JP2016058695A - 電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】可変キャパシタの性能を短時間で的確に評価することが可能な電子デバイスを提供する。【解決手段】実施形態に係る電子デバイスは、第1及び第2の電極を有し、第1及び第2の電極間に印加された電圧に応じて、第1及び第2の電極間の距離が第1の距離である第1の状態と、第1及び第2の電極間の距離が第1の距離よりも小さい第2の距離である第2の状態とを示す可変キャパシタ10と、第1及び第2の電極間に電圧を印加する電圧印加回路20と、第1及び第2の電極間に印加された電極間電圧に基づく第1の電圧を検出する電圧検出回路30とを備え、可変キャパシタ、電圧印加回路及び電圧検出回路が同一のチップ100内に設けられている。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、電子デバイスに関する。
MEMS(micro electro mechanical systems)技術を用いた可変キャパシタが半導体基板上に形成された電子デバイスが提案されている。この可変キャパシタは、電極間に印加された電圧に応じて電極間の距離が変化し、キャパシタンスが変化する。具体的には、相対的に電極間の距離が大きい状態(プルアウト状態、アップステート)及び相対的に電極間の距離が小さい状態(プルイン状態、ダウンステート)の2つの状態を設定することが可能である。
このような可変キャパシタでは、プルアウト状態からプルイン状態に移行するまでの時間、プルアウト状態からプルイン状態に移行するときの閾電圧、及びプルイン状態からプルアウト状態に移行するときの閾電圧等が、可変キャパシタの性能を評価するための重要なパラメータとなる。
しかしながら、従来は、可変キャパシタの性能を短時間で的確に評価することが困難であった。
可変キャパシタの性能を短時間で的確に評価することが可能な電子デバイスを提供する。
実施形態に係る電子デバイスは、第1及び第2の電極を有し、前記第1及び第2の電極間に印加された電圧に応じて、前記第1及び第2の電極間の距離が第1の距離である第1の状態と、前記第1及び第2の電極間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離である第2の状態とを示す可変キャパシタと、前記第1及び第2の電極間に電圧を印加する電圧印加回路と、前記第1及び第2の電極間に印加された電極間電圧に基づく第1の電圧を検出する電圧検出回路と、を備え、前記可変キャパシタ、前記電圧印加回路及び前記電圧検出回路が同一のチップ内に設けられている。
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
図1は、実施形態に係る電子デバイスの基本的な構成を示したブロック図である。
図1に示すように、本実施形態に係る電子デバイスは、可変キャパシタ10、電圧印加回路20、電圧検出回路30、定電圧供給回路40及び放電回路50を備えており、これらの回路が同一のチップ(半導体チップ)100内に設けられている。なお、チップ100内には、可変キャパシタ10の駆動制御を行う回路等も含まれている。
図2は、可変キャパシタ10の構成を模式的に示した断面図である。
可変キャパシタ10は、MEMS(micro electro mechanical systems)技術を用いて形成されたMEMS素子であり、下部電極(第1の電極)11と、下部電極11に対向する上部電極(第2の電極)12と、下部電極11上に設けられた絶縁膜13と、上部電極12に接続された弾性部材(バネ)14とを備えている。弾性部材14によって上部電極12が支えられている。可変キャパシタ(MEMS素子)10は、半導体基板201及び絶縁領域201等を含む下地領域上に形成されている。
可変キャパシタ10は、下部電極11及び上部電極12間に印加された電圧に応じて、下部電極11及び上部電極12間の距離が第1の距離である第1の状態(プルアウト状態、アップステート)と、下部電極11及び上部電極12間の距離が第1の距離よりも小さい第2の距離である第2の状態(プルイン状態、ダウンステート)とを示すように構成されている。すなわち、下部電極11及び上部電極12間に働く静電気力に応じて、下部電極11及び上部電極12間の距離が変化する。下部電極11及び上部電極12間の距離が変化することで、可変キャパシタ10のキャパシタンスが変化する。
図3は、実施形態に係る電子デバイスの具体的な構成を示した電気回路図である。
電圧印加回路20は、可変キャパシタ10の下部電極11及び上部電極12間に電圧を印加するためのものである。この電圧印加回路20は、入力電圧をブーストするブースト回路で構成されている。ブースト回路で入力電圧をブーストする期間は可変である。また、ブースト回路の入力電圧も可変である。
電圧印加回路(ブースト回路)20は、スイッチSWT1、SWT2、SWT3、SWB1、SWB2及びSWB3、並びにブーストキャパシタCBTT及びCBTBを含んでいる。
