TWI507666B - 光偵測器電路 - Google Patents

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TWI507666B
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Yoshiyuki Kurokawa
Takayuki Ikeda
Hikaru Tamura
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Semiconductor Energy Lab
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Description

光偵測器電路
本發明係有關具有光感測器之光偵測器電路。
專利文獻1揭示區域感測器及具有區域感測器之顯示裝置。該區域感測器包含EL裝置及用以取得來自即將被偵測之自目標所反射的EL裝置之光的影像之光感測器。
[參考文件]
[專利文獻1]日本公告專利申請案第2001-292276號
在具有複數個光感測器的光偵測器電路中，如果有由於在用以供應電力至每一個光感測器的佈線或用以輸出由偵測光的每一個光感測器所產生之電信號的佈線中之寄生電阻的偏差時，則會由於該偏差而產生雜訊。
本發明之一個實施例為光偵測器電路，其包含：第一佈線，係連接至輸入端子；第二佈線，係連接至輸出端子；以及第一及第二光感測器，各自包含第一端子及第二端子，該第一端子係連接至該第一佈線，且該第二端子係連接該第二佈線，其中，該第一佈線及該第二佈線係彼此互相並聯地設置，且其中，自該輸入端子經由該第一佈線、該第一光感測器、及該第二佈線而至該輸出端子的第一路徑之電阻值的和與自該輸入端子經由該第一佈線、該第二光感測器、及該第二佈線而至該輸出端子的第二路徑之電阻值的和係相同的。
在具有光感測器之光偵測器電路中，高精確的光偵測器電路可藉由降低參考電壓與輸出信號間之由於佈線中的寄生電阻所造成之偏差來予以達成。
本發明之實例將藉由參照圖式來予以敘述。然而，本發明並未受限於下文之說明，且各式各樣的修正例可針對本發明的要旨及範疇內之其形狀及細節而被作成。
(實施例1)
在此說明書中，“光感測器”之用語意指具有能夠將光能量轉換成電能量之半導體裝置的電路。例如，該半導體裝置包含可依據所接收到之光的量而產生電流的裝置，及其中電阻會依據所接收到之光的強度而變化的裝置，等等。
(光偵測器電路1之組態)
第1圖顯示光偵測器電路1的構造。在光偵測器電路1之中，複數個光感測器係以矩陣之形式來予以設置。
參考信號線L1將參考電壓X1供應至設置於其中一行中之n個光感測器P1a、P1b、…、P1n。此外，光感測器輸出信號線L2輸出設置於其中一行中之n個光感測器P1a、P1b、…、P1n的輸出信號X2。
在此，參考電壓X1係經由來自位於光偵測器電路1之外部的控制電路2所設置之佈線，且透過輸入端子Pt1(與參考信號線L1的連接部)而被供應至參考信號線L1。
位於光偵測器電路1之外部的佈線具有比設置在光偵測器電路1之內部的佈線(參考信號線L1及光感測器輸出信號線L2)之寬度更大的寬度。因而，此佈線的佈線寄生電阻係太低而不會影響信號。
將於下文中聚焦在做為一個實例之光感測器P1a上，以敘述參考電壓X1及輸出信號X2的路徑。供應至參考信號線L1之參考電壓X1係經由光感測器P1a的輸入端子Pt3而被供應至光感測器P1a。
在光感測器P1a中，產生輸出信號X2。此輸出信號X2係經由光感測器P1a的輸出端子Pt4而被供應至光感測器輸出信號線L2。
此外，輸出信號X2係經由輸出端子Pt2(在控制電路2與光感測器輸出信號線L2之間的連接部)而被供應至控制電路2。
供應至每一個光感測器P1a、P1b、…、P1n之參考電壓X1係由於參考信號線L1之佈線寄生電阻R1a、R1b、…、R1n的壓降而受到影響。此外，自每一個光感測器P1a、P1b、…、P1n所輸出之輸出信號X2係由於光感測器輸出信號線L2之佈線寄生電阻R2a、R2b、…、R2n的壓降而受到影響。
