CN104299913B - 薄膜晶体管的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供一基板；在基板的一个表面的中部形成第一金属层，第一金属层为薄膜晶体管的栅极；在形成第一金属层的基板的表面及第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，栅极绝缘层、半导体层及第二金属层依次层叠设置；在第二金属层上形成光阻层；图案化光阻层，以露出第二金属层的边缘部分，图案化后的光阻层包括第一部分及第二部分，第一部分通过栅极绝缘层及半导体层与第一金属层层叠设置且第一部分的高度小于第二部分的高度，第二部分围绕第一部分设置，所述第一部分及所述第二部分的厚度为1000埃～10000埃；图案化第二金属层及半导体层以定义源极及漏极。本发明能够提高薄膜晶体管的制造良率。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管的制造领域，尤其涉及一种具有较高良率的薄膜晶体管的制造方法。
背景技术
薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。然而，薄膜晶体管在制造源极(source)和漏极(drain) 的时候，先形成一层金属层再在金属层上铺设光阻层，图案化所述光阻层，以便在所述金属层上定义源极和漏极。通常，所述光阻层远离所述金属层的表面为平整的表面。在光阻层曝光的时候，经过曝光之后留下来的光阻层偏薄。即，经过曝光之后的光阻层的残膜值偏低。偏低的残膜值会造成薄膜晶体管的源极和漏极的定义异常，源极和漏极的定义异常会导致薄膜晶体管无法正常的工作，从而造成薄膜晶体管的良率较低。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够改善薄膜晶体管在制造的时候经过曝光之后的光阻层的残膜值偏低的情况，从而提高薄膜晶体管的良率。
一方面提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管的制造方法包括：
提供一基板；
在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极；
在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置；
在所述第二金属层上形成光阻层；
图案化所述光阻层，以露出所述第二金属层的边缘部分，图案化后的光阻层包括第一部分及第二部分，所述第一部分通过所述栅极绝缘层及所述半导体层与所述第一金属层层叠设置且所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度，所述第二部分围绕所述第一部分设置，所述第一部分及所述第二部分的厚度为 1000埃～10000埃；
图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义源极及漏极。
在第一种实施方式中，在所述“在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置”步骤中包括：
在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上依次形成沟道层及欧姆接触层作为所述半导体层；
在所述欧姆接触层上形成所述第二金属层。
结合第一种实施方式，在第二种实施方式中，所述步骤“图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义所述源极和漏极”包括：
图案化所述第二金属层、所述欧姆接触层及所述沟道层，以定义所述源极和漏极。
结合第一种实施方式，在第三种实施方式中，所述沟道层的材质为多晶硅，所述欧姆接触层的材质为n型重掺杂的非晶硅。
在第四种实施方式中，在所述步骤“提供一基板”与所述步骤“在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极”之间还包括步骤：
在所述基板上形成缓冲层；
所述步骤“在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极”具体为所述第一金属层通过所述缓冲层设置于所述基板的一个表面的中部。
结合第四种实施方式，在第五种实施方式中，所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。
在第六种实施方式中，所述第一金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一，所述第二金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
