JP2008543059A - 積層化集積回路を備えた集積回路パッケージとそのための方法 - Google Patents
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Abstract
集積回路パッケージ内で集積回路ダイを積層化するための改良された技術が開示される。これらの改良された技術によれば、集積回路パッケージ内の集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良した積層化技術によれば、従来の接合技術を用いて種々の集積回路ダイを互いに、又は基板に電気的に接続することができる。これら改良された方法は、同じサイズ(多くの場合同じ機能)の集積回路ダイを集積回路パッケージ内に積層化するのに特に有用である。そのような集積回路パッケージの一例として、積層体内に配置される複数の類似したサイズのメモリ保存集積回路ダイを備えた不揮発性メモリ集積回路パッケージが挙げられる。
Description
本発明は、集積回路パッケージに関し、より具体的には、積層化集積回路を備えた集積回路パッケージに関する。
メモリ集積回路(IC)パッケージがより小さくなり、そのメモリ密度がより大きくなる傾向が進むにつれて、パッケージ集積回路の進歩が求められる。最近の進歩の一つとして、単一のICパッケージ内に複数の集積回路ダイを積層化することが挙げられる。一つの方法において、そのような積層化として、より大きなダイ上に、より小さなダイを積層化することが挙げられる。各ダイは、基板にワイヤボンディングされる。ワイヤボンディングの使用は、各ダイのボンディングパッドへのアクセスの利用を必要とする。そのため、下方のダイ上に積層化される場合、上方のダイは、下方のダイのボンディングパッドへのアクセスを妨げることのないように小さくしなければならない。この種の積層化は、例えば、同じ機能のダイ(例えば、二個のフラッシュメモリダイ)、又は異なる機能のダイ(例えば、一個のフラッシュメモリダイと一個のSRAMダイ)を用いて行われてきた。二つ又は三つのダイの積層化は、積層化チップ・スケール・パッケージ(積層化CSP)と、積層化薄型スモールアウトラインパッケージ(TSOP)とを用いて行われてきた。別の方法において、複数のダイの間にスペーサ、即ち比較的厚い絶縁体を配置することによって、類似サイズのダイを積層化することができる。スペーサは、ワイヤボンディングを実施できるように下方のダイに十分な空間を提供する。しかしながら、そのスペーサによって、集積回路パッケージをより厚くしてしまうか、又は所定サイズの集積回路パッケージ内に取り付けられるダイの数を制限してしまう。
図1は、集積回路ダイの積層体を備えた従来の集積回路パッケージ100の断面図である。集積回路パッケージ100は基板102を含む。一対の集積回路ダイ104,106は、基板102上に積層化されているが、スペーサダイ108によって分離されている。スペーサダイ108は、通常、集積回路ダイ104及び106と同じ厚さを有している。しかしながら、スペーサダイ108の幅は、通常、下方の集積回路ダイ104のボンディングパッドがワイヤ110を介して基板102にワイヤボンディングされるように、集積回路ダイ104,106の幅よりも小さい。また、上方の集積回路ダイ106は、ワイヤ112を介して基板102にもワイヤボンディングされる。従って、集積回路ダイ104,106間にスペーサダイ108を提供することによって、集積回路パッケージ100を、複数の類似サイズの集積回路ダイによって構成することができる。しかし、スペーサダイ108は、集積回路パッケージ100の全体の高さを増加させてしまう。結果として、集積回路パッケージの全高が制約される場合、集積回路チップの積層化を容易にするスペーサダイの存在により、集積回路パッケージ内に提供される集積回路ダイの数が制限されてしまう。
従って、集積回路パッケージ内に集積回路ダイを積層化するための改良された技術を提供することが求められている。
概括的に言うと、本発明は、集積回路パッケージ内に集積回路ダイを積層化するための改良された技術を提供する。これらの改良技術により、集積回路パッケージ内における集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良された積層化技術によって互いに、又は基板に種々の集積回路ダイを電気的に接続する従来のボンディング技術が可能になる。更に改良された積層化技術により、複数の積層化集積回路ダイを備えた集積回路パッケージの作製に要求される工程数を実質的に減らす。
本発明は、システム、装置、デバイス又は方法などの多数の方法により実施することができる。本発明の幾つかの実施形態を以下で述べる。
集積回路パッケージとして、本発明の一実施形態は、少なくとも、オフセット積層体において各集積回路ダイの間にスペーサダイを備えない集積回路ダイのオフセット積層体と、そのオフセット積層体を支持する基板とを含み、オフセット積層体は基板に接合されている。
集積回路パッケージとして、本発明の一実施形態は、少なくとも、オフセット積層体において各集積回路ダイの間にスペーサダイを備えない集積回路ダイのオフセット積層体と、そのオフセット積層体を支持する基板とを含み、オフセット積層体は基板に接合されている。
集積回路パッケージとして、本発明の別の実施形態は、少なくとも、複数の基板ボンディング領域を備える基板と、活性表面及び非活性面を有する第一集積回路ダイであって、非活性面は基板に付着され、第一集積回路ダイの活性面は、活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くはないが、少なくとも一つに配置される第一ボンディングパッドを備えることと、第一ボンディングパッドと一又は複数の基板ボンディング領域との間に提供される第一ワイヤボンディングと、第一集積回路ダイの活性面の少なくとも一部の上部に提供される第一接着剤層と、活性面及び非活性面を有する第二集積回路ダイであって、第二集積回路ダイの非活性面は第一接着剤層によって第一集積回路ダイの活性面に付着され、第二集積回路ダイの活性面は活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くはないが、少なくとも一つに配置される第二ボンディングパッドを備えることとを含む。第二集積回路ダイは、第二集積回路ダイが第一集積回路ダイの第一ボンディングパッド上に付着されないようにオフセット様式で第一集積回路ダイに対し付着されている。
集積回路パッケージとして、本発明の別の実施形態は、少なくとも、複数の基板ボンディング領域を有する基板と、活性面及び非活性面を有する第一集積回路ダイであって、非活性面は基板に付着され、第一集積回路ダイの活性面は活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くはないが、少なくとも一つに配置される第一ボンディングパッドを備えることと、第一ボンディングパッドと一又は複数の基板ボンディング領域との間に提供される第一ワイヤボンディングと、活性面及び非活性面を有する第二集積回路ダイであって、第二集積回路ダイの非活性面は第一集積回路ダイの活性面に付着され、第二集積回路ダイの活性面は活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くはないが、少なくとも一つに配置される第二ボンディングパッドを備えることとを含む。第二集積回路ダイは、第二集積回路ダイが第一集積回路ダイの第一ボンディングパッド上に付着されないようにオフセット様式で第一集積回路ダイに対し付着されている。
