JP2009010926A - 圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る圧電体薄膜は、スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えており、窒化アルミニウム薄膜におけるスカンジウムの含有率は、スカンジウムの原子数とアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、0.5〜50原子%である。これによって、本発明に係る圧電体薄膜は、窒化アルミニウム薄膜の有する弾性波の伝播速度、Q値、および周波数温度係数の特性を失うことなく、圧電応答性を向上することができる。
【選択図】図1
Description
本発明に係る圧電体薄膜の一実施形態について、実施形態1として、図1および2を参照して以下に説明する。
図1に示すように、Sc含有窒化アルミニウム薄膜に含有されるスカンジウムの含有率を変化させることによって、Sc含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性(圧電性)を向上することができる。図1は、スカンジウムの含有率とSc含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性との関係を示す図である。図1に示すように、スカンジウムの含有率が0%である場合に比べて、スカンジウムをわずかでも含有する場合は圧電応答性が向上している。具体的には、スカンジウムの含有率を0.5〜35原子%または40〜50原子%の範囲内とすることによって、Sc含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性を向上することができる。スカンジウムの含有率を上記範囲とすることによって、Sc含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性は6〜24.6pC/N程度となる。一般的な窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性は、5.1〜6.7pC/N程度であるため、スカンジウムの含有率を上記範囲内とすることによって、圧電応答性を1.4〜4倍程度向上することができる。
圧電応答性のさらなる向上の観点によれば、スカンジウムの含有率は、40〜50原子%の範囲内であることが好ましい。図1に示すように、Sc含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性は、スカンジウムの含有率が45原子%(Sc0.45Al0.55N)であるとき、最大値を示し(約24.6pC/N)、スカンジウムを含有しない窒化アルミニウムの圧電応答性の約4倍となる。なお、圧電応答性を最大とするスカンジウムの含有率は、測定条件などの条件により±5原子%程度の誤差を示す。
ここで、本発明に係る圧電体薄膜の一例について、図2を参照してより具体的に説明する。圧電体薄膜1は、図2に示すように、基板2上にスカンジウムを含有した窒化アルミニウム薄膜(以下、Sc含有窒化アルミニウム薄膜とも称する)3を備えている。Sc含有窒化アルミニウム薄膜3は、スカンジウムの原子数とアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、0.5〜〜50原子%の範囲内のスカンジウムを含有している。図2は、圧電体薄膜1の概略断面図である。
基板2は、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3を変形することなく保持する。基板2の材質としては、特に限定されるものではなく、シリコン(Si)単結晶、またはSi単結晶などの基材の表面にシリコン、ダイヤモンドおよびその他の多結晶膜を形成したものを用いることができる。
Sc含有窒化アルミニウム薄膜3は、スカンジウムを含む窒化アルミニウム薄膜であり、圧電応答性を有する。
本発明に係る圧電体薄膜の他の形態について、実施形態2として、図3〜5を参照して以下に説明する。本実施形態において、実施形態1と同一の部材には同一の番号を施している。また、実施形態1と同一用語は、本実施形態においても同一の意味として用いる。
図3に示すように、本実施形態に係る圧電体薄膜1bは、基板2とSc含有窒化アルミニウム薄膜3との間に中間層4が形成されている。すなわち、圧電体薄膜1bにおいて、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3は、基板2に中間層4を介して設けられている。基板2およびSc含有窒化アルミニウム薄膜3は実施形態1において説明したので、ここではその詳細な説明を省略する。したがって、本実施形態では、中間層4についてのみ以下に説明する。図3は、圧電体薄膜1bの概略断面図である。
