|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPS62115874A
(ja)
*
|
1985-11-15 |
1987-05-27 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
KR100254134B1
(ko)
*
|
1991-11-08 |
2000-04-15 |
나시모토 류우조오 |
대기시 전류저감회로를 가진 반도체 집적회로
|
|
JP3112047B2
(ja)
|
1991-11-08 |
2000-11-27 |
株式会社日立製作所 |
半導体集積回路
|
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP3767613B2
(ja)
|
1994-12-27 |
2006-04-19 |
セイコーエプソン株式会社 |
液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器
|
|
JPH08186180A
(ja)
*
|
1994-12-28 |
1996-07-16 |
Oki Electric Ind Co Ltd |
Ｃｍｉｓ型集積回路装置及びその製造方法
|
|
US7348227B1
(en)
*
|
1995-03-23 |
2008-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
JPH08264798A
(ja)
|
1995-03-23 |
1996-10-11 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置および半導体装置作製方法
|
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
|
DE69635107D1
(de)
*
|
1995-08-03 |
2005-09-29 |
Koninkl Philips Electronics Nv |
Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
|
|
JP3625598B2
(ja)
*
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
DE69739692D1
(de)
|
1996-04-08 |
2010-01-21 |
Hitachi Ltd |
Integrierte halbleiterschaltungsvorrichtung
|
|
JP2008085348A
(ja)
|
1996-04-08 |
2008-04-10 |
Renesas Technology Corp |
半導体集積回路装置
|
|
JPH11233789A
(ja)
*
|
1998-02-12 |
1999-08-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP2000150861A
(ja)
*
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
*
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
JP3239867B2
(ja)
|
1998-12-17 |
2001-12-17 |
日本電気株式会社 |
半導体装置
|
|
JP2000243851A
(ja)
|
1999-02-17 |
2000-09-08 |
Hitachi Ltd |
半導体集積回路装置
|
|
JP3423896B2
(ja)
|
1999-03-25 |
2003-07-07 |
科学技術振興事業団 |
半導体デバイス
|
|
JP2001053599A
(ja)
*
|
1999-08-12 |
2001-02-23 |
Nec Corp |
半導体集積回路
|
|
TW460731B
(en)
*
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
JP2002064150A
(ja)
*
|
2000-06-05 |
2002-02-28 |
Mitsubishi Electric Corp |
半導体装置
|
|
TW463393B
(en)
|
2000-08-25 |
2001-11-11 |
Ind Tech Res Inst |
Structure of organic light emitting diode display
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
KR20020038482A
(ko)
*
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
JP3997731B2
(ja)
*
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP2002368226A
(ja)
*
|
2001-06-11 |
2002-12-20 |
Sharp Corp |
半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器
|
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
WO2003040441A1
(fr)
*
|
2001-11-05 |
2003-05-15 |
Japan Science And Technology Agency |
Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
JP4083486B2
(ja)
*
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
US7049190B2
(en)
*
|
2002-03-15 |
2006-05-23 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
|
|
JP3933591B2
(ja)
*
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
JP2003298062A
(ja)
*
|
2002-03-29 |
2003-10-17 |
Sharp Corp |
薄膜トランジスタ及びその製造方法
|
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
JP2004022625A
(ja)
*
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
*
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
JP4736313B2
(ja)
*
|
2002-09-10 |
2011-07-27 |
日本電気株式会社 |
薄膜半導体装置
|
|
CN100590877C
(zh)
*
|
2002-09-10 |
2010-02-17 |
日本电气株式会社 |
薄膜半导体装置及其制造方法
|
|
US7067843B2
(en)
*
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP4108633B2
(ja)
*
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
*
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
US6940307B1
(en)
|
2003-10-22 |
2005-09-06 |
Altera Corporation |
Integrated circuits with reduced standby power consumption
|
|
US7026713B2
(en)
|
2003-12-17 |
2006-04-11 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor device having a delafossite material
|
|
US7297977B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
US7145174B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
EP1737044B1
(en)
|
2004-03-12 |
2014-12-10 |
Japan Science and Technology Agency |
Amorphous oxide and thin film transistor
|
|
US7282782B2
(en)
*
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
KR100519801B1
(ko)
*
|
2004-04-26 |
2005-10-10 |
삼성전자주식회사 |
스트레스 완충 스페이서에 의해 둘러싸여진 노드 콘택플러그를 갖는 반도체소자들 및 그 제조방법들
|
|
JPWO2005122272A1
(ja)
*
|
2004-06-08 |
2008-04-10 |
日本電気株式会社 |
歪みシリコンチャネル層を有するｍｉｓ型電界効果トランジスタ
|
|
US7211825B2
(en)
*
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
IL163209A
(en)
*
|
2004-07-26 |
2009-08-03 |
Yair Eilam |
A sewing machine needle for sewing with a complex thread
|
|
JP2006100760A
(ja)
*
