JP2011199245A - 薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 191
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 99
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 102
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにその製造方法において、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成されたアクティブ層と、前記アクティブ層の一部領域の上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、前記ゲート絶縁膜パターンの一部領域の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜パターン及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上に形成されたソース部材及びドレイン部材とを含む。
【選択図】図3
Description
70 有機発光素子
80 キャパシタ
101、102 表示装置
111 基板
120 バッファ層
131、231 アクティブ層
138、238 第1キャパシタ電極
140 ゲート絶縁膜パターン
151 ゲート電極
160 エッチング防止膜パターン
173、273 ソースオーミックコンタクト層
175、275 ドレインオーミックコンタクト層
183、283 ソース電極
185、285 ドレイン電極
278 ダミーオーミックコンタクト層
288 ダミー電極
910、920 駆動回路
CL キャパシタライン
DA 表示領域
DL データライン
GL ゲートライン
NA 非表示領域
PE 画素領域
VDD 共通電源ライン
Claims (38)
- 基板上に形成されたアクティブ層と、
前記アクティブ層の一部領域の上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、
前記ゲート絶縁膜パターンの一部領域の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜パターン及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、
前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上に形成されたソース部材及びドレイン部材と、
を含む薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート絶縁膜パターンと前記エッチング防止膜パターンは、互いに同一のパターンにパターニングされる、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース部材及び前記ドレイン部材は、前記ゲート電極上に位置する所定の空間を介して互いに離隔する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース部材と前記ドレイン部材が互いに離隔したことを除けば、前記アクティブ層は前記ソース部材及び前記ドレイン部材と同一のパターンに形成される、請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記エッチング防止膜パターンは、前記ソース部材及び前記ドレイン部材と異なるエッチング選択比を有する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース部材は、ソース電極、及び前記ソース電極と前記アクティブ層との間に配置されたソースオーミックコンタクト層を含み、
前記ドレイン部材は、ドレイン電極、及び前記ドレイン電極と前記アクティブ層との間に配置されたドレインオーミックコンタクト層を含む、請求項4に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記ソースオーミックコンタクト層及び前記ドレインオーミックコンタクト層は、n型またはp型不純物がドーピングされた水素化非晶質シリコン膜で形成される、請求項6に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上にアクティブ層を形成する段階と、
前記アクティブ層の一部領域の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の一部領域の上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記エッチング防止膜を共にパターニングして、同一のパターンにゲート絶縁膜パターン及びエッチング防止膜パターンを形成する段階と、
前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上にソース部材及びドレイン部材を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ソース部材及び前記ドレイン部材は、前記ゲート電極上に位置する所定の空間を介して互いに離隔する、請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース部材と前記ドレイン部材が互いに離隔したことを除けば、前記アクティブ層は前記ソース部材及び前記ドレイン部材と同一のパターンに形成される、請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記エッチング防止膜パターンは、前記ソース部材及び前記ドレイン部材と異なるエッチング選択比を有する、請求項8乃至10のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース部材は、ソース電極、及び前記ソース電極と前記アクティブ層との間に配置されたソースオーミックコンタクト層を含み、
前記ドレイン部材は、ドレイン電極、及び前記ドレイン電極と前記アクティブ層との間に配置されたドレインオーミックコンタクト層を含む、請求項11に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ソースオーミックコンタクト層及び前記ドレインオーミックコンタクト層は、n型またはp型不純物がドーピングされた水素化非晶質シリコン膜で形成される、請求項12に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソースオーミックコンタクト層及び前記ドレインオーミックコンタクト層は、化学気相成長法によって形成される、請求項13に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上に形成されたアクティブ層と、
前記アクティブ層の一部領域の上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、
前記ゲート絶縁膜パターンの一部領域の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜パターン及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、
前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上に形成されたソース部材及びドレイン部材と、
を含む表示装置。 - 前記ゲート絶縁膜パターンと前記エッチング防止膜パターンは、互いに同一のパターンにパターニングされる、請求項15に記載の表示装置。
- 前記ソース部材及び前記ドレイン部材は、前記ゲート電極上に位置する所定の空間を介して互いに離隔する、請求項15に記載の表示装置。
- 前記ソース部材と前記ドレイン部材が互いに離隔したことを除けば、前記アクティブ層は前記ソース部材及び前記ドレイン部材と同一のパターンに形成される、請求項17に記載の表示装置。
- 前記エッチング防止膜パターンは、前記ソース部材及び前記ドレイン部材と異なるエッチング選択比を有する、請求項15に記載の表示装置。
- 前記ソース部材は、ソース電極、及び前記ソース電極と前記アクティブ層との間に配置されたソースオーミックコンタクト層を含み、
前記ドレイン部材は、ドレイン電極、及び前記ドレイン電極と前記アクティブ層との間に配置されたドレインオーミックコンタクト層を含む、請求項19に記載の表示装置。 - 前記ソースオーミックコンタクト層及び前記ドレインオーミックコンタクト層は、n型またはp型不純物がドーピングされた水素化非晶質シリコン膜で形成される、請求項20に記載の表示装置。
- 前記アクティブ層と同一層に形成された第1キャパシタ電極、前記第1キャパシタ電極の上に形成されたゲート絶縁膜パターン、及び前記ゲート絶縁膜パターンの上に前記ゲート電極と同一素材で形成された第2キャパシタ電極を含むキャパシタをさらに含む、請求項15乃至21のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記キャパシタは、前記エッチング防止膜パターンを介して前記第2キャパシタ電極上に形成されたダミーオーミックコンタクト層、及び前記ダミーオーミックコンタクト層上に形成されたダミー電極をさらに含む、請求項22に記載の表示装置。
- 前記第1キャパシタ電極、前記ゲート絶縁膜パターン、前記エッチング防止膜パターン、前記ダミーオーミックコンタクト層、及び前記ダミー電極は、互いに同一のパターンに形成される、請求項23に記載の表示装置。
- 前記基板上に形成された有機発光素子をさらに含む、請求項22に記載の表示装置。
- 前記基板上に形成された液晶層をさらに含む、請求項22に記載の表示装置。
- 基板上にアクティブ層を形成する段階と、
前記アクティブ層の一部領域の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の一部領域の上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を覆うエッチング防止膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記エッチング防止膜を共にパターニングして、同一のパターンにゲート絶縁膜パターン及びエッチング防止膜パターンを形成する段階と、
前記アクティブ層及び前記エッチング防止膜パターンの上にソース部材及びドレイン部材を形成する段階と、
含む表示装置の製造方法。 - 前記ソース部材及び前記ドレイン部材は、前記ゲート電極上に位置する所定の空間を介して互いに離隔する、請求項27に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ソース部材と前記ドレイン部材が互いに離隔したことを除けば、前記アクティブ層は前記ソース部材及び前記ドレイン部材と同一のパターンに形成される、請求項28に記載の表示装置の製造方法。
- 前記エッチング防止膜パターンは、前記ソース部材及び前記ドレイン部材と異なるエッチング選択比を有する、請求項27に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ソース部材は、ソース電極、及び前記ソース電極と前記アクティブ層との間に配置されたソースオーミックコンタクト層を含み、
前記ドレイン部材は、ドレイン電極、及び前記ドレイン電極と前記アクティブ層との間に配置されたドレインオーミックコンタクト層を含む、請求項30に記載の表示装置の製造方法。 - 前記ソースオーミックコンタクト層及び前記ドレインオーミックコンタクト層は、n型またはp型不純物がドーピングされた水素化非晶質シリコン膜で形成される、請求項31に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ソースオーミックコンタクト層及び前記ドレインオーミックコンタクト層は、化学気相成長法によって形成される、請求項32に記載の表示装置の製造方法。
- 前記アクティブ層と同一層に形成された第1キャパシタ電極、前記第1キャパシタ電極の上に形成されたゲート絶縁膜パターン、及び前記ゲート絶縁膜パターンの上に前記ゲート電極と同一素材で形成された第2キャパシタ電極を含むキャパシタを形成する段階をさらに含む、請求項27乃至33のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記キャパシタは、前記エッチング防止膜パターンを介して前記第2キャパシタ電極上に形成されたダミーオーミックコンタクト層、及び前記ダミーオーミックコンタクト層上に形成されたダミー電極をさらに含む、請求項34に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1キャパシタ電極、前記ゲート絶縁膜パターン、前記エッチング防止膜パターン、前記ダミーオーミックコンタクト層、及び前記ダミー電極は、互いに同一のパターンに形成される、請求項35に記載の表示装置の製造方法。
- 前記基板上に有機発光素子を形成する段階をさらに含む、請求項27に記載の表示装置の製造方法。
- 前記基板上に液晶層を形成する段階をさらに含む、請求項27に記載の表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0023901 | 2010-03-17 | ||
KR1020100023901A KR101084261B1 (ko) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 박막 트랜지스터, 이를 구비한 표시 장치, 및 그 제조 방법들 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199245A true JP2011199245A (ja) | 2011-10-06 |
JP5498892B2 JP5498892B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=44646530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010179590A Expired - Fee Related JP5498892B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-08-10 | 薄膜トランジスタ、及びこれを備えた表示装置、並びにそれらの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8653528B2 (ja) |
JP (1) | JP5498892B2 (ja) |
KR (1) | KR101084261B1 (ja) |
TW (1) | TWI459566B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6019329B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-11-02 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
JP2014085552A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Japan Display Inc | 表示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0442579A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ及び製造方法 |
JPH07263704A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2001188252A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tftアレイ基板とその製造方法それを用いた液晶表示装置 |
JP2002016082A (ja) * | 2000-04-04 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体素子およびその製造方法 |
JP2009271527A (ja) * | 2008-05-06 | 2009-11-19 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板、それを備える有機発光表示装置、及びそれらの製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9114018D0 (en) * | 1991-06-28 | 1991-08-14 | Philips Electronic Associated | Thin-film transistor manufacture |
US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JP3961044B2 (ja) | 1996-05-14 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 電子回路装置 |
JPH11126904A (ja) | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
KR100386003B1 (ko) | 1998-12-15 | 2003-10-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법_ |
KR100390522B1 (ko) | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
JP3600229B2 (ja) | 2001-10-31 | 2004-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
KR20060104146A (ko) | 2005-03-29 | 2006-10-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 폴리실리콘 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
KR20080113967A (ko) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | 삼성전자주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
JP5503895B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2010
- 2010-03-17 KR KR1020100023901A patent/KR101084261B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-10 JP JP2010179590A patent/JP5498892B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-28 US US13/036,241 patent/US8653528B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-15 TW TW100108755A patent/TWI459566B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0442579A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ及び製造方法 |
JPH07263704A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2001188252A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tftアレイ基板とその製造方法それを用いた液晶表示装置 |
JP2002016082A (ja) * | 2000-04-04 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体素子およびその製造方法 |
JP2009271527A (ja) * | 2008-05-06 | 2009-11-19 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板、それを備える有機発光表示装置、及びそれらの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110104795A (ko) | 2011-09-23 |
US8653528B2 (en) | 2014-02-18 |
TW201138121A (en) | 2011-11-01 |
JP5498892B2 (ja) | 2014-05-21 |
US20110227079A1 (en) | 2011-09-22 |
TWI459566B (zh) | 2014-11-01 |
KR101084261B1 (ko) | 2011-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120921 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |