JP2007318967A - 昇圧回路を有する半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 多段構成の昇圧回路において、昇圧制御回路に昇圧倍率設定信号が入力され、昇圧回路の動作初期時には定常時の昇圧倍率よりも低い昇圧倍率が設定され、昇圧回路を制御し、安定に起動した後に定常時の昇圧倍率設定し、所望の昇圧出力を生成する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置のブロック図である。昇圧制御回路100は、昇圧動作に必要なクロック信号であるCLK信号、昇圧回路101を起動させるSTART信号、昇圧回路101の昇圧倍率を設定する倍率設定信号を入力する。昇圧制御回路100は入力した倍率設定信号とCLK信号に基づいて昇圧回路101を制御する制御信号(CLK1A〜CLKNA、CLK1B〜CLKNB)を生成する。そして昇圧制御回路100は、生成した制御信号(CLK1A〜CLKNA、CLK1B〜CLKNB)を昇圧回路101へ出力する。制御信号は、コンデンサ間に配置したスイッチの制御を介してコンデンサの充放電を制御する第一の制御信号(CLK1A〜CLKNA)と、コンデンサに接続しコンデンサの充放電を制御する第二の制御信号(CLK1B〜CLKNB)の2種類を用いる。昇圧回路101は、チャージポンプ回路を有した昇圧回路であり、昇圧制御回路100からの制御信号に基づきスイッチの開閉、クロック信号の供給を行い、コンデンサの充放電がされ、昇圧される。昇圧回路101は、倍率設定信号で設定された昇圧倍率に基づいた昇圧段数に制御して所望の電圧に昇圧する。制御信号の本数は、制御するコンデンサとスイッチの数に応じた本数となる。
図3は本発明の実施の形態2による半導体装置を示している。図3において、昇圧制御回路100、昇圧回路101は図2の説明と同様である。倍数選択回路303は倍率設定信号、カウンタ出力信号を入力して倍率制御信号を昇圧制御回路100へ出力する。カウンタ回路304はCLK信号をカウントして所定の時間T2を計測する。カウンタ回路304の計測の開始はSTART信号によって制御される。所定の時間T2をカウントすると、倍率選択回路303へカウンタ出力信号を出力する。倍率選択回路303はカウンタ出力信号を入力すると倍率を変更する。変更する倍率は、倍率設定信号によって指定される倍率である。所定時間T2の間は、予め定めた倍率が選択されている。昇圧制御回路100は倍率制御信号で指示される倍率を昇圧回路101の昇圧倍率として、昇圧回路101を制御する。
図5は本発明の実施の形態3による半導体装置のブロック図を示している。図5において、昇圧制御回路100、昇圧回路101、倍数選択回路303は上述と同様である。検出回路505にはSTART信号、基準検出電圧、昇圧回路101の出力電圧のフィードバック電圧が入力される。検出回路505の検出信号は倍数選択回路303に入力される。
図8は本発明の昇圧回路101の一例の回路図である。昇圧制御回路100からの制御信号はCLK1A〜CLK5A、CLK1B〜CLK4Bの9本で構成される。CLK1A〜CLK5AはスイッチSW1〜SW5をそれぞれ制御する制御線である。CLK1B〜CLK4Bは昇圧コンデンサC5〜C8に接続され、それぞれ制御する制御線である。コンデンサC9は昇圧出力を安定化させるコンデンサである。スイッチSW1の入力端は電源に接続されている。CLK1A〜CLK5AはVDDかまたはCLK信号が供給される。CLK1AがVDDの場合はその信号に対応するスイッチが導通したままになる。CLK1B〜CLK4BはGNDかまたはCLK信号(まはたCLK信号の反転信号)が供給される。スイッチSW1からSW5は制御信号のCLK信号(まはたCLK信号の反転信号)に応じて開閉動作をする。コンデンサC5からC8は制御信号のCLK信号(まはたCLK信号の反転信号)に応じて充放電を行う。スイッチの開閉とCLK信号により、コンデンサC5〜C8は順次電荷がチャージされていき昇圧される。昇圧回路101はこのようなチャージポンプ回路を用いた昇圧回路である。
101 昇圧回路
303 倍数選択回路
304 カウンタ回路
505 検出回路
D1、D2、D3、D4 ダイオード
3a、3b クロック信号入力端子
Claims (9)
- コンデンサを用いて入力電圧を昇圧して、前記入力電圧より高い昇圧電圧を生成する昇圧回路において、前記入力電圧が印加される入力端子と前記昇圧電圧が出力される出力端子と前記入力端子と前記出力端子との間に直列接続されたn個(但し、nは1以上の整数)のスイッチと、前記スイッチ各々の一方の電極にそれぞれ接続され、所望の昇圧電圧に応じてコンデンサが接続される複数のコンデンサ接続端子と、前記複数のスイッチに対応する制御信号を出力する昇圧制御回路を有し、前記昇圧制御回路には昇圧倍率設定信号が入力され、前記昇圧回路の動作初期時には前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率よりも低い昇圧倍率設定によって動作させ、安定に起動した後に前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率設定し、前記所望の昇圧出力を生成することを特徴とする昇圧回路を有する半導体装置。
