JP2011166123A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011166123A
JP2011166123A JP2011002659A JP2011002659A JP2011166123A JP 2011166123 A JP2011166123 A JP 2011166123A JP 2011002659 A JP2011002659 A JP 2011002659A JP 2011002659 A JP2011002659 A JP 2011002659A JP 2011166123 A JP2011166123 A JP 2011166123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
photodiode
photosensor
gate
photosensors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011002659A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011166123A5 (ja
JP5751839B2 (ja
Inventor
Yoshimoto Kurokawa
義元 黒川
Takayuki Ikeda
隆之 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2011002659A priority Critical patent/JP5751839B2/ja
Publication of JP2011166123A publication Critical patent/JP2011166123A/ja
Publication of JP2011166123A5 publication Critical patent/JP2011166123A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5751839B2 publication Critical patent/JP5751839B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
    • G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/145—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/702—SSIS architectures characterised by non-identical, non-equidistant or non-planar pixel layout
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/145—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light originating from the display screen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】フォトセンサにおいて、入射光を正確に電気信号に変換することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有し、前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能を有し、前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されている。
【選択図】図５

Description

技術分野は、フォトセンサ及びその駆動方法に関する。また、フォトセンサを有する表示装置及びその駆動方法に関する。また、フォトセンサを有する半導体装置及びその駆動方法に関する。
近年、光を検出するセンサ（「フォトセンサ」ともいう）を搭載した表示装置が注目されている。フォトセンサを表示装置に設けることにより、表示画面が入力領域を兼ねる。一例として、画像取り込み機能を備えた表示装置が挙げられる（例えば、特許文献１を参照）。
また、フォトセンサを有する半導体装置として、ＣＣＤ方式のイメージセンサやＣＭＯＳ方式のイメージセンサなどが挙げられる。これらのイメージセンサは、例えば、デジタルスチルカメラや携帯電話などの電子機器に用いられている。
フォトセンサを搭載した表示装置では、まず、表示装置から光を発する。被検出物が存在する領域に入射した光は被検出物によって遮断され、一部の光が反射される。表示装置内の画素に設けられたフォトセンサが、被検出物から反射された光を検出することで、当該領域に被検出物が存在することを認識することができる。
また、フォトセンサを搭載した半導体装置では、被検出物から発せられる光もしくは被検出物で外光などが反射した光を、フォトセンサで直接検出もしくは光学レンズなどを用いて集光した後に検出する。
特開２００１−２９２２７６号公報
被検出物を撮像し画像を取得するためには、フォトセンサにおいて、入射光を電気信号に変換する必要がある。また、電気信号は一般にアナログ信号であるため、Ａ／Ｄ変換回路によってデジタル信号に変換する必要がある。
そこで、フォトセンサにおいて、入射光を正確に電気信号に変換することを目的の一とする。また、それを実現するための新規な回路構成を有するフォトセンサの提供を目的の一とする。
また、高速で移動する被検出物を撮像する場合、画像にブレが生じやすいという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
また、高解像度の撮像を実現するためには、Ａ／Ｄ変換回路の高速動作が要求され、消費電力が増大するという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
また、高解像度のカラー画像を取得するためには、Ａ／Ｄ変換回路の高速動作が要求され、消費電力が増大するという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
また、フォトセンサに入射する光が微弱である場合、正確に電気信号に変換することが難しいという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
本発明の一態様は、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサを備え、フォトダイオードは入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、第１のトランジスタはゲートに供給された電荷を蓄積する機能を有し、第２のトランジスタは第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有している半導体装置である。
また、上記第２のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されていることが好ましい。
また、上記フォトダイオードは、単結晶半導体を用いて形成されていることが好ましい。
また、上記フォトセンサには、第１のトランジスタの出力信号の読み出しを制御する第３のトランジスタが設けられている。
また、本発明の他の一態様は、複数のフォトセンサを有し、当該複数のフォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行い、リセット動作を共通して行い、累積動作を共通して行い、選択動作を順次行う半導体装置である。よって、複数のフォトセンサにおいて、リセット動作は同時に行われ、累積動作は同時に行われ、選択動作は個別に行われる。そして、全てのフォトセンサの選択動作に要する合計の時間は、累積動作に要する時間より、長いことが好ましい。
また、上記リセット動作を行った後に累積動作と選択動作とを複数回繰り返して行う機能を有している。
また、本発明の一態様は、複数のフォトセンサ及び特定の色の光源を有し、当該複数のフォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行い、リセット動作を当該特定の色において共通して行い、累積動作を当該特定の色において共通して行い、選択動作を順次行う。よって、複数のフォトセンサにおいて、リセット動作は同時に行われ、累積動作は同時に行われ、選択動作は個別に行われる半導体装置である。
また、当該特定の色が複数色である場合、複数のフォトセンサは、リセット動作及び累積動作を当該複数色の各々の色において共通して行い、選択動作を順次行う。よって、複数のフォトセンサにおいて、リセット動作は各々の色で同時に行われ、累積動作は各々の色で同時に行われ、選択動作は個別に行われる。
本発明において、リセット動作とはフォトセンサを初期化する動作であり、累積動作とはフォトセンサが入射光に応じた電荷を蓄積する動作であり、選択動作とはフォトセンサが電気信号を出力する（読み出しを行う）動作である。
また、半導体装置とは、半導体の性質を持つ物及びそれを有する物全般を指す。例えば、トランジスタを有する表示装置を単に半導体装置と呼ぶこともある。
フォトセンサの一態様は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有することで、入射光を正確に電気信号に変換することができる。
また、複数のフォトセンサの累積動作を共通して行うため、累積動作を短時間で行うことができ、高速で移動する被検出物に対しても、ブレの少ない画像を取得することができる。
また、累積動作を制御するトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されているため、オフ電流が極めて小さい。そのため、フォトセンサの数が増加し、選択動作に要する時間が長くなっても、入射光を正確に電気信号に変換することができる。したがって、高解像度の撮像が可能となる。また、フォトセンサの数及び色の数が増加し、選択動作に要する合計の時間が長くなっても、入射光を正確に電気信号に変換することができる。したがって、高解像度のカラー画像の取得が可能となる。
また、フォトセンサに入射する光が微弱である場合にも、正確に電気信号に変換することができる。
また、選択動作に要する時間を長くすることができるため、Ａ／Ｄ変換回路の高速動作が必須ではなくなり、消費電力を抑制することができる。
すなわち、Ａ／Ｄ変換回路の消費電力を抑制しつつ、高解像度の撮像を実現することができる。
表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 タイミングチャート。 タイミングチャート。 タイミングチャート。 フォトセンサの一例を示す図。 半導体装置の一例を示す図。 トランジスタの電気特性を示す図。 半導体装置の一例を示す図。 タイミングチャート。 タイミングチャート。 半導体装置の一例を示す図。
以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置について図１〜図３を参照して説明する。
表示装置の構成について、図１を参照して説明する。表示パネル１００は、画素回路１０１、表示素子制御回路１０２及びフォトセンサ制御回路１０３を有する。
画素回路１０１は、行列方向にマトリクス状に配置された複数の画素１０４を有する。各々の画素１０４は、表示素子１０５とフォトセンサ１０６を有する。全ての画素１０４にフォトセンサを設けず、複数の画素毎に設けてもよい。また、画素１０４の外にフォトセンサを設けてもよい。
画素１０４の回路図について、図２を用いて説明する。画素１０４は、トランジスタ２０１、保持容量２０２及び液晶素子２０３を有する表示素子１０５と、受光素子であるフォトダイオード２０４、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、トランジスタ２０７を有するフォトセンサ１０６とを有する。
表示素子１０５において、トランジスタ２０１は、ゲートがゲート信号線２０８に、ソース又はドレインの一方がビデオデータ信号線２１２に、ソース又はドレインの他方が保持容量２０２の一方の電極と液晶素子２０３の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量２０２の他方の電極と液晶素子２０３の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子２０３は、一対の電極と、該一対の電極の間に液晶層を含む素子である。
トランジスタ２０１は、保持容量２０２への電荷の注入もしくは放出を制御する機能を有する。例えば、ゲート信号線２０８に高電位が印加されると、ビデオデータ信号線２１２の電位を保持容量２０２と液晶素子２０３に印加する。保持容量２０２は、液晶素子２０３に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。液晶素子２０３に電圧を印加することで偏光方向が変化することを利用して、液晶素子２０３を透過する光の明暗（階調）を作ることで、画像表示が実現される。液晶素子２０３を透過する光には、光源（バックライト）によって液晶表示装置の裏面から照射される光を用いる。
トランジスタ２０１は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、酸化物半導体を用い、オフ電流が極めて小さいトランジスタとすることで、表示品質を高めることができる。