現將進一步分析光感測器P1a。參考電壓X1係經由參考信號線L1之佈線寄生電阻R1a而被供應至光感測器P1a。此外，輸出信號X2係經由光感測器輸出信號線L2之佈線寄生電阻R2a、R2b、…、R2n而自光感測器P1a被輸出。
接著，將進一步檢查光感測器P1b。參考電壓X1係經由參考信號線L1之佈線寄生電阻R1a及R1b而被供應至光感測器P1b。此外，輸出信號X2係經由光感測器輸出信號線L2之佈線寄生電阻R2b、…、R2n而自光感測器P1b被輸出。
自輸入端子Pt1所供應且經由光感測器P1a而被輸出至輸出端子Pt2之信號的路徑，與自輸入端子Pt1所供應且經由光感測器P1b而被輸出至輸出端子Pt2之信號的路徑相比較。該二路徑係彼此互相不同，因為通過光感測器P1a的信號通過佈線寄生電阻R2a，而通過光感測器P1b的信號則通過佈線寄生電阻R1b。
現將考慮其中將相同強度的光輻射在光感測器P1a及P1b上，且其中可忽視光感測器P1a及P1b間之特徵的偏差之情況。若佈線寄生電阻R2a及R1b係彼此相互相等時，則可瞭解的是，由施加至透過光感測器P1a所輸出的信號之佈線寄生電阻所造成的壓降之和與由施加至透過光感測器P1b所輸出的信號之佈線寄生電阻所造成的壓降之和係相同的。
接著，將分析光感測器P1c。參考電壓X1係經由參考信號線L1之佈線寄生電阻R1a、R1b、及R1c而被供應至光感測器P1c。此外，輸出信號X2係經由光感測器輸出信號線L2之佈線寄生電阻R2c、…、R2n而自光感測器P1c被輸出。
自輸入端子Pt1所供應且經由光感測器P1b而被輸出至輸出端子Pt2之信號的路徑，與自輸入端子Pt1所供應且經由光感測器P1c而被輸出至輸出端子Pt2之信號的路徑相比較。該二路徑係彼此互相不同，因為通過光感測器P1b的信號通過佈線寄生電阻R2b，而通過光感測器P1c的信號則通過佈線寄生電阻R1c。
現將考慮其中將相同強度的光輻射在光感測器P1b及P1c上，且其中可忽視光感測器P1b及P1c間之特徵的偏差之情況。若佈線寄生電阻R2b及R1c係彼此相互相等時，則可瞭解的是，由施加至透過光感測器P1b所輸出的信號之佈線寄生電阻所造成的壓降之和與由施加至透過光感測器P1c所輸出的信號之佈線寄生電阻所造成的壓降之和係相同的。
如上所述之相同考量被應用至設置於其中一行中的所有n個光感測器P1a、P1b、…、P1n。若滿足R2a=R1b、R2b=R1c、R2c=R1d、…、R2n-1=R1n之佈線寄生電阻的關係時，則施加到所供應至每一個光感測器P1a、P1b、…、P1n的參考電壓X1之壓降的和與施加到由每一個光感測器P1a、P1b、…、P1n所輸出的輸出信號X2之壓降的和係相同的。
為了要滿足R2a=R1b、R2b=R1c、R2c=R1d、…、R2n-1=R1n之佈線寄生電阻的關係，例如，參考信號線L1與光感測器輸出信號線L2可由相同的導電材料所形成或具有相同的佈線寬度。此外，亦可採用以相同的間距來配置每一個光感測器。
此外，在一些實施例中，“佈線寄生電阻A與佈線寄生電阻B係相同的(亦即，A=B)”之表示不僅意指該等電阻值絕無差異，而且也意指，該等佈線寄生電阻的值之間的差異係太小而不會影響傳送信號。
因此，光偵測器電路1可降低參考電壓X1與輸出信號X2之間，由於在通過設置於其中一行中之n個光感測器P1a、P1b、…、P1n的每一者之路徑中的佈線寄生電阻所造成的偏差。當將如上所述之相同組態應用至設置於其他行中的光感測器時，亦可降低由於佈線寄生電阻所造成之參考電壓X1與輸出信號X2間的偏差於通過光偵測器電路1中所包含之該等光感測器的每一個路徑之中。因此，可實現具有高精確度之成像的光偵測器電路1。
(比較例：光偵測器電路3的組態)
第2圖顯示光偵測器電路3，該光偵測器電路3具有與第1圖中所示之光偵測器電路1的構造不同的構造。就構造而言，光偵測器電路3係與光偵測器電路1不同，其中，用以供應參考電壓X3之方向與用以輸出輸出信號X4之方向係相反於光偵測器電路3之中，而用以供應參考電壓X1之方向則與用以輸出輸出信號X2之方向相同於光偵測器電路1之中。
