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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101813460B1 (ko) 2009-12-18 2017-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102804360B (zh) 2009-12-25 2014-12-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN102804603B (zh) * 2010-01-20 2015-07-15 株式会社半导体能源研究所 信号处理电路及其驱动方法
TWI562285B (en) * 2010-08-06 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
JP6109489B2 (ja) * 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
KR101922397B1 (ko) * 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2021101485A (ja) * 2011-06-17 2021-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9117916B2 (en) * 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
WO2013089115A1 (en) * 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI580189B (zh) * 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
TWI584383B (zh) * 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
SG10201605470SA (en) 2012-01-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013182998A (ja) * 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9276121B2 (en) * 2012-04-12 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US20130285049A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Standard cell and semiconductor integrated circuit
US9007090B2 (en) * 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
KR102164990B1 (ko) * 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP5826716B2 (ja) 2012-06-19 2015-12-02 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP6224931B2 (ja) * 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014057298A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
TWI581404B (zh) * 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
JP2014057296A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
JP5960000B2 (ja) * 2012-09-05 2016-08-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2014150481A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Sharp Corp 半導体装置
JP2014239201A (ja) * 2013-05-08 2014-12-18 ソニー株式会社 半導体装置、アンテナスイッチ回路、および無線通信装置
KR102098795B1 (ko) 2013-05-20 2020-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI566328B (zh) * 2013-07-29 2017-01-11 高效電源轉換公司 具有用於產生附加構件之多晶矽層的氮化鎵電晶體
US9343288B2 (en) * 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244460B1 (ko) * 2013-10-22 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2884542A3 (en) * 2013-12-10 2015-09-02 IMEC vzw Integrated circuit device with power gating switch in back end of line
JP6545976B2 (ja) * 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9515661B2 (en) * 2014-05-09 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, semiconductor device, and clock tree
WO2015182000A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
SG10201912585TA (en) * 2014-05-30 2020-02-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10930603B2 (en) 2016-03-22 2021-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Coaxial through via with novel high isolation cross coupling method for 3D integrated circuits
US9934826B2 (en) 2016-04-14 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20170373195A1 (en) * 2016-06-27 2017-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US10504204B2 (en) 2016-07-13 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR102458660B1 (ko) 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP7073090B2 (ja) 2016-12-28 2022-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 ニューラルネットワークを利用したデータ処理装置、電子部品、および電子機器
WO2018179121A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 シャープ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US11133412B2 (en) * 2018-11-05 2021-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit devices including vertical field-effect transistors (VFETs)
US11411081B2 (en) * 2020-04-22 2022-08-09 Globalfoundries U.S. Inc. Field effect transistor (FET) stack and methods to form same
DE112021004465T5 (de) 2020-08-27 2023-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Anzeigevorrichtung und elektronische Vorrichtung
KR102710108B1 (ko) 2021-09-24 2024-09-25 한국전자통신연구원 산화물 반도체를 포함하는 sram 소자
KR102767182B1 (ko) 2021-09-24 2025-02-14 한국전자통신연구원 산화물 반도체를 포함하는 cmos 로직 소자
WO2025017417A1 (ja) * 2023-07-14 2025-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Family Cites Families (172)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPS62115874A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JP3112047B2 (ja) 1991-11-08 2000-11-27 株式会社日立製作所 半導体集積回路
KR100254134B1 (ko) * 1991-11-08 2000-04-15 나시모토 류우조오 대기시 전류저감회로를 가진 반도체 집적회로
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3767613B2 (ja) 1994-12-27 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器
JPH08186180A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Oki Electric Ind Co Ltd Ｃｍｉｓ型集積回路装置及びその製造方法
US7348227B1 (en) * 1995-03-23 2008-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH08264798A (ja) 1995-03-23 1996-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置作製方法
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
EP0820644B1 (en) 1995-08-03 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2008085348A (ja) 1996-04-08 2008-04-10 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
TW382164B (en) 1996-04-08 2000-02-11 Hitachi Ltd Semiconductor IC device with tunnel current free MOS transistors for power supply intercept of main logic
JPH11233789A (ja) * 1998-02-12 1999-08-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3239867B2 (ja) * 1998-12-17 2001-12-17 日本電気株式会社 半導体装置
JP2000243851A (ja) 1999-02-17 2000-09-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP3423896B2 (ja) 1999-03-25 2003-07-07 科学技術振興事業団 半導体デバイス
JP2001053599A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Nec Corp 半導体集積回路
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2002064150A (ja) 2000-06-05 2002-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
TW463393B (en) 2000-08-25 2001-11-11 Ind Tech Res Inst Structure of organic light emitting diode display
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2002368226A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Sharp Corp 半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
WO2003040441A1 (fr) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003298062A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
CN101359899B (zh) * 2002-09-10 2011-02-09 日本电气株式会社 薄膜半导体装置及其制造方法
JP4736313B2 (ja) * 2002-09-10 2011-07-27 日本電気株式会社 薄膜半導体装置
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US6940307B1 (en) 2003-10-22 2005-09-06 Altera Corporation Integrated circuits with reduced standby power consumption
US7026713B2 (en) 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
CN1998087B (zh) 2004-03-12 2014-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 非晶形氧化物和薄膜晶体管
KR100519801B1 (ko) * 2004-04-26 2005-10-10 삼성전자주식회사 스트레스 완충 스페이서에 의해 둘러싸여진 노드 콘택플러그를 갖는 반도체소자들 및 그 제조방법들
JPWO2005122272A1 (ja) * 2004-06-08 2008-04-10 日本電気株式会社 歪みシリコンチャネル層を有するｍｉｓ型電界効果トランジスタ
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
IL163209A (en) * 2004-07-26 2009-08-03 Yair Eilam A sewing machine needle for sewing with a complex thread
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101233421B1 (ko) 2004-09-09 2013-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2006108654A (ja) * 2004-09-09 2006-04-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 無線チップ
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
KR20070085879A (ko) 2004-11-10 2007-08-27 캐논 가부시끼가이샤 발광 장치
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7868326B2 (en) 2004-11-10 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor
CA2585190A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI472037B (zh) 2005-01-28 2015-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US7274217B2 (en) 2005-04-07 2007-09-25 International Business Machines Corporation High performance PFET header in hybrid orientation technology for leakage reduction in digital CMOS VLSI designs
KR100621633B1 (ko) * 2005-04-18 2006-09-19 삼성전자주식회사 적층된 트랜지스터들을 구비하는 반도체 장치의 형성 방법및 그에 의해 형성된 반도체 장치
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
US7292061B2 (en) 2005-09-30 2007-11-06 Masaid Technologies Incorporated Semiconductor integrated circuit having current leakage reduction scheme
US7425740B2 (en) 2005-10-07 2008-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for a 1T-RAM bit cell and macro
JP5427340B2 (ja) * 2005-10-14 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
US7248457B2 (en) * 2005-11-15 2007-07-24 Toto Ltd. Electrostatic chuck
WO2007058329A1 (en) 2005-11-15 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP5015473B2 (ja) * 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタアレイ及びその製法
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
EP2025004A1 (en) 2006-06-02 2009-02-18 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
KR101176545B1 (ko) * 2006-07-26 2012-08-28 삼성전자주식회사 마이크로 렌즈의 형성방법과 마이크로 렌즈를 포함한이미지 센서 및 그의 제조방법
US7906415B2 (en) * 2006-07-28 2011-03-15 Xerox Corporation Device having zinc oxide semiconductor and indium/zinc electrode
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7511343B2 (en) * 2006-10-12 2009-03-31 Xerox Corporation Thin film transistor
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
EP2096188B1 (en) 2006-12-13 2014-01-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target
JP5143410B2 (ja) 2006-12-13 2013-02-13 出光興産株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP5196870B2 (ja) 2007-05-23 2013-05-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
JP4957297B2 (ja) * 2007-03-06 2012-06-20 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7620926B1 (en) 2007-03-20 2009-11-17 Xilinx, Inc. Methods and structures for flexible power management in integrated circuits
US8158974B2 (en) 2007-03-23 2012-04-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film, process for producing polycrystalline semiconductor thin film, field effect transistor, and process for producing field effect transistor
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101647187B (zh) 2007-04-20 2012-12-12 三菱电机株式会社 逆变器控制装置
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
WO2008136505A1 (ja) 2007-05-08 2008-11-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法
JP5294651B2 (ja) 2007-05-18 2013-09-18 キヤノン株式会社 インバータの作製方法及びインバータ
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5406449B2 (ja) * 2007-05-30 2014-02-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および表示装置
US8354674B2 (en) 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
KR20090002841A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP2009076879A (ja) * 2007-08-24 2009-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI453915B (zh) * 2007-09-10 2014-09-21 Idemitsu Kosan Co Thin film transistor
US20090076322A1 (en) 2007-09-13 2009-03-19 Atsushi Matsunaga Capsule endoscope
JP5101387B2 (ja) 2007-09-13 2012-12-19 富士フイルム株式会社 カプセル型内視鏡
JP2009130209A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Fujifilm Corp 放射線撮像素子
JP5430846B2 (ja) 2007-12-03 2014-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5215158B2 (ja) * 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5305696B2 (ja) 2008-03-06 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の処理方法
JP5355921B2 (ja) * 2008-03-28 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置の作製方法
KR101490112B1 (ko) 2008-03-28 2015-02-05 삼성전자주식회사 인버터 및 그를 포함하는 논리회로
JP5202094B2 (ja) 2008-05-12 2013-06-05 キヤノン株式会社 半導体装置
JP5305731B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
JP5519120B2 (ja) * 2008-05-27 2014-06-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR101529575B1 (ko) * 2008-09-10 2015-06-29 삼성전자주식회사 트랜지스터, 이를 포함하는 인버터 및 이들의 제조방법
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
KR20250075719A (ko) 2009-10-30 2025-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062075A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
KR102333270B1 (ko) * 2009-12-04 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011070929A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
IN2012DN04871A (enExample) * 2009-12-11 2015-09-25 Semiconductor Energy Laoboratory Co Ltd
IN2012DN05920A (enExample) 2010-01-20 2015-09-18 Semiconductor Energy Lab

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