JP2019161236A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
示装置及びその駆動方法に関する。また、フォトセンサを有する半導体装置及びその駆動
方法に関する。
れている。フォトセンサを表示装置に設けることにより、表示画面が入力領域を兼ねる。
一例として、画像取り込み機能を備えた表示装置が挙げられる(例えば、特許文献1を参
照)。
S方式のイメージセンサなどが挙げられる。これらのイメージセンサは、例えば、デジタ
ルスチルカメラや携帯電話などの電子機器に用いられている。
在する領域に入射した光は被検出物によって遮断され、一部の光が反射される。表示装置
内の画素に設けられたフォトセンサが、被検出物から反射された光を検出することで、当
該領域に被検出物が存在することを認識することができる。
検出物で外光などが反射した光を、フォトセンサで直接検出もしくは光学レンズなどを用
いて集光した後に検出する。
に変換する必要がある。また、電気信号は一般にアナログ信号であるため、A/D変換回
路によってデジタル信号に変換する必要がある。
する。また、それを実現するための新規な回路構成を有するフォトセンサの提供を目的の
一とする。
ある。この問題を解決することを目的の一とする。
費電力が増大するという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
れ、消費電力が増大するという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
難しいという問題がある。この問題を解決することを目的の一とする。
を有するフォトセンサを備え、フォトダイオードは入射光に応じた電荷を第1のトランジ
スタのゲートに供給する機能を有し、第1のトランジスタはゲートに供給された電荷を蓄
積する機能を有し、第2のトランジスタは第1のトランジスタのゲートに蓄積された電荷
を保持する機能を有している半導体装置である。
い。
。
3のトランジスタが設けられている。
、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行い、リセット動作を共通して行い、累積動
作を共通して行い、選択動作を順次行う半導体装置である。よって、複数のフォトセンサ
において、リセット動作は同時に行われ、累積動作は同時に行われ、選択動作は個別に行
われる。そして、全てのフォトセンサの選択動作に要する合計の時間は、累積動作に要す
る時間より、長いことが好ましい。
能を有している。
フォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行い、リセット動作を当該特
定の色において共通して行い、累積動作を当該特定の色において共通して行い、選択動作
を順次行う。よって、複数のフォトセンサにおいて、リセット動作は同時に行われ、累積
動作は同時に行われ、選択動作は個別に行われる半導体装置である。
積動作を当該複数色の各々の色において共通して行い、選択動作を順次行う。よって、複
数のフォトセンサにおいて、リセット動作は各々の色で同時に行われ、累積動作は各々の
色で同時に行われ、選択動作は個別に行われる。
はフォトセンサが入射光に応じた電荷を蓄積する動作であり、選択動作とはフォトセンサ
が電気信号を出力する(読み出しを行う)動作である。
、トランジスタを有する表示装置を単に半導体装置と呼ぶこともある。
を正確に電気信号に変換することができる。
とができ、高速で移動する被検出物に対しても、ブレの少ない画像を取得することができ
る。
、オフ電流が極めて小さい。そのため、フォトセンサの数が増加し、選択動作に要する時
間が長くなっても、入射光を正確に電気信号に変換することができる。したがって、高解
像度の撮像が可能となる。また、フォトセンサの数及び色の数が増加し、選択動作に要す
る合計の時間が長くなっても、入射光を正確に電気信号に変換することができる。したが
って、高解像度のカラー画像の取得が可能となる。
とができる。
が必須ではなくなり、消費電力を抑制することができる。
できる。
は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従っ
て、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の
形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、表示装置について図1〜図3を参照して説明する。
01、表示素子制御回路102及びフォトセンサ制御回路103を有する。
各々の画素104は、表示素子105とフォトセンサ106を有する。全ての画素104
にフォトセンサを設けず、複数の画素毎に設けてもよい。また、画素104の外にフォト
センサを設けてもよい。
01、保持容量202及び液晶素子203を有する表示素子105と、受光素子であるフ
ォトダイオード204、トランジスタ205、トランジスタ206、トランジスタ207
を有するフォトセンサ106とを有する。
ース又はドレインの一方がビデオデータ信号線212に、ソース又はドレインの他方が保
持容量202の一方の電極と液晶素子203の一方の電極に電気的に接続されている。保
持容量202の他方の電極と液晶素子203の他方の電極は一定の電位に保たれている。
液晶素子203は、一対の電極と、該一対の電極の間に液晶層を含む素子である。
有する。例えば、ゲート信号線208に高電位が印加されると、ビデオデータ信号線21
2の電位を保持容量202と液晶素子203に印加する。保持容量202は、液晶素子2
03に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。液晶素子203に電圧を印
加することで偏光方向が変化することを利用して、液晶素子203を透過する光の明暗(
階調)を作ることで、画像表示が実現される。液晶素子203を透過する光には、光源(
バックライト)によって液晶表示装置の裏面から照射される光を用いる。
又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、酸化物半導体を用い、オフ電流
が極めて小さいトランジスタとすることで、表示品質を高めることができる。
子などの他の素子を有していてもよい。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御
される素子であり、具体的には発光ダイオード、OLED(Organic Light
Emitting Diode)等が挙げられる。
ードリセット信号線210に、他方の電極がトランジスタ207のソース又はドレインの
一方に電気的に接続されている。トランジスタ205は、ソース又はドレインの一方がフ
