JP2016055409A - Ｍｅｍｓ可変キャパシタの制御方法及び集積回路装置 - Google Patents

Ｍｅｍｓ可変キャパシタの制御方法及び集積回路装置 Download PDF

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Abstract

【課題】所望のキャパシタンスを得ることが可能なＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る方法は、第１及び第２の電極を有し、第１及び第２の電極間に印加される電圧に応じてキャパシタンスが変化するＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法であって、第１及び第２の電極間に電圧を印加すること（Ｓ１１）と、第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態でＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価すること（Ｓ１２）と、ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしていると評価された場合に、第１及び第２の電極間に印加された電圧を第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定すること（Ｓ１４）と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、ＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法及び集積回路装置に関する。
ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）技術を用いた可変キャパシタが半導体基板上に形成された電子デバイスが提案されている。この可変キャパシタ（ＭＥＭＳ可変キャパシタ）は、電極間に印加された電圧に応じて電極間の距離が変化し、キャパシタンスが変化する。具体的には、相対的に電極間の距離が大きい状態（アップステート）及び相対的に電極間の距離が小さい状態（ダウンステート）の２つの状態を設定することが可能である。
上述したＭＥＭＳ可変キャパシタは、可動な電極を用いて形成されているため、キャパシタンスが所望のキャパシタンスからずれる場合がある。したがって、所望のキャパシタンスを得ることが可能なＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法及びＭＥＭＳ可変キャパシタを有する集積回路装置が望まれている。
ＷＯ２０１１／０９２９８０号
所望のキャパシタンスを得ることが可能なＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法及び集積回路装置を提供する。
実施形態に係るＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法は、第１及び第２の電極を有し、前記第１及び第２の電極間に印加される電圧に応じてキャパシタンスが変化するＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法であって、前記第１及び第２の電極間に電圧を印加することと、前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することと、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価された場合に、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することと、を備える。
第１の実施形態の装置構成を示したブロック図である。 第１の実施形態に係り、ＭＥＭＳ可変キャパシタの構成を模式的に示した図である。 第１の実施形態に係り、ＭＥＭＳ可変キャパシタの構成を模式的に示した図である。 第１の実施形態の動作を示したフローチャートである。 第２の実施形態の装置構成を示したブロック図である。
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
（実施形態１）
図１は、第１の実施形態の装置構成を示したブロック図である。
図１に示した装置は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ及びトランジスタ等を含む集積回路装置（半導体集積回路装置）１００と、集積回路装置１００のテスト及び制御を行うためのテスト装置２００とによって構成されている。テスト装置２００は、ＭＥＭＳ可変キャパシタの外部に設けられており、集積回路装置１００とテスト装置２００との間で情報の伝達が行われる。
集積回路装置１００は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０、電圧印加部２０及び記憶部３０を含んでいる。
図２及び図３は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の構成を模式的に示した図である。
図２及び図３に示すように、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０は、半導体基板、トランジスタ及び層間絶縁膜等を含む下地領域１１上に形成されている。ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０は、固定された下部電極（第１の電極）１２と、可変の上部電極（第２の電極）１３と、下部電極１２と上部電極１３との間に位置する絶縁膜１４とを含んでいる。上部電極１３はバネ１５によって支持されている。ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成されている。
図２は、下部電極（第１の電極）１２と上部電極（第２の電極）１３との距離が第１の距離である第１の状態（アップステート）を示している。図３は、下部電極（第１の電極）１２と上部電極（第２の電極）１３との距離が第１の距離よりも小さい第２の距離である第２の状態（ダウンステート）を示している。
ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０は、下部電極１２と上部電極１３との間の距離（ギャップ幅）に応じてキャパシタンスが変化する。例えば、下部電極１２と上部電極１３との間に電圧を印加すると、下部電極１２と上部電極１３との間に静電気力が働き、下部電極１２と上部電極１３との間に印加される電圧に応じて、下部電極１２と上部電極１３との間の距離（ギャップ幅）が変化する。本実施形態のＭＥＭＳ可変キャパシタ１０は、下部電極１２と上部電極１３との間に所定の閾電圧以上の電圧を印加することで、アップステートからダウンステートに移行する。
ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０には電圧印加部２０が接続されており、電圧印加部２０によってＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の電極間に電圧が印加される。すなわち、電圧印加部２０によってＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の電極間に印加される電圧を制御することで、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０をアップステート又はダウンステートに設定することができる。電圧印加部２０には、印加電圧を生成するための昇圧回路等が含まれている。
電圧印加部２０には記憶部３０が接続されており、記憶部３０に記憶された印加電圧情報に基づいて、電圧印加部２０からＭＥＭＳ可変キャパシタ１０に印加される電圧が生成される。
テスト装置２００は、制御部４０及びファンクションテスト部７０を含んでいる。制御部４０は、評価部５０及び印加電圧決定部６０を含んでいる。
評価部５０は、下部電極１２及び上部電極１３間に評価用の電圧（直流電圧）を印加した状態で、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価するものである。具体的には、評価部５０は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０がダウンステートであるときにＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価するように構成されている。
本実施形態では、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、下部電極１２及び上部電極１３間に評価用の電圧を印加した状態で、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の範囲に含まれるか否かを評価することを含む。以下、この点について詳細に説明する。
すでに述べたように、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０は、下部電極１２と上部電極１３との間に所定の閾電圧以上の電圧を印加することで、アップステートからダウンステートに移行する。しかしながら、例えば上部電極１３が湾曲していると、ダウンステート時のキャパシタンスにばらつきが生じる場合がある。キャパシタンスにばらつきが生じると、ダウンステート時のキャパシタンスが所望のキャパシタンス（ターゲットキャパシタンス）からずれてしまう。
そこで、評価部５０により、ダウンステート時のキャパシタンスが所定の範囲に含まれているか否かを評価する。すなわち、ダウンステート時のキャパシタンスが、ターゲットキャパシタンスに対して所定の誤差範囲内にあるか否かが判断される。例えば、許容可能な最小キャパシタンスをＣmin とし、許容可能な最大キャパシタンスをＣmax とした場合、検出されたキャパシタンスがＣmin とＣmax との間にあるか否かが判断される。
評価部５０には、印加電圧決定部６０が接続されている。印加電圧決定部６０は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが上記所定の条件を満たしていると評価された場合に、下部電極１２及び上部電極１３間に印加された評価用の電圧を、下部電極１２及び上部電極１３間に印加すべき電圧として決定するように構成されている。また、印加電圧決定部６０は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが上記所定の条件を満たしていると評価されるまで、上記所定の条件を満たすように下部電極１２及び上部電極１３間に印加される電圧を調整するように構成されている。具体的には、検出されたキャパシタンスがＣmin とＣmax との間にない場合には、キャパシタンスがＣmin とＣmax との間になるように、下部電極１２及び上部電極１３間に印加する電圧を調整する。下部電極１２及び上部電極１３間に印加する電圧を調整することで、下部電極１２及び上部電極１３間の距離が調整され、キャパシタンスを調整することができる。
印加電圧決定部６０で決定された電圧は、記憶部３０に送られる。記憶部３０では、決定された電圧に関する情報が記憶される。
ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０が組み込まれた装置（集積回路装置１００）が実際に使用される際に、記憶部３０に記憶された電圧情報が読み出される。読み出された電圧情報は電圧印加部２０に送られ、電圧印加部２０で生成された電圧がＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の電極間に印加される。ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０に印加される電圧は、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たすように調整されているため、適正な電圧がＭＥＭＳ可変キャパシタ１０に印加される。
また、テスト装置２００の制御部４０にはファンクションテスト部７０が接続されている。ファンクションテスト部７０により、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０を含む集積回路装置１００に対する種々のテストを行うことが可能である。
次に、本実施形態の動作を説明する。図４は、本実施形態の動作を示したフローチャートである。なお、本実施形態の動作は、制御部４０に記憶されたプログラムに基づいて実行される。また、本実施形態の動作は、例えば、集積回路装置１００のダイソート時に行うことが可能である。
まず、電圧印加部２０で生成された電圧（評価用電圧）を、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の下部電極１２及び上部電極１３間に印加する（ステップＳ１１）。
下部電極１２及び上部電極１３間に電圧を印加した状態で、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かが、評価部５０によって評価される（ステップＳ１２）。すなわち、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０がダウンステートであるときに、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の範囲内にあるか否かが評価される。具体的には、許容される最小キャパシタンスをＣmin とし、許容される最大キャパシタンスをＣmax とした場合、検出されたキャパシタンスがＣmin とＣmax との間にあるか否かが判断される。
ステップＳ１２で、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしていないと判断された場合には、評価結果に基づいてＭＥＭＳ可変キャパシタ１０に印加する電圧を調整する（変更する）（ステップＳ１３）。例えば、検出されたキャパシタンスがＣmin よりも小さい場合には、印加電圧を増加させて電極間距離を減少させる。検出されたキャパシタンスがＣmax よりも大きい場合には、印加電圧を減少させて電極間距離を増加させる。
印加電圧を調整した後、ステップＳ１２に戻り、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かが再度、評価される。
ステップＳ１２で、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしていると判断された場合には、下部電極１２及び上部電極１３間に印加されている評価用電圧を、実際の使用時に下部電極１２及び上部電極１３間に印加すべき電圧として決定する（ステップＳ１４）。
ステップＳ１４で決定された電圧情報は記憶部３０に送られ、記憶部３０に電圧情報が記憶される（ステップＳ１５）。
ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０が組み込まれた装置（集積回路装置１００）が実際に使用される際に、記憶部３０に記憶された電圧情報が読み出される。読み出された電圧情報は電圧印加部２０に送られ、電圧印加部２０で生成された電圧がＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の電極間に印加される。これにより、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０に適正なキャパシタンスを設定することができる。
以上のように、本実施形態によれば、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０の電極間に評価用電圧を印加した状態で、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを判断し、所定の条件が満たされていると評価された場合に、当該評価用電圧を電極間に印加すべき電圧として決定する。したがって、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスを所望の適正なキャパシタンスに調整することができる。その結果、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０が組み込まれた装置（集積回路装置１００）を実際に使用する際に、適正な動作を確保することができる。
したがって、例えば上部電極１３の湾曲によってダウンステート時のキャパシタンスにばらつきが生じるような場合であっても、電極間に適切な電圧を印加することで、適正なキャパシタンスを得ることができる。
また、評価結果に基づいて印加電圧を調整することにより、適正な印加電圧を効率的に決定することができる。
また、本実施形態では、制御部４０（評価部５０及び印加電圧決定部６０）がテスト装置２００に含まれているため、集積回路装置１００の構成を簡単化することが可能である。
（実施形態２）
次に、第２の実施形態について説明する。なお、基本的な構成及び基本的な動作は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
図５は、第２の実施形態の装置構成を示したブロック図である。なお、図５において、図１に示した構成要素に対応する構成要素には同一の参照番号を付し、それらの詳細な説明は省略する。
図５に示すように、本実施形態では、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０、電圧印加部２０及び記憶部３０に加えて、制御部４０（評価部５０及び印加電圧決定部６０）も集積回路装置１００に含まれている。評価部５０が集積回路装置１００に含まれているため、集積回路装置１００内には基準キャパシタンスを有する基準キャパシタが設けられている。基準キャパシタンスに基づいてＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスを評価することが可能である。
本実施形態においても、基本的な構成及び基本的な動作は第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態では、制御部４０（評価部５０及び印加電圧決定部６０）が集積回路装置１００に含まれているため、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０が組み込まれた装置（集積回路装置１００）を実際に使用しているときに、ＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスを調整することが可能である。そのため、実際の使用時にＭＥＭＳ可変キャパシタ１０のキャパシタンスが変動した場合に、適正なキャパシタンスに調整することが可能である。
以下、上述した実施形態の内容を付記する。
[付記１]
第１及び第２の電極を有し、前記第１及び第２の電極間に印加される電圧に応じてキャパシタンスが変化するＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法であって、
前記第１及び第２の電極間に電圧を印加することと、
前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することと、
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価された場合に、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することと、
を備えたことを特徴とするＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法。
[付記２]
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタは、前記第１及び第２の電極間の距離が第１の距離である第１の状態と、前記第１及び第２の電極間の距離が前記第１の距離よりも小さい第２の距離である第２の状態とを有し、
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタが前記第２の状態であるときに前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしているか否かを評価することを含む
ことを特徴とする付記１に記載の方法。
[付記３]
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の範囲内であるか否かを評価することを含む
ことを特徴とする付記１に記載の方法。
[付記４]
前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することは、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価されるまで、前記所定の条件を満たすように前記第１及び第２の電極間に印加される電圧を調整することを含む
ことを特徴とする付記１に記載の方法。
[付記５]
前記決定された電圧を記憶することをさらに備えた
ことを特徴とする付記１に記載の方法。
[付記６]
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタは、集積回路装置内に設けられている
ことを特徴とする付記１に記載の方法。
[付記７]
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、前記集積回路装置外で行われる
ことを特徴とする付記６に記載の方法。
[付記８]
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、前記集積回路装置内で行われる
ことを特徴とする付記６に記載の方法。
[付記９]
前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することは、前記集積回路装置外で行われる
ことを特徴とする付記６に記載の方法。
[付記１０]
前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することは、前記集積回路装置内で行われる
ことを特徴とする付記６に記載の方法。
[付記１１]
第１及び第２の電極を有し、前記第１及び第２の電極間に印加される電圧に応じてキャパシタンスが変化するＭＥＭＳ可変キャパシタと、
前記第１及び第２の電極間に電圧を印加する電圧印加部と、
前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価する評価部と、
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価された場合に、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定する印加電圧決定部と、
を備えたことを特徴とする集積回路装置。
[付記１２]
前記ＭＥＭＳ可変キャパシタは、前記第１及び第２の電極間の距離が第１の距離である第１の状態と、前記第１及び第２の電極間の距離が前記第１の距離よりも小さい第２の距離である第２の状態とを有し、
前記評価部は、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタが前記第２の状態であるときに前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしているか否かを評価するように構成されている
ことを特徴とする付記１１に記載の集積回路装置。
[付記１３]
評価部は、前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の範囲内であるか否かを評価するように構成されている
ことを特徴とする付記１１に記載の集積回路装置。
[付記１４]
前記印加電圧決定部は、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価されるまで、前記所定の条件を満たすように前記第１及び第２の電極間に印加される電圧を調整するように構成されている
ことを特徴とする付記１１に記載の集積回路装置。
[付記１５]
前記決定された電圧を記憶する記憶部をさらに備えた
ことを特徴とする付記１１に記載の集積回路装置。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…ＭＥＭＳ可変キャパシタ １１…下地領域
１２…下部電極（第１の電極） １３…上部電極（第２の電極）
１４…絶縁膜 １５…バネ
２０…電圧印加部 ３０…記憶部
４０…制御部 ５０…評価部
６０…印加電圧決定部 ７０…ファンクションテスト部
１００…集積回路装置 ２００…テスト装置

Claims (6)

  1. 第１及び第２の電極を有し、前記第１及び第２の電極間に印加される電圧に応じてキャパシタンスが変化するＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法であって、
    前記第１及び第２の電極間に電圧を印加することと、
    前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することと、
    前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価された場合に、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することと、
    を備えたことを特徴とするＭＥＭＳ可変キャパシタの制御方法。
  2. 前記ＭＥＭＳ可変キャパシタは、前記第１及び第２の電極間の距離が第１の距離である第１の状態と、前記第１及び第２の電極間の距離が前記第１の距離よりも小さい第２の距離である第２の状態とを有し、
    前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタが前記第２の状態であるときに前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしているか否かを評価することを含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価することは、前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の範囲内であるか否かを評価することを含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定することは、前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価されるまで、前記所定の条件を満たすように前記第１及び第２の電極間に印加される電圧を調整することを含む
    ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  5. 前記決定された電圧を記憶することをさらに備えた
    ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 第１及び第２の電極を有し、前記第１及び第２の電極間に印加される電圧に応じてキャパシタンスが変化するＭＥＭＳ可変キャパシタと、
    前記第１及び第２の電極間に電圧を印加する電圧印加部と、
    前記第１及び第２の電極間に電圧を印加した状態で前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが所定の条件を満たしているか否かを評価する評価部と、
    前記ＭＥＭＳ可変キャパシタのキャパシタンスが前記所定の条件を満たしていると評価された場合に、前記第１及び第２の電極間に印加された電圧を前記第１及び第２の電極間に印加すべき電圧として決定する印加電圧決定部と、
    を備えたことを特徴とする集積回路装置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI762580B (zh) * 2017-02-23 2022-05-01 美商應美盛股份有限公司 提供對微機電系統（ｍｅｍｓ）裝置上之外部力之電容感測之系統

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016058695A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 電子デバイス

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003243546A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-31 Wispry, Inc. Micro-electro-mechanical system (mems) variable capacitor apparatuses and related methods
KR100836980B1 (ko) * 2006-02-09 2008-06-10 가부시끼가이샤 도시바 정전형 액튜에이터를 구동하기 위한 회로를 포함하는반도체 집적 회로, ｍｅｍｓ 및 정전형 액튜에이터의 구동방법
JP4477051B2 (ja) * 2007-09-12 2010-06-09 株式会社東芝 半導体集積回路及びｍｅｍｓ型可変容量キャパシタの制御方法
JP5423816B2 (ja) * 2010-02-08 2014-02-19 株式会社村田製作所 可変容量素子
JP5537180B2 (ja) * 2010-02-16 2014-07-02 株式会社東芝 静電型アクチュエータ装置
US9214911B2 (en) * 2012-08-30 2015-12-15 Infineon Technologies Ag System and method for adjusting the sensitivity of a capacitive signal source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI762580B (zh) * 2017-02-23 2022-05-01 美商應美盛股份有限公司 提供對微機電系統（ｍｅｍｓ）裝置上之外部力之電容感測之系統

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