- コンデンサを用いて入力電圧を昇圧して、接地電圧より低い負電圧の昇圧電圧を生成する負昇圧回路において、前記入力電圧が印加される入力端子と前記昇圧電圧が出力される出力端子と前記入力端子と前記出力端子との間に直列接続されたn個(但し、nは1以上の整数)のスイッチと、前記スイッチ各々の一方の電極にそれぞれ接続され、所望の昇圧電圧に応じてコンデンサが接続される複数のコンデンサ接続端子と、前記複数のスイッチに対応する制御信号を出力する昇圧制御回路を有し、前記昇圧制御回路には昇圧倍率設定信号が入力され、前記昇圧回路の動作初期時には前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率よりも低い昇圧倍率設定で動作させ、安定に起動した後に前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率設定し、所望の昇圧出力を生成することを特徴とする昇圧回路を有する半導体装置。
- 前記昇圧回路の起動開始からの時間をカウントするカウンタ回路と、前記カウンタ回路からの出力信号により前記昇圧回路の昇圧倍率を選択する倍率選択回路と、をさらに有し、前記昇圧制御回路は、前記倍率選択回路の倍率設定に従い昇圧動作を制御し、前記昇圧回路の動作初期時には前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率よりも低い昇圧倍率設定によって前記昇圧回路を動作させ、一定時間後に前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率設定に切り替え、前記昇圧回路に所望の昇圧出力を生成させる制御をすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の昇圧回路を有する半導体装置。
- 前記昇圧回路の出力電圧を検知する検出回路と、前記検出回路からの出力信号により前記昇圧回路の昇圧倍率を選択する倍率選択回路と、をさらに有し、前記昇圧制御回路は、前記倍率選択回路の倍率設定に従い昇圧動作を制御し、動作初期時には前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率よりも低い昇圧倍率設定で動作させ、前記昇圧回路の出力が検出電圧以上になると前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率設定に切り替えて前記昇圧回路に所望の昇圧出力を生成させる制御を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の昇圧回路を有する半導体装置。
- 前記昇圧倍率を複数の昇圧倍率設定を経て前記所望の昇圧電圧に対応する倍率設定を行い所望の昇圧出力を生成する請求項1から4のいずれか一に記載の昇圧回路を有する半導体装置。
- 前記昇圧スイッチがMOSトランジスタで構成され、前記制御回路から出力する制御信号により前記MOSトランジスタをON/OFFさせることにより、昇圧段数の変更と昇圧動作ができることを特徴とする請求項1から5のいずれか一に記載の昇圧回路を有する半導体装置。
- コンデンサの充放電を制御して昇圧電圧を生成する昇圧回路を有する半導体装置において、
前記コンデンサ間の充放電を制御するために前記コンデンサの端子間に配置されたスイッチと、
昇圧倍率を入力し、該昇圧倍率に基づいて、前記スイッチに入力され前記スイッチを制御する第一の制御信号と、前記コンデンサの他端子に入力し前記コンデンサの充放電を制御する第二の制御信号との2種類の制御信号を生成し、前記昇圧回路に前記制御信号を出力し、前記昇圧電圧が所定の電圧になるように前記昇圧回路を制御する昇圧制御回路と、を有し、
前記昇圧制御回路は、前記昇圧回路の動作を開始させてからの所定の時間の間に前記所望の昇圧電圧に対応する昇圧倍率以下の昇圧倍率によって昇圧を行うことを特徴とする昇圧回路を有する半導体装置。 - 前記昇圧制御回路は、前記所定の時間が経過するまでは予め設定値が固定された第一の昇圧倍率で昇圧し、所定の時間経過後に前記所望の電圧に対応する昇圧倍率で昇圧するように制御することを特徴とする請求項7に記載の昇圧回路を有する半導体装置。
- 前記昇圧回路は前記コンデンサと前記スイッチを具備したチャージポンプ回路を有し、前記第一の制御信号と前記第二の制御信号は、前記倍率の変化に連動して、信号が変化することを特徴とする請求項7に記載の昇圧回路を有する半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006148447A JP2007318967A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 昇圧回路を有する半導体装置 |
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JP2006148447A Withdrawn JP2007318967A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 昇圧回路を有する半導体装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103051168A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-17 | 常州龙驰新能源汽车技术有限公司 | 一种车载低压dcdc转换器启动时的充电保护方法 |
JP2015029422A (ja) * | 2014-11-13 | 2015-02-12 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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2006
- 2006-05-29 JP JP2006148447A patent/JP2007318967A/ja not_active Withdrawn
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