ォトセンサ基準信号線213に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ206のソー
ス又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ206は、ゲートがゲー
ト信号線211に、ソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線214に電気的
に接続されている。トランジスタ207は、ゲートがゲート信号線209に、ソース又は
ドレインの他方がトランジスタ205のゲートに電気的に接続されている。
体、又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、入射光から生成される電気
信号の割合(量子効率)を向上させるために、結晶欠陥の少ない単結晶半導体(例えば単
結晶シリコン)を用いることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させること
が容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好ま
しい。
又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、フォトダイオード204から供
給される電荷を出力信号に変換する機能を有するため、単結晶半導体を用い、移動度の高
いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させることが
容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好まし
い。
又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、フォトセンサ出力信号線214
にトランジスタ205の出力信号を供給する機能を有するため、単結晶半導体を用い、移
動度の高いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させ
ることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いること
が好ましい。
又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、トランジスタ205のゲートの
電荷を保持する機能を有するため、酸化物半導体を用い、オフ電流が極めて小さいトラン
ジスタとすることが好ましい。このように、トランジスタに要求される機能に応じて、複
数種のトランジスタを配置することで、フォトセンサの性能を向上させることができる。
タ信号線などの信号線(「ソース信号線」ともいう。)を介して表示素子105に信号を
入力する表示素子駆動回路107と、走査線(「ゲート信号線」ともいう。)を介して表
示素子105に信号を入力する表示素子駆動回路108を有する。例えば、走査線に電気
的に接続された表示素子駆動回路108は、特定の行に配置された画素が有する表示素子
を選択する機能を有する。また、信号線に電気的に接続された表示素子駆動回路107は
、選択された行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、表示
素子駆動回路108によりゲート信号線に高電位を印加された表示素子では、トランジス
タが導通状態となり、表示素子駆動回路107によりビデオデータ信号線に与えられる電
位が供給される。
ォトセンサ出力信号線、フォトセンサ基準信号線等の信号線に電気的に接続されたフォト
センサ読み出し回路109と、走査線に電気的に接続されたフォトセンサ駆動回路110
を有する。
6に対して、後述するリセット動作と累積動作と選択動作とを行う機能を有する。
106の出力信号を取り出す機能を有する。なお、フォトセンサ読み出し回路109は、
アナログ信号であるフォトセンサ106の出力を、OPアンプを用いてアナログ信号のま
ま表示パネル外部に取り出す。もしくは、A/D変換回路を用いてデジタル信号に変換し
てから表示パネル外部に取り出す。
説明する。図2において、画素1列分のプリチャージ回路200は、トランジスタ216
、プリチャージ信号線217から構成される。なお、プリチャージ回路200の後段に、
OPアンプやA/D変換回路を接続して、フォトセンサ読み出し回路109を構成するこ
とができる。
ンサ出力信号線214の電位を基準電位に設定する。図2では、プリチャージ信号線21
7を”L(Low)”とし、トランジスタ216を導通させることで、フォトセンサ出力
信号線214の電位を基準電位(ここでは高電位とする)に設定することができる。なお
、フォトセンサ出力信号線214の電位を安定させるために、フォトセンサ出力信号線2
14に保持容量を設けることも有効である。なお、基準電位は、低電位とする構成も可能
である。この場合、トランジスタ216は、図2と逆極性とし、プリチャージ信号線21
7を”H(High)”とすることで、フォトセンサ出力信号線214の電位を基準電位
に設定することができる。
る。図3において、信号301〜信号306は、図2におけるフォトダイオードリセット
信号線210、ゲート信号線209、ゲート信号線211、ゲート信号線215、フォト
センサ出力信号線214、プリチャージ信号線217の電位に相当する。
”、ゲート信号線209の電位(信号302)を”H”とする(リセット動作開始)と、
フォトダイオード204が導通し、ゲート信号線215の電位(信号304)が”H”と
なる。また、プリチャージ信号線217の電位(信号306)を”L”とすると、フォト
センサ出力信号線214の電位(信号305)は”H”にプリチャージされる。
”とし、ゲート信号線209の電位(信号302)を”H”のままとする(リセット動作
終了、累積動作開始)と、フォトダイオード204のオフ電流により、ゲート信号線21
5の電位(信号304)が低下し始める。フォトダイオード204は、光が入射されると
オフ電流が増大するので、入射光の量に応じてゲート信号線215の電位(信号304)
は変化する。すなわち、フォトダイオード204は、入射光に応じてトランジスタ205
のゲートに電荷を供給する機能を有している。そして、トランジスタ205のソースとド
レイン間のチャネル抵抗が変化する。
終了)と、ゲート信号線215の電位(信号304)は一定となる。ここで、当該電位は
、累積動作中にフォトダイオード204がゲート信号線215に供給した電荷により決ま
る。すなわち、フォトダイオード204への入射光に応じてトランジスタ205のゲート
に蓄積される電荷が変化する。また、トランジスタ207は、酸化物半導体を用い、オフ
電流が極めて小さいトランジスタで構成されているため、後の選択動作を行うまで、蓄積
された電荷を一定に保つことが可能である。