なお、ここでは、表示素子１０５が液晶素子を有する場合について説明したが、発光素子などの他の素子を有していてもよい。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子であり、具体的には発光ダイオード、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等が挙げられる。
フォトセンサ１０６において、フォトダイオード２０４は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線２１０に、他方の電極がトランジスタ２０７のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ２０５は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線２１３に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ２０６のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ２０６は、ゲートがゲート信号線２１１に、ソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線２１４に電気的に接続されている。トランジスタ２０７は、ゲートがゲート信号線２０９に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ２０５のゲートに電気的に接続されている。
フォトダイオード２０４は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、入射光から生成される電気信号の割合（量子効率）を向上させるために、結晶欠陥の少ない単結晶半導体（例えば単結晶シリコン）を用いることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好ましい。
トランジスタ２０５は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、フォトダイオード２０４から供給される電荷を出力信号に変換する機能を有するため、単結晶半導体を用い、移動度の高いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好ましい。
トランジスタ２０６は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、フォトセンサ出力信号線２１４にトランジスタ２０５の出力信号を供給する機能を有するため、単結晶半導体を用い、移動度の高いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好ましい。
トランジスタ２０７は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、トランジスタ２０５のゲートの電荷を保持する機能を有するため、酸化物半導体を用い、オフ電流が極めて小さいトランジスタとすることが好ましい。このように、トランジスタに要求される機能に応じて、複数種のトランジスタを配置することで、フォトセンサの性能を向上させることができる。
表示素子制御回路１０２は、表示素子１０５を制御するための回路であり、ビデオデータ信号線などの信号線（「ソース信号線」ともいう。）を介して表示素子１０５に信号を入力する表示素子駆動回路１０７と、走査線（「ゲート信号線」ともいう。）を介して表示素子１０５に信号を入力する表示素子駆動回路１０８を有する。例えば、走査線に電気的に接続された表示素子駆動回路１０８は、特定の行に配置された画素が有する表示素子を選択する機能を有する。また、信号線に電気的に接続された表示素子駆動回路１０７は、選択された行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、表示素子駆動回路１０８によりゲート信号線に高電位を印加された表示素子では、トランジスタが導通状態となり、表示素子駆動回路１０７によりビデオデータ信号線に与えられる電位が供給される。
フォトセンサ制御回路１０３は、フォトセンサ１０６を制御するための回路であり、フォトセンサ出力信号線、フォトセンサ基準信号線等の信号線に電気的に接続されたフォトセンサ読み出し回路１０９と、走査線に電気的に接続されたフォトセンサ駆動回路１１０を有する。
フォトセンサ駆動回路１１０は、特定の行に配置された画素が有するフォトセンサ１０６に対して、後述するリセット動作と累積動作と選択動作とを行う機能を有する。
また、フォトセンサ読み出し回路１０９は、選択された行の画素が有するフォトセンサ１０６の出力信号を取り出す機能を有する。なお、フォトセンサ読み出し回路１０９は、アナログ信号であるフォトセンサ１０６の出力を、ＯＰアンプを用いてアナログ信号のまま表示パネル外部に取り出す。もしくは、Ａ／Ｄ変換回路を用いてデジタル信号に変換してから表示パネル外部に取り出す。
フォトセンサ読み出し回路１０９を構成するプリチャージ回路について、図２を用いて説明する。図２において、画素１列分のプリチャージ回路２００は、トランジスタ２１６、プリチャージ信号線２１７から構成される。なお、プリチャージ回路２００の後段に、ＯＰアンプやＡ／Ｄ変換回路を接続して、フォトセンサ読み出し回路１０９を構成することができる。
プリチャージ回路２００では、画素内におけるフォトセンサの動作に先立ち、フォトセンサ出力信号線２１４の電位を基準電位に設定する。図２では、プリチャージ信号線２１７を”Ｌ（Ｌｏｗ）”とし、トランジスタ２１６を導通させることで、フォトセンサ出力信号線２１４の電位を基準電位（ここでは高電位とする）に設定することができる。なお、フォトセンサ出力信号線２１４の電位を安定させるために、フォトセンサ出力信号線２１４に保持容量を設けることも有効である。なお、基準電位は、低電位とする構成も可能である。この場合、トランジスタ２１６は、図２と逆極性とし、プリチャージ信号線２１７を”Ｈ（Ｈｉｇｈ）”とすることで、フォトセンサ出力信号線２１４の電位を基準電位に設定することができる。
次に、フォトセンサ１０６の動作について、図３のタイミングチャートを用いて説明する。図３において、信号３０１〜信号３０６は、図２におけるフォトダイオードリセット信号線２１０、ゲート信号線２０９、ゲート信号線２１１、ゲート信号線２１５、フォトセンサ出力信号線２１４、プリチャージ信号線２１７の電位に相当する。
時刻Ａにおいて、フォトダイオードリセット信号線２１０の電位（信号３０１）を”Ｈ”、ゲート信号線２０９の電位（信号３０２）を”Ｈ”とする（リセット動作開始）と、フォトダイオード２０４が導通し、ゲート信号線２１５の電位（信号３０４）が”Ｈ”となる。また、プリチャージ信号線２１７の電位（信号３０６）を”Ｌ”とすると、フォトセンサ出力信号線２１４の電位（信号３０５）は”Ｈ”にプリチャージされる。
時刻Ｂにおいて、フォトダイオードリセット信号線２１０の電位（信号３０１）を”Ｌ”とし、ゲート信号線２０９の電位（信号３０２）を”Ｈ”のままとする（リセット動作終了、累積動作開始）と、フォトダイオード２０４のオフ電流により、ゲート信号線２１５の電位（信号３０４）が低下し始める。フォトダイオード２０４は、光が入射されるとオフ電流が増大するので、入射光の量に応じてゲート信号線２１５の電位（信号３０４）は変化する。すなわち、フォトダイオード２０４は、入射光に応じてトランジスタ２０５のゲートに電荷を供給する機能を有している。そして、トランジスタ２０５のソースとドレイン間のチャネル抵抗が変化する。
時刻Ｃにおいて、ゲート信号線２０９の電位（信号３０２）を”Ｌ”とする（累積動作終了）と、ゲート信号線２１５の電位（信号３０４）は一定となる。ここで、当該電位は、累積動作中にフォトダイオード２０４がゲート信号線２１５に供給した電荷により決まる。すなわち、フォトダイオード２０４への入射光に応じてトランジスタ２０５のゲートに蓄積される電荷が変化する。また、トランジスタ２０７は、酸化物半導体を用い、オフ電流が極めて小さいトランジスタで構成されているため、後の選択動作を行うまで、蓄積された電荷を一定に保つことが可能である。
時刻Ｄに、ゲート信号線２１１の電位（信号３０３）を”Ｈ”にする（選択動作開始）と、トランジスタ２０６が導通し、フォトセンサ基準信号線２１３とフォトセンサ出力信号線２１４とが、トランジスタ２０５とトランジスタ２０６とを介して導通する。すると、フォトセンサ出力信号線２１４の電位（信号３０５）は、低下していく。なお、時刻Ｄ以前に、プリチャージ信号線２１７の電位（信号３０６）は”Ｈ”とし、フォトセンサ出力信号線２１４のプリチャージを終了しておく。ここで、フォトセンサ出力信号線２１４の電位（信号３０５）が低下する速さは、トランジスタ２０５のソースとドレイン間の電流に依存する。すなわち、累積動作中にフォトダイオード２０４に照射されている光の量に応じて変化する。
時刻Ｅにおいて、ゲート信号線２１１の電位（信号３０３）を”Ｌ”にする（選択動作終了）と、トランジスタ２０６が遮断され、フォトセンサ出力信号線２１４の電位（信号３０５）は、一定値となる。ここで、一定値となる値は、フォトダイオード２０４に照射された光の量に応じて変化する。したがって、フォトセンサ出力信号線２１４の電位を取得することで、累積動作中におけるフォトダイオード２０４への入射光の量を知ることができる。
以上のように、個々のフォトセンサの動作は、リセット動作と累積動作と選択動作とを繰り返すことで実現される。上述したように、累積動作を制御するトランジスタ２０７は、酸化物半導体を用い、オフ電流を極めて小さくすることが好ましい。この回路構成により、トランジスタ２０５のゲートに蓄積された電荷を保持する機能を向上させることができる。そのため、フォトセンサ１０６は、入射光を正確に電気信号に変換することが可能となる。
なお、本実施の形態では、フォトセンサを有する表示装置について説明したが、フォトセンサを有する半導体装置にも容易に応用できる。すなわち、本実施の形態における表示装置から、表示に要する回路、具体的には、表示素子制御回路１０２、表示素子１０５を取り除いて、半導体装置を構成することができる。当該半導体装置としては、例えばイメージセンサが挙げられる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、複数のフォトセンサを用いた場合の駆動方法について説明する。
まず、図４に示すタイミングチャートのような駆動方法を考える。図４において、信号４０１、信号４０２、信号４０３は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるフォトダイオードリセット信号線２１０の電位変化を示す信号である。また、信号４０４、信号４０５、信号４０６は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２０９の電位変化を示す信号である。また、信号４０７、信号４０８、信号４０９は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２１１の電位変化を示す信号である。期間４１０は、１回の撮像に要する期間である。また、期間４１１、期間４１２、期間４１３は、第２行のフォトセンサが、各々リセット動作、累積動作、選択動作を行っている期間である。このように、各行のフォトセンサを順に駆動していくことで、撮像が可能になる。
ここで、各行のフォトセンサにおける累積動作について、時間的なズレが生じていることがわかる。すなわち、各行のフォトセンサにおける撮像の同時性が損なわれる。そのため、撮像画像にブレが生じることになる。特に、第１行から第３行の方向に高速に移動する被検出物に対しては、尾を引くように、拡大されたような形状の撮像画像になり、逆方向に移動する被検出物に対しては、縮小されたような形状の撮像画像になるなど、形状が歪みやすい。
各行のフォトセンサにおける累積動作に時間的なズレを生じさせないためには、各行のフォトセンサを順に駆動する周期を短くすることが有効である。しかしながら、この場合、フォトセンサの出力信号をＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路で非常に高速度で取得する必要がある。したがって、消費電力の増大を招く。特に、高解像度の画像を取得する場合には、非常に困難となる。
そこで、図５に示すタイミングチャートのような駆動方法を提案する。図５において、信号５０１、信号５０２、信号５０３は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるフォトダイオードリセット信号線２１０の電位変化を示す信号である。また、信号５０４、信号５０５、信号５０６は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２０９の電位変化を示す信号である。また、信号５０７、信号５０８、信号５０９は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２１１の電位変化を示す信号である。期間５１０は、１回の撮像に要する期間である。また、期間５１１、期間５１２、期間５１３は、第２行のフォトセンサが、各々リセット動作（他の行でも共通）、累積動作（他の行でも共通）、選択動作を行っている期間である。