首先，討論光感測器P3a。參考電壓X3係經由參考信號線L3的佈線寄生電阻R3a而自控制電路2供應至光感測器P3a。此外，輸出信號X4則經由光感測器輸出信號線L4的佈線寄生電阻R4a而自光感測器P3a供應至控制電路2。
接著，將集中注意於光感測器P3b。參考電壓X3係經由參考信號線L3的佈線寄生電阻R3a及R3b而自控制電路2供應至光感測器P3b。此外，輸出信號X4則經由光感測器輸出信號線L4的佈線寄生電阻R4b及R4a而自光感測器P3b供應至控制電路2。
自控制電路2所供應做為參考電壓X3而後經由光感測器P3a而供應至控制電路2做為輸出信號X4之信號的路徑，與自控制電路2所供應成為參考電壓X3而後經由光感測器P3b而供應至控制電路2做為輸出信號X4之信號的路徑相比較。因為通過光感測器P3b之信號通過佈線寄生電阻R3b及R4b，所以該信號具有比通過光感測器P3a之信號的路徑更長的路徑。
因此，通過光感測器P3b之信號受到由於大於通過光感測器P3a之信號的佈線寄生電阻所造成的壓降所影響。
如上所述，在第2圖中所示的光偵測器電路3之中，在參考電壓X3與輸出信號X4之間會有由於在通過設置於其中一行中之n個光感測器P3a、P3b、…、P3n的每一者之路徑中的佈線寄生電阻所造成的偏差。同樣地，關於其他行的光感測器，亦可瞭解的是，偏差會由於在通過光偵測器電路3中所包含之所有該等光感測器的每一者之路徑中的佈線寄生電阻，而存在於參考電壓X3與輸出信號X4之間。
因此，為了要降低由於佈線寄生電阻之參考電壓X1與輸出信號X2間的偏差，如圖所示地將參考電壓X1的供應源(例如，輸入端子Pt1)與輸出信號X2的供應目的地(例如，輸出端子Pt2)設置於光偵測器電路1的相反側係重要的。
此外，如第7圖中所示地，具有具備高精確度之觸控輸入功能的顯示裝置200可藉由安裝其中之顯示元件203及光感測器204被包含於像素202中之像素電路201而被達成。
(實施例2)
將參照圖式來敘述光感測器之電路的建構實例。
(光感測器P10的電路組態)
將參照第3A圖來敘述光感測器P10之電路的構造。此光感測器P10包含光二極體D1以及電晶體Q1及Q2。
在光二極體D1中，陽極係連接至佈線L12，且陰極係連接至電晶體Q1的閘極。
在電晶體Q1中，源極及汲極的其中一者係連接至參考信號線L10，且該源極及汲極的另一者係連接至電晶體Q2之源極及汲極的其中一者。
在電晶體Q2中，閘極係連接至佈線L13，且電晶體Q2之源極及汲極的另一者係連接至光感測器輸出信號線L11。
電晶體Q1依據來自光二極體D1所供應之電荷量而產生光感測器P10的輸出信號。此外，電晶體Q2為一開關，用以控制由電晶體Q1所產生之輸出信號到光感測器輸出信號線L11中的供應。
為了要防止對光感測器輸出信號線L11輸出不必要的電壓，使用具有小的截止狀態(off-state)電流之電晶體做為電晶體Q1及Q2係適合的。
在此，使用氧化物半導體之電晶體的截止狀態電流係非常小。因此，使用藉由氧化物半導體所製成的電晶體做為電晶體Q1及Q2係適合的。
(光感測器P11的電路組態)
將參照第3B圖來敘述光感測器P11之電路的構造。此光感測器P11包含除了第3A圖中所示的光感測器P10之外的電晶體Q3。
在電晶體Q3中，閘極係連接至佈線L14，源極及汲極的其中一者係連接至光二極體D1的陰極，以及源極及汲極的另一者係連接至電晶體Q1的閘極。
安裝此電晶體Q3以便維持來自光二極體D1所供應而後被儲存於電晶體Q1之閘極中的電荷。因此，使用具有小的截止狀態電流之電晶體做為電晶體Q3係適合的。
在此，使用氧化物半導體之電晶體的截止狀態電流係非常小。因而，使用藉由氧化物半導體所製成的電晶體做為電晶體Q3係適合的。
(包含氧化物半導體的電晶體)
將敘述此說明書中所揭示的氧化物半導體。使用於電晶體中之氧化物半導體係藉由下述而被高度地純化且成電性i型(本徵型)，亦即，藉由有意地去除諸如氫、水分、氫氧基、及氫化物(氫化合物)、等等之施體成因的雜質，而後供應已隨著降低該等雜質之處理而同時減少的氧。執行此處理以抑制電晶體之電性特徵的改變。
此外，因為光劣化幾乎不會發生在使用高度純化之氧化物半導體的電晶體中，所以將其使用做為光感測器中之電晶體係合適的。