メモリ集積回路パッケージとして、本発明の一実施形態は、少なくとも、複数の基板ボンディング領域を有する基板と、活性面及び非活性面を有する第一メモリダイであって、非活性面は基板に付着され、第一メモリダイの活性面は活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くはないが、少なくとも一つに配置される第一ボンディングパッドを備えることと、第一ボンディングパッドと一又は複数の基板ボンディング領域との間に提供される第一ワイヤボンディングと、第一メモリダイの活性面の少なくとも一部の上部に提供される第一接着剤層と、活性面及び非活性面を有する第二メモリダイであって、第二メモリダイの非活性面は第一接着剤層によって第一メモリダイの活性面に付着され、第二メモリダイの活性面は活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置される第二ボンディングパッドを備え、第二メモリダイは、第二メモリダイが第一メモリダイの第一ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で第一メモリダイに対し付着されることと、第二ボンディングと一又は複数の基板ボンディング領域又は第一ボンディングパッドとの間に提供される第二ワイヤボンディングと、第二メモリダイの活性面の少なくとも一部の上部に提供される第二接着剤層と、活性面及び非活性面を有する第三メモリダイであって、第三メモリダイの非活性面は、第二接着剤層によって第二メモリダイの活性面に付着され、第三メモリダイの活性面は活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くはないが少なくとも一つに配置された第二ボンディングパッドを備え、第三メモリダイは、第三メモリダイが第二メモリダイの第二ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で第二メモリダイに対し付着されることと、第三ボンディングパッドと一又は複数の基板ボンディング領域、第一ボンディングパッド又は第二ボンディングパッドとの間に提供される第三ワイヤボンディングと、第三メモリダイの活性面の少なくとも一部の上部に提供される第三接着剤層と、活性面及び非活性面を有する第四メモリダイであって、第四メモリダイの非活性面は第三接着剤層によって第三メモリダイの活性面に付着され、第四メモリダイの活性面は活性面上に配置された第四ボンディングパッドを備え、第四メモリダイは、第四メモリダイが第三メモリダイの第三ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で第三メモリダイに対し付着されることとを含む。
複数の積層化集積回路ダイを備えた集積回路パッケージを形成する方法として、本発明の一実施形態は、複数の電気ボンディング領域を有する基板を取得するステップと、ボンディングパッドの組をそれぞれ有する第一、第二、第三及び第四集積回路ダイを取得するステップであって、第一、第二及び第三の集積回路ダイのボンディングパッドは二つの側部より多くはないが、少なくとも一つに限定されるステップと、基板に対して第一の集積回路ダイを配置するステップと、第一及び第二の集積回路ダイ間で用いられる第一接着剤を提供するステップと、その中間の第一接着剤によって第一集積回路ダイ上に第二集積回路ダイをオフセット様式で配置するステップと、第二及び第三の集積回路ダイ間に用いられる第二接着剤を提供するステップと、その中間の第二接着剤によって第二集積回路ダイ上に第三接着剤をオフセット様式で配置するステップと、第三及び第四集積回路ダイの間に用いる第三接着剤を提供するステップと、その中間の第三接着剤によって第三集積回路ダイ上に第四集積回路ダイをオフセット様式で配置するステップと、第一接着剤、第二接着剤及び第三接着剤を同時に硬化させるステップと、次いで、第一集積回路ダイ、第二集積回路ダイ、第三集積回路ダイ、及び第四集積回路ダイのボンディングパッドを電気ボンディング領域及び/又は互いにワイヤボンディングするステップとを含む。
本発明の他の側面と利点は、本発明の原理を例示する添付の図面と共に以下の詳細な説明から明らかになる。
本発明は、集積回路パッケージ内に集積回路ダイを積層化するための改良された技術を提供する。これらの改良技術により、集積回路パッケージ内の集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良された積層化技術によって、種々の集積回路ダイを互いに、又は基板に対して従来のボンディング技法で電気的に接続することができる。更に一層改良された積層化技術によって、複数の積層化集積回路ダイを備えた集積回路パッケージの作製に必要な工程数を実質的に減らすことができる。
本発明は、集積回路パッケージ内に集積回路ダイを積層化するための改良された技術を提供する。これらの改良技術により、集積回路パッケージ内の集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良された積層化技術によって、種々の集積回路ダイを互いに、又は基板に対して従来のボンディング技法で電気的に接続することができる。更に一層改良された積層化技術によって、複数の積層化集積回路ダイを備えた集積回路パッケージの作製に必要な工程数を実質的に減らすことができる。
これらの技術は、得られる集積回路パッケージがより大きな有用性(即ち、より大きな機能性やより大きな容量)を提供するとの理由から、薄型の集積回路パッケージにとって特に有用である。これらの改良方法は、集積回路パッケージと同じサイズ(及び多くは同じ機能)の集積回路チップを積層化するのに特に有用である。このような集積回路パッケージの一例として、スペーサを必要とせず基板に積層化された複数の類似サイズのメモリ保存集積回路チップを含む非揮発性メモリ集積回路パッケージがある。
本発明は、添付の図面と共に以下の詳細な説明によって容易に理解される。図中、類似の部材番号は、類似の構造要素を示す。以下、本発明の実施形態について図2〜図10を参照して説明する。しかしながら、本発明の範囲がこれらの限定された実施形態よりも広範囲に及ぶものとして、これらの図面に関する本明細書中の詳細な説明が例示目的であることは、当業者にとって明らかである。
図2は、本発明の一実施形態に従う集積回路パッケージ200の断面図である。集積回路パッケージ200は基板202を含む。基板202は実施例に応じて変更してもよい。例えば、基板202は、プリント基板、セラミック基板、リードフレーム、又はテープからなる。
基板202上には、複数の集積回路ダイが積層化される。必須ではないが、本実施形態において、全ての集積回路ダイは同じサイズである。集積回路ダイの機能は、全て同じであってもよく、或いは一部又は全てが異なっていてもよい。より具体的には、本実施形態において、第一集積回路ダイ204は、基板202上において積層化される。第一集積回路ダイ204は、接着剤層203によって定位置に保持することができる。第二集積回路ダイ206は、第一集積回路ダイ204上に積層化される。しかし、第二集積回路ダイ206は、第一集積回路ダイ204上において完全には整列されていない。代わりに、第二集積回路ダイ206は、オフセット様式で第一集積回路ダイ204上に積層化されている。図2に示すように、第二集積回路ダイ206は、第一集積回路ダイ204の全幅に対し比較的小さな部分だけ右側にオフセットされている。第二集積回路ダイ206は、接着剤層205によって定位置に保持することができる。更に第三集積回路ダイ208は、オフセット様式で第二集積回路ダイ206上に積層化される。この場合第三集積回路ダイ208は、第二集積回路ダイ206に対して右側にオフセットされている。第三集積回路ダイ208は、接着剤層207によって定位置に保持することができる。更に第四集積回路ダイ210は、オフセット様式で第三集積回路ダイ208上に積層化される。第四集積回路ダイ210は第三集積回路ダイ208に対して右側にオフセットされている。第四集積回路ダイ210は、接着剤層209によって定位置に保持することができる。本実施形態において、集積回路ダイ204〜210の積層体は階段式積層体と称される。
各集積回路ダイ204〜210は、いずれもワイヤボンディング工程によって形成されるワイヤによって基板202に対し電気的に接続することができる。各集積回路ダイ204〜210の上面(又は活性面)の少なくとも一側部上にはボンディングパッドが設けられている。これらのボンディングパッドは、集積回路ダイ204〜210を基板202に電気的に接続するために用いられる。より具体的には、第一集積回路ダイ204は、ワイヤ212を介して基板202にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第二集積回路ダイ206は、ワイヤ214を介して基板202にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第三集積回路ダイ208は、ワイヤ216を介して基板202にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第四集積回路ダイ210は、ワイヤ218を介して基板202にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。
本実施形態において、図2は、基板202のボンディング領域にそれぞれ接合される集積回路ダイ204〜210のボンディングパッドを例示する。しかし、他の実施形態において、特に集積回路ダイ204〜210が同じ機能を有する場合、ボンディング工程は、基板202のボンディング領域と共に、各集積回路ダイ204〜210のボンディングパッドを共に接合することができる。即ち、集積回路ダイ204〜210が同じ機能を有する場合、各集積回路ダイ204〜210上の対応ボンディングパッドは同じ電気機能を示すため、それゆえに、互いに接合することができる。このような別の接合配置を図5において例示する。
図3は、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ300の断面図である。集積回路パッケージ300は、基板302と、基板302上に積層化された複数の集積回路ダイとを含む。より具体的には、本実施形態において、第一集積回路ダイ304は基板302上に積層化される。第一集積回路ダイ304は、接着剤層303によって定位置に保持することができる。第二集積回路ダイ306は、第一集積回路ダイ304上に積層化される。しかし、第二集積回路ダイ306は、第一集積回路ダイ304上において完全には整列されていない。代わりに、第二集積回路ダイ306は、オフセット様式で第一集積回路ダイ304上に積層化される。図3に示すように、第二集積回路ダイ306は、第一集積回路ダイ304の全幅に対して比較的小さな部分だけ右側にオフセットされている。第二集積回路ダイ306は、接着剤層305によって定位置に保持することができる。更に第三集積回路ダイ308は、オフセット様式で第二集積回路ダイ306上に積層化される。この場合の第三集積回路ダイ308は、第二集積回路ダイ306の全幅に対して比較的小さな部分だけ左側にオフセットされている。第三集積回路ダイ308は、接着剤層307によって定位置に保持することができる。更に第四集積回路ダイ310は、オフセット様式で第三集積回路ダイ308上に積層化される。第四集積回路ダイ310は、第三集積回路ダイ308に対して右側にオフセットされている。第四集積回路ダイ310は、接着剤層309によって定位置に保持することができる。本実施形態において、集積回路ダイ304〜310の積層体は、オフセットの方向が互い違いであるため、スタガード式積層体と称される。
各集積回路ダイ304〜310は、いずれもワイヤボンディング工程によって形成されるワイヤによって、基板302に対し電気的に接続することができる。各集積回路ダイ304〜310の上面(又は活性面)の少なくとも一側部上には、ボンディングパッドが設けられている。これらのボンディングパッドは、集積回路ダイ304〜310を基板302に対し電気的に接続するために用いられる。より具体的には、第一集積回路ダイ304は、ワイヤ312を介して基板302にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第二集積回路ダイ306は、ワイヤ314を介して基板302にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第三集積回路ダイ308は、ワイヤ316を介して基板302にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第四集積回路ダイ310は、ワイヤ318を介して基板302にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。
通常、積層化される集積回路ダイの間には接着剤層などのダイ接着材料が存在しているが、そのようなダイ接着材料は一般的に周知であり、かなり薄くされている。集積回路を基板又は他の集積回路に接着するために用いられる接着剤層は、約0.025mm(〜1ミル)の厚さを有するドライフィルム接着剤であってもよい。上述した集積回路パッケージ200,300は、集積回路を基板又は他の集積回路に接着するための接着剤層を用いたが、集積回路は他の方法で接着することもできる。いずれにせよ、図5〜図8Bにおいて以下に説明する他の実施形態では接着剤層を示さないが、図2及び図3における実施形態と類似の方法で用いることができる。
必須ではないが、図2及び図3に示す実施形態において、全ての集積回路ダイは同じサイズである。集積回路ダイの機能は全て同じであってもよく、又は一部又は全てが異なっていてもよい。
集積回路パッケージ内に集積回路ダイを積層化する主要な利点として、集積回路パッケージ内における集積回路ダイ密度の増大が挙げられる。集積回路ダイ密度の増大によって、データ記憶密度をより大きくしたり、又は処理力をより大きくしたりすることができる。本発明によれば、積層体内において隣接する集積回路ダイ間にスペーサを用いることはない。
従来の集積回路ダイは、通常、集積回路ダイの少なくとも二つの対向する側部に、場合によっては集積回路ダイの四つの側部全てに配置されるボンディングパッドを備えている。結果として、ボンディングパッドの位置は、積層化を容易にするために変更してもよい。そうした変更は、通常、集積回路ダイの二つの対向しない側部より多くはないが、集積回路ダイの少なくとも一つの側部に、ボンディングパッドのうちの一部又は全てを再配置するのに有用である。そのような変更を実行するための技術は、ボンディングパッド再分配と称される。
図4A、図4B、図4Cは、ボンディングパッド再分配工程と関連する集積回路ダイの平面を示す線図である。
図4Aは、ボンディングパッドを再分配する前の集積回路ダイ400の平面図である。集積回路ダイ400は上面402を備える。集積回路ダイ400は、第一側部404、第二側部406、第三側部408、及び第四側部410を備える。図4Aに示すように、ボンディングパッド412の第1組は、第三側部408に最も近い上面402上において整列され、ボンディングパッド414の第2組は、第四側部410に最も近い上面402上において整列されている。
図4Aは、ボンディングパッドを再分配する前の集積回路ダイ400の平面図である。集積回路ダイ400は上面402を備える。集積回路ダイ400は、第一側部404、第二側部406、第三側部408、及び第四側部410を備える。図4Aに示すように、ボンディングパッド412の第1組は、第三側部408に最も近い上面402上において整列され、ボンディングパッド414の第2組は、第四側部410に最も近い上面402上において整列されている。
集積回路ダイ400の上面402上にあるボンディングパッド412,414は、対向する側部に設けられているため、集積回路ダイ400は、図2及び図3に示す集積回路パッケージ200,300での使用に適していない。しかしながら、図2及び図3に示す集積回路パッケージ200,300での使用に適合させるため、集積回路ダイ400をボンディングパッド再分配工程によって適合させることができる。
図4Bは、ボンディングパッド再分配工程を受けている集積回路ダイ420の平面図である。本実施例におけるボンディングパッド再分配工程は、第四側部410から第二側部408にボンディングパッド414を再分配するように機能する。そうすることで、金属配線416は、最初のボンディングパッド414を新規のボンディングパッド418に対し電気的に接続するため上面402上に提供される。通常、金属配線416は、上面402上において保護層の間に配置される。以下に、ボンディングパッド再分配処理について図10を参照して更に詳細に論ずる。
本実施例において注目すべきは、新ボンディングパッド418が第二側部408において最初のボンディングパッド412間に提供されることである。ボンディングパッド412の密度がかなり高い場合、新ボンディングパッド418の挿置が必ず可能であるとは限らない。従って、別の実施形態において、新ボンディングパッド418は、ボンディングパッド412の列に隣接する列として提供される。
図4Cは、ボンディング再分配工程を受けた集積回路ダイ440の平面図である。集積回路ダイ440は、ボンディングパッドが集積回路ダイ440の単一側部、即ち第二側部408に再分配された後の集積回路ダイを示す。
本実施形態において、集積回路ダイ440の全ボンディングパッドは、第三側部408に配置することができた。しかしながら、そのようなことが不可能であれば、ボンディングパッドは、第一側部404又は第二側部406などのより大きな側部に全て再分配されるであろう。別の選択肢として、集積回路ダイの二つの側部が対向する側部でない限り、ボンディングパッドが集積回路ダイの二つの側部に存在したとしても、集積回路ダイを積層化することができる。従って、ボンディングパッドは、第一側部404と第三側部408、第一側部404と第四側部410、第二側部406と第三側部408、又は第二側部406と第四側部410に存在できるであろう。この選択肢では、二つの側部のボンディングパッドへのアクセスが被覆又はブロックされないように、積層化は二つの方向にオフセットされるであろう。
