JP2009194291A - アクチュエータ - Google Patents
アクチュエータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009194291A JP2009194291A JP2008035748A JP2008035748A JP2009194291A JP 2009194291 A JP2009194291 A JP 2009194291A JP 2008035748 A JP2008035748 A JP 2008035748A JP 2008035748 A JP2008035748 A JP 2008035748A JP 2009194291 A JP2009194291 A JP 2009194291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric film
- electrode
- fixed electrode
- actuator
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/0008—Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
- H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/032—Bimorph and unimorph actuators, e.g. piezo and thermo
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
- H01H2057/006—Micromechanical piezoelectric relay
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Micromachines (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Abstract
【課題】駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータを提供する。
【解決手段】アクチュエータは、基板110と、基板110の主面112の上に設けられた固定電極140と、固定電極140の上に設けられ、結晶質からなる第1の誘電体膜150と、主面112に対向し、基板110の上方に間隙をあけて保持された可動梁200と、可動梁200の固定電極140に対向する面に設けられ、固定電極140との間で交流電圧が印加される可動電極202と、可動電極202の固定電極140に対向する面に設けられ、結晶質からなる第2の誘電体膜250と、を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】アクチュエータは、基板110と、基板110の主面112の上に設けられた固定電極140と、固定電極140の上に設けられ、結晶質からなる第1の誘電体膜150と、主面112に対向し、基板110の上方に間隙をあけて保持された可動梁200と、可動梁200の固定電極140に対向する面に設けられ、固定電極140との間で交流電圧が印加される可動電極202と、可動電極202の固定電極140に対向する面に設けられ、結晶質からなる第2の誘電体膜250と、を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、マイクロスイッチや容量可変キャパシタ等の圧電駆動方式のMEMS(Micro-electro-mechanical System)アクチュエータに関する。
静電駆動方式や圧電駆動方式のMEMS(Micro-electro-mechanical System)アクチュエータは、大きな可変容量比、高いQ値、本質的に高い線型性などを有するため、特にRF(高周波)機器分野で有望視され、高周波スイッチや容量可変キャパシタへの応用が大きく期待されている。
しかしながら、このMEMSアクチュエータにおいて、「スティクション」と呼ばれる問題がある。静電駆動方式や圧電駆動方式のMEMSアクチュエータにおける可動梁は、バネ定数が比較的小さいため、MEMS構造体を構成する誘電体の一部に電荷が注入された場合、注入電荷に由来する静電力が生じて可動梁が固定部に固着されやすくなる。この現象を、スティクションと呼んでいる。
しかしながら、このMEMSアクチュエータにおいて、「スティクション」と呼ばれる問題がある。静電駆動方式や圧電駆動方式のMEMSアクチュエータにおける可動梁は、バネ定数が比較的小さいため、MEMS構造体を構成する誘電体の一部に電荷が注入された場合、注入電荷に由来する静電力が生じて可動梁が固定部に固着されやすくなる。この現象を、スティクションと呼んでいる。
静電駆動方式のMEMSアクチュエータは、可動梁に形成された可動電極、基板上に固定された固定電極、及び、可動電極または固定電極表面に形成された誘電膜からなる静電駆動機構を有している。そして、可動電極(駆動電極)と固定電極の間に駆動電圧を印加することにより、両電極を静電力により吸引し、駆動される。しかしながら、駆動時には、通常0.1μmから1μm程度の厚さの誘電膜に数十ボルトの駆動電圧が印加されるため、誘電膜は高電界にさらされ、駆動時間に応じて誘電膜界面や内部に電荷が注入・トラップされる。
この注入された電荷は、外部電圧が印加される時と同様の作用を静電駆動機構に及ぼすため、可動電極を固定電極に吸着する閾値電圧(プルイン電圧)や、開放するための閾値電圧(プルアウト電圧)をシフトさせる。そして、著しい場合には、駆動電圧をゼロにしても電極間が固着したまま動作しなくなる、スティクションと呼ばれる現象が生じ、実用上の問題となっている。
この注入された電荷は、外部電圧が印加される時と同様の作用を静電駆動機構に及ぼすため、可動電極を固定電極に吸着する閾値電圧(プルイン電圧)や、開放するための閾値電圧(プルアウト電圧)をシフトさせる。そして、著しい場合には、駆動電圧をゼロにしても電極間が固着したまま動作しなくなる、スティクションと呼ばれる現象が生じ、実用上の問題となっている。
一方、圧電駆動方式のMEMSアクチュエータでは、可動梁は、電極で挟まれた圧電膜からなる駆動機構を有しており、比較的低電圧で駆動されるために、圧電膜への電荷注入の影響は少ない。しかしながら、圧電駆動方式のMEMSアクチュエータも、可動梁に形成された可動電極、基板上に固定された固定電極、及び、可動電極または固定電極表面に形成された誘電膜を有しており、両電極が誘電膜を介して接触しているときに大きなRF信号が印加された場合に、やはり誘電膜に電荷の注入・トラップが生じ、著しい場合には圧電駆動電圧を0にしても、電極間が固着したまま動作しなくなる、スティクションと呼ばれる現象が生じてしまい、実用上の問題となる。
なお、MEMSアクチュエータにおいて、可動電極と固定電極との両方に誘電膜を設けた構造が特許文献1に開示されている。
特開2006−140271号公報
本発明は、上記の課題に基づいたものであり、その目的は、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータを提供することである。
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板の主面の上に設けられた固定電極と、前記固定電極の上に設けられ、結晶質からなる第1の誘電体膜と、前記主面に対向し、前記基板の上方に間隙をあけて保持された可動梁と、前記可動梁の前記固定電極に対向する面に設けられ、前記固定電極との間で交流電圧が印加される可動電極と、前記可動電極の前記固定電極に対向する面に設けられ、結晶質からなる第2の誘電体膜と、を備えたことを特徴とするアクチュエータが提供される。