藉由自氧化物半導體盡可能地去除更多的氫，在氧化物半導體中之載子的密度係小於1×1014 /cm3 ，且在一些實施例中係低於1×1012 /cm3 ，以及在其他實施例中係低於1×1010 /cm3 。
為寬能隙半導體的氧化物半導體具有低密度的少數載子，且少數載子幾乎不會發生於該氧化物半導體中。因此，不易產生穿隧電流，且進一步地，截止狀態電流在使用氧化物半導體的電晶體中變成更小。
此外，碰撞離子化和雪崩崩潰幾乎不會發生於使用氧化物半導體，亦即，寬能隙半導體的電晶體中。因此，使用氧化物半導體的電晶體可防止熱載子劣化。針對熱載子劣化的主要原因在於，載子會由於雪崩崩潰而增加，而後，高速度加速的載子被注入至閘極絕緣膜內。
此外，在某些實施例中之“截止狀態電流”的用語意指當在室溫施加範圍自-20[伏]至-5[伏]之任何閘極電壓時，流動於具有正(+)臨限電壓Vth之n通道型電晶體的源極與汲極之間的電流。此外，“室溫”意指範圍自15℃至25℃的溫度。
使用高度純化且電性i型(本徵型)之氧化物半導體的電晶體具有每W=1[μm]之通道寬度，100[aA/μm]或更小的電流，且在一些實施例中具有1[aA/μm]或更小的電流，以及在其他實施例中具有10[zA/μm]或更小的電流。
如上所述，具有非常小的截止狀態電流之電晶體可藉由使用高度純化且電性i型(本徵型)之氧化物半導體而被達成。在下文中，將製造測試裝置(稱為“TEG”)，且將敘述藉由其所獲得之截止狀態電流特徵的測量結果。
在所製造的TEG中，各自具有L/W=3[μm]/50[μm]之通道長度L對通道寬度W的比例之200個電晶體(膜厚度d=30[nm])被並聯連接，以安裝L/W=3[μm]/10000[μm]之電晶體。
第5圖係圖表，其顯示安裝於TEG中之電晶體的導電特徵[log(Id)-Vg]。在此圖形中，橫軸表示閘極電壓值Vg[伏]，且縱軸表示汲極電流值Id[安培]。此外，基板的溫度為室溫，且在源極與汲極之間的電壓Vd為1[伏](圖形中之不連續線)或10[伏](圖形中之連續線)。在改變源極與汲極間的電壓Vg自-20[伏]至+20[伏]之後，測量源極-汲極電流Id的改變。
如第5圖中所示，不管Vd是否為1[伏]或10[伏]，具有10000[μm]之通道寬度W的電晶體具有1×10-13 [安]或更小的截止狀態電流。此係小於或等於測量儀器(半導體參數/分析儀，Agilent 4156C；由Agilent公司所製作)的解析度(100 fA)。當以1[μm]之每一個通道寬度而轉換時，此截止狀態電流相當於10[aA/μm]。
將解說光感測器之電路的其他實例於下。
(光感測器P12的電路組態)
將參照第4A圖來解說光感測器P12之電路的構造。此光感測器P12包含光二極體D1、電晶體Q1、及電容器C1。
在光二極體D1中，陽極係連接至佈線L12，且陰極係連接至電晶體Q1。
在電晶體Q1中，源極及汲極的其中一者係連接至參考信號線L10，且源極及汲極的另一者係連接至光感測器輸出信號線L11。
在電容器C1中，一個電極係連接至光二極體D1的陰極，且另一個電極係連接至佈線L15。
(光感測器P13的電路組態)
將參照第4B圖來敘述光感測器P13之電路的構造。此光感測器P13包含除了第3B圖中所示的光感測器P11之外的電晶體Q4。
在電晶體Q4中，閘極係連接至佈線L16、源極及汲極的其中一者係連接至參考信號線L10，以及源極及汲極的另一者係連接至電晶體Q1的閘極。
安裝電晶體Q4以便供應重設信號至電晶體Q1的閘極。
(光感測器P14的電路組態)
將參照第4C圖來敘述光感測器P14之電路的構造。在此光感測器P14中，電晶體Q2係自第4B圖中所示之光感測器P13排除。
(實施例3)
將參照第6A至6E圖來解說使用高度純化及電性i型(本徵型)之氧化物半導體的電晶體之製造方法的一個實例。
首先，形成絕緣層101於基板100之上，做為基底層。該絕緣層101係藉由自處理室去除殘留的水分而被形成。此係在於防止氫、水、氫氧基、或氫化物，等等包含於該絕緣層101之中。
