JP2001292276A - 密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置 - Google Patents

密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置

Info

Publication number
JP2001292276A
JP2001292276A JP2001019635A JP2001019635A JP2001292276A JP 2001292276 A JP2001292276 A JP 2001292276A JP 2001019635 A JP2001019635 A JP 2001019635A JP 2001019635 A JP2001019635 A JP 2001019635A JP 2001292276 A JP2001292276 A JP 2001292276A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tft
sensor
reset
signal line
photodiode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001019635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4112184B2 (ja
JP2001292276A5 (ja
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Jun Koyama
潤 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2001019635A priority Critical patent/JP4112184B2/ja
Publication of JP2001292276A publication Critical patent/JP2001292276A/ja
Publication of JP2001292276A5 publication Critical patent/JP2001292276A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4112184B2 publication Critical patent/JP4112184B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサ
を提供する。 【解決手段】 エリアセンサが有する画素は、光源とし
てのＥＬ素子と、光電変換素子としてのフォトダイオー
ドとをそれぞれ有しており、ＥＬ素子とフォトダイオー
ドの動作をＴＦＴで制御していることを特徴とする密着
型エリアセンサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イメージセンサ機
能を有する密着型エリアセンサに関する。特に、ＥＬ素
子を光源として有し、マトリクス状に配置された複数の
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成される密着型
エリアセンサに関する。また密着型エリアセンサを兼ね
た表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、紙面上の文字・図画情報や、映像
情報等の光信号から、画像情報を有する電気信号を読み
出すダイオード、ＣＣＤ等の光電変換素子を有する固体
撮像装置が用いられるようになってきた。この固体撮像
装置は、スキャナーやデジタルカメラ等に用いられてい
る。
【０００３】光電変換素子を有する固体撮像装置には、
ラインセンサと、エリアセンサとがある。ラインセンサ
は、線状に設けられた光電変換素子を被写体上でスキャ
ンし、画像を電気信号として取り込んでいる。
【０００４】それに対しエリアセンサは、密着型エリア
センサとも呼ばれており、平面に設けられた光電変換素
子を被写体上に配置し、画像を電気信号として取り込ん
でいる。エリアセンサはラインセンサと異なり光電変換
素子をスキャンする必要がないことから、スキャンする
ためのモーター等が不要である。
【０００５】図２４に従来のエリアセンサの構成を示
す。図２４（Ａ）に示すのはエリアセンサの斜視図であ
り、図２４（Ｂ）に示すのはその断面図である。光電変
換素子が設けられたセンサ基板２５０１、バックライト
２５０２、光散乱板２５０３が図に示すように設けられ
ている。
【０００６】光源としてのバックライト２５０２からの
光は、光散乱板２５０３内で屈折し、被写体２５０４に
照射される。照射された光は被写体２５０４上で反射
し、センサ基板２５０１上に設けられた光電変換素子に
照射される。光電変換素子に光が照射されると、光の輝
度に応じた大きさの電流が光電変換素子内で生じ、被写
体２５０４の画像情報が電気信号としてエリアセンサ内
に取り込まれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したエリアセンサ
は、バックライト２５０２からの光が被写体２５０４に
均一に照射されないと、読み込んだ画像が部分的に明る
くなったり暗くなったりしてむらが生じてしまう。その
ため光が均一に被写体２５０４に照射するように、光散
乱板２５０３の構造に工夫をこらしたり、バックライト
２５０２、光散乱板２５０３、センサ基板２５０１、被
写体２５０４の位置を精密に調整したりする必要が生じ
る。
【０００８】またバックライト２５０２及び光散乱板２
５０３のサイズを抑えることは難しく、そのためにエリ
アセンサ自体の小型化、薄型化、軽量化が妨げられてい
る。
【０００９】本発明は上記の実情を鑑みてなされたもの
で、小型、薄型、軽量であり、かつ読み込んだ画像に明
るさのむらが生じない密着型エリアセンサを提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のエリアセンサ
は、光電変換素子としてフォトダイオードを用いる。ま
た光源としてＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を
用いる。
【００１１】本明細書においてフォトダイオードとは、
カソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノ
ード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。
そして光電変換層に光が照射されると、光起電力効果に
より電流が生じる。
【００１２】またＥＬ素子とは自発光型素子であり、主
にＥＬディスプレイに用いられている。ＥＬディスプレ
イとは有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL D
isplay）又は有機ライトエミッティングダイオード（Ｏ
ＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも言う。
【００１３】ＥＬ素子は一対の電極（陽極と陰極）の間
に有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）が挟まれ
た構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっ
ている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパ
ニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸
送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に
発光効率が高く、現在、研究開発が進められているＥＬ
ディスプレイは殆どこの構造を採用している。
【００１４】ＥＬ素子は、電場を加えることで発生する
ルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる
と、陽極層と、ＥＬ層と、陰極層とを有する。有機化合
物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基
底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基
底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の
エリアセンサは、どちらの発光を用いていても良い。
【００１５】また他にも、電極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。
【００１６】本明細書において一対の電極間に設けられ
る全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入
層等は、全てＥＬ層に含まれる。
【００１７】フォトダイオードとＥＬ素子とは同じセン
サ基板上にマトリクス状に設けられる。そして同じくマ
トリクス状に基板上に設けられた薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を用いて、フォトダイオードとＥＬ素子のそれぞ
れの動作を制御する。
【００１８】ＥＬ素子から発せられた光は被写体上で反
射し、フォトダイオードに照射される。フォトダイオー
ドに照射された光によって電流が生じ、被写体の画像情
報を有する電気信号（画像信号）がエリアセンサに取り
込まれる。
【００１９】本発明は上記構成によって光が被写体に均
一に照射されるため、読み込んだ画像の明るさにむらが
生じることはない。そしてバックライトと光散乱板を、
センサ基板と別個に設ける必要はないため、従来例と異
なり、バックライト、光散乱板、センサ基板及び被写体
の位置を精密に調整したりする必要がなく、エリアセン
サ自体の小型化、薄型化、軽量化が実現される。またエ
リアセンサ自体の機械的強度が増す。
【００２０】また本発明のエリアセンサは、前記ＥＬ素
子を用いてエリアセンサに画像を表示させることが可能
である。本発明においてＥＬ素子は、画像を読み込む際
の光源としての機能と、画像を表示するための光源とし
ての機能を併せ持つ。そのため、エリアセンサに別途電
子ディスプレイを設けなくとも、画像を表示させること
ができる。
【００２１】以下に、本発明の構成を示す。
【００２２】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリ
アセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオー
ドと、ＥＬ素子と、複数の薄膜トランジスタとを有して
いることを特徴とする密着型エリアセンサが提供され
る。
【００２３】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリ
アセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオー
ドと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ
と、選択用ＴＦＴとを有しており、前記スイッチング用
ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴは、前記ＥＬ素子の発
光を制御しており、前記ＥＬ素子から発せられた光は、
被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦＴ、前記バ
ッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴは、前記フォトダイオ
ードに照射された光から画像信号を生成することを特徴
とする密着型エリアセンサが提供される。
【００２４】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリ
アセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオー
ドと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ
と、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線
と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲ
ート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に
接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセ
ンサ用電源線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦ
Ｔのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記
電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されてお
り、前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用
電源線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレ
イン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前
記フォトダイオードに接続されており、前記バッファ用
ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続され
ており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッ
ファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、前記選択
用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接
続されており、前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写
体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、前記
フォトダイオードに照射された光から生成された画像信
号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴とす
る密着型エリアセンサが提供される。
【００２５】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリ
アセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオー
ドと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ
と、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線
と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲ
ート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に
接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセ
ンサ用電源線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦ
Ｔのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記
電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されてお
り、前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用
電源線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレ
イン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前
記フォトダイオードに接続されており、前記バッファ用
ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続され
ており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッ
ファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、前記選択
用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されて
おり、前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの
極性は同じであり、前記ＥＬ素子から発せられた光は、
被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオードに照射された光から生成された画
像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴
とする密着型エリアセンサが提供される。
【００２６】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリ
アセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオー
ドと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ
と、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線
と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲ
ート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に
接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセ
ンサ用電源線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦ
Ｔのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記
電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されてお
り、前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用
電源線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレ
イン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前
記フォトダイオードに接続されており、前記バッファ用
ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続され
ており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッ
ファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、前記選択
用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接
続されており、前記リセット用ゲート信号線と前記セン
サ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセ
ット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状
態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、前
記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオン
の状態の時、もう一方はオフの状態であり、前記ＥＬ素
子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォト
ダイオードに照射され、前記フォトダイオードに照射さ
れた光から生成された画像信号が、前記センサ出力配線
に入力されることを特徴とする密着型エリアセンサが提
供される。
【００２７】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリ
アセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオー
ドと、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動
用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ
と、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線
と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲ
ート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に
接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセ
ンサ用電源線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦ
Ｔのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆
動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記
電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されてお
り、前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用
電源線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレ
イン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前
記フォトダイオードに接続されており、前記バッファ用
ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続され
ており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッ
ファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、前記選択
用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されて
おり、前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの
極性は同じであり、前記リセット用ゲート信号線と前記
センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記
リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの
状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオ
ンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、前記ＥＬ
素子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォ
トダイオードに照射され、前記フォトダイオードに照射
された光から生成された画像信号が、前記センサ出力配
線に入力されることを特徴とする密着型エリアセンサが
提供される。
【００２８】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置で
あって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ
素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
と、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用
ＴＦＴとを有しており、前記スイッチング用ＴＦＴ及び
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴによって前記ＥＬ素子の発光が制
御され、前記センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた
光により画像を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から
発せられた光を被写体上で反射させることで前記フォト
ダイオードに照射し、前記フォトダイオード、前記リセ
ット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴ
によって前記フォトダイオードに照射された光から画像
信号を生成することを特徴とする表示装置が提供され
る。
【００２９】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置で
あって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ
素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
と、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用
ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電
位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線
と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続された
センサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源
線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート
電極は前記ゲート信号線に接続されており、前記スイッ
チング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は
前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線
に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、前記リ
セット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接
続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域
は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォト
ダイオードに接続されており、前記バッファ用ＴＦＴの
ドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
ＦＴのソース領域に接続されており、前記選択用ＴＦＴ
のゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されて
おり、前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用Ｔ
ＦＴによって前記ＥＬ素子の発光が制御され、前記セン
サ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により画像を表
示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられた光を被
写体上で反射させることで前記フォトダイオードに照射
し、前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦＴ、前
記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって前記フォ
トダイオードに照射された光から画像信号を生成するこ
とを特徴とする表示装置が提供される。
【００３０】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置で
あって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ
素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
と、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用
ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電
位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線
と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続された
センサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源
線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート
電極は前記ゲート信号線に接続されており、前記スイッ
チング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は
前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線
に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、前記リ
セット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接
続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域
は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォト
ダイオードに接続されており、前記バッファ用ＴＦＴの
ドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
ＦＴのソース領域に接続されており、前記選択用ＴＦＴ
のゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されて
おり、前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲー
ト信号線とに入力される信号によって前記リセット用Ｔ
ＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、または