と、トランジスタ206が導通し、フォトセンサ基準信号線213とフォトセンサ出力信
号線214とが、トランジスタ205とトランジスタ206とを介して導通する。すると
、フォトセンサ出力信号線214の電位(信号305)は、低下していく。なお、時刻D
以前に、プリチャージ信号線217の電位(信号306)は”H”とし、フォトセンサ出
力信号線214のプリチャージを終了しておく。ここで、フォトセンサ出力信号線214
の電位(信号305)が低下する速さは、トランジスタ205のソースとドレイン間の電
流に依存する。すなわち、累積動作中にフォトダイオード204に照射されている光の量
に応じて変化する。
終了)と、トランジスタ206が遮断され、フォトセンサ出力信号線214の電位(信号
305)は、一定値となる。ここで、一定値となる値は、フォトダイオード204に照射
された光の量に応じて変化する。したがって、フォトセンサ出力信号線214の電位を取
得することで、累積動作中におけるフォトダイオード204への入射光の量を知ることが
できる。
繰り返すことで実現される。上述したように、累積動作を制御するトランジスタ207は
、酸化物半導体を用い、オフ電流を極めて小さくすることが好ましい。この回路構成によ
り、トランジスタ205のゲートに蓄積された電荷を保持する機能を向上させることがで
きる。そのため、フォトセンサ106は、入射光を正確に電気信号に変換することが可能
となる。
センサを有する半導体装置にも容易に応用できる。すなわち、本実施の形態における表示
装置から、表示に要する回路、具体的には、表示素子制御回路102、表示素子105を
取り除いて、半導体装置を構成することができる。当該半導体装置としては、例えばイメ
ージセンサが挙げられる。
本実施の形態では、複数のフォトセンサを用いた場合の駆動方法について説明する。
401、信号402、信号403は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけ
るフォトダイオードリセット信号線210の電位変化を示す信号である。また、信号40
4、信号405、信号406は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけるゲ
ート信号線209の電位変化を示す信号である。また、信号407、信号408、信号4
09は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけるゲート信号線211の電位
変化を示す信号である。期間410は、1回の撮像に要する期間である。また、期間41
1、期間412、期間413は、第2行のフォトセンサが、各々リセット動作、累積動作
、選択動作を行っている期間である。このように、各行のフォトセンサを順に駆動してい
くことで、撮像が可能になる。
とがわかる。すなわち、各行のフォトセンサにおける撮像の同時性が損なわれる。そのた
め、撮像画像にブレが生じることになる。特に、第1行から第3行の方向に高速に移動す
る被検出物に対しては、尾を引くように、拡大されたような形状の撮像画像になり、逆方
向に移動する被検出物に対しては、縮小されたような形状の撮像画像になるなど、形状が
歪みやすい。
フォトセンサを順に駆動する周期を短くすることが有効である。しかしながら、この場合
、フォトセンサの出力信号をOPアンプもしくはA/D変換回路で非常に高速度で取得す
る必要がある。したがって、消費電力の増大を招く。特に、高解像度の画像を取得する場
合には、非常に困難となる。
信号501、信号502、信号503は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサに
おけるフォトダイオードリセット信号線210の電位変化を示す信号である。また、信号
504、信号505、信号506は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけ
るゲート信号線209の電位変化を示す信号である。また、信号507、信号508、信
号509は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけるゲート信号線211の
電位変化を示す信号である。期間510は、1回の撮像に要する期間である。また、期間
511、期間512、期間513は、第2行のフォトセンサが、各々リセット動作(他の
行でも共通)、累積動作(他の行でも共通)、選択動作を行っている期間である。
動作とが共通の時間に行われ、累積動作終了後に累積動作とは非同期に、各行で順に選択
動作を行う点である。累積動作を共通の期間にすることで、各行のフォトセンサにおける
撮像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない画像を容易
に得ることができる。累積動作を共通にすることで、各フォトセンサのフォトダイオード
リセット信号線210の駆動回路を共通にすることができる。また、各フォトセンサのゲ
ート信号線209の駆動回路も共通にすることができる。このように駆動回路を共通にす
ることは、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、選択動作を各行で順次
行うことで、フォトセンサの出力信号を取得する際に、OPアンプもしくはA/D変換回
路の動作速度を遅くすることが可能である。その際、選択動作に要する合計の時間を、累
積動作に要する時間より長くすることが好ましい。特に、高解像度の画像を取得する場合
には、非常に有効である。
ャートを示したが、特定の領域における画像を取得するために、特定の行におけるフォト
センサのみを順次駆動する駆動方法も有効である。これにより、OPアンプもしくはA/
D変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な画像を取得することができ
る。また、数行おきにフォトセンサを駆動する駆動方法も有効である。すなわち、複数の
フォトセンサの一部を駆動させる。これにより、OPアンプもしくはA/D変換回路の動
作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な解像度の画像を取得することができる。
におけるゲート信号線215の電位を一定に保つ必要がある。したがって、図2で説明し
たように、トランジスタ207は、酸化物半導体を用いて形成され、オフ電流が極めて小
さいことが好ましい。
解像度の撮像が実現でき、且つ低消費電力の表示装置又は半導体装置を提供することがで
きる。
本実施の形態では、複数のフォトセンサを用いた場合の駆動方法について、実施の形態
2と別の一例を説明する。
信号701、信号702、信号703は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサに
おけるフォトダイオードリセット信号線210の電位変化を示す信号である。また、信号
704、信号705、信号706は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけ
るゲート信号線209の電位変化を示す信号である。また、信号707、信号708、信
号709は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけるゲート信号線211の
電位変化を示す信号である。期間710は、1回の撮像に要する期間である。また、期間
711、期間712、期間713、期間714、期間715は、第2行のフォトセンサが
、各々リセット動作、第1の累積動作、第1の選択動作、第2の累積動作、第2の選択動
作を行っている期間である。ここで、第2の選択動作を行うことで、第1の累積動作の開
始時から第2の累積動作の終了時までの期間においてフォトダイオード204に入射した
光の量を知ることができる。したがって、累積動作及び選択動作を複数回繰り返して行う
ことで、微弱な光についても、正確に電気信号を変換することができる。このように、各
行のフォトセンサを順に駆動していくことで、撮像が可能になる。
積動作及び第2の累積動作について、時間的なズレが生じていることがわかる。すなわち
、各行のフォトセンサにおける撮像の同時性が損なわれる。そのため、画像にブレが生じ
ることになる。特に、第1行から第3行の方向に高速に移動する被検出物に対しては、尾
を引くように、拡大されたような形状の画像になり、逆方向に移動する被検出物に対して
は、縮小されたような形状の画像になるなど、形状が歪みやすい。
させないためには、各行のフォトセンサを順に駆動する周期を短くすることが有効である
。しかしながら、この場合、フォトセンサの出力信号をOPアンプもしくはA/D変換回
路で非常に高速度で取得する必要がある。したがって、消費電力の増大を招く。特に、高
解像度の画像を取得する場合には、非常に困難となる。
て、信号801、信号802、信号803は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセン
サにおけるフォトダイオードリセット信号線210の電位変化を示す信号である。また、
信号804、信号805、信号806は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサに
おけるゲート信号線209の電位変化を示す信号である。また、信号807、信号808
、信号809は、各々第1行、第2行、第3行のフォトセンサにおけるゲート信号線21
1の電位変化を示す信号である。期間810は、1回の撮像に要する期間である。また、
期間811、期間812、期間813、期間814、期間815は、第2行のフォトセン
サが、各々リセット動作(他の行でも共通)、第1の累積動作(他の行でも共通)、第1
の選択動作、第2の累積動作(他の行でも共通)、第2の選択動作を行っている期間であ
る。
第1の累積動作と第2の累積動作とが共通の時間に行われ、第1の累積動作終了後に第1
の累積動作とは非同期に、各行で順に第1の選択動作を行い、第2の累積動作終了後に第
2の累積動作とは非同期に、各行で順に第2の選択動作を行う点である。第1の累積動作
と第2の累積動作とを各々共通の期間にすることで、各行のフォトセンサにおける撮像の
同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない撮像画像を容易に
得ることができる。累積動作を共通にすることで、各フォトセンサのフォトダイオードリ
セット信号線210の駆動回路を共通にすることができる。また、各フォトセンサのゲー
ト信号線209の駆動回路も共通にすることができる。このように駆動回路を共通にする
ことは、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、第1の累積動作とは非同
期に第1の選択動作を行い、第2の累積動作とは非同期に第2の選択動作を行うことで、
フォトセンサの出力信号を取得するために、OPアンプもしくはA/D変換回路の動作を
より低速に行うことが可能である。その際、選択動作に要する合計の時間を、第1の累積
動作の開始時から第2の累積動作の終了時までの時間より長くすることが好ましい。特に
、微弱な光しか得られない場合に、高解像度の画像を取得するためには非常に有効である
。
チャートを示したが、特定の領域における画像を取得するために、特定の行におけるフォ
トセンサのみを順次駆動する駆動方法も有効である。これにより、OPアンプもしくはA
/D変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な画像を取得することがで
きる。また、数行おきにフォトセンサを駆動する駆動方法も有効である。すなわち、複数
のフォトセンサの一部を駆動させる。これにより、OPアンプもしくはA/D変換回路の
動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な解像度の画像を取得することができる。
におけるゲート信号線215の電位が一定値を保つ必要がある。したがって、図2で説明
したように、トランジスタ207は、酸化物半導体を用いて形成され、オフ電流が極めて
小さいことが好ましい。
センサを有する半導体装置にも容易に応用できる。すなわち、本実施の形態における表示
装置から、表示に要する回路、具体的には、表示素子制御回路102、表示素子105を
取り除いて、半導体装置を構成することができる。
弱な光に対しても高解像度の撮像が実現でき、且つ低消費電力の表示装置又は半導体装置
を提供することができる。
本実施の形態では、複数のフォトセンサを用いてカラーで撮像を行う方式について説明
する。
これは、被検出物に照射する光もしくは被検出物から反射した光がカラーフィルタを通過
して、特定の色(例えば、赤(R)、緑(G)、青(B))の光としてフォトダイオード
に入射することで、各色の光の量を知ることができる。各色の光の量から、カラー階調の
画像を生成することができる。
する光もしくは被検出物から反射した光の量が著しく低下することになる。そのため、フ
ォトダイオードに入射する光の量を十分に得るためには、より強い光を被検出物に照射す
る必要がある。これは、表示装置の消費電力の著しい増大をもたらす。また、フォトダイ
オードの大幅な性能向上が必要になり、製造コストが増大する。
ト)が特定の色(例えば、赤(R)、緑(G)、青(B))の光を発している際に、被検
出物から反射された当該色の光をフォトセンサで検出するために、リセット動作及び累積
動作を行う。そして、各色での累積動作が終わった後、全フォトセンサに対して、選択動
作を順次行うことで、カラーでの撮像が可能になる。
