JP4854947B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、複数の薄膜トランジスタとを有していることを特徴とする密着型エリアセンサが提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTとを有しており、
前記スイッチング用TFT及び前記EL駆動用TFTは、前記EL素子の発光を制御しており、
前記EL素子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオード、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び選択用TFTは、前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成することを特徴とする密着型エリアセンサが提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記EL素子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオードに照射された光から生成された画像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴とする密着型エリアセンサが提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであり、
前記EL素子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオードに照射された光から生成された画像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴とする密着型エリアセンサが提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、
前記EL素子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオードに照射された光から生成された画像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴とする密着型エリアセンサが提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであり、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、
前記EL素子から発せられた光は、被写体上で反射して前記フォトダイオードに照射され、
前記フォトダイオードに照射された光から生成された画像信号が、前記センサ出力配線に入力されることを特徴とする密着型エリアセンサが提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置であって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTとを有しており、
前記スイッチング用TFT及び前記EL駆動用TFTによって前記EL素子の発光が制御され、
前記センサ部は、前記EL素子から発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記EL素子から発せられた光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び選択用TFTによって前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置が提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置であって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFT及び前記EL駆動用TFTによって前記EL素子の発光が制御され、
前記センサ部は、前記EL素子から発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記EL素子から発せられた光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び選択用TFTによって前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置が提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置であって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、
前記スイッチング用TFT及び前記EL駆動用TFTによって前記EL素子の発光が制御され、
前記センサ部は、前記EL素子から発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記EL素子から発せられた光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び選択用TFTによって前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置が提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置であって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであり、
前記スイッチング用TFT及び前記EL駆動用TFTによって前記EL素子の発光が制御され、
前記センサ部は、前記EL素子から発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記EL素子から発せられた光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び選択用TFTによって前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置が提供される。
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた表示装置であって、
前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、一定の電位に保たれた電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源に接続されたセンサ出力配線と、一定の電位に保たれたセンサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記フォトダイオードに接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであり、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であり、
前記スイッチング用TFT及び前記EL駆動用TFTによって前記EL素子の発光が制御され、
前記センサ部は、前記EL素子から発せられた光により画像を表示するか、もしくは前記EL素子から発せられた光を被写体上で反射させることで前記フォトダイオードに照射し、前記フォトダイオード、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び選択用TFTによって前記フォトダイオードに照射された光から画像信号を生成することを特徴とする表示装置が提供される。
。
102 画素
103 定電流電源
104 スイッチング用TFT
105 EL駆動用TFT
106 EL素子
107 コンデンサ
110 リセット用TFT
111 バッファ用TFT
112 選択用TFT
113 フォトダイオード
Claims (1)
- 基板上に複数の島状半導体膜を形成し、
前記複数の島状半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記複数の島状半導体膜ごとに前記ゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記複数の島状半導体膜に前記ゲイト電極をマスクとして不純物元素を添加し、
前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜に前記複数の島状半導体膜にそれぞれ達する複数の第1のコンタクトホールを形成し、
前記ゲイト絶縁膜及び前記第1の層間絶縁膜に形成された前記複数の第1のコンタクトホールを介して前記複数の島状半導体膜と電気的に接続する配線を形成し、
前記第1の層間絶縁膜及び前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に第2の層間絶縁膜を形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の層間絶縁膜に前記複数の島状半導体膜と電気的に接続する配線の1つに達する第2のコンタクトホールと、前記第2のコンタクトホールが達する配線とは異なる配線の1つに達する第3のコンタクトホールを形成し、
前記パッシベーション膜及び前記第2の層間絶縁膜に形成された前記第2のコンタクトホールを介して前記複数の島状半導体膜の1つと電気的に接続するセンサ用配線と、前記第3のコンタクトホールを介して前記センサ用配線と接続した島状半導体膜とは異なる1つの前記島状半導体膜と電気的に接続する画素電極を形成し、
前記画素電極上にEL層を形成し、
前記EL層上に陰極又は陽極を形成し、
前記センサ用配線が電気的に接続される前記複数の島状半導体膜の1つを用いてフォトダイオードが構成されていることを特徴とする表示装置の作製方法。
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