スイッチSWT1、SWT2及びSWT3、並びにブーストキャパシタCBTTは、可変キャパシタ10の上部電極12に電圧を印加する場合に用いられる。この場合には、他のスイッチSWB1、SWB2及びSWB3、並びに他のブーストキャパシタCBTBは、実質的に機能しない。具体的には、プルダウンスイッチSWDTをオフ状態にし、プルダウンスイッチSWDBをオン状態にすることで、スイッチSWT1、SWT2及びSWT3、並びにブーストキャパシタCBTTを機能させ、スイッチSWB1、SWB2及びSWB3、並びに他のブーストキャパシタCBTBを実質的に機能させないようにしている。
一方、スイッチSWB1、SWB2及びSWB3、並びにブーストキャパシタCBTBは、可変キャパシタ10の下部電極11に電圧を印加する場合に用いられる。この場合には、他のスイッチSWT1、SWT2及びSWT3、並びに他のブーストキャパシタCBTTは、実質的に機能しない。具体的には、プルダウンスイッチSWDBをオフ状態にし、プルダウンスイッチSWDTをオン状態にすることで、スイッチSWB1、SWB2及びSWB3、並びにブーストキャパシタCBTBを機能させ、スイッチSWT1、SWT2及びSWT3、並びに他のブーストキャパシタCBTTを実質的に機能させないようにしている。
電圧印加回路20で生成された電圧は、ロウパスフィルタLPFT或いはロウパスフィルタLPFBを介して可変キャパシタ10に印加される。具体的には、可変キャパシタ10の上部電極12に電圧を印加する場合には、ロウパスフィルタLPFTを介して可変キャパシタ10の上部電極12に電圧が印加される。可変キャパシタ10の下部電極11に電圧を印加する場合には、ロウパスフィルタ LPFBを介して可変キャパシタ10の下部電極11に電圧が印加される。
また、電圧印加回路20で生成された電圧は、スイッチ61、キャパシタ62及び63を含む分圧回路60で分圧される。具体的には、可変キャパシタ10の上部電極12に電圧を印加する場合には、ロウパスフィルタLPFT側にスイッチ61が接続される。可変キャパシタ10の下部電極11に電圧を印加する場合には、ロウパスフィルタLPFB側にスイッチ61が接続される。なお、図3に示した例では、ロウパスフィルタLPFT及びLPFBの入力側に分圧回路60が接続されているが、ロウパスフィルタLPFT及びLPFBの出力側に分圧回路60を接続するようにしてもよい。
電圧検出回路30は、可変キャパシタ10の下部電極11及び上部電極12間に印加された電極間電圧に基づく電圧(第1の電圧)を検出するものである。この電圧検出回路30によって検出される電圧は、電極間電圧そのものでもよいし、電極間電圧に関連して得られる電圧でもよい。
電圧検出回路30は、コンパレータ31、レファレンス電圧生成回路32及び逐次比較回路(レファレンス電圧設定回路)33を含んでいる。
電圧検出回路からは30からは、可変キャパシタ10の電極間電圧に基づくデジタル電圧が出力される。すなわち、電圧検出回路30は、デジタル電圧を生成するためのADコンバータで構成されており、ADコンバータでAD変換されたデジタル電圧値が電圧検出回路30から出力される。本実施形態では、ADコンバータとして逐次比較型ADコンバータを用いる。逐次比較型ADコンバータを用いることで、高速で電圧検出を行うことが可能である。
コンパレータ31は、分圧回路60で分圧された電圧(第1の電圧)をレファレンス電圧と比較するものである。レファレンス電圧は、レファレンス電圧生成回路32で生成される。コンパレータ31の出力には、逐次比較回路(レファレンス電圧設定回路)33が接続されている。この逐次比較回路33では、コンパレータ31の出力に基づいてロジック処理が行われ、ロジック処理結果に基づくレファレンス電圧をレファレンス電圧生成回路32に設定する。逐次比較回路33からはデジタル値が出力され、このデジタル値が可変キャパシタ10の電極間電圧に基づくデジタル電圧値に対応する。電圧検出回路30の具体的な動作は、以下の通りである。
コンパレータ31では、分圧回路60で分圧された電圧(分圧電圧)をレファレンス電圧と比較する。分圧電圧がレファレンス電圧よりも高い場合には、コンパレータ31の出力論理値はハイとなる。逐次比較回路33では、コンパレータ31の出力論理値に基づき、レファレンス電圧を増加させる。分圧電圧がレファレンス電圧よりも低い場合には、コンパレータ31の出力論理値はロウとなる。逐次比較回路33では、コンパレータ31の出力論理値に基づき、レファレンス電圧を減少させる。
その後、分圧電圧が更新されたレファレンス電圧と比較され、比較結果(コンパレータ31の出力論理値)に応じてレファレンス電圧を増加又は減少させる。このようにして、分圧電圧を更新されたレファレンス電圧と順次比較し、順次比較によって得られたデジタル値がデジタル電圧値として逐次比較回路33から出力される。すなわち、分圧電圧に対応したデジタル電圧値が逐次比較回路33から出力される。
定電圧供給回路40は、電圧印加回路20(ブースト回路)に定電圧を供給するものであり、チャージポンプ回路によって構成されている。
放電回路50は、可変キャパシタに蓄積された電荷を放電するものである。放電動作は、定電流放電である。放電回路50は、スイッチ51と、スイッチ51を制御する制御回路52を含んでいる。具体的には、可変キャパシタ10の上部電極12に電圧が印加されていた場合には、ロウパスフィルタLPFT側にスイッチ51が接続され、上部電極12に蓄積されている電荷が放電される。可変キャパシタ10の下部電極11に電圧が印加されていた場合には、ロウパスフィルタLPFB側にスイッチ51が接続され、下部電極11に蓄積されている電荷が放電される。
上述したように、本実施形態に係る電子デバイスは、可変キャパシタ10、電圧印加回路20、電圧検出回路30、定電圧供給回路40及び放電回路50が同一のチップ(半導体チップ)100内に設けられており、いわゆるBIST(built in self test)回路が構成されている。
次に、図1、図2及び図3に示した電子デバイスで行われる動作を説明する。
可変キャパシタの性能を評価するためのパラメータとして、プルイン時間(プルイン期間)、プルイン電圧及びプルアウト電圧が重要である。
プルイン電圧は、可変キャパシタがアップステート(プルアウト状態)からダウンステート(プルイン状態)に移行するための閾電圧である。プルイン電圧以上の電圧が可変キャパシタの電極間に印加されることで、可変キャパシタはアップステートからダウンステートに移行する。
プルアウト電圧は、可変キャパシタがダウンステート(プルイン状態)からアップステート(プルアウト状態)に移行するための閾電圧である。プルアウト電圧以下の電圧が可変キャパシタの電極間に印加されることで、可変キャパシタはダウンステートからアップステートに移行する。
プルイン時間は、可変キャパシタをプルアウト状態からプルイン状態に移行させる際の時間であり、プルイン電圧以上の電圧を電極間に印加してから実際にプルイン状態に移行するまでの閾時間である。プルイン時間以上、プルイン電圧以上の電圧を電極間に印加することで、可変キャパシタはアップステートからダウンステートに移行する。
なお、以下の説明では、可変キャパシタ10の下部電極11を定電位(例えば、グラウンド電位)に固定し、可変キャパシタ10の上部電極12に電圧を印加する場合について説明する。したがって、図3のスイッチSWDBはオン状態であり、可変キャパシタ10の下部電極11はグラウンド電位に固定されている。
まず、プルイン時間を求める方法について説明する。図4は、プルイン時間を求めるための動作を示した図である。横軸は時間であり、縦軸は可変キャパシタの電極間電圧(Vact)である。図5は、プルイン時間を求める動作における各部分の状態を示した図である。
期間P1では、図3のスイッチSWT1はオン状態、スイッチSWT2はオフ状態、スイッチSWT3はオン状態である。そのため、ブーストキャパシタCBTTは、定電圧供給回路40の出力電圧Vholdに充電される。したがって、可変キャパシタ10の電極間電圧Vactは、電圧Vholdである。この電圧Vholdは、プルイン電圧(閾電圧Vth1)よりも低いため、可変キャパシタ10はアップステートである。
期間P2では、スイッチSWT1はオフ状態、スイッチSWT2はオフ状態、スイッチSWT3はオフ状態である。そのため、ブーストキャパシタCBTTは、フローティング状態である。したがって、可変キャパシタ10の電極間電圧Vact は電圧Vholdに維持され、可変キャパシタ10はアップステートに維持される。
期間P3及び期間P4は、電圧印加回路(ブースト回路)20でブースト動作が行われるブースト期間である。具体的には、以下の通りである。
期間P3では、スイッチSWT1はオフ状態、スイッチSWT2はオン状態、スイッチSWT3はオフ状態である。そのため、ブーストキャパシタCBTTによって電圧印加回路(ブースト回路)20の入力電圧Vholdがブーストされ、電圧印加回路20の出力電圧は上昇する。このとき、ブーストキャパシタCBTTの電荷が、可変キャパシタ10及び寄生キャパシタ(図示せず)に分配される。その結果、電極間電圧Vact1は、プルイン電圧(閾電圧Vth1)よりも高くなる。
しかしながら、電極間電圧がプルイン電圧より高くなっても、可変キャパシタ10は直ちにダウンステートに移行するわけではない。すなわち、プルイン期間以上、プルイン電圧以上の電圧を電極間に印加しなければ、可変キャパシタ10はダウンステートに移行しない。したがって、期間P3では、可変キャパシタ10はアップステートであり、電極間電圧Vact1は以下のように表される。
Vact1=Vhold+{Cbt/(Cbt+Cup+Cpara)}×Vhold
ただし、CbtはブーストキャパシタCBTTのキャパシタンス、Cupは可変キャパシタ10のアップステートでのキャパシタンス、Cparaは寄生キャパシタンスである。
ただし、CbtはブーストキャパシタCBTTのキャパシタンス、Cupは可変キャパシタ10のアップステートでのキャパシタンス、Cparaは寄生キャパシタンスである。
期間P4でも、期間P3と同様に、スイッチSWT1はオフ状態、スイッチSWT2はオン状態、スイッチSWT3はオフ状態である。ところが、期間P3でプルイン期間が終了し、期間P3から期間P4に移行する際に、可変キャパシタ10はアップステートからダウンステートに移行する。その結果、可変キャパシタ10のキャパシタンスが増加する。したがって、期間P4では、可変キャパシタ10の電極間電圧Vact2は以下のように表される。