本発明によれば、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータが提供される。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図1に表したように、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータ10は、基板110と、基板110の主面112に設けられた固定電極140と、固定電極140の上に設けられた固定電極誘電膜(第1の誘電体膜)150と、を備えている。
そして、基板110の主面112に対向して、基板110と間隙をあけて保持された可動梁200と、可動梁200の固定電極140に対向する面に設けられた可動電極202と、をさらに備える。なお、可動梁200の一部は、基板110上に設けられたアンカー部120によって接合され、これにより可動梁200は基板110と間隙をあけて保持される。そして、アクチュエータ10は、可動電極202の固定電極140に対向する面に設けられた可動電極誘電膜(第2の誘電体膜)250をさらに備えている。
そして、固定電極140と可動電極202との間には、交流電圧が印加される。この交流電圧は、アクチュエータ10が応用される各種のスイッチや各種のキャパシタにおけるRF信号電圧であり、実質的に正負が対称の交流電圧である。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図1に表したように、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータ10は、基板110と、基板110の主面112に設けられた固定電極140と、固定電極140の上に設けられた固定電極誘電膜(第1の誘電体膜)150と、を備えている。
そして、基板110の主面112に対向して、基板110と間隙をあけて保持された可動梁200と、可動梁200の固定電極140に対向する面に設けられた可動電極202と、をさらに備える。なお、可動梁200の一部は、基板110上に設けられたアンカー部120によって接合され、これにより可動梁200は基板110と間隙をあけて保持される。そして、アクチュエータ10は、可動電極202の固定電極140に対向する面に設けられた可動電極誘電膜(第2の誘電体膜)250をさらに備えている。
そして、固定電極140と可動電極202との間には、交流電圧が印加される。この交流電圧は、アクチュエータ10が応用される各種のスイッチや各種のキャパシタにおけるRF信号電圧であり、実質的に正負が対称の交流電圧である。
図1に例示した本実施形態に係るアクチュエータ10は、可動梁200として、バイモルフ型の圧電駆動方式の可動梁を用いている。すなわち、可動梁200は、下部電極210、下部圧電膜212、中間電極214、上部圧電膜216、及び上部電極218が積層された構造を有している。そして、この場合、下部電極210が可動電極202となっている。但し、本発明はこれには制限されず、適切なパターン設計によって、中間電極214を可動電極202とすることもできる。この時、下部圧電膜212に用いる層を可動電極誘電膜として用いることもできる。また、下部電極210、中間電極214及び上部電極218とは別に可動電極を設けることもできる。さらには、可動梁200をモノモルフ型の圧電駆動方式の可動梁としても良い。
なお、下部電極210、中間電極214及び上部電極218には、アルミニウム(Al)を用い、また、下部圧電膜212と上部圧電膜216には窒化アルミニウム(AlN)を使用することができる。但し、本発明は、これには限定されない。
なお、下部電極210、中間電極214及び上部電極218には、アルミニウム(Al)を用い、また、下部圧電膜212と上部圧電膜216には窒化アルミニウム(AlN)を使用することができる。但し、本発明は、これには限定されない。
そして、本実施形態に係るアクチュエータ10においては、可動電極誘電膜250と固定電極誘電膜150は、結晶質からなる。
例えば、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、実質的に同じ材料によって形成される。例えば、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250として、結晶質である窒化アルミニウムを用いることができる。
例えば、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、実質的に同じ材料によって形成される。例えば、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250として、結晶質である窒化アルミニウムを用いることができる。
これにより、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータが実現できる。
すなわち、発明者は、MEMSアクチュエータにおいて、固定電極140の表面の固定電極誘電膜150や可動電極202の表面の可動電極誘電膜250に電荷が注入・トラップされ、電極間が静電力により固着される現象を詳細に理論および実験により検討し、その結果、これら電極の片方の表面にのみ誘電膜が形成されており、電極間に大きなRF電力が印加された場合に、固着が大きいことを見いだした。そして、これら電極の双方の表面が誘電膜に覆われている場合は、電極間に大きなRF電力が印加された場合においても固着作用は小さいことを見いだした。特に、双方の電極の誘電膜が結晶質からなる場合は、非晶質からなる場合に比べて、誘電膜中のトラップが少ないため、固着作用が小さいことを見いだした。結晶質からなる材料として、例えばAlNを用いることができる。
そして、さらに、双方の電極の誘電膜の誘電率が実質的に同じ時に固着現象が低減されることを見いだした。
具体的には、双方の誘電膜として同じ材料を用いることでこの固着現象を低減できる。本発明は、この検討結果に基づいてなされたものである。
後述するように、双方の誘電膜の膜厚を実質的に同じとすることでさらに固着現象は抑制できる。
そして、さらに、双方の電極として、実質的に同じ仕事関数を有する材料、例えば、実質的に同じ材料を用いることによって、さらに、この固着現象を発生し難くすることができる。
そして、さらに、双方の電極の誘電膜の誘電率が実質的に同じ時に固着現象が低減されることを見いだした。
具体的には、双方の誘電膜として同じ材料を用いることでこの固着現象を低減できる。本発明は、この検討結果に基づいてなされたものである。
後述するように、双方の誘電膜の膜厚を実質的に同じとすることでさらに固着現象は抑制できる。
そして、さらに、双方の電極として、実質的に同じ仕事関数を有する材料、例えば、実質的に同じ材料を用いることによって、さらに、この固着現象を発生し難くすることができる。
