KR20080113967A - 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

탑게이트 방식의 구조를 갖는 구동 트랜지스터가 구비된 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 탑게이트 방식에서는 구동 트랜지스터의 액티브 패턴이 게이트전극 보다 베이스기판에 인접하게 구비되고, 액티브 패턴 위에는 식각 방지막, 오믹콘택 패턴, 소오스전극, 드레인전극 및 게이트전극이 구비된다. 오믹콘택 패턴, 소오스전극 및 드레인전극이 식각될 때, 식각 방지막은 액티브 패턴을 커버하여 액티브 패턴이 부분적으로 식각되는 것을 방지하여 액티브 패턴의 높이가 불균일해지는 것을 방지한다.

Description

유기전계발광 표시장치 및 이의 제조방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.
도 2 내지 도 13은 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제조공정을 나타낸 도면들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
GL -- 게이트라인 DL -- 데이터라인
S -- 소오스전극 D -- 드레인전극
Tr -- 박막 트랜지스터 Cst -- 캐패시터
A -- 아노드 전극 B -- 브릿지 전극
C -- 캐소드 전극 G -- 게이트전극
BL -- 바이어스 라인 Di -- 유기전계발광 다이오드
100 -- 베이스기판 110 -- 버퍼층
125 -- 제 1 액티브 패턴 130 -- 식각 방지막
150 -- 제 1 금속층 165 -- 제 1 절연막
170 -- 제 2 액티브 패턴 180 -- 예비 오믹콘택패턴
190 -- 제 2 금속층 210 -- 유기절연막
300 -- 유기전계발광 표시장치
본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 표시품질이 향상된 유기전계발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 평판 디스플레이에 대한 관심이 고조되면서, 저전압 고휘도의 자체발광 디스플레이인 유기전계발광 표시장치에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 유기전계발광 표시장치는 자체적으로 빛을 생성하는 유기발광소자를 사용하여 영상을 표시한다.
일반적으로, 유기전계발광 표시장치는 구동방법에 따라, 수동 매트릭스 유기전계발광 표시장치(passive matrix electriluminescence device, 이하 PMOLED) 및 능동 매트릭스 유기전계발광 표시장치(active matrix organic electro luminescence device, 이하 AMOLED)로 구분될 수 있다.
AMOLED는 PMOLED 보다 적은 전류를 이용하여 디스플레이할 수 있는 장점을 갖는다. AMOLED의 각 화소영역에는 게이트 라인, 데이터 라인, 바이어스 라인, 구동 트랜지스터, 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 유기전계 발광소자가 구비된다.
다결정 실리콘으로 이루어진 액티브 패턴을 갖는 AMOLED의 구동 트랜지스터 를 형성하기 위해서 비정질 실리콘층을 적층한 후, 고상 결정화(solid phase crystallization, SPC) 공정을 진행하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시킨다.
한편, 비정실 실리콘층을 고상 결정화 처리하는 과정에서, 기판은 열에 의해 외형적으로 변화될 수 있다. 그 결과, 기판에 고상 결정화 공정 전에 형성된 층과 고상 결정화 공정 후에 형성된 층 간의 얼라인을 정확히 제어하기 어렵다. 따라서, 고상 결정화 공정에 의해 형성되는 액티브 패턴을 구비하는 구동 트랜지스터는 액티브 패턴이 소오스-드레인전극 및 게이트 전극보다 기판에 인접하게 위치하는 탑 게이트 구조를 갖는 것이 바람직하고, 이에 따른 AMOLED의 구동 트랜지스터의 제조 공정에 대한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 신뢰성이 향상된 구동 트랜지스터를 갖는 유기전계발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기전계발광 표시장치는 베이스기판, 상기 베이스기판 위에 구비되는 게이트라인, 상기 게이트라인과 함께 상기 베이스기판에 화소영역을 정의하는 데이터라인, 상기 게이트라인과 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기전계 발광소자를 포함한다.
또한, 상기 구동 트랜지스터는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 위에 형성되 어 상기 액티브 패턴을 커버하는 식각 방지막, 상기 액티브 패턴과 오버랩되는 소오스전극, 상기 소오스전극과 이격되어 상기 액티브 패턴과 오버랩되며 상기 유기전계 발광소자와 전기적으로 연결되는 드레인전극, 상기 소오스전극 및 상기 드레인전극을 커버하는 절연막, 및 상기 절연막 위에서 상기 액티브 패턴과 오버랩되고 상기 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 게이트전극을 포함한다.