在第七种实施方式中，在所述步骤“图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义源极及漏极”包括：
移除未覆盖所述光阻层的所述第二金属层；
移除未覆盖所述第二金属层的所述半导体层；
移除所述光阻层的所述第一部分，及所述光阻层的所述第一部分所覆盖的第二金属层及所述第一部分覆盖的部分半导体层；
移除所述光阻层的所述第二部分。
在第八种实施方式中，在所述步骤“定义源极及漏极”之后，所述薄膜晶体管的制造方法还包括：
形成钝化层；
在所述钝化层对应所述源极及所述漏极开设第一贯孔及第二贯孔；
对应所述第一贯孔设置第一电极，对应所述第二贯孔设置第二电极，所述第一电极及所述第二电极分别连接所述源极及所述漏极。
在第九种实施方式中，在所述第二金属层上形成所述光阻层时，使所述光阻层的边缘部分高出所述光阻层其余部分的的高度为0～400埃，所述光阻层的边缘部分的宽度为20mm。
在第十种实施方式中，在所述第二金属层上形成所述光阻层时，使所述光阻层的边缘部分高出所述光阻层其余部分的高度为0～1000埃，所述光阻层的边缘部分的宽度为30mm。
在第十一种实施方式中，所述步骤“在所述第二金属层上形成光阻层”具体为：
提供一光阻涂布设备，所述光阻涂布设备用于在所述第二金属层上涂布光阻材料，以形成所述光阻层，在形成所述光阻层的边缘部分时，增大所述光阻涂布设备输出光阻材料的速度，以使所述光阻层的边缘部分的厚度大于所述光阻层其余部分的厚度。
在第十二种实施方式中，所述步骤“在所述第二金属层上形成光阻层”具体为：
提供一光阻涂布设备，所述光阻涂布设备用于在所述第二金属层上涂布光阻材料光阻材料，以形成所述光阻层，在形成所述光阻层的边缘部分时，增大所述光阻涂布设备中输出所述光阻材料的喷嘴的开口程度，以使所述光阻层的边缘部分的厚度大于所述光阻层其余部分的厚度。
相较于现有技术，本发明所述薄膜晶体管的制造方法在所述第二金属层上形成光阻层，自光源发出的光线经过光罩后残留下的光阻层的第一部分及第二部分的厚度为1000埃～10000埃，所述第一部分及所述第二部分的厚度相较于现有技术中的厚度较厚。从而改善了经过曝光之后的光阻层的残膜值偏低的现象，进而改善了现有技术中所述薄膜晶体管的源极和漏极定义异常的问题，提高了所述薄膜晶体管的制造的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管的制造方法的流程图。
图2至图7以及图9至图18为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管的各个制造流程中薄膜晶体管的剖面图。
图8为本发明一较佳实施方式的光阻层的立体结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，其为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管的制造方法的流程图。所述薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)1的制造方法包括如下步骤。
步骤S101，提供一基板100。请一并参阅图2，在本实施方式中，所述基板 100为一玻璃基板。可以理解地，在其他实施方式中，所述基板100并不仅限于为玻璃基板。
步骤S102，在所述基板100的一个表面的中部形成第一金属层120，所述第一金属层120作为所述薄膜晶体管1的栅极(gate)。请一并参阅图3，所述基板100包括第一表面a及与所述第二表面a相对的第二表面b。在本实施方式中，所述基板100的所述第一表面a的中部形成所述第一金属层120，以作为所述薄膜晶体管1的栅极。在另一实施方式中，所述基板100的所述第二表面b的中方形成所述第一金属层120，以作为所述薄膜晶体管1的栅极。所述第一金属层 120的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
在另一实施方式中，在所述步骤S101之后且在所述步骤S102之前，所述薄膜晶体管1的制造方法还包括以下步骤：在所述基板100上形成一缓冲层(图未示)。所述缓冲层用于缓冲所述基板100在制造所述薄膜晶体管1的过程中受到的应力，以避免所述基板100的损坏或者破裂。所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。在此实施方式中，所述“步骤S102，在所述基板100的一个表面的中部形成第一金属层120，所述第一金属层120作为所述薄膜晶体管1的栅极(gate)”具体为：所述第一金属层120通过所述缓冲层设置于所述基板100的一个表面的中部。换句话说，所述缓冲层设置于所述基板100的一个表面，且与所述基板100层叠设置，所述第一金属层120设置于所述缓冲层的表面的中部。