中間層4は、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3と相互作用を引き起こすために設けられている。中間層4の材質としては、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3および基板2の双方と相互作用を引き起こしやすい材質であることが好ましい。中間層4の材料としては、例えば、窒化チタン(TiN)、窒化スカンジウム(ScN)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、ルテニウム(Ru)、酸化ルテニウム(RuO2)、クロム(Cr)、窒化クロム、白金(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、イリジウム(Ir)、パラジウム(Pd)およびニッケル(Ni)などを用いることができる。
中間層4を備えている場合の圧電体薄膜1bの圧電応答性の変化について、図4を参照して以下に説明する。図4は、中間層4を備えている場合のスカンジウムの含有率とSc含有窒化アルミニウム薄膜3の圧電応答性との関係を示す図である。
中間層4は、図5(b)〜(e)に示すように、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3と組成の異なるSc含有窒化アルミニウム薄膜としてもよい。中間層4として組成の異なるSc含有窒化アルミニウム薄膜を用いることにより、圧電体薄膜1bの圧電応答性を向上することができる。
実施形態1に係る圧電体薄膜1の製造方法の一実施形態について、実施形態3として、図6を参照して以下に説明する。なお、Sc含有窒化アルミニウム薄膜は、圧電現象を利用した圧電素子に用いるのであれば、その具体的な用途は特に限定されるものではない。例えば、Sc含有窒化アルミニウム薄膜を備えている圧電体薄膜をSAWデバイスまたはRF−MEMSデバイスに利用することができる。また、本実施形態において、実施形態1と同一の用語は同一の意味として用いる。
スパッタリング工程において、アルミニウムのターゲット電力密度を7.9W/cm2の範囲内と固定した場合、スカンジウムのターゲット電力密度は、0.05〜6.5W/cm2または8.5〜10W/cm2の範囲内となる。
スパッタリング工程において、ターゲット電力密度を0.05〜6.5W/cm2または8.5〜10W/cm2の範囲内としたとき、基板温度を変化させることによって、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3の圧電応答性をさらに向上することができる。基板温度とSc含有窒化アルミニウム薄膜3の圧電応答性との関係について図7に示す。
圧電応答性のさらなる向上の観点によれば、ターゲット電力密度は、上記範囲の中でも9.5〜10W/cm2の範囲内であることが好ましく、10W/cm2であることがより好ましい。図6に示すように、ターゲット電力密度を5〜10W/cm2の範囲内とすることによって、圧電応答性はより向上する。特に、ターゲット電力密度が10W/cm2であるとき、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3におけるスカンジウムの含有率は45原子%となり、圧電応答性が最大値(24.6pC/N)を示す。すなわち、ターゲット電力密度が10W/cm2である場合には、スカンジウムの含有率が45原子%であるときと同様の効果を得ることができる。
上記では、実施形態1に係る圧電体薄膜1の製造方法について説明したが、実施形態2に係る圧電体薄膜1bであっても同様の製造方法により製造することができる。
本発明に係る圧電体薄膜を備えている圧電体薄膜共振子の一実施形態について、実施形態4として以下に説明する。本発明に係る圧電体薄膜を備えた圧電体薄膜共振子の具体的な用途は、特に限定されるものではない。本実施形態では、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3を備えている圧電体薄膜1を、RF−MEMSデバイスの一つであるFBARフィルタに利用した場合を例に挙げて説明する。なお、本実施形態では圧電体薄膜1を用いたFBARフィルタについて説明しているが、もちろん圧電体薄膜1bを用いることもできる。また、本実施形態において、実施形態1〜3と同一の用語は、同一の意味として用いる。
FBARフィルタ10は、図9に示すように、基板11、および基板11上に形成された圧電積層構造体12を備えている。図9は、FBARフィルタ10の概略断面図である。
基板11は、圧電積層構造体12を保持するための基板であり、圧電積層構造体12を自由に振動させるために、圧電積層構造体12が形成されている下部にキャビティ部16が設けられている。
圧電積層構造体12は、下部電極13および上部電極15と、下部電極13と上部電極15とに挟まれた圧電体薄膜14とからなる。各部材について以下に説明する。
下部電極13および上部電極15は、圧電体薄膜14に交流電界を加えるための電極である。下部電極13および上部電極15の材質としては、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、白金とチタンとの積層膜(Pt/Ti)、および金とクロムとの積層膜(Au/Cr)などを用いることができる。これらの中でも、散弾性損失が少ないモリブデンを用いることが好ましい。
圧電体薄膜1については、実施形態1および3において詳述したため、本実施形態ではその説明を省略する。なお、圧電体薄膜1の厚みは、0.1〜30μmの範囲内であることが好ましい。圧電体薄膜1の厚みを上記範囲内とすることによって、密着性に優れた薄膜とすることができる。
なお、FBARフィルタ10は、基板11と下部電極13との間に下地膜を備えていてもよい。下地膜は、絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコンおよび酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜を主成分とする誘電体膜などを用いることができる。ここで、本明細書等における「主成分」とは、誘電体膜に含まれる全成分のうち、50質量%を越える成分であることを意味している。
本発明に係る圧電体薄膜を備えているアクチュエータ素子の一実施形態について、実施形態5として以下に説明する。本発明に係る圧電体薄膜を備えたアクチュエータ素子の具体的な用途は、特に限定されるものではない。本実施形態では、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3を備えている圧電体薄膜1を、RF−MEMSデバイスの一つであるスイッチに利用した場合を例に挙げて説明する。なお、本実施形態では圧電体薄膜1を用いたRF−MEMSデバイスについて説明しているが、もちろん圧電体薄膜1bを用いることもできる。また、本実施形態において、実施形態1〜4と同一の用語は、同一の意味として用いる。
本実施形態に係るスイッチ20(アクチュエータ素子)について、図10(a)および(b)を参照して以下に説明する。図10(a)および(b)は、スイッチ20の概略断面図を示す図であり、(a)は、電圧を印加していない状態を示す図であり、(b)は電圧を印加した状態を示す図である。
基板21は、固定電極22および可動部24を保持するための基板であり、一方の端部に下部電極22が設けられており、下部電極22が設けられている側の端部と対向する側の端部において、可動部24を保持している。
下部電極22は、スイッチ20が通電している、すなわち「ON」状態であるとき、下記に記載する上部電極28と接触する電極である。
可動部23は、図10(a)および(b)に示すように、圧電体薄膜1、第1可動用電極25、第2可動用電極26、第3可動用電極27および上部電極28を備えている。各部材について以下に説明する。なお、圧電体薄膜1については、実施形態1および2において詳述しているため、本実施形態ではその説明を省略する。
第1可動用電極25、第2可動用電極26および第3可動用電極27は、圧電体薄膜1を駆動させる電圧を印加する際に用いる電極であり、第1可動用電極25と第2可動用電極26との間、および第2可動用電極26と第3可動用電極27との間に圧電体薄膜1を備えている。
上部電極28は、可動部23の基板21に保持されている側の端部に対向する側の端部に設けられており、可動部23が可動した際に下部電極22と接する電極である。
スイッチ20は、図10(b)に示すように、第1可動用電極25、第2可動用電極26および第3可動用電極27に電圧を印加することによって、スイッチ20が通電していない状態から通電している状態へと変化する。すなわち、スイッチ20の状態が「OFF」から「ON」へと変化する。
本発明に係る圧電体薄膜を備えている物理センサーの一実施形態について、実施形態6として以下に説明する。本発明に係る圧電体薄膜を備えた物理センサーの具体的な用途は、特に限定されるものではない。本実施形態では、Sc含有窒化アルミニウム薄膜3を備えている圧電体薄膜1を、圧力センサーに利用した場合を例に挙げて説明する。なお、本実施形態では圧電体薄膜1を用いたRF−MEMSデバイスについて説明しているが、もちろん圧電体薄膜1bを用いることもできる。また、本実施形態において、実施形態1〜5と同一の用語は、同一の意味として用いる。
本実施形態に係る圧力センサー30(物理センサー)について、図11(a)および(b)を参照して以下に説明する。図11(a)および(b)は、圧力センサー30の概略図を示す図であり、(a)は、上記電極と下部電極との間に圧電体薄膜を備えている場合を示す図であり、(b)は圧電体薄膜と下部電極との間に支持部を備えている場合を示す図である。
上部電極31および下部電極33は、圧力センサー30における電極として作用するものである。図11(a)に示すように、上部電極31および下部電極33は、圧電体薄膜1を挟むように形成されている。
図11(a)に示すように、圧力センサー30に力Fを加えると、圧電体薄膜1は、印加された圧力に応じた電荷を発生する。発生された電荷は、上部電極31および下部電極33によって取り出され、コンデンサー(キャパシタ)に送られる。すなわち、圧力センサー30は、コンデンサーにおいて取り出された電荷分の電位を測定できるため、測定した電位から印加された圧力Fの大きさを測定することができる。
