JP2001292276A5 - - Google Patents
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Claims (55)
- 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、EL素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子の光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、EL素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、前記光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、EL素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、前記EL素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機EL層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項1乃至請求項14のいずれか1項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、前記光電変換素子のカソードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、前記光電変換素子のアノードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
- 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、前記EL素子の動作を制御するスイッチング用TFT及びEL駆動用TFTと、前記光電変換素子に照射された光から信号を生成するリセット用TFTと、バッファ用TFT及び選択用TFTとを有することを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されていることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態
であることを特徴とするエリアセンサ。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであり、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であることを特徴とするエリアセンサ。 - 請求項9乃至請求項15のいずれか1項において、前記スイッチング用TFT、前記EL駆動用TFT、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び前記選択用TFTの半導体膜は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項16のいずれか1項において、前記スイッチング用TFT、前記EL駆動用TFT、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び前記選択用TFTはpチャネル型TFTまたはnチャネル型TFTであることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項17のいずれか1項において、前記EL素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機EL層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項18のいずれか1項において、前記EL素子の陽極は前記EL駆動用TFTのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記EL駆動用TFTはpチャネル型TFTであることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項18のいずれか1項において、前記EL素子の陰極は前記EL駆動用TFTのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記EL駆動用TFTはnチャネル型TFTであることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項20のいずれか1項において、前記光電変換素子のアノードは前記リセット用TFTのドレイン領域に接続され、前記リセット用TFTはnチャネル型TFTであり、前記バッファ用TFTはpチャネル型TFTであることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項20のいずれか1項において、前記光電変換素子のカソードは前記リセット用TFTのドレイン領域に接続され、前記リセット用TFTはpチャネル型TFTであり、前記バッファ用TFTはnチャネル型TFTであることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項22のいずれか1項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴 とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項23のいずれか1項において、前記光電変換素子の光電変換層は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項24のいずれか1項において、前記光電変換素子の光電変換層上に絶縁膜を介して電極が設けられていることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項25のいずれか1項において、前記光電変換素子のカソードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
- 請求項9乃至請求項26のいずれか1項において、前記光電変換素子のアノードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
- 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子とを有していることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、EL素子とを有していることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子の光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、EL素子とを有していることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、前記光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、EL素子とを有していることを特徴とする表示装置。 - 請求項28乃至請求項31のいずれか1項において、前記EL素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機EL層を有していることを特徴とする表示装置。
- 請求項28乃至請求項32のいずれか1項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とする表示装置。
- 請求項28乃至請求項33のいずれか1項において、前記光電変換素子のカソードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項28乃至請求項34のいずれか1項において、前記光電変換素子のアノードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
- 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、前記EL素子の動作を制御するスイッチング用TFT及びEL駆動用TFTと、前記光電変換素子に照射された光から信号を生成するリセット用TFTと、バッファ用TFT及び選択用TFTとを有することを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態
であることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであることを特徴とする表示装置。 - 基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、EL素子と、スイッチング用TFTと、EL駆動用TFTと、リセット用TFTと、バッファ用TFTと、選択用TFTと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記EL駆動用TFTのゲート電極に接続されており、
前記EL駆動用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記EL素子に接続されており、
前記リセット用TFTのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用TFTのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用TFTのドレイン領域は、前記バッファ用TFTのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用TFTのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用TFTのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用TFTのソース領域に接続されており、
前記選択用TFTのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用TFTと前記選択用TFTの極性は同じであり、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用TFTと前記選択用TFTはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用TFTと前記選択用TFTは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であることを特徴とする表示装置。 - 請求項36乃至請求項42のいずれか1項において、前記スイッチング用TFT、前記EL駆動用TFT、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び前記選択用TFTの半導体膜は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項43のいずれか1項において、前記スイッチング用TFT、前記EL駆動用TFT、前記リセット用TFT、前記バッファ用TFT及び前記選択用TFTはpチャネル型TFTまたはnチャネル型TFTであることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項44のいずれか1項において、前記EL素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機EL層を有していることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項45のいずれか1項において、前記EL素子の陽極は前記EL駆動用TFTのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記EL駆動用TFTはpチャネル型TFTであることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項45のいずれか1項において、前記EL素子の陰極は前記EL駆動用TFTのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記EL駆動用TFTはnチャネル型TFTであることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項47のいずれか1項において、前記光電変換素子のアノードは前記リセット用TFTのドレイン領域に接続され、前記リセット用TFTはnチャネル型TFTであり、前記バッファ用TFTはpチャネル型TFTであることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項47のいずれか1項において、前記光電変換素子のカソードは前記リセット用TFTのドレイン領域に接続され、前記リセット用TFTはpチャネル型TFTであり、前記バッファ用TFTはnチャネル型TFTであることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項49のいずれか1項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項50のいずれか1項において、前記光電変換層は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項51のいずれか1項において、前記光電変換層上に絶縁膜を介して電極が設けられていることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項52のいずれか1項において、前記光電変換素子のカソードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項36乃至請求項53のいずれか1項において、前記光電変換素子のアノードはn型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項28乃至請求項54のいずれか1項において、タッチペン及びタッチパネルを有していることを特徴とする表示装置。
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