상기 식각 방지막은 상기 액티브 패턴을 커버하여 상기 액티브 패턴이 주위의 식각액 또는 식각가스에 의해 식각되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 식각 방지막은 상기 액티브 패턴이 식각되어 상기 액티브 패턴의 높이가 불균일해지는 것을 방지하고, 그 결과, 상기 구동 트랜지스터의 스위칭 특성의 신뢰성이 향상된다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기전계발광 표시장치의 제조방법은 베이스기판 위에 게이트라인을 형성하는 단계, 상기 게이트라인과 함께 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계, 상기 화소영역에 대응하여 스위칭 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 구동 트랜지스터를 형성하는 단계, 및 상기 구동트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기전계 발광소자를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 구동 트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 베이스기판 위에 제 1 액티브 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 액티브 패턴 위에 식각 방지막을 형성하는 단계, 상기 제 1 액티브 패턴 위에 제 1 소오스 전극 및 제 1 드레인전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 소오스전극 및 상기 제 1 드레인전극을 커버하는 절연막을 형성하는 단계, 및 상기 절연막 위에 제 1 게이트전극을 형성하는 단계를 포함한 다.
상기 식각 방지막은, 앞서 상술한 바와 같이, 상기 제 1 액티브 패턴을 커버하여 상기 제 1 액티브 패턴이 식각액 또는 식각가스에 의해 식각되는 것을 방지한다.
한편, 상기 스위칭 트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 제 1 소오스전극 및 상기 제 1 드레인전극과 동일한 공정에서 형성되는 제 2 게이트전극을 형성하는 단계와 상기 제 1 게이트전극과 동일한 공정에서 형성되는 제 2 소오스전극 및 제 2 드레인전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 다만 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 함께 제시된 도면은 명확한 설명을 위해서 다소 간략화되거나 과장된 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치(300)를 나타낸 회로도이다. 상기 유기전계발광 표시장치(300)에는 영상을 표시하는 다수의 화소영 역이 정의되지만, 다수의 화소영역에는 서로 동일한 구성요소가 구비되므로 도 1에서는 하나의 화소영역만이 도시되고, 나머지 화소영역들에 구비된 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
도 1을 참조하면, 유기전계발광 표시장치(300)는 각 화소영역에 대응하여 구동 트랜지스터(Tr1), 스위칭 트랜지스터(Tr2), 화상유지 커패시터(Cst),및 유기전계발광 다이오드(Di1)를 구비한다. 또한, 상기 화소영역에는 제n-1 및 제n 게이트 라인(GLn-1, GLn), 상기 제n-1 및 제n 게이트 라인(GLn-1, GLn)과 직교하는 제m 데이터 라인(DLm) 및 상기 제m 데이터 라인(DLm)과 소정 간격 이격되어 평행하게 연장된 바이어스 라인(BL)이 구비된다.
상기 스위칭 트랜지스터(Tr2)는 상기 제m 데이터 라인(DLm)에 연결된 제 2 소오스 전극(S2), 상기 제n 게이트 라인(GLn)에 연결된 제 2 게이트 전극(G2) 및 상기 구동 트랜지스터(Tr1)에 연결된 제 2 드레인 전극(D2)을 포함한다. 상기 화상유지 커패시터(Cst)는 상기 제 2 드레인 전극(D2)에 연결된 전극과 상기 바이어스 라인(BL)에 연결된 전극을 구비한다.
상기 구동 트랜지스터(Tr1)는 상기 제 2 드레인전극(D2)에 연결된 제 1 게이트 전극(G1), 상기 바이어스 라인(BL)에 연결된 제 1 소오스 전극(S1) 및 상기 유기전계발광 다이오드(Di1)에 연결된 제 1 드레인 전극(D1)을 구비한다.
상기 유기전계발광 다이오드(Di1)는 상기 제 1 드레인 전극(D1)에 연결된 애노드(A1) 및 공통전압(Vcom)이 제공되는 캐소드(C1)를 포함한다. 상기 애노드(A1) 및 캐소드(C1) 사이에는 유기 발광층(미도시)이 개재된다. 상기 유기 발광층은 레 드, 그린 또는 블루로 이루어진 유기물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층에 포함되는 유기물질의 컬러는 화소 단위로 달라질 수 있다.