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP2006108654A
(ja)
*
|
2004-09-09 |
2006-04-20 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
無線チップ
|
|
EP1803154B1
(en)
|
2004-09-09 |
2010-08-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Wireless chip
|
|
US7285501B2
(en)
*
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
US7298084B2
(en)
*
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
US7791072B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
WO2006051995A1
(en)
*
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor employing an amorphous oxide
|
|
RU2358354C2
(ru)
*
|
2004-11-10 |
2009-06-10 |
Кэнон Кабусики Кайся |
Светоизлучающее устройство
|
|
US7453065B2
(en)
*
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
CN102945857B
(zh)
*
|
2004-11-10 |
2015-06-03 |
佳能株式会社 |
无定形氧化物和场效应晶体管
|
|
US7579224B2
(en)
*
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
TWI569441B
(zh)
*
|
2005-01-28 |
2017-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
TWI505473B
(zh)
*
|
2005-01-28 |
2015-10-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
US7858451B2
(en)
*
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US7948171B2
(en)
*
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
US20060197092A1
(en)
*
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
US8681077B2
(en)
*
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
US7544967B2
(en)
*
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
|
US7645478B2
(en)
*
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US7274217B2
(en)
*
|
2005-04-07 |
2007-09-25 |
International Business Machines Corporation |
High performance PFET header in hybrid orientation technology for leakage reduction in digital CMOS VLSI designs
|
|
KR100621633B1
(ko)
*
|
2005-04-18 |
2006-09-19 |
삼성전자주식회사 |
적층된 트랜지스터들을 구비하는 반도체 장치의 형성 방법및 그에 의해 형성된 반도체 장치
|
|
US8300031B2
(en)
*
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
JP2006344849A
(ja)
*
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7691666B2
(en)
*
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7402506B2
(en)
*
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
KR100711890B1
(ko)
*
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
JP2007059128A
(ja)
*
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP2007073705A
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP4560502B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2010-10-13 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
|
JP4280736B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP4850457B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP5116225B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
|
EP1995787A3
(en)
|
2005-09-29 |
2012-01-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
|
|
US7292061B2
(en)
*
|
2005-09-30 |
2007-11-06 |
Masaid Technologies Incorporated |
Semiconductor integrated circuit having current leakage reduction scheme
|
|
US7425740B2
(en)
|
2005-10-07 |
2008-09-16 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Method and structure for a 1T-RAM bit cell and macro
|
|
JP5427340B2
(ja)
*
|
2005-10-14 |
2014-02-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP5037808B2
(ja)
*
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
KR101050767B1
(ko)
*
|
2005-11-15 |
2011-07-20 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치 제조방법
|
|
US7248457B2
(en)
*
|
2005-11-15 |
2007-07-24 |
Toto Ltd. |
Electrostatic chuck
|
|
TWI292281B
(en)
*
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
*
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
*
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
*
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
US7977169B2
(en)
*
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
JP5015473B2
(ja)
*
|
2006-02-15 |
2012-08-29 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタアレイ及びその製法
|
|
JP5110803B2
(ja)
|
2006-03-17 |
2012-12-26 |
キヤノン株式会社 |
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
KR20070101595A
(ko)
*
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
CN101356652B
(zh)
*
|
2006-06-02 |
2012-04-18 |
日本财团法人高知县产业振兴中心 |
包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
KR101176545B1
(ko)
*
|
2006-07-26 |
2012-08-28 |
삼성전자주식회사 |
마이크로 렌즈의 형성방법과 마이크로 렌즈를 포함한이미지 센서 및 그의 제조방법
|
|
US7906415B2
(en)
*
|
2006-07-28 |
2011-03-15 |
Xerox Corporation |
Device having zinc oxide semiconductor and indium/zinc electrode
|
|
JP4999400B2
(ja)
*
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4332545B2
(ja)
*
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
JP5164357B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
US7622371B2
(en)
*
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
US7511343B2
(en)
*
|
2006-10-12 |
2009-03-31 |
Xerox Corporation |
Thin film transistor
|
|
US7772021B2
(en)
*
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
JP2008140684A
(ja)
*
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
JP5143410B2
(ja)
|
2006-12-13 |
2013-02-13 |
出光興産株式会社 |
スパッタリングターゲットの製造方法
|
|
WO2008072486A1
(ja)
|
2006-12-13 |
2008-06-19 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜
|
|
KR101303578B1
(ko)
*
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
US8207063B2
(en)
*
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
JP5196870B2
(ja)
|
2007-05-23 |
2013-05-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
|
|
JP4957297B2
(ja)
*
|
2007-03-06 |
2012-06-20 |
セイコーエプソン株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
KR100851215B1
(ko)
*
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
US7620926B1
(en)
|
2007-03-20 |
2009-11-17 |
Xilinx, Inc. |
Methods and structures for flexible power management in integrated circuits
|
|
TWI487118B
(zh)
*
|
2007-03-23 |
2015-06-01 |
Idemitsu Kosan Co |
Semiconductor device
|
|
US7795613B2
(en)
*
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
*
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
*
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
*
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
JP4139852B1
(ja)
*
|
2007-04-20 |
2008-08-27 |
三菱電機株式会社 |
インバータ制御装置
|
|
US8274078B2
(en)
*
|
2007-04-25 |
2012-09-25 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Metal oxynitride semiconductor containing zinc
|
|
US8748879B2
(en)
*
|
2007-05-08 |
2014-06-10 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
Semiconductor device, thin film transistor and a method for producing the same
|
|
JP5294651B2
(ja)
*
|
2007-05-18 |
2013-09-18 |
キヤノン株式会社 |
インバータの作製方法及びインバータ
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
JP5406449B2
(ja)
*
|
2007-05-30 |
2014-02-05 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
|
|
US8354674B2
(en)
|
2007-06-29 |
2013-01-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
|
|
KR20090002841A
(ko)
|
2007-07-04 |
2009-01-09 |
삼성전자주식회사 |
산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
JP2009076879A
(ja)
*
|
2007-08-24 |
2009-04-09 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
JPWO2009034953A1
(ja)
*
|
2007-09-10 |
2010-12-24 |
出光興産株式会社 |
薄膜トランジスタ
|
|
US20090076322A1
(en)
|
2007-09-13 |
2009-03-19 |
Atsushi Matsunaga |
Capsule endoscope
|
|
JP5101387B2
(ja)
|
2007-09-13 |
2012-12-19 |
富士フイルム株式会社 |
カプセル型内視鏡
|
|
JP2009130209A
(ja)
|
2007-11-26 |
2009-06-11 |
Fujifilm Corp |
放射線撮像素子
|
|
JP5430846B2
(ja)
|
2007-12-03 |
2014-03-05 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP5215158B2
(ja)
*
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
|
JP5305696B2
(ja)
*
|
2008-03-06 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子の処理方法
|
|
KR101490112B1
(ko)
|
2008-03-28 |
2015-02-05 |
삼성전자주식회사 |
인버터 및 그를 포함하는 논리회로
|
|
JP5355921B2
(ja)
*
|
2008-03-28 |
2013-11-27 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、半導体装置の作製方法
|
|
JP5305731B2
(ja)
|
2008-05-12 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子の閾値電圧の制御方法
|
|
JP5202094B2
(ja)
|
2008-05-12 |
2013-06-05 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置
|
|
JP5519120B2
(ja)
*
|
2008-05-27 |
2014-06-11 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置
|
|
KR101529575B1
(ko)
*
|
2008-09-10 |
2015-06-29 |
삼성전자주식회사 |
트랜지스터, 이를 포함하는 인버터 및 이들의 제조방법
|
|
JP4623179B2
(ja)
*
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5451280B2
(ja)
*
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
KR102062077B1
(ko)
|
2009-10-30 |
2020-01-03 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
WO2011062075A1
(en)
|
2009-11-20 |
2011-05-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
|
|
KR102719739B1
(ko)
*
|
2009-12-04 |
2024-10-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
IN2012DN04871A
(enExample)
*
|
2009-12-11 |
2015-09-25 |
Semiconductor Energy Laoboratory Co Ltd |
|
|
WO2011070929A1
(en)
*
|
2009-12-11 |
2011-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
|
KR101978106B1
(ko)
|
2010-01-20 |
2019-05-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|