Vact2=Vhold+{Cbt/(Cbt+Cdown+Cpara)}×Vhold
ただし、Cdownは可変キャパシタ10のダウンステートでのキャパシタンスである。
ただし、Cdownは可変キャパシタ10のダウンステートでのキャパシタンスである。
なお、期間P4では、電極間電圧Vact2がプルイン電圧よりも低くなるが、ダウンステート時には、電極間電圧がプルアウト電圧以下にならないとアップステートには移行しない。したがって、期間P4では、電極間電圧Vact2がプルイン電圧より低くても、ダウンステートが維持される。
期間P5では、スイッチSWT1はオン状態、スイッチSWT2はオフ状態、スイッチSWT3はオン状態である。したがって、期間P1と同様に、可変キャパシタ10の電極間電圧Vactは、電圧Vholdである。この電圧Vholdも、プルイン電圧よりも低いが、プルアウト電圧よりも高い。したがって、期間P5でもダウンステートが維持される。
上述したシーケンスを行うことにより、プルイン期間を求めることができる。すなわち、期間P3から期間P4に移行する際に、可変キャパシタ10はアップステートからダウンステートに移行し、電極間電圧が降下している。したがって、期間P3がプルイン期間に対応する。
以上のように、ブースト回路でブーストされた入力電圧をプルイン期間(閾期間)以上、下部電極11及び上部電極12間に印加することで、可変キャパシタ10はアップステートからダウンステートに移行する。したがって、電圧検出回路30で電極間電圧に基づく第1の電圧(図3の例では分割回路60の分圧電圧)を求めることにより、プルイン期間(閾期間)を求めることができる。
ところで、プルイン期間を求めるためには、プルイン期間以上のブースト期間を設定する必要がある。ところが、必要以上にブースト期間を長くすることが望ましくない場合もある。
図6は、短いブースト期間でプルイン期間を求める方法を示したフローチャートである。図6のフローチャートに示した方法は、チップ100の外部のプログラムによってチップ100の内部の状態を設定することで実行される。
まず、所定の初期設定を行う(S11)。次に、ブースト期間を設定する(S12)。続いて、設定されたブースト期間でブースト動作を実行し、プルイン電圧以上の電圧を可変キャパシタ10の電極間に印加する(S13)。そして、電圧検出回路30で電極間電圧に基づく電圧を検出する(S14)。検出された電圧(デジタル電圧)は、内部レジスタに格納しておく。さらに、電圧検出回路30での検出結果に基づき、検出電圧が変化しているか否かを判断する(S15)。すなわち、検出電圧がアップステートからダウンステートへの移行に伴う変化(図4の期間P3から期間P4への移行に伴う変化に対応)をしているか否かを判断する。
S15のステップで変化がないと判断された場合には、S12のステップに戻る。S12のステップでは、所定の長さだけブースト期間を増加させて、新たなブースト期間を設定する。そして、新たなブースト期間でS13〜S15のステップを実行する。このようにして、S15のステップで電圧変化があると判断されるまで、ブースト期間を段階的に増加させながら、S13〜S15のステップを実行する。
S15のステップで電圧変化があると判断された場合には、検出電圧の変化時点をプルイン期間の終了時点とみなす。これにより、プルイン期間が求められる(S16)。具体的には、その時点で設定されているブースト期間をプルイン期間とする。
以上のようにして、短いブースト期間でプルイン期間を求めることができる。
次に、プルイン電圧を求める方法について説明する。
電圧印加回路(ブースト回路)20で入力電圧をブーストすることにより、可変キャパシタ10の電極間電圧がプルイン電圧(第1の閾電圧)以上になったときに、可変キャパシタはプルアウト状態(アップステート)からプルイン状態(ダウンステート)に移行する。したがって、電圧検出回路30で電極間電圧に基づく電圧(第1の電圧)を検出することでプルイン電圧を求めること可能である。
図7は、入力電圧とプルイン電圧との関係について示した図である。横軸は時間であり、縦軸は可変キャパシタの電極間電圧(Vact)である。
すでに説明したことからわかるように、可変キャパシタ10の電極間にプルイン電圧以上の電圧を印加しなければ、可変キャパシタ10はアップステートからダウンステートに移行しない。図7の例では、電圧印加回路(ブースト回路)20の入力電圧がVhold1である場合には、ブースト動作によってプルイン電圧(第1の閾電圧Vth1)以上の電圧が可変キャパシタ10に印加されるため、可変キャパシタ10はダウンステートに移行する。一方、電圧印加回路(ブースト回路)20の入力電圧がVhold2である場合には、プルイン電圧(第1の閾電圧Vth1)以上の電圧は可変キャパシタ10に印加されないため、可変キャパシタ10はダウンステートに移行することはできない。また、図7に示すように、アップステートからダウンステートに移行する際には、電極間電圧が降下する。
したがって、入力電圧Vholdを段階的に増加させることで電極間電圧を段階的に増加させ、ブースト動作を実行した後の電極間電圧をプロットすれば、プルイン電圧を求めることができる。
図8は、プルイン電圧を求めるための原理を示した図である。横軸は電圧印加回路(ブースト回路)20の入力電圧Vholdであり、縦軸はブースト動作を実行した後の電極間電圧(Vact)である。ブースト動作期間は、プルイン期間よりも十分に長くなるようにしている。
図8に示すように、電極間電圧がプルイン電圧(第1の閾電圧Vth1)に達するまでは、入力電圧Vholdを増加させるにしたがって電極間電圧Aactも増加する。ところが、電極間電圧がプルイン電圧に達すると、可変キャパシタ10がアップステートからダウンステートに移行するため、可変キャパシタ10のキャパシタンスが増加し、電極間電圧はその前の測定点の電極間電圧よりも低くなる。したがって、電極間電圧が最大になったときの電極間電圧を概ねプルイン電圧とみなすことができる。
図9は、プルイン電圧を求める方法を示したフローチャートである。図9のフローチャートに示した方法は、チップ100の外部のプログラムによってチップ100の内部の状態を設定することで実行される。
まず、所定の初期設定を行う(S21)。次に、ブースト回路の入力電圧Vholdを設定する(S22)。続いて、設定された入力電圧Vholdでブースト動作を実行し、可変キャパシタ10にブースト電圧を印加する(S23)。このとき、プルイン期間以上の十分長い期間でブースト動作を実行する。そして、電圧検出回路30で電極間電圧に基づく電圧を検出する(S24)。すなわち、ブースト電圧を印加した後の電圧を検出する(S24)。検出された電圧(デジタル電圧)は、内部レジスタに格納しておく。
次に、電圧検出回路30での検出結果に基づき、検出電圧がその前の測定点での検出電圧よりも下がっているか否かを判断する(S25)。
S25のステップで、検出電圧がその前の測定点での検出電圧よりも下がっていないと判断された場合には、S22のステップに戻る。S22のステップでは、所定の電圧だけ入力電圧Vholdを増加させて、新たな入力電圧Vholdを設定する。そして、新たな入力電圧VholdでS23〜S25のステップを実行する。このようにして、S25のステップで、検出電圧がその前の測定点での検出電圧よりも下がっていると判断されるまで、入力電圧Vholdを段階的に増加させながら、S23〜S25のステップを実行する。
S25のステップで、検出電圧がその前の測定点での検出電圧よりも下がっていると判断された場合には、その前の測定点での電極間電圧をプルイン電圧とみなす。これにより、プルイン電圧が求められる(S26)。具体的には、電圧検出回路30での検出電圧と電極間電圧との関係を予め求めておくことで、プルイン電圧を求めることができる。
以上のようにして、プルイン電圧を求めることができる。
次に、プルアウト電圧を求める方法について説明する。
図1及び図3に示した放電回路50で可変キャパシタ10に蓄積されている電荷を放電することによって、可変キャパシタ10の電極間に印加された電圧がプルアウト電圧(第2の閾電圧)以下になると、可変キャパシタ10がプルイン状態(ダウンステート)からプルアウト状態(アップステート)に移行する。したがって、電圧検出回路30で電極間電圧に基づく電圧(第1の電圧)を検出することでプルアウト電圧を求めること可能である。
図10は、プルアウト電圧を求める原理について示した図である。横軸は放電時間であり、縦軸は可変キャパシタ10の電極間電圧(Vact)である。
可変キャパシタ10がプルイン状態(ダウンステート)であるときに、可変キャパシタ10に充電されている電荷を定電流回路によって放電すると、可変キャパシタ10の電極間電圧は一定の割合で減少していく。プルイン状態(ダウンステート)からプルアウト状態(アップステート)に移行すると、可変キャパシタ10のキャパシタンスが減少する。そのため、プルアウト状態では、電極間電圧の減少する割合が大きくなる。したがって、電極間電圧の減少する割合が変化したときの電極間電圧をプルアウト電圧(第2の閾電圧Vth2)とみなすことができる。
図11は、プルアウト電圧を求める方法を示したフローチャートである。図11のフローチャートに示した方法は、チップ100の外部のプログラムによってチップ100の内部の状態を設定することで実行される。
まず、所定の初期設定を行う(S31)。次に、ブースト回路の入力電圧Vholdを設定する(S32)。続いて、設定された入力電圧Vholdでブースト動作を実行し、可変キャパシタ10をプルイン状態(ダウンステート)に設定する(S33)。そして、電圧検出回路30で電極間電圧に基づく電圧を検出する(S34)。検出された電圧(デジタル電圧)は、内部レジスタに格納しておく。さらに、放電回路50により、可変キャパシタ10に充電されている電荷を所定時間、放電する(S35)。具体的には、所定時間、定電流放電を行う。
次に、電圧検出回路30での検出結果に基づき、電極間電圧の減少割合が変化しているか否かを判断する(S36)。