接著，藉由濺鍍法而形成氧化物半導體層於絕緣層101之上。在形成該氧化物半導體層之前，將具有絕緣層101於其之上的基板100預加熱。此係在於盡可能多地防止氫、水分、及氫氧基包含於該氧化物半導體層之中。將吸收於基板100中之諸如氫、水分，等等的雜質去除且排出。
可使用包含氧化鋅做為主要元素之金屬氧化物濺鍍靶材做為用於氧化物半導體層的靶材。例如，可使用具有In2 O3 ：Ga2 O3 ：ZnO=1：1：1[克分子比]之組成比的靶材。此外，可使用具有In2 O3 ：Ga2 O3 ：ZnO=1：1：2[克分子比]或In2 O3 ：Ga2 O3 ：ZnO=1：1：4[克分子比]之組成比的靶材。
此外，可使用諸如In-Sn-Ga-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Al-Zn-O、Sn-Ga-Zn-O、Al-Ga-Zn-O、Sn-Al-Zn-O、In-Zn-O、Sn-Zn-O、Al-Zn-O、Zn-Mg-O、Sn-Mg-O、In-Mg-O、In-O、Sn-O、Zn-O、等等之金屬氧化物做為靶材。
此外，可使用表示為InMO3 (ZnO)m (m>0)之薄膜做為氧化物半導體層。在此，M係選自Ga、Al、Mn、及Co之一或更多個金屬元素。例如，可使用Ga、Ga及Al、Ga及Mn、或Ga及Co做為M。
所形成之氧化物半導體層係藉由第一光微影術處理而被轉換成為島狀氧化物半導體層102(第6A圖)。然後，為了要自氧化物半導體層102中去除氫、水、及氫氧基、等等，將基板引入至電爐內，且在氮氛圍下予以加熱。此熱處理可提供氧化物半導體層102有脫水和脫氫的功效。
用以執行該熱處理的溫度係自400℃至750℃，且在一些實施例中，等於或高於400℃且低於基板的應變點。此外，該熱處理係在不包含水、氫、等等之氛圍下執行。
在該熱處理之後，該氧化物半導體層被加熱於氧氛圍或包含氮及氧的氛圍(例如，氮：氧之容積比=4：1)之下。此係在於檢修氧化物半導體層102中所發生的氧空缺。
然後，形成第一電極103a及第二電極103b於絕緣層101及氧化物半導體層102之上(第6B圖)。第一電極103a用做為源極電極及汲極電極的其中一者。第二電極103b用作為源極電極及汲極電極的另一者。
接著，形成閘極絕緣層104於絕緣層101、氧化物半導體層102、第一電極103a、及第二電極103b之上(第6C圖)。此外，在其中不包含氫的氛圍下，形成該閘極絕緣層104。
接著，藉由去除閘極絕緣層104的一部分而形成到達第一電極103a及第二電極103b的開口105a及105b(第6D圖)。
然後，形成閘極電極106、第一佈線107a、及第二佈線107b於閘極絕緣層104以及該等開口(105a及105b)之上(第6E圖)。
如上所述，可製造出使用高度純化且電性i型(本徵型)之氧化物半導體的電晶體。
此申請案係根據2010年2月19日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號2010-034156，該申請案的全部內容係結合於本文中，以供參考。
1、3．．．光偵測器電路
2．．．控制電路
X1、X3．．．參考電壓
X2、X4．．．輸出信號
P1a~P1n、P3a~P3n、204、P10、P11、P12、P13、P14．．．光感測器
L1、L10．．．參考信號線
L2、L11．．．光感測器輸出信號線
R1a~R1n、R2a~R2n、R3b、R4b、R3a、R4a．．．佈線寄生電阻
Pt1、Pt3．．．輸入端子
Pt2、Pt4．．．輸出端子
200‧‧‧顯示裝置
201‧‧‧像素電路
202‧‧‧像素
203‧‧‧顯示元件
Q1~Q4‧‧‧電晶體
D1‧‧‧光二極體
L13、L14、L12、L15、L16‧‧‧佈線
C1‧‧‧電容器
101‧‧‧絕緣層
100‧‧‧基板
102‧‧‧氧化物半導體層
103a‧‧‧第一電極
103b‧‧‧第二電極
104‧‧‧閘極絕緣層
105a、105b‧‧‧開口
106‧‧‧閘極電極
107a‧‧‧第一佈線
107b‧‧‧第二佈線
第1圖係光偵測器電路1的圖式；
第2圖係光偵測器電路3的圖式；