オフからオンの状態に同時に切り替わり、前記リセット
用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオンの状態の
時、もう一方はオフの状態であり、前記スイッチング用
ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴによって前記ＥＬ素子
の発光が制御され、前記センサ部は、前記ＥＬ素子から
発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記Ｅ
Ｌ素子から発せられた光を被写体上で反射させることで
前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオー
ド、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び
選択用ＴＦＴによって前記フォトダイオードに照射され
た光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置
が提供される。
【００３１】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置で
あって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ
素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
と、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用
ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電
位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線
と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続された
センサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源
線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート
電極は前記ゲート信号線に接続されており、前記スイッ
チング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は
前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線
に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、前記リ
セット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接
続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域
は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォト
ダイオードに接続されており、前記バッファ用ＴＦＴの
ドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
ＦＴのソース領域に接続されており、前記選択用ＴＦＴ
のゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、前
記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は同
じであり、前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動
用ＴＦＴによって前記ＥＬ素子の発光が制御され、前記
センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により画像
を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられた光
を被写体上で反射させることで前記フォトダイオードに
照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦ
Ｔ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって前
記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成
することを特徴とする表示装置が提供される。
【００３２】本発明は上記構成によって、センサ基板上
に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置で
あって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ
素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
と、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用
ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電
位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線
と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続された
センサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源
線とを有しており、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート
電極は前記ゲート信号線に接続されており、前記スイッ
チング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は
前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のゲート電極に接続されており、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
のソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線
に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、前記リ
セット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接
続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域
は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォト
ダイオードに接続されており、前記バッファ用ＴＦＴの
ドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
ＦＴのソース領域に接続されており、前記選択用ＴＦＴ
のゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、前
記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は同
じであり、前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用
ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット
用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、ま
たはオフからオンの状態に同時に切り替わり、前記リセ
ット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオンの状態
の時、もう一方はオフの状態であり、前記スイッチング
用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴによって前記ＥＬ素
子の発光が制御され、前記センサ部は、前記ＥＬ素子か
ら発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記
ＥＬ素子から発せられた光を被写体上で反射させること
で前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオー
ド、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び
選択用ＴＦＴによって前記フォトダイオードに照射され
た光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置
が提供される。
【００３３】前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び陽極と陰極
の間に設けられたＥＬ層を有していても良い。
【００３４】前記ＥＬ素子の有する陽極が前記ＥＬ駆動
用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続されてい
るとき、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴで
あっても良い。
【００３５】前記ＥＬ素子の有する陰極が前記ＥＬ駆動
用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続されてい
るとき、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴで
あっても良い。
【００３６】前記フォトダイオードはカソード電極、ア
ノード電極及びカソード電極とアノード電極の間に設け
られた光電変換層を有していても良い。
【００３７】前記フォトダイオードの有するアノード電
極が前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域に接続されて
いるとき、前記リセット用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴ
であり、前記バッファ用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴで
あっても良い。
【００３８】前記フォトダイオードの有するカソード電
極が前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域に接続されて
いるとき、前記リセット用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴ
であり、前記バッファ用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴで
あっても良い。
【００３９】前記表示装置は、タッチペン及びタッチパ
ネルを有していても良い。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のエリアセンサの
構成を詳しく説明する。本発明のエリアセンサは画像の
読み取りを行うセンサ部と、センサ部の駆動を制御する
駆動部とを有している。図１に本発明のセンサ部の回路
図を示す。
【００４１】センサ部１０１はソース信号線Ｓ１〜Ｓ
ｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、
リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサ用ゲー
ト信号線ＳＧ１〜ＳＧｙ、センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳ
ｘ、センサ用電源線ＶＢが設けられている。
【００４２】センサ部１０１は複数の画素１０２を有し
ている。画素１０２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいず
れか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、
ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット用
ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、センサ
用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つと、セン
サ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、センサ用
電源線ＶＢとを有している。
【００４３】センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ
定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘに接続されている。
【００４４】図２に画素１０２の詳しい構成を示す。点
線で囲まれた領域が画素１０２である。なお、ソース信
号線Ｓは、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つを意
味する。また電源供給線Ｖは電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのい
ずれか１つを意味する。またゲート信号線Ｇはゲート信
号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つを意味する。またリセッ
ト用ゲート信号線ＲＧはリセット用ゲート信号線ＲＧ１
〜ＲＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサ用ゲー
ト信号線ＳＧは、センサ用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙ
のいずれか１つを意味する。またセンサ出力配線ＳＳは
センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つを意味す
る。
【００４５】画素１０２はスイッチング用ＴＦＴ１０
４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５、ＥＬ素子１０６を有して
いる。また図２では画素１０２にコンデンサ１０７が設
けられているが、コンデンサ１０７を設けなくとも良
い。
【００４６】ＥＬ素子１０６は陽極と陰極と、陽極と陰
極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆
動用ＴＦＴ１０５のソース領域またはドレイン領域と接
続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極とな
る。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域ま
たはドレイン領域と接続している場合、陽極が対向電
極、陰極が画素電極である。
【００４７】スイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極
はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４のソース領域とドレイン領域は、一方
がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０
５のゲート電極に接続されている。
【００４８】ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域とド
レイン領域は、一方が電源供給線Ｖに、もう一方がＥＬ
素子１０６に接続されている。コンデンサ１０７はＥＬ
駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極と電源供給線Ｖとに接
続して設けられている。
【００４９】さらに画素１０２は、リセット用ＴＦＴ１
１０、バッファ用ＴＦＴ１１１、選択用ＴＦＴ１１２、
フォトダイオード１１３を有している。
【００５０】リセット用ＴＦＴ１１０のゲート電極はリ
セット用ゲート信号線ＲＧに接続されている。リセット
用ＴＦＴ１１０のソース領域はセンサ用電源線ＶＢに接
続されている。センサ用電源線ＶＢは常に一定の電位
（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ１
１０のドレイン領域はフォトダイオード１１３及びバッ
ファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極に接続されている。
【００５１】図示しないが、フォトダイオード１１３は
カソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノ
ード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。
リセット用ＴＦＴ１１０のドレイン領域は、具体的には
フォトダイオード１１３のアノード電極又はカソード電
極に接続されている。
【００５２】バッファ用ＴＦＴ１１１のドレイン領域は
センサ用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基準
電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１１１の
ソース領域は選択用ＴＦＴ１１２のソース領域又はドレ
イン領域に接続されている。
【００５３】選択用ＴＦＴ１１２のゲート電極はセンサ
用ゲート信号線ＳＧに接続されている。そして選択用Ｔ
ＦＴ１１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上述
したとおりバッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域に接続
されており、もう一方はセンサ出力配線ＳＳに接続され
ている。センサ出力配線ＳＳは定電流電源１０３（定電
流電源１０３＿１〜１０３＿ｘのいずれか１つ）に接続
されており、常に一定の電流が流れている。
【００５４】次に本発明のエリアセンサの駆動の仕方に
ついて、図１及び図２を用いて説明する。
【００５５】画素１０２が有するＥＬ素子１０６はエリ
アセンサの光源として機能しており、スイッチング用Ｔ
ＦＴ１０４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５及びコンデンサ１
０７は、光源としてのＥＬ素子１０６の動作を制御して
いる。
【００５６】ＥＬ素子から発せられる光は被写体上で反
射し、画素１０２が有するフォトダイオード１１３に照
射される。フォトダイオード１１３は、照射された光
を、画像情報を有する電気信号に変換する。そしてフォ
トダイオード１１３で発生した画像情報を有する電気信
号は、リセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１
１及び選択用ＴＦＴ１１２により画像信号としてエリア
センサ内に取り込まれる。
【００５７】図３は、リセット用ＴＦＴ１１０、バッフ
ァ用ＴＦＴ１１１及び選択用ＴＦＴ１１２の動作を示す
タイミングチャートである。なおここでは、リセット用
ＴＦＴ１１０がｎチャネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ
１１１がｐチャネル型ＴＦＴ、選択用ＴＦＴ１１２がｎ
チャネル型ＴＦＴの場合のタイミングチャートを示す。
本発明においてリセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用Ｔ
ＦＴ１１１及び選択用ＴＦＴ１１２は、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのどちらでも良い。ただし、
リセット用ＴＦＴ１１０とバッファ用ＴＦＴ１１１の極
性は逆の方が好ましい。
【００５８】まずリセット用ゲート信号線ＲＧ１に入力
されているリセット信号によって、ＲＧ１に接続されて
いる１ライン目の画素のリセット用ＴＦＴ１１０はオン
の状態にある。よってセンサ用電源線ＶＢの基準電位が
バッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極に与えられる。
【００５９】またセンサ用ゲート信号線ＳＧ１に入力さ
れているセンサ信号によって、センサ用ゲート信号線Ｓ
Ｇ１に接続されている１ライン目の画素の選択用ＴＦＴ
１１２がオフの状態にある。よってバッファ用ＴＦＴ１
１１のソース領域は、基準電位からバッファ用ＴＦＴ１
１１のソース領域とゲート電極の電位差ＶGSを差し引い
た電位に保たれている。なお本明細書では、リセット用
ＴＦＴ１１０がオンの状態である期間をリセット期間と
呼ぶ。
【００６０】そしてリセット用ゲート信号線ＲＧ１に入
力されたリセット信号の電位が変化して、１ライン目の
画素のリセット用ＴＦＴ１１０が全てオフの状態にな
る。よってセンサ用電源線ＶＢの基準電位は、１ライン
目の画素のバッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極に与え
られなくなる。なお、リセット用ＴＦＴ１１０がオフの
状態にある期間を、本明細書ではサンプル期間ＳＴと呼
ぶ。特に１ライン目の画素のリセット用ＴＦＴ１１０が
オフの状態にある期間をサンプル期間ＳＴ１と呼ぶ。
【００６１】サンプル期間ＳＴ１では、センサ用ゲート
信号線ＳＧ１に入力されたセンサ信号の電位が変化し
て、１ライン目の画素の選択用ＴＦＴ１１２がオンの状
態になる。よって１ライン目の画素のバッファ用ＴＦＴ
１１１のソース領域は、選択用ＴＦＴ１１２を介してセ
ンサ出力配線ＳＳ１に電気的に接続される。センサ出力
配線ＳＳ１は定電流電源１０３＿１に接続されており、
そのためバッファ用ＴＦＴ１１１はソースフォロワ（ｓ
ｏｕｒｃｅ ｆｏｌｌｏｗｅｒ）として機能し、ソース
領域とゲート電極の電位差ＶGSは一定となる。
【００６２】サンプル期間ＳＴ１において、ＥＬ素子１
０６からの光が被写体上で反射してフォトダイオード１
１３に照射されると、フォトダイオード１１３に電流が
流れる。そのため、リセット期間において基準電位に保
たれていたバッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極の電位
は、フォトダイオード１１３で発生する電流の大きさに
応じて高くなる。
【００６３】フォトダイオード１１３に流れる電流は、
フォトダイオード１１３に照射される光の強さに比例す
るため、被写体上の画像は、フォトダイオード１１３に
おいてそのまま電気信号に変換される。フォトダイオー
ド１１３において生成された電気信号は、バッファ用Ｔ
ＦＴ１１１のゲート電極に入力される。
【００６４】バッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域とゲ
ート電極の電位差ＶGSは常に一定であるので、バッファ
用ＴＦＴ１１１のソース領域は、バッファ用ＴＦＴ１１
１のゲート電極の電位からＶGSを差し引いた電位に保た
れている。そのためバッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電
極の電位が変化すると、それに伴ってバッファ用ＴＦＴ
１１１のソース領域の電位も変化する。
【００６５】バッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域の電
位は、画像信号として選択用ＴＦＴ１１２を介しセンサ
出力配線ＳＳ１に入力される。
【００６６】次に、リセット用ゲート信号線ＲＧ１に入
力されているリセット信号によって、ＲＧ１に接続され
ている１ライン目の画素のリセット用ＴＦＴ１１０はオ
ンの状態になり、再びリセット期間になる。それと同時
にリセット用ゲート信号線ＲＧ２に入力されているリセ
ット信号によって、ＲＧ２に接続されている２ライン目
の画素のリセット用ＴＦＴ１１０はオフの状態になり、
サンプリング期間ＳＴ２が開始する。
【００６７】サンプリング期間ＳＴ２では、サンプリン
グ期間ＳＴ１と同様に、フォトダイオードにおいて画像
情報を有する電気信号が生成し、画像信号がセンサ出力
配線ＳＳ２に入力される。
【００６８】上記動作を繰り返し、サンプリング期間Ｓ
Ｔｙが終了すると、１つの画像を画像信号として読み込
むことができる。なお本明細書では、サンプリング期間
ＳＴ１〜ＳＴｙの全てが出現するまでの期間をセンサフ
レーム期間ＳＦと呼ぶ。
【００６９】また各サンプリング期間において、各画素
が有するＥＬ素子を常に発光させておく必要がある。例
えば１ライン目の画素が有するＥＬ素子は、最低でもサ
ンプリング期間ＳＴ１の間発光していることが重要であ
る。なお全ての画素がセンサフレーム期間ＳＦの間、常
に発光していても良い。
【００７０】なおカラー画像を読み込むエリアセンサの
場合、センサ部はＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各色に対
応した画素を有している。ＲＧＢの各色に対応した画素
は、ＲＧＢに対応した三種類のＥＬ素子を有している
か、または白色発光のＥＬ素子とＲＧＢの三種類のカラ
ーフィルターを有しているか、または青色又は青緑発光
のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを
有している。
【００７１】ＲＧＢの各色に対応した画素から発せられ
るＲＧＢの各色の光は、被写体に順に照射される。そし
て被写体上で反射されたＲＧＢの各色の光が、画素の有
するフォトダイオードに照射され、ＲＧＢ各色に対応す
る画像信号がエリアセンサに取り込まれる。
【００７２】図４は、カラー画像を読み込むエリアセン
サのリセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１
及び選択用ＴＦＴ１１２の動作を示すタイミングチャー
トである。なおここでは、リセット用ＴＦＴ１１０がｎ
チャネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ１１１がｐチャネ
ル型ＴＦＴ、選択用ＴＦＴ１１２がｎチャネル型ＴＦＴ
の場合のタイミングチャートを示す。
【００７３】Ｒに対応する画素のＥＬ素子が発光してい
る期間内に、サンプル期間ＳＴ１〜ＳＴｙの全てが出現
する。このＲに対応する画素のＥＬ素子が発光している
期間内において、サンプリング期間ＳＴ１〜ＳＴｙの全
てが出現するまでの期間をＲ用センサフレーム期間ＳＦ
ｒと呼ぶ。Ｒ用センサフレーム期間ＳＦｒにおいてＲに
対応する画像信号がエリアセンサ内に取り込まれる。な
おＲ用センサフレーム期間ＳＦｒにおいて、Ｇ、Ｂに対
応する画素は発光を行わない。
【００７４】次に、Ｇに対応する画素のＥＬ素子が発光
している期間内に、サンプル期間ＳＴ１〜ＳＴｙの全て
が出現する。このＧに対応する画素のＥＬ素子が発光し
ている期間内において、サンプリング期間ＳＴ１〜ＳＴ
ｙの全てが出現するまでの期間をＧ用センサフレーム期
間ＳＦｇと呼ぶ。Ｇ用センサフレーム期間ＳＦｇにおい
てＧに対応する画像信号がエリアセンサ内に取り込まれ
る。なおＧ用センサフレーム期間ＳＦｇにおいて、Ｒ、
Ｂに対応する画素は発光を行わない。
【００７５】次に、Ｂに対応する画素のＥＬ素子が発光
している期間内に、サンプル期間ＳＴ１〜ＳＴｙの全て
が出現する。このＢに対応する画素のＥＬ素子が発光し
ている期間内において、サンプリング期間ＳＴ１〜ＳＴ
ｙの全てが出現するまでの期間をＢ用センサフレーム期
間ＳＦｂと呼ぶ。Ｂ用センサフレーム期間ＳＦｂにおい
てＢに対応する画像信号がエリアセンサ内に取り込まれ
る。Ｂ用センサフレーム期間ＳＦｂにおいて、Ｒ、Ｇに
対応する画素は発光を行わない。
【００７６】Ｒ用センサフレーム期間ＳＦｒと、Ｇ用セ
ンサフレーム期間ＳＦｇと、Ｂ用センサフレーム期間Ｓ
Ｆｂの全てが出現するまでの期間がセンサフレーム期間
ＳＦである。センサフレーム期間ＳＦが終了すると１つ
のカラー画像を画像信号として読み込むことができる。
【００７７】また各サンプリング期間において、各色に
対応する画素のＥＬ素子を常に発光させておく必要があ
る。例えばＢ用センサフレーム期間内のサンプリング期
間ＳＴ１においては、１ライン目の画素のうちＢに対応
する画素のＥＬ素子は常に発光していることが重要であ
る。またＲ用、Ｇ用、Ｂ用センサフレーム期間（ＳＦ
ｒ、ＳＦｇ、ＳＦｂ）のそれぞれにおいて、各色に対応
する画素が常に発光していても良い。
【００７８】本発明は上記構成によって光が被写体に均
一に照射されるため、読み込んだ画像の明るさにむらが
生じることはない。そしてバックライトと光散乱板と
を、センサ基板と別個に設ける必要はないため、従来例
と異なり、バックライト、光散乱板、センサ基板及び被
写体の位置を精密に調整したりする必要がなく、エリア
センサ自体の小型化、薄型化、軽量化が実現される。ま
たエリアセンサ自体の機械的強度が増す。
【００７９】また本発明のエリアセンサは、ＥＬ素子を
用いてセンサ部に画像を表示することが可能である。そ
のため、新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設け
なくとも、センサ部で読み込んだ画像をセンサ部に表示
させることが可能であり、その場で読み込んだ画像を確
認することができる。
【００８０】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
【００８１】（実施例１）本実施例では、図２に示すと
ころのＥＬ素子１０６の動作を制御している、スイッチ
ング用ＴＦＴ１０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動
方法について説明する。なおセンサ部の構成は実施の形
態で示した構成と同じであるので、図１及び図２を参照
する。
【００８２】図５に本実施例のエリアセンサの上面図を
示す。１２０はソース信号線駆動回路、１２２はゲート
信号線駆動回路であり、共にスイッチング用ＴＦＴ１０
４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動を制御している。
また１２１はセンサ用ソース信号線駆動回路、１２３は
センサ用ゲート信号線駆動回路であり、共にリセット用
ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１及び選択用ＴＦ
Ｔ１１２の駆動を制御している。なお本明細書におい
て、ソース信号線駆動回路１２０、ゲート信号線駆動回
路１２２、センサ用ソース信号線駆動回路１２１、セン
サ用ゲート信号線駆動回路１２３を駆動部と呼ぶ。
【００８３】ソース信号線駆動回路１２０は、シフトレ
ジスタ１２０ａ、ラッチ（Ａ）１２０ｂ、ラッチ（Ｂ）
１２０ｃを有している。ソース信号線駆動回路１２０に
おいて、シフトレジスタ１２０ａにクロック信号（ＣＬ
Ｋ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフ
トレジスタ１２０ａは、これらのクロック信号（ＣＬ
Ｋ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング
信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順
次供給する。
