CN110911458A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，本发明通过半色调掩膜工艺制备形成导电层，其中所述导电层包括：第一导电层以及第二导电层。其中所述第一导电层覆于所述通孔中的有源层上，并沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上；所述第二导电层设于所述第一导电层上。由此可以将所述源漏极层与所述像素电极采用同一道光罩进行蚀刻，进而节省光罩次数，简化制备步骤，提高生产效率，降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光显示装置(英文全称：Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。
其中所述阵列基板的制备过程中需要多次采用掩膜工艺进行蚀刻制备相关膜层。其中每一道光罩掩模制造工艺中都需要经历清洗、干燥、成膜、光刻等几个步骤，流程较多，不可避免的存在着制程时间较长，良率较低、成本高等问题。因此需要寻求一种新型的阵列基板结构，以减少光罩掩膜次数，提高生产效率，降低生产成本。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其能够减少光罩次数，降低光罩成本，提高生产效率。
为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板，其包括：基板、缓冲层、有源层、层间绝缘层、平坦层以及导电层。其中所述缓冲层设置于所述基板上；所述有源层设置于所述缓冲层上；所述层间绝缘层设置于所述有源层上；所述平坦层设置于所述层间绝缘层上。所述阵列基板还包括通孔，由所述平坦层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层上。所述导电层包括：第一导电层以及第二导电层。其中所述第一导电层覆于所述通孔中的有源层上，并沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上；所述第二导电层设于所述第一导电层上。
进一步的，其中所述第一导电层为透明导电层或半透明导电层。
进一步的，其中所述第一导电层所用材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌中的一种或多种；所述第二导电层所用材料为铜。
进一步的，其中所述导电层包括：源极、漏极以及像素电极。其中所述源极、漏极均包括所述第一导电层和所述第二导电层，所述像素电极包括所述第一导电层，所述像素电极设于所述平坦层上且与所述漏极连接。
进一步的，其中所述阵列基板还包括：栅极绝缘层，其设置于所述有源层上；栅极层，其设置于所述栅极绝缘层上；以及发光层，其设置于所述像素电极上；其中所述层间绝缘层设置于所述栅极层、有源层上。
本发明的另一个实施方式还提供了一种本发明所涉及的阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备有源层；在所述有源层上制备层间绝缘层；在所述层间绝缘层上制备平坦层；对所述平坦层进行刻蚀，形成由所述平坦层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层的通孔；在所述通孔中的有源层上覆于第一导电层，所述第一导电层沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上；在所述第一导电层上制备第二导电层，通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成导电层。
进一步的，在所述通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成导电层的步骤中，包括：通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成均包括所述第一导电层和所述第二导电层的源极和漏极以及包括第一导电层的像素电极，所述像素电极设于所述平坦层上且与所述漏极连接。
进一步的，其中所述阵列基板的制备方法还包括：在所述有源层上制备栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制备栅极层；在所述像素电极上形成发光层；其中所述层间绝缘层制备于所述栅极层、有源层上。
进一步的，其中所述阵列基板的制备方法所述掩膜工艺包括半色调掩膜工艺。
本发明的另一个实施方式还提供了一种显示面板，其包括本发明所涉及的阵列基板。
本发明的优点是：本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，本发明通过半色调掩膜工艺制备形成导电层，其中所述导电层包括：第一导电层以及第二导电层。其中所述第一导电层覆于所述通孔中的有源层上，并沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上；所述第二导电层设于所述第一导电层上。由此可以将所述源漏极层与所述像素电极采用同一道光罩进行蚀刻，进而节省光罩次数，简化制备步骤，提高生产效率，降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明阵列基板的结构示意图。
图2是本发明阵列基板的制备示意图一。
图3是本发明阵列基板的制备示意图二。
图4是本发明阵列基板的制备示意图三。
图5是本发明阵列基板的制备示意图四。
图6是本发明阵列基板的制备示意图五。
图7是本发明阵列基板的制备示意图六。
图8是本发明阵列基板的制备示意图七。
图9是本发明阵列基板的制备示意图八。
图中部件标识如下：
100、阵列基板；
1、基板； 2、缓冲层；
3、有源层； 4、栅极绝缘层；
5、栅极层； 6、层间绝缘层；
7、平坦层； 8、导电层；
9、通孔； 10、源极；
81、第一导电层； 82、第二导电层；
11、漏极； 12、像素电极；
13、像素阻隔层； 14、发光层；
15、光刻胶。
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。
实施例1
如图1所示，一种阵列基板100，其包括：基板1、缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层4、栅极层5、层间绝缘层6、平坦层7以及导电层8。
如图1所示，其中所述缓冲层2设置于所述基板1上；所述缓冲层2主要起缓冲作用，用于缓解所述阵列基板100使用过程中受到的外界压力。所述缓冲层2中还可以包括遮光层，所述遮光层可以用于遮挡从基板1透射进来的光线。
如图1所示，所述有源层3设置于所述缓冲层2上；所述栅极绝缘层4设置于所述有源层3上；所述栅极层5设置于所述栅极绝缘层4上。其中所述栅极绝缘层4主要是防止栅极层5和所述有源层3接触，避免短路。
如图1所示，其中所述层间绝缘层6设置于所述栅极层5、有源层3上；所述平坦层7设置于所述层间绝缘层6上。
如图1所示，所述阵列基板100还包括通孔9，其由所述平坦层7远离所述基板1的表面贯穿至所述有源层3上。
如图1所示，所述导电层8包括：第一导电层81以及第二导电层82。其中所述第一导电层81覆于所述通孔9中的有源层3上，并沿所述通孔9的孔壁延伸至所述平坦层7的表面上；所述第二导电层82设于所述第一导电层81上。
为了实现底发射的效果，其中所述第一导电层81为透明导电层或半透明导电层。
其中所述第一导电层81所用材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌中的一种或多种，由此可以实现底发射的效果。所述第二导电层81所用材料为铜。由此可以通过半色调掩膜工艺同时对所述第一导电层81和所述第二导电层82进行蚀刻，实现减少光罩次数的目的，进而节约生产成本。