상기 제n 게이트 라인(GLn)에 게이트 신호가 인가된 상태에서 상기 제m 데이터 라인(DLm)으로 데이터 신호가 제공되면, 상기 스위칭 트랜지스터(Tr2)가 턴온 되면서, 상기 데이터 신호는 상기 제 2 드레인 전극(D2)으로 출력된다. 상기 바이어스 라인(BL)에는 항상 바이어스 전압이 인가되고 있으니, 상기 화상유지 커패시터(Cst)는 상기 제 2 드레인 전극(D2)으로 출력된 상기 데이터 신호와 상기 바이어스 전압에 의해서 전하를 충전한다.
또한, 상기 구동 트랜지스터(Tr1)는 상기 화상유지 커패시터(Cst)에 전하가 충전됨에 따라서 턴온된다. 따라서, 상기 유기전계발광 다이오드(Di1)의 애노드(A1)에는 상기 제 1 드레인 전극(D1)으로 출력된 전류가 제공된다. 상기 구동 트랜지스터(Tr1)로부터 출력된 전류량에 따라서 상기 유기전계발광 다이오드(Di1)로부터 발광되는 광의 세기가 결정되고, 그 결과 원하는 계조의 영상을 표시할 수 있다.
도 2 내지 도 13은 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치를 나타낸 도면들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 베이스기판(100) 상에 버퍼층(110) 및 아몰퍼스 실리콘층(미도시)을 형성한 후, 상기 아몰퍼스 실리콘층을 고상 결정화(solid phase crystallization, 이하 SPC) 공정을 진행하여 다결정 실리콘층(120)을 형성한다. 상기 고상 결정화 공정은 상기 아몰퍼스 실리콘층에 대해 진행되는 래피드 써멀 어닐링(rapid thermal annealing, 이하 RTA)이 수반되는 결정화 공정이다. 상기 SPC 공정이 완료되면, 상기 다결정 실리콘층(120)을 패터닝하여 제 1 액티브 패턴(125)을 형성한다.
한편, 상기 아몰퍼스 실리콘층에 대해 상기 SPC 공정을 진행하면, 상기 베이스기판(100)은 열에 의해 외형이 변화될 수 있다. 상기 베이스기판(100)에 외형 변화가 발생되면, 상기 SPC 공정 전에 형성된 패턴의 위치에 대응하여 상기 RTA 공정 후에 형성된 패턴의 위치를 정확하게 제어하기 어렵다. 그 이유는, 외형 변화가 발생된 상기 베이스기판에 대해 노광 공정을 진행할 때, 베이스기판 전체에 동일하게 초점을 맞추어 노광 공정을 진행하기 어렵기 때문이다. 그 결과, 전체 베이스기판에 걸쳐 상기 RTA 공정 전 후에 형성된 층 간에 얼라인 미스가 발생될 수 있다.
하지만, 본 발명에 따른 일 실시예에서는, 상기 RTA 공정에 의해 상기 제 1 액티브 패턴(125)은 상기 버퍼층(110) 상에 형성되므로 상기 제 1 액티브 패턴(125) 및 상기 버퍼층(110) 간의 얼라인을 고려하지 않아도 무방하다.
도 4를 참조하면, 제 1 액티브 패턴(125) 상에 식각 방지막(130)이 형성된다. 상기 식각 방지막(130)은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 형성되고, 500 옹스트롬 이하로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 식각 방지막(130)은 상기 제 1 액티브 패턴(125)을 커버하여 상기 제 1 액티브 패턴(125) 주변의 식각액 또는 식각 가스로부터 상기 제 1 액티브 패턴(125)이 식각되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 제 1 액티브 패턴(125)은 초기에 형성된 균일한 높이를 유지할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 베이스기판(100)의 전체에 제 1 오믹콘택층(140) 및 제 1 금속층(150)을 순차적으로 형성한 후, 상기 제 1 금속층(150) 상에 제 1 감광막 패턴(160a) 및 제 2 감광막 패턴(160b)을 형성한다.
상기 제 1 감광막 패턴(160a)은 스위칭 트랜지스터(도12의 Tr2)의 제 2 게이트전극(도 13의 G2)의 위치에 대응하여 형성되고, 상기 제 2 감광막 패턴(160b)은 구동 트랜지스터(도12의 Tr1)의 제 1 액티브 패턴(125)의 양단부와 오버랩되도록 형성된다.
