2 (ja) | 2010-09-13 | 2024-11-05 | 半導体装置 |
| JP2025146426A Pending JP2025175014A (ja) | 2010-09-13 | 2025-09-03 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications After (9)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016174219A Expired - Fee Related JP6246289B2 (ja) | 2010-09-13 | 2016-09-07 | 半導体装置 |
| JP2017218850A Active JP6422557B2 (ja) | 2010-09-13 | 2017-11-14 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2018194831A Active JP6636591B2 (ja) | 2010-09-13 | 2018-10-16 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2019227942A Active JP6882441B2 (ja) | 2010-09-13 | 2019-12-18 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2021078405A Active JP7083938B2 (ja) | 2010-09-13 | 2021-05-06 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2022089391A Active JP7320108B2 (ja) | 2010-09-13 | 2022-06-01 | 半導体装置 |
| JP2023119014A Active JP7584586B2 (ja) | 2010-09-13 | 2023-07-21 | 半導体装置 |
| JP2024193440A Active JP7739573B2 (ja) | 2010-09-13 | 2024-11-05 | 半導体装置 |
| JP2025146426A Pending JP2025175014A (ja) | 2010-09-13 | 2025-09-03 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8871565B2 (enExample) |
| JP (10) | JP6005347B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101808200B1 (enExample) |
| CN (1) | CN103155121B (enExample) |
| TW (1) | TWI538057B (enExample) |
| WO (1) | WO2012036104A1 (enExample) |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9219956B2 (en) | 2008-12-23 | 2015-12-22 | Keyssa, Inc. | Contactless audio adapter, and methods |
| US9960820B2 (en) | 2008-12-23 | 2018-05-01 | Keyssa, Inc. | Contactless data transfer systems and methods |
| US9474099B2 (en) | 2008-12-23 | 2016-10-18 | Keyssa, Inc. | Smart connectors and associated communications links |
| US9191263B2 (en) | 2008-12-23 | 2015-11-17 | Keyssa, Inc. | Contactless replacement for cabled standards-based interfaces |
| US8554136B2 (en) | 2008-12-23 | 2013-10-08 | Waveconnex, Inc. | Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips |
| US9954579B2 (en) | 2008-12-23 | 2018-04-24 | Keyssa, Inc. | Smart connectors and associated communications links |
| KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| WO2012043070A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
| WO2012129426A2 (en) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Waveconnex, Inc. | Integrated circuit with electromagnetic communication |
| US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8916868B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9614590B2 (en) | 2011-05-12 | 2017-04-04 | Keyssa, Inc. | Scalable high-bandwidth connectivity |
| US8714459B2 (en) * | 2011-05-12 | 2014-05-06 | Waveconnex, Inc. | Scalable high-bandwidth connectivity |
| US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
| US8811526B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-08-19 | Keyssa, Inc. | Delta modulated low power EHF communication link |
| TWI569031B (zh) | 2011-06-15 | 2017-02-01 | 奇沙公司 | 使用ｅｈｆ信號的近端感測與距離量測 |
| EP2759067B1 (en) | 2011-09-15 | 2019-11-06 | Keyssa, Inc. | Wireless communication with dielectric medium |
| EP2769477A1 (en) | 2011-10-20 | 2014-08-27 | Keyssa, Inc. | Low-profile wireless connectors |
| TWI633766B (zh) | 2011-10-21 | 2018-08-21 | 奇沙公司 | 用於非接觸的訊號編接的裝置和系統 |
| KR102030203B1 (ko) | 2011-12-14 | 2019-10-08 | 키사, 아이엔씨. | 햅틱 피드백을 제공하는 커넥터들 |
| JP2013149953A (ja) | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US9559790B2 (en) | 2012-01-30 | 2017-01-31 | Keyssa, Inc. | Link emission control |
| US9344201B2 (en) | 2012-01-30 | 2016-05-17 | Keyssa, Inc. | Shielded EHF connector assemblies |
| US9735280B2 (en) * | 2012-03-02 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film |
| WO2013131095A2 (en) | 2012-03-02 | 2013-09-06 | Waveconnex, Inc. | Systems and methods for duplex communication |
| CN104303436B (zh) | 2012-03-06 | 2017-04-05 | 凯萨股份有限公司 | 用于约束ehf通信芯片的操作参数的系统 |
| US9553353B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-01-24 | Keyssa, Inc. | Redirection of electromagnetic signals using substrate structures |
| US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| WO2013158786A1 (en) | 2012-04-17 | 2013-10-24 | Waveconnex, Inc. | Dielectric lens structures for interchip communication |
| US8860022B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
| CN107403840B (zh) | 2012-05-10 | 2021-05-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR102173074B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| DE102013207324A1 (de) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
| JP6077382B2 (ja) * | 2012-05-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| JP6050721B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US20130320335A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US20130319515A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| TWI595715B (zh) | 2012-08-10 | 2017-08-11 | 奇沙公司 | 用於極高頻通訊之介電耦接系統 |
| TWI478033B (zh) | 2012-09-07 | 2015-03-21 | E Ink Holdings Inc | 電容式觸控面板的電容結構 |
| TWI831522B (zh) | 2012-09-14 | 2024-02-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| WO2014043577A1 (en) | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Waveconnex, Inc. | Wireless connections with virtual hysteresis |
| TWI620323B (zh) * | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| CN104937769B (zh) | 2012-12-17 | 2018-11-16 | 凯萨股份有限公司 | 模块化电子设备 |
| TWI611566B (zh) | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
| US9553616B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-24 | Keyssa, Inc. | Extremely high frequency communication chip |
| KR20150132459A (ko) | 2013-03-15 | 2015-11-25 | 키사, 아이엔씨. | Ehf 보안 통신 장치 |
| JP6163838B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2017-07-19 | 富士電機株式会社 | 加圧加熱接合構造及び加圧加熱接合方法 |