【００８４】なおシフトレジスタ１２０ａからのタイミ
ング信号を、バッファ等（図示せず）によって緩衝増幅
し、後段の回路へ緩衝増幅したタイミング信号を順次供
給しても良い。タイミング信号が供給される配線には、
多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容
量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために
生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がり
の”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。
【００８５】シフトレジスタ１２０ａからのタイミング
信号は、ラッチ（Ａ）１２０ｂに供給される。ラッチ
（Ａ）１２０ｂは、デジタル信号（digital signals）
を処理する複数のステージのラッチを有している。ラッ
チ（Ａ）１２０ｂは、前記タイミング信号が入力される
と同時に、デジタル信号を順次書き込み、保持する。
【００８６】なお、ラッチ（Ａ）１２０ｂにデジタル信
号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）１２０ｂが有する複数
のステージのラッチに、順にデジタル信号を入力しても
良い。しかし本発明はこの構成に限定されない。ラッチ
（Ａ）１２０ｂが有する複数のステージのラッチをいく
つかのグループに分け、各グループごとに並行して同時
にデジタル信号を入力する、いわゆる分割駆動を行って
も良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。
例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた
場合、４分割で分割駆動すると言う。
【００８７】ラッチ（Ａ）１２０ｂの全ステージのラッ
チへのデジタル信号の書き込みが一通り終了するまでの
時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）１
２０ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタル信号
の書き込みが開始される時点から、一番右側のステージ
のラッチにデジタル信号の書き込みが終了する時点まで
の時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン
期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含
むことがある。
【００８８】１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）
１２０ｃにラッチシグナル（LatchSignal）が供給され
る。この瞬間、ラッチ（Ａ）１２０ｂに書き込まれ保持
されているデジタル信号は、ラッチ（Ｂ）１２０ｃに一
斉に送出され、ラッチ（Ｂ）１２０ｃの全ステージのラ
ッチに書き込まれ、保持される。
【００８９】デジタル信号をラッチ（Ｂ）１２０ｃに送
出し終えたラッチ（Ａ）１２０ｂは、シフトレジスタ１
２０ａからのタイミング信号に基づき、再びデジタル信
号の書き込みを順次行う。
【００９０】この２順目の１ライン期間中には、ラッチ
（Ｂ）１２０ｃに書き込まれ、保持されているデジタル
信号がソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。
【００９１】一方、ゲート信号線駆動回路１２２は、そ
れぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）
を有している。また場合によっては、ゲート信号線駆動
回路１２２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベル
シフトを有していても良い。
【００９２】ゲート信号線駆動回路１２２において、シ
フトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ
（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給
される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライ
ン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極
が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。
【００９３】なおソース信号線駆動回路とゲート信号線
駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した
構成に限定されない。本発明のエリアセンサは、公知の
ソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用い
ることが可能である。
【００９４】次に、センサ部のスイッチング用ＴＦＴ１
０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５を、デジタル方式で駆
動させた場合のタイミングチャートを図６に示す。
【００９５】センサ部１０１の全ての画素が一通り発光
するまでの期間を１フレーム期間（Ｆ）と呼ぶ。フレー
ム期間はアドレス期間（Ｔａ）とサステイン期間（Ｔ
ｓ）とに分けられる。アドレス期間とは、１フレーム期
間中、全ての画素にデジタル信号を入力する期間であ
る。サステイン期間（点灯期間とも呼ぶ）とは、アドレ
ス期間において画素に入力されたデジタル信号によっ
て、ＥＬ素子を発光又は非発光の状態にし、表示を行う
期間を示している。
【００９６】電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）の電位は所定の
電位（電源電位）に保たれている。
【００９７】まずアドレス期間Ｔａにおいて、ＥＬ素子
１０６の対向電極の電位は、電源電位と同じ高さに保た
れている。
【００９８】そしてゲート信号線Ｇ１に入力されるゲー
ト信号によって、ゲート信号線Ｇ１に接続されている全
てのスイッチング用ＴＦＴ１０４がオンの状態になる。
次に、ソース信号線駆動回路１２０からソース信号線
（Ｓ１〜Ｓｘ）にデジタル信号が入力される。ソース信
号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力されたデジタル信号は、オン
の状態のスイッチング用ＴＦＴ１０４を介してＥＬ駆動
用ＴＦＴ１０５のゲート電極に入力される。
【００９９】次にゲート信号線Ｇ２に入力されるゲート
信号によって、ゲート信号線Ｇ２に接続されている全て
のスイッチング用ＴＦＴ１０４がオンの状態になる。次
に、ソース信号線駆動回路１２０からソース信号線（Ｓ
１〜Ｓｘ）にデジタル信号が入力される。ソース信号線
（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力されたデジタル信号は、オンの状
態のスイッチング用ＴＦＴ１０４を介してＥＬ駆動用Ｔ
ＦＴ１０５のゲート電極に入力される。
【０１００】上述した動作をゲート信号線Ｇｙまで繰り
返し、全ての画素１０２のＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のゲ
ート電極にデジタル信号が入力され、アドレス期間が終
了する。
【０１０１】アドレス期間Ｔａが終了すると同時にサス
テイン期間となる。サステイン期間において、全てのス
イッチング用ＴＦＴ１０４は、オフの状態となる。
【０１０２】そしてサステイン期間が開始されると同時
に、全てのＥＬ素子の対向電極の電位は、電源電位が画
素電極に与えられたときにＥＬ素子が発光する程度に、
電源電位との間に電位差を有する高さになる。なお本明
細書において、画素電極と対向電極の電位差をＥＬ駆動
電圧と呼ぶ。また各画素が有するＥＬ駆動用ＴＦＴ１０
５のゲート電極に入力されたデジタル信号によってＥＬ
駆動用ＴＦＴ１０５はオンの状態になっている。よって
電源電位がＥＬ素子の画素電極に与えられ、全ての画素
が有するＥＬ素子は発光する。
【０１０３】サステイン期間が終了すると同時に、１つ
のフレーム期間が終了する。本発明では、全てのサンプ
リング期間ＳＴ１〜ＳＴｙにおいて画素が発光する必要
があり、よって本実施例の駆動方法の場合、サステイン
期間内にセンサフレーム期間ＳＦが含まれていることが
重要である。
【０１０４】なお本実施例では、単色の画像を読み込む
エリアセンサの駆動方法について説明したが、カラー画
像を読み込む場合も同様である。ただしカラー画像を読
み込むエリアセンサの場合、１つのフレーム期間をＲＧ
Ｂに対応した３つのサブフレーム期間に分割し、各サブ
フレーム期間においてアドレス期間とサステイン期間と
を設ける。そしてＲ用のサブフレーム期間のアドレス期
間では、Ｒに対応する画素のＥＬ素子だけ発光するよう
なデジタル信号を全ての画素に入力し、サステイン期間
においてＲのＥＬ素子だけ発光を行う。Ｇ用、Ｂ用のサ
ブフレーム期間においても同様に、各サステイン期間に
おいて、各色に対応する画素のＥＬ素子のみが発光を行
うようにする。
【０１０５】そしてカラー画像を読み込むエリアセンサ
の場合、ＲＧＢに対応した３つのサブフレーム期間の各
サステイン期間は、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用センサフレーム期
間（ＳＦｒ、ＳＦｇ、ＳＦｂ）をそれぞれ含んでいるこ
とが重要である。
【０１０６】（実施例２）本実施例では、センサ部１０
１において画像を表示する際の、スイッチング用ＴＦＴ
１０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動方法について
説明する。なおセンサ部の構成は実施の形態で示した構
成と同じであるので、図１及び図２を参照する。
【０１０７】図７に、本発明のエリアセンサにおいて、
デジタル方式でセンサ部１０１に画像を表示する際のタ
イミングチャートを示す。
【０１０８】まず、１フレーム期間（Ｆ）をｎ個のサブ
フレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦｎ）に分割する。階調数が
多くなるにつれて１フレーム期間におけるサブフレーム
期間の数も増える。なおエリアセンサのセンサ部が画像
を表示する場合、１フレーム期間（Ｆ）とは、センサ部
の全ての画素が１つの画像を表示する期間を指す。
【０１０９】本実施例の場合、フレーム期間は１秒間に
６０以上設けることが好ましい。１秒間に表示される画
像の数を６０以上にすることで、視覚的にフリッカ等の
画像のちらつきを抑えることが可能になる。
【０１１０】サブフレーム期間はアドレス期間（Ｔａ）
とサステイン期間（Ｔｓ）とに分けられる。アドレス期
間とは、１サブフレーム期間中、全ての画素にデジタル
ビデオ信号を入力する期間である。なおデジタルビデオ
信号とは、画像情報を有するデジタルの信号である。サ
ステイン期間（点灯期間とも呼ぶ）とは、アドレス期間
において画素に入力されたデジタルビデオ信号によっ
て、ＥＬ素子を発光又は非発光の状態にし、表示を行う
期間を示している。なおデジタルビデオ信号とは、画像
情報を有するデジタル信号を意味する。
【０１１１】ＳＦ１〜ＳＦｎが有するアドレス期間（Ｔ
ａ）をそれぞれＴａ１〜Ｔａｎとする。ＳＦ１〜ＳＦｎ
が有するサステイン期間（Ｔｓ）をそれぞれＴｓ１〜Ｔ
ｓｎとする。
【０１１２】電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）の電位は所定の
電位（電源電位）に保たれている。
【０１１３】まずアドレス期間Ｔａにおいて、ＥＬ素子
１０６対向電極の電位は、電源電位と同じ高さに保たれ
ている。
【０１１４】次にゲート信号線Ｇ１に入力されるゲート
信号によって、ゲート信号線Ｇ１に接続されている全て
のスイッチング用ＴＦＴ１０４がオンの状態になる。次
に、ソース信号線駆動回路１０２からソース信号線（Ｓ
１〜Ｓｘ）にデジタルビデオ信号が入力される。デジタ
ルビデオ信号は「０」または「１」の情報を有してお
り、「０」と「１」のデジタルビデオ信号は、一方がＨ
ｉ、一方がＬｏの電圧を有する信号である。
【０１１５】そしてソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力
されたデジタルビデオ信号は、オンの状態のスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４を介して、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の
ゲート電極に入力される。
【０１１６】次にゲート信号線Ｇ１に接続されている全
てのスイッチング用ＴＦＴ１０４がオフの状態になり、
ゲート信号線Ｇ２に入力されるゲート信号によって、ゲ
ート信号線Ｇ２に接続されている全てのスイッチング用
ＴＦＴ１０４がオンの状態になる。次に、ソース信号線
駆動回路１０２からソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）にデジ
タルビデオ信号が入力される。ソース信号線（Ｓ１〜Ｓ
ｘ）に入力されたデジタルビデオ信号は、オンの状態の
スイッチング用ＴＦＴ１０４を介して、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ１０５のゲート電極に入力される。
【０１１７】上述した動作をゲート信号線Ｇｙまで繰り
返し、全ての画素１０２のＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のゲ
ート電極にデジタルビデオ信号が入力され、アドレス期
間が終了する。
【０１１８】アドレス期間Ｔａが終了すると同時にサス
テイン期間Ｔｓとなる。サステイン期間において、全て
のスイッチング用ＴＦＴ１０４はオフの状態になる。サ
ステイン期間において、全てのＥＬ素子の対向電極の電
位は、電源電位が画素電極に与えられたときにＥＬ素子
が発光する程度に、電源電位との間に電位差を有する高
さになる。
【０１１９】本実施例では、デジタルビデオ信号が
「０」の情報を有していた場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０
５はオフの状態になる。よってＥＬ素子の画素電極は対
向電極の電位に保たれたままである。その結果、「０」
の情報を有するデジタルビデオ信号が入力された画素に
おいて、ＥＬ素子１０６は発光しない。
【０１２０】逆にデジタルビデオ信号が「１」の情報を
有していた場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５はオンの状態
になる。よって電源電位がＥＬ素子１０６の画素電極に
与えられる。その結果、「１」の情報を有するデジタル
ビデオ信号が入力された画素が有するＥＬ素子１０６は
発光する。
【０１２１】このように、画素に入力されるデジタルビ
デオ信号の有する情報によって、ＥＬ素子が発光または
非発光の状態になり、画素は表示を行う。
【０１２２】サステイン期間が終了すると同時に、１つ
のサブフレーム期間が終了する。そして次のサブフレー
ム期間が出現し、再びアドレス期間に入り、全画素にデ
ジタルビデオ信号を入力したら、再びサステイン期間に
入る。なお、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｎの出現す
る順序は任意である。
【０１２３】以下、残りのサブフレーム期間においても
同様の動作を繰り返し、表示を行う。ｎ個のサブフレー
ム期間が全て終了したら、１つの画像が表示され、１フ
レーム期間が終了する。１フレーム期間が終了すると次
のフレーム期間のサブフレーム期間が出現し、上述した
動作を繰り返す。
【０１２４】本発明において、ｎ個のサブフレーム期間
がそれぞれ有するアドレス期間（Ｔａ１〜Ｔａｎ）の長
さは全て同じである。またｎ個のサステイン期間Ｔｓ
１、…、Ｔｓｎの長さの比は、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ
３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓｎ＝２0：２-1：２-2：
…：２-(n-2)：２-(n-1)で表される。
【０１２５】各画素の階調は、１フレーム期間において
どのサブフレーム期間を発光させるかによって決まる。
例えば、ｎ＝８のとき、全部のサステイン期間で発光し
た場合の画素の輝度を１００％とすると、Ｔｓ１とＴｓ
２において画素が発光した場合には７５％の輝度が表現
でき、Ｔｓ３とＴｓ５とＴｓ８を選択した場合には１６
％の輝度が表現できる。
【０１２６】なお本実施例は、実施例１と自由に組み合
わせることが可能である。
【０１２７】（実施例３）実施例１及び２では、アドレ
ス期間において対向電極の電位を電源電位と同じ電位に
保っていたため、ＥＬ素子は発光しなかった。しかし本
発明はこの構成に限定されない。画素電極に電源電位が
与えられたときにＥＬ素子が発光する程度の電位差を、
対向電位と電源電位との間に常に設け、アドレス期間に
おいても表示期間と同様に表示を行うようにしても良
い。
【０１２８】ただしＥＬ素子をエリアセンサの光源とし
て用いる実施例１と本実施例を組み合わせる場合、単色
の画像を読み込むエリアセンサでは、フレーム期間内に
センサフレーム期間ＳＦが含まれていることが重要であ
る。またカラー画像を読み込むエリアセンサでは、ＲＧ
Ｂに対応した３つのサブフレーム期間が、それぞれＲ
用、Ｇ用、Ｂ用のセンサフレーム期間に含まれているこ
とが重要である。
【０１２９】またセンサ部に画像を表示する実施例２と
本実施例を組み合わせる場合、サブフレーム期間全体が
実際に表示を行う期間となるので、サブフレーム期間の
長さを、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：…：ＳＦ（ｎ−
１）：ＳＦｎ＝２0：２-1：２-2：…：２-(n-2)：２
-(n-1)となるように設定する。上記構成により、アドレ
ス期間を発光させない駆動方法に比べて、高い輝度の画
像が得られる。
【０１３０】（実施例４）本実施例では、図２に示すと
ころのＥＬ素子１０６の動作を制御している、スイッチ
ング用ＴＦＴ１０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動
方法の、実施例１とは異なる例について説明する。なお
センサ部の構成は実施の形態で示した構成と同じである
ので、図１及び図２を参照する。
【０１３１】図８に本実施例のエリアセンサの上面図を
示す。１３０はソース信号線駆動回路、１３２はゲート
信号線駆動回路であり、共にスイッチング用ＴＦＴ１０
４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動を制御している。
また１３１はセンサ用ソース信号線駆動回路、１３３は
センサ用ゲート信号線駆動回路であり、共にリセット用
ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１及び選択用ＴＦ
Ｔ１１２の駆動を制御している。本実施例ではソース信
号線駆動回路とゲート信号線駆動回路とを１つづつ設け
たが、本発明はこの構成に限定されない。ソース信号線
駆動回路を２つ設けても良い。また、ゲート信号線駆動
回路を２つ設けても良い。
【０１３２】なお本明細書において、ソース信号線駆動
回路１３０、ゲート信号線駆動回路１３２、センサ用ソ
ース信号線駆動回路１３１、センサ用ゲート信号線駆動
回路１３３を駆動部と呼ぶ。
【０１３３】ソース信号線駆動回路１３０は、シフトレ
ジスタ１３０ａ、レベルシフト１３０ｂ、サンプリング
回路１３０ｃを有している。なおレベルシフトは必要に
応じて用いればよく、必ずしも用いなくとも良い。また
本実施例においてレベルシフトはシフトレジスタ１３０
ａとサンプリング回路１３０ｃとの間に設ける構成とし
たが、本発明はこの構成に限定されない。またシフトレ
ジスタ１３０ａの中にレベルシフト１３０ｂが組み込ま
れている構成にしても良い。
【０１３４】クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ）がシフトレジスタ１３０ａに入力される。
シフトレジスタ１３０ａからアナログの信号（アナログ
信号）をサンプリングするためのサンプリング信号が出
力される。出力されたサンプリング信号はレベルシフト
１３０ｂに入力され、その電位の振幅が大きくなって出
力される。
【０１３５】レベルシフト１３０ｂから出力されたサン
プリング信号は、サンプリング回路１３０ｃに入力され
る。そしてサンプリング回路１３０ｃに入力されるアナ
ログ信号がサンプリング信号によってそれぞれサンプリ
ングされ、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。
【０１３６】一方、ゲート信号線駆動回路１３２は、そ
れぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）
を有している。また場合によっては、ゲート信号線駆動
回路１３２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベル
シフトを有していても良い。
【０１３７】ゲート信号線駆動回路１３２において、シ
フトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ
（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給
される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライ
ン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極
が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチン
グ用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。
【０１３８】なおソース信号線駆動回路とゲート信号線
駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した
構成に限定されない。本発明のエリアセンサは、公知の
ソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用い
ることが可能である。
【０１３９】次に、センサ部のスイッチング用ＴＦＴ１
０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５を、アナログ方式で駆
動させた場合のタイミングチャートを図９に示す。セン
サ部１０１の全ての画素が一通り発光するまでの期間を
１フレーム期間Ｆと呼ぶ。１ライン期間Ｌは、１つのゲ
ート信号線が選択されてから、その次に別のゲート信号
線が選択されるまでの期間を意味する。図２に示したエ
リアセンサの場合、ゲート信号線はｙ本あるので、１フ
レーム期間中にｙ個のライン期間Ｌ１〜Ｌｙが設けられ
ている。
【０１４０】解像度が高くなるにつれて１フレーム期間
中のライン期間の数も増え、駆動回路を高い周波数で駆
動しなければならなくなる。
【０１４１】まず電源電圧線Ｖ１〜Ｖｘは一定の電源電
位に保たれている。そしてＥＬ素子１０６の対向電極の
電位である対向電位も一定の電位に保たれている。電源
電位は、電源電位がＥＬ素子１０６の画素電極に与えら
れるとＥＬ素子１０６が発光する程度に、対向電位との
間に電位差を有している。
【０１４２】第１のライン期間Ｌ１において、ゲート信
号線駆動回路１３２からゲート信号線Ｇ１に入力される
のゲート信号によって、ゲート信号線Ｇ１に接続された
全てのスイッチング用ＴＦＴ１０４はオンの状態にな
る。そして、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに順にソース信号
線駆動回路１３０からアナログ信号が入力される。ソー
ス信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力されたアナログ信号は、スイ
ッチング用ＴＦＴ１０４を介してＥＬ駆動用ＴＦＴ１０
５のゲート電極に入力される。
【０１４３】ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のチャネル形成領
域を流れる電流の大きさは、そのゲート電極に入力され
る信号の電位の高さ（電圧）によって制御される。よっ
て、ＥＬ素子１０６の画素電極に与えられる電位は、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極に入力されたアナロ
グ信号の電位の高さによって決まる。そしてＥＬ素子１
０５はアナログ信号の電位に制御されて発光を行う。な
お本実施例の場合、全ての画素に入力されるアナログ信
号は、同じ高さの電位に保たれている。
【０１４４】ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘへのアナログ信号
の入力が終了すると、第１のライン期間Ｌ１が終了す
る。なお、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘへのアナログ信号の
入力が終了するまでの期間と水平帰線期間とを合わせて
１つのライン期間としても良い。そして次に第２のライ
ン期間Ｌ２となり、ゲート信号線Ｇ１に接続された全て
のスイッチング用ＴＦＴ１０４はオフの状態になり、ゲ
ート信号線Ｇ２に入力されるゲート信号によって、ゲー
ト信号線Ｇ２に接続された全てのスイッチング用ＴＦＴ
１０４はオンの状態になる。そして第１のライン期間Ｌ
１と同様に、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに順にアナログ信
号が入力される。
【０１４５】そして上述した動作をゲート信号線Ｇｙま
で繰り返し、全てのライン期間Ｌ１〜Ｌｙが終了する。
全てのライン期間Ｌ１〜Ｌｙが終了すると、１フレーム
期間が終了する。１フレーム期間が終了することで、全
ての画素が有するＥＬ素子は発光を行う。なお全てのラ
イン期間Ｌ１〜Ｌｙと垂直帰線期間とを合わせて１フレ
ーム期間としても良い。
【０１４６】本発明では、全てのサンプリング期間ＳＴ
１〜ＳＴｙにおいて画素が発光する必要があり、よって
本実施例の駆動方法の場合、フレーム期間内にセンサフ
レーム期間ＳＦが含まれていることが重要である。
【０１４７】なお本実施例では、単色の画像を読み込む
エリアセンサの駆動方法について説明したが、カラー画
像を読み込む場合も同様である。ただしカラー画像を読
み込むエリアセンサの場合、１つのフレーム期間をＲＧ
Ｂに対応した３つのサブフレーム期間に分割する。そし
てＲ用のサブフレーム期間では、Ｒに対応する画素のＥ
Ｌ素子だけ発光するようなアナログ信号を全ての画素に
入力し、ＲのＥＬ素子だけ発光を行う。Ｇ用、Ｂ用のサ
ブフレーム期間においても同様に、各色に対応する画素
のＥＬ素子のみが発光を行うようにする。
【０１４８】そしてカラー画像を読み込むエリアセンサ
の場合、ＲＧＢに対応した３つのサブフレーム期間の各
サステイン期間は、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用センサフレーム期
間（ＳＦｒ、ＳＦｇ、ＳＦｂ）を含んでいることが重要
である。
【０１４９】なお本実施例の駆動方法において、センサ
部１０１に画像を表示させる場合は、アナログ信号の代
わりに画像情報を有するアナログのビデオ信号（アナロ
グビデオ信号）を入力すると、センサ部１０１に画像を
表示することが可能である。
【０１５０】（実施例５）本実施例では、本発明のエリ
アセンサのセンサ部における断面図について説明する。
【０１５１】図１０に本実施例のエリアセンサの断面図
を示す。４０１はスイッチング用ＴＦＴ、４０２はＥＬ
駆動用ＴＦＴ、４０３はリセット用ＴＦＴ、４０４はバ
ッファ用ＴＦＴ、４０５は選択用ＴＦＴである。
【０１５２】また、４０６はカソード電極、４０７は光
電変換層、４０８はアノード電極である。カソード電極
４０６と、光電変換層４０７と、アノード電極４０８と
によって、フォトダイオード４２１が形成される。４１
４はセンサ用配線であり、アノード電極４０８と外部の
電源とを接続している。
【０１５３】また４０９は画素電極（陰極）、４１０は
発光層、４１１は正孔注入層、４１２は対向電極（陽
極）である。画素電極（陰極）４０９と、発光層４１０
と、正孔注入層４１１と、対向電極（陽極）４１２とで
ＥＬ素子４２２が形成される。なお４１３はバンクであ
り、隣り合う画素同士の発光層４１０を区切っている。
【０１５４】４２３は被写体であり、ＥＬ素子４２２か
ら発せられた光が被写体４２３上で反射し、フォトダイ
オード４２１に照射される。本実施例では、被写体４２
３をセンサ基板４３０のＴＦＴが形成されている側に設
ける。
【０１５５】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
４０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４０２、バッファ用ＴＦＴ４
０４、選択用ＴＦＴ４０５は全てｎチャネル型ＴＦＴで
ある。またリセット用ＴＦＴ４０３はｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。なお本発明はこの構成に限定されない。よっ
てスイッチング用ＴＦＴ４０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４０
２、バッファ用ＴＦＴ４０４、選択用ＴＦＴ４０５、リ
セット用ＴＦＴ４０３は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャ
ネル型ＴＦＴのどちらでも良い。
【０１５６】ただし本実施例のように、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ４０２のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子の
陰極と電気的に接続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
４０２はｎチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。ま
た逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４０２のソース領域またはド
レイン領域がＥＬ素子の陽極と電気的に接続されている
場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ４０２はｐチャネル型ＴＦＴで
あることが望ましい。
【０１５７】また、本実施例のように、リセット用ＴＦ
Ｔ４０３のドレイン領域がフォトダイオード４２１のカ
ソード電極４０６とが電気的に接続されている場合、リ
セット用ＴＦＴ４０３はｐチャネル型ＴＦＴ、バッファ
用ＴＦＴ４０４はｎチャネル型ＴＦＴであることが望ま
しい。逆にリセット用ＴＦＴ４０３のドレイン領域がフ
ォトダイオード４２１のアノード電極４０８と電気的に