なお、特許文献1に、可動電極と固定電極の両方に誘電膜を設けた構造が開示されているが、これら誘電膜とスティクション現象との関係は、何ら考慮されていない。そして、特許文献1では、これら誘電膜の材料として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミナが例示されているが、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜は通常、非晶質である。そして、アルミナは、成膜方法や成膜温度によって結晶質または非晶質のどちらかになるが、特許文献1では、誘電膜に用いる材料の結晶性についてはなんら考慮されていない。そして、誘電膜に用いる材料の結晶性、及び、双方の誘電膜の材料の特性の一致性に関しては述べられておらず、これら誘電膜に異なる材料を用いて良い、とされている。従って、特許文献1に開示されている技術によっては、このスティクション現象は解決できない。
なお、本実施形態に係るアクチュエータ10は、マイクロスイッチやキャパシタとして利用することができる。また、可動電極202と固定電極140とは別に、各種の電極をさらに設け、その電極を利用したスイッチやキャパシタをさらに構成することもできる。 なお、本願明細書において、「アクチュエータ」は、可動部分だけではなく、可動部分を含んで構成される各種のスイッチや各種のキャパシタも含む。
図2は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する要部の拡大模式断面図である。
なお、本願明細書と図2以降の各図については、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、本願明細書と図2以降の各図については、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図2に表したように、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータ10では、固定電極140の表面に固定電極誘電膜150があり、可動電極202(圧電駆動バイモルフ構造の下部電極210)の表面には可動電極誘電膜250がある。すなわち、両電極の互いに対向する面に、それぞれ誘電膜が設けられている。そして、これらの誘電膜には結晶性の材料が用いられている。これにより、電極間に大電力のRF信号が入力されて電荷注入が生じた場合に、双方の誘電膜内に注入され、トラップされる量が少ないため固着が実質的に生じない。
さらに、これらの誘電膜に、比誘電率が実質的に同じ材料を用いると、固定電極140と可動電極202との間にRF電圧が印加された場合、双方の誘電膜に生じる電界は等しく(より正確には位相が180度ずれた状態で対称に)なり、電界によって加速されて双方の誘電膜内に電荷が注入されるが、その電荷(電荷191、192、291、292)の種類や量がほぼ同じになるため、誘電膜間には静電力が生じず、固着が実質的に生じない。
さらに、これらの誘電膜に、比誘電率が実質的に同じ材料を用いると、固定電極140と可動電極202との間にRF電圧が印加された場合、双方の誘電膜に生じる電界は等しく(より正確には位相が180度ずれた状態で対称に)なり、電界によって加速されて双方の誘電膜内に電荷が注入されるが、その電荷(電荷191、192、291、292)の種類や量がほぼ同じになるため、誘電膜間には静電力が生じず、固着が実質的に生じない。
(第1の実施例)
本実施形態に係る第1の実施例のアクチュエータは、図1に例示した構造を有している。以下、本実施例のアクチュエータの製造方法について説明する。
図3は、本発明の第1の実施例に係るアクチュエータの製造方法を例示する工程順の断面模式図である。
図3(a)に表したように、まず、表面が絶縁性の基板110に、アンカー部120と固定電極140、及び、固定電極140の上の固定電極誘電膜150を形成した。アンカー部120には、LP‐CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法で作製した窒化シリコン膜を、また、固定電極140には、スパッタ法で作製したAl膜を、固定電極誘電膜150には、スパッタ法で作製したAlN膜を使用した。これらのパターン加工には、リソグラフィーと反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)を用いたが、これに限らず、パターンが形成できる各種の方法を使用できる。なお、固定電極140の膜厚は500nm、固定電極誘電膜150の厚さも500nmとした。
本実施形態に係る第1の実施例のアクチュエータは、図1に例示した構造を有している。以下、本実施例のアクチュエータの製造方法について説明する。
図3は、本発明の第1の実施例に係るアクチュエータの製造方法を例示する工程順の断面模式図である。
図3(a)に表したように、まず、表面が絶縁性の基板110に、アンカー部120と固定電極140、及び、固定電極140の上の固定電極誘電膜150を形成した。アンカー部120には、LP‐CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法で作製した窒化シリコン膜を、また、固定電極140には、スパッタ法で作製したAl膜を、固定電極誘電膜150には、スパッタ法で作製したAlN膜を使用した。これらのパターン加工には、リソグラフィーと反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)を用いたが、これに限らず、パターンが形成できる各種の方法を使用できる。なお、固定電極140の膜厚は500nm、固定電極誘電膜150の厚さも500nmとした。
次に、図3(b)に表したように、基板110の主面112に犠牲層160を形成し、その上に、所定の形状でAlN膜からなる可動電極誘電膜250を形成した。犠牲層160としては、他の膜材料に対して選択エッチングが可能な、無機材料、金属材料、有機材料を使用することが可能であるが、本実施例では多結晶シリコンを使用した。なお、必要に応じて、犠牲層160を形成した後、その表面をCMP(Chemical Mechanical Polish)によって平坦化しても良い。
次に、図3(c)に表したように、下部電極210、下部圧電膜212、中間電極214、上部圧電膜216、上部電極218からなる圧電駆動のバイモルフ型の可動梁200を形成した。下部電極210、中間電極214及び上部電極218には、厚さ200nmのAlを、下部圧電膜212及び上部圧電膜216には、厚さ500nmのAlNを使用し、いずれもスパッタにより作製し、リソグラフィーおよびエッチングによりパターニングした。
次に、図3(d)に表したように、XeF2をエッチングガスとして使用した選択エッチングにより犠牲層160を除去し、アクチュエータ11を得た。
このようにして製作された本実施例に係るアクチュエータ11では、例えば、下部電極210及び上部電極218を接地し、中間電極214に駆動電圧を印加することにより可動梁200を上下に屈曲させることができる。そして、この屈曲により基板110上に設置された固定電極140と可動電極202(下部電極210)の距離が変化し、アクチュエータ11は可変キャパシタとして機能する。
本実施例に係るアクチュエータ11において、可動梁200が下方に屈曲して、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とが接触する接触電圧は、2.30Vであった。そして、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とが接触した状態で、固定電極140と可動電極202との間に振幅10Vの交流電圧を100秒間印加し、交流電圧を除去した後に圧電駆動電圧をスイープして接触電圧を測定した所、2.32Vであり、接触電圧の初期値からのシフトは実質的になく、好適なアクチュエーション動作を実証することができた。