図５において、図４と異なるのは、全行のフォトセンサについて、リセット動作と累積動作とが共通の時間に行われ、累積動作終了後に累積動作とは非同期に、各行で順に選択動作を行う点である。累積動作を共通の期間にすることで、各行のフォトセンサにおける撮像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない画像を容易に得ることができる。累積動作を共通にすることで、各フォトセンサのフォトダイオードリセット信号線２１０の駆動回路を共通にすることができる。また、各フォトセンサのゲート信号線２０９の駆動回路も共通にすることができる。このように駆動回路を共通にすることは、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、選択動作を各行で順次行うことで、フォトセンサの出力信号を取得する際に、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作速度を遅くすることが可能である。その際、選択動作に要する合計の時間を、累積動作に要する時間より長くすることが好ましい。特に、高解像度の画像を取得する場合には、非常に有効である。
なお、図５では、各行のフォトセンサを順次駆動する駆動方法について、タイミングチャートを示したが、特定の領域における画像を取得するために、特定の行におけるフォトセンサのみを順次駆動する駆動方法も有効である。これにより、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な画像を取得することができる。また、数行おきにフォトセンサを駆動する駆動方法も有効である。すなわち、複数のフォトセンサの一部を駆動させる。これにより、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な解像度の画像を取得することができる。
以上のような駆動方法を実現するためには、累積動作が終了した後も、各フォトセンサにおけるゲート信号線２１５の電位を一定に保つ必要がある。したがって、図２で説明したように、トランジスタ２０７は、酸化物半導体を用いて形成され、オフ電流が極めて小さいことが好ましい。
以上のような形態とすることで、高速で移動する被検出物に対してもブレが少なく、高解像度の撮像が実現でき、且つ低消費電力の表示装置又は半導体装置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、複数のフォトセンサを用いた場合の駆動方法について、実施の形態２と別の一例を説明する。
まず、図１０に示すタイミングチャートのような駆動方法を考える。図１０において、信号７０１、信号７０２、信号７０３は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるフォトダイオードリセット信号線２１０の電位変化を示す信号である。また、信号７０４、信号７０５、信号７０６は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２０９の電位変化を示す信号である。また、信号７０７、信号７０８、信号７０９は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２１１の電位変化を示す信号である。期間７１０は、１回の撮像に要する期間である。また、期間７１１、期間７１２、期間７１３、期間７１４、期間７１５は、第２行のフォトセンサが、各々リセット動作、第１の累積動作、第１の選択動作、第２の累積動作、第２の選択動作を行っている期間である。ここで、第２の選択動作を行うことで、第１の累積動作の開始時から第２の累積動作の終了時までの期間においてフォトダイオード２０４に入射した光の量を知ることができる。したがって、累積動作及び選択動作を複数回繰り返して行うことで、微弱な光についても、正確に電気信号を変換することができる。このように、各行のフォトセンサを順に駆動していくことで、撮像が可能になる。
さて、図１０に示したタイミングチャートにて、各行のフォトセンサにおける第１の累積動作及び第２の累積動作について、時間的なズレが生じていることがわかる。すなわち、各行のフォトセンサにおける撮像の同時性が損なわれる。そのため、画像にブレが生じることになる。特に、第１行から第３行の方向に高速に移動する被検出物に対しては、尾を引くように、拡大されたような形状の画像になり、逆方向に移動する被検出物に対しては、縮小されたような形状の画像になるなど、形状が歪みやすい。
各行のフォトセンサにおける第１の累積動作及び第２の累積動作に時間的なズレを生じさせないためには、各行のフォトセンサを順に駆動する周期を短くすることが有効である。しかしながら、この場合、フォトセンサの出力信号をＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路で非常に高速度で取得する必要がある。したがって、消費電力の増大を招く。特に、高解像度の画像を取得する場合には、非常に困難となる。
そこで、図１１に示すタイミングチャートのような駆動方法を提案する。図１１において、信号８０１、信号８０２、信号８０３は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるフォトダイオードリセット信号線２１０の電位変化を示す信号である。また、信号８０４、信号８０５、信号８０６は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２０９の電位変化を示す信号である。また、信号８０７、信号８０８、信号８０９は、各々第１行、第２行、第３行のフォトセンサにおけるゲート信号線２１１の電位変化を示す信号である。期間８１０は、１回の撮像に要する期間である。また、期間８１１、期間８１２、期間８１３、期間８１４、期間８１５は、第２行のフォトセンサが、各々リセット動作（他の行でも共通）、第１の累積動作（他の行でも共通）、第１の選択動作、第２の累積動作（他の行でも共通）、第２の選択動作を行っている期間である。
図１１において、図１０と異なるのは、全行のフォトセンサについて、リセット動作と第１の累積動作と第２の累積動作とが共通の時間に行われ、第１の累積動作終了後に第１の累積動作とは非同期に、各行で順に第１の選択動作を行い、第２の累積動作終了後に第２の累積動作とは非同期に、各行で順に第２の選択動作を行う点である。第１の累積動作と第２の累積動作とを各々共通の期間にすることで、各行のフォトセンサにおける撮像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない撮像画像を容易に得ることができる。累積動作を共通にすることで、各フォトセンサのフォトダイオードリセット信号線２１０の駆動回路を共通にすることができる。また、各フォトセンサのゲート信号線２０９の駆動回路も共通にすることができる。このように駆動回路を共通にすることは、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、第１の累積動作とは非同期に第１の選択動作を行い、第２の累積動作とは非同期に第２の選択動作を行うことで、フォトセンサの出力信号を取得するために、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作をより低速に行うことが可能である。その際、選択動作に要する合計の時間を、第１の累積動作の開始時から第２の累積動作の終了時までの時間より長くすることが好ましい。特に、微弱な光しか得られない場合に、高解像度の画像を取得するためには非常に有効である。
なお、図１１では、各行のフォトセンサを順次駆動する駆動方法について、タイミングチャートを示したが、特定の領域における画像を取得するために、特定の行におけるフォトセンサのみを順次駆動する駆動方法も有効である。これにより、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な画像を取得することができる。また、数行おきにフォトセンサを駆動する駆動方法も有効である。すなわち、複数のフォトセンサの一部を駆動させる。これにより、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な解像度の画像を取得することができる。
以上のような駆動方法を実現するためには、累積動作が終了した後も、各フォトセンサにおけるゲート信号線２１５の電位が一定値を保つ必要がある。したがって、図２で説明したように、トランジスタ２０７は、酸化物半導体を用いて形成され、オフ電流が極めて小さいことが好ましい。
なお、本実施の形態では、フォトセンサを有する表示装置について説明したが、フォトセンサを有する半導体装置にも容易に応用できる。すなわち、本実施の形態における表示装置から、表示に要する回路、具体的には、表示素子制御回路１０２、表示素子１０５を取り除いて、半導体装置を構成することができる。
以上のような形態とすることで、高速で移動する被検出物に対してもブレが少なく、微弱な光に対しても高解像度の撮像が実現でき、且つ低消費電力の表示装置又は半導体装置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、複数のフォトセンサを用いてカラーで撮像を行う方式について説明する。
カラーでの撮像は、カラーフィルタを用いる方式、所謂、カラーフィルタ方式がある。これは、被検出物に照射する光もしくは被検出物から反射した光がカラーフィルタを通過して、特定の色（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））の光としてフォトダイオードに入射することで、各色の光の量を知ることができる。各色の光の量から、カラー階調の画像を生成することができる。
しかし、カラーフィルタ方式では、カラーフィルタを通過することで、被検出物に照射する光もしくは被検出物から反射した光の量が著しく低下することになる。そのため、フォトダイオードに入射する光の量を十分に得るためには、より強い光を被検出物に照射する必要がある。これは、表示装置の消費電力の著しい増大をもたらす。また、フォトダイオードの大幅な性能向上が必要になり、製造コストが増大する。
そこで、本実施の形態では、フィールドシーケンシャル方式を用い、光源（バックライト）が特定の色（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））の光を発している際に、被検出物から反射された当該色の光をフォトセンサで検出するために、リセット動作及び累積動作を行う。そして、各色での累積動作が終わった後、全フォトセンサに対して、選択動作を順次行うことで、カラーでの撮像が可能になる。
以上の駆動方法について、図５に示すタイミングチャートを用いて説明する。実施の形態２と異なる点は、各行のフォトセンサが、特定の色（ここでは、赤（Ｒ）とする）を検出することである。すなわち、信号５０１、信号５０２、信号５０３は、赤（Ｒ）の光を検出するフォトセンサにおけるフォトダイオードリセット信号線２１０の電位変化を示す信号である。また、信号５０４、信号５０５、信号５０６は、赤（Ｒ）の光を検出するフォトセンサにおけるゲート信号線２０９の電位変化を示す信号である。また、信号５０７、信号５０８、信号５０９は、赤（Ｒ）の光を検出するフォトセンサにおけるゲート信号線２１１の電位変化を示す信号である。期間５１０は、赤（Ｒ）の光に対する１回の撮像に要する期間である。また、期間５１１、期間５１２、期間５１３は、第２行の赤（Ｒ）を検出するフォトセンサが、各々リセット動作（他の行でも共通）、累積動作（他の行でも共通）、選択動作を行っている期間である。
図５において、全行の赤（Ｒ）を検出するフォトセンサについて、リセット動作と累積動作とが共通の時間に行われ、累積動作終了後に累積動作とは非同期に、各行で順に選択動作を行う点が特徴である。累積動作を共通の期間にすることで、各行の赤（Ｒ）を検出するフォトセンサにおける撮像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない画像を容易に得ることができる。累積動作を共通にすることで、各フォトセンサのフォトダイオードリセット信号線２１０の駆動回路を共通にすることができる。また、各フォトセンサのゲート信号線２０９の駆動回路も共通にすることができる。このように駆動回路を共通にすることは、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、選択動作を各行で順次行うことで、フォトセンサの出力信号を取得する際に、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作速度を遅くすることが可能である。その際、選択動作に要する合計の時間を、累積動作に要する合計の時間のより長くすることが好ましい。特に、高解像度の画像を取得する場合には、非常に有効である。
以上の駆動方法を、他の特定の色（例えば、緑（Ｇ）、青（Ｂ））に対しても行うことで、複数色のカラーでの撮像を行うことができる。複数色の場合は累積動作に要する合計の時間が長くなるため、上記のように累積動作を共通して行う構成とすることで、撮像に要する時間を短縮することができる。なお、各動作を行う色の順番は限定されない。
なお、図５では、各行の特定の色（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））を検出するフォトセンサを順次駆動する駆動方法について、タイミングチャートを示したが、特定の領域における画像を取得するために、特定の行におけるフォトセンサのみを順次駆動する駆動方法も有効である。これにより、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な画像を取得することができる。また、数行おきに間引いてフォトセンサを駆動する駆動方法も有効である。これにより、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な解像度の画像を取得することができる。