接続され、センサ用配線４１４がカソード電極４０６と
接続されている場合、リセット用ＴＦＴ４０３はｎチャ
ネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ４０４はｐチャネル型
ＴＦＴであることが望ましい。
【０１５８】なお本実施例は、実施例１〜実施例４と自
由に組み合わせることが可能である。
【０１５９】（実施例６）本実施例では、本発明のエリ
アセンサのセンサ部における断面図の、実施例５とは異
なる例について説明する。
【０１６０】図１１に本実施例のエリアセンサの断面図
を示す。５０１はスイッチング用ＴＦＴ、５０２はＥＬ
駆動用ＴＦＴ、５０３はリセット用ＴＦＴ、５０４はバ
ッファ用ＴＦＴ、５０５は選択用ＴＦＴである。
【０１６１】また、５０６はカソード電極、５０７は光
電変換層、５０８はアノード電極である。カソード電極
５０６と、光電変換層５０７と、アノード電極５０８と
によって、フォトダイオード５２１が形成される。５１
４はセンサ用配線であり、アノード電極５０８と外部の
電源とを電気的に接続している。また、フォトダイオー
ド５２１のカソード電極５０６とリセット用ＴＦＴ５０
３のドレイン領域とは電気的に接続されている。
【０１６２】また５０９は画素電極（陽極）、５１０は
ＥＬ層、５１１は対向電極（陰極）である。画素電極
（陽極）５０９と、ＥＬ層５１０と、対向電極（陰極）
５１１とでＥＬ素子５２２が形成される。なお５１２は
バンクであり、隣り合う画素同士のＥＬ層５１０を区切
っている。
【０１６３】５２３は被写体であり、ＥＬ素子５２２か
ら発せられた光が被写体５２３上で反射し、フォトダイ
オード５２１に照射される。本実施例では、実施例５と
異なり、被写体をセンサ基板５３０のＴＦＴが形成され
ていない側に設ける。
【０１６４】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
５０１、バッファ用ＴＦＴ５０４、選択用ＴＦＴ５０５
は全てｎチャネル型ＴＦＴである。またＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ５０２、リセット用ＴＦＴ５０３はｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。なお本発明はこの構成に限定されない。よっ
てスイッチング用ＴＦＴ５０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ５０
２、バッファ用ＴＦＴ５０４、選択用ＴＦＴ５０５、リ
セット用ＴＦＴ５０３は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャ
ネル型ＴＦＴのどちらでも良い。
【０１６５】ただし本実施例のように、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ５０２のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子５
２２の陽極５０９と電気的に接続されている場合、ＥＬ
駆動用ＴＦＴ５０２はｐチャネル型ＴＦＴであることが
望ましい。また逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ５０２のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子５２２の陰極と電気
的に接続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ５０２はｎ
チャネル型ＴＦＴであることが望ましい。
【０１６６】また、本実施例のように、リセット用ＴＦ
Ｔ５０３のドレイン領域がフォトダイオード５２１のカ
ソード電極５０６と電気的に接続されている場合、リセ
ット用ＴＦＴ５０３はｐチャネル型ＴＦＴ、バッファ用
ＴＦＴ５０４はｎチャネル型ＴＦＴであることが望まし
い。逆にリセット用ＴＦＴ５０３のドレイン領域がフォ
トダイオード５２１のアノード電極５０８と電気的に接
続され、センサ用配線５１４がカソード電極５０６と電
気的に接続されている場合、リセット用ＴＦＴ５０３は
ｎチャネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ５０４はｐチャ
ネル型ＴＦＴであることが望ましい。
【０１６７】なお本実施例のフォトダイオードは他のＴ
ＦＴと同時に形成することができるので、工程数を抑え
ることができる。
【０１６８】なお本実施例は、実施例１〜実施例４と自
由に組み合わせることが可能である。
【０１６９】（実施例７）本実施例では、本発明のエリ
アセンサのセンサ部における断面図の、実施例５、６と
は異なる例について説明する。
【０１７０】図１２に本実施例のエリアセンサの断面図
を示す。６０１はスイッチング用ＴＦＴ、６０２はＥＬ
駆動用ＴＦＴ、６０３はリセット用ＴＦＴ、６０４はバ
ッファ用ＴＦＴ、６０５は選択用ＴＦＴである。
【０１７１】また、６０６はカソード電極、６０７は光
電変換層、６０８はアノード電極である。カソード電極
６０６と、光電変換層６０７と、アノード電極６０８と
によって、フォトダイオード６２１が形成される。６１
４はセンサ用配線であり、アノード電極６０８と外部の
電源とを接続している。また、フォトダイオード６２１
のカソード電極６０６とリセット用ＴＦＴ６０３のドレ
イン領域とは電気的に接続されている
【０１７２】また６０９は画素電極（陽極）、６１０は
ＥＬ層、６１１は対向電極（陰極）である。画素電極
（陽極）６０９と、ＥＬ層６１０と、対向電極（陰極）
６１１とでＥＬ素子６２２が形成される。なお６１２は
バンクであり、隣り合う画素同士のＥＬ層６１０を区切
っている。
【０１７３】６２３は被写体であり、ＥＬ素子６２２か
ら発せられた光が被写体６２３上で反射し、フォトダイ
オード６２１に照射される。本実施例では、実施例５と
異なり、被写体５２３をセンサ基板６３０のＴＦＴが形
成されていない側に設ける。
【０１７４】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
６０１、バッファ用ＴＦＴ６０４、選択用ＴＦＴ６０５
は全てｎチャネル型ＴＦＴである。またＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ６０２、リセット用ＴＦＴ６０３はｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。なお本発明はこの構成に限定されない。よっ
てスイッチング用ＴＦＴ６０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０
２、バッファ用ＴＦＴ６０４、選択用ＴＦＴ６０５、リ
セット用ＴＦＴ６０３は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャ
ネル型ＴＦＴのどちらでも良い。
【０１７５】ただし本実施例のように、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ６０２のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子の
陽極と電気的に接続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ
６０２はｐチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。ま
た逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０２のソース領域またはド
レイン領域がＥＬ素子の陰極と電気的に接続されている
場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ６０２はｎチャネル型ＴＦＴで
あることが望ましい。
【０１７６】また、本実施例のように、リセット用ＴＦ
Ｔ６０３のドレイン領域がフォトダイオード６２１のカ
ソード電極６０６と電気的に接続されている場合、リセ
ット用ＴＦＴ６０３はｐチャネル型ＴＦＴ、バッファ用
ＴＦＴ６０４はｎチャネル型ＴＦＴであることが望まし
い。逆にリセット用ＴＦＴ６０３のドレイン領域がフォ
トダイオード６２１のアノード電極６０８と電気的に接
続されていて、センサ用配線６１４がカソード電極６０
６と接続されている場合、リセット用ＴＦＴ６０３はｎ
チャネル型ＴＦＴ、バッファ用ＴＦＴ６０４はｐチャネ
ル型ＴＦＴであることが望ましい。
【０１７７】なお本実施例は、実施例１〜実施例４と自
由に組み合わせることが可能である。
【０１７８】（実施例８）本実施例では、本発明のエリ
アセンサのセンサ部における断面図の、実施例５〜７と
は異なる例について説明する。
【０１７９】図１３に本実施例のエリアセンサの断面図
を示す。７０１はスイッチング用ＴＦＴ、７０２はＥＬ
駆動用ＴＦＴ、７０３はリセット用ＴＦＴ、７０４はバ
ッファ用ＴＦＴ、７０５は選択用ＴＦＴである。
【０１８０】また、７０６はカソード電極、７０７は光
電変換層、７０８はアノード電極である。カソード電極
７０６と、光電変換層７０７と、アノード電極７０８と
によって、フォトダイオード７２１が形成される。７１
４はセンサ用配線であり、カソード電極７０６と外部の
電源とを接続している。また、フォトダイオード７２１
のアノード電極７０８とリセット用ＴＦＴ７０３のドレ
イン領域とは電気的に接続されている
【０１８１】また７０９は画素電極（陰極）、７１０は
発光層、７１１は正孔注入層、７１２は対向電極（陽
極）である。画素電極（陰極）７０９と、発光層７１０
と、正孔注入層７１１と、対向電極（陽極）７１２とで
ＥＬ素子７２２が形成される。なお７１３はバンクであ
り、隣り合う画素同士の発光層７１０を区切っている。
【０１８２】７２３は被写体であり、ＥＬ素子７２２か
ら発せられた光が被写体７２３上で反射し、フォトダイ
オード７２１に照射される。本実施例では、被写体７２
３をセンサ基板７３０のＴＦＴが形成されている側に設
ける。
【０１８３】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
７０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０２、リセット用ＴＦＴ７
０３は全てｎチャネル型ＴＦＴである。またバッファ用
ＴＦＴ７０４、選択用ＴＦＴ７０５はｐチャネル型ＴＦ
Ｔである。なお本発明はこの構成に限定されない。よっ
てスイッチング用ＴＦＴ７０１、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０
２、バッファ用ＴＦＴ７０４、選択用ＴＦＴ７０５、リ
セット用ＴＦＴ７０３は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャ
ネル型ＴＦＴのどちらでも良い。
【０１８４】ただし本実施例のように、ＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ７０２のソース領域またはドレイン領域がＥＬ素子７
２２の陰極７０９と電気的に接続されている場合、ＥＬ
駆動用ＴＦＴ７０２はｎチャネル型ＴＦＴであることが
望ましい。また逆に、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０２のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子７２２の陽極７１２
と電気的に接続されている場合、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７０
２はｐチャネル型ＴＦＴであることが望ましい。
【０１８５】また、本実施例のように、リセット用ＴＦ
Ｔ７０３のドレイン領域がフォトダイオード７２１のア
ノード電極７０８と電気的に接続されている場合、リセ
ット用ＴＦＴ７０３はｎチャネル型ＴＦＴ、バッファ用
ＴＦＴ７０４はｐチャネル型ＴＦＴであることが望まし
い。逆にリセット用ＴＦＴ７０３のドレイン領域がフォ
トダイオード７２１のカソード電極７０６と接続され、
センサ用配線７１４がアノード電極７０８と接続されて
いる場合、リセット用ＴＦＴ７０３はｐチャネル型ＴＦ
Ｔ、バッファ用ＴＦＴ７０４はｎチャネル型ＴＦＴであ
ることが望ましい。
【０１８６】なお本実施例のフォトダイオード７２１は
他のＴＦＴと同時に形成することができるので、工程数
を抑えることができる。
【０１８７】なお本実施例は、実施例１〜実施例４と自
由に組み合わせることが可能である。
【０１８８】（実施例９）本発明のエリアセンサのセン
サ部の作製方法について、図１４〜図１６を用いて説明
する。
【０１８９】まず、図１４（Ａ）に示すように、ガラス
基板２００上に下地膜２０１を３００ｎｍの厚さに形成
する。本実施例では下地膜２０１として窒化酸化珪素膜
を積層して用いる。この時、ガラス基板２００に接する
方の窒素濃度を１０〜２５ｗｔ％としておくと良い。ま
た、下地膜２０１に放熱効果を持たせることは有効であ
り、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を設けて
も良い。
【０１９０】次に下地膜２０１の上に５０ｎｍの厚さの
非晶質珪素膜（図示せず）を公知の成膜法で形成する。
なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質構造
を含む半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば良
い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質
構造を含む化合物半導体膜でも良い。また、膜厚は２０
〜１００ｎｍの厚さであれば良い。
【０１９１】そして、公知の技術により非晶質珪素膜を
結晶化し、結晶質珪素膜（多結晶シリコン膜若しくはポ
リシリコン膜ともいう）２０２を形成する。公知の結晶
化方法としては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レー
ザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用
いたランプアニール結晶化法がある。本実施例では、Ｘ
ｅＣｌガスを用いたエキシマレーザー光を用いて結晶化
する。
【０１９２】なお、本実施例では線状に加工したパルス
発振型のエキシマレーザー光を用いるが、矩形であって
も良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続発振
型のエキシマレーザー光を用いることもできる。
【０１９３】また、本実施例では結晶質珪素膜をＴＦＴ
の活性層として用いるが、非晶質珪素膜を用いることも
可能である。
【０１９４】なお、オフ電流を低減する必要のあるスイ
ッチング用ＴＦＴの活性層を非晶質珪素膜で形成し、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴの活性層を結晶質珪素膜で形成すること
は有効である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いた
め電流を流しにくくオフ電流が流れにくい。即ち、電流
を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪
素膜の両者の利点を生かすことができる。
【０１９５】次に、図１４（Ｂ）に示すように、結晶質
珪素膜２０２上に酸化珪素膜でなる保護膜２０３を１３
０ｎｍの厚さに形成する。この厚さは１００〜２００ｎ
ｍ（好ましくは１３０〜１７０ｎｍ）の範囲で選べば良
い。また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。
この保護膜２０３は不純物を添加する際に結晶質珪素膜
が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な
濃度制御を可能にするために設ける。
【０１９６】そして、その上にレジストマスク２０４
a、２０４ｂ、２０４ｃを形成し、保護膜２０３を介し
てｎ型を付与する不純物元素（以下、ｎ型不純物元素と
いう）を添加する。なお、ｎ型不純物元素としては、代
表的には周期表の１５族に属する元素、典型的にはリン
又は砒素を用いることができる。なお、本実施例ではフ
ォスフィン（ＰＨ3）を質量分離しないでプラズマ励起
したプラズマドーピング法を用い、リンを１×１０18at
oms/cm3の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオ
ンインプランテーション法を用いても良い。
【０１９７】この工程により形成されるｎ型不純物領域
（ｂ）２０５ａ、２０５ｂには、ｎ型不純物元素が２×
１０16〜５×１０19atoms/cm3（代表的には５×１０17
〜５×１０18atoms/cm3）の濃度で含まれるようにドー
ズ量を調節する。
【０１９８】次に、図１４（Ｃ）に示すように、保護膜
２０３、レジストマスク２０４ａ、２０４ｂ、２０４ｃ
を除去し、添加したｎ型不純物元素の活性化を行う。活
性化手段は公知の技術を用いれば良いが、本実施例では
エキシマレーザー光の照射（レーザーアニール）により
活性化する。勿論、パルス発振型でも連続発振型でも良
いし、エキシマレーザー光に限定する必要はない。但
し、添加された不純物元素の活性化が目的であるので、
結晶質珪素膜が溶融しない程度のエネルギーで照射する
ことが好ましい。なお、保護膜２０３をつけたままレー
ザー光を照射しても良い。
【０１９９】なお、このレーザー光による不純物元素の
活性化に際して、熱処理（ファーネスアニール）による
活性化を併用しても構わない。熱処理による活性化を行
う場合は、基板の耐熱性を考慮して４５０〜５５０℃程
度の熱処理を行えば良い。
【０２００】この工程によりｎ型不純物領域（ｂ）２０
５ａ、２０５ｂの端部、即ち、ｎ型不純物領域（ｂ）２
０５ａ、２０５ｂの周囲に存在するｎ型不純物元素を添
加していない領域との境界部（接合部）が明確になる。
このことは、後にＴＦＴが完成した時点において、ＬＤ
Ｄ領域とチャネル形成領域とが非常に良好な接合部を形
成しうることを意味する。
【０２０１】次に、図１４（Ｄ）に示すように、結晶質
珪素膜の不要な部分を除去して、島状の半導体膜（以
下、活性層という）２０６〜２１０を形成する。
【０２０２】次に、図１５（Ａ）に示すように、活性層
２０６〜２１０を覆ってゲート絶縁膜２１１を形成す
る。ゲート絶縁膜２１１としては、１０〜２００ｎｍ、
好ましくは５０〜１５０ｎｍの厚さの珪素を含む絶縁膜
を用いれば良い。これは単層構造でも積層構造でも良
い。本実施例では１１０ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用い
る。
【０２０３】次に、２００〜４００ｎｍ厚の導電膜を形
成し、パターニングしてゲート電極２１２〜２１６を形
成する。なお本実施例では、ゲート電極とゲート電極に
電気的に接続された引き回しのための配線（以下、ゲー
ト配線という）とを同一材料で形成している。勿論、ゲ
ート電極と、ゲート配線とを別の材料で形成しても良
い。具体的にはゲート電極よりも低抵抗な材料をゲート
配線として用いても良い。これは、ゲート電極としては
微細加工が可能な材料を用い、ゲート配線には微細加工
はできなくとも配線抵抗が小さい材料を用いるためであ
る。このような構造とすることでゲート配線の配線抵抗
を非常に小さくすることができるため、面積の大きいセ
ンサ部を形成することができる。即ち、画面の大きさが
対角１０インチ以上（さらには３０インチ以上）のセン
サ部を有するエリアセンサを実現する上で、上記の画素
構造は極めて有効である。
【０２０４】また、ゲート電極は単層の導電膜で形成し
ても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜と
することが好ましい。ゲート電極２１２〜２１６の材料
としては公知のあらゆる導電膜を用いることができる。
【０２０５】代表的には、アルミニウム（Ａｌ）、タン
タル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓ
ｉ）から選ばれた元素でなる膜、または前記元素の窒化
物膜（代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン
膜、窒化チタン膜）、または前記元素を組み合わせた合
金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、ま
たは前記元素のシリサイド膜（代表的にはタングステン
シリサイド膜、チタンシリサイド膜）を用いることがで
きる。勿論、単層で用いても積層して用いても良い。
【０２０６】本実施例では、３０ｎｍ厚の窒化タングス
テン（ＷＮ）膜と、３７０ｎｍ厚のタングステン（Ｗ）
膜とでなる積層膜を用いる。これはスパッタ法で形成す
れば良い。また、スパッタガスとしてＸｅ、Ｎｅ等の不
活性ガスを添加すると応力による膜はがれを防止するこ
とができる。
【０２０７】またこの時、ゲート電極２１３、２１６は
それぞれｎ型不純物領域（ｂ）２０５ａ、２０５ｂの一
部とゲート絶縁膜２１１を介して重なるように形成す
る。この重なった部分が後にゲート電極と重なったＬＤ
Ｄ領域となる。
【０２０８】次に、図１５（Ｂ）に示すように、ゲート
電極２１２〜２１６をマスクとして自己整合的にｎ型不
純物元素（本実施例ではリン）を添加する。こうして形
成されるｎ型不純物領域（ｃ）２１７〜２２４にはｎ型
不純物領域（ｂ）２０５ａ、２０５ｂの１／２〜１／１
０（代表的には１／３〜１／４）の濃度でリンが添加さ
れるように調節する。具体的には、１×１０16〜５×１
０18atoms/cm3（典型的には３×１０17〜３×１０18ato
ms/cm3）の濃度が好ましい。
【０２０９】次に、図１５（Ｃ）に示すように、ゲート
電極２１２、２１４、２１５を覆う形でレジストマスク
２２５ａ〜２２５ｃを形成し、ｎ型不純物元素（本実施
例ではリン）を添加して高濃度にリンを含むｎ型不純物
領域（ａ）２２６〜２３３を形成する。ここでもフォス
フィン（ＰＨ3）を用いたイオンドープ法で行い、この
領域のリンの濃度は１×１０20〜１×１０21atoms/cm3
（代表的には２×１０2 0〜５×１０21atoms/cm3）とな
るように調節する。
【０２１０】この工程によってｎチャネル型ＴＦＴのソ
ース領域若しくはドレイン領域が形成される。そしてｎ
チャネル型ＴＦＴでは、図１５（Ｂ）の工程で形成した
ｎ型不純物領域２１７、２１８、２２２、２２３の一部
を残す。この残された領域がＬＤＤ領域となる。
【０２１１】次に、図１５（Ｄ）に示すように、レジス
トマスク２２５ａ〜２２５ｃを除去し、新たにレジスト
マスク２３４ａ、２３４ｂを形成する。そして、ｐ型不
純物元素（本実施例ではボロン）を添加し、高濃度にボ
ロンを含むｐ型不純物領域２３５、２３６を形成する。
ここではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法に
より３×１０20〜３×１０21atoms/cm3（代表的には５
×１０20〜１×１０21atoms/cm3ノ）濃度となるようにボ
ロンを添加する。
【０２１２】なお、不純物領域２３５、２３６には既に
１×１０20〜１×１０21atoms/cm3の濃度でリンが添加
されているが、ここで添加されるボロンはその少なくと
も３倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成さ
れていたｎ型の不純物領域は完全にｐ型に反転し、ｐ型
の不純物領域として機能する。
【０２１３】次に、レジストマスク２３４ａ、２３４ｂ
を除去した後、それぞれの濃度で添加されたｎ型または
ｐ型不純物元素を活性化する。活性化手段としては、フ
ァーネスアニール法、レーザーアニール法、またはラン
プアニール法で行うことができる。本実施例では電熱炉
において窒素雰囲気中、５５０℃、４時間の熱処理を行
う。
【０２１４】このとき雰囲気中の酸素を極力排除するこ
とが重要である。なぜならば酸素が少しでも存在してい
ると露呈したゲート電極の表面が酸化され、抵抗の増加
を招くからである。従って、上記活性化工程における処
理雰囲気中の酸素濃度は１ｐｐｍ以下、好ましくは０．
１ｐｐｍ以下とすることが望ましい。
【０２１５】次に、図１６（Ａ）に示すように、第１層
間絶縁膜２３７を形成する。第１層間絶縁膜２３７とし
ては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、その中で組
み合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は４００
ｎｍ〜１．５μmとすれば良い。本実施例では、２００
ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜の上に８００ｎｍ厚の酸化珪素
膜を積層した構造とする。
【０２１６】さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気
中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い
水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素に
より半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。
水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマに
より励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０２１７】なお、水素化処理は第１層間絶縁膜２３７
を形成する間に入れても良い。即ち、２００ｎｍ厚の窒
化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を
行い、その後で残り８００ｎｍ厚の酸化珪素膜を形成し
ても構わない。
【０２１８】次に、ゲート絶縁膜２１１及び第１層間絶
縁膜２３７に対してコンタクトホールを形成し、ソース
配線２３８〜２４２と、ドレイン配線２４３〜２４７を
形成する。なお、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１
００ｎｍ、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００ｎｍ、Ｔ
ｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続形成した３層構造の
積層膜とする。勿論、他の導電膜でも良い。
【０２１９】次に、５０〜５００ｎｍ（代表的には２０
０〜３００ｎｍ）の厚さで第１パッシベーション膜２４
８を形成する。本実施例では第１パッシベーション膜２
４８として３００ｎｍ厚の窒化酸化珪素膜を用いる。こ
れは窒化珪素膜で代用しても良い。なお、窒化酸化珪素
膜の形成に先立ってＨ2、ＮＨ3等水素を含むガスを用い
てプラズマ処理を行うことは有効である。この前処理に
より励起された水素が第１層間絶縁膜２３７に供給さ
れ、熱処理を行うことで、第１パッシベーション膜２４
８の膜質が改善される。それと同時に、第１層間絶縁膜
２３７に添加された水素が下層側に拡散するため、効果
的に活性層を水素化することができる。
【０２２０】次に、図１６（Ｂ）に示すように有機樹脂
からなる第２層間絶縁膜２４９を形成する。有機樹脂と
してはポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベ
ンゾシクロブテン）等を使用することができる。特に、
第２層間絶縁膜２４９は平坦化の意味合いが強いので、
平坦性に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦ
Ｔによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚で
アクリル膜を形成する。好ましくは１〜５μm（さらに
好ましくは２〜４μm）とすれば良い。
【０２２１】次に、第２層間絶縁膜２４９及び第１パッ
シベーション膜２４８にドレイン配線２４５に達するコ
ンタクトホールを形成し、ドレイン配線２４５に接する
ようにフォトダイオードのカソード電極２５０を形成す
る。本実施例では、カソード電極２５０としてスパッタ
法によって形成したアルミニウム膜を用いたが、その他
の金属、例えばチタン、タンタル、タングステン、銅を
用いることができる。また、チタン、アルミニウム、チ
タンでなる積層膜を用いてもよい。
【０２２２】次に、水素を含有する非晶質珪素膜を基板
全面に成膜した後にパターニングし、光電変換層２５１
を形成する。次に、基板全面に透明導電膜を形成する。
本実施例では透明導電膜として厚さ２００ｎｍのＩＴＯ
をスパッタ法で成膜する。透明導電膜をパターニング
し、アノード電極２５２を形成する。（図１６（Ｃ））
【０２２３】次に、図１７（Ａ）に示すように第３層間
絶縁膜２５３を形成する。第３層間絶縁膜２５３とし
て、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アク
リル等の樹脂を用いることで、平坦な表面を得ることが
できる。本実施例では、第３層間絶縁膜２５３として厚
さ０．７μｍのポリイミド膜を基板全面に形成した。
【０２２４】次に、第３層間絶縁膜２５３、第２層間絶
縁膜２４９及び第１パッシベーション膜２４８にドレイ
ン配線２４７に達するコンタクトホールを形成し、画素
電極２５５を形成する。また第３層間絶縁膜２５３に、
アノード電極２５２に達するコンタクトホールを形成
し、センサ用配線２５４を形成する。本実施例ではアル
ミニウム合金膜（１wt%のチタンを含有したアルミニウ
ム膜）を３００ｎｍの厚さに形成し、パターニングを行
ってセンサ用配線２５４及び画素電極２５５を同時に形
成する。
【０２２５】次に、図１７（Ｂ）に示すように、樹脂材
料でなるバンク２５６を形成する。バンク２５６は１〜
２μm厚のアクリル膜またはポリイミド膜をパターニン
グして形成すれば良い。バンク２５６はソース配線２４
１上に沿って形成しても良いし、ゲート配線（図示せ
ず）上に沿って形成しても良い。なおバンク２５６を形
成している樹脂材料に顔料等を混ぜ、バンク２５６を遮
蔽膜として用いても良い。
【０２２６】次に、発光層２５７を形成する。具体的に
は、発光層２５７となる有機ＥＬ材料をクロロフォル
ム、ジクロロメタン、キシレン、トルエン、テトラヒド
ロフラン等の溶媒に溶かして塗布し、その後、熱処理を
行うことにより溶媒を揮発させる。こうして有機ＥＬ材
料でなる被膜（発光層）が形成される。
【０２２７】なお、本実施例では一画素しか図示されて
いないが、このとき同時に赤色に発光する発光層、緑色
に発光する発光層及び青色に発光する発光層が形成され
る。本実施例では、赤色に発光する発光層としてシアノ
ポリフェニレンビニレン、緑色に発光する発光層として
ポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層として
ポリアルキルフェニレンを各々５０ｎｍの厚さに形成す
る。また、溶媒としては１，２−ジクロロメタンを用
い、８０〜１５０℃のホットプレートで１〜５分の熱処
理を行って揮発させる。
【０２２８】次に、正孔注入層２５８を２０ｎｍの厚さ
に形成する。正孔注入層２５８は全ての画素に共通で設