步骤S103，在形成所述第一金属层120的基板100的表面及所述第一金属层120上形成栅极绝缘层130、半导体层140及第二金属层150，所述栅极绝缘层130、所述半导体层140及所述第二金属层150依次层叠设置。所述栅极绝缘层130相较于所述半导体层140及所述第二金属层150邻近设置所述第一金属层120的基板100的表面及所述第一金属层120设置。
具体地，请一并参阅图4，由于所述第一金属层120形成在所述基板100的所述第一表面a上，所述第一金属层120形成在所述基板100的第一表面a的中部，在所述第一表面a的未覆盖所述第一金属层120的表面及所述第一金属层 120上形成所述栅极绝缘层130。所述栅极绝缘层130的材质选择氧化硅、氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。请一并参阅图5，在所述栅极绝缘层 130上形成所述半导体层140，所述半导体层140与所述栅极绝缘层130层叠设置。请一并参阅图6，在所述半导体层140上形成所述第二金属层150，所述第二金属层150与所述半导体层140及所述栅极绝缘层130依次层叠设置。所述第二金属层150的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
在另一实施方式中，所述半导体层140包括沟道层(图未示)及欧姆接触层(图未示)。则所述“步骤S103，在形成所述第一金属层120的基板100的表面及所述第一金属层120上形成栅极绝缘层130、半导体层140及第二金属层150，所述栅极绝缘层130、所述半导体层140及所述第二金属层150依次层叠设置。所述栅极绝缘层130相较于所述半导体层140及所述第二金属层150邻近设置所述第一金属层120的基板100的表面及所述第一金属层120设置”包括以下步骤。
步骤I，在形成所述第一金属层120的所述基板100的表面及所述第一金属层120上形成所述栅极绝缘层130。
步骤II，在所述栅极绝缘层130上依次形成所述沟道层及所述欧姆接触层作为所述半导体层140。
步骤III，在所述欧姆接触层上形成所述第二金属层150。所述沟道层为所述薄膜晶体管1的源极和漏极之间导通或者断开的通道。所述欧姆接触层可以减小所述沟道层与所述第二金属层150之间的接触电阻。在一实施方式中，所述沟道层的材质为多晶硅，所述欧姆接触层的材质为n型重掺杂的非晶硅。
步骤S104，在所述第二金属层150上形成光阻层160。在本实施方式中，所述光阻层160的边缘部分的厚度大于所述光阻层160其余部分的厚度。由于所述光阻层160的光阻材料具有流动性，因此，最终形成的所述光阻层160远离所述第二金属层的150的表面是几乎水平的。相较于现有技术，在所述光阻层160非边缘部分的厚度同现有技术中光阻层非边缘部分的厚度相同的前提下，由于在所述光阻层160的边缘部分的厚度大于所述光阻层160其余部分的厚度，因此使得最终形成的光阻层160整体的厚度比现有技术中光阻层的厚度要厚。
具体地，所述光阻层160的形成过程请一并参阅图7及图8，所述光阻层 160包括光阻层本体161及在远离所述基板100的方向上凸出于所述光阻层本体 161的边缘部分162。
从图7可见，所述光阻层的边缘部分162的厚度大于所述光阻层160的其余部分的厚度。在一实施方式中，所述光阻层160的边缘部分162高出所述光阻层160的其余部分(即所述光阻层本体161)的高度L1的范围为0～400埃，所述光阻层160的所述边缘部分162的宽度L2为20mm。优选地，当所述光阻层160的所述边缘部分162的宽度L2为20mm时，所述光阻层160的边缘部分 162高出所述光阻层160的其余部分(即所述光阻层本体161)的高度L1为400 埃。
在另一实施方式中，所述光阻层160的边缘部分162高出所述光阻层160 的其余部分(即所述光阻层本体161)的高度L1的范围为0～1000埃，所述光阻层160的所述边缘部分162的宽度L2为30mm。优选地，当所述光阻层160的所述边缘部分162的宽度L2为30mm时，所述光阻层160的边缘部分162高出所述光阻层160的其余部分(即所述光阻层本体161)的高度L1为1000埃。