圧力センサー30は、図11(b)に示すように、圧電体薄膜1と下部電極33との間に支持部34を備えていてもよい。
(スカンジウムを添加した窒化アルミニウム薄膜の作製方法)
シリコン基板に対して、窒素雰囲気下でアルミニウムおよびスカンジウムをスパッタリングし、シリコン基板上にSc含有窒化アルミニウム薄膜を作製した。スパッタリングの条件は、アルミニウムターゲット電力密度7.9W/cm2、スカンジウムターゲット電力密度0〜10W/cm2、基板温度580℃、窒素ガス濃度40%、およびスパッタリング時間4時間である。なお、ターゲット電力密度0Wとは、窒化アルミニウム薄膜にスカンジウムを添加していないことを示している。
Sc含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性は、ピエゾメーターを用いて、加重0.25N,周波数110Hzによって測定した。
スカンジウムの代わりにマグネシウム(Mg)を用いて、ターゲット電力密度を0〜2W/cm2とした以外は、実施例1と同様の方法を用いて窒化アルミニウム薄膜を作製し、圧電応答性を測定した。
スカンジウムの代わりにホウ素(B)を用いて、ターゲット電力密度を0〜7.6W/cm2とした以外は、実施例1と同様の方法を用いて窒化アルミニウム薄膜を作製し、圧電応答性を測定した。
スカンジウムの代わりにケイ素(Si)を用いて、ターゲット電力密度を0〜1.5W/cm2とした以外は、実施例1と同様の方法を用いて窒化アルミニウム薄膜を作製し、圧電応答性を測定した。
スカンジウムの代わりにチタン(Ti)を用いて、ターゲット電力密度を0〜1.8Wとした以外は、実施例1と同様の方法を用いて窒化アルミニウム薄膜を作製し、圧電応答性を測定した。
スカンジウムの代わりにクロム(Cr)を用いて、ターゲット電力密度を0〜0.8W/cm2とした以外は、実施例1と同様の方法を用いて窒化アルミニウム薄膜を作製し、圧電応答性を測定した。
実施例1における測定結果は上記において説明したため、ここではその説明を省略する。比較例1〜5における測定結果を図12(a)〜(e)に示す。図12(a)〜(e)は、ターゲット電力密度と圧電応答性との関係を示す図であり、(a)は、マグネシウムを添加した場合であり、(b)はホウ素を添加した場合であり、(c)はケイ素を添加した場合であり、(d)はチタンを添加した場合であり、(e)はクロムを添加した場合である。
スカンジウムの含有量(以下、Sc含有量とも称する)を25原子%としたSc含有窒化アルミニウム薄膜における表面粗さを測定した。
Scを含有しない窒化アルミニウム薄膜(Sc含有量が0原子%である窒化アルミニウム薄膜)を用いた以外は、実施例2と同様の方法によって表面粗さを測定した。
Sc含有量を38原子%とした以外は、実施例2と同様の方法によって表面粗さを測定した。
Sc含有量を42原子%とした以外は、実施例2と同様の方法によって表面粗さを測定した。
実施例2および比較例6〜8における表面粗さの結果を図13(a)〜(d)に示す。図13(a)〜(d)は、実施例2および比較例6〜8における表面粗さを原子間力顕微鏡を用いて観察した図であり、(a)はSc含有量を25原子%とした場合であり、(b)はSc含有量を0原子%とした場合であり、(c)はSc含有量を38原子%とした場合であり、(d)Sc含有量を42原子%とした場合である。
2 基板
3 Sc含有窒化アルミニウム薄膜
4 中間層
10 FBARフィルタ(圧電体薄膜共振子)
11 基板
12 圧電積層構造体
13 下部電極
15 上部電極
16 キャビティ部
20 スイッチ(アクチュエータ素子)
21 基板
22 下部電極
23 可動部
25 第1可動用電極
26 第2可動用電極
27 第3可動用電極
28 上部電極
30 圧力センサー(物理センサー)
31 上部電極
33 下部電極
34 支持部
Claims (19)
- 希土類元素を含有する窒化アルミニウム薄膜を備えている圧電体薄膜であって、上記希土類元素はスカンジウムであり、かつ、上記スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウム薄膜におけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、上記スカンジウムの含有率が、0.5〜50原子%の範囲内であることを特徴とする圧電体薄膜。
- 希土類元素を含有する窒化アルミニウム薄膜からなる圧電体薄膜であって、上記希土類元素はスカンジウムであり、かつ、上記スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウム薄膜におけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、上記スカンジウムの含有率が、0.5〜35原子%または40〜50原子%の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の圧電体薄膜。
- 上記窒化アルミニウム薄膜は基板上に設けられており、上記窒化アルミニウム薄膜と上記基板との間には、少なくとも1層の中間層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の圧電体薄膜。
- 上記スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウム薄膜におけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、上記スカンジウムの含有率が、15〜45原子%の範囲内であることを特徴とする請求項3に記載の圧電体薄膜。
- 上記スカンジウムの含有率は、上記スカンジウムの原子数と上記アルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、10〜35原子%の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の圧電体薄膜。
- 上記スカンジウムの含有率は、上記スカンジウムの原子数と上記アルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、40〜50原子%の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の圧電体薄膜。
- 上記中間層は、窒化チタンまたはスカンジウムの含有率の異なる窒化アルミニウム薄膜であることを特徴とする請求項3または4に記載の圧電体薄膜。
- 希土類元素を含有する窒化アルミニウムを備えている圧電体であって、上記希土類元素はスカンジウムであり、かつ、上記スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウムにおけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、上記スカンジウムの含有率が、0.5〜50原子%の範囲内であることを特徴とする圧電体。
- 希土類元素を含有する窒化アルミニウムからなる圧電体であって、上記希土類元素はスカンジウムであり、かつ、上記スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウムにおけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたとき、上記スカンジウムの含有率が、0.5〜35原子%または40〜50原子%の範囲内であることを特徴とする請求項8に記載の圧電体。
- 基板上に、希土類元素を含有する窒化アルミニウム薄膜を備えている圧電体薄膜の製造方法であって、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下で、アルミニウムと、スカンジウムとを同時にスパッタリングするスパッタリング工程を含み、かつ、上記スパッタリング工程における上記スカンジウムの電力密度が、0.05〜10W/cm2の範囲内であることを特徴とする圧電体薄膜の製造方法。
- 上記圧電体薄膜が、上記窒化アルミニウム薄膜からなるものであって、上記基板にアルミニウムと、スカンジウムとを同時にスパッタリングするスパッタリング工程を含み、かつ、上記スパッタリング工程における上記スカンジウムの電力密度が、0.05〜6.5W/cm2または8.5〜10W/cm2の範囲内であることを特徴とする請求項10に記載の圧電体薄膜の製造方法。
- 上記スパッタリング工程の前に、上記基板上に中間層を形成する中間層形成工程をさらに含み、上記スパッタリング工程における上記スカンジウムの電力密度が、0.05〜10W/cm2の範囲内であることを特徴とする請求項10に記載の圧電体薄膜の製造方法。
- 上記スパッタリング工程における上記電力密度が、2〜6.5W/cm2の範囲内であることを特徴とする請求項11に記載の圧電体薄膜の製造方法。
- 上記スパッタリング工程における上記電力密度が、9.5〜10W/cm2の範囲内であることを特徴とする請求項11に記載の圧電体薄膜の製造方法。
- 上記スパッタリング工程における上記基板の温度が20〜600℃の範囲内であることを特徴とする請求項10から14のいずれか1項に記載の圧電体薄膜の製造方法。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電体薄膜を備えていることを特徴とする圧電体薄膜共振子。
- 請求項16に記載の圧電体薄膜共振子を備えていることを特徴とするフィルタ。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電体薄膜を備えていることを特徴とするアクチュエータ素子。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電体薄膜を備えていることを特徴とする物理センサー。
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