상기 제 1 및 제 2 감광막 패턴(160a,160b)이 형성되면, 상기 제 1 및 제 2 감광막 패턴(160a,160b)을 식각 마스크로 상기 제 1 금속층(150)을 습식식각하여 구동 트랜지스터(도12의 Tr1)의 소오스-드레인 전극인 제 1 소오스전극(S1) 및 제 1 드레인전극(D1)을 형성하고, 스위칭 트랜지스터(도12의 Tr2)의 게이트전극인 제 2 게이트전극(G2)을 형성한다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 감광막 패턴(160a,160b)을 식각 마스크로 이용하여 상기 제 1 오믹콘택층(140)을 건식식각하여 제 1 오믹콘택패턴(142) 및 제 2 오믹콘택패턴(145)이 형성된다.
상기 제 1 오믹콘택층(140)을 식각하여 상기 제 1 오믹콘택패턴(142)이 형성되는 과정에서, 상기 제 1 오믹콘택층(140)을 식각하는 식각 가스가 상기 제 1 액티브 패턴(125) 측으로 이동하나, 식각 방지막(130)에 의해 상기 제 1 액티브 패턴(125)은 식각되지 않는다. 따라서, 상기 제 1 액티브 패턴(125)은 초기에 형성된 균일한 높이를 유지할 수 있다.
도 7을 참조하면, 베이스기판(100)의 전체에 제 1 절연막(165)이 형성된다. 상기 제 1 절연막(165)은 구동 트랜지스터(Tr1)의 제 1 소오스전극(S1) 및 제 1 드레인전극(D1)을 외부와 절연시키고, 스위칭 트랜지스터(Tr2)의 제 2 게이트전극(G2)을 외부와 절연시킨다.
도 8을 참조하면, 제 1 절연막(165) 상에 제 2 게이트전극(G2)과 오버랩되는 제 2 액티브 패턴(170) 및 상기 제 2 액티브 패턴(170) 상에 형성되는 예비 오믹콘택 패턴(180)이 형성된다. 상기 제 2 액티브 패턴(170) 및 상기 예비 오믹콘택 패턴(180)은 상기 베이스기판(100) 위에 아몰퍼스 실리콘층(미도시) 및 제 2 오믹콘택층(미도시)을 순차적으로 형성한 후, 상기 아몰퍼스 실리콘층 및 상기 제 2 오믹콘택 층에 대해 사진식각공정을 진행하여 형성한다.
도 9 내지 도 11을 참조하면, 베이스기판(100) 위에 제 2 금속층(190)을 형성한다. 상기 제 2 금속층(190)을 형성한 후에, 상기 제 2 금속층(190) 상에 제 3 감광막 패턴(200a) 및 제 4 감광막 패턴(200b)을 형성한다.
상기 제 3 감광막 패턴(200a)은 제 2 액티브 패턴(170)의 양단부와 오버랩되도록 형성되고, 상기 제 4 감광막 패턴(200b)은 제 1 액티브 패턴(125)과 부분적으로 오버랩되도록 형성된다.
상기 제 3 및 제 4 감광막 패턴(200a,200b)이 형성되면, 제 3 및 제 4 감광막 패턴(200a,200b)을 식각 마스크로 상기 제 2 금속층(160)을 식각하여 구동 트랜지스터(도12의 Tr1)의 게이트전극인 제 1 게이트전극(G1)을 형성하고, 스위칭 트랜지스터(도12의 Tr2)의 소오스-드레인전극인 제 2 소오스전극(S2) 및 제 2 드레인전극(D2)을 형성한다. 또한, 상기 제 3 및 제 4 감광막 패턴(200a,200b)을 이용하거 나, 상기 제 2 소오스전극(S2) 및 상기 제 2 드레인전극(D2)을 이용하여 상기 예비오믹콘택막(180)을 패터닝하여 제 3 오믹콘택 패턴(182)을 형성한다.
도 12를 참조하면, 베이스기판(100) 위에 구동 트랜지스터(Tr1) 및 스위칭 트랜지스터(Tr2)를 커버하는 제 2 절연막(205) 및 유기절연막(210)을 형성한다. 상기 제 2 절연막(205) 및 상기 유기절연막(210)이 형성된 후, 제 2 드레인전극(D2), 제 1 게이트전극(G1) 및 제 1 드레인전극(D1) 각각이 부분적으로 노출되도록 상기 제 2 절연막(205) 및 상기 유기절연막(210)을 제거한다.