ければ良いので、スピンコート法または印刷法を用いて
形成すれば良い。本実施例ではポリチオフェン（ＰＥＤ
ＯＴ）を水溶液として塗布し、１００〜１５０℃のホッ
トプレートで１〜５分の熱処理を行って水分を揮発させ
る。この場合、ポリフェニレンビニレンやポリアルキル
フェニレンが水に溶けないため、発光層２５７を溶解さ
せることなく正孔注入層２５８を形成することが可能で
ある。
【０２２９】なお、正孔注入層２５８として低分子系有
機ＥＬ材料を用いることも可能である。その場合は、蒸
着法を用いて形成すれば良い。
【０２３０】本実施例ではＥＬ層を発光層及び正孔注入
層でなる２層構造とするが、その他に正孔輸送層、電子
注入層、電子輸送層等を設けても構わない。このように
組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいず
れの構成を用いても構わない。
【０２３１】発光層２５７及び正孔注入層２５８を形成
したら、対向電極として透明導電膜でなる陽極２５９を
１２０ｎｍの厚さに形成する。本実施例では、酸化イン
ジウムに１０〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を添加した透明導
電膜を用いる。成膜方法は、発光層２５７や正孔注入層
２５８を劣化させないように室温で蒸着法により形成す
ることが好ましい。
【０２３２】陽極２５９を形成したら、図１７（Ｂ）に
示すように第４層間絶縁膜２６０を形成する。第４層間
絶縁膜２６０として、ポリイミド、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、アクリル等の樹脂を用いることで、平坦な
表面を得ることができる。本実施例では、第４層間絶縁
膜２６０として厚さ０．７μｍのポリイミド膜を基板全
面に形成した。
【０２３３】こうして図１７（Ｂ）に示すような構造の
センサ基板が完成する。なお、バンク２５６を形成した
後、第４層間絶縁膜２６０を形成するまでの工程をマル
チチャンバー方式（またはインライン方式）の薄膜形成
装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは
有効である。
【０２３４】２７０はバッファ用ＴＦＴ、２７１は選択
用ＴＦＴ、２７２はリセット用ＴＦＴ、２７３はスイッ
チング用ＴＦＴ、２７４はＥＬ駆動用ＴＦＴである。
【０２３５】本実施例では、バッファ用ＴＦＴ２７０及
びスイッチング用ＴＦＴ２７３がｎチャネル型ＴＦＴで
あり、それぞれソース領域側とドレイン領域側の両方に
それぞれＬＤＤ領域２８１〜２８４を有している。なお
このＬＤＤ領域２８１〜２８４はゲート絶縁膜２１１を
間に介してゲート電極２１２、２１５と重なっていな
い。上記構成により、バッファ用ＴＦＴ２７０及びスイ
ッチング用ＴＦＴ２７３は、極力ホットキャリア注入を
低減させることができる。
【０２３６】また本実施例では、選択用ＴＦＴ２７１及
びＥＬ駆動用ＴＦＴ２７４がｎチャネル型ＴＦＴであ
り、それぞれドレイン領域側にのみそれぞれＬＤＤ領域
２８３、２８６を有している。なおこのＬＤＤ領域２８
３、２８６はゲート絶縁膜２１１を間に介してゲート電
極２１３、２１６と重なっている。
【０２３７】ドレイン領域側のみにＬＤＤ領域２８３、
２８６を形成しているのは、ホットキャリア注入を低減
させ、なおかつ動作速度を落とさないための配慮であ
る。また、この選択用ＴＦＴ２７１及びＥＬ駆動用ＴＦ
Ｔ２７４はオフ電流値をあまり気にする必要はなく、そ
れよりも動作速度を重視した方が良い。従って、ＬＤＤ
領域２８３、２８６は完全にゲート電極２１３、２１６
と重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが望ま
しい。即ち、いわゆるオフセットはなくした方がよい。
特に、ソース信号線駆動回路又はゲート信号線駆動回路
を１５Ｖ〜２０Ｖで駆動させる場合、本実施例のＥＬ駆
動用ＴＦＴ２７４の上記構成は、ホットキャリア注入を
低減させ、なおかつ動作速度を落とさないのに有効であ
る。
【０２３８】また本実施例では、リセット用ＴＦＴ２７
２はｐチャネル型ＴＦＴであり、ＬＤＤ領域を有してい
ない。ｐチャネル型ＴＦＴは、ホットキャリア注入によ
る劣化が殆ど気にならないので、特にＬＤＤ領域を設け
なくても良い。勿論、ｎチャネル型ＴＦＴと同様にＬＤ
Ｄ領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能
である。また、リセット用ＴＦＴ２７２がｎチャネル型
ＴＦＴであっても良い。
【０２３９】なお、実際には図１７（Ｂ）まで完成した
ら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線
硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケ
ージング（封入）することが好ましい。その際、シーリ
ング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材
料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子
の信頼性が向上する。
【０２４０】また、パッケージング等の処理により気密
性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引
き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネ
クター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を
取り付けて製品として完成する。このような出荷できる
状態にまでした状態を本明細書中ではエリアセンサとい
う。
【０２４１】なお、本発明は上述した作製方法に限定さ
れず、公知の方法を用いて作製することが可能である。
なお本実施例は、実施例１〜実施例４と自由に組み合わ
せることが可能である。
【０２４２】（実施例１０）本発明を用いたエリアセン
サの作製方法について、図１８〜図２１を用いて説明す
る。
【０２４３】図１８において、基板３００には、例えば
コーニング社の１７３７ガラス基板に代表される無アル
カリガラス基板を用いた。そして、基板３００のＴＦＴ
が形成される表面に、下地膜３０１をプラズマＣＶＤ法
やスパッタ法で形成した。下地膜３０１は図示していな
いが、窒化珪素膜を２５〜１００ｎｍ（ここでは５０ｎ
ｍの厚さ）と、酸化シリコン膜を５０〜３００ｎｍ（こ
こでは１５０ｎｍの厚さ）とを形成した。また、下地膜
３０１は、窒化珪素膜や窒化酸化シリコン膜のみを用い
ても良い。
【０２４４】次に、この下地膜３０１の上に５０ｎｍの
厚さの、非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成した。
非晶質珪素膜は含有水素量にもよるが、好ましくは４０
０〜５５０℃で数時間加熱して脱水素処理を行い、含有
水素量を５atom％以下として、結晶化の工程を行うこと
が望ましい。また、非晶質珪素膜をスパッタ法や蒸着法
などの他の作製方法で形成しても良いが、膜中に含まれ
る酸素、窒素などの不純物元素を十分低減させておくこ
とが望ましい。
【０２４５】ここで、下地膜と非晶質珪素膜とはいずれ
もプラズマＣＶＤ法で作製されるものであり、このとき
下地膜と非晶質珪素膜を真空中で連続して形成しても良
い。下地膜３０１を形成後、一旦大気雰囲気にさらされ
ない工程にすることにより、表面の汚染を防ぐことが可
能となり、作製されるＴＦＴの特性バラツキを低減させ
ることができた。
【０２４６】そして、公知の技術により非晶質珪素膜を
結晶化し、結晶質珪素膜（多結晶シリコン膜若しくはポ
リシリコン膜ともいう）３０２を形成する。（図１８
（Ａ））公知の結晶化方法としては、電熱炉を使用した
熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニール結
晶化法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法があ
る。本実施例では、ＸｅＣｌガスを用いたエキシマレー
ザー光を用いて結晶化する。
【０２４７】なお、本実施例では線状に加工したパルス
発振型のエキシマレーザー光を用いるが、矩形であって
も良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続発振
型のエキシマレーザー光を用いることもできる。
【０２４８】また、本実施例では結晶質珪素膜３０２を
ＴＦＴの活性層として用いるが、非晶質珪素膜を活性層
として用いることも可能である。
【０２４９】なお、オフ電流を低減する必要のあるスイ
ッチング用ＴＦＴの活性層を非晶質珪素膜で形成し、Ｅ
Ｌ駆動用ＴＦＴの活性層を結晶質珪素膜で形成すること
は有効である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いた
め電流を流しにくくオフ電流が流れにくい。即ち、電流
を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪
素膜の両者の利点を生かすことができる。
【０２５０】こうして形成された結晶質珪素膜３０２を
パターニングして、島状の半導体層（以下、活性層とい
う）３０３〜３０８を形成した。
【０２５１】次に、活性層３０３〜３０８を覆って、酸
化シリコンまたは窒化珪素を主成分とするゲート絶縁膜
３０９を形成した。ゲート絶縁膜３０９は、プラズマＣ
ＶＤ法でＮ2ＯとＳｉＨ4を原料とした窒化酸化シリコン
膜を１０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍの
厚さで形成すれば良い。ここでは１００ｎｍの厚さに形
成した。（図１８（Ｂ））
【０２５２】そして、ゲート絶縁膜３０９の表面に第１
のゲート電極となる第１の導電膜３１０と、第２のゲー
ト電極となる第２の導電膜３１１とを形成した。第１の
導電膜３１０はＳｉ、Ｇｅから選ばれた一種の元素、ま
たはこれらの元素を主成分とする半導体膜で形成すれば
良い。また、第１の導電膜３１０の厚さは５〜５００ｎ
ｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍとする必要がある。ここ
では、２０ｎｍの厚さでＳｉ膜を形成した。
【０２５３】第１の導電膜３１０として使用する半導体
膜にはｎ型あるいはｐ型の導電型を付与する不純物元素
が添加されていても良い。この半導体膜の作製法は公知
の方法に従えば良く、例えば、減圧ＣＶＤ法で基板温度
を４５０〜５００℃として、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を２
５０ＳＣＣＭ、ヘリウム（Ｈｅ）を３００ＳＣＣＭ導入
して作製することができる。このとき同時に、Ｓｉ2Ｈ6
に対してＰＨ3を０．１〜２％混入させてｎ型の半導体
膜を形成しても良い。
【０２５４】第２のゲート電極となる第２の導電膜３１
１は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏから選ばれた元素、あるい
はこれらの元素を主成分とする化合物で形成すれば良
い。これはゲート電極の電気抵抗を下げるために考慮さ
れるものであり、例えば、Ｍｏ−Ｗ化合物を用いても良
い。ここでは、Ｔａを使用し、スパッタ法で、２００〜
１０００ｎｍ、代表的には４００ｎｍの厚さに形成し
た。（図１８（Ｃ））
【０２５５】次に公知のパターニング技術を使ってレジ
ストマスクを形成し、第２の導電膜３１１をエッチング
して第２のゲート電極３１２〜３１７を形成する工程を
行った。第２の導電膜３１１はＴａ膜で形成されている
ので、ドライエッチング法により行った。ドライエッチ
ングの条件として、Ｃｌ2を８０ＳＣＣＭ導入して１０
０ｍＴｏｒｒ、で５００Ｗの高周波電力を投入して行っ
た。そして、図１８（Ｄ）に示すように第２のゲート電
極３１２〜３１７を形成した。
【０２５６】エッチング後わずかに残さが確認されて
も、ＳＰＸ洗浄液やＥＫＣなどの溶液で洗浄することに
より除去することができる。
【０２５７】また、第２の導電膜３１１はウエットエッ
チング法で除去することもできた。例えば、Ｔａの場
合、フッ酸系のエッチング液で容易に除去することがで
きた。
【０２５８】そして、ｎ型の不純物元素を添加する工程
を行った。この工程はＬＤＤ領域を形成するための工程
であった。ここでは、フォスフィン（ＰＨ3）を用いた
イオンドープ法で行った。この工程では、ゲート絶縁膜
３０９と第１の導電膜３１０を通してその下の活性層３
０３〜３０８にリンを添加するために、加速電圧は８０
ｋｅＶと高めに設定した。活性層３０３〜３０８に添加
されるリンの濃度は、１×１０16〜１×１０19atoms/cm
3の範囲にするのが好ましく、ここでは１×１０18atoms
/cm3とした。そして、活性層にリンが上記濃度で添加さ
れた領域（ｎ-領域）３２０〜３３１が形成された。(図
１８（Ｄ）)
【０２５９】このとき、第１の導電膜３１０の、第２の
ゲート電極３１２〜３１７と重ならない領域にもリンが
添加された。この領域のリン濃度は特に規定されるもの
ではないが、第１の導電膜３１０の抵抗率を下げる効果
が得られた。
【０２６０】次にｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域
をレジストマスク３３２、３３４で覆って、第１の導電
膜３１０の一部を除去する工程を行った。ここでは、ド
ライエッチング法により行った。第１の導電膜３１０は
Ｓｉであり、ドライエッチングの条件として、ＣＦ4を
５０ＳＣＣＭ、Ｏ2を４５ＳＣＣＭ導入して５０ｍＴｏ
ｒｒで２００Ｗの高周波電力を投入して行った。その結
果、第１の導電膜の一部３３６、３３８及び第１のゲー
ト電極３３７、３３９が残った。
【０２６１】そして、ｐチャネル型ＴＦＴが形成される
領域に、ｐ型の不純物元素を添加する工程を行った。こ
こではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いてイオンドープ法で添
加した。ここでも加速電圧を８０ｋｅＶとして、２×１
０20atoms/cm3の濃度にボロンを添加した。そして、図
１９（Ａ）に示すようにボロンが高濃度に添加された不
純物領域（ｐ+領域）３４０〜３４３が形成された。
【０２６２】さらに、レジストマスク３３２、３３４を
完全に除去して、再度レジストマスク３４８〜３５３を
形成した。そして、レジストマスク３４８、３４９、３
５１、３５２を用い、第１の導電膜の一部３３６、３３
８をエッチングし、新たに第１の導電膜の一部３５４、
３５５、３５７及び第１のゲート電極３５６を形成し
た。
【０２６３】そして、ｎ型の不純物元素を添加する工程
を行った。ここでは、フォスフィン（ＰＨ3）を用いた
イオンドープ法で行った。この工程でも、ゲート絶縁膜
３０９を通してその下の活性層にリンを添加するため、
加速電圧は８０ｋｅＶと高めに設定した。そして、リン
が添加された領域（ｎ+領域）３５８〜３６５が形成さ
れた。この領域のリンの濃度はｎ―領域と比較して高濃
度であり、１×１０19〜１×１０21atoms/cm3とするの
が好ましく、ここでは１×１０20atoms/cm3とした（図
１９（Ｂ））。本工程で、ｎ―領域３２０、３２１、３
２２、３２３、３２８、３２９のレジストマスク３４
８、３４９、３５２で覆われた領域が、ＬＤＤ領域とし
て確定した。
【０２６４】さらに、レジストマスク３４８〜３５３を
除去して新たにレジストマスク３６６〜３７１を形成し
た。レジストマスク３６６、３６７、３７０は第１の導
電膜の一部３５４、３５５、３５７から第１のゲート電
極を形成する目的で設けられるものであり、このレジス
トマスクの長さにより、ＬＤＤ領域がゲート絶縁膜３０
９を間に介して第１のゲート電極と重なる領域と、重な
らない領域をある範囲で自由に決めることができた。こ
の工程において、ｎチャネル型ＴＦＴに形成されるレジ
ストマスク３６６、３６７、３７０のチャネル長方向の
長さはＴＦＴのチャネル形成領域の構造を決める上で重
要であった（図１９（Ｃ））。
【０２６５】そして図２０（Ａ）に示すように第１のゲ
ート電極３７２、３７３、３５９、３７４が形成され
た。
【０２６６】次に、レジストマスク３６６〜３７１を除
去し、絶縁膜３７５、第１層間絶縁膜３７６を形成する
工程を行った。最初に窒化珪素からなる絶縁膜３７５を
５０ｎｍの厚さに成膜した。絶縁膜３７５はプラズマＣ
ＶＤ法で形成され、ＳｉＨ4を５ＳＣＣＭ、ＮＨ3を４０
ＳＣＣＭ、Ｎ2を１００ＳＣＣＭ導入して０．７Ｔｏｒ
ｒ、３００Ｗの高周波電力を投入した。そして、続いて
第１層間絶縁膜３７６として酸化シリコン膜を、ＴＥＯ
Ｓを５００ＳＣＣＭ、Ｏ2を５０ＳＣＣＭ導入し１Ｔｏ
ｒｒ、２００Ｗの高周波電力を投入して９５０ｎｍの厚
さに成膜した。
【０２６７】そして、熱処理の工程を行った。熱処理の
工程は、それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型を
付与する不純物元素を活性化するために行う必要があっ
た。この工程は、電気加熱炉を用いた熱アニール法や、
前述のエキシマレーザーを用いたレーザーアニール法
や、ハロゲンランプを用いたラピットサーマルアニール
法（ＲＴＡ法）で行えば良い。ここでは熱アニール法で
活性化の工程を行った。加熱処理は、窒素雰囲気中にお
いて３００〜７００℃、好ましくは３５０〜５５０℃、
ここでは４５０℃、２時間の処理を行った。
【０２６８】次に、第１層間絶縁膜３７６と絶縁膜３７
５に、それぞれのＴＦＴのソース領域と、ドレイン領域
に達するコンタクトホールを形成し、ソース配線３７７
〜３８２とドレイン配線３８３〜３８８を形成した。図
示していないが、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１
００ｎｍ、Ｔｉを含むＡｌ膜３００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０
ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の電極と
して用いた（図２０（Ｂ））。
【０２６９】そして、ソース配線３７７〜３８２と、ド
レイン配線３８３〜３８８と、第１層間絶縁膜３７６を
覆ってパッシベーション膜３９０を形成した。パッシベ
ーション膜３９０は、窒化珪素膜で５０ｎｍの厚さで形
成した。さらに、有機樹脂からなる第２層間絶縁膜３９
１を約１０００ｎｍの厚さに形成した。有機樹脂膜とし
ては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド等を使
用することができる。有機樹脂膜を用いることの利点
は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率が低いので、
寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる点などが上げ
られる。なお上述した以外の有機樹脂膜を用いることも
できる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプの
ポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成した（図２
０（Ｃ））。
【０２７０】次に、第２層間絶縁膜３９１及びパッシベ
ーション膜３９０に、ドレイン配線３８８、３８６に達
するコンタクトホールを形成し、画素電極３９２、セン
サ用配線３９３を形成する。本実施例では酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成し、パ
ターニングを行ってセンサ用配線３９３及び画素電極３
９２を同時に形成する。また、酸化インジウムに２〜２
０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用い
ても良い。この画素電極３９２がＥＬ素子の陽極となる
（図２１（Ａ））。
【０２７１】次に、樹脂材料でなるバンク３９４を形成
する。バンク３９４は１〜２μm厚のアクリル膜または
ポリイミド膜をパターニングして形成すれば良い。この
バンク３９４は画素と画素との間にストライプ状に形成
される。バンク３９４はソース配線３８１上に沿って形
成しても良いし、ゲート配線（図示せず）上に沿って形
成しても良い。なおバンク３９４を形成している樹脂材
料に顔料等を混ぜ、バンク３９４を遮蔽膜として用いて
も良い。
【０２７２】次に、ＥＬ層３９５及び陰極（ＭｇＡｇ電
極）３９６を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連
続形成する。なお、ＥＬ層３９５の膜厚は８０〜２００
ｎｍ（典型的には１００〜１２０ｎｍ）、陰極３９６の
厚さは１８０〜３００ｎｍ（典型的には２００〜２５０
ｎｍ）とすれば良い。なお、本実施例では一画素しか図
示されていないが、このとき同時に赤色に発光するＥＬ
層、緑色に発光するＥＬ層及び青色に発光するＥＬ層が
形成される。
【０２７３】この工程では、赤色に対応する画素、緑色
に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次Ｅ
Ｌ層３９５及び陰極３９６を形成する。但し、ＥＬ層３
９５は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフ
ィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。
そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必
要箇所だけ選択的にＥＬ層３９５及び陰極３９６を形成
するのが好ましい。
【０２７４】即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て
隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の
ＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対
応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマス
クを用いて緑色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成す
る。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠す
マスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ
層及び陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異
なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスク
を使いまわしても構わない。また、全画素にＥＬ層及び
陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ま
しい。
【０２７５】なお、本実施例ではＥＬ層３９５を発光層
のみからなる単層構造とするが、ＥＬ層は発光層の他に
正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を
有していても構わない。このように組み合わせは既に様
々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても
構わない。ＥＬ層３９５としては公知の材料を用いるこ
とができる。公知の材料としては、ＥＬ駆動電圧を考慮
すると有機材料を用いるのが好ましい。また、本実施例
ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いた例を示
すが、公知の他の材料を用いることが可能である。
【０２７６】こうして図２１（Ｂ）に示すような構造の
センサ基板が完成する。なお、バンク３９４を形成した
後、陰極３９６を形成するまでの工程をマルチチャンバ
ー方式（またはインライン方式）の薄膜形成装置を用い
て、大気解放せずに連続的に処理することは有効であ
る。
【０２７７】なお本実施例ではセンサ部が有するＴＦＴ
の作製工程について説明したが、駆動部が有するＴＦＴ
も上述したプロセスを参照して、同時に基板上に形成し
ても良い。
【０２７８】４９１はバッファ用ＴＦＴ、４９２は選択
用ＴＦＴ、４９３はリセット用ＴＦＴ、４９４はフォト
ダイオードＴＦＴ、４９５はスイッチング用ＴＦＴ、４
９６はＥＬ駆動用ＴＦＴに相当する。
【０２７９】本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ４９５
をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造
でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲー
ト本数を持つマルチゲート構造でも構わない。スイッチ
ング用ＴＦＴ４９５をダブルゲート構造とすることで、
実質的に二つのＴＦＴが直列された構造となり、オフ電
流値を低減することができるという利点がある。
【０２８０】なお本実施例においてフォトダイオード４
９４上に設けられている第１のゲート電極３５６及び第
２のゲート電極３１５は、フォトダイオード４９４に光
が照射されていない時に、アノード電極４９８とカソー
ド電極４９９の間に設けられた光電変換層４９７に電流
が流れないような電位に保たれている。
【０２８１】また本実施例の場合、全てのＴＦＴにおい
てＬＤＤ領域がゲート電極と重なっていない。ソース信
号線駆動回路又はゲート信号線駆動回路を１０Ｖ以下で
駆動させる場合、ホットキャリア注入をさほど気にする
必要がなく、そのため本実施例のＴＦＴの構成は有効で
ある。
【０２８２】なお、実際には図２１（Ｂ）まで完成した
ら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線
硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケ
ージング（封入）することが好ましい。その際、シーリ
ング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材
料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子
の信頼性が向上する。
【０２８３】また、パッケージング等の処理により気密
性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引
き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネ
クター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を
取り付けて製品として完成する。このような出荷できる
までした状態を本明細書中ではエリアセンサという。
【０２８４】なお、本発明は上述した作製方法に限定さ
れず、公知の方法を用いて作製することが可能である。
また本実施例は、実施例１〜実施例４と自由に組み合わ
せることが可能である。
【０２８５】（実施例１１）本発明のエリアセンサの一
例として、携帯型ハンドスキャナーについて図２２を用
いて説明する。
【０２８６】図２２（ａ）は携帯型ハンドスキャナーで
あり、本体９０１、センサ部９０２、上部カバー９０
３、外部接続ポート９０４、操作スイッチ９０５で構成
されている。図２２（ｂ）は図２２（ａ）と同じ携帯型
ハンドスキャナーの上部カバー９０３を閉じた図であ
る。
【０２８７】本発明のエリアセンサは、読み込んだ画像
をセンサ部９０２において表示することが可能であり、
新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設けなくと
も、その場で読み込んだ画像を確認することができる。
【０２８８】またエリアセンサ９０２で読み込んだ画像
信号を、外部接続ポート９０４から携帯型ハンドスキャ
ナーの外部に接続されている電子機器に送り、ソフト上
で画像を補正、合成、編集等を行うことも可能である。
【０２８９】なお本実施例は、実施例１〜実施例１０と
自由に組み合わせることが可能である。
【０２９０】（実施例１２）本発明のエリアセンサの一
例として、実施例１１とは別の携帯型ハンドスキャナー
について、図２３を用いて説明する。
【０２９１】８０１はセンサ基板、８０２はセンサ部、
８０３はタッチパネル、８０４はタッチペンである。タ
ッチパネル８０３は透光性を有しており、センサ部８０
２から発せられる光及び、センサ部８０２に入射する光
を透過することができ、タッチパネル８０３を通して被
写体上の画像を読み込むことができる。またセンサ部８
０２に画像が表示されている場合にも、タッチパネル８
０３を通して、センサ部８０２上の画像を見ることが可
能である。
【０２９２】タッチペン８０４がタッチパネル８０３に
触れると、タッチペン８０４とタッチパネル８０３とが
接している部分の位置の情報を、電気信号としてエリア
センサに取り込むことができる。本実施例で用いられる
タッチパネル８０３及びタッチペン８０４は、タッチパ
ネル８０３が透光性を有していて、なおかつタッチペン
８０４とタッチパネル８０３とが接している部分の位置
の情報を、電気信号としてエリアセンサに取り込むこと
ができるものならば、公知のものを用いることができ
る。
【０２９３】上記構成を有する本発明のエリアセンサ
は、画像を読み込んで、センサ部６０２に読み込んだ画
像を表示し、取り込んだ画像にタッチペン８０４で書き
込みを行うことができる。そして本発明のエリアセンサ
は、画像の読み込み、画像の表示、画像への書き込み
を、全てセンサ部８０２において行うことができる。よ
ってエリアセンサ自体の大きさを抑え、なおかつ様々な
機能をエリアセンサに持たせることができる。
【０２９４】なお本実施例は、実施例１〜実施例１０と
自由に組み合わせることが可能である。
【０２９５】（実施例１３）本実施例では、エリアセン
サのセンサ部の構造が、図１とは異なる例について説明
する。
【０２９６】図２５に本実施例のエリアセンサのセンサ
部の回路図を示す。センサ部１００１はソース信号線Ｓ
１〜Ｓｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜
Ｇｙ、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサ
出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、センサ用電源線ＶＢが設けら
れている。
【０２９７】センサ部１００１は複数の画素１００２を
有している。画素１００２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ
のいずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１
つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセ
ット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、
センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、セン
サ用電源線ＶＢとを有している。