S36のステップで、電極間電圧の減少割合が変化していないと判断された場合には、S34のステップに戻る。そして、S34〜S36のステップを実行する。すなわち、S35のステップで、可変キャパシタ10に充電されている電荷を再び所定時間、定電流で放電する。このようにして、S36のステップで、電極間電圧の減少割合が変化していると判断されるまで、放電動作を繰り返し行いながら、S34〜S36のステップを実行する。
S36のステップで、電極間電圧の減少割合が変化していると判断された場合には、電極間電圧の減少割合が変化した時点での電極間電圧をプルアウト電圧とみなす。これにより、プルアウト電圧が求められる(S37)。具体的には、電圧検出回路30での検出電圧と電極間電圧との関係を予め求めておくことで、プルアウト電圧を求めることができる。
以上のようにして、プルアウト電圧を求めることができる。
以上のように、本実施形態によれば、可変キャパシタ(MEMS素子)10、可変キャパシタ10の電極間に電圧を印加する電圧印加回路20、及び電極間電圧に基づく電圧を検出する電圧検出回路30等が、同一のチップ100内に設けられている。そのため、可変キャパシタの性能を評価するための重要なパラメータ(プルイン期間、プルイン電圧、プルアウト電圧等)の決定に必要な電極間電圧に基づく電圧を、チップ100内での動作に基づいて検出することができる。したがって、チップ100内の電圧検出回路30で検出された電圧に基づいて、可変キャパシタ10の性能を短時間で的確に評価することが可能である。例えば、電圧検出回路30で検出された電圧をデジタル電圧として出力することで、上記パラメータ(プルイン期間、プルイン電圧、プルアウト電圧等)を短時間で的確に求めることができる。
仮に、電極間電圧をオシロスコープで測定するような方法を用いた場合には、量産時の性能評価方法としての導入が困難であるが、本実施形態の方法を採用することで、量産時にも可変キャパシタの性能を短時間で的確に評価することが可能となる。
なお、上述した実施形態では、可変キャパシタ10の下部電極11を一定電位(例えば、グラウンド電位)に固定し、可変キャパシタ10の上部電極12に電圧を印加する場合について説明した。しかしながら、可変キャパシタ10の上部電極12を一定電位(例えば、グラウンド電位)に固定し、可変キャパシタ10の下部電極11に電圧を印加する場合についても、上述した実施形態と同様の動作を行うことが可能である。具体的には、図3のスイッチSWDTをオン状態として、可変キャパシタ10の上部電極12をグラウンド電位に固定する。そして、上述した実施形態の上部電極12側のスイッチSWT1、SWT2及びSWT3と同様に、下部電極11側のスイッチSWB1、SWB2及びSWB3を制御すればよい。
以下、上述した実施形態について付記する。
[付記1]
第1及び第2の電極を有し、前記第1及び第2の電極間に印加された電圧に応じて、前記第1及び第2の電極間の距離が第1の距離である第1の状態と、前記第1及び第2の電極間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離である第2の状態とを示す可変キャパシタと、
前記第1及び第2の電極間に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第1及び第2の電極間に印加された電極間電圧に基づく第1の電圧を検出する電圧検出回路と、
を備え、
前記可変キャパシタ、前記電圧印加回路及び前記電圧検出回路が同一のチップ内に設けられている
ことを特徴とする電子デバイス。
第1及び第2の電極を有し、前記第1及び第2の電極間に印加された電圧に応じて、前記第1及び第2の電極間の距離が第1の距離である第1の状態と、前記第1及び第2の電極間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離である第2の状態とを示す可変キャパシタと、
前記第1及び第2の電極間に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第1及び第2の電極間に印加された電極間電圧に基づく第1の電圧を検出する電圧検出回路と、
を備え、
前記可変キャパシタ、前記電圧印加回路及び前記電圧検出回路が同一のチップ内に設けられている
ことを特徴とする電子デバイス。
[付記2]
前記電圧検出回路からは前記電極間電圧に基づくデジタル電圧が出力される
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
前記電圧検出回路からは前記電極間電圧に基づくデジタル電圧が出力される
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
[付記3]
前記電圧検出回路は、前記デジタル電圧を生成するためのADコンバータを含む
ことを特徴とする付記2に記載の電子デバイス。
前記電圧検出回路は、前記デジタル電圧を生成するためのADコンバータを含む
ことを特徴とする付記2に記載の電子デバイス。
[付記4]
前記ADコンバータは、逐次比較型ADコンバータである
ことを特徴とする付記3に記載の電子デバイス。
前記ADコンバータは、逐次比較型ADコンバータである