図5は、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ500の断面図である。集積回路パッケージ500は基板502を備える。複数の集積回路ダイ504〜512は、基板502上に積層化される。より具体的には、本実施形態において、第一集積回路ダイ504は、基板502上に積層化される。第二集積回路ダイ506は、第一集積回路ダイ504上に積層化される。しかしながら、図2に示す集積回路パッケージ200のように、第二集積回路ダイ506は、第一集積回路ダイ504上において完全には整列されていない。代わりに、第二集積回路ダイ506は、オフセット様式で第一集積回路ダイ504上に積層化される。第三集積回路ダイ508は、オフセット様式で第二集積回路ダイ506上に積層化される。更に第四集積回路ダイ510は、オフセット様式で第三集積回路ダイ508上に積層化される。本実施形態において、集積回路ダイ504〜510の積層体は階段式積層体と称される。更に、より小さな第五集積回路ダイ512が、第四集積回路ダイ510上に積層化される。第五集積回路ダイ512は、積層体の一部又は積層体と別体とみなすことができる。
必須ではないが、集積回路ダイ504〜510のうちの一部又は全てが同じサイズであってもよい。集積回路ダイの機能は全て同じ、或いは一部又は全てが異なっていてもよい。一実施形態において、集積回路ダイ504〜510は、全て同じサイズであるとともに同じ機能を実行する。しかしながら、第五集積回路ダイ512は実質的により小さなダイであり、集積回路ダイ504〜510と異なる機能を実行することが多い。
各集積回路ダイ504〜512は全て、ワイヤボンディング工程によって形成されるワイヤによって基板502に対し電気的に接続することができる。各集積回路ダイ504〜512の上面の少なくとも一側部には、ボンディングパッドが設けられている。これらのボンディングパッドは、集積回路ダイ504〜512を基板502に対し電気的に接続するために用いられる。
本実施例において、各集積回路ダイ504〜510は、同じ機能及び同じサイズを有している。従って、図5に示すように、ワイヤボンディングは、類似機能のボンディングパッドを互いに電気的に接続する。例えば、各集積回路ダイ504〜510上の対応するボンディングパッドは互いに接合されるとともに、ボンディングパッド514〜520によって基板502に接合されるであろう。即ち、集積回路ダイ510上の特定のボンディングパッドは、ワイヤ522を介して集積回路ダイ508上の対をなすボンディングパッドに対しワイヤボンディングされるであろう。集積回路ダイ508上の対をなすボンディングパッドは、ワイヤ518を介して集積回路ダイ506上の対をなすボンディングパッドに対しワイヤボンディングされるであろう。同様に、集積回路ダイ506上の対をなすボンディングパッドは、ワイヤ516を介して集積回路ダイ504上の対をなすボンディングパッドに対しワイヤボンディングされるであろう。最後に、集積回路ダイ504上の対をなすボンディングパッドは、ワイヤ514を介して基板502上のボンディング領域に対しワイヤボンディングされるであろう。更に第五集積回路ダイ512は、ワイヤ522を介して基板502に対しワイヤボンディングすることができる。
一実施例において、集積回路パッケージ500はメモリ集積回路パッケージに関する。メモリ集積回路パッケージはメモリカードと称される。そのような実施形態において、集積回路ダイ504〜510は通常、データ保存を提供するメモリダイであり、第五集積回路ダイ512は、メモリダイへのアクセスを制御する制御装置である。本発明に従う積層化技術によれば、集積回路パッケージ500が小型で、かつ薄型のメモリ製品であり続けることができ、しかも高いデータ記憶容量を提供することができる。一例として、集積回路パッケージ500の外形は1.0mm未満のパッケージ高さを有することができ、しかも、一ギガバイト(GB)以上のデータ記憶量を提供することができる。実施形態によっては、二つのボンディングワイヤを収容すべくボンディングパッドを僅かに移動させるか、或いはボンディングパッドのサイズを増加させることが望ましい場合もある。これにより、図4A、図4B及び図4Cに関して前述したボンディングパッド再分配工程の一部として達成することができる。
図6は、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ600の断面図である。集積回路パッケージ600は、図5に示す集積回路パッケージ500と同じように機能する。しかし、図5で用いられる階段式積層体とは異なり、集積回路パッケージ600はスタガード式積層体が用いられる。集積回路パッケージ600は、また、集積回路パッケージ600が更に別の集積回路ダイを備えることを除いて、図3に示す集積回路パッケージ300と全般的に類似している。
集積回路パッケージ600は、基板602と、基板602上に積層化された複数の集積回路ダイとを含む。より具体的には、本実施形態において、第一集積回路ダイ604は、基板602上に積層化される。第二集積回路ダイ606はオフセット様式で第一集積回路ダイ604上に積層化される。第三集積回路ダイ608は、オフセット様式で第二集積回路ダイ606上に積層化される。更に第四集積回路ダイ610は、オフセット様式で第三集積回路ダイ608上に積層化される。本実施形態において、集積回路ダイ604〜610の積層体は、オフセットの方向が互い違いであるため、スタガード式積層体と称される。更に集積回路パッケージ600は第五集積回路ダイ612を備える。第五集積回路ダイ612は、第四集積回路ダイ610上に積層化される。本実施形態において、第五集積回路ダイ612は、集積回路ダイ604〜610よりも小さい。第五集積回路ダイ612は、積層体の一部又は積層体と別体とみなすことができる。
各集積回路ダイ604〜612は全て、ワイヤボンディング工程によって形成されるワイヤによって基板602に対し電気的に接続することができる。各集積回路ダイ604〜612の上面の少なくとも一側部には、ボンディングパッドが設けられている。これらのボンディングパッドは、集積回路ダイ604〜612を基板602に対し電気的に接続するために用いられる。より具体的には、第一集積回路ダイ604は、ワイヤ614を介して基板602にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第二集積回路ダイ606は、ワイヤ616を介して基板602にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第三集積回路ダイ608は、ワイヤ618を介して基板602にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。第四集積回路ダイ610は、ワイヤ620を介して基板602にワイヤボンディングされるボンディングパッドを備える。
必須ではないが、一部又は全ての集積回路ダイ604〜610は同じサイズであってもよい。集積回路ダイの機能は、全て同じであってもよく、或いは一部又は全てが異なっていてもよい。
一実施形態において、集積回路ダイ604〜610は、全て同じサイズであるとともに同じ機能を実行する。しかしながら、第五集積回路ダイ612は実質的により小さなダイであり、集積回路ダイ604〜610と異なる機能を実行することが多い。
一実施例において、集積回路パッケージ600はメモリ集積回路パッケージに関する。メモリ集積回路パッケージはメモリカードと称される。そのような実施形態において、集積回路ダイ604〜610は通常、データ保存を提供するメモリダイであり、第五集積回路ダイ612はメモリダイへのアクセスを制御する制御装置である。本発明に従う積層化技術によれば、集積回路パッケージ600が小型で、かつ薄型のメモリ製品であり続けることができ、しかも高いデータ記憶容量を提供することができる。一例として、集積回路パッケージ600の外形は1.0mm未満のパッケージ高さを有することができ、しかも、1GB以上のデータ記憶量を提供することができる。
図7A〜図7Dは、本発明の他の実施形態に従う集積回路パッケージの断面図である。これらの集積回路パッケージは、集積回路の積層体と、その積層体と別体の少なくとも一つの他の集積回路とを備える。
図7Aは、本発明の一実施形態に従う集積回路パッケージ700の断面図である。集積回路パッケージ700は、基板702と、積層で配置された複数の集積回路ダイ704〜710とを備える。積層体は、図2の積層と同じものが用いられる。集積回路ダイ704〜710は、共にワイヤボンディングされるか、ワイヤ712〜718を介して基板にワイヤボンディングされるかの少なくとも一つである。また、集積回路パッケージ700は、更に別の集積回路ダイ720を備える。追加集積回路ダイ720は基板702に付着されるとともに、ワイヤ722を介して基板702にワイヤボンディングされる。図7Aに示すように、追加集積回路ダイ720の少なくとも一部は、積層体に関連する張出部724の下方に配置されている。積層体の張出部724の下方に追加集積回路ダイ720の少なくとも一部を配置する利点として、集積回路パッケージ700の集積回路密度の増大が挙げられる。結果として、集積回路パッケージ700は、より多くの集積回路を収容することができ、しかも小さくコンパクトな外形寸法を有することができる。