態2と異なる点は、各行のフォトセンサが、特定の色(ここでは、赤(R)とする)を検
出することである。すなわち、信号501、信号502、信号503は、赤(R)の光を
検出するフォトセンサにおけるフォトダイオードリセット信号線210の電位変化を示す
信号である。また、信号504、信号505、信号506は、赤(R)の光を検出するフ
ォトセンサにおけるゲート信号線209の電位変化を示す信号である。また、信号507
、信号508、信号509は、赤(R)の光を検出するフォトセンサにおけるゲート信号
線211の電位変化を示す信号である。期間510は、赤(R)の光に対する1回の撮像
に要する期間である。また、期間511、期間512、期間513は、第2行の赤(R)
を検出するフォトセンサが、各々リセット動作(他の行でも共通)、累積動作(他の行で
も共通)、選択動作を行っている期間である。
動作とが共通の時間に行われ、累積動作終了後に累積動作とは非同期に、各行で順に選択
動作を行う点が特徴である。累積動作を共通の期間にすることで、各行の赤(R)を検出
するフォトセンサにおける撮像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても
、ブレが少ない画像を容易に得ることができる。累積動作を共通にすることで、各フォト
センサのフォトダイオードリセット信号線210の駆動回路を共通にすることができる。
また、各フォトセンサのゲート信号線209の駆動回路も共通にすることができる。この
ように駆動回路を共通にすることは、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さら
に、選択動作を各行で順次行うことで、フォトセンサの出力信号を取得する際に、OPア
ンプもしくはA/D変換回路の動作速度を遅くすることが可能である。その際、選択動作
に要する合計の時間を、累積動作に要する合計の時間のより長くすることが好ましい。特
に、高解像度の画像を取得する場合には、非常に有効である。
で、複数色のカラーでの撮像を行うことができる。複数色の場合は累積動作に要する合計
の時間が長くなるため、上記のように累積動作を共通して行う構成とすることで、撮像に
要する時間を短縮することができる。なお、各動作を行う色の順番は限定されない。
るフォトセンサを順次駆動する駆動方法について、タイミングチャートを示したが、特定
の領域における画像を取得するために、特定の行におけるフォトセンサのみを順次駆動す
る駆動方法も有効である。これにより、OPアンプもしくはA/D変換回路の動作を軽減
し、消費電力を低減しながら、必要な画像を取得することができる。また、数行おきに間
引いてフォトセンサを駆動する駆動方法も有効である。これにより、OPアンプもしくは
A/D変換回路の動作を軽減し、消費電力を低減しながら、必要な解像度の画像を取得す
ることができる。
センサにおけるゲート信号線215の電位が一定値を保つ必要がある。したがって、図2
で説明したように、トランジスタ207は、酸化物半導体を用いて形成され、オフ電流が
極めて小さいことが望ましい。
、青(B))を検出するフォトセンサについて、リセット動作と累積動作を全色に対して
行った後、選択動作を行う構成も可能である。例えば、赤(R)のリセット動作と累積動
作、緑(G)のリセット動作と累積動作、青(B)のリセット動作と累積動作、赤(R)
の選択動作、緑(G)の選択動作、青(B)の選択動作、で1回の撮像を行う。各動作を
行う色の順番は限定されない。
像の同時性が確保され、高速に移動する被検出物に対しても、ブレが少ない画像を容易に
取得することができる。また、各色を検出するフォトセンサのフォトダイオードリセット
信号線210とゲート信号線209とを駆動する駆動回路を各々共通にすることもできる
ので、周辺回路の削減や低消費電力化に有効である。さらに、累積動作とは非同期に選択
動作を行うことで、フォトセンサの出力信号を取得するために、OPアンプもしくはA/
D変換回路の動作をより低速に行うことが可能である。特に、高解像度のカラー画像を取
得する場合には、非常に有効である。
を有する半導体装置にも応用できる。バックライトは、デジタルスチルカメラや携帯電話
などの半導体装置で撮像を行う場合には、フラッシュライトなどの撮像補助光源に相当す
る。
解像度でカラー画像を取得でき、且つ低消費電力の表示装置もしくは半導体装置を提供す
ることができる。
本実施の形態では、図2におけるフォトセンサ106の回路構成の変形例について説明
する。
動作を制御するためのトランジスタ601を接続した構成を示している。具体的には、ト
ランジスタ601のソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線213に電気的
に接続され、他方がトランジスタ205のゲートに電気的に接続されている。また、フォ
トダイオード204の一方の電極は所定の電位(例えばグランド電位)を供給する配線に
電気的に接続されている。
又は単結晶半導体などを用いることが可能である。特に、リセット動作終了後にトランジ
スタ205のゲートの電荷がトランジスタ601から放出することを防止するため、酸化
物半導体を用い、オフ電流の小さいトランジスタとすることが望ましい。
関係を逆にした構成を示している。具体的には、トランジスタ205のソース又はドレイ
ンの一方がフォトセンサ出力信号線214に電気的に接続され、トランジスタ206のソ
ース又はドレインの一方が、フォトセンサ基準信号線213に電気的に接続されている。
には、トランジスタ205のソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線213
に電気的に接続され、他方がフォトセンサ出力信号線214に電気的に接続されている。
は、フォトセンサ基準信号線213とは異なる配線に電気的に接続されていてもよい。
フォトセンサ出力信号線214に電気的に接続され、他方がトランジスタ205のゲート
に電気的に接続されている。
フ電流が低減できるため、トランジスタ205のゲートに蓄積した電荷を一定に保つこと
が可能となる。
極の接続先を逆にしてもよい。
本実施の形態では、フォトセンサを有する半導体装置の構造及び作製方法について説明
する。図7に半導体装置の断面図を示す。なお、表示装置を構成する場合も、以下の半導
体装置を用いることができる。
スタ1003、及びトランジスタ1004が設けられている。それぞれ、図2及び図6に
おける、フォトダイオード204、トランジスタ205、及びトランジスタ207の断面
図を示している。被検出物1201から発せられる光1202、被検出物1201で外光
が反射した光1202、又は装置内部から発せられた光が被検出物1201で反射した光
1202が、フォトダイオード1002に入射される。基板1001側の被検出物を撮像
する構成としてもよい。