なお、以上のような駆動方法を実現するためには、累積動作が終了した後も、各フォトセンサにおけるゲート信号線２１５の電位が一定値を保つ必要がある。したがって、図２で説明したように、トランジスタ２０７は、酸化物半導体を用いて形成され、オフ電流が極めて小さいことが望ましい。
また、図５に示した駆動方法について、各行の特定の色（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））を検出するフォトセンサについて、リセット動作と累積動作を全色に対して行った後、選択動作を行う構成も可能である。例えば、赤（Ｒ）のリセット動作と累積動作、緑（Ｇ）のリセット動作と累積動作、青（Ｂ）のリセット動作と累積動作、赤（Ｒ）の選択動作、緑（Ｇ）の選択動作、青（Ｂ）の選択動作、で１回の撮像を行う。各動作を行う色の順番は限定されない。
全色に対する累積動作を短期間にすることで、全色を検出するフォトセンサにおける撮像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない画像を容易に取得することができる。また、各色を検出するフォトセンサのフォトダイオードリセット信号線２１０とゲート信号線２０９とを駆動する駆動回路を各々共通にすることもできるので、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、累積動作とは非同期に選択動作を行うことで、フォトセンサの出力信号を取得するために、ＯＰアンプもしくはＡ／Ｄ変換回路の動作をより低速に行うことが可能である。特に、高解像度のカラー画像を取得する場合には、非常に有効である。
本実施の形態では、フォトセンサを有する表示装置について説明したが、フォトセンサを有する半導体装置にも応用できる。バックライトは、デジタルスチルカメラや携帯電話などの半導体装置で撮像を行う場合には、フラッシュライトなどの撮像補助光源に相当する。
以上のような形態とすることで、高速で移動する被検出物に対してもブレが少なく、高解像度でカラー画像を取得でき、且つ低消費電力の表示装置もしくは半導体装置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、図２におけるフォトセンサ１０６の回路構成の変形例について説明する。
図６（Ａ）は、図２においてトランジスタ２０５のゲートに、フォトセンサのリセット動作を制御するためのトランジスタ６０１を接続した構成を示している。具体的には、トランジスタ６０１のソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線２１３に電気的に接続され、他方がトランジスタ２０５のゲートに電気的に接続されている。また、フォトダイオード２０４の一方の電極は所定の電位（例えばグランド電位）を供給する配線に電気的に接続されている。
トランジスタ６０１は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、リセット動作終了後にトランジスタ２０５のゲートの電荷がトランジスタ６０１から放出することを防止するため、酸化物半導体を用い、オフ電流の小さいトランジスタとすることが望ましい。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）においてトランジスタ２０５とトランジスタ２０６との接続関係を逆にした構成を示している。具体的には、トランジスタ２０５のソース又はドレインの一方がフォトセンサ出力信号線２１４に電気的に接続され、トランジスタ２０６のソース又はドレインの一方が、フォトセンサ基準信号線２１３に電気的に接続されている。
図６（Ｃ）は、図６（Ａ）においてトランジスタ２０６を省略した構成を示す。具体的には、トランジスタ２０５のソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線２１３に電気的に接続され、他方がフォトセンサ出力信号線２１４に電気的に接続されている。
なお、図６（Ａ）〜（Ｃ）において、トランジスタ６０１のソース又はドレインの一方は、フォトセンサ基準信号線２１３とは異なる配線に電気的に接続されていてもよい。
図６（Ｄ）は、図６（Ｃ）においてトランジスタ６０１のソース又はドレインの一方がフォトセンサ出力信号線２１４に電気的に接続され、他方がトランジスタ２０５のゲートに電気的に接続されている。
図６（Ａ）〜（Ｄ）において、トランジスタ２０７に酸化物半導体を用いることで、オフ電流が低減できるため、トランジスタ２０５のゲートに蓄積した電荷を一定に保つことが可能となる。
図６において、フォトセンサの回路構成に応じて、フォトダイオード２０４の二つの電極の接続先を逆にしてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、フォトセンサを有する半導体装置の構造及び作製方法について説明する。図７に半導体装置の断面図を示す。なお、表示装置を構成する場合も、以下の半導体装置を用いることができる。
図７では、絶縁表面を有する基板１００１上に、フォトダイオード１００２、トランジスタ１００３、及びトランジスタ１００４が設けられている。それぞれ、図２及び図６における、フォトダイオード２０４、トランジスタ２０５、及びトランジスタ２０７の断面図を示している。被検出物１２０１から発せられる光１２０２、被検出物１２０１で外光が反射した光１２０２、又は装置内部から発せられた光が被検出物１２０１で反射した光１２０２が、フォトダイオード１００２に入射される。基板１００１側の被検出物を撮像する構成としてもよい。
基板１００１は、絶縁性基板（例えばガラス基板又はプラスチック基板）、該絶縁性基板上に絶縁膜（例えば酸化珪素膜又は窒化珪素膜）を形成したもの、半導体基板（例えばシリコン基板）上に該絶縁膜を形成したもの、又は金属基板（例えばアルミニウム基板）上に該絶縁膜を形成したものを用いることができる。
フォトダイオード１００２は、横型接合タイプのｐｉｎダイオードであり、半導体膜１００５を有している。半導体膜１００５は、ｐ型の導電性を有する領域（ｐ層１０２１）と、ｉ型の導電性を有する領域（ｉ層１０２２）と、ｎ型の導電性を有する領域（ｎ層１０２３）とを有している。なお、フォトダイオード１００２は、ｐｎダイオードであっても良い。
横型接合タイプのｐｉｎダイオード又はｐｎダイオードは、ｐ型を付与する不純物と、ｎ型を付与する不純物とを、それぞれ半導体膜１００５の特定の領域に添加することで、形成することが出来る。
フォトダイオード１００２は、入射光から生成される電気信号の割合（量子効率）を向上させるために、結晶欠陥の少ない単結晶半導体（例えば単結晶シリコン）を用いて半導体膜１００５を形成することが好ましい。
トランジスタ１００３は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、半導体膜１００６、ゲート絶縁膜１００７、及びゲート電極１００８を有している。
トランジスタ１００３は、フォトダイオード１００２から供給される電荷を出力信号に変換する機能を有する。そのため、単結晶半導体（例えば単結晶シリコン）を用いて半導体膜１００６を形成し、移動度の高いトランジスタとすることが好ましい。
半導体膜１００５及び半導体膜１００６を、単結晶半導体を用いて形成する例を示す。単結晶半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）の所望の深さに、イオン照射等を行い損傷領域を形成する。当該単結晶半導体基板と基板１００１とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、損傷領域から単結晶半導体基板を分離して、基板１００１上に半導体膜を形成する。当該半導体膜をエッチングなどにより所望の形状に加工（パターニング）することで、半導体膜１００５及び半導体膜１００６を形成する。半導体膜１００５と半導体膜１００６を同一工程で形成することができるため、コストを低減できる。これにより、フォトダイオード１００２とトランジスタ１００３とは同一表面上に形成されることになる。
なお、半導体膜１００５及び半導体膜１００６は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体などを用いて形成することもできる。特に、単結晶半導体を用いることで移動度の高いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好ましい。
ここで、フォトダイオード１００２の量子効率を向上させるため、半導体膜１００５を厚く形成することが好ましい。更に、トランジスタ１００３のＳ値等の電気特性を良好にするため、半導体膜１００６を薄く形成することが好ましい。この場合、半導体膜１００５は、半導体膜１００６より厚く形成すればよい。
また、図２及び図６におけるトランジスタ２０６についても、結晶性半導体を用い、移動度が高いトランジスタとすることが望ましい。トランジスタ１００３と同じ半導体材料を用いることで、トランジスタ１００３と同一工程で形成することができ、コストを低減できる。
なお、ゲート絶縁膜１００７は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成する。プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法を用いて形成すればよい。
なお、ゲート電極１００８は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて形成すればよい。
また、フォトダイオード１００２は、横型接合タイプとせずに、ｐ層、ｉ層、及びｎ層を積層させた構造を採用することもできる。また、トランジスタ１００３は、ボトムゲート型としてもよく、チャネルストップ構造又はチャネルエッチ構造とすることもできる。
なお、図９のように、フォトダイオード１００２の下部に遮光膜１３０１を設け、検出すべき光以外を遮る構成としてもよい。フォトダイオード１００２の上部に遮光膜を設けてもよい。その場合、例えば、フォトダイオード１００２が形成された基板１００１と対向する基板１３０２に遮光膜を設ければよい。
ここで、実施の形態４で示したフィールドシーケンシャル方式での駆動を行う場合について説明する。図１２に示すように、ライト１１０１（バックライト又はフラッシュライト）が特定の色（例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））の光１１０２を順次発する。光１１０２は被検出物１２０１に照射され、被検出物１２０１で反射される。反射された光１１０４は、フォトダイオード１００２に入射される。フォトダイオード１００２を有するフォトセンサは、光１１０４を検出するために、リセット動作及び累積動作を行う。そして、各色での累積動作が終わった後、全フォトセンサに対して、選択動作を順次行うことで、カラーでの撮像が可能になる。
なお、図１２においても、フォトダイオード１００２の下部に遮光膜１３０１を設け、ライト１１０１からの光１１０２がフォトダイオード１００２に直接入射されないような構造にしてもよい。
図１２では、フォトダイオード１００２が設けられた基板１００１に対向する基板１３０２側の被検出物１２０１を撮像する構成を示したが、フォトダイオード１００２が設けられた基板１００１側の被検出物を撮像する構成としてもよい。その場合は、例えば、ライト１１０１を基板１３０２側に設け、遮光膜１３０１をフォトダイオード１００２の上部に設ける構造とすればよい。
そして、図７において、トランジスタ１００４は、ボトムゲート型の逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、ゲート電極１０１０、ゲート絶縁膜１０１１、半導体膜１０１２、電極１０１３、電極１０１４を有する。また、トランジスタ１００４上に絶縁膜１０１５を有する。なお、トランジスタ１００４は、トップゲート型としてもよい。
ここでトランジスタ１００４は、フォトダイオード１００２及びトランジスタ１００３の上方に絶縁膜１００９を介して形成されていることを特徴とする。このようにトランジスタ１００４をフォトダイオード１００２と異なる層に形成することで、フォトダイオード１００２の面積を拡大することが可能となり、フォトダイオード１００２の受光量を大きくすることができる。
また、トランジスタ１００４の一部又は全部が、フォトダイオード１００２のｎ層１０２３又はｐ層１０２１のいずれかと重なるように形成することが好ましい。フォトダイオード１００２の面積を拡大できるとともに、トランジスタ１００４とｉ層１０２２との重なりを極力小さくすることで効率よく受光を行うことができるからである。ｐｎダイオードの場合も、トランジスタ１００４とｐｎ接合部との重なりを小さくすることで効率よく受光を行うことができる。
トランジスタ１００４は、フォトダイオード１００２の出力信号をトランジスタ１００３のゲートに電荷として累積し、また、当該電荷を保持する機能を有する。そのため酸化物半導体を用いて半導体膜１０１２を形成し、オフ電流が極めて小さいトランジスタとすることが好ましい。
また、図６におけるトランジスタ６０１についても、酸化物半導体を用いて形成し、オフ電流の極めて小さいトランジスタとすることが望ましい。トランジスタ１００４と同じ半導体材料を用いることで、トランジスタ１００４と同一工程で形成することができ、コストを低減できる。なお、上記の各半導体素子について、薄膜半導体を用いても、バルク半導体を用いてもよい。
以下に、半導体膜１０１２を、酸化物半導体を用いて形成する例を示す。