ことを特徴とする付記3に記載の電子デバイス。
[付記5]
前記電圧検出回路は、
前記第1の電圧をレファレンス電圧と比較するコンパレータと、
前記レファレンス電圧を生成するレファレンス電圧生成回路と、
前記コンパレータの出力に基づいて前記レファレンス電圧を設定するレファレンス電圧設定回路と、
を含むことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
前記電圧検出回路は、
前記第1の電圧をレファレンス電圧と比較するコンパレータと、
前記レファレンス電圧を生成するレファレンス電圧生成回路と、
前記コンパレータの出力に基づいて前記レファレンス電圧を設定するレファレンス電圧設定回路と、
を含むことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
[付記6]
前記可変キャパシタが前記第1の状態から前記第2の状態に移行する際に前記電極間電圧は降下する
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
前記可変キャパシタが前記第1の状態から前記第2の状態に移行する際に前記電極間電圧は降下する
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
[付記7]
前記電圧印加回路は、入力電圧をブーストするブースト回路を含む
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
前記電圧印加回路は、入力電圧をブーストするブースト回路を含む
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
[付記8]
前記ブースト回路で入力電圧をブーストする期間は可変である
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
前記ブースト回路で入力電圧をブーストする期間は可変である
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
[付記9]
前記ブースト回路でブーストされた入力電圧を閾期間以上、前記第1及び第2の電極間に印加することで、前記可変キャパシタは前記第1の状態から前記第2の状態に移行する
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
前記ブースト回路でブーストされた入力電圧を閾期間以上、前記第1及び第2の電極間に印加することで、前記可変キャパシタは前記第1の状態から前記第2の状態に移行する
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
[付記10]
前記電圧検出回路は、前記閾期間を求めるために前記第1の電圧を検出する
ことを特徴とする付記9に記載の電子デバイス。
前記電圧検出回路は、前記閾期間を求めるために前記第1の電圧を検出する
ことを特徴とする付記9に記載の電子デバイス。
[付記11]
前記閾期間は、前記ブースト回路で入力電圧をブーストする期間を段階的に増加させることで求められる
ことを特徴とする付記10に記載の電子デバイス。
前記閾期間は、前記ブースト回路で入力電圧をブーストする期間を段階的に増加させることで求められる
ことを特徴とする付記10に記載の電子デバイス。
[付記12]
前記ブースト回路の入力電圧は可変である
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
前記ブースト回路の入力電圧は可変である
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
[付記13]
前記ブースト回路で入力電圧をブーストすることによって前記第1及び第2の電極間に印加された電圧が第1の閾電圧以上になったときに、前記可変キャパシタは前記第1の状態から前記第2の状態に移行する
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
前記ブースト回路で入力電圧をブーストすることによって前記第1及び第2の電極間に印加された電圧が第1の閾電圧以上になったときに、前記可変キャパシタは前記第1の状態から前記第2の状態に移行する
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
[付記14]
前記電圧検出回路は、前記第1の閾電圧を求めるために前記第1の電圧を検出する
ことを特徴とする付記13に記載の電子デバイス。
前記電圧検出回路は、前記第1の閾電圧を求めるために前記第1の電圧を検出する
ことを特徴とする付記13に記載の電子デバイス。
[付記15]
前記第1の閾電圧は、前記第1及び第2の電極間に印加される電圧を段階的に増加させることで求められる
ことを特徴とする付記14に記載の電子デバイス。
前記第1の閾電圧は、前記第1及び第2の電極間に印加される電圧を段階的に増加させることで求められる
ことを特徴とする付記14に記載の電子デバイス。
[付記16]