上記において、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とにAlNを用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、各種の結晶質の材料を用いることで固着現象を抑制できる。すなわち、誘電膜には、AlNの他に例えば、BeO、MgO、SrO、BaO、CaO、Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZnO、ZrO2、CaF2等の結晶質の材料を用いることができる。
また、例えば、固定電極誘電膜150にAlNを用い、例えば、可動電極誘電膜250にAl2O3を用いても良く、または、その逆としても良い。このように、本実施形態に係るアクチュエータにおいては、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250に結晶質の材料を用いれば良く、双方の誘電膜に異なる材料を用いても良い。
そして、固定電極誘電膜150に用いる材料と、可動電極誘電膜250に用いる材料の比誘電率が実質的に等しい時に、さらに、固着現象を低減できる。これら誘電膜に用いることができる誘電材料と比誘電率を例示すると以下の通りである。BeO:7.35、MgO:9.65、SrO:13.3、BaO:34、CaO:11.8、Al2O3:10.5、TiO2:110、Ta2O5:50、ZnO:8.14、ZrO2:12.5、AlN:8.5、CaF2:6.8。そして、異なる材料であっても、比誘電率の比が1.5倍以内の材料の組み合わせを用いることで、固着現象を実用に良好な範囲内に抑制することができる。すなわち、固定電極誘電膜150の比誘電率に対する、可動電極誘電膜250の比誘電率の比が、0.67〜1.5であると良い。例えば、Al2O3とAlNの組み合わせの場合、比誘電率の比は0.81または1.24である。
そして、これら固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250に、同じ材料を用いるとさらに良い。
そして、これら固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250に、同じ材料を用いるとさらに良い。
(比較例)
図4は、比較例のアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図4に表したように、比較例のアクチュエータ90は、図1、図3に例示したアクチュエータ10、11において、可動電極誘電膜250を形成せず、固定電極誘電膜150の膜厚155をアクチュエータ10の2倍、すなわち、1000nmにしたものである。その他の条件は、アクチュエータ11と同様である。
比較例のアクチュエータ90の接触電圧は、2.19Vであり、第1の実施例のアクチュエータ11の接触電圧とほぼ同じであった。
そして、固定電極誘電膜150と可動電極202とが接触した状態で、固定電極140と可動電極202との間に振幅10Vの交流電圧を100秒間印加し、交流電圧を除去した後に圧電駆動電圧をスイープして接触電圧を測定した所、1.15Vと初期値からのシフトは大きかった。すなわち、比較例のアクチュエータ90においては、電荷注入に伴う静電力が発生しており、動作の安定性に問題があることが分った。
図4は、比較例のアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図4に表したように、比較例のアクチュエータ90は、図1、図3に例示したアクチュエータ10、11において、可動電極誘電膜250を形成せず、固定電極誘電膜150の膜厚155をアクチュエータ10の2倍、すなわち、1000nmにしたものである。その他の条件は、アクチュエータ11と同様である。
比較例のアクチュエータ90の接触電圧は、2.19Vであり、第1の実施例のアクチュエータ11の接触電圧とほぼ同じであった。
そして、固定電極誘電膜150と可動電極202とが接触した状態で、固定電極140と可動電極202との間に振幅10Vの交流電圧を100秒間印加し、交流電圧を除去した後に圧電駆動電圧をスイープして接触電圧を測定した所、1.15Vと初期値からのシフトは大きかった。すなわち、比較例のアクチュエータ90においては、電荷注入に伴う静電力が発生しており、動作の安定性に問題があることが分った。
図5は、比較例のアクチュエータの特性を例示する要部の拡大模式断面図である。
図5に表したように、比較例のアクチュエータ90では、固定電極140の上のみに固定電極誘電膜150が設けられ、可動電極202が誘電膜で覆われていないので、固定電極140と可動電極202との間に大電力のRF信号が入力されて電荷注入が生じた場合に、固定電極誘電膜150内に注入された電荷と等量の逆極性の電荷が、可動電極202の表面に誘起され、固定電極誘電膜150と可動電極202との間に静電力が生じるため、動作電圧が大きくシフトしたものと考えられる。
図5に表したように、比較例のアクチュエータ90では、固定電極140の上のみに固定電極誘電膜150が設けられ、可動電極202が誘電膜で覆われていないので、固定電極140と可動電極202との間に大電力のRF信号が入力されて電荷注入が生じた場合に、固定電極誘電膜150内に注入された電荷と等量の逆極性の電荷が、可動電極202の表面に誘起され、固定電極誘電膜150と可動電極202との間に静電力が生じるため、動作電圧が大きくシフトしたものと考えられる。
また、別の比較例として、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250に、非結晶質の材料であるSiNを用いた場合は、接触電圧の変動が生じた。
これに対して、既に説明したように、本実施形態に係るアクチュエータ10、及び、本実施例に係るアクチュエータ11においては、固定電極140と可動電極202の互いに対向する面に、結晶質の材料からなる誘電膜がそれぞれ設けられており、これにより、電極間に大電力のRF信号が入力されて電荷注入が生じた場合に、双方の誘電膜内に注入される電荷の種類や量がほぼ同じになるため、誘電膜間には静電力が生じず、固着が実質的に生じない。
(第2の実施の形態)
図6は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図6に表したように、本発明の第2の実施の形態に係るアクチュエータ20においては、図1に例示したアクチュエータ10と同様の構造を有しており、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは実質的に同じ材料で形成され、固定電極誘電膜150の膜厚155と、可動電極誘電膜250の膜厚255とは、実質的に同じとされている。
例えば、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、共に結晶質のAlNからなり、その膜厚は共に500nmである。
これにより、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250との表面及び内部に注入される電荷の種類や量の差異は、さらに小さくなるため、誘電膜間には静電力がさらに生じず、さらに固着が生じ難くできる。すなわち、アクチュエータ20によって、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータが提供できる。
図6は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図6に表したように、本発明の第2の実施の形態に係るアクチュエータ20においては、図1に例示したアクチュエータ10と同様の構造を有しており、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは実質的に同じ材料で形成され、固定電極誘電膜150の膜厚155と、可動電極誘電膜250の膜厚255とは、実質的に同じとされている。
例えば、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、共に結晶質のAlNからなり、その膜厚は共に500nmである。
これにより、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250との表面及び内部に注入される電荷の種類や量の差異は、さらに小さくなるため、誘電膜間には静電力がさらに生じず、さらに固着が生じ難くできる。すなわち、アクチュエータ20によって、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータが提供できる。
(第3の実施の形態)
図7は、本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図7に表したように、本発明の第3の実施の形態に係るアクチュエータ30においては、図1、図6に例示したアクチュエータ10、20と同様の構造を有しており、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、実質的に同じ材料で、実質的に同じ膜厚で形成されている。すなわち、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、共に結晶質のAlNからなり、その膜厚は共に500nmである。
そして、さらに、固定電極140と可動電極202(下部電極210)とは、実質的に同じ仕事関数を有する材料で形成されている。例えば、固定電極140と可動電極202とは、実質的に同じ材料、例えば、アルミニウムによって形成される。
すなわち、仕事関数が実質的に同じ材料を双方の電極に用いることで、電極から誘電膜に注入される電荷の挙動を実質的に同じにでき、これにより、さらに、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250との表面及び内部に注入される電荷の種類や量の差異が、さらに小さくなるため、誘電膜間には静電力がさらに生じず、さらに固着が生じ難くできる。すなわち、アクチュエータ30によって、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータを提供できる。
図7は、本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図7に表したように、本発明の第3の実施の形態に係るアクチュエータ30においては、図1、図6に例示したアクチュエータ10、20と同様の構造を有しており、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、実質的に同じ材料で、実質的に同じ膜厚で形成されている。すなわち、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、共に結晶質のAlNからなり、その膜厚は共に500nmである。
そして、さらに、固定電極140と可動電極202(下部電極210)とは、実質的に同じ仕事関数を有する材料で形成されている。例えば、固定電極140と可動電極202とは、実質的に同じ材料、例えば、アルミニウムによって形成される。
すなわち、仕事関数が実質的に同じ材料を双方の電極に用いることで、電極から誘電膜に注入される電荷の挙動を実質的に同じにでき、これにより、さらに、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250との表面及び内部に注入される電荷の種類や量の差異が、さらに小さくなるため、誘電膜間には静電力がさらに生じず、さらに固着が生じ難くできる。すなわち、アクチュエータ30によって、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータを提供できる。
なお、本実施形態に係るアクチュエータ30では、固定電極140と可動電極202(下部電極210)とに同じ材料を用いた例であるが、本発明はこれに限らず、双方の電極に、仕事関数が実質的に同じ材料を用いることで、固着の発生を抑制できる。例えば、固定電極140や可動電極202に用いることができる導電材料とその仕事関数は以下の通りである。Al:4.28eV、Ti:4.33eV、V:4.3eV、Cr:4.5eV、Mn:4.1eV、Fe:4.5eV、Co:5.0eV、Ni:5.15eV、Cu:4.65eV、Nb:4.3eV、Mo:4.6eV、Ag:4.26eV、Hf:3.9eV、Ta:4.25eV、W:4.55eV、Ir:5.27eV、Pt:5.65eV、Au:5.1eV。そして、仕事関数の差が±0.5eVの材料の組み合わせを双方の電極に用いることで、固着現象を実用的に良好な範囲内に低減できる。
そして、固定電極140と可動電極202(下部電極210)に、同じ材料を用いることがさらに良い。
そして、固定電極140と可動電極202(下部電極210)に、同じ材料を用いることがさらに良い。
(第4の実施の形態)
図8は、本発明の第4の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図8に表したように、本発明の第4の実施の形態に係るアクチュエータ40においては、図1、図6、図7に例示したアクチュエータ10、20、30と同様の構造を有しており、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、窒化アルミニウムからなっている。例えば、配向半値全幅が5度以下のc軸配向を有する窒化アルミニウムを用いることができる。すなわち、これらの誘電膜として、電荷トラップが生じ難い結晶質のAlNを用い、さらに、それを高度に配向させることで、さらに電荷トラップを減少させる。なお、この時、固定電極140と可動電極202(下部電極210)には、アルミニウムを用いることができる。
これにより、さらに、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250との表面及び内部に注入される電荷の種類や量の差異がさら小さく、また電荷の量自体が現象でき、さらに生じず、さらに固着が生じ難くできる。すなわち、アクチュエータ40によって、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータを提供できる。
図8は、本発明の第4の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する断面模式図である。
図8に表したように、本発明の第4の実施の形態に係るアクチュエータ40においては、図1、図6、図7に例示したアクチュエータ10、20、30と同様の構造を有しており、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250とは、窒化アルミニウムからなっている。例えば、配向半値全幅が5度以下のc軸配向を有する窒化アルミニウムを用いることができる。すなわち、これらの誘電膜として、電荷トラップが生じ難い結晶質のAlNを用い、さらに、それを高度に配向させることで、さらに電荷トラップを減少させる。なお、この時、固定電極140と可動電極202(下部電極210)には、アルミニウムを用いることができる。