由于所述光阻层160的光阻材料具有流动性，因此，最终形成的所述光阻层160远离所述第二金属层的150的表面是几乎水平的。相较于现有技术，在所述光阻层160非边缘部分的厚度同现有技术中光阻层非边缘部分的厚度相同的前提下，由于在所述光阻层160的边缘部分的厚度大于所述光阻层160其余部分的厚度，因此使得最终形成的光阻层160整体的厚度比现有技术中光阻层的厚度要厚。
所述步骤“在所述第二金属层150上形成光阻层160”的具体实现方式描述如下。
在一实施方式中，提供一光阻涂布设备(图未示)，所述光阻涂布设备用于在所述第二金属层150上涂布光阻材料，以形成所述光阻层160。在形成所述光阻层160的边缘部分162时，增大所述光阻涂布设备输出所述光阻材料的速度，以使所述光阻层的边缘部分162的厚度大于所述光阻层160其余部分的厚度。
在另一实施方式中，提供一光阻涂布设备，所述光阻涂布设备用于在所述第二金属层150上涂布光阻材料，以形成所述光阻层160，在形成所述光阻层 160的边缘部分时，增大所述光阻涂布设备中输出所述光阻材料的喷嘴(图未示) 的开口程度，以使所述光阻层的边缘部分162的厚度大于所述光阻层160其余部分的厚度。
步骤S105，图案化所述光阻层160，以漏出所述第二金属层150的边缘部分，图案化后的所述光阻层160包括第一部分163及第二部分164，所述第一部分163通过半导体层140及所述栅极绝缘层130与所述第一金属层120层叠设置，且所述第一部分163的高度小于所述第二部分164的高度，所述第二部分 164围绕所述第一部分163设置，所述第一部分163及所述第二部分164的厚度范围为1000埃～10000埃。因此，在本发明中，所述第一部分163的厚度相较于现有技术中第一部分的厚度较厚，所述第二部分164的厚度相较于厚度相较于现有技术中第二部分的厚度较厚。换句话说，所述光阻层160相较于现有技术中光阻层的残膜值较大。
具体地，在本实施方式中，请一并参阅图9，提供一光罩200及设置在所述光罩200远离所述光阻层160一侧的光源(图未示)。所述光源用于产生光线，所述光线自所述光罩200远离所述光阻层160的表面入射。所述光罩200设置于所述光阻层160的上方，所述光罩200包括两个透光部210及三个遮光部220。所述光罩200的两端及中间均为遮光部220，所述透光部210设置在相邻的两个遮光部220的中间，以使得所述透光部210及所述遮光部220依次间隔设置。位于所述光罩200的中间的遮光部220在横向的尺寸略小于所述栅极120在同方向上的尺寸。当有光线照射到所述透光部210上时，所述光线能够通过所述透光部210照射到所述光阻层160上，当有光线照射到所述遮光部220上时，所述光线不能通过所述遮光部220照射至所述光阻层160上。
在本实施方式中，所述光阻层160的光阻材料为负光阻，即被光线照射到的光阻层160不溶解，没有被光线照射到的光阻层160溶解。因此，所述光罩 200放置于所述光阻层160的上方时，位于所述光罩200的透光部210下方的光阻层160不溶解；位于所述光罩200的遮光部220下方的光阻层160溶解。经过所述光罩200后，所述光罩层160被图案化成如图9所示的图案。即，所述光罩200的两端的遮光部220下方对应的光阻层160完全溶解，漏出所述第二金属层150的边缘部分，且所述光罩200的中间的遮光部220下方对应的光阻层160部分溶解以形成所述光阻层160的所述第一部分163，所述光罩200的透光部220下方对应的光阻层不溶解，因此形成了所述光阻层160的第二部分164。
由于所述光阻层160的边缘部分162的厚度大于所述光阻层160的其余部分的厚度，且在远离所述基板100的方向上突出于所述光阻层161，因此，在所述光阻层160的非边缘部分的厚度和现有技术中光阻层中相同位置的厚度对应相同的情况下，由于所述边缘部分162的厚度大于所述光阻层160的其余部分的厚度，经过所述光阻层160的光阻材料的流动，最终形成的光阻层160整体的厚度比现有技术中光阻层的厚度要厚。
自所述光源发出的光线经过所述光罩200后残留下来的光阻层160形成的第一部分163的厚度比现有技术中的光阻层160经过光罩200后残留下来的光阻层形成的第一部分163的厚度大；并且自所述光源发出的光线经过所述光罩 200后残留下来的光阻层160形成的所述第二部分164的厚度比现有技术中的光阻层经过光罩后留下的光阻层形成的第二部分的厚度大。换句话说，在所述光阻层160的非边缘部分的厚度和现有技术中光阻层中相同位置的厚度对应相同的情况下，本发明由于所述光阻层160的边缘部分162的厚度大于所述光阻层 160的其余部分的厚度，且在远离所述基板100的方向上突出于所述光阻层161，经过所述光阻层160的光阻材料的流动，最终形成的光阻层160整体的厚度比现有技术中光阻层的厚度要厚。在本实施方式中，所述第一部分163的厚度比现有技术中第一部分的厚度厚，且厚度差的范围为1000埃～4000埃；所述第二部分164的厚度比现有技术中第二部分的厚度厚，且厚度差的范围为1000埃～4000埃。
在本发明中光源经过所述光罩200之后使得所述第一部分163及所述第二部分164的残膜值较大，从而能够改善现有技术中由于第一部分及第二部分的残膜值偏低造成所述薄膜晶体管1的源极(source)和漏极(drain)定义异常的问题，进而提高所述薄膜晶体管1的制造良率。
所述光阻层160的所述第一部分163的厚度的测量可以采用毫微米 (nanometer)测量设备，比如光学厚度测量仪(optical thickness measurement) 进行测量，测量原理为所述光学厚度测量仪器发出光波按照一定的路径来探测所述第一部分163的厚度，得到所述第一部分163的按照所述路径的光谱。再将得到的所述第一部分163按照所述路径的光谱与组成所述光阻层160的光阻材料的不同厚度所对应的标准光谱进行比较，从而得到所述第一部分163的所述路径的厚度，即得到所述第一部分163的按照所述路径的残膜值。
可以理解地，所述第二部分164的厚度的测量方法同所述第一部分163的测量方法，在此不再赘述。
步骤S106，图案化所述第二金属层150及所述半导体层140以定义源极及漏极。具体地，所述步骤106包括以下步骤。
请一并参阅图10，移除未覆盖所述光阻层160的所述第二金属层150。
请一并参阅图11，移除未覆盖所述第二金属层150的所述半导体层140。
请一并参阅图12，移除所述光阻层160的所述第一部分163；请一并参阅图13，移除原来所述光阻层160的所述第一部分163所覆盖的第二金属层150；请参阅图14，移除原来所述光阻层160的所述第一部分163覆盖的部分半导体层140。
请参阅图15，移除所述光阻层160的所述第二部分164。经过上述图10至图15的各个步骤，形成了所述薄膜晶体管1的源极151及漏极152。
在一实施方式中，当所述半导体层包括所述沟道层及所述欧姆接触层时，则所述“步骤S106，图案化所述第二金属层150及所述半导体层140以定义源极及漏极”包括：图案化所述第二金属层150、所述欧姆接触层级所述沟道层以定义所述源极151及所述漏极152。
步骤S107，形成钝化层170。请参阅图16，所述钝化层170设置在未覆盖所述半导体层140的栅极绝缘层130、所述源极151、所述漏极152，以及位于所述源极151及所述漏极152之间的半导体层140上。
步骤S108，在所述钝化层170上对应所述源极151及所述漏极152开设第一贯孔171及第二贯孔172，请一并参阅图17。
步骤S109，对应所述第一贯孔171设置第一电极181，对应所述第二贯孔 172设置第二电极182，所述第一电极181及所述第二电极182分别连接所述源极151及所述漏极152。请一并参阅图18，所述第一电极181通过所述第一贯孔171与所述源极151连接，所述第二电极182通过所述第二贯孔172于所述六级152连接。所述第一电极181及所述第二电极182分别作为TFT的所述源极151及所述漏极152的引脚，以便与其他元件电连接。
相较于现有技术，本发明所述薄膜晶体管1的制造方法在所述第二金属层 150上形成光阻层160，在图案化所述光阻层160时，自所述光源发出的光线经过所述光罩200后残留下来的光阻层160形成的第一部分163的厚度及所述第二部分164的厚度为1000埃～10000埃。即，使得所述第一部分163及所述第二部分164的残膜值较大，从而能够改善现有技术中由于第一部分及第二部分的残膜值偏低造成所述薄膜晶体管1的源极(source)和漏极(drain)定义异常的问题，从而提高了所述薄膜晶体管1的制造的良率。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (13)
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括：
提供一基板；
在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极；
在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置；
在所述第二金属层上形成光阻层，其中，所述光阻层的边缘部分的厚度大于所述光阻层其余部分的厚度，所述光阻层包括光阻层本体及在远离所述基板的方向上凸出于所述光阻层本体的边缘部分；
图案化所述光阻层，以露出所述第二金属层的边缘部分，图案化后的光阻层包括第一部分及第二部分，所述第一部分通过所述栅极绝缘层及所述半导体层与所述第一金属层层叠设置且所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度，所述第二部分围绕所述第一部分设置，所述第一部分及所述第二部分的厚度为1000埃～10000埃；