板上に絶縁膜(例えば酸化珪素膜又は窒化珪素膜)を形成したもの、半導体基板(例えば
シリコン基板)上に該絶縁膜を形成したもの、又は金属基板(例えばアルミニウム基板)
上に該絶縁膜を形成したものを用いることができる。
005を有している。半導体膜1005は、p型の導電性を有する領域(p層1021)
と、i型の導電性を有する領域(i層1022)と、n型の導電性を有する領域(n層1
023)とを有している。なお、フォトダイオード1002は、pnダイオードであって
も良い。
n型を付与する不純物とを、それぞれ半導体膜1005の特定の領域に添加することで、
形成することが出来る。
上させるために、結晶欠陥の少ない単結晶半導体(例えば単結晶シリコン)を用いて半導
体膜1005を形成することが好ましい。
6、ゲート絶縁膜1007、及びゲート電極1008を有している。
変換する機能を有する。そのため、単結晶半導体(例えば単結晶シリコン)を用いて半導
体膜1006を形成し、移動度の高いトランジスタとすることが好ましい。
単結晶半導体基板(例えば単結晶シリコン基板)の所望の深さに、イオン照射等を行い損
傷領域を形成する。当該単結晶半導体基板と基板1001とを絶縁膜を介して貼り合わせ
た後、損傷領域から単結晶半導体基板を分離して、基板1001上に半導体膜を形成する
。当該半導体膜をエッチングなどにより所望の形状に加工(パターニング)することで、
半導体膜1005及び半導体膜1006を形成する。半導体膜1005と半導体膜100
6を同一工程で形成することができるため、コストを低減できる。これにより、フォトダ
イオード1002とトランジスタ1003とは同一表面上に形成されることになる。
晶半導体、酸化物半導体などを用いて形成することもできる。特に、単結晶半導体を用い
ることで移動度の高いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性
を向上させることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を
用いることが好ましい。
厚く形成することが好ましい。更に、トランジスタ1003のS値等の電気特性を良好に
するため、半導体膜1006を薄く形成することが好ましい。この場合、半導体膜100
5は、半導体膜1006より厚く形成すればよい。
動度が高いトランジスタとすることが望ましい。トランジスタ1003と同じ半導体材料
を用いることで、トランジスタ1003と同一工程で形成することができ、コストを低減
できる。
で形成する。プラズマCVD法又はスパッタリング法を用いて形成すればよい。
、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又はこれらを主成分とする
合金材料を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着法を用いて
形成すればよい。
を積層させた構造を採用することもできる。また、トランジスタ1003は、ボトムゲー
ト型としてもよく、チャネルストップ構造又はチャネルエッチ構造とすることもできる。
すべき光以外を遮る構成としてもよい。フォトダイオード1002の上部に遮光膜を設け
てもよい。その場合、例えば、フォトダイオード1002が形成された基板1001と対
向する基板1302に遮光膜を設ければよい。
いて説明する。図12に示すように、ライト1101(バックライト又はフラッシュライ
ト)が特定の色(例えば、赤(R)、緑(G)、青(B))の光1102を順次発する。
光1102は被検出物1201に照射され、被検出物1201で反射される。反射された
光1104は、フォトダイオード1002に入射される。フォトダイオード1002を有
するフォトセンサは、光1104を検出するために、リセット動作及び累積動作を行う。
そして、各色での累積動作が終わった後、全フォトセンサに対して、選択動作を順次行う
ことで、カラーでの撮像が可能になる。
ライト1101からの光1102がフォトダイオード1002に直接入射されないような
構造にしてもよい。
02側の被検出物1201を撮像する構成を示したが、フォトダイオード1002が設け
られた基板1001側の被検出物を撮像する構成としてもよい。その場合は、例えば、ラ
イト1101を基板1302側に設け、遮光膜1301をフォトダイオード1002の上
部に設ける構造とすればよい。
膜トランジスタであり、ゲート電極1010、ゲート絶縁膜1011、半導体膜1012
、電極1013、電極1014を有する。また、トランジスタ1004上に絶縁膜101
5を有する。なお、トランジスタ1004は、トップゲート型としてもよい。
の上方に絶縁膜1009を介して形成されていることを特徴とする。このようにトランジ
スタ1004をフォトダイオード1002と異なる層に形成することで、フォトダイオー
ド1002の面積を拡大することが可能となり、フォトダイオード1002の受光量を大
きくすることができる。
23又はp層1021のいずれかと重なるように形成することが好ましい。フォトダイオ
ード1002の面積を拡大できるとともに、トランジスタ1004とi層1022との重
なりを極力小さくすることで効率よく受光を行うことができるからである。pnダイオー
ドの場合も、トランジスタ1004とpn接合部との重なりを小さくすることで効率よく
受光を行うことができる。
3のゲートに電荷として累積し、また、当該電荷を保持する機能を有する。そのため酸化
物半導体を用いて半導体膜1012を形成し、オフ電流が極めて小さいトランジスタとす
ることが好ましい。
フ電流の極めて小さいトランジスタとすることが望ましい。トランジスタ1004と同じ
半導体材料を用いることで、トランジスタ1004と同一工程で形成することができ、コ
ストを低減できる。なお、上記の各半導体素子について、薄膜半導体を用いても、バルク
半導体を用いてもよい。
例えば水素、水、又は水酸基)が含まれていることが挙げられる。水素等は、酸化物半導
体中でキャリアの供与体(ドナー)になる可能性があり、オフ状態においても電流を発生
させる要因となる。すなわち、酸化物半導体中に水素等が多量に含まれていると、酸化物
半導体がN型化されてしまう。
である酸素の濃度を高くすることで、酸化物半導体を高純度化するものである。高純度化
された酸化物半導体は、真性又は実質的に真性な半導体であり、オフ電流を小さくするこ
とができる。
、図7はボトムゲート型であるので、絶縁膜1009上にゲート電極1010及びゲート
絶縁膜1011を介して当該酸化物半導体膜を形成する。トップゲート型の場合は、当該
酸化物半導体膜を形成した後、ゲート絶縁膜1011及びゲート電極1010を形成すれ
ばよい。
トを用いることができる。例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1
:1:1、すなわち、In:Ga:Zn=1:1:0.5のターゲットを用いることがで
きる。また、In:Ga:Zn=1:1:1、又はIn:Ga:Zn=1:1:2の組成
比を有するターゲットを用いることもできる。また、SiO2を2重量%以上10重量%
以下含むターゲットを用いることもできる。
囲気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成
膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度が
ppmレベル、好ましくはppbレベルまで除去された高純度ガスを用いる。
タガスを導入して成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポン
プを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメー
ションポンプを用いることが好ましい。
以上30nm以下とする。そして、酸化物半導体膜にエッチング等を行い、所望の形状に
加工(パターニング)して半導体膜1012とする。
にも、In−Sn−Ga−Zn−O、In−Sn−Zn−O、In−Al−Zn−O、S
n−Ga−Zn−O、Al−Ga−Zn−O、Sn−Al−Zn−O、In−Zn−O、
Sn−Zn−O、Al−Zn−O、Zn−Mg−O、Sn−Mg−O、In−Mg−O、
In−O、Sn−O、又はZn−Oなどを用いることができる。また、上記酸化物半導体
膜はSiを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体膜は、非晶質であってもよい
し、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であってもよい
。
で表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoか
ら選ばれた一または複数の金属元素である。例えば、Mとして、Ga、Ga及びAl、G
a及びMn、またはGa及びCoが挙げられる。
の温度は、400℃以上750℃以下、好ましくは400℃以上基板の歪み点未満とする
。
基等の除去(脱水素化処理)を行うことができる。これらが酸化物半導体膜に含まれると
、ドナーとなりトランジスタのオフ電流を増大させるため、第1の加熱処理による脱水素
化処理は極めて有効である。
体からの熱伝導または熱輻射によって加熱してもよい。その場合、例えばGRTA(Ga
s Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapi
d Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal A
nneal)装置を用いることができる。
ーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光
(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。
性ガス(代表的には、アルゴン等の希ガス)または窒素ガスを用いることができる。GR
TA装置を用いることで、短時間で高温の加熱処理が可能となるため、特に有効である。
電極1014を形成した後行ってもよいし、絶縁膜1015を形成した後に行ってもよい
。ただ、電極1013及び電極1014が第1の加熱処理によってダメージを受けること
を避けるため、当該電極を形成する前に行うことが好ましい。
る。そのため、第1の加熱処理の後に、酸化物半導体に酸素の導入(加酸化処理)を行い
、構成元素である酸素の高純度化を行うことが好ましい。
気(たとえば、窒素:酸素の体積比=4:1)中、又は酸素雰囲気中において、第2の加
熱処理を行う方法が挙げられる。また、酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行う方法を用い
ることもできる。酸化物半導体膜中の酸素濃度を向上させ、高純度化することができる。
第2の加熱処理の温度は、200℃以上400℃以下、好ましくは250℃以上350℃
以下とする。
絶縁膜(絶縁膜1015)を形成し、第3の加熱処理を行う。この絶縁膜1015中の酸
素が半導体膜1012に移動し、酸化物半導体の酸素濃度を向上させ、高純度化すること
ができる。第3の加熱処理の温度は、200℃以上400℃以下、好ましくは250℃以
上350℃以下とする。なお、トップゲート型とした場合においても、半導体膜1012
上部に接するゲート絶縁膜を、酸化珪素膜等で形成し、同様の加熱処理を行うことで、酸
化物半導体を高純度化することができる。
3の加熱処理により加酸化処理を行うことで、酸化物半導体膜を高純度化することが可能
である。高純度化することで、酸化物半導体を真性又は実質的に真性とすることができ、
トランジスタ1004のオフ電流を低減することができる。
酸化珪素膜、窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成する。プラズマCVD法、スパ
ッタリング法を用いて形成すればよい。ポリイミド等の樹脂膜を塗布法等により形成して
もよい。
ンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又は
これらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又
は真空蒸着法を用いて形成すればよい。
で形成する。プラズマCVD又はスパッタリング法を用いて形成すればよい。
上に、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、イッ
トリウムなどの金属、これらを主成分とする合金材料、又は酸化インジウム等の導電性を
有する金属酸化物等を用いて、単層又は積層で形成する。スパッタリング法又は真空蒸着
法を用いて形成すればよい。ここで、電極1013は、ゲート絶縁膜1007、絶縁膜1
009、ゲート絶縁膜1011に形成されたコンタクトホールを介して、フォトダイオー
ド1002のn層1023と電気的に接続されることが好ましい。
に説明する。
満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満
、または6.0×1010/cm3未満である酸化物半導体が挙げられる。
るトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。
た結果を以下に示す。なお、ここでは、nチャネル型のトランジスタであるものとして説
明する。
個並列に接続して作製されたL/W=3μm/10000μmのトランジスタを設けた。
その初期特性を図8に示す。ここでは、VGを−20V〜+5Vまでの範囲で示している
。トランジスタの初期特性を測定するため、基板温度を室温とし、ソース−ドレイン間電
圧(以下、ドレイン電圧またはVDという)を10Vとし、ソース−ゲート間電圧(以下
、ゲート電圧またはVGという)を−20V〜+20Vまで変化させたときのソース−ド
レイン電流(以下、ドレイン電流またはIDという)の変化特性、すなわちVG−ID特
性を測定した。
10Vのいずれにおいても、オフ電流は1×10−13A以下となっており、測定機(半
導体パラメータ・アナライザ、Agilent 4156C;Agilent社製)の分
解能(100fA)以下となっている。このオフ電流値は、チャネル幅1μmに換算する
と、10aA/μmに相当する。
ジスタでしきい値Vthが正である場合、室温において−20V以上−5V以下の範囲の
任意のゲート電圧を印加したときにトランジスタのソース−ドレイン間を流れる電流のこ
とを指す。なお、室温は、15度以上25度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導
体を用いたトランジスタは、室温において、単位チャネル幅(W)あたりの電流値が10
0aA/μm以下、好ましくは1aA/μm以下、さらに好ましくは10zA/μm以下
である。
は、−25℃から150℃までの温度範囲におけるトランジスタの電流電圧特性において
、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、S値、及びしきい値電圧の変動がほとんどなく
、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。
101 画素回路
102 表示素子制御回路
103 フォトセンサ制御回路
104 画素
105 表示素子
106 フォトセンサ
107 表示素子駆動回路
108 表示素子駆動回路
109 フォトセンサ読み出し回路
110 フォトセンサ駆動回路
200 プリチャージ回路
201 トランジスタ
202 保持容量
203 液晶素子
204 フォトダイオード
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 トランジスタ
208 ゲート信号線
209 ゲート信号線
210 リセット信号線
211 ゲート信号線
212 ビデオデータ信号線
213 フォトセンサ基準信号線
214 フォトセンサ出力信号線
215 ゲート信号線
216 トランジスタ
217 プリチャージ信号線
301〜306 信号
401〜409 信号
410〜413 期間
501〜509 信号
510〜513 期間
601 トランジスタ
701〜709 信号
710〜715 期間
801〜809 信号
810〜815 期間
1001 基板
1002 フォトダイオード
1003 トランジスタ
1004 トランジスタ
1005 半導体膜
1006 半導体膜
1007 ゲート絶縁膜
1008 ゲート電極
1009 絶縁膜
1010 ゲート電極
1011 ゲート絶縁膜
1012 半導体膜
1013 電極
1014 電極
1015 絶縁膜
1101 ライト
1102 光
1104 光
1021 p層
1022 i層
1023 n層
1201 被検出物
1202 光
1301 遮光膜
1302 基板
Claims (2)
- 第1のフォトセンサと、第2のフォトセンサと、を有し、
前記第1のフォトセンサは、第1のフォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第2のフォトセンサは、第2のフォトダイオードと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
前記第1のフォトダイオードは、前記第2のトランジスタを介して前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のフォトダイオードは、前記第4のトランジスタを介して前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインは、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第4のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第1のフォトセンサ及び前記第2のフォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
前記第1のフォトセンサ及び前記第2のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行う機能と、前記累積動作を共通して行う機能と、前記選択動作を順次行う機能と、を有し、
前記第1のフォトセンサ及び前記第2のフォトセンサは、前記リセット動作を行った後、前記累積動作と前記選択動作とを複数回繰り返して行う機能を有する半導体装置。 - 第1のフォトセンサと、第2のフォトセンサと、を有し、
前記第1のフォトセンサは、第1のフォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第2のフォトセンサは、第2のフォトダイオードと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
前記第1のフォトダイオードは、前記第2のトランジスタを介して前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のフォトダイオードは、前記第4のトランジスタを介して前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインは、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第4のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第1のフォトセンサ及び前記第2のフォトセンサは、リセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
前記第1のフォトセンサ及び前記第2のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行う機能と、前記累積動作を共通して行う機能と、前記選択動作を順次行う機能と、を有し、
前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作に要する時間より長く、
前記第1のフォトセンサ及び前記第2のフォトセンサは、前記リセット動作を行った後、前記累積動作と前記選択動作とを複数回繰り返して行う機能を有する半導体装置。
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