JP2016195359A - 弾性表面波素子およびそれを用いた物理量センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SAW素子1を備えた物理量センサにおいて、圧電薄膜2bを構成する材料の結晶のc軸を圧電薄膜2bの表面に対する法線方向に対して所定の傾斜角で傾斜させている。そして、IDT3におけるSAWの伝播方向A1が圧電薄膜2bのc軸の傾斜方向A2側を向けられるようにしている。具体的には、圧電薄膜2bの表面の法線方向に対する圧電薄膜2bのc軸の傾斜角が1.5°以上とされ、SAWの伝播方向A1と傾斜方向A2のなす角度Δθが60°以下(|Δθ|≦60°)となるように、IDT3のレイアウトが決められている。
【選択図】図5
Description
本発明の第1実施形態について図1〜図7を用いて説明する。まず、本実施形態のSAW素子1の構成について説明する。ここでは、トルク検出を行うトルクセンサにSAW素子1を適用する場合を例に挙げて説明するが、SAW素子1を圧力センサなどの他の物理量を検出するセンサとして用いることもできる。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して圧電薄膜2bの構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してサファイア基板2aの構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してウェハ状態におけるSAW素子1の配置場所に対応したIDT3および反射器4のレイアウト方法を規定したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してサファイア基板2aの表面の結晶性に基づいて圧電薄膜2bのc軸に傾斜角を持たせる製造方法としたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して圧電薄膜2bのc軸に傾斜角を持たせる製造方法の一例を示すものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2a サファイア基板
2b 圧電薄膜
2ba シード層
2bb 圧電薄膜の残部
3 IDT
4 反射器
5 制御装置
Claims (9)
- 圧電材料で構成される圧電薄膜(2b)が形成された基板(2)と、
前記圧電薄膜の表面上において、前記圧電薄膜の表面内における一方向に延設された互いに平行な歯を有する2つの櫛形電極(3a、3b)を、前記2つの櫛形電極それぞれの歯が交互に並ぶように対向して配置することにより構成され、入力信号が入力されると前記圧電薄膜の圧電効果に基づいて所定波長の弾性表面波を励起させ、前記圧電薄膜に備えられる伝播路に伝播させる入力電極(3)と、
前記伝播路を通じて伝播された前記弾性表面波を検知し、出力信号を発生させる出力電極(3、20)と、を有する弾性表面波素子であって、
前記圧電薄膜の表面に対して該圧電薄膜のc軸が該圧電薄膜の表面の法線方向に対して所定の傾斜角で傾斜させられており、前記弾性表面波の伝播方向が前記圧電薄膜のc軸の傾斜方向に向けられていることを特徴とする弾性表面波素子。 - 前記c軸の傾斜方向と前記弾性表面波の伝播方向とのなす角度Δθが60°以下であることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波素子。
- 前記c軸の傾斜角が1.5°以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の弾性表面波素子。
- 前記伝播路を挟んで前記入力電極と反対側に反射器(4)が配置され、該反射器で反射された前記弾性表面波が前記伝播路を通じて前記入力電極に返され、前記入力電極を前記出力電極として前記弾性表面波を検知し、前記出力信号を発生させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つ記載の弾性表面波素子。
- 前記入力信号として、前記弾性表面波のモードがセザワ波となる信号が用いられることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の弾性表面波素子。
- 前記基板は、サファイア基板(2a)の上に前記圧電薄膜が形成されたものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の弾性表面波素子。
- 前記サファイア基板として表面がc面のものが用いられ、該サファイア基板上に、ScAlNにて構成された前記圧電薄膜が形成されており、前記サファイア基板のa軸のうち前記c軸の傾斜方向と対応するa軸に向けられていることを特徴とする請求項6に記載の弾性表面波素子。
- 請求項1ないし7のいずれか1つに記載の弾性表面波素子を有し、
印加された物理量に応じて前記伝播路の長さが変化することに基づいて、前記入力信号と前記出力信号との間の時間間隔である遅延時間より前記物理量の検出を行うことを特徴とする物理量センサ。 - 請求項6または7に記載の弾性表面波素子の製造方法であって、
前記サファイア基板の表面の法線方向に対してスパッタ粒子が傾斜して入射される斜め入射スパッタ法によって、前記サファイア基板上に、c軸が前記サファイア基板の表面の法線方向に対して傾斜させられた前記圧電薄膜のシード層(2ba)を成膜する工程と、
前記サファイア基板の表面の法線方向からスパッタ粒子が入射される垂直入射スパッタ法によって、前記シード層上に、c軸が前記サファイア基板の表面の法線方向に対して傾斜させられるように前記圧電薄膜の残部(2bb)を成膜する工程と、を含んでいることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
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