これにより、さらに、固定電極誘電膜150と可動電極誘電膜250との表面及び内部に注入される電荷の種類や量の差異がさら小さく、また電荷の量自体が現象でき、さらに生じず、さらに固着が生じ難くできる。すなわち、アクチュエータ40によって、駆動電圧シフトや電極の固着の問題を解決し、それにより、経時変化の少ない、安定した駆動特性を有する圧電駆動方式のアクチュエータを提供できる。
なお、上記において、固定電極140の下に、下地膜を設けることができる。この下地膜には、例えば、アルミニウム/タンタルの非晶質合金または窒化アルミニウムからなる膜を用いることで、その上に設けられた固定電極140の配向性を高くすることができ、そして、その上の。具体的には、配向半値全幅が5度以下のc軸配向が得られる。また、固定電極140の上に設けられた固定電極誘電膜150も、配向性が高くなり、配向半値全幅が5度以下のc軸配向が得られる。
なお、固定電極誘電膜150や可動電極誘電膜250に用いられるAlN膜を高配向させるための方法としては、非晶質金属下地を使用する方法が例示できる。また、シリコン(111)基板やシリコン(100)基板など単結晶基板の方位を引き継いで利用して、その上にエピタキシャル成長させる方法を用いることもできる。さらには、下地膜を高配向膜にして、その上に配向性を引き継いで高配向AlNを成長させる方法もあり、この場合の下地膜としては、各種の金属あるいは絶縁膜等を使用できる。例えば、AlやAu等のfcc型結晶構造の(111)面を使用する方法、Mo、W、Ta等のbcc型結晶構造の(110)面を使用する方法、TiやAlN等の六方晶型結晶構造の(0001)面を使用する方法等が例示できる。なお、これらの方法の場合、AlN膜の配向性は、下地材料の結晶配向性に影響され、下地材料の厚さが厚くなるとAlN膜の配向性は向上する。また上記の各手法を組み合わせた手法を利用することができる。
上に説明した本発明の実施形態及び実施例のアクチュエータにより、マイクロスイッチや容量可変キャパシタを形成し、それらを用いて各種の電子回路を作製することができる。
図9は、本発明の実施形態のアクチュエータを利用した電子回路と電子機器を例示する模式図である。
図9に表したように、本発明の実施形態のアクチュエータにより作製された容量可変キャパシタを組み込んで、周波数が可変のフィルタを内蔵する電子回路500を作製できる。また、この電子回路500は、例えば、携帯電話等の各種電子機器600に用いることができる。
図9は、本発明の実施形態のアクチュエータを利用した電子回路と電子機器を例示する模式図である。
図9に表したように、本発明の実施形態のアクチュエータにより作製された容量可変キャパシタを組み込んで、周波数が可変のフィルタを内蔵する電子回路500を作製できる。また、この電子回路500は、例えば、携帯電話等の各種電子機器600に用いることができる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、アクチュエータを構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したアクチュエータを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのアクチュエータも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
10、11、20、30、40、90 アクチュエータ
110 基板
112 主面
120 アンカー部
140 固定電極
150 固定電極誘電膜(第1の誘電体膜)
155、255 膜厚
160 犠牲層
191、192、291、292 電荷
200 可動梁
202 可動電極
210 下部電極
212 下部圧電膜
214 中間電極
216 上部圧電膜
218 上部電極
250 可動電極誘電膜(第2の誘電体膜)
500 電子回路
600 電子機器
110 基板
112 主面
120 アンカー部
140 固定電極
150 固定電極誘電膜(第1の誘電体膜)
155、255 膜厚
160 犠牲層
191、192、291、292 電荷
200 可動梁
202 可動電極
210 下部電極
212 下部圧電膜
214 中間電極
216 上部圧電膜
218 上部電極
250 可動電極誘電膜(第2の誘電体膜)
500 電子回路
600 電子機器
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の主面の上に設けられた固定電極と、
前記固定電極の上に設けられ、結晶質からなる第1の誘電体膜と、
前記主面に対向し、前記基板の上方に間隙をあけて保持された可動梁と、
前記可動梁の前記固定電極に対向する面に設けられ、前記固定電極との間で交流電圧が印加される可動電極と、
前記可動電極の前記固定電極に対向する面に設けられ、結晶質からなる第2の誘電体膜と、
を備えたことを特徴とするアクチュエータ。 - 前記第1の誘電体膜の誘電率に対する、前記第2の誘電体膜の誘電率の比が、0.67〜1.5であることを特徴とする請求項1記載のアクチュエータ。
- 前記第1の誘電体膜と前記第2の誘電体膜とは、実質的に同じ材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のアクチュエータ。
- 前記第1の誘電体膜と前記第2の誘電体膜は、窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
- 前記第1の誘電体膜の膜厚と第2の誘電体膜の膜厚とは、実質的に同じであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
- 前記可動電極は、前記固定電極を構成する材料の仕事関数との差が±0.5eVの範囲の仕事関数を有する材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
- 前記固定電極と前記可動電極とは、実質的に同じ材料からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008035748A JP2009194291A (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | アクチュエータ |
US12/369,828 US8022599B2 (en) | 2008-02-18 | 2009-02-12 | Actuator |
CN2009100042484A CN101513990B (zh) | 2008-02-18 | 2009-02-18 | 致动器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008035748A JP2009194291A (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | アクチュエータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194291A true JP2009194291A (ja) | 2009-08-27 |
Family
ID=40954456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008035748A Pending JP2009194291A (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | アクチュエータ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8022599B2 (ja) |
JP (1) | JP2009194291A (ja) |
CN (1) | CN101513990B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013076755A1 (ja) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | パイオニア株式会社 | 静電アクチュエーター、可変容量コンデンサーおよび電気スイッチ |
JP2019145677A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社デンソー | 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004026654B4 (de) * | 2004-06-01 | 2009-07-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanisches HF-Schaltelement sowie Verfahren zur Herstellung |
KR101243868B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2013-03-20 | 한국전자통신연구원 | 가변 축전층이 내장된 능동형 압전 에너지변환 소자 및 그 제조 방법 |
JP5506035B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | アクチュエータの製造方法 |
US8735200B2 (en) * | 2010-12-13 | 2014-05-27 | Sagnik Pal | Fabrication of robust electrothermal MEMS with fast thermal response |
US9134526B2 (en) | 2012-12-19 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display device incorporating multiple dielectric layers |
JP2016058695A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 電子デバイス |
US9828244B2 (en) * | 2014-09-30 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with defined cavity |
JP2017058310A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 |
US10036674B2 (en) * | 2016-03-21 | 2018-07-31 | Honda Motor Co., Ltd. | Capacitance measuring device and capacitance measurement method for dielectric elastomer |
US11908782B2 (en) * | 2021-03-22 | 2024-02-20 | Xerox Corporation | Spacers formed on a substrate with etched micro-springs |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064983A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-06 | Sony Corp | ウエハステージ |
CA2211830C (en) * | 1997-08-22 | 2002-08-13 | Cindy Xing Qiu | Miniature electromagnetic microwave switches and switch arrays |
NO319947B1 (no) * | 2000-09-05 | 2005-10-03 | Schlumberger Holdings | Mikrosvitsjer for nedhulls-anvendelse |
EP1343190A3 (en) * | 2002-03-08 | 2005-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Variable capacitance element |
KR100599083B1 (ko) * | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
US7388247B1 (en) * | 2003-05-28 | 2008-06-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High precision microelectromechanical capacitor with programmable voltage source |
JP4037394B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | マイクロメカニカルデバイス |
JP4744849B2 (ja) | 2004-11-11 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2006210843A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 可変キャパシタ及びその製造方法 |
EP1733999A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-20 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Microelectromechanical device with stress and stress gradient compensation |
JP2007221189A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器フィルタ |
JP2007273932A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 可変キャパシタおよび可変キャパシタ製造方法 |
CN101034623A (zh) | 2006-03-06 | 2007-09-12 | 富士通株式会社 | 可变电容器及其制造方法 |
JP4316590B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 圧電駆動型memsアクチュエータ |
JP4234737B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2009-03-04 | 株式会社東芝 | Memsスイッチ |
JP4265630B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2009-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | Memsスイッチ、電圧分割回路、利得調整回路、減衰器及びmemsスイッチの製造方法 |
JP2008238330A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | Mems装置およびこのmems装置を有する携帯通信端末 |
-
2008
- 2008-02-18 JP JP2008035748A patent/JP2009194291A/ja active Pending
-
2009
- 2009-02-12 US US12/369,828 patent/US8022599B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-18 CN CN2009100042484A patent/CN101513990B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013076755A1 (ja) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | パイオニア株式会社 | 静電アクチュエーター、可変容量コンデンサーおよび電気スイッチ |
JP2019145677A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社デンソー | 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法 |
WO2019163494A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 株式会社デンソー | 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法 |
CN111742421A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-02 | 株式会社电装 | 压电膜、其制造方法、压电膜层叠体、其制造方法 |
KR20200118881A (ko) * | 2018-02-21 | 2020-10-16 | 가부시키가이샤 덴소 | 압전막, 그 제조 방법, 압전막 적층체, 그 제조 방법 |
JP7151096B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法 |
KR102592033B1 (ko) * | 2018-02-21 | 2023-10-23 | 가부시키가이샤 덴소 | 압전막, 그 제조 방법, 압전막 적층체, 그 제조 방법 |
CN111742421B (zh) * | 2018-02-21 | 2024-04-05 | 株式会社电装 | 压电膜、其制造方法、压电膜层叠体、其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090206702A1 (en) | 2009-08-20 |
CN101513990B (zh) | 2012-06-27 |
US8022599B2 (en) | 2011-09-20 |
CN101513990A (zh) | 2009-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009194291A (ja) | アクチュエータ | |
US7098577B2 (en) | Piezoelectric switch for tunable electronic components | |
JP4045274B2 (ja) | ダイアフラム作動微小電気機械スイッチ | |
US8604670B2 (en) | Piezoelectric ALN RF MEM switches monolithically integrated with ALN contour-mode resonators | |
US7486002B2 (en) | Lateral piezoelectric driven highly tunable micro-electromechanical system (MEMS) inductor | |
JP5506035B2 (ja) | アクチュエータの製造方法 | |
US7876026B2 (en) | Large force and displacement piezoelectric MEMS lateral actuation | |
JP2008238330A (ja) | Mems装置およびこのmems装置を有する携帯通信端末 | |
JP2005142982A (ja) | 高周波memsスイッチ及びその製造方法 | |
US7851976B2 (en) | Micro movable device and method of making the same using wet etching | |
JP2008091167A (ja) | マイクロメカニカルデバイス | |
JP2008146939A (ja) | マイクロスイッチング素子 | |
US20090135541A1 (en) | Actuator and electronic circuit based thereon | |
US8450912B2 (en) | Actuator element, method of driving actuator element, method of manufacturing actuator element, device inspection method and MEMS switch | |
WO2021123147A1 (de) | Bewegbares piezoelement und verfahren zum herstellen eines bewegbaren piezoelements | |
JP5227566B2 (ja) | アクチュエータ | |
Sinha et al. | Dual beam actuation of piezoelectric AlN RF MEMS switches integrated with AlN contour-mode resonators | |
US20120048709A1 (en) | Rf mems switch with a grating as middle electrode | |
Gross | Micromachined switches and cantilever actuators based on piezoelectric lead zirconate titanate (PZT) | |
JP2004127973A (ja) | 可変キャパシタ及びその製造方法 | |
JP2007207487A (ja) | マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法 | |
JP5812096B2 (ja) | Memsスイッチ | |
JP2009252378A (ja) | Memsスイッチ |