CN109817578A - 有机发光二极管背板的制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 143
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
Abstract
本揭示提供了有机发光二极管背板的制作方法。所述有机发光二极管背板的制作方法包括提供基板,在所述基板上形成发光层,在所述基板及所述发光层上形成缓冲层,在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。本揭示能改善制程、节省制程的节拍时间与成本。
Description
【技术领域】
本揭示涉及显示技术领域,特别涉及一种有机发光二极管背板的制作方法。
【背景技术】
目前有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED)背板的制程由于结构复杂,具有多层结构,每增加一道制程,不仅增加了时间成本,物料成本,也同时伴随着制程良率带来的损失。
故,有需要提供一种有机发光二极管背板的制作方法,以解决现有技术存在的问题。
【发明内容】
为解决上述技术问题,本揭示的一目的在于提供有机发光二极管背板的制作方法,其能改善制程、节省制程的节拍时间(tacttime)与成本。
为达成上述目的,本揭示提供一有机发光二极管背板的制作方法,包括提供基板,在所述基板上形成发光层,在所述基板及所述发光层上形成缓冲层,在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括对所述同一光罩进行光阻灰化处理以去除覆盖所述第一金属层的边缘的所述同一光罩的一部份。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的边缘。
于本揭示其中的一实施例中,依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层的所述边缘。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括剥离所述同一光罩,以露出所述第一金属层以及对所述铟镓锌氧化物层的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括在所述缓冲层、所述铟镓锌氧化物层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层以及图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔和发光区域,所述过孔和所述发光区域贯穿所述层间介电绝缘层。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括在所述铟镓锌氧化物层上形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述铟镓锌氧化物层的所述边缘接触。
于本揭示其中的一实施例中,所述方法还包括在所述层间介电绝缘层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层。
于本揭示其中的一实施例中,所述同一光罩为同一半色调掩膜。
于本揭示其中的一实施例中,通过所述同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层包括通过所述同一光罩依次湿蚀刻所述第一金属层、干蚀刻所述栅极绝缘层和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层。
由于本揭示的实施例中的有机发光二极管背板的制作方法,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层,能改善制程、节省制程的节拍时间与成本。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
【附图说明】
图1显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的流程图;
图2显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图3显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图4显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图5显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图6显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图7显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图8显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图9显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图10显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图11显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图;
图12显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的流程图;以及
图13显示根据本揭示的一实施例的有机发光二极管背板的制作方法的示意图。
【具体实施方式】
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂,下文将特举本揭示优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。再者,本揭示所提到的方向用语,例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1,本揭示的一实施例提供低有机发光二极管背板的制作方法,包括如下步骤。
参照图1及图2,步骤1、提供基板110。
具体地,所述基板110例如是玻璃基板。
参照图1及图2,步骤2、在所述基板110上形成发光层120。
具体地,所述发光层120例如包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。在所述基板110上依次形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。
参照图1及图3,步骤3、在所述基板110及所述发光层120上形成缓冲层130。
具体地,所述缓冲层130的厚度大于或等于4000埃(Angstrom,A)。
参照图1及图3,步骤4、在所述缓冲层130上依次形成铟镓锌氧化物层140、栅极绝缘层150和第一金属层160。
参照图1及图4-7,步骤5、通过同一光罩20依次图案化所述第一金属层160、所述栅极绝缘层150和所述铟镓锌氧化物层140。
具体地,通过所述同一光罩20依次图案化所述第一金属层160、所述栅极绝缘层150和所述铟镓锌氧化物层140包括通过所述同一光罩20依次湿蚀刻所述第一金属层160、干蚀刻所述栅极绝缘层150和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层140。于本揭示其中的一实施例中,所述同一光罩20为同一半色调掩膜。
参照图8,步骤6、对所述同一光罩20进行光阻灰化(ash)处理以去除覆盖所述第一金属层160的边缘的所述同一光罩20的一部份。
参照图9-10,步骤7、依次图案化所述第一金属层160的所述边缘和所述栅极绝缘层150的边缘。
具体地,依次图案化所述第一金属层160的所述边缘和所述栅极绝缘层150的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层160的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层150的所述边缘。
参照图11,步骤8、剥离所述同一光罩20,以露出所述第一金属层160以及对所述铟镓锌氧化物层140的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极142。
参照图12,步骤9、在所述缓冲层130、所述铟镓锌氧化物层140、所述栅极绝缘层150和所述第一金属层160上形成层间介电绝缘层170以及图案化所述层间介电绝缘层170以形成多个过孔172和发光区域174,所述过孔172和所述发光区域174贯穿所述层间介电绝缘层170。所述第一金属层160为栅极。
参照图13,步骤10、在所述铟镓锌氧化物层140上形成源电极180和漏电极190,所述源电极180和所述漏电极190通过对应的过孔172与所述铟镓锌氧化物层140的所述边缘接触。
参照图13,步骤11、在所述层间介电绝缘层170、所述源电极180和所述漏电极190上形成钝化层200。
本揭示的实施例的有机发光二极管背板可为顶栅(top gate)薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)COA(color filter on array)底发光背板。所述第一金属层160、所述栅极绝缘层150和所述铟镓锌氧化物层140通过同一光罩制程完成,导体化后的所述铟镓锌氧化物层140做为阳极142,因此不需要习知技术中额外的阳极142成膜及图形制程。也节省了习知技术中的像素定义层(pixel defining layer,PDL)和平坦层(planarizationlayer,PLN)。像素定义层和平坦层均为有机材料,由于本揭示的实施例不需要像素定义层,因此不会有习知技术中像素定义层的除气(outgasing)对有机发光二极管背板所造成的减少发光材料寿命及效率等影响。由于本揭示的实施例不需要平坦层,因此增加了有机发光二极管背板的光透过率。因为习知技术中,平坦层的光透过率例如小于75%。因此,本揭示的实施例不需要平坦层,有机发光二极管背板的光透过率大于75%。另外,本揭示的实施例的层间介电绝缘层170具有像素定义的作用,因此可取代习知技术的像素定义层。本揭示的实施例能改善制程、节省制程的节拍时间(tact time)与成本。
由于本揭示的实施例中的有机发光二极管背板的制作方法,通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层,能改善制程、节省制程的节拍时间与成本。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示,但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型,并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能,用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示),即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外,尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开,但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且,就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言,这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式,应当指出,对于本领域普通技术人员,在不脱离本揭示原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成发光层;
在所述基板及所述发光层上形成缓冲层;
在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层;
通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括对所述同一光罩进行光阻灰化处理以去除覆盖所述第一金属层的边缘的所述同一光罩的一部份。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的边缘。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,依次图案化所述第一金属层的所述边缘和所述栅极绝缘层的所述边缘包括依次湿蚀刻所述第一金属层的所述边缘和干蚀刻所述栅极绝缘层的所述边缘。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括剥离所述同一光罩,以露出所述第一金属层以及对所述铟镓锌氧化物层的所述边缘进行导体化处理,以形成阳极。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述缓冲层、所述铟镓锌氧化物层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层上形成层间介电绝缘层以及图案化所述层间介电绝缘层以形成多个过孔和发光区域,所述过孔和所述发光区域贯穿所述层间介电绝缘层。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述铟镓锌氧化物层上形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述铟镓锌氧化物层的所述边缘接触。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,还包括在所述层间介电绝缘层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,所述同一光罩为同一半色调掩膜。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管背板的制作方法,其特征在于,通过所述同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层包括通过所述同一光罩依次湿蚀刻所述第一金属层、干蚀刻所述栅极绝缘层和湿蚀刻所述铟镓锌氧化物层。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910143946.6A CN109817578A (zh) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 有机发光二极管背板的制作方法 |
PCT/CN2019/085788 WO2020172996A1 (zh) | 2019-02-27 | 2019-05-07 | 有机发光二极管背板的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910143946.6A CN109817578A (zh) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 有机发光二极管背板的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109817578A true CN109817578A (zh) | 2019-05-28 |
Family
ID=66607643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910143946.6A Pending CN109817578A (zh) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 有机发光二极管背板的制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109817578A (zh) |
WO (1) | WO2020172996A1 (zh) |
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2019
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---|---|
WO2020172996A1 (zh) | 2020-09-03 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20190528 |