【０２９８】センサ出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ
定電流電源１００３＿１〜１００３＿ｘに接続されてい
る。
【０２９９】画素１００２はスイッチング用ＴＦＴ１０
０４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５、ＥＬ素子１００６を
有している。また図２５では画素１００２にコンデンサ
１００７が設けられているが、コンデンサ１００７を設
けなくとも良い。さらに画素１００２は、リセット用Ｔ
ＦＴ１０１０、バッファ用ＴＦＴ１０１１、選択用ＴＦ
Ｔ１０１２、フォトダイオード１０１３を有している。
【０３００】ＥＬ素子１００６は陽極と陰極と、陽極と
陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ
駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域またはドレイン領域
と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極
となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース
領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が対
向電極、陰極が画素電極である。
【０３０１】スイッチング用ＴＦＴ１００４のゲート電
極はゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に接続されている。そ
してスイッチング用ＴＦＴ１００４のソース領域とドレ
イン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ
駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極に接続されている。
【０３０２】ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域と
ドレイン領域は、一方が電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に、
もう一方がＥＬ素子１００６に接続されている。コンデ
ンサ１００７はＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極
と電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）とに接続して設けられてい
る。
【０３０３】リセット用ＴＦＴ１０１０のゲート電極は
リセット用ゲート信号線（ＲＧ１〜ＲＧｘ）に接続され
ている。リセット用ＴＦＴ１０１０のソース領域はセン
サ用電源線ＶＢに接続されている。センサ用電源線ＶＢ
は常に一定の電位（基準電位）に保たれている。またリ
セット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域はフォトダイオ
ード１０１３及びバッファ用ＴＦＴ１０１１のゲート電
極に接続されている。
【０３０４】図示しないが、フォトダイオード１０１３
はカソード電極と、アノード電極と、カソード電極とア
ノード電極の間に設けられた光電変換層とを有してい
る。リセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域は、具体
的にはフォトダイオード１０１３のアノード電極又はカ
ソード電極に接続されている。
【０３０５】バッファ用ＴＦＴ１０１１のドレイン領域
はセンサ用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基
準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１０１
１のソース領域は選択用ＴＦＴ１０１２のソース領域又
はドレイン領域に接続されている。
【０３０６】選択用ＴＦＴ１０１２のゲート電極はゲー
ト信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に接続されている。そして選択
用ＴＦＴ１０１２のソース領域とドレイン領域は、一方
は上述したとおりバッファ用ＴＦＴ１０１１のソース領
域に接続されており、もう一方はセンサ出力配線（ＳＳ
１〜ＳＳｘ）に接続されている。センサ出力配線（ＳＳ
１〜ＳＳｘ）は定電流電源１００３（定電流電源１００
３＿１〜１００３＿ｘ）にそれぞれ接続されており、常
に一定の電流が流れている。
【０３０７】本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ
１００４及び選択用ＴＦＴ１０１２の極性は同じであ
る。つまり。スイッチング用ＴＦＴ１００４がｎチャネ
ル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｎチャネル
型ＴＦＴである。またスイッチング用ＴＦＴ１００４が
ｐチャネル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｐ
チャネル型ＴＦＴである。
【０３０８】そして本実施例のエリアセンサのセンサ部
は、図１に示したエリアセンサと異なり、スイッチング
用ＴＦＴ１００４のゲート電極と、選択用ＴＦＴ１０１
２のゲート電極が、共にゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に
接続されていることである。よって本実施例のエリアセ
ンサの場合、各画素の有するＥＬ素子１００６の発光す
る期間は、サンプリング期間（ＳＴ１〜ＳＴｎ）と同じ
長さである。上記構成によって、本実施例のエリアセン
サは配線の数を図１の場合に比べて少なくすることがで
きる。
【０３０９】なお本実施例のエリアセンサも、センサ部
１００１に画像を表示することは可能である。
【０３１０】本実施例の構成は、実施例３〜実施例１２
と自由に組み合わせることが可能である。
【０３１１】（実施例１４）本実施例では、図５に示し
たセンサ用ソース信号線駆動回路１２１と、センサ用ゲ
ート信号線駆動回路の詳しい構成について説明する。
【０３１２】図２６（Ａ）にセンサ用ソース信号線駆動
回路１２１の構成を示す。センサ用ソース信号線駆動回
路１２１は、バイアス用回路１２１ａ、信号処理回路１
２１ｂ、信号出力線用駆動回路１２１ｃを有している。
【０３１３】バイアス用回路１２１ａは定電流源を有し
ており、各画素のバッファ用ＴＦＴ１１１と対になっ
て、ソースフォロワ回路を形成する。そして、各センサ
出力配線ＳＳに入力された信号をサンプリングし、後段
の信号処理回路１２１ｂに入力する。
【０３１４】信号処理回路１２１ｂでは、入力された信
号をいったん記憶して保持したり、アナログ・デジタル
変換を行ったり、雑音を低減したりするための回路など
が配置されている。信号処理回路１２１ｂにおいて処理
された信号は、信号出力線用駆動回路１２１ｃから出力
される信号にしたがって、順に出力増幅回路１２１ｄに
出力される。
【０３１５】そして、出力増幅回路１２１ｄは、信号処
理回路１２１ｂから出力された信号を増幅している。信
号を増幅しない場合は不必要であるが、現状では配置さ
れる場合が多い。
【０３１６】出力増幅回路１２１ｄから出力された信号
は、ＣＰＵ（図示せず）などに取り込まれる。
【０３１７】図２６（Ｂ）にセンサ用ゲート信号線駆動
回路１２３の構成を示す。センサ用ゲート信号線駆動回
路１２３は選択信号線用駆動回路１２３ａと、リセット
信号線用駆動回路１２３ｂを有している。
【０３１８】選択信号線用駆動回路１２３ａは、選択信
号線にゲート電極が接続されている全ての選択用ＴＦＴ
１１２をオンにするような信号を、各選択信号線に順に
入力している。また、リセット信号線用駆動回路１２３
ｂは、リセット用ゲート信号線にゲート電極が接続され
ている全てのリセット用ＴＦＴ１１０をオンにするよう
な信号を、各リセット用ゲート信号線に順に入力してい
る。
【０３１９】なお本実施例では、図５に示したセンサ用
ソース信号線駆動回路１２１とセンサ用ゲート信号線駆
動回路１２３とについて説明したが、図８に示したセン
サ用ソース信号線駆動回路１３１とセンサ用ゲート信号
線駆動回路１３３も本実施例で示した構成を有していて
も良い。
【０３２０】本実施例は、実施例１〜実施例１３と自由
に組み合わせて実施することが可能である。
【０３２１】
【発明の効果】本発明は上記構成によって光が被写体に
均一に照射されるため、読み込んだ画像の明るさにむら
が生じることはない。そしてバックライトと光散乱板と
をセンサ基板と別個に設ける必要はないため、従来例と
異なり、バックライト、光散乱板、センサ基板及び被写
体の位置を精密に調整したりする必要がなく、エリアセ
ンサ自体の機械的強度が増す。またエリアセンサ自体の
小型化、薄型化、軽量化が実現される。
【０３２２】また本発明のエリアセンサは、ＥＬ素子を
用いてセンサ部に画像を表示することが可能である。そ
のため、新たに電子ディスプレイをエリアセンサに設け
なくとも、センサ部で読み込んだ画像をセンサ部に表示
させることが可能であり、その場で読み込んだ画像を確
認することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 センサ部の回路図。
【図２】 画素の回路図。
【図３】 センサ部の画像の読み取りのタイミングチャ
ート。
【図４】 センサ部のカラー画像の読み取りのタイミン
グチャート。
【図５】 デジタル駆動のエリアセンサ上面図。
【図６】 画像の読み取りの際の、ＥＬ素子の発光のタ
イミングチャート。
【図７】 画像の表示の際の、ＥＬ素子の発光のタイミ
ングチャート。
【図８】 アナログ駆動のエリアセンサ上面図。
【図９】 画像の読み取りの際の、ＥＬ素子の発光のタ
イミングチャート。
【図１０】 センサ部の断面図。
【図１１】 センサ部の断面図。
【図１２】 センサ部の断面図。
【図１３】 センサ部の断面図。
【図１４】 センサ部の作製工程図。
【図１５】 センサ部の作製工程図。
【図１６】 センサ部の作製工程図。
【図１７】 センサ部の作製工程図。
【図１８】 センサ部の作製工程図。
【図１９】 センサ部の作製工程図。
【図２０】 センサ部の作製工程図。
【図２１】 センサ部の作製工程図。
【図２２】 本発明のエリアセンサの一例である携帯ハ
ンドスキャナーの外観図。
【図２３】 本発明のエリアセンサの一例であるタッチ
パネル付エリアセンサの外観図。
【図２４】 従来のエリアセンサの斜視図及び断面図。
【図２５】 センサ部の回路図。
【図２６】 センサ用駆動回路のブロック図。
【符号の説明】
１０１ センサ部 １０２ 画素 １０３ 定電流電源 １０４ スイッチング用ＴＦＴ １０５ ＥＬ駆動用ＴＦＴ １０６ ＥＬ素子 １０７ コンデンサ １１０ リセット用ＴＦＴ １１１ バッファ用ＴＦＴ １１２ 選択用ＴＦＴ １１３ フォトダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｅ ６８０ ６８０Ｈ ６９１ ６９１Ｂ ６９１Ｄ ６９１Ｅ 3/30 3/30 Ｊ

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】センサ基板上に複数の画素を有するセンサ
    部が設けられた密着型エリアセンサであって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    複数の薄膜トランジスタとを有していることを特徴とす
    る密着型エリアセンサ。
  2. 【請求項２】センサ基板上に複数の画素を有するセンサ
    部が設けられた密着型エリアセンサであって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとを
    有しており、 前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
    は、前記ＥＬ素子の発光を制御しており、 前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
    前記フォトダイオードに照射され、 前記フォトダイオード、前記リセット用ＴＦＴ、前記バ
    ッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴは、前記フォトダイオ
    ードに照射された光から画像信号を生成することを特徴
    とする密着型エリアセンサ。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、前記Ｅ
    Ｌ素子は陽極、陰極及び陽極と陰極の間に設けられたＥ
    Ｌ層を有していることを特徴とする密着型エリアセン
    サ。
  4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか１項にお
    いて、前記フォトダイオードはカソード電極、アノード
    電極及びカソード電極とアノード電極の間に設けられた
    光電変換層を有していることを特徴とする密着型エリア
    センサ。
  5. 【請求項５】センサ基板上に複数の画素を有するセンサ
    部が設けられた密着型エリアセンサであって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲ
    ート信号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン
    領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フ
    ォトダイオードに接続されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信
    号線に接続されており、 前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
    前記フォトダイオードに照射され、前記フォトダイオー
    ドに照射された光から生成された画像信号が、前記セン
    サ出力配線に入力されることを特徴とする密着型エリア
    センサ。
  6. 【請求項６】センサ基板上に複数の画素を有するセンサ
    部が設けられた密着型エリアセンサであって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、 前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ
    用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続
    されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接
    続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は
    同じであり、 前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
    前記フォトダイオードに照射され、前記フォトダイオー
    ドに照射された光から生成された画像信号が、前記セン
    サ出力配線に入力されることを特徴とする密着型エリア
    センサ。
  7. 【請求項７】センサ基板上に複数の画素を有するセンサ
    部が設けられた密着型エリアセンサであって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン
    領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フ
    ォトダイオードに接続されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信
    号線に接続されており、 前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号
    線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと
    前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフか
    らオンの状態に同時に切り替わり、 前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオ
    ンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、 前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
    前記フォトダイオードに照射され、 前記フォトダイオードに照射された光から生成された画
    像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴
    とする密着型エリアセンサ。
  8. 【請求項８】センサ基板上に複数の画素を有するセンサ
    部が設けられた密着型エリアセンサであって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、 前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ
    用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続
    されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接
    続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は
    同じであり、 前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号
    線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと
    前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフか
    らオンの状態に同時に切り替わり、 前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオ
    ンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、 前記ＥＬ素子から発せられた光は、被写体上で反射して
    前記フォトダイオードに照射され、 前記フォトダイオードに照射された光から生成された画
    像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴
    とする密着型エリアセンサ。
  9. 【請求項９】請求項５乃至請求項８のいずれか１項にお
    いて、前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び陽極と陰極の間に
    設けられたＥＬ層を有していることを特徴とする密着型
    エリアセンサ。
  10. 【請求項１０】請求項９において、前記ＥＬ素子の有す
    る陽極が前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレイ
    ン領域に接続されているとき、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴは
    ｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする密着型エリ
    アセンサ。
  11. 【請求項１１】請求項９において、前記ＥＬ素子の有す
    る陰極が前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレイ
    ン領域に接続されているとき、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴは
    ｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする密着型エリ
    アセンサ。
  12. 【請求項１２】請求項５乃至請求項１１のいずれか１項
    において、前記フォトダイオードはカソード電極、アノ
    ード電極及びカソード電極とアノード電極の間に設けら
    れた光電変換層を有していることを特徴とする密着型エ
    リアセンサ。
  13. 【請求項１３】請求項１２において、前記フォトダイオ
    ードの有するアノード電極が前記リセット用ＴＦＴのド
    レイン領域に接続されているとき、前記リセット用ＴＦ
    Ｔはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴ
    はｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする密着型エ
    リアセンサ。
  14. 【請求項１４】請求項１２において、前記フォトダイオ
    ードの有するカソード電極が前記リセット用ＴＦＴのド
    レイン領域に接続されているとき、前記リセット用ＴＦ
    Ｔはｐチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴ
    はｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする密着型エ
    リアセンサ。
  15. 【請求項１５】センサ基板上に複数の画素を有するセン
    サ部が設けられた表示装置であって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴとを
    有しており、 前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴに
    よって前記ＥＬ素子の発光が制御され、 前記センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により
    画像を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられ
    た光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオー
    ドに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用Ｔ
    ＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって
    前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生
    成することを特徴とする表示装置。
  16. 【請求項１６】請求項１５において、前記ＥＬ素子は陽
    極、陰極及び陽極と陰極の間に設けられたＥＬ層を有し
    ていることを特徴とする表示装置。
  17. 【請求項１７】請求項１５または請求項１６において、
    前記フォトダイオードはカソード電極、アノード電極及
    びカソード電極とアノード電極の間に設けられた光電変
    換層を有していることを特徴とする表示装置。
  18. 【請求項１８】センサ基板上に複数の画素を有するセン
    サ部が設けられた表示装置であって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、 前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ
    用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続
    されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴに
    よって前記ＥＬ素子の発光が制御され、 前記センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により
    画像を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられ
    た光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオー
    ドに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用Ｔ
    ＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって
    前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生
    成することを特徴とする表示装置。
  19. 【請求項１９】センサ基板上に複数の画素を有するセン
    サ部が設けられた表示装置であって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、 前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ
    用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続
    されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信
    号線に接続されており、 前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号
    線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと
    前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフか
    らオンの状態に同時に切り替わり、 前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオ
    ンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、 前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴに
    よって前記ＥＬ素子の発光が制御され、 前記センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により
    画像を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられ
    た光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオー
    ドに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用Ｔ
    ＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって
    前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生
    成することを特徴とする表示装置。
  20. 【請求項２０】センサ基板上に複数の画素を有するセン
    サ部が設けられた表示装置であって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、 前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ
    用ＴＦＴのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続
    されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接
    続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は
    同じであり、 前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴに
    よって前記ＥＬ素子の発光が制御され、 前記センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により
    画像を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられ
    た光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオー
    ドに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用Ｔ
    ＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって
    前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生
    成することを特徴とする表示装置。
  21. 【請求項２１】センサ基板上に複数の画素を有するセン
    サ部が設けられた表示装置であって、 前記複数の画素は、フォトダイオードと、ＥＬ素子と、
    スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセッ
    ト用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、
    ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれ
    た電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用
    ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配
    線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有して
    おり、 前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信
    号線に接続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域
    は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆
    動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、 前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、
    一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接
    続されており、 前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源
    線に接続されており、前記リセット用ＴＦＴのドレイン
    領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記フ
    ォトダイオードに接続されており、 前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電
    源線に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方
    は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用Ｔ
    ＦＴのソース領域に接続されており、 前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接
    続されており、 前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は
    同じであり、 前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号
    線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと
    前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフか
    らオンの状態に同時に切り替わり、 前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオ
    ンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、 前記スイッチング用ＴＦＴ及び前記ＥＬ駆動用ＴＦＴに
    よって前記ＥＬ素子の発光が制御され、 前記センサ部は、前記ＥＬ素子から発せられた光により
    画像を表示するか、もしくは前記ＥＬ素子から発せられ
    た光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオー
    ドに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用Ｔ
    ＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴによって
    前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生
    成することを特徴とする表示装置。
  22. 【請求項２２】請求項１８乃至請求項２１のいずれか１
    項において、前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び陽極と陰極
    の間に設けられたＥＬ層を有していることを特徴とする
    表示装置。
  23. 【請求項２３】請求項２２において、前記ＥＬ素子の有
    する陽極が前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレ
    イン領域に接続されているとき、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
    はｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装
    置。
  24. 【請求項２４】請求項２２において、前記ＥＬ素子の有
    する陰極が前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレ
    イン領域に接続されているとき、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ
    はｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装
    置。
  25. 【請求項２５】請求項１８乃至請求項２１のいずれか１
    項において、前記フォトダイオードはカソード電極、ア
    ノード電極及びカソード電極とアノード電極の間に設け
    られた光電変換層を有していることを特徴とする表示装
    置。
  26. 【請求項２６】請求項２５において、前記フォトダイオ
    ードの有するアノード電極が前記リセット用ＴＦＴのド
    レイン領域に接続されているとき、前記リセット用ＴＦ
    Ｔはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴ
    はｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装
    置。
  27. 【請求項２７】請求項２５において、前記フォトダイオ
    ードの有するカソード電極が前記リセット用ＴＦＴのド
    レイン領域に接続されているとき、前記リセット用ＴＦ
    Ｔはｐチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴ
    はｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装
    置。
  28. 【請求項２８】請求項１５乃至請求項２７のいずれか１
    項において、タッチペン及びタッチパネルを有している
    ことを特徴とする表示装置。
JP2001019635A 2000-01-31 2001-01-29 エリアセンサ及び表示装置 Expired - Fee Related JP4112184B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001019635A JP4112184B2 (ja) 2000-01-31 2001-01-29 エリアセンサ及び表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-22762 2000-01-31
JP2000022762 2000-01-31
JP2001019635A JP4112184B2 (ja) 2000-01-31 2001-01-29 エリアセンサ及び表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004292443A Division JP4854947B2 (ja) 2000-01-31 2004-10-05 表示装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001292276A true JP2001292276A (ja) 2001-10-19
JP2001292276A5 JP2001292276A5 (ja) 2005-06-23
JP4112184B2 JP4112184B2 (ja) 2008-07-02

Family

ID=26584544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001019635A Expired - Fee Related JP4112184B2 (ja) 2000-01-31 2001-01-29 エリアセンサ及び表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4112184B2 (ja)

Cited By (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002065752A1 (fr) * 2001-02-09 2002-08-22 Nec Corporation Organe d'entrée d'image à fonction d'affichage intégrée
WO2002075711A1 (fr) * 2001-03-19 2002-09-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ecran auto-lumineux
WO2002075712A1 (fr) * 2001-03-21 2002-09-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ecran auto-lumineux
WO2002077957A1 (fr) * 2001-03-22 2002-10-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Affichage auto-luminescent
JP2004151155A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2005077913A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2005148286A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法
WO2005057538A1 (ja) * 2003-12-12 2005-06-23 Seiko Epson Corporation 表示装置
JP2005221688A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Sony Corp 表示装置および表示装置の駆動方法
JP2005530217A (ja) * 2002-06-21 2005-10-06 ノキア コーポレイション 光センサを備えた表示回路
KR100537704B1 (ko) * 2002-07-12 2005-12-20 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치
JP2006191001A (ja) * 2004-12-07 2006-07-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR100678552B1 (ko) 2004-03-29 2007-02-05 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 입력 센서 내장 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
KR100678554B1 (ko) * 2003-10-31 2007-02-07 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치
KR100705520B1 (ko) * 2004-05-31 2007-04-10 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 광빔을 사용하여 정보를 입력할 수 있는 표시 장치
JP2007102154A (ja) * 2005-01-26 2007-04-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
KR100710762B1 (ko) * 2003-11-17 2007-04-24 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치 및 촬상 방법
CN1312512C (zh) * 2003-03-31 2007-04-25 东芝松下显示技术有限公司 显示装置
US7265740B2 (en) 2002-08-30 2007-09-04 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Suppression of leakage current in image acquisition
JP2008003296A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
EP1939675A2 (en) 2006-12-27 2008-07-02 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
CN100414590C (zh) * 2005-06-14 2008-08-27 友达光电股份有限公司 显示面板
US7545350B2 (en) 2003-11-10 2009-06-09 Sony Corporation Active-matrix organic electroluminescent display device
JP2009169794A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sony Corp 表示装置及びその制御方法、入力装置及びその制御方法、並びにプログラム
JP2009543104A (ja) * 2006-06-30 2009-12-03 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド アクティブマトリックス有機電気−光学装置
KR100932205B1 (ko) 2008-03-31 2009-12-16 한양대학교 산학협력단 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 화소 회로의동작 방법
JP2010061647A (ja) * 2008-08-08 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
KR100952111B1 (ko) 2008-03-31 2010-04-13 한양대학교 산학협력단 광 감지 기능을 가지는 유기발광다이오드(ｏｌｅｄ)의 화소회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2010108489A (ja) * 2008-10-02 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd タッチパネル及びタッチパネルの駆動方法
EP2228709A2 (en) 2009-03-09 2010-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Touch panel
KR20100138840A (ko) 2009-06-25 2010-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 그 구동 방법
KR20110002812A (ko) 2009-07-02 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 그 구동 방법
EP2290509A1 (en) 2009-08-24 2011-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for driving touch panel
US7924273B2 (en) 2006-11-06 2011-04-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display apparatus with optical input function
EP2325888A2 (en) 2009-11-20 2011-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and display device
US7961171B2 (en) 2006-10-25 2011-06-14 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and electronic apparatus
EP2339830A2 (en) 2009-11-12 2011-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, semiconductor device and driving method thereof
EP2345954A2 (en) 2009-11-20 2011-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011089848A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
JP2011166123A (ja) * 2010-01-15 2011-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4759511B2 (ja) * 2004-04-19 2011-08-31 株式会社日立製作所 撮像機能一体型表示装置
KR20110100295A (ko) 2008-12-24 2011-09-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 그 구동 방법
EP2365417A2 (en) 2010-03-08 2011-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Electronic device and electronic system
JP2011211473A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Brother Industries Ltd 密着型イメージスキャナ
KR20120127236A (ko) 2011-05-12 2012-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
DE112011100886T5 (de) 2010-03-12 2012-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung
KR101219750B1 (ko) * 2004-12-07 2013-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제작방법
KR20130027012A (ko) 2010-03-08 2013-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR20130028076A (ko) 2010-03-11 2013-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI406162B (zh) * 2010-01-28 2013-08-21 Hannstar Display Corp 光感測元件及包含該光感測元件之液晶顯示器、液晶顯示器之讀取畫素
US8570413B2 (en) 2007-02-21 2013-10-29 Japan Display West, Inc. Image-pickup device and display apparatus
US8581170B2 (en) 2010-02-12 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a photodiode electrically connected to a back gate of a transistor and driving method thereof
US8586905B2 (en) 2010-02-12 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20130128327A (ko) 2012-05-16 2013-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 터치 패널
KR20130135764A (ko) 2012-06-01 2013-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
US8610696B2 (en) 2010-02-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US8674949B2 (en) 2007-02-20 2014-03-18 Japan Displays Inc. Liquid crystal display apparatus
US8716712B2 (en) 2010-02-19 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8736587B2 (en) 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8766338B2 (en) 2010-03-12 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including photosensor and transistor having oxide semiconductor
US8803063B2 (en) 2010-02-19 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector circuit
US8836906B2 (en) 2010-04-23 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with light receiving element under transparent spacer and manufacturing method therefor
US8847916B2 (en) 2009-01-21 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and electronic device
US8928644B2 (en) 2010-02-19 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
US8988405B2 (en) 2009-10-26 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US9035908B2 (en) 2008-12-24 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel, display device, and electronic device
US9035910B2 (en) 2011-08-29 2015-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Touch sensing and remote sensing optical touch screen apparatuses
US9218081B2 (en) 2010-04-28 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
US9252171B2 (en) 2010-09-06 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2016025572A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 イメージセンサ及びその駆動方法
US9261998B2 (en) 2010-03-08 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
US9268428B2 (en) 2011-07-28 2016-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-sensing apparatuses, methods of driving the light-sensing apparatuses, and optical touch screen apparatuses including the light-sensing apparatuses
US9348165B2 (en) 2010-04-16 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic book
US9368541B2 (en) 2009-11-06 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
CN102193228B (zh) * 2010-03-08 2016-12-14 株式会社半导体能源研究所 电子装置和电子系统
JP2017017361A (ja) * 2010-12-02 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
EP2256807A3 (en) * 2003-01-08 2017-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and its fabricating method
KR101735587B1 (ko) 2010-09-06 2017-05-25 삼성디스플레이 주식회사 포토 센서, 포토 센서 제조 방법 및 표시 장치
US9871526B2 (en) 2010-01-15 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including analog/digital converter
US9983702B2 (en) 2013-12-02 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing touch panel
US10222911B2 (en) 2013-04-12 2019-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
JP2022160418A (ja) * 2017-04-28 2022-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像表示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI585955B (zh) 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置

Cited By (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237923A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Nec Corp 表示機能を内蔵した画像入力装置
JP4543560B2 (ja) * 2001-02-09 2010-09-15 日本電気株式会社 表示機能を内蔵した画像入力装置
WO2002065752A1 (fr) * 2001-02-09 2002-08-22 Nec Corporation Organe d'entrée d'image à fonction d'affichage intégrée
US7061452B2 (en) 2001-03-19 2006-06-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spontaneous light-emitting display device
WO2002075711A1 (fr) * 2001-03-19 2002-09-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ecran auto-lumineux
JPWO2002075711A1 (ja) * 2001-03-19 2004-07-08 三菱電機株式会社 自発光型表示装置
WO2002075712A1 (fr) * 2001-03-21 2002-09-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ecran auto-lumineux
US7154454B2 (en) 2001-03-21 2006-12-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spontaneous light emitting display device
JPWO2002077957A1 (ja) * 2001-03-22 2004-07-15 三菱電機株式会社 自発光型表示装置
WO2002077957A1 (fr) * 2001-03-22 2002-10-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Affichage auto-luminescent
US6812651B2 (en) 2001-03-22 2004-11-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spontaneous light emitting display device
JP2005530217A (ja) * 2002-06-21 2005-10-06 ノキア コーポレイション 光センサを備えた表示回路
KR100537704B1 (ko) * 2002-07-12 2005-12-20 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치
US7265740B2 (en) 2002-08-30 2007-09-04 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Suppression of leakage current in image acquisition
JP2004151155A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
EP2256807A3 (en) * 2003-01-08 2017-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and its fabricating method
CN1312512C (zh) * 2003-03-31 2007-04-25 东芝松下显示技术有限公司 显示装置
JP2005077913A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
US7483005B2 (en) 2003-10-31 2009-01-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display device
KR100678554B1 (ko) * 2003-10-31 2007-02-07 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치
US7545350B2 (en) 2003-11-10 2009-06-09 Sony Corporation Active-matrix organic electroluminescent display device
JP4701603B2 (ja) * 2003-11-13 2011-06-15 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP2005148286A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法
KR100710762B1 (ko) * 2003-11-17 2007-04-24 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치 및 촬상 방법