図7Bは、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ740の断面図である。集積回路パッケージ740は、追加集積回路720がワイヤ722だけでなくワイヤ742も介して追加集積回路パッケージ740の対向する側部上のボンディングパッドから基板702にワイヤボンディングされることを除いて、集積回路パッケージ700に類似している。
図7Cは、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ760の断面図である。集積回路パッケージ760は、集積回路パッケージ760が更に少なくとも一つの受動電気素子762を備えることを除いて、集積回路パッケージ700に類似している。受動電気素子762は、例えば、レジスタ、コンデンサ又は誘導子である。受動電気素子762は、一実施形態において、積層の張出部724の下方に配置することができる。積層の張出部724の下方に受動電気素子762を配置する利点として、集積回路が小さくコンパクトな外形寸法を備えることに加え、集積回路パッケージ700が一又は複数の受動電気素子を収容できることが挙げられる。
図7Dは、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ780の断面図である。集積回路パッケージ780は、集積回路780が更に第二の追加集積回路ダイ782を備えることを除いて、図7Bに示す集積回路パッケージ740に類似している。第二の追加集積回路ダイ782は、追加集積回路ダイ720よりも小さく、追加集積回路ダイ720上に積層化されている。第二の追加集積回路ダイ782は、ワイヤ784を介して例えば基板702にワイヤボンディングされる。
図8A及び図8Bは、集積回路の積層体と、積層体とは別体の少なくとも一つの他の集積回路とを備えた他の集積回路パッケージの断面図である。
図8Aは、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ800の断面図である。集積回路パッケージ800は、基板802と、積層体中に配置された複数の集積回路ダイ804〜810とを備える。積層化は、図2の積層体と同じものが用いられる。集積回路ダイ804〜810は、ワイヤ812〜818を介して共にワイヤボンディングされるか、基板802にワイヤボンディングされるかの少なくとも一つである。また、集積回路パッケージ800は、更に別の集積回路ダイ820を備える。集積回路ダイ820は、ハンダバンプ(ボール)822によって基板802に付着される(即ちボールボンディング)。図8Aに示すように、追加集積回路ダイ820の少なくとも一部は、積層体に関連する張出部824の下方に配置されている。積層体の張出部824の下方に追加集積回路ダイ820の少なくとも一部を配置する利点として、集積回路パッケージ800の集積回路密度の増大が挙げられる。結果として、集積回路パッケージ800は、より多くの集積回路を収容することができ、しかも小さくコンパクトな外形寸法を有することができる。
図8Aは、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ800の断面図である。集積回路パッケージ800は、基板802と、積層体中に配置された複数の集積回路ダイ804〜810とを備える。積層化は、図2の積層体と同じものが用いられる。集積回路ダイ804〜810は、ワイヤ812〜818を介して共にワイヤボンディングされるか、基板802にワイヤボンディングされるかの少なくとも一つである。また、集積回路パッケージ800は、更に別の集積回路ダイ820を備える。集積回路ダイ820は、ハンダバンプ(ボール)822によって基板802に付着される(即ちボールボンディング)。図8Aに示すように、追加集積回路ダイ820の少なくとも一部は、積層体に関連する張出部824の下方に配置されている。積層体の張出部824の下方に追加集積回路ダイ820の少なくとも一部を配置する利点として、集積回路パッケージ800の集積回路密度の増大が挙げられる。結果として、集積回路パッケージ800は、より多くの集積回路を収容することができ、しかも小さくコンパクトな外形寸法を有することができる。
図8Bは、本発明の別の実施形態に従う集積回路パッケージ840の断面図である。集積回路パッケージ840は、集積回路パッケージ840が更に別の第二追加集積回路ダイ842を備えることを除いて、集積回路パッケージ800に類似している。図8Bに示すように、第二追加集積回路ダイ842は、その少なくとも一部を、積層体に関連する張出部824の下方に配置することができる。本実施形態において、第二追加集積回路ダイ842は、追加集積回路ダイ820より小さく、追加集積回路ダイ820上に積層化される。第二追加集積回路ダイ842は、ワイヤ844を介して例えば基板802にワイヤボンディングすることができる。
図9A及び図9Bは、本発明の一実施形態に従うパッケージ組立て処理900のフローチャートである。パッケージ組立て処理900は、四個の集積回路ダイと基板とを使用する。
パッケージ組立て処理900によれば、最初に、基板上に第一集積回路ダイを配列する(902)。この場合、第一集積回路ダイは、接着剤層などによって、基板に付着することができる。次に、第一及び第二の集積回路ダイ間に用いられる第一接着剤量が提供される(904)。その後、第二集積回路ダイがオフセット様式で第一集積回路ダイ上に配置される(906)。上記のようなオフセット様式によれば、第二集積回路ダイの整列を第一集積回路ダイの左側又は右側に部分的に移すことができる。
次に、第二及び第三の集積回路ダイ間に用いられる第二接着剤量が提供される(908)。次に、第三集積回路ダイがオフセット様式で第二集積回路ダイ上に配置される(910)。この場合、オフセットは第二集積回路の僅かに左側又は右側にあってもよい。更に、第三集積回路ダイ及び第四集積回路ダイ間に用いられる第三接着剤量が提供される(912)。第四集積回路ダイがオフセット様式で第三集積回路ダイ上に配置される(914)。この場合もやはりオフセットは第三集積回路の僅かに左側又は右側にあってもよい。この時点で、第一、第二、第三及び第四集積回路ダイは、基板上の積層体内に配置されている。各集積回路ダイ間には、ある程度の量の接着剤が存在している。集積回路ダイ間におけるある程度の量の接着剤は接着剤層と称される。
次に、接着剤が硬化される(916)。通常、これは、接着剤を硬化し、それによって集積回路ダイを固定するため、部分的に形成された集積回路パッケージの加熱を含む。接着剤を硬化した後(916)、第一、第二、第三及び第四集積回路ダイがワイヤボンディングされる(918)。当然のことながら、積層体内の全ての集積回路ダイは、同一の工程中でワイヤボンディングすることが好ましい。例えば、階段式積層体で四個の集積回路ダイを配置する場合、第一、第二、第三及び第四集積回路ダイ、同一の工程段階においてワイヤボンディングすることができる。しかしながら、スタガード式積層体で四個の集積回路ダイを配置する場合、二つの別個のワイヤボンディング工程と、二つの別個の硬化工程が必要とされる(即ち、二個の集積回路ダイを同時にワイヤボンディングする)。
いずれの場合においても、ワイヤボンディング918が完了した後、パッケージを成形することができる(920)。例えば、カプセル材を成形することによって、集積回路パッケージ100用の本体を形成することができる。一実施例において、本体の厚さ(t)は1mmより大きくはなり得ない。従って、集積回路パッケージは薄型の外形を有することができる。モールド/カプセル材の硬化後、パッケージをトリミングすることができる(922)。パッケージのトリミングにより余分な材料が何れも除去され、そうでなければパッケージを仕上げることができる。パッケージの完成後、パッケージ組立て処理900は完了し、終了する。
図10は、本発明の一実施形態に従うボンディングパッド再分配工程のフローチャートである(1000)。ボンディングパッド再分配工程1000によれば、まず、同じサイズで、かつ同じ機能を備えるダイのウエハを取得する(1002)。例えば、集積回路ダイは、同じサイズであり、かつ同じデータ記憶容量を備えるメモリダイである。次に、直接的な積層化を容易にするためにボンディングパッドが再分配される(例えば、階段式積層体やスタガード式積層体)(1004)。図4A〜図4Cに関して前述したように、ボンディングパッドは、積層化を容易にするために一方の側から別の側に再分配することができる。通常、ボンディングパッドは、全てのボンディングパッドが集積回路ダイの単一の側部か、又は二つの側部が対向する側部でなければ多くても集積回路ダイの二つの側部上に存在するように再分配されるであろう。再分配は、複数の工程段階を伴う。一実施例において、これらの工程段階は、(1)まだ存在しなければ、集積回路ダイの上面に保護層を加えるステップと、(2)配線及び新規のボンディングパッドのための保護層を露出及び成長させるステップと、(3)メタライズ層を加えるステップと、(4)成長及びエッチングステップと、(5)任意に保護層を加えるステップと、(6)新規のボンディングパッド部位を提供すべく保護層を成長及びエッチングするステップと、(7)新規のボンディングパッド部位に新規のボンディングパッドを形成するステップとを含む。再分配(1004)後、ボンディングパッド再分配工程(1000)は完了する。
本発明に従う集積回路パッケージは、メモリシステムに使用することができる。本発明は、更に、メモリシステムを備えた電子システムに関連することができる。メモリシステムは、通常、種々の電子機器製品に用いられるデジタルデータを記憶するために使用される。多くの場合、メモリシステムは電子システムから取り外せるため、記憶されたデジタルデータを持ち運ぶことができる。これらのメモリシステムはメモリカードと称される。本発明に従うメモリシステムは、比較的小さな形状因子を備えることができ、例えば、カメラ、携帯型又はノートブック型のコンピュータ、ネットワークカード、ネットアプライアンス、セットトップボックス、携帯型又は他の小型のオーディオプレイヤ/レコーダ(例えばMP3デバイス)、及び医療用モニタなどの電子機器製品のデジタルデータを記憶するために用いることができる。メモリカードの例として、PCカード(以前はPCMCIAデバイス)、フラッシュカード、セキュア・デジタル(SD)カード、マルチメディアカード(MMCカード)及びATAカード(例えばコンパクト・フラッシュ・カード)などが挙げられる。一例として、メモリカードは、データを記憶するフラッシュ型又はEEPROM型のメモリ電池を使用することができる。より一般的には、メモリシステムは、メモリカードだけでなく、メモリスティック又は他の何らかの半導体メモリ製品に関連することもできる。
本発明の利点は多数存在する。各別の実施形態又は実施例によれば、以下に示す一又は複数の利点をもたらすことができる。本発明の一つの利点として、実質的に同じサイズの集積回路チップを薄型集積回路パッケージ内において積層化できることが挙げられる。本発明の別の利点として、パッケージの全厚は薄く維持され、しかも集積回路チップ密度が著しく増大することが挙げられる。本発明の更に別の利点として、高密度メモリ集積回路パッケージが得られることが挙げられる(例えばフラシュメモリ)。本発明の更に別の利点として、本発明の改良された積層化技術が複数の積層化集積回路ダイを備えた集積回路パッケージの作製に必要な工程数が実質的に減少することが挙げられる。工程段階の減少は、製造処理生産高がより大きくなることを意味する。
本発明の多くの特徴及び利点は記載された明細書から明らかである。それゆえに、添付の特許請求の範囲によって本発明の特徴及び利点全てを含めることを意図している。更に多くの改良及び変更は、当業者にとって容易に想到し得ることから、図示され、記載された構造及び作用に本発明を限定することは望ましくない。従って、適切な改良並びに等価物の全てが、本発明の範囲内に相当するものとして採用することができる。
Claims (50)
- 集積回路パッケージであって、
複数の集積回路ダイからなるオフセット積層体であって、前記オフセット積層体において前記各集積回路ダイ間にスペーサダイを有していないオフセット積層体と、
前記オフセット積層体を支持する基板であって、前記オフセット積層体が前記基板に接合されている基板と
を備える集積回路パッケージ。 - 請求項1記載の集積回路パッケージにおいて、
前記各集積回路ダイは、複数のボンディングパッドを備える集積回路パッケージ。 - 請求項2記載の集積回路パッケージにおいて、
前記各集積回路ダイのボンディングパッドは、前記ボンディングパッドのうちの他の一つ、又は前記基板に対しワイヤボンディングされている集積回路パッケージ。 - 請求項2記載の集積回路パッケージにおいて、
前記各集積回路ダイは、活性面の第一側部にのみ複数のボンディングパッドを備える集積回路パッケージ。 - 請求項4記載の集積回路パッケージにおいて、
前記オフセット積層体内の集積回路ダイは、前記集積回路ダイのうちの下方の一つのボンディングパッドが前記集積回路ダイのうちの下方の一つの上部に積層化される前記集積回路ダイのうちの上方の一つによって覆われないように、オフセットされている集積回路パッケージ。 - 請求項2記載の集積回路パッケージにおいて、
前記各集積回路ダイは、活性面のうちの第一側部と第二側部とにのみに複数のボンディングパッドを備え、
前記第二側部は、前記第一側部と対向する側部ではない集積回路パッケージ。 - 請求項6記載の集積回路パッケージにおいて、
前記オフセット積層体内の集積回路ダイは、前記集積回路ダイのうちの下方の一つのボンディングパッドが前記集積回路ダイのうちの下方の一つの上部に積層化された前記集積回路ダイのうちの上方の一つによって覆われないように、オフセットにされている集積回路パッケージ。 - 請求項1〜6のうちいずれか一項に記載の集積回路パッケージは、更に、
前記オフセット積層体から離れて前記基板に対し物理的に接合された少なくとも一つの追加集積回路ダイを備える集積回路パッケージ。 - 請求項8記載の集積回路パッケージにおいて、
少なくとも一つの前記追加集積回路ダイは、少なくとも一つの前記追加集積回路ダイの一部が前記集積回路ダイのオフセット積層体から生じる張出部の下方に存在するように、前記基板上において配置されている集積回路パッケージ。 - 請求項9記載の集積回路パッケージにおいて、
少なくとも一つの前記追加集積回路ダイは、複数の集積回路ダイからなる積層体である集積回路パッケージ。 - 請求項1〜9のうちいずれか一項に記載の集積回路パッケージにおいて、
前記集積回路ダイは同じサイズであり、かつメモリ集積回路ダイである集積回路パッケージ。 - 請求項1記載の集積回路パッケージにおいて、
前記集積回路パッケージの厚さは1.0mmより大きくない集積回路パッケージ。 - 集積回路パッケージであって、
複数の基板ボンディング領域を有する基板と、
活性面及び非活性面を有する第一集積回路ダイであって、前記非活性面は前記基板に付着され、前記第一集積回路ダイの前記活性面は前記活性面の四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第一ボンディングパッドを有する第一集積回路ダイと、
前記第一ボンディングパッドと一又は複数の基板ボンディング領域との間に提供される第一ワイヤボンディングと、
前記第一集積回路ダイの前記活性面の少なくとも一部に提供される第一接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第二集積回路ダイであって、前記第二集積回路ダイの前記非活性面は前記第一接着剤層によって前記第一集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第二集積回路ダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第二ボンディングパッドを有する第二集積回路ダイとを備え、
前記第二集積回路ダイは、前記第二集積回路ダイが前記第一集積回路ダイの前記第一ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第一集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項13記載の集積回路パッケージは、
前記第二ボンディングパッドと一又は複数の前記基板ボンディング領域、又は前記第一ボンディングパッドとの間に提供される第二ワイヤボンディングを備える集積回路パッケージ。 - 請求項14記載の集積回路パッケージは、
前記第二集積回路ダイの前記活性面の少なくとも一部に提供される第二接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第三集積回路ダイであって、前記第三集積回路ダイの前記非活性面は前記第二接着剤層によって前記第二集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第三集積回路ダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置される第二ボンディングパッドを有する第三集積回路ダイとを備え、
前記第三集積回路ダイは、前記第三集積回路ダイが前記第二集積回路ダイの前記第二ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第二集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項15記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向である集積回路パッケージ。 - 請求項15記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向と逆の第二方向である集積回路パッケージ。 - 請求項15記載の集積回路パッケージは、
前記第三ボンディングパッドと一又は複数の前記基板ボンディング領域、前記第一ボンディングパッド又は前記第二ボンディングパッドとの間に提供される第三ワイヤボンディングを備える集積回路パッケージ。 - 請求項18記載の集積回路パッケージは、
前記第三集積回路ダイの前記活性面の少なくとも一部の上部に提供される第三接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第四集積回路ダイであって、前記第四集積回路ダイの前記非活性面は前記第三接着剤層によって前記第三集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第四集積回路ダイの前記活性面は前記活性面上に配置された第四ボンディングパッドを有する第四集積回路ダイとを備え、
前記第四集積回路ダイは、前記第四集積回路ダイが前記第三集積回路ダイの前記第三ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第三集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項19記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向であり、
前記第三集積回路ダイ上の前記第四集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向である集積回路パッケージ。 - 請求項19記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向と逆の第二方向であり、
前記第三集積回路ダイ上の前記第四集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向である集積回路パッケージ。 - 請求項19記載の集積回路パッケージにおいて、
前記集積回路パッケージはメモリ集積回路パッケージであり、
前記第一、第二、第三及び第四集積回路ダイはそれぞれメモリダイである集積回路パッケージ。 - 請求項22記載の集積回路パッケージにおいて、
前記各メモリダイは同じサイズである集積回路パッケージ。 - 請求項19〜23のうちいずれか一項に記載の集積回路パッケージにおいて、
前記集積回路パッケージの厚さは1.0mmより大きくない集積回路パッケージ。 - 請求項19〜23のうちいずれか一項に記載の集積回路パッケージは、
前記第四集積回路ダイの前記活性面の少なくとも一部に提供される第四接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第五集積回路ダイであって、前記第五集積回路ダイの前記非活性面は前記第四接着剤層によって前記第四集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第五集積回路ダイの前記活性面は前記活性面上に配置された第五ボンディングパッドを有する第五集積回路ダイと
を備える集積回路パッケージ。 - 請求項25記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第五集積回路ダイは、前記第四集積回路ダイより小さく、前記第五集積回路が前記第四集積回路の前記第四ボンディングパッド上を覆わないように、前記第四集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項25又は26記載の集積回路パッケージにおいて、
前記集積回路パッケージの前記厚さは1.0mmより大きくない集積回路パッケージ。 - 請求項19記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向であり、
前記第三集積回路ダイ上の前記第四集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向であり、
前記第一、第二、第三及び第四集積回路ダイは、張出部を有する積層体を形成し、
前記集積回路パッケージは、更に、
前記基板に付着される第五集積回路ダイを備え、
前記第五集積回路装置の少なくとも一部が前記張出部の下方に存在する集積回路パッケージ。 - 請求項28記載の集積回路パッケージは、更に、
前記第五集積回路ダイ上に付着される第六集積回路ダイを備え、
前記第六集積回路装置の少なくとも一部は前記張出部の下方に存在する集積回路パッケージ。 - 請求項28又は29記載の集積回路パッケージは、更に、
前記張出部の下方に設けられ、前記基板上に配置された少なくとも一つの受動電気素子を備える集積回路パッケージ。 - 請求項19〜23のうちいずれか一項に記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一、第二、第三及び第四集積回路ダイは、張出部を有する積層体を形成し、
前記集積回路パッケージは、更に、
前記基板上において前記張出部の下方に配置された少なくとも一つの受動電気素子を備える集積回路パッケージ。 - 集積回路パッケージであって、
複数の基板ボンディング領域を有する基板と、
活性面及び非活性面を有する第一集積回路ダイであって、前記非活性面は前記基板に付着され、前記第一集積回路ダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第一ボンディングパッドを有する第一集積回路ダイと、
前記第一ボンディングパッドと一又は複数の基板ボンディング領域との間に提供される第一ワイヤボンディングと、
活性面及び非活性面を有する第二集積回路ダイであって、前記第二集積回路ダイの前記非活性面は前記第一集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第二集積回路ダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第二ボンディングパッドを有する第二集積回路ダイとを備え、
前記第二集積回路ダイは、前記第二集積回路ダイが前記第一集積回路ダイの前記第一ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第一集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項32記載の集積回路パッケージは、
前記第二ボンディングパッドと一又は複数の前記基板ボンディング領域、又は前記第一ボンディングパッドとの間に提供される第二ワイヤボンディングを備える集積回路パッケージ。 - 請求項33記載の集積回路パッケージは、
活性面及び非活性面を有する第三集積回路ダイであって、前記第二集積回路ダイの前記非活性面は前記第二集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第三集積回路ダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置される第二ボンディングパッドを有する第三集積回路ダイを備え、
前記第三集積回路ダイは、前記第三集積回路ダイが前記第二集積回路ダイの前記第二ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第二集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項34記載の集積回路パッケージは、
前記第三ボンディングパッドと一又は複数の前記基板ボンディング領域、前記第一ボンディングパッド又は前記第二ボンディングパッドとの間に提供される第三ワイヤボンディングを備える集積回路パッケージ。 - 請求項35記載の集積回路パッケージは、
活性面及び非活性面を有する第四集積回路ダイであって、前記第四集積回路ダイの前記非活性面は前記第三集積回路ダイの前記活性面に付着され、前記第四集積回路ダイの前記活性面は、前記活性面上に配置された第四ボンディングパッドを有する第四集積回路ダイを備え、