도 13을 참조하면, 유기절연막(210) 상에 투명전극이 형성되어 제 2 드레인전극(D2) 및 제 1 게이트전극(G1)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(B1) 및 제 1 드레인전극(D1)과 전기적으로 연결되는 애노드 전극(A1)이 형성된다. 또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 애노드 전극(A1) 상에는 유기전계 발광층이 형성되고, 그 위로 상기 애노드 전극(A)과 마주하는 캐소드 전극(도1의 C1)이 더 형성될 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법에 따르면, 구동 트랜지스터의 액티브 패턴 위에 액티브 패턴을 커버하는 식각 방지막이 형성된다. 따라서, 식각 방지막은 액티브 패턴이 식각되어 높이가 불균일해지는 것을 방지하고, 그 결과, 구동 트랜지스터의 스위칭 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 베이스기판;
    상기 베이스기판 위에 구비되는 게이트라인;
    상기 게이트라인과 함께 상기 베이스기판에 화소영역을 정의하는 데이터라인;
    상기 화소영역에 대응하여 구비되고, 상기 게이트라인과 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터;
    상기 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터; 및
    상기 베이스기판 위에 구비되고, 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기전계 발광소자를 포함하고,
    상기 구동 트랜지스터는,
    액티브 패턴;
    상기 액티브 패턴 위에 형성되어 상기 액티브 패턴을 커버하는 식각 방지막;
    상기 액티브 패턴과 오버랩되는 소오스전극;
    상기 소오스전극과 이격되어 상기 액티브 패턴과 오버랩되고, 상기 유기전계 발광소자와 전기적으로 연결되는 드레인전극;
    상기 소오스전극 및 상기 드레인전극을 커버하는 절연막; 및
    상기 절연막 위에서 상기 액티브 패턴과 오버랩되고, 상기 스위칭 트 랜지스터와 전기적으로 연결되는 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 식각 방지막은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 액티브 패턴은 폴리 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인과 평행하고, 상기 게이트라인과 교차하며, 상기 소오스전극과 전기적으로 연결되는 바이어스 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  5. 베이스기판 위에 게이트라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트라인과 함께 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계;
    상기 화소영역에 대응하여 스위칭 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 스위칭 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 구동 트랜지스터를 형성하는 단계; 및
    상기 구동트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기전계 발광소자를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 구동 트랜지스터를 형성하는 단계는,
    상기 베이스기판 위에 제 1 액티브 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 1 액티브 패턴 위에 식각 방지막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 액티브 패턴과 오버랩되는 제 1 소오스전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 소오스전극과 이격되고, 상기 제 1 액티브 패턴과 오버랩되는 제 1 드레인전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 소오스전극 및 상기 제 1 드레인전극을 커버하는 절연막을 형성하는 단계; 및
    상기 절연막 위에 상기 제 1 액티브 패턴과 오버랩되는 제 1 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 액티브 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 베이스기판 위에 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 단계;
    고상 결정화 방법으로 상기 아몰퍼스 실리콘층을 결정화하여 폴리 실리콘층을 형성하는 단계; 및
    상기 폴리 실리콘층을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 식각 방지막은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터를 형성하는 단계는,
    상기 베이스기판 위에 제 1 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전층을 패터닝하여 제 2 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 제 2 게이트전극을 커버하는 절연막을 형성하는 단계;
    상기 제 2 게이트전극과 오버랩되는 제 2 액티브 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 2 액티브 패턴 위에 예비 오믹콘택패턴을 형성하는 단계;
    상기 예비 오믹콘택패턴 상에 상기 제 2 액티브 패턴과 오버랩되고, 상호 간에 이격되는 제 2 소오스전극과 제 2 드레인전극을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 오믹콘택패턴을 패터닝하여 오믹콘택패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 소오스전극 및 상기 제 1 드레인전극은 상기 제 1 도전층을 패터닝하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 소오스전극 및 상기 제 2 드레인전극을 형성하는 단계는,
    상기 베이스기판 위에 제 2 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 도전층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 제 2 도전층을 식각하는 단계를 포함하고,
    상기 예비 오믹콘택패턴은 상기 감광막 패턴을 마스크로 식각되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 게이트전극은 상기 제 2 도전층을 패터닝하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법.
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