图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义源极及漏极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述“在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置”步骤中包括：
在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上依次形成沟道层及欧姆接触层作为所述半导体层；
在所述欧姆接触层上形成所述第二金属层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤“图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义所述源极和漏极”包括：
图案化所述第二金属层、所述欧姆接触层及所述沟道层，以定义所述源极和漏极。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟道层的材质为多晶硅，所述欧姆接触层的材质为n型重掺杂的非晶硅。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述步骤“提供一基板”与所述步骤“在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极”之间还包括步骤：
在所述基板上形成缓冲层；
所述步骤“在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极”具体为所述第一金属层通过所述缓冲层设置于所述基板的一个表面的中部。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一，所述第二金属层的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述步骤“图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义源极及漏极”包括：
移除未覆盖所述光阻层的所述第二金属层；
移除未覆盖所述第二金属层的所述半导体层；
移除所述光阻层的所述第一部分，及所述光阻层的所述第一部分所覆盖的第二金属层及所述第一部分覆盖的部分半导体层；
移除所述光阻层的所述第二部分。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述步骤“定义源极及漏极”之后，所述薄膜晶体管的制造方法还包括：
形成钝化层；
在所述钝化层对应所述源极及所述漏极开设第一贯孔及第二贯孔；
对应所述第一贯孔设置第一电极，对应所述第二贯孔设置第二电极，所述第一电极及所述第二电极分别连接所述源极及所述漏极。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述第二金属层上形成光阻层时，使所述光阻层的边缘部分高出所述光阻层其余部分的高度为0～400埃，所述光阻层的边缘部分的宽度为20mm。
11.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述第二金属层上形成所述光阻层时，使所述光阻层的边缘部分高出所述光阻层其余部分的高度为0～1000埃，所述光阻层的边缘部分的宽度为30mm。
12.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤“在所述第二金属层上形成光阻层”具体为：
提供一光阻涂布设备，所述光阻涂布设备用于在所述第二金属层上涂布光阻材料，以形成所述光阻层，在形成所述光阻层的边缘部分时，增大所述光阻涂布设备输出光阻材料的速度，以使所述光阻层的边缘部分的厚度大于所述光阻层其余部分的厚度。
13.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤“在所述第二金属层上形成光阻层”具体为：
提供一光阻涂布设备，所述光阻涂布设备用于在所述第二金属层上涂布光阻材料光阻材料，以形成所述光阻层，在形成所述光阻层的边缘部分时，增大所述光阻涂布设备中输出所述光阻材料的喷嘴的开口程度，以使所述光阻层的边缘部分的厚度大于所述光阻层其余部分的厚度。
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