CN100370509C (zh) * 2003-11-17 2008-02-20 东芝松下显示技术有限公司 显示装置及摄像方法
US7545371B2 (en) 2003-11-17 2009-06-09 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display device and imaging method
WO2005057538A1 (ja) * 2003-12-12 2005-06-23 Seiko Epson Corporation 表示装置
US7627907B2 (en) 2003-12-12 2009-12-01 Seiko Epson Corporation Display device preventing unauthorized copying
JP2005221688A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Sony Corp 表示装置および表示装置の駆動方法
US7612818B2 (en) 2004-03-29 2009-11-03 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Input sensor containing display device and method for driving the same
KR100678552B1 (ko) 2004-03-29 2007-02-05 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 입력 센서 내장 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
JP4759511B2 (ja) * 2004-04-19 2011-08-31 株式会社日立製作所 撮像機能一体型表示装置
KR100705520B1 (ko) * 2004-05-31 2007-04-10 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 광빔을 사용하여 정보를 입력할 수 있는 표시 장치
KR101219750B1 (ko) * 2004-12-07 2013-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제작방법
JP2006191001A (ja) * 2004-12-07 2006-07-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2007102154A (ja) * 2005-01-26 2007-04-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
CN100414590C (zh) * 2005-06-14 2008-08-27 友达光电股份有限公司 显示面板
JP2008003296A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
US7701448B2 (en) 2006-06-22 2010-04-20 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device achieving imaging with high S/N ratio using invisible light
JP2009543104A (ja) * 2006-06-30 2009-12-03 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド アクティブマトリックス有機電気−光学装置
US7961171B2 (en) 2006-10-25 2011-06-14 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and electronic apparatus
US7924273B2 (en) 2006-11-06 2011-04-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display apparatus with optical input function
US7755711B2 (en) 2006-12-27 2010-07-13 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
EP1939675A2 (en) 2006-12-27 2008-07-02 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
US8674949B2 (en) 2007-02-20 2014-03-18 Japan Displays Inc. Liquid crystal display apparatus
US8570413B2 (en) 2007-02-21 2013-10-29 Japan Display West, Inc. Image-pickup device and display apparatus
JP2009169794A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sony Corp 表示装置及びその制御方法、入力装置及びその制御方法、並びにプログラム
KR100932205B1 (ko) 2008-03-31 2009-12-16 한양대학교 산학협력단 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 화소 회로의동작 방법
KR100952111B1 (ko) 2008-03-31 2010-04-13 한양대학교 산학협력단 광 감지 기능을 가지는 유기발광다이오드(ｏｌｅｄ)의 화소회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치
US8736587B2 (en) 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8797304B2 (en) 2008-08-08 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2010061647A (ja) * 2008-08-08 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US9158412B2 (en) 2008-08-08 2015-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2010108489A (ja) * 2008-10-02 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd タッチパネル及びタッチパネルの駆動方法
US8400428B2 (en) 2008-10-02 2013-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and method for driving the same
US9310915B2 (en) 2008-12-24 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and driving method thereof
KR20110100295A (ko) 2008-12-24 2011-09-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 그 구동 방법
US9035908B2 (en) 2008-12-24 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel, display device, and electronic device
US8847916B2 (en) 2009-01-21 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and electronic device
US9389720B2 (en) 2009-01-21 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and electronic device
US9874979B2 (en) 2009-01-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and electronic device
US9122348B2 (en) 2009-03-09 2015-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
EP2228709A2 (en) 2009-03-09 2010-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Touch panel
KR20100101531A (ko) 2009-03-09 2010-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
US8982099B2 (en) 2009-06-25 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and driving method of the same
KR20100138840A (ko) 2009-06-25 2010-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 그 구동 방법
KR20110002812A (ko) 2009-07-02 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 그 구동 방법
US8624875B2 (en) 2009-08-24 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving touch panel
EP2290509A1 (en) 2009-08-24 2011-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for driving touch panel
US8988405B2 (en) 2009-10-26 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
US9368541B2 (en) 2009-11-06 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9639211B2 (en) 2009-11-06 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8519981B2 (en) 2009-11-12 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2339830A2 (en) 2009-11-12 2011-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, semiconductor device and driving method thereof
US9086760B2 (en) 2009-11-20 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2325888A2 (en) 2009-11-20 2011-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and display device
EP2345954A2 (en) 2009-11-20 2011-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8686972B2 (en) 2009-11-20 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR102114011B1 (ko) 2010-01-15 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
US9871526B2 (en) 2010-01-15 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including analog/digital converter
KR20200057101A (ko) 2010-01-15 2020-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
US10095076B2 (en) 2010-01-15 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a backlight and light-receiving element
KR20180018849A (ko) 2010-01-15 2018-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
KR20210038719A (ko) 2010-01-15 2021-04-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
KR102471810B1 (ko) * 2010-01-15 2022-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
JP2011166123A (ja) * 2010-01-15 2011-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2017191956A (ja) * 2010-01-15 2017-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011089848A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
CN102713999A (zh) * 2010-01-20 2012-10-03 株式会社半导体能源研究所 电子设备和电子系统
KR20180093109A (ko) 2010-01-20 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
US10324564B2 (en) 2010-01-20 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9703423B2 (en) 2010-01-20 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
KR20120112780A (ko) 2010-01-20 2012-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
TWI406162B (zh) * 2010-01-28 2013-08-21 Hannstar Display Corp 光感測元件及包含該光感測元件之液晶顯示器、液晶顯示器之讀取畫素
US8610696B2 (en) 2010-02-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US8586905B2 (en) 2010-02-12 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8581170B2 (en) 2010-02-12 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a photodiode electrically connected to a back gate of a transistor and driving method thereof
US9024248B2 (en) 2010-02-12 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device to include a first transistor with a silicon channel formation region and a second transistor with an oxide semiconductor channel formation region
US9524993B2 (en) 2010-02-12 2016-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a transistor with an oxide semiconductor layer between a first gate electrode and a second gate electrode
US10535689B2 (en) 2010-02-12 2020-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US10916573B2 (en) 2010-02-12 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2016001743A (ja) * 2010-02-12 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9196648B2 (en) 2010-02-19 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716712B2 (en) 2010-02-19 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8803063B2 (en) 2010-02-19 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector circuit
US8928644B2 (en) 2010-02-19 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
US9484381B2 (en) 2010-02-19 2016-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
US9153711B2 (en) 2010-02-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector circuit
TWI507666B (zh) * 2010-02-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 光偵測器電路
CN102193228A (zh) * 2010-03-08 2011-09-21 株式会社半导体能源研究所 电子装置和电子系统
US9261998B2 (en) 2010-03-08 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
US8976155B2 (en) 2010-03-08 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9111836B2 (en) 2010-03-08 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP2365417A2 (en) 2010-03-08 2011-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Electronic device and electronic system
CN102193228B (zh) * 2010-03-08 2016-12-14 株式会社半导体能源研究所 电子装置和电子系统
KR20130027012A (ko) 2010-03-08 2013-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US10031622B2 (en) 2010-03-11 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130028076A (ko) 2010-03-11 2013-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20170016036A (ko) 2010-03-11 2017-02-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8502902B2 (en) 2010-03-11 2013-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8766338B2 (en) 2010-03-12 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including photosensor and transistor having oxide semiconductor
DE112011100886T5 (de) 2010-03-12 2012-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung
KR20160021909A (ko) 2010-03-12 2016-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9985069B2 (en) 2010-03-12 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9066035B2 (en) 2010-03-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including photosensor and transistor having oxide semiconductor active layer
US9772702B2 (en) 2010-03-12 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device
JP2011211473A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Brother Industries Ltd 密着型イメージスキャナ
US9348165B2 (en) 2010-04-16 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic book
US8836906B2 (en) 2010-04-23 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with light receiving element under transparent spacer and manufacturing method therefor
US9218081B2 (en) 2010-04-28 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
US11392232B2 (en) 2010-04-28 2022-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
US11983342B2 (en) 2010-04-28 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
US10871841B2 (en) 2010-04-28 2020-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
US10013087B2 (en) 2010-04-28 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving method the same
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
US10685992B2 (en) 2010-09-06 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US10109661B2 (en) 2010-09-06 2018-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11239268B2 (en) 2010-09-06 2022-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR101735587B1 (ko) 2010-09-06 2017-05-25 삼성디스플레이 주식회사 포토 센서, 포토 센서 제조 방법 및 표시 장치
US11728354B2 (en) 2010-09-06 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11430820B2 (en) 2010-09-06 2022-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9252171B2 (en) 2010-09-06 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11264415B2 (en) 2010-09-06 2022-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2017017361A (ja) * 2010-12-02 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2018166112A (ja) * 2010-12-02 2018-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20120127236A (ko) 2011-05-12 2012-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
US8597965B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the light-emitting device
US9268428B2 (en) 2011-07-28 2016-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-sensing apparatuses, methods of driving the light-sensing apparatuses, and optical touch screen apparatuses including the light-sensing apparatuses
US9035910B2 (en) 2011-08-29 2015-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Touch sensing and remote sensing optical touch screen apparatuses
US9608006B2 (en) 2012-05-16 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
KR20130128327A (ko) 2012-05-16 2013-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 터치 패널
KR20130135764A (ko) 2012-06-01 2013-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
US10222911B2 (en) 2013-04-12 2019-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
US10534457B2 (en) 2013-12-02 2020-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing touch panel
US9983702B2 (en) 2013-12-02 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing touch panel
JP2016025572A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 イメージセンサ及びその駆動方法
JP2022160418A (ja) * 2017-04-28 2022-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像表示装置
US11856804B2 (en) 2017-04-28 2023-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging display device and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4112184B2 (ja) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5235231B2 (ja) 半導体装置
JP4112184B2 (ja) エリアセンサ及び表示装置
JP6739508B2 (ja) Ｅｌ表示装置、携帯情報端末
US9941343B2 (en) Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
JP4620140B2 (ja) 表示装置
JP4145495B2 (ja) 表示装置、コンピュータ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ゲーム機器、携帯情報端末、及び画像再生装置
JP2002176162A (ja) エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置
US20030117388A1 (en) Display device and electric equipment using the same
JP4854947B2 (ja) 表示装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041005

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041005

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080408

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080409

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees