JP2009271527A - 平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板、それを備える有機発光表示装置、及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成されたTFTの活性層、及び活性層と同一層に同一物質で形成されたキャパシタの第1電極と、活性層及び第1電極それぞれの上部に分離されて形成された第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成され、活性層のチャンネル領域に対応するゲート電極、及びゲート電極と同一層に同一物質で第1電極に対応する第2電極と、基板、第1絶縁層、ゲート電極及び第2電極上に形成された第2絶縁層と、第2絶縁層上に形成され、ソース/ドレイン領域と接続する画素電極、画素電極の上部に積層されたソース/ドレイン電極、及びキャパシタの第2電極に対応するように画素電極及びソース/ドレイン電極と同一物質が順次に積層されて形成された第3電極と、を備える平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
【選択図】図11
Description
11 バッファ層
12 半導体層
13 第1絶縁層
14 第1導電層
15 第2絶縁層
16 第2導電層
17 第3導電層
18 第4導電層
20 TFT
21 活性層
21a ソース領域
21b チャンネル領域
21c ドレイン領域
22 ゲート絶縁膜
23 ゲート電極
24 コンタクトホール
25 ソース電極
26 ドレイン電極
30 キャパシタ
31 第1電極
32 第1誘電体層
33 第2電極
34 第2誘電体層
35 第3電極
45 画素電極
46 画素定義膜
47 有機発光層
48 中間層
49 共通電極
Claims (31)
- 基板上に所定のパターンで形成された薄膜トランジスタの活性層、及び前記活性層と同一層に同一物質で所定間隔ほど離隔されて形成されたキャパシタの第1電極と、
前記活性層及び前記第1電極それぞれの上部に分離されて形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成され、前記活性層のチャンネル領域に対応するゲート電極、及び前記ゲート電極と同一層に同一物質で前記第1電極に対応する第2電極と、
前記基板、第1絶縁層、ゲート電極及び第2電極上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成され、前記活性層のソースまたはドレイン領域とコンタクトホールを通じて接続する画素電極、前記コンタクトホールに形成され、前記画素電極と同一物質の上部に積層されたソース及びドレイン電極、及び前記キャパシタの第2電極に対応するように前記画素電極及びソース及びドレイン電極と同一物質が順次に積層されて形成された第3電極と、を備えることを特徴とする平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記第2絶縁層、画素電極のエッジ、ソース及びドレイン電極、及び前記第3電極上に形成された画素定義膜をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記薄膜トランジスタの活性層及び前記キャパシタの第1電極は、非晶質シリコンが結晶化された多結晶シリコンであることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記薄膜トランジスタの活性層と第1絶縁層とが形成する各端部の形状が一致することを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記キャパシタの第1電極、第1絶縁層及び第2電極が形成する各端部の形状が一致することを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記基板上に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第2絶縁層の厚さは、前記第1絶縁層の厚さより厚いことを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記第2絶縁層の表面は、実質的に平らに形成されたことを特徴とする請求項7に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、光透過性物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、ITO,IZO,ZnOまたはIn2O3から選択された一つ以上の金属で形成されることを特徴とする請求項9に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極は、前記第2絶縁層の上部に反射物質及び光透過性物質が順次に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極の反射物質は、Al,AlNd,ACX,AlNiLa,Ag,Mo,Ti,MoWのうち選択された一つ以上の金属で形成されたことを特徴とする請求項11に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記画素電極の光透過性物質は、ITO,IZO,ZnOまたはIn2O3から選択された一つ以上の金属で形成されることを特徴とする請求項11に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記キャパシタの第3電極は、前記画素電極の反射物質と同一層に同一物質で形成された第1層、前記画素電極の光透過性物質と同一層に同一物質で形成された第2層、及び前記ソース及びドレイン電極と同一層に同一物質で形成された第3層で構成されたことを特徴とする請求項11に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記キャパシタの第3電極の第1層ないし第3層が形成する各端部の形状が一致することを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板。
- 請求項1に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の画素電極上に形成された有機発光層を備える中間層と、
前記中間層上に形成された共通電極と、を備えることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2絶縁層、画素電極のエッジ、ソース及びドレイン電極及び前記第3電極上に形成された画素定義膜をさらに備えることを特徴とする請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記共通電極上に、前記有機発光層を密封する封止構造をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光層から放出された光は前記基板側に進んで、前記基板側に画像が具現されることを特徴とする請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素電極は、前記第2絶縁層の上部に反射物質及び光透過性物質が順次に形成されたことを特徴とする請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光層から放出された光は前記基板の反対側に進んで、前記基板の反対側に画像が具現されることを特徴とする請求項20に記載の有機発光表示装置。
- 基板上に半導体層、第1絶縁層及び第1導電層を順次に形成して、それらを薄膜トランジスタの活性層、第1絶縁層及びゲート電極、並びにキャパシタの第1電極、第1絶縁層及び第2電極に同時にパターニングする第1マスク工程と、
前記基板及び前記第1マスク工程結果の構造物上に第2絶縁層を形成して、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域の一部が露出されるようにコンタクトホールを形成する第2マスク工程と、
前記第2マスク工程結果の構造物上に第2導電層及び第3導電層を順次に形成して、前記第2導電層及び第3導電層の一部に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース及びドレイン領域にコンタクトされるソース及びドレイン電極、前記第2導電層の一部に形成され、前記ソースまたはドレイン電極と接続する画素電極、及び前記第2導電層及び第3導電層の一部に形成され、前記キャパシタの第2電極上に対応するキャパシタの第3電極を同時にパターニングする第3マスク工程と、
前記第3マスク工程結果の構造物上に第3絶縁層を形成して、前記画素電極が露出されるように前記第3絶縁層をパターニングする第4マスク工程と、を含むことを特徴とする平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記半導体層は、前記基板上に非晶質シリコン層を形成し、それを結晶化して形成されることを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第1マスク工程は、前記ゲート電極に対応する位置に半透過部を備える第1ハーフトーンマスクを利用することを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタの第1絶縁層と前記キャパシタの第1絶縁層とは、完全に分離されてパターニングされることを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記基板と前記半導体層との間にバッファ層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 第1マスク工程と第2マスク工程との間に、第1マスク工程で形成されたゲート電極をマスクとして活性層のソース及びドレイン領域に不純物をドーピングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第3マスク工程は、前記画素電極に対応する位置に半透過部を備える第2ハーフトーンマスクを利用することを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第3マスク工程で、前記第2マスク工程結果の構造物と前記第2導電層との間に第4導電層がさらに形成され、
前記ソース及びドレイン電極は、前記第4導電層、第2導電層及び第3導電層の一部に形成され、前記画素電極は、前記第4導電層及び第2導電層の一部に形成され、前記キャパシタの第3電極は、前記第4導電層、第2導電層及び第3導電層の一部に形成されることを特徴とする請求項22に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記第4導電層は、Al,AlNd,ACX,AlNiLa,Ag,Mo,Ti,MoWのうち選択された一つ以上の金属で形成されることを特徴とする請求項29に記載の平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 請求項22に記載の方法により製造された薄膜トランジスタアレイ基板上に、少なくとも有機発光層を備える中間層を形成する工程と、
前記中間層上に共通電極を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
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---|---|---|---|
KR1020080041867A KR100964227B1 (ko) | 2008-05-06 | 2008-05-06 | 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법 |
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---|---|
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---|---|---|---|
JP2009107843A Active JP4870191B2 (ja) | 2008-05-06 | 2009-04-27 | 平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板、それを備える有機発光表示装置、及びそれらの製造方法 |
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---|---|
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TW (1) | TWI390737B (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278010A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2011199245A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにそれらの製造方法 |
KR20110126379A (ko) * | 2010-05-17 | 2011-11-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011258912A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
KR20120003166A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
WO2012073942A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012242834A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法 |
JP2014060399A (ja) * | 2012-09-17 | 2014-04-03 | In-Cha Hsieh | 薄膜トランジスタデバイスを作成する方法 |
KR101439766B1 (ko) | 2012-04-19 | 2014-09-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 표시 패널 및 표시 장치 |
KR101822563B1 (ko) | 2010-12-08 | 2018-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2018526836A (ja) * | 2015-08-28 | 2018-09-13 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパスト‐ナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | Tftデバイスおよび製造方法 |
WO2019159261A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法および露光マスク |
KR20190107233A (ko) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2022054117A1 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (118)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
KR101074788B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2011-10-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101056250B1 (ko) | 2009-10-21 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101117725B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2012-03-07 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101049003B1 (ko) | 2009-12-01 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101101087B1 (ko) | 2009-12-09 | 2011-12-30 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101048987B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101056429B1 (ko) | 2010-03-16 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101156444B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101710179B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2017-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101108175B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP2012015436A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR101695739B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2017-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
DE102011053665B4 (de) * | 2010-09-20 | 2016-06-30 | Lg Display Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe |
KR101705822B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2017-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101736319B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI417627B (zh) * | 2010-12-24 | 2013-12-01 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
CN102543860B (zh) * | 2010-12-29 | 2014-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种低温多晶硅tft阵列基板的制造方法 |
KR101825053B1 (ko) * | 2011-01-11 | 2018-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
KR101876819B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2018-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그의 제조방법 |
JP5725337B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-05-27 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
US9960278B2 (en) * | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI423310B (zh) * | 2011-06-10 | 2014-01-11 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
KR101880721B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터, 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101815256B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2018-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR101792221B1 (ko) | 2011-06-28 | 2017-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101833235B1 (ko) | 2011-07-14 | 2018-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101925540B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2019-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101884737B1 (ko) * | 2011-08-09 | 2018-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101875774B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2018-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 |
JP2013045971A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
KR101801349B1 (ko) * | 2011-09-06 | 2017-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102315167B (zh) * | 2011-09-07 | 2013-09-25 | 信利半导体有限公司 | 广视角液晶显示器阵列基板制作方法 |
KR102108572B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102025836B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2019-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20130050712A (ko) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101837625B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2018-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI497689B (zh) * | 2011-12-02 | 2015-08-21 | Ind Tech Res Inst | 半導體元件及其製造方法 |
CN102427061B (zh) * | 2011-12-15 | 2013-02-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法 |
KR101924605B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2018-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP6111398B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2017-04-12 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
KR101890799B1 (ko) | 2012-02-07 | 2018-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102646717B (zh) * | 2012-02-29 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和其制造方法以及显示装置 |
CN102646632B (zh) | 2012-03-08 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
KR101898247B1 (ko) * | 2012-05-08 | 2018-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101928582B1 (ko) * | 2012-07-25 | 2018-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
CN102800630A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
KR101939768B1 (ko) * | 2012-08-01 | 2019-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전기발광 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR101901330B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2018-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치의 제조 방법 |
WO2014061984A1 (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | 숭실대학교산학협력단 | 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 |
KR20140049293A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 숭실대학교산학협력단 | 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 |
CN102955312B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102013317B1 (ko) | 2012-12-05 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102046157B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140081314A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102015873B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법 |
US9040416B2 (en) | 2013-05-10 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Manufacturing method of metal wire and thin transistor array panel |
KR102049443B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2019-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN104282229B (zh) * | 2013-07-04 | 2017-02-08 | 杨文君 | 一种显示屏幕的制造方法 |
CN103489828B (zh) | 2013-09-30 | 2015-07-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
CN104716091B (zh) * | 2013-12-13 | 2018-07-24 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
CN103681769B (zh) * | 2013-12-24 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、有机电致发光器件及其制作方法 |
CN103681773A (zh) | 2013-12-27 | 2014-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置 |
US10147906B2 (en) * | 2014-02-06 | 2018-12-04 | Emagin Corporation | High efficacy seal for organic light emitting diode displays |
CN103985738B (zh) * | 2014-05-08 | 2015-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构和显示装置 |
CN104299913B (zh) * | 2014-07-29 | 2017-09-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管的制造方法 |
KR102285384B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치 |
KR102346675B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2022-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102315094B1 (ko) * | 2014-11-13 | 2021-10-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102349285B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2022-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6613116B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
KR20160081101A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치 |
US9599865B2 (en) | 2015-01-21 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Low-flicker liquid crystal display |
CN104635416B (zh) * | 2015-02-06 | 2018-12-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及阵列基板的制造方法 |
US9887359B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-02-06 | Industrial Technology Research Institute | Organic electro-luminescence device and fabricating method thereof |
CN104810382A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板的制作方法及其结构 |
TWI561894B (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer |
CN105140177A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制备方法,阵列基板、显示面板、显示装置 |
KR102500271B1 (ko) | 2015-08-19 | 2023-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN105097845A (zh) * | 2015-08-24 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 |
US9412590B1 (en) | 2015-08-31 | 2016-08-09 | United Microelectronics Corp. | Manufacturing method of oxide semiconductor device |
US9929217B2 (en) | 2016-01-27 | 2018-03-27 | Au Optronics Corporation | Array substrate of display and method of manufacturing the same |
KR102526611B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2023-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102567716B1 (ko) * | 2016-06-01 | 2023-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US11024656B2 (en) * | 2016-06-28 | 2021-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, optical shutter substrate, display device, and method for manufacturing active matrix substrate |
US20180026055A1 (en) | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Applied Materials, Inc. | Hybrid high-k dielectric material film stacks comprising zirconium oxide utilized in display devices |
CN106373967B (zh) * | 2016-10-27 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN109997224B (zh) * | 2016-12-27 | 2024-03-05 | 英特尔公司 | 非晶氧化物半导体存储器件 |
CN106601778B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-12-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled背板及其制作方法 |
KR20180078812A (ko) | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN108987480B (zh) * | 2017-06-02 | 2021-11-16 | 上海和辉光电股份有限公司 | 双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法 |
US10566401B2 (en) * | 2017-06-28 | 2020-02-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and preparing method therefor, and OLED display device |
CN109509768A (zh) * | 2017-09-15 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN107579079B (zh) * | 2017-09-20 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 |
CN109545734B (zh) * | 2017-09-22 | 2021-12-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
KR102556021B1 (ko) * | 2017-10-13 | 2023-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN107910351B (zh) * | 2017-11-14 | 2020-06-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法 |
US20190229173A1 (en) * | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
CN108333844A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法 |
CN109037297B (zh) * | 2018-08-09 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示基板及其制作方法 |
CN109166896A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US11195863B2 (en) * | 2018-09-21 | 2021-12-07 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel having a storage capacitor, manufacturing method the same thereof and display module having the same |
KR102612713B1 (ko) * | 2018-12-10 | 2023-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109817578A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管背板的制作方法 |
CN110571224B (zh) * | 2019-08-05 | 2021-12-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN110911458A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-03-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
CN110931510B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 |
CN110993656A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板制备方法及显示面板 |
CN111048662A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 并联pps电容器的制作方法及并联pps电容器 |
CN111244110B (zh) * | 2020-01-19 | 2023-04-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板以及电子装置 |
CN111725239B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板驱动电路、阵列基板及其制造方法 |
KR20220073541A (ko) * | 2020-11-26 | 2022-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 및 그를 포함하는 표시 장치 |
CN112968031A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法与显示面板 |
CN115000089A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002094064A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2004145095A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US20040254415A1 (en) * | 2001-08-06 | 2004-12-16 | Christophe Bouchy | Method for the isomerisation of a c5-c8 fraction involving two parallel reactors |
JP2008015455A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US20080055503A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Au Optronics Corp. | Liquid Crystal Display Pixel Structure and Method for Manufacturing the Same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100462861B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
WO2004061806A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置および電子機器 |
KR101000442B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2010-12-13 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 다결정실리콘 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20060014219A (ko) | 2004-08-10 | 2006-02-15 | 삼성전자주식회사 | 전류 조정 디지털 아날로그 변환기 |
JP4063266B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器 |
KR100700642B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
KR20060104219A (ko) * | 2005-03-29 | 2006-10-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP2006318910A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
KR20070052823A (ko) * | 2005-11-18 | 2007-05-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR100782461B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Tft패널 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 구비하는 유기전계 발광 표시 장치 |
US20070254415A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Oh Hyun U | Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same and method of manufacturing liquid crystal display panel including the same |
CN100414367C (zh) * | 2006-11-01 | 2008-08-27 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示结构及其制造方法 |
KR100813851B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 전도성 산화막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법 |
KR100846985B1 (ko) * | 2007-04-06 | 2008-07-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-05-06 KR KR1020080041867A patent/KR100964227B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-04-20 US US12/385,792 patent/US7893440B2/en active Active
- 2009-04-27 JP JP2009107843A patent/JP4870191B2/ja active Active
- 2009-04-30 TW TW098114356A patent/TWI390737B/zh active
- 2009-05-06 CN CN2009101386234A patent/CN101577283B/zh active Active
- 2009-05-06 EP EP09159514.0A patent/EP2117043B1/en active Active
- 2009-05-06 EP EP20120163443 patent/EP2475003A1/en not_active Ceased
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002094064A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置 |
US20040254415A1 (en) * | 2001-08-06 | 2004-12-16 | Christophe Bouchy | Method for the isomerisation of a c5-c8 fraction involving two parallel reactors |
JP2004145095A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2008015455A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US20080055503A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Au Optronics Corp. | Liquid Crystal Display Pixel Structure and Method for Manufacturing the Same |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278010A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2011199245A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにそれらの製造方法 |
US8653528B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, display device thereof, and manufacturing method thereof |
KR20110126379A (ko) * | 2010-05-17 | 2011-11-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011242745A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
KR101692954B1 (ko) * | 2010-05-17 | 2017-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US8716040B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-05-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
JP2011258912A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
US8865485B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
KR20120003166A (ko) * | 2010-07-02 | 2012-01-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101714026B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2017-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US9035299B2 (en) | 2010-12-01 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing same |
WO2012073942A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101822563B1 (ko) | 2010-12-08 | 2018-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2012242834A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法 |
KR101439766B1 (ko) | 2012-04-19 | 2014-09-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 표시 패널 및 표시 장치 |
JP2014060399A (ja) * | 2012-09-17 | 2014-04-03 | In-Cha Hsieh | 薄膜トランジスタデバイスを作成する方法 |
JP2018526836A (ja) * | 2015-08-28 | 2018-09-13 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパスト‐ナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | Tftデバイスおよび製造方法 |
WO2019159261A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法および露光マスク |
KR20190107233A (ko) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102560100B1 (ko) * | 2018-03-08 | 2023-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2022054117A1 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-17 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101577283A (zh) | 2009-11-11 |
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