如图1所示，其中所述导电层8包括：源极10、漏极11以及像素电极12。其中所述源极10、漏极11均包括所述第一导电层81和所述第二导电层82，所述像素电极12包括所述第一导电层81，所述像素电极12设于所述平坦层7上且与所述漏极11连接。由此，即通过设置第一导电层81和所述第二导电层82，后通过半色调掩膜工艺对第一导电层81和所述第二导电层82进行蚀刻，从而形成源极10、漏极11以及像素电极12，最终达到减少光罩次数的目的，简化制备步骤，提高生产效率，节约生产成本。
如图1所示，所述阵列基板100还包括：像素阻隔层13以及发光层14。其中所述像素阻隔层13设置于所述平坦层7、导电层8上。其中所述像素阻隔层13对应于所述像素电极12的位置间隔设有凹槽。所述发光层14设置于所述凹槽内的所述像素电极12上。其中所述像素阻挡层13主要是防止发光层14之间像素串扰，引起显示异常。
事实上，还可以根据实际情况在所述层间绝缘层6和所述平坦层之间设置钝化层。
实施例2
本实施方式提供了一种本发明所涉及的阵列基板100的制备方法，其包括下述步骤。
如图2所示，提供一基板1；在所述基板1上制备缓冲层2；在所述缓冲层2上制备有源层3；在所述有源层3上制备栅极绝缘层4；在所述栅极绝缘层4上制备栅极层5；在所述栅极层5、有源层3上制备层间绝缘层6；在所述层间绝缘层6上制备平坦层7；对所述平坦层7进行刻蚀，形成由所述平坦层7远离所述基板1的表面贯穿至所述有源层3的通孔9。
如图3所示，在所述通孔9中的有源层3上覆于第一导电层81，所述第一导电层81沿所述通孔9的孔壁延伸至所述平坦层7的表面上；在所述第一导电层81上制备第二导电层82。
如图4所示，通过半色调掩膜工艺对所述第一导电层81和所述第二导电层82进行刻蚀形成导电层8。具体的，在所述第导电层82上涂覆光刻胶15，对所述光刻胶15进行光照曝光图形化处理。
如图5所示，同时对所述第一导电层81和所述第二导电层82未被光刻胶15覆盖的部分进行刻蚀去除。
如图6所示，去除部分覆盖所述第二导电层82的光刻胶15。
如图7所示，再次对未被所述光刻胶15覆盖的所述第二导电层82进行刻蚀去除。
如图8所示，去除所述光刻胶15，形成导电层8。其中所述导电层8包括：源极10、漏极11以及像素电极12。其中所述源极10、漏极11均包括所述第一导电层81和所述第二导电层82，所述像素电极12包括所述第一导电层81，所述像素电极12设于所述平坦层7上且与所述漏极11连接。
如图9所示，在所述平坦层7、导电层8上制备像素阻隔层13，通过图形化处理，形成对应于所述像素电极12相互间隔的凹槽。
在所述凹槽内的所述像素电极12上制备发光层14，形成如图1所述的阵列基板100。
本发明还提供了一种显示面板，其包括本发明所涉及的阵列基板100。
以上对本发明所提供的阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
缓冲层，其设置于所述基板上；
有源层，其设置于所述缓冲层上；
层间绝缘层，其设置于所述有源层上；
平坦层，其设置于所述层间绝缘层上；
通孔，由所述平坦层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层上；
导电层，包括：
第一导电层，覆于所述通孔中的有源层上，并沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上；
第二导电层，设于所述第一导电层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层为透明导电层或半透明导电层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层所用材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌中的一种或多种；所述第二导电层所用材料为铜。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层包括：源极、漏极以及像素电极；
所述源极、漏极均包括所述第一导电层和所述第二导电层，所述像素电极包括所述第一导电层，所述像素电极设于所述平坦层上且与所述漏极连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
栅极绝缘层，其设置于所述有源层上；
栅极层，其设置于所述栅极绝缘层上；以及
发光层，其设置于所述像素电极上；
其中所述层间绝缘层设置于所述栅极层、有源层上。
6.一种制备权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上制备缓冲层；
在所述缓冲层上制备有源层；
在所述有源层上制备层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上制备平坦层；
对所述平坦层进行刻蚀，形成由所述平坦层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层的通孔；
在所述通孔中的有源层上覆于第一导电层，所述第一导电层沿所述通孔的孔壁延伸至所述平坦层的表面上；
在所述第一导电层上制备第二导电层，
通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成导电层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成导电层的步骤中，包括：通过掩膜工艺对所述第一导电层和所述第二导电层进行刻蚀形成均包括所述第一导电层和所述第二导电层的源极和漏极以及包括第一导电层的像素电极，所述像素电极设于所述平坦层上且与所述漏极连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述有源层上制备栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制备栅极层；
在所述像素电极上形成发光层；
其中所述层间绝缘层制备于所述栅极层、有源层上。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述掩膜工艺包括半色调掩膜工艺。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。
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| CN (1) | CN110911458A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101577283A (zh) * | 2008-05-06 | 2009-11-11 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜晶体管阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法 |
| KR20160033804A (ko) * | 2014-09-18 | 2016-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치 |
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-
2019
- 2019-11-13 CN CN201911104937.2A patent/CN110911458A/zh active Pending
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