前記第四集積回路ダイは、前記第四集積回路ダイが前記第三集積回路ダイの前記第三ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第三集積回路ダイに対し付着されている集積回路パッケージ。 - 請求項36記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向であり、
前記第三集積回路ダイ上の前記第四集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向である集積回路パッケージ。 - 請求項36記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一集積回路ダイ上の前記第二集積回路ダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二集積回路ダイ上の前記第三集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向と逆の第二方向であり、
前記第三集積回路ダイ上の前記第四集積回路ダイの前記オフセットは、前記第一方向である集積回路パッケージ。 - 請求項36〜38のうちいずれか一項に記載の集積回路パッケージにおいて、
前記集積回路パッケージはメモリ集積回路パッケージであり、
前記第一、第二、第三及び第四集積回路ダイはそれぞれメモリダイである集積回路パッケージ。 - 請求項39記載の集積回路パッケージにおいて、
前記各メモリダイは同じサイズである集積回路パッケージ。 - メモリ集積回路パッケージであって、
複数の基板ボンディング領域を有する基板と、
活性面及び非活性面を有する第一メモリダイであって、前記非活性面は前記基板に付着され、前記第一メモリダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第一ボンディングパッドを有する第一メモリダイと、
前記第一ボンディングパッドと、一又は複数の前記基板ボンディング領域との間に提供される第一ワイヤボンディングと、
前記第一メモリダイの前記活性面の少なくとも一部の上部に提供される第一接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第二メモリダイであって、前記第二メモリダイの前記非活性面は前記第一接着剤層によって前記第一メモリダイの前記活性面に付着され、前記第二メモリダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第二ボンディングパッドを有し、前記第二メモリダイは、前記第二メモリダイが前記第一メモリダイの前記第一ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第一メモリダイに対し付着される第二メモリダイと、
前記第二ボンディングパッドと、一又は複数の前記基板ボンディング領域又は前記ボンディングパッドとの間に提供される第二ワイヤボンディングと、
前記メモリダイの前記活性面の少なくとも一部の上部に提供される第二接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第三メモリダイであって、前記第三メモリダイの前記非活性面は前記第二接着剤層によって前記第二メモリダイの前記活性面に付着され、前記第三メモリダイの前記活性面は前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに配置された第二ボンディングパッドを有し、前記第三メモリダイは、前記第三メモリダイが前記第二メモリダイの前記第二ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第二メモリダイに対し付着される第三メモリダイと、
前記第三ボンディングパッドと、一又は複数の前記基板ボンディング領域、前記第一ボンディングパッド又は前記第二ボンディングパッドとの間に提供される第三ワイヤボンディングと、
前記第三メモリダイの前記活性面の少なくとも一部の上部に提供される第三接着剤層と、
活性面及び非活性面を有する第四メモリダイであって、前記第四メモリダイの前記非活性面は前記第三接着剤層によって前記第三メモリダイの前記活性面に付着され、前記第四メモリダイの前記活性面は前記活性面に配置される第四ボンディングパッドを有し、前記第四メモリダイは、前記第四メモリダイが前記第三メモリダイの前記第三ボンディングパッド上に付着されないように、オフセット様式で前記第三メモリダイに対し付着される第四メモリダイと
を備えるメモリ集積回路パッケージ。 - 請求項41記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一メモリダイ上の前記第二メモリダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二メモリダイ上の前記第三メモリダイの前記オフセットは、前記第一方向であり、
前記第三メモリダイ上の前記第四メモリダイの前記オフセットは、前記第一方向である集積回路パッケージ。 - 請求項41記載の集積回路パッケージにおいて、
前記第一メモリダイ上の前記第二メモリダイの前記オフセットは、第一方向であり、
前記第二メモリダイ上の前記第三メモリダイの前記オフセットは、前記第一方向と逆の第二方向であり、
前記第三メモリダイ上の前記第四メモリダイの前記オフセットは、前記第一方向である集積回路パッケージ。 - 複数の積層化集積回路ダイを備えた集積回路パッケージを形成するための方法であって、
複数の電気ボンディング領域を有する基板を取得するステップと、
ボンディングパッドの組をそれぞれ有する第一、第二、第三及び第四集積回路ダイを取得するステップであって、前記第一、第二及び第三の集積回路ダイの前記ボンディングパッドはその二つの側部より多くないが、少なくとも一つに制限されるステップと、
前記基板に対して前記第一集積回路ダイを配置するステップと、
前記第一及び第二の集積回路ダイ間で用いられる第一接着剤を提供するステップと、
それらの間の前記第一接着剤によってオフセット様式で前記第一集積回路ダイ上に前記第二集積回路ダイを配置するステップと、
前記第二及び第三の集積回路ダイ間で用いられる第二接着剤を提供するステップと、
それらの間の前記第二接着剤によってオフセット様式で前記第二集積回路ダイ上に前記第三集積回路ダイを配置するステップと、
前記第三及び第四集積回路ダイ間で用いられる第三接着剤を提供するステップと、
それらの間の前記第三接着剤によってオフセット様式で前記第三集積回路ダイ上に前記第四集積回路ダイを配置するステップと、
前記第一接着剤、前記第二接着剤及び前記第三接着剤を同時に硬化させるステップと、
続いて、前記第一集積回路ダイ、前記第二集積回路ダイ、前記第三集積回路ダイ及び前記第四集積回路ダイの前記ボンディングパッドを前記電気ボンディング領域に、及び/又は互いにワイヤボンディングするステップと
を備える方法。 - 請求項44記載の方法は、更に、
前記第一、第二、第三及び第四集積回路ダイと、前記ワイヤボンディングと、前記基板の少なくとも実質的な部分とを成形材料により密閉するステップを備える方法。 - 請求項44記載の方法は、更に、
ウエハを取得するステップであって、前記ウエハは前記第一集積回路ダイ、前記第二集積回路ダイ、前記第三集積回路ダイ、及び前記第四集積回路ダイを備えるステップと、
全ての前記ボンディングパッドが、前記各集積回路ダイの前記活性面の前記四つの側部のうちの所定の二つの側部より多くないが、少なくとも一つに類似の様式で配置されるように、前記第一集積回路ダイ、前記第二集積回路ダイ、前記第三集積回路ダイ及び前記第四集積回路ダイの前記ボンディングパッドを再分配すべく前記ウエハを処理するステップと
を備える方法。 - 請求項44記載の方法において、
前記第二集積回路ダイは、前記第一集積回路ダイ上において第一方向にオフセットされ、
前記第三集積回路ダイは、前記第二集積回路ダイ上において前記第一方向にオフセットされ、
前記第四集積回路ダイは、前記第三集積回路ダイ上において前記第一方向にオフセットされる方法。 - 請求項44記載の方法において、
前記第二集積回路ダイは、前記第一集積回路ダイ上において第一方向にオフセットされ、
前記第三集積回路ダイは、前記第二集積回路ダイ上において前記第一方法と逆の第二方向にオフセットされ、
前記第四集積回路ダイは、前記第三集積回路ダイ上において前記第一方向にオフセットされる方法。 - 請求項44記載の方法において、
前記第一、第二、第三及び第四集積回路ダイはそれぞれメモリダイである方法。 - 請求項49記載の方法において、
前記各メモリダイは同じサイズである方法。
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