| US20140299873A1 (en) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Single-crystal oxide semiconductor, thin film, oxide stack, and formation method thereof |
| TWI608523B (zh) * | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
| JP2015053477A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| JP6406926B2 (ja) | 2013-09-04 | 2018-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9425217B2 (en) * | 2013-09-23 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2015059842A1 (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
| JP6537264B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9564535B2 (en) * | 2014-02-28 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
| CN104241299B (zh) * | 2014-09-02 | 2017-02-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 氧化物半导体tft基板的制作方法及结构 |
| TWI652362B (zh) | 2014-10-28 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物及其製造方法 |
| JP6647841B2 (ja) | 2014-12-01 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物の作製方法 |
| US9633710B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for operating semiconductor device |
| US9633982B2 (en) * | 2015-02-17 | 2017-04-25 | Chun Yen Chang | Method of manufacturing semiconductor device array |
| DE112016001033T5 (de) * | 2015-03-03 | 2017-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben oder Anzeigevorrichtung mit derselben |
| US9602648B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-03-21 | Keyssa Systems, Inc. | Adapter devices for enhancing the functionality of other devices |
| US10049801B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-08-14 | Keyssa Licensing, Inc. | Communication module alignment |
| CN115241045B (zh) * | 2016-03-22 | 2025-04-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
| TWI611463B (zh) | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 金屬氧化物半導體層的結晶方法及半導體結構 |
| JP6472424B2 (ja) | 2016-11-10 | 2019-02-20 | 矢崎総業株式会社 | 電線の接合方法 |
| JP6917160B2 (ja) | 2017-02-26 | 2021-08-11 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、半導体基板の検査方法および電子デバイスの製造方法 |
| TWI662347B (zh) * | 2017-12-14 | 2019-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
| US11379231B2 (en) | 2019-10-25 | 2022-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing system and operation method of data processing system |
| US11869975B2 (en) * | 2021-04-19 | 2024-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thin-film transistors and method for manufacturing the same |
| US12027632B2 (en) | 2021-04-19 | 2024-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure with barrier and method for manufacturing the same |
| US11791420B2 (en) | 2021-04-19 | 2023-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2023149086A (ja) | 2022-03-30 | 2023-10-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置の製造方法 |
| CN118872074A (zh) | 2022-03-30 | 2024-10-29 | 株式会社日本显示器 | 氧化物半导体膜、薄膜晶体管及电子设备 |
| JP2023149085A (ja) | 2022-03-30 | 2023-10-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置の製造方法 |
| CN118805263A (zh) | 2022-03-30 | 2024-10-18 | 株式会社日本显示器 | 薄膜晶体管及电子设备 |
| JPWO2023189003A1 (enExample) | 2022-03-30 | 2023-10-05 | ||
| JPWO2023223657A1 (enExample) | 2022-05-19 | 2023-11-23 | ||
| DE112023001478T5 (de) | 2022-05-26 | 2025-01-09 | Japan Display Inc. | Halbleiterbauelement |
| KR20250004852A (ko) | 2022-06-10 | 2025-01-08 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 박막 트랜지스터 및 전자 기기 |
| JP2024008440A (ja) | 2022-07-08 | 2024-01-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2024011504A (ja) | 2022-07-14 | 2024-01-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| CN119605327A (zh) | 2022-08-01 | 2025-03-11 | 株式会社日本显示器 | 氧化物半导体膜、薄膜晶体管及电子设备 |
| WO2024029429A1 (ja) | 2022-08-01 | 2024-02-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 積層構造体及び薄膜トランジスタ |
| CN119522639A (zh) | 2022-08-01 | 2025-02-25 | 株式会社日本显示器 | 薄膜晶体管及电子设备 |
| JP2024039361A (ja) | 2022-09-09 | 2024-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2024040960A (ja) | 2022-09-13 | 2024-03-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2024048269A (ja) | 2022-09-27 | 2024-04-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置の製造方法 |
| JP2024051551A (ja) | 2022-09-30 | 2024-04-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2024053987A (ja) | 2022-10-04 | 2024-04-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2024077307A (ja) | 2022-11-28 | 2024-06-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| CN120380859A (zh) | 2023-01-19 | 2025-07-25 | 株式会社日本显示器 | 层叠结构体、薄膜晶体管及电子设备 |
| CN120513703A (zh) | 2023-01-19 | 2025-08-19 | 株式会社日本显示器 | 氧化物半导体膜、薄膜晶体管及电子设备 |
| WO2024195631A1 (ja) | 2023-03-17 | 2024-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 酸化物半導体膜、積層構造体、薄膜トランジスタ、および電子機器 |
| WO2024195630A1 (ja) | 2023-03-17 | 2024-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタおよび電子機器 |
| KR20250117810A (ko) | 2023-03-17 | 2025-08-05 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 박막 트랜지스터 및 전자 기기 |
| JP2024139916A (ja) | 2023-03-28 | 2024-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置、表示装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024139917A (ja) | 2023-03-28 | 2024-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2024145744A (ja) | 2023-03-31 | 2024-10-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2024145782A (ja) | 2023-03-31 | 2024-10-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2024163719A (ja) | 2023-05-12 | 2024-11-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2024163588A (ja) | 2023-05-12 | 2024-11-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2025012144A (ja) | 2023-07-12 | 2025-01-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2025058604A (ja) | 2023-09-28 | 2025-04-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 放射線検出装置 |
| JP2025058431A (ja) | 2023-09-28 | 2025-04-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2025059540A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2025060044A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2025059551A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2025059891A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2025059541A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2025059911A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2025059912A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP2025059883A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2025059955A (ja) | 2023-09-29 | 2025-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2025140590A (ja) | 2024-03-14 | 2025-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| WO2025219841A1 (ja) * | 2024-04-19 | 2025-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物層の作製方法 |
Family Cites Families (147)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
| JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
| JPS63268184A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Sony Corp | 半導体メモリ装置 |
| JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
| JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
| JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
| JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2000026119A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Hoya Corp | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
| JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
| JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
| JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
| JP2001053164A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Sony Corp | 半導体記憶装置 |
| TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
| JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
| KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
| JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
| JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2002368226A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Sharp Corp | 半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器 |
| JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
| JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
| JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
| WO2003040441A1 (fr) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin |
| JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法 |
| CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
| JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
| JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
| US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| JP3859148B2 (ja) | 2002-10-31 | 2006-12-20 | 信越半導体株式会社 | Ｚｎ系半導体発光素子の製造方法 |
| JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
| US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
| JP2005166713A (ja) | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Sharp Corp | 電界効果型トランジスタ |
| US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
| US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
| US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
| EP2226847B1 (en) | 2004-03-12 | 2017-02-08 | Japan Science And Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
| US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
| JP4660124B2 (ja) | 2004-06-17 | 2011-03-30 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
| US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
| US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
| CN102945857B (zh) | 2004-11-10 | 2015-06-03 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
| US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
| US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
| US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
| WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| KR100889796B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-03-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
| US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
| WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
| US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
| US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
| JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
| KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
| JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
| JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
| JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
| TWI281522B (en) | 2005-10-21 | 2007-05-21 | Univ Nat Sun Yat Sen | Method for preparing zinc oxide crystalline |
| CN101577281B (zh) | 2005-11-15 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机 |
| TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法 |
| US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
| US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
| KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ ＴＦＴ |
| US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
| WO2007142167A1 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof |
| JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
| US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
| JP2008108985A (ja) | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 半導体素子の製法 |
| US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
| JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
| US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| TWI478347B (zh) | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
| WO2008099863A1 (ja) | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置 |
| US8129714B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-03-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device |
| KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
| WO2008126492A1 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
| KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
| KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
| CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
| JP5043499B2 (ja) | 2007-05-02 | 2012-10-10 | 財団法人高知県産業振興センター | 電子素子及び電子素子の製造方法 |
| KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US8354674B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
| KR20090037574A (ko) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | 삼성전자주식회사 | 산화아연 나노구조체의 제조방법 및 그로부터 제조된산화아연 나노구조체 |
| JP5430846B2 (ja) | 2007-12-03 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
| JP5403390B2 (ja) | 2008-05-16 | 2014-01-29 | 出光興産株式会社 | インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む酸化物 |
| US8795554B2 (en) | 2008-06-27 | 2014-08-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target for oxide semiconductor, comprising InGaO3(ZnO) crystal phase and process for producing the sputtering target |
| JP2010040552A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| TWI500159B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
| TWI637444B (zh) * | 2008-08-08 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| JP5438011B2 (ja) | 2008-08-27 | 2014-03-12 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット及びそれからなる酸化物半導体薄膜 |
| US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
| JP2010062276A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Brother Ind Ltd | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
| JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| US8445903B2 (en) | 2008-10-23 | 2013-05-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor having a crystalline semiconductor film including indium oxide which contains a hydrogen element and method for manufacturing same |
| JP2010108986A (ja) | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Chem Co Ltd | ゲート絶縁膜層成形材料、電界効果型トランジスタ及びこの電界効果型トランジスタの製造方法 |
| TWI478356B (zh) | 2008-10-31 | 2015-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| CN103700704B (zh) | 2008-11-07 | 2017-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| JP2010118407A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
| KR101751661B1 (ko) | 2008-12-19 | 2017-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터의 제작 방법 |
| JP5185838B2 (ja) * | 2009-01-05 | 2013-04-17 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101648927B1 (ko) | 2009-01-16 | 2016-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101048965B1 (ko) | 2009-01-22 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
| US8492756B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5606682B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
| JP5564331B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| EP2544237B1 (en) | 2009-09-16 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
| CN105023942B (zh) * | 2009-12-28 | 2018-11-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体装置的方法 |
| WO2011099335A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI590335B (zh) * | 2010-08-18 | 2017-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 膜形成設備及膜形成方法 |
-
2011
- 2011-08-31 US US13/222,513 patent/US8871565B2/en active Active
- 2011-09-05 CN CN201180043987.XA patent/CN103155121B/zh active Active
- 2011-09-05 KR KR1020137008894A patent/KR101808200B1/ko active Active
- 2011-09-05 WO PCT/JP2011/070668 patent/WO2012036104A1/en not_active Ceased
- 2011-09-06 TW TW100132102A patent/TWI538057B/zh active
- 2011-09-09 JP JP2011196867A patent/JP6005347B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-07 US US14/508,075 patent/US9105668B2/en active Active
-
2015
- 2015-07-20 US US14/803,483 patent/US10586869B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-07 JP JP2016174219A patent/JP6246289B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-11-14 JP JP2017218850A patent/JP6422557B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-16 JP JP2018194831A patent/JP6636591B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-18 JP JP2019227942A patent/JP6882441B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-06 JP JP2021078405A patent/JP7083938B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-01 JP JP2022089391A patent/JP7320108B2/ja active Active
-
2023
- 2023-07-21 JP JP2023119014A patent/JP7584586B2/ja active Active
-
2024
- 2024-11-05 JP JP2024193440A patent/JP7739573B2/ja active Active
-
2025
- 2025-09-03 JP JP2025146426A patent/JP2025175014A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012084860A5 (enExample) | ||
| JP2011192974A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013070070A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2012084867A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011192958A5 (enExample) | ||
| JP2011142310A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013016862A5 (enExample) | ||
| JP2012009837A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013110425A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012009843A5 (enExample) | ||
| JP2012009838A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012253331A5 (enExample) | ||
| JP2013021310A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011205089A5 (ja) | 半導体膜の作製方法 | |
| JP2012049516A5 (enExample) | ||
| JP2013219336A5 (enExample) | ||
| JP2011086923A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2011199273A5 (enExample) | ||
| JP2016139777A5 (ja) | 半導体装置および半導体装置の作製方法 | |
| JP2013062495A5 (enExample) | ||
| JP2014063141A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011146697A5 (enExample) | ||
| JP2011243971A5 (enExample) | ||
| JP2011035387A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011222988A5 (enExample) |