JP2011166123A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有するフォトセンサを複数有し、
   前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
   前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能を有し、
   前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記複数のフォトセンサはリセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
   前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行う機能と、前記累積動作を共通して行う機能と、前記選択動作を順次行う機能と、を有し、
   前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作に要する時間より長いことを特徴とする半導体装置。
2. フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有するフォトセンサを複数有し、
   前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
   前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、前記蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有し、
   前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに前記蓄積された電荷を保持する機能を有し、
   前記第３のトランジスタは、前記出力信号の読み出しを制御する機能を有し、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
   前記複数のフォトセンサはリセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
   前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行う機能と、前記累積動作を共通して行う機能と、前記選択動作を順次行う機能と、を有し、
   前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作に要する時間より長いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記フォトダイオードと前記第１のトランジスタとは同一表面上に形成されており、
   前記第２のトランジスタは、前記フォトダイオード及び前記第１のトランジスタ上に絶縁膜を介して形成されており、
   前記第２のトランジスタの一部又は全部は、前記フォトダイオードのｐ層又はｎ層と重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を行った後、前記累積動作と前記選択動作とを複数回繰り返して行うことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作の開始時から前記累積動作の終了時までの時間より長いことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   特定の色の光源を有し、
   前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を前記特定の色において共通して行い、前記累積動作を前記特定の色において共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   複数色の光源を有し、
   前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を前記複数色の各々の色において共通して行い、前記累積動作を前記複数色の各々の色において共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。