第3A及3B圖係光感測器的電路組態之實例的圖式；
第4A至4C圖係光感測器的電路組態之實例的圖式；
第5圖係顯示電晶體的電性特徵之圖形；
第6A至6E圖係顯示製造電晶體之實例的圖式；以及
第7圖係顯示裝置的圖式。
1．．．光偵測器電路
2．．．控制電路
X1．．．參考電壓
X2．．．輸出信號
P1a~P1n．．．光感測器
L1．．．參考信號線
L2．．．光感測器輸出信號線
R1a~R1n、R2a~R2n．．．佈線寄生電阻
Pt1、Pt3．．．輸入端子
Pt2、Pt4．．．輸出端子

Claims (11)

  1. 一種具有光偵測器電路之半導體裝置，該光偵測器電路包含：第一佈線，係直接連接至輸入端子；第二佈線，係直接連接至輸出端子；以及第一及第二光感測器，各自包含第一端子及第二端子，該第一端子係直接連接至該第一佈線，且該第二端子係直接連接至該第二佈線，其中，該第一佈線及該第二佈線係並聯地配置，且其中，自該輸入端子經由該第一佈線的第一部分及第二部分、該第二光感測器、及該第二佈線的第一部分而至該輸出端子的第一路徑之電阻值的和與自該輸入端子經由該第一佈線的該第一部分、該第一光感測器、及該第二佈線的該第一部分及第二部分而至該輸出端子的第二路徑之電阻值的和係相同的。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，該第一及該第二光感測器各自包含薄膜電晶體，而該薄膜電晶體包括氧化物半導體層。
  3. 一種具有光偵測器電路之半導體裝置，該光偵測器電路包含：複數個光感測器，係配置於第一方向上，各自包含第一端子及第二端子；第一佈線，係在該第一方向上而自輸入端子延伸出，該第一佈線係直接連接至該複數個光感測器的每一者之該 第一端子；以及第二佈線，係在該第一方向上而延伸至輸出端子，該第二佈線係直接連接至該複數個光感測器的每一者之該第二端子，其中，供應該第一佈線之參考電壓的方向和輸出該第二佈線之輸出信號的方向為該第一方向。
  4. 一種具有光偵測器電路之半導體裝置，該光偵測器電路包含：複數個光感測器，各自包含第一端子及第二端子；第一佈線，係組構成在第一方向上自輸入端子而供應電壓，該第一佈線係直接連接至該複數個光感測器的每一者之該第一端子；以及第二佈線，係組構成在該第一方向上自該第二端子而輸出信號，該第二佈線係直接連接該複數個光感測器的每一者之該第二端子至輸出端子，其中，供應該第一佈線之參考電壓的方向和輸出該第二佈線之輸出信號的方向為該第一方向。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之半導體裝置，其中，自該輸入端子經由該第一佈線的第一部分及第二部分、該複數個光感測器的其中一者、及該第二佈線的第一部分而至該輸出端子的第一路徑之電阻值的和與自該輸入端子經由該第一佈線的該第一部分、該複數個光感測器的次一者、及該第二佈線的該第一部分及第二部分而至該輸出端子的第二路徑之電阻值的和係相同的。
  6. 如申請專利範圍第1、3及4項中任一項之半導體裝置，其中，該第一佈線及該第二佈線係由相同的導電材料所形成，且具有相同的寬度。
  7. 如申請專利範圍第1、3及4項中任一項之半導體裝置，其中，該輸入端子及該輸出端子係連接至控制電路。
  8. 如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中，該輸入端子及該輸出端子係連接至控制電路。
  9. 如申請專利範圍第3或4項之半導體裝置，其中，該複數個光感測器各自包含薄膜電晶體，而該薄膜電晶體包括氧化物半導體層。
  10. 如申請專利範圍第2或9項之半導體裝置，其中，該氧化物半導體層為被表示成InMO3 (ZnO)m (m>0，m為選自Ga、Al、Mn、及Co之金屬元素的其中一者或更多者)之膜。
  11. 如申請專利範圍第1、3及4項中任一項之半導體裝置，其中，該第一佈線並未直接連接至該輸出端子，且該第二佈線並未直接連接至該輸入端子。
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