トランジスタのオフ電流を大きくする要因として、酸化物半導体中に水素等の不純物（例えば水素、水、又は水酸基）が含まれていることが挙げられる。水素等は、酸化物半導体中でキャリアの供与体（ドナー）になる可能性があり、オフ状態においても電流を発生させる要因となる。すなわち、酸化物半導体中に水素等が多量に含まれていると、酸化物半導体がＮ型化されてしまう。
そこで、以下で示す作製方法は、酸化物半導体中の水素を極力低減し、且つ、構成元素である酸素の濃度を高くすることで、酸化物半導体を高純度化するものである。高純度化された酸化物半導体は、真性又は実質的に真性な半導体であり、オフ電流を小さくすることができる。
まず、絶縁膜１００９上に、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する。なお、図７はボトムゲート型であるので、絶縁膜１００９上にゲート電極１０１０及びゲート絶縁膜１０１１を介して当該酸化物半導体膜を形成する。トップゲート型の場合は、当該酸化物半導体膜を形成した後、ゲート絶縁膜１０１１及びゲート電極１０１０を形成すればよい。
酸化物半導体膜のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。例えば、組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１、すなわち、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５のターゲットを用いることができる。また、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、又はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２の組成比を有するターゲットを用いることもできる。また、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いることもできる。
なお、酸化物半導体膜の成膜の際は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度がｐｐｍレベル、好ましくはｐｐｂレベルまで除去された高純度ガスを用いる。
酸化物半導体膜は、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入して成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。
酸化物半導体膜の膜厚は、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすればよく、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。そして、酸化物半導体膜にエッチング等を行い、所望の形状に加工（パターニング）して半導体膜１０１２とする。
以上では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いる例を示したが、その他にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、又はＺｎ−Ｏなどを用いることができる。また、上記酸化物半導体膜はＳｉを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体膜は、非晶質であってもよいし、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であってもよい。
また、酸化物半導体膜として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ自然数でない）で表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素である。例えば、Ｍとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、またはＧａ及びＣｏが挙げられる。
次に、酸化物半導体膜（半導体膜１０１２）に第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。
第１の加熱処理によって酸化物半導体膜（半導体膜１０１２）から水素、水、及び水酸基等の除去（脱水素化処理）を行うことができる。これらが酸化物半導体膜に含まれると、ドナーとなりトランジスタのオフ電流を増大させるため、第１の加熱処理による脱水素化処理は極めて有効である。
なお、第１の加熱処理は、電気炉を用いることができる。また、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって加熱してもよい。その場合、例えばＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。
ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。
ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体としては、不活性ガス（代表的には、アルゴン等の希ガス）または窒素ガスを用いることができる。ＧＲＴＡ装置を用いることで、短時間で高温の加熱処理が可能となるため、特に有効である。
また、第１の加熱処理は、パターニングを行う前に行ってもよいし、電極１０１３及び電極１０１４を形成した後行ってもよいし、絶縁膜１０１５を形成した後に行ってもよい。ただ、電極１０１３及び電極１０１４が第１の加熱処理によってダメージを受けることを避けるため、当該電極を形成する前に行うことが好ましい。
ここで、第１の加熱処理において、酸化物半導体に酸素欠損が生じてしまうおそれがある。そのため、第１の加熱処理の後に、酸化物半導体に酸素の導入（加酸化処理）を行い、構成元素である酸素の高純度化を行うことが好ましい。
加酸化処理の具体例としては、第１の加熱処理の後連続して、窒素又は酸素を含む雰囲気（たとえば、窒素：酸素の体積比＝４：１）中、又は酸素雰囲気中において、第２の加熱処理を行う方法が挙げられる。また、酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行う方法を用いることもできる。酸化物半導体膜中の酸素濃度を向上させ、高純度化することができる。第２の加熱処理の温度は、２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とする。
また、加酸化処理の別の例としては、半導体膜１０１２上に接して酸化珪素膜等の酸化絶縁膜（絶縁膜１０１５）を形成し、第３の加熱処理を行う。この絶縁膜１０１５中の酸素が半導体膜１０１２に移動し、酸化物半導体の酸素濃度を向上させ、高純度化することができる。第３の加熱処理の温度は、２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とする。なお、トップゲート型とした場合においても、半導体膜１０１２上部に接するゲート絶縁膜を、酸化珪素膜等で形成し、同様の加熱処理を行うことで、酸化物半導体を高純度化することができる。
以上のように、第１の加熱処理により脱水素化処理を行った後、第２の加熱処理又は第３の加熱処理により加酸化処理を行うことで、酸化物半導体膜を高純度化することが可能である。高純度化することで、酸化物半導体を真性又は実質的に真性とすることができ、トランジスタ１００４のオフ電流を低減することができる。
なお、絶縁膜１００９は、フォトダイオード１００２及びトランジスタ１００３上に、酸化珪素膜、窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成する。プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法を用いて形成すればよい。ポリイミド等の樹脂膜を塗布法等により形成してもよい。
また、ゲート電極１０１０は、絶縁膜１００９上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて形成すればよい。
また、ゲート絶縁膜１０１１は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成する。プラズマＣＶＤ又はスパッタリング法を用いて形成すればよい。
また、電極１０１３及び電極１０１４は、ゲート絶縁膜１０１１及び半導体膜１０１２上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、イットリウムなどの金属、これらを主成分とする合金材料、又は酸化インジウム等の導電性を有する金属酸化物等を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて形成すればよい。ここで、電極１０１３は、ゲート絶縁膜１００７、絶縁膜１００９、ゲート絶縁膜１０１１に形成されたコンタクトホールを介して、フォトダイオード１００２のｎ層１０２３と電気的に接続されることが好ましい。
以下に、高純度化された酸化物半導体、及びそれを用いたトランジスタについて、詳細に説明する。
高純度化された酸化物半導体の一例としては、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、または６．０×１０１０／ｃｍ３未満である酸化物半導体が挙げられる。
高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタは、シリコンを用いた半導体を有するトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。
トランジスタのオフ電流特性について、評価用素子（ＴＥＧとも呼ぶ）を用いて測定した結果を以下に示す。なお、ここでは、ｎチャネル型のトランジスタであるものとして説明する。
ＴＥＧには、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ（膜厚ｄ：３０ｎｍ）のトランジスタを２００個並列に接続して作製されたＬ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍのトランジスタを設けた。その初期特性を図８に示す。ここでは、ＶＧを−２０Ｖ〜＋５Ｖまでの範囲で示している。トランジスタの初期特性を測定するため、基板温度を室温とし、ソース−ドレイン間電圧（以下、ドレイン電圧またはＶＤという）を１０Ｖとし、ソース−ゲート間電圧（以下、ゲート電圧またはＶＧという）を−２０Ｖ〜＋２０Ｖまで変化させたときのソース−ドレイン電流（以下、ドレイン電流またはＩＤという）の変化特性、すなわちＶＧ−ＩＤ特性を測定した。
図８に示すように、チャネル幅Ｗが１００００μｍのトランジスタは、ＶＤが１Ｖ及び１０Ｖのいずれにおいても、オフ電流は１×１０−１３Ａ以下となっており、測定機（半導体パラメータ・アナライザ、Ａｇｉｌｅｎｔ ４１５６Ｃ；Ａｇｉｌｅｎｔ社製）の分解能（１００ｆＡ）以下となっている。このオフ電流値は、チャネル幅１μｍに換算すると、１０ａＡ／μｍに相当する。
なお、本明細書においてオフ電流（リーク電流ともいう）とは、ｎチャネル型のトランジスタでしきい値Ｖｔｈが正である場合、室温において−２０Ｖ以上−５Ｖ以下の範囲の任意のゲート電圧を印加したときにトランジスタのソース−ドレイン間を流れる電流のことを指す。なお、室温は、１５度以上２５度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導体を用いたトランジスタは、室温において、単位チャネル幅（Ｗ）あたりの電流値が１００ａＡ／μｍ以下、好ましくは１ａＡ／μｍ以下、さらに好ましくは１０ｚＡ／μｍ以下である。
また、高純度の酸化物半導体を用いたトランジスタは温度特性が良好である。代表的には、−２５℃から１５０℃までの温度範囲におけるトランジスタの電流電圧特性において、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、Ｓ値、及びしきい値電圧の変動がほとんどなく、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
１００ 表示パネル
１０１ 画素回路
１０２ 表示素子制御回路
１０３ フォトセンサ制御回路
１０４ 画素
１０５ 表示素子
１０６ フォトセンサ
１０７ 表示素子駆動回路
１０８ 表示素子駆動回路
１０９ フォトセンサ読み出し回路
１１０ フォトセンサ駆動回路
２００ プリチャージ回路
２０１ トランジスタ
２０２ 保持容量
２０３ 液晶素子
２０４ フォトダイオード
２０５ トランジスタ
２０６ トランジスタ
２０７ トランジスタ
２０８ ゲート信号線
２０９ ゲート信号線
２１０ リセット信号線
２１１ ゲート信号線
２１２ ビデオデータ信号線
２１３ フォトセンサ基準信号線
２１４ フォトセンサ出力信号線
２１５ ゲート信号線
２１６ トランジスタ
２１７ プリチャージ信号線
３０１〜３０６ 信号
４０１〜４０９ 信号
４１０〜４１３ 期間
５０１〜５０９ 信号
５１０〜５１３ 期間
６０１ トランジスタ
７０１〜７０９ 信号
７１０〜７１５ 期間
８０１〜８０９ 信号
８１０〜８１５ 期間
１００１ 基板
１００２ フォトダイオード
１００３ トランジスタ
１００４ トランジスタ
１００５ 半導体膜
１００６ 半導体膜
１００７ ゲート絶縁膜
１００８ ゲート電極
１００９ 絶縁膜
１０１０ ゲート電極
１０１１ ゲート絶縁膜
１０１２ 半導体膜
１０１３ 電極
１０１４ 電極
１０１５ 絶縁膜
１１０１ ライト
１１０２ 光
１１０４ 光
１０２１ ｐ層
１０２２ ｉ層
１０２３ ｎ層
１２０１ 被検出物
１２０２ 光
１３０１ 遮光膜
１３０２ 基板

Claims (9)

  1. フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサを備え、
    前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
    前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能を有し、
    前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、
    前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. フォトダイオード、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び第３のトランジスタを有するフォトセンサを備え、
    前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
    前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、前記蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有し、
    前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに前記蓄積された電荷を保持する機能を有し、
    前記第３のトランジスタは、前記出力信号の読み出しを制御する機能を有し、
    前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記フォトダイオードと前記第１のトランジスタとは同一表面上に形成されており、
    前記第２のトランジスタは、前記フォトダイオード及び前記第１のトランジスタ上に絶縁膜を介して形成されており、
    前記第２のトランジスタの一部又は全部は、前記フォトダイオードのｐ層又はｎ層と重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記フォトセンサを複数有し、
    前記複数のフォトセンサはリセット動作、累積動作、及び選択動作を行い、
    前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行い、前記累積動作を共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項４において、
    前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作に要する時間より長いことを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項４において、
    前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を行った後、前記累積動作と前記選択動作とを複数回繰り返して行うことを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項６において、
    前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作の開始時から前記累積動作の終了時までの時間より長いことを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項４において、
    特定の色の光源を有し、
    前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を前記特定の色において共通して行い、前記累積動作を前記特定の色において共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項４において、
    複数色の光源を有し、
    前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を前記複数色の各々の色において共通して行い、前記累積動作を前記複数色の各々の色において共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。
JP2011002659A 2010-01-15 2011-01-11 半導体装置 Expired - Fee Related JP5751839B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011002659A JP5751839B2 (ja) 2010-01-15 2011-01-11 半導体装置

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010006444 2010-01-15
JP2010006444 2010-01-15
JP2010006445 2010-01-15
JP2010006449 2010-01-15
JP2010006445 2010-01-15
JP2010006449 2010-01-15
JP2011002659A JP5751839B2 (ja) 2010-01-15 2011-01-11 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015101710A Division JP2015179864A (ja) 2010-01-15 2015-05-19 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011166123A true JP2011166123A (ja) 2011-08-25
JP2011166123A5 JP2011166123A5 (ja) 2014-02-20
JP5751839B2 JP5751839B2 (ja) 2015-07-22

Family

ID=44277364

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011002659A Expired - Fee Related JP5751839B2 (ja) 2010-01-15 2011-01-11 半導体装置
JP2015101710A Withdrawn JP2015179864A (ja) 2010-01-15 2015-05-19 半導体装置
JP2017149568A Expired - Fee Related JP6538775B2 (ja) 2010-01-15 2017-08-02 半導体装置の作製方法
JP2019106019A Expired - Fee Related JP6718543B2 (ja) 2010-01-15 2019-06-06 半導体装置
JP2020102062A Withdrawn JP2020161831A (ja) 2010-01-15 2020-06-12 半導体装置
JP2021062814A Withdrawn JP2021106287A (ja) 2010-01-15 2021-04-01 半導体装置及びその作製方法

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015101710A Withdrawn JP2015179864A (ja) 2010-01-15 2015-05-19 半導体装置
JP2017149568A Expired - Fee Related JP6538775B2 (ja) 2010-01-15 2017-08-02 半導体装置の作製方法
JP2019106019A Expired - Fee Related JP6718543B2 (ja) 2010-01-15 2019-06-06 半導体装置
JP2020102062A Withdrawn JP2020161831A (ja) 2010-01-15 2020-06-12 半導体装置
JP2021062814A Withdrawn JP2021106287A (ja) 2010-01-15 2021-04-01 半導体装置及びその作製方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US9575381B2 (ja)
EP (1) EP2524395A4 (ja)
JP (6) JP5751839B2 (ja)
KR (4) KR102471810B1 (ja)
CN (1) CN102696109B (ja)
SG (1) SG10201500220TA (ja)
TW (1) TWI517706B (ja)
WO (1) WO2011086848A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013224931A (ja) * 2012-03-21 2013-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 距離測定装置、距離測定システム
JP2017055401A (ja) * 2015-09-07 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置およびその動作方法、モジュールならびに電子機器
JP2017191956A (ja) * 2010-01-15 2017-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2018043472A1 (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JPWO2020031018A1 (ja) * 2018-08-09 2020-02-13

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011099336A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011099343A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011102183A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8803063B2 (en) * 2010-02-19 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector circuit
CN104979369B (zh) * 2010-03-08 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
CN105304661B (zh) 2010-03-12 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
DE112011100886T5 (de) * 2010-03-12 2012-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung
JP5766519B2 (ja) 2010-06-16 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5925475B2 (ja) 2010-12-09 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出回路
JP5774974B2 (ja) 2010-12-22 2015-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) * 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
JP5965338B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
US8872120B2 (en) * 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
KR102081186B1 (ko) * 2012-11-05 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 엑스선 검출 장치 및 엑스선 검출 패널의 구동 방법
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
JP2015029013A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器、および撮像素子の製造方法
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US20160013243A1 (en) * 2014-03-10 2016-01-14 Dpix, Llc Photosensor arrays for detection of radiation and process for the preparation thereof
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
KR20220100106A (ko) 2014-06-09 2022-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US9881954B2 (en) 2014-06-11 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TW202243228A (zh) 2014-06-27 2022-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置及電子裝置
JP2016029795A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、撮像装置及び電子機器
JP6552336B2 (ja) 2014-08-29 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016092413A (ja) 2014-10-29 2016-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
KR20160117817A (ko) * 2015-03-31 2016-10-11 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 표시 장치
JP6777421B2 (ja) 2015-05-04 2020-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI738569B (zh) 2015-07-07 2021-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及其運作方法
US10896923B2 (en) 2015-09-18 2021-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of operating an imaging device with global shutter system
US10109667B2 (en) 2015-10-09 2018-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, module, and electronic device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10347681B2 (en) 2016-02-19 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US11217635B2 (en) 2017-04-28 2022-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging display device and electronic device
JPWO2019130934A1 (ja) * 2017-12-28 2021-01-21 コネクテックジャパン株式会社 指紋センサおよび表示装置
CN108922940B (zh) * 2018-07-17 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 光学检测像素单元、电路、光学检测方法和显示装置
US11789568B2 (en) 2018-12-28 2023-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN111508986A (zh) * 2020-04-29 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 一种传感器及其制作方法以及光电转换装置
CN111508987A (zh) * 2020-04-29 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 一种传感器及其制作方法以及光电转换装置
US11735126B1 (en) * 2020-08-13 2023-08-22 Apple Inc. Electronic devices with color sampling sensors

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001292276A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置
JP2004140149A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Sony Corp 固体撮像素子及びその制御方法
JP2004159155A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Rohm Co Ltd エリアイメージセンサ
JP2009535819A (ja) * 2006-08-31 2009-10-01 マイクロン テクノロジー， インク． 高性能画像センサのための透明チャネル薄膜トランジスタベースのピクセル
JP2011119950A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Panasonic Corp 固体撮像装置および駆動方法

Family Cites Families (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2527385B1 (fr) * 1982-04-13 1987-05-22 Suwa Seikosha Kk Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5880777A (en) * 1996-04-15 1999-03-09 Massachusetts Institute Of Technology Low-light-level imaging and image processing
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
US6747638B2 (en) * 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
KR100771258B1 (ko) * 2000-05-09 2007-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 본인 인증 시스템과 본인 인증 방법 및 휴대 전화 장치
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP4396023B2 (ja) * 2000-11-09 2010-01-13 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3899236B2 (ja) * 2001-02-16 2007-03-28 シャープ株式会社 イメージセンサの製造方法
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US6960757B2 (en) * 2001-06-18 2005-11-01 Foveon, Inc. Simplified wiring schemes for vertical color filter pixel sensors
JP4831892B2 (ja) * 2001-07-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
CN100388764C (zh) 2002-11-07 2008-05-14 罗姆股份有限公司 平面图像传感器
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7115923B2 (en) * 2003-08-22 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Imaging with gate controlled charge storage
JP2005110896A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Canon Inc 指センサ
JP2005129840A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Seiko Epson Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US7075150B2 (en) * 2003-12-02 2006-07-11 International Business Machines Corporation Ultra-thin Si channel MOSFET using a self-aligned oxygen implant and damascene technique
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7427776B2 (en) * 2004-10-07 2008-09-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin-film transistor and methods
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
AU2005302963B2 (en) 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CA2708335A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
WO2006051995A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
JP4325557B2 (ja) * 2005-01-04 2009-09-02 ソニー株式会社 撮像装置および撮像方法
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006234849A (ja) 2005-02-21 2006-09-07 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置及び該液晶表示装置に用いられる駆動方法
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
JP2006286848A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
FR2888989B1 (fr) * 2005-07-21 2008-06-06 St Microelectronics Sa Capteur d'images
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
US20070054467A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Amberwave Systems Corporation Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5128792B2 (ja) * 2006-08-31 2013-01-23 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP4973115B2 (ja) * 2006-10-16 2012-07-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
KR101416876B1 (ko) * 2006-11-17 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP5105842B2 (ja) 2006-12-05 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
US8058675B2 (en) 2006-12-27 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device using the same
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100825804B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-29 삼성전자주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
WO2008126879A1 (en) 2007-04-09 2008-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and production method thereof
JP5197058B2 (ja) 2007-04-09 2013-05-15 キヤノン株式会社 発光装置とその作製方法
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
JP5066996B2 (ja) * 2007-04-23 2012-11-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
TWI479887B (zh) * 2007-05-24 2015-04-01 Sony Corp 背向照明固態成像裝置及照相機
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5242083B2 (ja) 2007-06-13 2013-07-24 出光興産株式会社 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
JP5171178B2 (ja) * 2007-09-13 2013-03-27 富士フイルム株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
KR20090040158A (ko) * 2007-10-19 2009-04-23 삼성전자주식회사 투명한 트랜지스터를 구비한 시모스 이미지 센서
JP5142943B2 (ja) 2007-11-05 2013-02-13 キヤノン株式会社 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム
JP2009130209A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Fujifilm Corp 放射線撮像素子
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
KR100936874B1 (ko) * 2007-12-18 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
US8009215B2 (en) * 2008-07-16 2011-08-30 International Business Machines Corporation Pixel sensor cell with frame storage capability
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5210833B2 (ja) * 2008-12-08 2013-06-12 オリンパス株式会社 固体撮像装置
KR101515468B1 (ko) * 2008-12-12 2015-05-06 삼성전자주식회사 표시장치 및 그 동작방법
JP5100670B2 (ja) * 2009-01-21 2012-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル、電子機器
US8624875B2 (en) 2009-08-24 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving touch panel
KR101824123B1 (ko) 2009-11-06 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
SG10201500220TA (en) * 2010-01-15 2015-03-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for driving the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001292276A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置
JP2004140149A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Sony Corp 固体撮像素子及びその制御方法
JP2004159155A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Rohm Co Ltd エリアイメージセンサ
JP2009535819A (ja) * 2006-08-31 2009-10-01 マイクロン テクノロジー， インク． 高性能画像センサのための透明チャネル薄膜トランジスタベースのピクセル
JP2011119950A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Panasonic Corp 固体撮像装置および駆動方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017191956A (ja) * 2010-01-15 2017-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2013224931A (ja) * 2012-03-21 2013-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 距離測定装置、距離測定システム
JP2017223697A (ja) * 2012-03-21 2017-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 距離測定装置、距離測定システム
JP2020109416A (ja) * 2012-03-21 2020-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 距離測定装置の距離測定方法
KR20200123053A (ko) * 2012-03-21 2020-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 거리 측정 장치, 거리 측정 시스템
KR102249850B1 (ko) 2012-03-21 2021-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 거리 측정 장치, 거리 측정 시스템
JP2017055401A (ja) * 2015-09-07 2017-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置およびその動作方法、モジュールならびに電子機器
WO2018043472A1 (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JPWO2018043472A1 (ja) * 2016-09-02 2019-06-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JPWO2020031018A1 (ja) * 2018-08-09 2020-02-13
JP7391851B2 (ja) 2018-08-09 2023-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI517706B (zh) 2016-01-11
JP2021106287A (ja) 2021-07-26
US10095076B2 (en) 2018-10-09
KR102237655B1 (ko) 2021-04-09
US20110176038A1 (en) 2011-07-21
JP2020161831A (ja) 2020-10-01
US9575381B2 (en) 2017-02-21
KR102114011B1 (ko) 2020-05-22
JP2019161236A (ja) 2019-09-19
TW201145997A (en) 2011-12-16
KR20180018849A (ko) 2018-02-21
KR20120099483A (ko) 2012-09-10
CN102696109A (zh) 2012-09-26
JP6718543B2 (ja) 2020-07-08
KR102471810B1 (ko) 2022-11-29
JP2017191956A (ja) 2017-10-19
KR20210038719A (ko) 2021-04-07
WO2011086848A1 (en) 2011-07-21
SG10201500220TA (en) 2015-03-30
EP2524395A4 (en) 2014-06-18
CN102696109B (zh) 2015-08-19
JP5751839B2 (ja) 2015-07-22
JP6538775B2 (ja) 2019-07-03
US20170153474A1 (en) 2017-06-01
EP2524395A1 (en) 2012-11-21
JP2015179864A (ja) 2015-10-08
KR20200057101A (ko) 2020-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6718543B2 (ja) 半導体装置
JP6289592B2 (ja) 半導体装置
JP6255068B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5667464B2 (ja) 半導体装置およびその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140106

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150421

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150519

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5751839

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees