JP5171178B2 - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
イメージセンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5171178B2 JP5171178B2 JP2007238257A JP2007238257A JP5171178B2 JP 5171178 B2 JP5171178 B2 JP 5171178B2 JP 2007238257 A JP2007238257 A JP 2007238257A JP 2007238257 A JP2007238257 A JP 2007238257A JP 5171178 B2 JP5171178 B2 JP 5171178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- receiving pixels
- light
- substrate
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 156
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 64
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 39
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N germanium nitride Chemical compound N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1h-pyrrolo[2,3-c]pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound BrC1=NC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PONZBUKBFVIXOD-UHFFFAOYSA-N 9,10-dicarbamoylperylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=N)C2=C1C3=CC=C2C(=N)O PONZBUKBFVIXOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001422 N-substituted pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N antimony lead Chemical compound [Sb].[Pb] QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJQYNUFEEZFYIS-UHFFFAOYSA-N perylene maroon Chemical compound C=12C3=CC=C(C(N(C)C4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)N(C)C(=O)C4=CC=C3C1=C42 PJQYNUFEEZFYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N thioindigo Chemical compound S\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2S1 JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
Description
前記基板の片面において、前記複数の二次受光画素を、厚さ方向に隣接する二次受光画素の間に無機化合物により形成されている封止絶縁膜と、該封止絶縁膜上に設けられた有機化合物により形成されている平坦化層を介して順次形成して積層する工程を含み、
前記複数の二次受光画素を形成する際に、それぞれ、前記光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部により生じた電荷に基づいて薄膜トランジスタにより信号を出力する信号出力部とを形成し、かつ、前記薄膜トランジスタが、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記活性層をIn、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物半導体又は有機半導体により形成することを特徴とするイメージセンサの製造方法。
前記基板の片面において、前記複数の二次受光画素を、厚さ方向に隣接する二次受光画素の間に無機化合物により形成された封止絶縁膜と、該封止絶縁膜上に設けられ、有機化合物により形成された平坦化層を介して順次形成して積層する工程を含み、
前記複数の二次受光画素を形成する際に、それぞれ、前記光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部により生じた電荷に基づいて薄膜トランジスタにより信号を出力する信号出力部とを形成し、かつ、前記薄膜トランジスタが、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記活性層をIn、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物半導体又は有機半導体により形成することを特徴とするイメージセンサの製造方法。
図1は、本実施形態に係るイメージセンサ1の基板2の面方向における一次受光画素4の配列の一例を示す概略平面図である。図2は、一次受光画素4を構成する二次受光画素10,20,30の層構成の一例を示す概略断面図である。
図2に示されるように、本実施形態に係るイメージセンサ1は、基板2の片面において、それぞれ異なる波長域の光(B、G、R)を選択的に感知する3種類の受光画素(二次受光画素)10,20,30が厚さ方向に順次積層されている。また、隣接する二次受光画素の間には、それぞれ封止絶縁膜18,28と平坦化層19,29が介在している。
基板2の材質は特に限定されることはなく、例えばYSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエ−テルスルホン、ポリアリレ−ト、アリルジグリコールカーボネ−ト、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機材料、などが挙げられる。前記有機材料の場合、光透過性、耐熱性、寸法安定性、表面平滑性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、低吸湿性等に優れていることが好ましい。
このようなプラスチック製の可撓性基板2を用いれば、曲げたり、丸めたりするなど自由に変形することができ、装置の小型化や軽量化に寄与することも可能となる。
二次受光画素10は、光電変換部14により生じた電荷に基づき、コンデンサ60、電界効果型薄膜トランジスタ40を含む信号出力部12により信号を出力する。薄膜トランジスタ40は、ゲート電極44、ゲート絶縁膜46、活性層48、ソース電極50、及びドレイン電極52を有し、活性層48は、酸化物半導体又は有機半導体により形成されている。第2及び第3の二次受光画素20,30にもそれぞれ同様の構成の薄膜トランジスタを含む信号出力部22,32が設けられており、それぞれの光電変換部24,34より生じた電荷に基づいて信号を出力する。
活性層48を酸化物半導体により形成すれば、アモルファスシリコンの活性層に比べて電荷の移動度がはるかに高く、低電圧で駆動させることができる。また、酸化物半導体を用いれば、通常、シリコンよりも光透過性が高く、可撓性を有する活性層48を形成することができる。また、酸化物半導体、特にアモルファス酸化物半導体は、低温(例えば室温)で均一に成膜が可能であるため、プラスチックのような可撓性のある樹脂基板2を用いるときに特に有利となる。また、複数の二次受光画素を積層させるため、上段の二次受光画素を形成する際に下段の二次受光画素が影響を受ける。特に光電変換層は熱の影響を受けやすいが、酸化物半導体、特にアモルファス酸化物半導体は低温成膜が可能であるため有利である。
σ=neμ
活性層48がn型半導体である時はキャリアは電子であり、キャリア濃度とは電子キャリア濃度を、キャリア移動度とは電子移動度を示す。同様に活性層48がp型半導体ではキャリアは正孔であり、キャリア濃度とは、正孔キャリア濃度を、キャリア移動度とは正孔移動度を示す。尚、物質のキャリア濃度とキャリア移動度とは、ホール測定により求めることができる。
電気伝導度は、厚みが分かっている膜のシート抵抗を測定することにより、膜の電気伝導度を求めることができる。半導体の電気伝導度は温度により変化するが、本願明細書における電気伝導度は、室温(20℃)での電気伝導度を示す。
また、好ましくは、第2の領域48bの電気伝導度が10−4Scm−1以上102Scm−1未満であり、より好ましくは10−1Scm−1以上102Scm−1未満である。第1の領域48aの電気伝導度は、好ましくは10−1Scm−1以下、より好ましくは10−9Scm−1以上10−3Scm−1以下である。
なお、図5及び図6では、基板2上に絶縁膜3が形成され、その上に薄膜トランジスタが形成されている。特に金属基板や半導体基板のように導電性を有する基板を用いる場合には、このような絶縁膜を形成して絶縁基板とすることができる。
酸化物半導体において、酸素欠陥ができると、キャリア電子が発生し、電気伝導度が大きくなることが知られている。よって、酸素欠陥量を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度を制御することが可能である。酸素欠陥量を制御する具体的な方法としては、成膜中の酸素分圧、成膜後の後処理時の酸素濃度と処理時間等がある。ここでいう後処理とは、具体的に100℃以上の熱処理、酸素プラズマ、UVオゾン処理などがある。これらの方法の中でも、生産性の観点から成膜中の酸素分圧を制御する方法が好ましい。成膜中の酸素分圧を調整することにより、酸化物半導体の電気伝導度の制御を行うことができる。
酸化物半導体の金属組成比を変えることにより、電気伝導度を変化させることもできる。例えば、InGaZn1−XMgXO4において、Mgの比率が増えていくと、電気伝導度が小さくなる。また、(In2O3)1−X(ZnO)Xの酸化物系において、Zn/In比が10%以上では、Zn比率が増加するにつれ、電気伝導度が小さくなることが報告されている(「透明導電膜の新展開II」、シーエムシー出版、34頁−35頁)。これら組成比を変える具体的な方法としては、例えば、スパッタによる成膜方法においては、組成比が異なるターゲットを用いる方法が挙げられる。または、多元のターゲットにより、共スパッタし、そのスパッタレートを個別に調整することにより、膜の組成比を変えることが可能である。
酸化物半導体に、Li,Na,Mn,Ni,Pd,Cu,Cd,C,N,P等の元素を不純物として添加することにより、電子キャリア濃度を減少させること、つまり電気伝導度を小さくすることが可能である。
不純物を添加する方法としては、酸化物半導体と不純物元素とを共蒸着により行う、成膜された酸化物半導体膜に不純物元素のイオンをイオンドープ法により行う等がある。
上記(1)〜(3)においては、同一酸化物半導体系での電気伝導度の調整方法を述べたが、もちろん酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度を変えることができる。例えば、一般的にSnO2系酸化物半導体は、In2O3系酸化物半導体に比べて電気伝導度が小さいことが知られている。このように酸化物半導体材料を変えることにより、電気伝導度の調整が可能である。
例えば、RFマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。酸素流量が多いほど電気伝導度を小さくすることができる。
なお、成膜の際、電気伝導度を調整する手段としては、上記(1)〜(4)の方法を単独で用いても良いし、組み合わせても良い。
また、膜厚は触針式表面形状測定により求めることができる。組成比は、RBS(ラザフォード後方散乱)分析法により求めることができる。
具体的には、低分子有機半導体としては、ペンタセン、テトラセン、アントラセンに代表されるアセン系化合物、中心金属がCu、Zn、Co、Ni、Pb、Pt、Fe、Mg等の2価もしくは無金属フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属のフタロシアニン、その他バアナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニン等に代表されるフタロシアニン系顔料、インジゴ、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレンもしくはPTCDA、PTCDI、PTCBI.Me−PTCなどのペリレン系顔料、C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、カーボンナノチューブ類、メロシアニン色素などの色素類などを用いることができる。
上記の材料は単体で用いてもよいし、樹脂などのバインダーに分散混合させて用いて用いることができる。
また、有機半導体の導電率を調整するために、ドナー性、もしくはアクセプター性の無機材料、無機化合物、有機化合物などのドーパントをドープしてもよい。
ゲート絶縁膜46は、比誘電率の高い無機化合物や有機化合物を用いることができる。
無機化合物としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化窒化珪素、酸化炭化珪素、窒化炭化珪素、酸化窒化炭化珪素、酸化窒化ゲルマニウム、酸化炭化ゲルマニウム、窒化炭化ゲルマニウム、酸化窒化炭化ゲルマニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化炭化アルミニウム、窒化炭化アルミニウム、酸化窒化炭化アルミニウムやこれらの混合物を用いることができる。
有機化合物としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。また、これらのポリマー微粒子に無機酸化物を被覆した粒子も用いることができる。
また、TFT40の構造にもよるが、ゲート電極44の表面をO2プラズマ処理や陽極酸化法などにより酸化する方法や、N2プラズマを用いて窒化する方法などによりゲート絶縁膜46を形成することもできる。
ゲート絶縁膜46の膜厚としては、30nm〜3μmが好ましく、より好ましくは、50nm〜1μmである。
ゲート電極44、ソース電極50、及びドレイン電極52は、導電性材料であれば特に限定されず、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、これらの金属の合金、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物、ドーピング等で導電率を向上させた無機及び有機半導体(シリコン単結晶、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、グラファイト、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチエニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン等)、これらの材料の複合体等が挙げられる。特にソース領域及びドレイン領域に用いる電極の材料は、上記の材料の中でも活性層48との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
また、光電変換部(受光素子)14の電極13,16も上記のような低温成膜可能な材料により形成すれば、二次受光画素全体をより確実に低温プロセスで形成することができ、可撓性基板2を用いる場合に特に有利となる。
パターニングは、フォトリソグラフィなどによる化学的エッチングにより行ってもよいし、紫外線やレーザーなどによる物理的エッチングにより行ってもよいしマスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法、印刷法、転写法により行ってもよい。これらの成膜法及びパターニング法から、使用する材料、基板2の材質等を考慮して選択すればよい。
ソース電極50及びドレイン電極52の形成も、ゲート電極44と同様の方法を採用することができる。
コンデンサ60は、基板2と下部電極13との間に設けられた絶縁膜54を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極(画素電極)13と電気的に接続されている。これにより、下部電極13で捕集された電荷をコンデンサ60に移動させることができる。
コンデンサ60は、絶縁した一対の電極64,66により構成され、例えば、薄膜トランジスタ40のゲート電極44、ゲート絶縁膜46、及びソース・ドレイン電極50,52を形成するときに、フォトリソグラフィ等によって同時にパターニングして形成することができる。このとき、コンデンサ60の上部電極66がドレイン電極52と電気的に接続するようにパターニングする。
薄膜トランジスタ40及びコンデンサ60を形成した後、保護膜(層間絶縁膜)54を形成する。層間絶縁膜54には、ゲート絶縁膜46と同様の無機化合物及び有機化合物を用いることができる。
例えば、スピンコータ等を用いて基板2上にアクリル系感光性樹脂を塗布し、所定の位置にコンタクトホールが形成されるように露光した後、現像する。これによりコンタクトホールが形成された保護膜(層間絶縁膜)54を形成することができる。
層間絶縁膜54の膜厚としては、50nm〜3μmが好ましく、より好ましくは、100nm〜1μmである。
光電変換部(受光素子)となる下部電極(画素電極)13及び上部電極(対向電極)16は、一方を陽極とし、他方を陰極とする。
各二次受光画素10,20,30の下部電極及び上部電極16,26,36は、入射光が最後に到達する第3の二次受光画素30の上部電極36以外は、透明もしくは半透明である必要があり、400nm〜700nmの可視光の波長域において、少なくとも50パーセント以上、好ましくは70パーセント以上、より好ましくは90%以上の光透過率を有するものが好ましい。
具体的には、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、IZO、AZO、FTO、SnO2、TiO2、ZnO2等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、シリコン化合物およびこれらとITOとの積層物などが挙げられる。高い光透過性が要求される電極材料としては、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、導電性、透明性等の点からITO、IZOが好ましい。
電極13,16の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、光透過率を高めるために可能な限り薄い方がよく、通常3nm以上500nm以下の範囲が好ましく、より好ましくは5nm以上300nm以下であり、更に好ましくは7nm以上100nm以下である。
また、陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
光電変換部14における光電変換層15は、積層された3種類の二次受光画素10,20,30がそれぞれ異なる波長域の光を感知して光電変換するように構成する。
例えば、基板2側から入射した可視光に対し、各二次受光画素10,20,30が、青色光(例えば波長400〜500nm)、緑色光(例えば波長500〜600nm)、又は赤色光(例えば波長600〜700nm)をそれぞれ選択的に吸収して光電変換するように構成する場合、第1の二次受光画素10は青色の光を吸収して光電変換し、緑色及び赤色の光は透過するように構成する。第2の二次受光画素20は緑色の光を吸収して光電変換し、赤色の光は透過するように構成する。なお、青色の波長域の光は第1の二次受光画素10によって吸収され、第2の二次受光画素20には届かないので、第2の二次受光画素20は、緑色光及び青色光を吸収するものであっても構わない。さらに、第3の二次受光画素30は少なくとも赤色の光を吸収して光電変換するようにする。なお、青色及び緑色の光は、既に第1及び第2の二次受光画素10,20によって吸収され、第3の二次受光画素30には届かないので、第3の二次受光画素30は3原色の全ての光を吸収するものであっても構わない。
また、有機無機混合材料又は無機材料によって光電変換層15を形成してもよい。
光電変換層15上に上部電極16を形成した後、封止絶縁膜18,28を形成する。封止絶縁膜18,28は、絶縁性及び光透過性を有する材料により形成する。封止絶縁膜18,28を形成する材料としては、例えば、前記したゲート絶縁膜46又は層間絶縁膜54と同様の材料を用いることができるが、無機化合物がより好ましい。封止絶縁膜を形成する無機化合物としては、例えば、Al2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)または、SiN(窒化ケイ素)またはAlN(窒化アルミニウム)等の無機材料が挙げられる。また、封止絶縁膜18,28は原子層CVD法(ALCVD法)によって形成された無機材料層であることが好ましい。
封止絶縁膜18,28を形成する方法は、前記したゲート絶縁膜46又は層間絶縁膜54の形成と同様の乾式成膜法あるいは湿式成膜法を用いることができ、使用する材料、基板2の材質等を考慮して選択すればよい。
厚さ方向に隣接する二次受光画素は、封止絶縁膜18,28のほか、該封止絶縁膜18,28上に設けられた平坦化層19,29を介して積層されていることが好ましい。例えば、第1の二次受光画素10における薄膜トランジスタ40を形成する際、フォトリソグラフィ等によってパターニングを行うため、凹凸が生じ、封止絶縁膜18の表面にもそれを反映した凹凸が生じる場合がある。このような凹凸が生じた封止絶縁膜18上に次の二次受光画素20の薄膜トランジスタ等を形成すると、形成不良や厚膜化等を招くおそれがある。そのため、第1の二次受光画素10上に封止絶縁膜18を形成した後、次の二次受光画素20を形成する前に、平坦化層19を形成して平坦度を高めれば、次の二次受光画素20の薄膜トランジスタ等の形成不良等を効果的に防ぐことができる。第2の二次受光画素20を形成した後も、同様に封止絶縁膜28及び平坦化層29を順次形成することが好ましい。なお、最上となる第3の二次受光画素30(上部電極36)上に封止絶縁膜38を形成した後は、特に平坦化層を設ける必要はない。
平坦化層19,29を形成する方法としては、乾式成膜法あるいは湿式成膜法を用いることができるが、湿式成膜法が好ましく、具体的には、キャスト法、スピンコート法、ディッピング法、バーコート法、ローラーコート法、スプレーコート法、等が挙げられる。このような方法によれば、封止絶縁膜18,28に凹凸が生じていても、平坦度が高い平坦化層を形成することができる。なお、乾式成膜法としては、種々のCVD法、例えばプラズマアシスト法、IPC−CVD法、Cat−CVD法、原子層CVD法(ALCVD法)などが挙げられる。
なお、封止絶縁膜18,28と平坦化層19,29は同じ材料を用いることもでき、平坦化層19,29を兼ねた封止絶縁膜18,28を形成してもよい。例えばSiN(窒化ケイ素)とSiO(酸化ケイ素)を用いてプラズマCVD法により多層構成で成膜すれば、バリア性と柔軟性が両立して緻密性が高く、透過性も良く、平坦度が高い封止絶縁膜18,28を形成することができる。
また、必要に応じて、受光側とは反対側の面、例えば図2に示したイメージセンサ1では、上部電極38上に遮光膜を設けてもよい。
10 第1の二次受光画素
12 信号出力部
14 光電変換部(受光素子)
16 上部電極
18 封止絶縁膜
19 平坦化層
20 第2の二次受光画素
22 信号出力部
24 光電変換部(受光素子)
26 上部電極
28 封止絶縁膜
29 平坦化層
30 第3の二次受光画素
32 信号出力部
34 光電変換部(受光素子)
36 上部電極
38 封止絶縁膜
40 薄膜トランジスタ(TFT)
44 ゲート電極
46 ゲート絶縁膜
48 活性層(チャネル層)
50 ソース電極
52 ドレイン電極
Claims (12)
- 基板と、該基板の面方向に複数配置された一次受光画素とを有し、
前記一次受光画素は、前記基板の片面において、それぞれ異なる波長域の光を感知する複数の二次受光画素が、厚さ方向に隣接する二次受光画素の間に無機化合物により形成されている封止絶縁膜と、該封止絶縁膜上に設けられた有機化合物により形成されている平坦化層を介して積層して構成されており、
前記複数の二次受光画素は、それぞれ、前記光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部により生じた電荷に基づいて薄膜トランジスタにより信号を出力する信号出力部とを含み、前記薄膜トランジスタが、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記活性層がIn、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物半導体又は有機半導体により形成されていることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記活性層が、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記活性層が、少なくとも第1の領域と該第1の領域より電気伝導度が大きい第2の領域とを有し、前記第2の領域が前記ゲート絶縁膜と接し、前記第1の領域が前記第2の領域と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方に電気的に接続していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記一次受光画素が、赤色、緑色、及び青色の3色にそれぞれ対応した光を受光する3種類の二次受光画素が積層して構成されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
- 前記基板が、可撓性基板であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
- 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載のイメージセンサを含むことを特徴とする密着イメージセンサ。
- 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載のイメージセンサを含むことを特徴とする撮像素子。
- 基板と、該基板の面方向に複数配置された一次受光画素とを有し、該一次受光画素がそれぞれ異なる波長域の光を感知する複数の二次受光画素が積層して構成されているイメージセンサを製造する方法であって、
前記基板の片面において、前記複数の二次受光画素を、厚さ方向に隣接する二次受光画素の間に無機化合物により形成された封止絶縁膜と、該封止絶縁膜上に設けられ、有機化合物により形成された平坦化層を介して順次形成して積層する工程を含み、
前記複数の二次受光画素を形成する際に、それぞれ、前記光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部により生じた電荷に基づいて薄膜トランジスタにより信号を出力する信号出力部とを形成し、かつ、前記薄膜トランジスタが、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記活性層をIn、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物半導体又は有機半導体により形成することを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記活性層を、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物半導体により形成することを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記活性層を、少なくとも第1の領域と該第1の領域より電気伝導度が大きい第2の領域とを有し、前記第2の領域が前記ゲート絶縁膜と接し、前記第1の領域が前記第2の領域と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方に電気的に接続するように形成することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記一次受光画素を構成する前記複数の二次受光画素として、赤色、緑色、及び青色の3色にそれぞれ対応した光を受光する3種類の受光画素を積層することを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれか一項に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記基板として、可撓性基板を用いることを特徴とする請求項8〜請求項11のいずれか一項に記載のイメージセンサの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007238257A JP5171178B2 (ja) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | イメージセンサ及びその製造方法 |
US12/209,000 US7626156B2 (en) | 2007-09-13 | 2008-09-11 | Image sensor having plural pixels adjacent to each other in a thickness direction and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007238257A JP5171178B2 (ja) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | イメージセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009071057A JP2009071057A (ja) | 2009-04-02 |
JP5171178B2 true JP5171178B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=40453439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007238257A Active JP5171178B2 (ja) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | イメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7626156B2 (ja) |
JP (1) | JP5171178B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5136215B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-02-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置 |
JP5484853B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI585955B (zh) | 2008-11-28 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光感測器及顯示裝置 |
US9601530B2 (en) | 2008-12-02 | 2017-03-21 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9721825B2 (en) | 2008-12-02 | 2017-08-01 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof |
US9991311B2 (en) | 2008-12-02 | 2018-06-05 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same |
KR101362025B1 (ko) | 2009-05-29 | 2014-02-13 | 아리조나 보드 오브 리젠츠 퍼 앤 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 | 고온에서 가요성 반도체 장치를 제공하는 방법 및 그 가요성 반도체 장치 |
US20120205615A1 (en) * | 2009-10-29 | 2012-08-16 | Takahiro Seike | Organic photovoltaic cell |
JP5441643B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2014-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 光センサー、光センサーアレイ、光センサーの駆動方法、及び光センサーアレイの駆動方法 |
CN105353551A (zh) * | 2009-12-28 | 2016-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及电子设备 |
KR102471810B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2022-11-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법 |
KR101784676B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
CN105304661B (zh) * | 2010-03-12 | 2018-08-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011111507A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101705251B1 (ko) | 2010-04-02 | 2017-02-10 | 삼성전자주식회사 | 광민감성 소자를 이용한 이미지 센서 및 그 동작 방법 |
WO2012021196A2 (en) | 2010-05-21 | 2012-02-16 | Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University | Method for manufacturing electronic devices and electronic devices thereof |
WO2012021197A2 (en) | 2010-05-21 | 2012-02-16 | Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University | Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof |
EP2434557A3 (en) | 2010-09-27 | 2018-02-21 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion element, solid-state imaging element, imaging apparatus, and method for manufacturing photoelectric conversion element |
US9823339B2 (en) * | 2010-12-21 | 2017-11-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Plural anode time-of-flight sensor |
JP2014513425A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-05-29 | アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ,フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステート・ユニバーシティ | 半導体デバイス用の二重活性層及びその製造方法 |
JP5556823B2 (ja) | 2012-01-13 | 2014-07-23 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置および電子カメラ |
TW201340329A (zh) * | 2012-03-28 | 2013-10-01 | Wintek Corp | 薄膜電晶體及其製作方法 |
WO2013147198A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社ニコン | 撮像装置および撮像素子 |
US8933527B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Elevated photodiodes with crosstalk isolation |
CN104488099B (zh) * | 2012-07-31 | 2017-08-29 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 薄膜叠层 |
CN202796958U (zh) * | 2012-08-03 | 2013-03-13 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种x射线平板传感器及x射线平板探测器 |
JP6368993B2 (ja) * | 2013-07-24 | 2018-08-08 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP6384822B2 (ja) | 2013-11-07 | 2018-09-05 | Tianma Japan株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
WO2015156891A2 (en) | 2014-01-23 | 2015-10-15 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof |
WO2017034645A2 (en) | 2015-06-09 | 2017-03-02 | ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
US10381224B2 (en) | 2014-01-23 | 2019-08-13 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
WO2015175353A1 (en) | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
JP6558243B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2019-08-14 | 東レ株式会社 | 光電変換素子およびイメージセンサ |
WO2016013410A1 (ja) | 2014-07-22 | 2016-01-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP6490399B2 (ja) * | 2014-11-10 | 2019-03-27 | 国立大学法人横浜国立大学 | センサー装置、生体分子視覚化装置 |
US9741742B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-08-22 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device |
US10446582B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-15 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an imaging system and imaging system thereof |
US9911367B2 (en) | 2015-05-12 | 2018-03-06 | Actega North America Technologies, Inc. | Thin film adhesive labels and methods of making thereof |
CN107195791B (zh) * | 2017-05-03 | 2019-01-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN108987420B (zh) | 2017-06-05 | 2023-12-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP7085337B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2022-06-16 | 日本放送協会 | カラー撮像素子 |
JP6693537B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2020-05-13 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
CN111989783B (zh) | 2018-11-19 | 2024-02-13 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及摄像系统 |
CN109725461B (zh) * | 2019-03-01 | 2023-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多层显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61204967A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体カラ−撮像デバイス |
JPS63156353A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Sharp Corp | 原稿読取装置 |
JP3066944B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
TW577176B (en) * | 2003-03-31 | 2004-02-21 | Ind Tech Res Inst | Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof |
JP2005051115A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、光機能素子および光機能素子の製造方法 |
JP4499392B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-07-07 | ソニー株式会社 | 光電変換素子及び撮像素子 |
JP2005268609A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層積層型多画素撮像素子及びテレビカメラ |
JP2006032670A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子及びその製造方法 |
JP2007067075A (ja) | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | カラー撮像素子 |
JP2007170954A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
-
2007
- 2007-09-13 JP JP2007238257A patent/JP5171178B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-11 US US12/209,000 patent/US7626156B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090072122A1 (en) | 2009-03-19 |
US7626156B2 (en) | 2009-12-01 |
JP2009071057A (ja) | 2009-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5171178B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP6834400B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 | |
JP5101387B2 (ja) | カプセル型内視鏡 | |
US20090076322A1 (en) | Capsule endoscope | |
JP4817584B2 (ja) | カラー撮像素子 | |
JP4961111B2 (ja) | 光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法 | |
CN107534050B (zh) | 图像传感器、层叠型摄像装置和摄像模块 | |
WO2016203724A1 (en) | Solid state imaging element and method for manufacturing solid state imaging element, photoelectric conversion element, imaging device, and electronic device | |
WO2016017350A1 (ja) | 光電変換素子および撮像素子 | |
JP6025243B2 (ja) | 光電変換素子及びそれを用いた撮像素子 | |
US20090294761A1 (en) | Organic photoelectric conversion film, and photoelectric conversion device and image sensor each having the organic photoelectric conversion film | |
JP2006270021A (ja) | 積層型光電変換素子 | |
WO2018110050A1 (ja) | 光電変換素子、撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP2015128105A (ja) | 半導体ナノ粒子分散体、光電変換素子および撮像装置 | |
US10608050B2 (en) | Solid-state imaging device to improve photoelectric efficiency | |
JP5492939B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
KR101565931B1 (ko) | 광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서 | |
JP2018195683A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP7264182B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置 | |
JP5352495B2 (ja) | 光電変換素子、光センサ、及び撮像素子の作製方法 | |
JP2007059487A (ja) | 光電変換膜積層型固体撮像素子 | |
JP2006054448A (ja) | 機能素子及びその製造方法 | |
US11777050B2 (en) | Optical sensor | |
JP2009117480A (ja) | 有機光電変換素子、及びこれを用いた光センサ、カラー撮像素子 | |
JP2019016701A (ja) | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5171178 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |