CN109817578A - 有机发光二极管背板的制作方法 - Google Patents

有机发光二极管背板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109817578A
CN109817578A CN201910143946.6A CN201910143946A CN109817578A CN 109817578 A CN109817578 A CN 109817578A CN 201910143946 A CN201910143946 A CN 201910143946A CN 109817578 A CN109817578 A CN 109817578A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting diode
organic light
production method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910143946.6A
Other languages
English (en)
Inventor
唐甲
任章淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910143946.6A priority Critical patent/CN109817578A/zh
Priority to PCT/CN2019/085788 priority patent/WO2020172996A1/zh
Publication of CN109817578A publication Critical patent/CN109817578A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes

Abstract

本揭示提供了有机发光二极管背板的制作方法。所述有机发光二极管背板的制作方法包括提供基板,在所述基板上形成发光层,在所述基板及所述发光层上形成缓冲层,在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。本揭示能改善制程、节省制程的节拍时间与成本。

Description

有机发光二极管背板的制作方法
【技术领域】
本揭示涉及显示技术领域,特别涉及一种有机发光二极管背板的制作方法。
【背景技术】
目前有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED)背板的制程由于结构复杂,具有多层结构,每增加一道制程,不仅增加了时间成本,物料成本,也同时伴随着制程良率带来的损失。
故,有需要提供一种有机发光二极管背板的制作方法,以解决现有技术存在的问题。
【发明内容】
为解决上述技术问题,本揭示的一目的在于提供有机发光二极管背板的制作方法,其能改善制程、节省制程的节拍时间(tacttime)与成本。
为达成上述目的,本揭示提供一有机发光二极管背板的制作方法,包括提供基板,在所述基板上形成发光层,在所述基板及所述发光层上形成缓冲层,在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括对所述同一光罩进行光阻灰化处理以去除覆盖所述第一金属层的边缘的所述同一光罩的一部份。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的边缘。
于本揭示其中的一实施例中,依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层的所述边缘。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括剥离所述同一光罩,以露出所述第一金属层以及对所述铟镓锌氧化物层的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括在所述缓冲层、所述铟镓锌氧化物层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层以及图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔和发光区域,所述过孔和所述发光区域贯穿所述层间介电绝缘层。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括在所述铟镓锌氧化物层上形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述铟镓锌氧化物层的所述边缘接触。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括在所述层间介电绝缘层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层。
于本揭示其中的一实施例中,所述同一光罩为同一半色调掩膜。
于本揭示其中的一实施例中,通过所述同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层包括通过所述同一光罩依次湿蚀刻所述第一金属层、干蚀刻所述栅极绝缘层和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层。
由于本揭示的实施例中的有机发光二极管背板的制作方法,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层,能改善制程、节省制程的节拍时间与成本。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
【附图说明】
图1显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的流程图;
图2显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图3显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图4显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图5显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图6显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图7显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图8显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图9显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图10显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图11显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图12显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的流程图;以及
图13显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图。
【具体实施方式】
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂,下文将特举本揭示优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。再者,本揭示所提到的方向用语,例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1,本揭示的一实施例提供低有机发光二极管背板的制作方法,包括如下步骤。
参照图1及图2,步骤1、提供基板110。
具体地,所述基板110例如是玻璃基板。
参照图1及图2,步骤2、在所述基板110上形成发光层120。
具体地,所述发光层120例如包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。在所述基板110上依次形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。
参照图1及图3,步骤3、在所述基板110及所述发光层120上形成缓冲层130。
具体地,所述缓冲层130的厚度大于或等于4000埃(Angstrom,A)。
参照图1及图3,步骤4、在所述缓冲层130上依次形成铟镓锌氧化物层140、栅极绝缘层150和第一金属层160。
参照图1及图4-7,步骤5、通过同一光罩20依次图案化所述第一金属层160、所述栅极绝缘层150和所述铟镓锌氧化物层140。
具体地,通过所述同一光罩20依次图案化所述第一金属层160、所述栅极绝缘层150和所述铟镓锌氧化物层140包括通过所述同一光罩20依次湿蚀刻所述第一金属层160、干蚀刻所述栅极绝缘层150和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层140。于本揭示其中的一实施例中,所述同一光罩20为同一半色调掩膜。
参照图8,步骤6、对所述同一光罩20进行光阻灰化(ash)处理以去除覆盖所述第一金属层160的边缘的所述同一光罩20的一部份。
参照图9-10,步骤7、依次图案化所述第一金属层160的所述边缘和所述栅极绝缘层150的边缘。
具体地,依次图案化所述第一金属层160的所述边缘和所述栅极绝缘层150的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层160的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层150的所述边缘。
参照图11,步骤8、剥离所述同一光罩20,以露出所述第一金属层160以及对所述铟镓锌氧化物层140的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极142。
参照图12,步骤9、在所述缓冲层130、所述铟镓锌氧化物层140、所述栅极绝缘层150和所述第一金属层160上形成层间介电绝缘层170以及图案化所述层间介电绝缘层170以形成多个过孔172和发光区域174,所述过孔172和所述发光区域174贯穿所述层间介电绝缘层170。所述第一金属层160为栅极。
参照图13,步骤10、在所述铟镓锌氧化物层140上形成源电极180和漏电极190,所述源电极180和所述漏电极190通过对应的过孔172与所述铟镓锌氧化物层140的所述边缘接触。
参照图13,步骤11、在所述层间介电绝缘层170、所述源电极180和所述漏电极190上形成钝化层200。
本揭示的实施例的有机发光二极管背板可为顶栅(top gate)薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)COA(color filter on array)底发光背板。所述第一金属层160、所述栅极绝缘层150和所述铟镓锌氧化物层140通过同一光罩制程完成,导体化后的所述铟镓锌氧化物层140做为阳极142,因此不需要习知技术中额外的阳极142成膜及图形制程。也节省了习知技术中的像素定义层(pixel defining layer,PDL)和平坦层(planarizationlayer,PLN)。像素定义层和平坦层均为有机材料,由于本揭示的实施例不需要像素定义层,因此不会有习知技术中像素定义层的除气(outgasing)对有机发光二极管背板所造成的减少发光材料寿命及效率等影响。由于本揭示的实施例不需要平坦层,因此增加了有机发光二极管背板的光透过率。因为习知技术中,平坦层的光透过率例如小于75%。因此,本揭示的实施例不需要平坦层,有机发光二极管背板的光透过率大于75%。另外,本揭示的实施例的层间介电绝缘层170具有像素定义的作用,因此可取代习知技术的像素定义层。本揭示的实施例能改善制程、节省制程的节拍时间(tact time)与成本。
由于本揭示的实施例中的有机发光二极管背板的制作方法,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层,能改善制程、节省制程的节拍时间与成本。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示,但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型,并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能,用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示),即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外,尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开,但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且,就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言,这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式,应当指出,对于本领域普通技术人员,在不脱离本揭示原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成发光层;
在所述基板及所述发光层上形成缓冲层;
在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层;
通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括对所述同一光罩进行光阻灰化处理以去除覆盖所述第一金属层的边缘的所述同一光罩的一部份。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的边缘。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层的所述边缘。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括剥离所述同一光罩,以露出所述第一金属层以及对所述铟镓锌氧化物层的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述缓冲层、所述铟镓锌氧化物层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层以及图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔和发光区域,所述过孔和所述发光区域贯穿所述层间介电绝缘层。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述铟镓锌氧化物层上形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述铟镓锌氧化物层的所述边缘接触。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述层间介电绝缘层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,所述同一光罩为同一半色调掩膜。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,通过所述同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层包括通过所述同一光罩依次湿蚀刻所述第一金属层、干蚀刻所述栅极绝缘层和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层。
CN201910143946.6A 2019-02-27 2019-02-27 有机发光二极管背板的制作方法 Pending CN109817578A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910143946.6A CN109817578A (zh) 2019-02-27 2019-02-27 有机发光二极管背板的制作方法
PCT/CN2019/085788 WO2020172996A1 (zh) 2019-02-27 2019-05-07 有机发光二极管背板的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910143946.6A CN109817578A (zh) 2019-02-27 2019-02-27 有机发光二极管背板的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109817578A true CN109817578A (zh) 2019-05-28

Family

ID=66607643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910143946.6A Pending CN109817578A (zh) 2019-02-27 2019-02-27 有机发光二极管背板的制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109817578A (zh)
WO (1) WO2020172996A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103474399A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 北京京东方光电科技有限公司 Tft阵列基板制作方法及tft阵列基板、显示设备
CN103489874A (zh) * 2013-09-27 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104091810A (zh) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105226015A (zh) * 2015-09-28 2016-01-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板及其制作方法
CN108447916A (zh) * 2018-03-15 2018-08-24 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN109244276A (zh) * 2018-09-06 2019-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管驱动背板制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964227B1 (ko) * 2008-05-06 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법
CN105633016B (zh) * 2016-03-30 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及制得的tft基板
CN107093583A (zh) * 2017-05-03 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107731882A (zh) * 2017-11-07 2018-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103474399A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 北京京东方光电科技有限公司 Tft阵列基板制作方法及tft阵列基板、显示设备
CN103489874A (zh) * 2013-09-27 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104091810A (zh) * 2014-06-30 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105226015A (zh) * 2015-09-28 2016-01-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板及其制作方法
CN108447916A (zh) * 2018-03-15 2018-08-24 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN109244276A (zh) * 2018-09-06 2019-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管驱动背板制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020172996A1 (zh) 2020-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108878503B (zh) Oled显示基板及其制造方法、oled显示面板、显示装置
CN105590951B (zh) 具有多模腔结构的有机发光二极管显示器
TWI531057B (zh) 有機發光顯示器
US11081680B2 (en) Pixel structure, method for forming the same, and display screen
US10943984B2 (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN104867942A (zh) Tft基板的制作方法及其结构
US7981708B1 (en) Method of fabricating pixel structure and method of fabricating organic light emitting device
CN104867959A (zh) 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
CN109411522A (zh) 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置
CN106098700B (zh) 像素结构、制作方法及显示面板
CN105449127A (zh) 发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN110164873A (zh) 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置
US20210134900A1 (en) Light emitting substrate and manufacturing method thereof, electronic device
WO2017016134A1 (zh) 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法
KR100635064B1 (ko) 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
KR20140141755A (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
CN102163616B (zh) 有机发光显示设备
CN108807556B (zh) 一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备
CN109728001A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110828476A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
JP3819792B2 (ja) 発光素子およびアクティブマトリクス型表示装置
JP2008146026A (ja) 発光装置及びその製造方法
CN103367595B (zh) 发光二极管晶粒及其制造方法
CN110071148A (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
US6639359B1 (en) Organic EL display device higher brightness and a method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190528