前記チップ内に設けられ、前記ブースト回路に定電圧を供給する定電圧供給回路をさらに備える
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
前記チップ内に設けられ、前記ブースト回路に定電圧を供給する定電圧供給回路をさらに備える
ことを特徴とする付記7に記載の電子デバイス。
[付記17]
前記定電圧供給回路は、チャージポンプ回路を含む
ことを特徴とする付記16に記載の電子デバイス。
前記定電圧供給回路は、チャージポンプ回路を含む
ことを特徴とする付記16に記載の電子デバイス。
[付記18]
前記チップ内に設けられ、前記可変キャパシタに蓄積された電荷を放電する放電回路をさらに備える
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
前記チップ内に設けられ、前記可変キャパシタに蓄積された電荷を放電する放電回路をさらに備える
ことを特徴とする付記1に記載の電子デバイス。
[付記19]
前記放電回路で前記可変キャパシタに蓄積された電荷を放電することによって前記第1及び第2の電極間に印加された電圧が第2の閾電圧以下になったときに、前記可変キャパシタは前記第2の状態から前記第1の状態に移行する
ことを特徴とする付記18に記載の電子デバイス。
前記放電回路で前記可変キャパシタに蓄積された電荷を放電することによって前記第1及び第2の電極間に印加された電圧が第2の閾電圧以下になったときに、前記可変キャパシタは前記第2の状態から前記第1の状態に移行する
ことを特徴とする付記18に記載の電子デバイス。
[付記20]
前記電圧検出回路は、前記第2の閾電圧を求めるために前記第1の電圧を検出する
ことを特徴とする付記19に記載の電子デバイス。
前記電圧検出回路は、前記第2の閾電圧を求めるために前記第1の電圧を検出する
ことを特徴とする付記19に記載の電子デバイス。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…可変キャパシタ 11…下部電極 12…上部電極
13…絶縁膜 14…弾性部材
20…電圧印加回路
30…電圧検出回路 31…コンパレータ
32…レファレンス電圧生成回路 33…逐次比較回路
40…定電圧供給回路
50…放電回路 52…制御回路
60…分圧回路
100…チップ
13…絶縁膜 14…弾性部材
20…電圧印加回路
30…電圧検出回路 31…コンパレータ
32…レファレンス電圧生成回路 33…逐次比較回路
40…定電圧供給回路
50…放電回路 52…制御回路
60…分圧回路
100…チップ
Claims (8)
- 第1及び第2の電極を有し、前記第1及び第2の電極間に印加された電圧に応じて、前記第1及び第2の電極間の距離が第1の距離である第1の状態と、前記第1及び第2の電極間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離である第2の状態とを示す可変キャパシタと、
前記第1及び第2の電極間に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第1及び第2の電極間に印加された電極間電圧に基づく第1の電圧を検出する電圧検出回路と、
を備え、
前記可変キャパシタ、前記電圧印加回路及び前記電圧検出回路が同一のチップ内に設けられている
ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記電圧検出回路からは前記電極間電圧に基づくデジタル電圧が出力される
ことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記電圧検出回路は、前記デジタル電圧を生成するためのADコンバータを含む
ことを特徴とする請求項2に記載の電子デバイス。 - 前記電圧印加回路は、入力電圧をブーストするブースト回路を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記ブースト回路でブーストされた入力電圧を閾期間以上、前記第1及び第2の電極間に印加することで、前記可変キャパシタは前記第1の状態から前記第2の状態に移行する
ことを特徴とする請求項4に記載の電子デバイス。 - 前記ブースト回路で入力電圧をブーストすることによって前記第1及び第2の電極間に印加された電圧が第1の閾電圧以上になったときに、前記可変キャパシタは前記第1の状態から前記第2の状態に移行する
ことを特徴とする請求項4に記載の電子デバイス。 - 前記チップ内に設けられ、前記可変キャパシタに蓄積された電荷を放電する放電回路をさらに備える
ことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記放電回路で前記可変キャパシタに蓄積された電荷を放電することによって前記第1及び第2の電極間に印加された電圧が第2の閾電圧以下になったときに、前記可変キャパシタは前記第2の状態から前記第1の状態に移行する
ことを特徴とする請求項7に記載の電子デバイス。
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